JP2003156834A - 近接場光露光用マスク、露光装置および露光方法 - Google Patents
近接場光露光用マスク、露光装置および露光方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ステッキングが起きない近接場光露光用マス
クを提供する。 【解決手段】 １面に所定パターンの開口部を形成して
ウェハ２の表面に密着させ、近接場光露光を行う近接場
光露光マスク１であって、材質がガラスまたは石英ガラ
ス等の透明物質で、その厚さｄ１が１ｍｍ以下、好まし
くは０．１〜０．５ｍｍの円形形状の露光マスクとし
た。
クを提供する。 【解決手段】 １面に所定パターンの開口部を形成して
ウェハ２の表面に密着させ、近接場光露光を行う近接場
光露光マスク１であって、材質がガラスまたは石英ガラ
ス等の透明物質で、その厚さｄ１が１ｍｍ以下、好まし
くは０．１〜０．５ｍｍの円形形状の露光マスクとし
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微細パターンを転
写する近接場光露光に用いられる近接場光露光用マスク
（以後、「マスク」と言う。）に関するものであり、応
用技術分野としてはＤＦＢ、ＤＢＲと言った分布帰還型
レーザなどの光回路素子として用いるグレーティングに
応用できる微細パターン作成に関するものである。
写する近接場光露光に用いられる近接場光露光用マスク
（以後、「マスク」と言う。）に関するものであり、応
用技術分野としてはＤＦＢ、ＤＢＲと言った分布帰還型
レーザなどの光回路素子として用いるグレーティングに
応用できる微細パターン作成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光リソグラフィ技術の発展は、特に縮小
投影露光技術とフォトレジスト技術の進歩により支えら
れてきた。縮小投影露光技術の性能は、主に解像度ＲＰ
と焦点深度ＤＯＰの２つの基本量で決定される。投影光
学系の露光波長をλ、投影レンズの開口数をＮＡとする
と、前記２つの基本量は、ＲＰ＝ｋ１λ/ＮＡ、ＤＯＰ
＝ｋ２λ/ＮＡ２で表される。リソグラフィの解像度を
上げるためには、波長λを小さくすることと、投影レン
ズの開口数ＮＡを大きくすることが重要である。しかし
ＮＡを大きくすると解像度は上がるが、焦点深度がＮＡ
の２乗に反比例して小さくなるため、微細化の流れとし
ては、波長λを小さくすることが求められるようになっ
た。そこで、露光波長λは、ｇ線（４３６ｎｍ）からｉ
線（３６５ｎｍ）へと短波長化され、現在では、エキシ
マレーザ（２４８ｎｍ、１９３ｎｍ）がその主流となっ
ている。
投影露光技術とフォトレジスト技術の進歩により支えら
れてきた。縮小投影露光技術の性能は、主に解像度ＲＰ
と焦点深度ＤＯＰの２つの基本量で決定される。投影光
学系の露光波長をλ、投影レンズの開口数をＮＡとする
と、前記２つの基本量は、ＲＰ＝ｋ１λ/ＮＡ、ＤＯＰ
＝ｋ２λ/ＮＡ２で表される。リソグラフィの解像度を
上げるためには、波長λを小さくすることと、投影レン
ズの開口数ＮＡを大きくすることが重要である。しかし
ＮＡを大きくすると解像度は上がるが、焦点深度がＮＡ
の２乗に反比例して小さくなるため、微細化の流れとし
ては、波長λを小さくすることが求められるようになっ
た。そこで、露光波長λは、ｇ線（４３６ｎｍ）からｉ
線（３６５ｎｍ）へと短波長化され、現在では、エキシ
マレーザ（２４８ｎｍ、１９３ｎｍ）がその主流となっ
ている。
【０００３】しかし、光を用いるリソグラフィーでは光
の回折限界が解像度の限界となるため、波長が２４８ｎ
ｍのＦ２エキシマレーザを用いても線幅１００ｎｍの微
細化がレンズ列光学系を用いたリソグラフィの限界と言
われている。さらにその先のナノメータオーダーの解像
度を求めようとすると、電子線やＸ線（特にＳＯＲ光：
シンクロトロン放射光）リソグラフィー技術を用いる必
要がある。
の回折限界が解像度の限界となるため、波長が２４８ｎ
ｍのＦ２エキシマレーザを用いても線幅１００ｎｍの微
細化がレンズ列光学系を用いたリソグラフィの限界と言
われている。さらにその先のナノメータオーダーの解像
度を求めようとすると、電子線やＸ線（特にＳＯＲ光：
シンクロトロン放射光）リソグラフィー技術を用いる必
要がある。
【０００４】電子線リソグラフィは、ナノメータオーダ
ーのパターンの形成を高精度で制御することができ、光
学系に比べてかなり深い焦点深度をもっている。また、
ウェハ上にマスクなしで直接描画が可能であるという利
点があるが、スループットが低く、コストもかかること
から、量産レベルにはほど遠いという欠点がある。
ーのパターンの形成を高精度で制御することができ、光
学系に比べてかなり深い焦点深度をもっている。また、
ウェハ上にマスクなしで直接描画が可能であるという利
点があるが、スループットが低く、コストもかかること
から、量産レベルにはほど遠いという欠点がある。
【０００５】また、Ｘ線リソグラフィは、１対１マスク
の等倍露光にしても、反射型結像Ｘ線光学系を用いた場
合にも、エキシマレーザ露光に比べて、１桁程度の解像
度および精度の向上が可能である。しかし、Ｘ線リソグ
ラフィは、マスクの作成が難しく実現が困難であり、ま
た装置上コストが高いという問題もある。
の等倍露光にしても、反射型結像Ｘ線光学系を用いた場
合にも、エキシマレーザ露光に比べて、１桁程度の解像
度および精度の向上が可能である。しかし、Ｘ線リソグ
ラフィは、マスクの作成が難しく実現が困難であり、ま
た装置上コストが高いという問題もある。
【０００６】また、電子線やＸ線を用いたリソグラフィ
では、その露光方法に合わせてフォトレジストを開発す
る必要があり、感度、解像度、エッチング耐性等の面に
おいてもまだ問題が多い。
では、その露光方法に合わせてフォトレジストを開発す
る必要があり、感度、解像度、エッチング耐性等の面に
おいてもまだ問題が多い。
【０００７】そこで、このような問題を解決する方法と
して、最近、照射する光の波長よりも十分小さな径の開
口からしみ出す近接場光を光源とし、フォトレジストを
感光させ、現像することにより、微細なパターンを形成
する方法が提案されている。この方法によれば、光源の
波長に関わらず、ナノメータオーダーの空間分解能を得
ることができる。図１２は近接場光露光による微細パタ
ーンの転写方法を示す図である。図１２（ａ）に示すよ
うに、基板３１上に感光性材料からなるフォトレジスト
層３３をスピンコート法あるいはスプレイ法により順次
塗布してフォトレジスト層３３を形成する。一方、ガラ
ス等の誘電体からなるマスク基板３５上に金属の微少な
開口パターン３６を形成したマスク３４を用意する。次
に、図１２（ｂ）に示すように、マスク基板３５上のパ
ターン３６を基板３１側に対向させてマスク３４をフォ
トレジスト層３３に密着させる。図１２（ｃ）では、こ
のように基板３１にマスク３４を重ねた状態で、マスク
基板３５の裏面からのｉ線（３６５ｎｍ）等の光３９に
より照射を行う。そうすると図１２（ｄ）に示すよう
に、ｉ線等の光照射によりマスク３４のパターン３６の
金属が形成されていない開口部から近接場光３７が浸み
だし、これにより露光が行なわれ、露光されたフォトレ
ジスト部分ｈが感光する。感光後、図１２（ｅ）に示す
ように、マスク３４を基板３１から外し、フォトレジス
ト層３３を現像液で現像することにより、露光された部
分ｈが現像溶媒に可溶となり、ポジ型パターンを形成す
る。
して、最近、照射する光の波長よりも十分小さな径の開
口からしみ出す近接場光を光源とし、フォトレジストを
感光させ、現像することにより、微細なパターンを形成
する方法が提案されている。この方法によれば、光源の
波長に関わらず、ナノメータオーダーの空間分解能を得
ることができる。図１２は近接場光露光による微細パタ
ーンの転写方法を示す図である。図１２（ａ）に示すよ
うに、基板３１上に感光性材料からなるフォトレジスト
層３３をスピンコート法あるいはスプレイ法により順次
塗布してフォトレジスト層３３を形成する。一方、ガラ
ス等の誘電体からなるマスク基板３５上に金属の微少な
開口パターン３６を形成したマスク３４を用意する。次
に、図１２（ｂ）に示すように、マスク基板３５上のパ
ターン３６を基板３１側に対向させてマスク３４をフォ
トレジスト層３３に密着させる。図１２（ｃ）では、こ
のように基板３１にマスク３４を重ねた状態で、マスク
基板３５の裏面からのｉ線（３６５ｎｍ）等の光３９に
より照射を行う。そうすると図１２（ｄ）に示すよう
に、ｉ線等の光照射によりマスク３４のパターン３６の
金属が形成されていない開口部から近接場光３７が浸み
だし、これにより露光が行なわれ、露光されたフォトレ
ジスト部分ｈが感光する。感光後、図１２（ｅ）に示す
ように、マスク３４を基板３１から外し、フォトレジス
ト層３３を現像液で現像することにより、露光された部
分ｈが現像溶媒に可溶となり、ポジ型パターンを形成す
る。
【０００８】ここで、図１３に示す真空引きによる密着
露光装置の断面図を参照して、密着露光の方法を説明す
る。まず、基板３１上にフォトレジスト層３３が塗布さ
れたウェハを露光装置の台に装着し、その上に近接させ
てマスク３４を装着する。露光前は、図１３（ａ）に示
すように、装置内のマスク３４とフォトレジスト層３３
の間にＮ2等の不活性ガスを常時流している。露光時
は、図１３（ｂ）に示すように、マスク３４とフォトレ
ジスト層３３の空間を真空引きすることにより、マスク
３４をフォトレジスト層３３に密着させる。その後、マ
スク裏面から光３９を照射する。そして、図１３（ｃ）
に示すように、装置内にもう一度Ｎ2を流し込むことに
より、マスク３４とフォトレジスト層３３を離す。
露光装置の断面図を参照して、密着露光の方法を説明す
る。まず、基板３１上にフォトレジスト層３３が塗布さ
れたウェハを露光装置の台に装着し、その上に近接させ
てマスク３４を装着する。露光前は、図１３（ａ）に示
すように、装置内のマスク３４とフォトレジスト層３３
の間にＮ2等の不活性ガスを常時流している。露光時
は、図１３（ｂ）に示すように、マスク３４とフォトレ
ジスト層３３の空間を真空引きすることにより、マスク
３４をフォトレジスト層３３に密着させる。その後、マ
スク裏面から光３９を照射する。そして、図１３（ｃ）
に示すように、装置内にもう一度Ｎ2を流し込むことに
より、マスク３４とフォトレジスト層３３を離す。
【０００９】なお、フォトレジスト層３３の感光性フォ
トレジストは、上記説明では露部分が現像溶媒に可溶と
なるポジ型パターンを形成するものを用いていたが、光
照射によって照射部分のみが現像溶媒に不溶なネガ型フ
ォトレジストであってもよい。また、フォトレジスト層
の厚さは近接場光のしみだし深さと同程度かそれ以下が
望ましい。
トレジストは、上記説明では露部分が現像溶媒に可溶と
なるポジ型パターンを形成するものを用いていたが、光
照射によって照射部分のみが現像溶媒に不溶なネガ型フ
ォトレジストであってもよい。また、フォトレジスト層
の厚さは近接場光のしみだし深さと同程度かそれ以下が
望ましい。
【００１０】フォトレジスト層３３に用いられるフォト
レジスト材料としては、水性アルカリ現像液で現像可能
な材料が、有機廃液がなく膨潤が少なく高現像力で良好
なパターンを形成できることから、好ましい。より詳し
くは、水不溶性かつアルカリ可溶性のシリコーン含有ポ
リマーと感光性化合物とを含有するパターン形成材料で
ある。
レジスト材料としては、水性アルカリ現像液で現像可能
な材料が、有機廃液がなく膨潤が少なく高現像力で良好
なパターンを形成できることから、好ましい。より詳し
くは、水不溶性かつアルカリ可溶性のシリコーン含有ポ
リマーと感光性化合物とを含有するパターン形成材料で
ある。
【００１１】このように、スループットの観点から産業
上の利用価値の高い、マスクを使用した一括露光で近接
場光露光を行う方法が開示されているが、この場合、近
接場光は開口幅程度しか光強度を持たないために、マス
クとレジストを極力密着させる必要がある。従来使用さ
れてきたコンタクトアライナーにおいても、パターン寸
法精度の向上のためにウェーハとマスクの間を排気し
て、強固に密着させる方法が採られていて効果をあげて
いる。
上の利用価値の高い、マスクを使用した一括露光で近接
場光露光を行う方法が開示されているが、この場合、近
接場光は開口幅程度しか光強度を持たないために、マス
クとレジストを極力密着させる必要がある。従来使用さ
れてきたコンタクトアライナーにおいても、パターン寸
法精度の向上のためにウェーハとマスクの間を排気し
て、強固に密着させる方法が採られていて効果をあげて
いる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では、真空引きによりウェハとマスクを密着させて
露光することが可能になったが、ウェハとマスクの密着
性が高くなるため、逆に剥がれなくなるスティツキング
の問題が出てきた。このスティツキングに対しては、レ
ジスト材料の改善によって解消しようとする方法が試み
られたが、パーティクル（塵埃）付着によるマスク欠陥
が発生したので、従来の半導体プロセスにおいては、マ
スクを使用しない投影露光法を採用することになった等
の経緯がある。しかし、近接場光露光においては伝搬光
が利用できないために、マスクとレジスト面を密着させ
ることは必須であり、スティッキングの問題は実用上の
大きな障害となっている。
来例では、真空引きによりウェハとマスクを密着させて
露光することが可能になったが、ウェハとマスクの密着
性が高くなるため、逆に剥がれなくなるスティツキング
の問題が出てきた。このスティツキングに対しては、レ
ジスト材料の改善によって解消しようとする方法が試み
られたが、パーティクル（塵埃）付着によるマスク欠陥
が発生したので、従来の半導体プロセスにおいては、マ
スクを使用しない投影露光法を採用することになった等
の経緯がある。しかし、近接場光露光においては伝搬光
が利用できないために、マスクとレジスト面を密着させ
ることは必須であり、スティッキングの問題は実用上の
大きな障害となっている。
【００１３】それを解決するために、マスク材料に柔軟
性を持つ樹脂（ＰＤＭＳ：ポリジメチルシロキサン）を
利用してマスクとする方法が検討されている（Ｊ．Ｖａ
ｃＳｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ １６８１）．１９９
８）。この方法を用いた場合、マスクに柔軟性があって
変形しやすいためにレジストから引き剥がすことが容易
になり、スティツキングが起きにくいという利点がある
が、一方、マスクが変形し易いために、マスク作成時と
露光時にマスクパターンの寸法の変化が起きやすくな
り、パターンの精度に問題が出てくる。特に、ＤＢＲグ
レーティングなどの光学制御に使用するパターンは、ｎ
ｍオーダの高いピッチ制御性が要求されるため問題とな
る。また、密着露光の場合、ウェハと繰り返し密着させ
るため、マスクにパーティクルが付着する確率が高くな
り、マスク洗浄が必要となるが樹脂製のために化学／物
理耐性が弱く、従来の洗浄方法が使用できないという問
題があった。なお、この件に関しては、逆にウェハ側を
メンブレン（薄型）とすることにより、この問題を回避
し、微細なピッチのパターン形成を実現した例がある
（Ｔａｋａｈｉｋｏ ＯＮＯ ａｎｄ Ｍａｓａｙｏｓ
ｈｉ ＥＳＡＳＨＩ，”Ｓｕｂｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ
Ｐａｔｔｅｒｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ ｂｙ Ｎｅａｒ−
Ｆｉｅｌｄ Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ”Ｊｐ
ｎ.Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３７（１９９
８），ｐｐ．６７４５−６７４９，Ｐａｒｔ１．ＮＯ．
１２Ｂ，Ｄｅｃｅｍｂｅｒ １９９８）。しかし、この
方法ではウェハ自体を予め加工する必要があり、基板
（ウェハ）材料の選択自由度や、基板強度に問題があっ
て実用的とは言えない。
性を持つ樹脂（ＰＤＭＳ：ポリジメチルシロキサン）を
利用してマスクとする方法が検討されている（Ｊ．Ｖａ
ｃＳｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ １６８１）．１９９
８）。この方法を用いた場合、マスクに柔軟性があって
変形しやすいためにレジストから引き剥がすことが容易
になり、スティツキングが起きにくいという利点がある
が、一方、マスクが変形し易いために、マスク作成時と
露光時にマスクパターンの寸法の変化が起きやすくな
り、パターンの精度に問題が出てくる。特に、ＤＢＲグ
レーティングなどの光学制御に使用するパターンは、ｎ
ｍオーダの高いピッチ制御性が要求されるため問題とな
る。また、密着露光の場合、ウェハと繰り返し密着させ
るため、マスクにパーティクルが付着する確率が高くな
り、マスク洗浄が必要となるが樹脂製のために化学／物
理耐性が弱く、従来の洗浄方法が使用できないという問
題があった。なお、この件に関しては、逆にウェハ側を
メンブレン（薄型）とすることにより、この問題を回避
し、微細なピッチのパターン形成を実現した例がある
（Ｔａｋａｈｉｋｏ ＯＮＯ ａｎｄ Ｍａｓａｙｏｓ
ｈｉ ＥＳＡＳＨＩ，”Ｓｕｂｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ
Ｐａｔｔｅｒｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ ｂｙ Ｎｅａｒ−
Ｆｉｅｌｄ Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ”Ｊｐ
ｎ.Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３７（１９９
８），ｐｐ．６７４５−６７４９，Ｐａｒｔ１．ＮＯ．
１２Ｂ，Ｄｅｃｅｍｂｅｒ １９９８）。しかし、この
方法ではウェハ自体を予め加工する必要があり、基板
（ウェハ）材料の選択自由度や、基板強度に問題があっ
て実用的とは言えない。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の近接場光露光用マスクの発明は、露
光光に対して透明なマスク母材の一表面側に、所定パタ
ーンの開口部を残すように遮光部を形成し、この開口部
が形成されたパターニング部分をウェハの表面に密着さ
せて近接場光露光に用いられる近接場光露光用マスクに
おいて、前記マスクが厚さ１ｍｍ以下の透明部材から成
ることを特徴とする。そして、請求項２記載の露光装置
の発明は、請求項１記載の近接場光露光用マスクにおい
て、前記マスクの厚さが０．１ｍｍ〜０．５ｍｍである
ことを特徴とする。このように、マスク形状を薄くする
ことにより、ウェハ形状に格段の変更無しに、密着性、
剥離性が良好な露光プロセスを実現可能で、マスクを薄
くすることによりパーティクルがウェハ上に存在した場
合にも変形により欠陥領域を小さくすることが可能であ
り、マスク材質を石英／ガラスとすることで、樹脂に比
べ応力／熱に対する変形が小さくできて、高精度のパタ
ーンが作成可能な近接場光露光用マスクを提供すること
を目的としている。請求項３記載の発明は、請求項１又
は２記載の近接場光露光用マスクにおいて、前記マスク
が略円形形状であることを特徴とする。また、このよう
に、マスク形状を従来の方形形状を変えることで、密着
しているウェハ周辺部のマスク変形が容易になり、剥離
しやすくすることが可能となる。
め、請求項１記載の近接場光露光用マスクの発明は、露
光光に対して透明なマスク母材の一表面側に、所定パタ
ーンの開口部を残すように遮光部を形成し、この開口部
が形成されたパターニング部分をウェハの表面に密着さ
せて近接場光露光に用いられる近接場光露光用マスクに
おいて、前記マスクが厚さ１ｍｍ以下の透明部材から成
ることを特徴とする。そして、請求項２記載の露光装置
の発明は、請求項１記載の近接場光露光用マスクにおい
て、前記マスクの厚さが０．１ｍｍ〜０．５ｍｍである
ことを特徴とする。このように、マスク形状を薄くする
ことにより、ウェハ形状に格段の変更無しに、密着性、
剥離性が良好な露光プロセスを実現可能で、マスクを薄
くすることによりパーティクルがウェハ上に存在した場
合にも変形により欠陥領域を小さくすることが可能であ
り、マスク材質を石英／ガラスとすることで、樹脂に比
べ応力／熱に対する変形が小さくできて、高精度のパタ
ーンが作成可能な近接場光露光用マスクを提供すること
を目的としている。請求項３記載の発明は、請求項１又
は２記載の近接場光露光用マスクにおいて、前記マスク
が略円形形状であることを特徴とする。また、このよう
に、マスク形状を従来の方形形状を変えることで、密着
しているウェハ周辺部のマスク変形が容易になり、剥離
しやすくすることが可能となる。
【００１５】請求項４記載の露光装置の発明は、露光光
に対して透明なマスク母材の一表面側に、所定パターン
の開口部を残すように遮光部を形成し、この開口部が形
成されたパターニング部分をウェハの表面に密着させて
近接場光露光を行う露光装置において、前記マスクを変
形するための圧力印加手段を備えたことを特徴とする。
請求項５記載の発明は、請求項４記載の露光装置におい
て、前記圧力印加手段が前記マスクを押上げる押上部材
を備えていることを特徴とする。請求項６記載の発明
は、請求項４記載の露光装置において、前記圧力印加手
段が気体吹き付け手段を備えていることを特徴とする。
請求項記７載の発明は、請求項４記載の露光装置におい
て、前記圧力印加手段が、前記マスクと該マスクを保持
するマスク保持手段の間に挿入される音叉状挿入部を備
えたハンドラーであることを特徴とする。このように、
ピン等の押上部材又は圧縮空気によって、局所的にマス
クに応力を加えることでウェハとマスクの剥離を容易に
でき、ステッキングの問題を解決できる露光装置が得ら
れる。
に対して透明なマスク母材の一表面側に、所定パターン
の開口部を残すように遮光部を形成し、この開口部が形
成されたパターニング部分をウェハの表面に密着させて
近接場光露光を行う露光装置において、前記マスクを変
形するための圧力印加手段を備えたことを特徴とする。
請求項５記載の発明は、請求項４記載の露光装置におい
て、前記圧力印加手段が前記マスクを押上げる押上部材
を備えていることを特徴とする。請求項６記載の発明
は、請求項４記載の露光装置において、前記圧力印加手
段が気体吹き付け手段を備えていることを特徴とする。
請求項記７載の発明は、請求項４記載の露光装置におい
て、前記圧力印加手段が、前記マスクと該マスクを保持
するマスク保持手段の間に挿入される音叉状挿入部を備
えたハンドラーであることを特徴とする。このように、
ピン等の押上部材又は圧縮空気によって、局所的にマス
クに応力を加えることでウェハとマスクの剥離を容易に
でき、ステッキングの問題を解決できる露光装置が得ら
れる。
【００１６】請求項８記載の発明は、請求項４記載の露
光装置において、露光毎に前記マスクを自動的に交換す
るオートマスクチェンジャーを備えたことを特徴とす
る。請求項９記載の発明は、請求項４記載の露光装置に
おいて、前記マスクの洗浄を行うマスク洗浄機構を備え
たことを特徴とする。請求項１０記載の発明は、請求項
９記載の露光装置において、前記マスク洗浄機構が酸素
プラズマ又はオゾンアッシングによるものであることを
特徴とする。請求項１１記載の発明は、請求項９記載の
露光装置において、前記マスク洗浄機構が両面スクラバ
ーであることを特徴とする。請求項１２記載の発明は、
請求項９〜１１のいずれか１項記載の露光装置におい
て、前記マスクの洗浄状態を自動的に検査する自動検査
機構を備えたことを特徴とする。更に、このように、自
動マスク交換機、又はマスクの洗浄機、検査機を備える
ことで、密着露光のマスク汚染による歩留まり低下を回
避できる露光装置が得られる。請求項１３記載の近接場
光露光方法の発明は、所定パターンの形成されたマスク
をマスクチャックの上に装填し、フォトレジスト層を備
えたウェハをウェハチャックの上に装填した後、前記マ
スクチャックと前記ウェハチャックを互いに接近させ
て、前記マスクの前記パターンを前記ウェハの前記フォ
トレジスト層の上に密着させて近接場光露光する近接場
光露光方法において、露光終了後、圧力印加手段を前記
マスクの辺縁部に作用させて前記マスクの辺縁部を弾性
変形させることにより剥離開始することを特徴とする。
光装置において、露光毎に前記マスクを自動的に交換す
るオートマスクチェンジャーを備えたことを特徴とす
る。請求項９記載の発明は、請求項４記載の露光装置に
おいて、前記マスクの洗浄を行うマスク洗浄機構を備え
たことを特徴とする。請求項１０記載の発明は、請求項
９記載の露光装置において、前記マスク洗浄機構が酸素
プラズマ又はオゾンアッシングによるものであることを
特徴とする。請求項１１記載の発明は、請求項９記載の
露光装置において、前記マスク洗浄機構が両面スクラバ
ーであることを特徴とする。請求項１２記載の発明は、
請求項９〜１１のいずれか１項記載の露光装置におい
て、前記マスクの洗浄状態を自動的に検査する自動検査
機構を備えたことを特徴とする。更に、このように、自
動マスク交換機、又はマスクの洗浄機、検査機を備える
ことで、密着露光のマスク汚染による歩留まり低下を回
避できる露光装置が得られる。請求項１３記載の近接場
光露光方法の発明は、所定パターンの形成されたマスク
をマスクチャックの上に装填し、フォトレジスト層を備
えたウェハをウェハチャックの上に装填した後、前記マ
スクチャックと前記ウェハチャックを互いに接近させ
て、前記マスクの前記パターンを前記ウェハの前記フォ
トレジスト層の上に密着させて近接場光露光する近接場
光露光方法において、露光終了後、圧力印加手段を前記
マスクの辺縁部に作用させて前記マスクの辺縁部を弾性
変形させることにより剥離開始することを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明について図１〜図１
１に基づいて説明する。まず、本発明の第１の実施の形
態について図１に基づいて説明する。図１はマスクの厚
さと力との関係を説明する図で、図１（ａ）は本発明の
第１の実施の形態に係るマスクの場合、図１（ｂ）は従
来のマスクの場合の各説明図である。図１（ｂ）におい
て、１００は従来のマスクであり、従来のマスク１００
はその透明度が高い材質を用いているのでできる限り薄
く製作するというニーズは全くなくて、それよりも微弱
な力が加わっても簡単に割れないようにするために、そ
の厚さｄ２が０．０６インチ（１．５ｍｍ）程度かある
いはそれ以上のかなり厚いものが用いられていた。した
がって、マスク１００をウェハ２００から剥離させよう
として、マスク１００の端部に応力４００を加えると、
マスク１００の剛性が高いために応力４００が図１
（ｂ）の（イ）のように分散されてしまい、かなり大き
な力４００を加える必要があった。そのため、大きな力
４００を加えると今度は、図１（ｂ）の（ロ）のよう
に、マスク１００とウェハ２００が剥がれるより先にマ
スク１００と共にウェハ２００が真空チャック３００か
ら剥がれてしまう、という不都合が起きた。
１に基づいて説明する。まず、本発明の第１の実施の形
態について図１に基づいて説明する。図１はマスクの厚
さと力との関係を説明する図で、図１（ａ）は本発明の
第１の実施の形態に係るマスクの場合、図１（ｂ）は従
来のマスクの場合の各説明図である。図１（ｂ）におい
て、１００は従来のマスクであり、従来のマスク１００
はその透明度が高い材質を用いているのでできる限り薄
く製作するというニーズは全くなくて、それよりも微弱
な力が加わっても簡単に割れないようにするために、そ
の厚さｄ２が０．０６インチ（１．５ｍｍ）程度かある
いはそれ以上のかなり厚いものが用いられていた。した
がって、マスク１００をウェハ２００から剥離させよう
として、マスク１００の端部に応力４００を加えると、
マスク１００の剛性が高いために応力４００が図１
（ｂ）の（イ）のように分散されてしまい、かなり大き
な力４００を加える必要があった。そのため、大きな力
４００を加えると今度は、図１（ｂ）の（ロ）のよう
に、マスク１００とウェハ２００が剥がれるより先にマ
スク１００と共にウェハ２００が真空チャック３００か
ら剥がれてしまう、という不都合が起きた。
【００１８】そこで、本出願人はそれまでの常識を破っ
て、マスクの厚さｄ１をできるだけ薄くすることによっ
てかえって微弱な力で剥離できることを発見し、したが
ってマスクには微弱な力しか加わらないため、露光工程
でのマスクの破損が減少することを確認した。図１
（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係るマスクで、図
において、１は本発明のガラス又は石英／ガラス系の基
板に金属遮光膜を形成したマスクであり、２はマスク１
と密着させるウェハであり、３はウェハ２を保持するウ
ェハチャックで、４はマスク１をウェハ２から剥離させ
るピン等による圧力印加（剥離）手段の応力を表してい
る。
て、マスクの厚さｄ１をできるだけ薄くすることによっ
てかえって微弱な力で剥離できることを発見し、したが
ってマスクには微弱な力しか加わらないため、露光工程
でのマスクの破損が減少することを確認した。図１
（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係るマスクで、図
において、１は本発明のガラス又は石英／ガラス系の基
板に金属遮光膜を形成したマスクであり、２はマスク１
と密着させるウェハであり、３はウェハ２を保持するウ
ェハチャックで、４はマスク１をウェハ２から剥離させ
るピン等による圧力印加（剥離）手段の応力を表してい
る。
【００１９】図１（ａ）に示したマスク１は、マスク材
質自体は従来と同じく石英／ガラス系の基板に金属遮光
膜を形成したものであるが、その厚さｄ１を従来のもの
よりも薄くし、１ｍｍ以下、特に０．１〜０．５ｍｍに
している点が特徴である。このように薄くすることでマ
スク１を弾性変形させることが容易にできるので、露光
後のウェハ２とマスク１を引き剥がす場合、図１（ａ）
の（イ）のように、マスク１の端部にわずかな応力４を
加えるとその部分だけに力が集中して他の箇所への力分
散がなく、その集中力がレジストとの密着強度を超える
とその端部が剥離されることとなる。そして、端部の剥
離が一旦始まると、図１（ａ）の（ロ）のように、応力
集中部分が密着している部分に順次移動するので、最終
的に全面が剥離するようになる。このように、本発明の
第１の実施の形態によれば、マスク１を薄くすることで
弾性変形させることが容易にできるので、レジストとの
剥離が僅かな力で行えるようになるとともに、この範囲
では割れないことが確認できた。そして、厚さｄ１が
０．１ｍｍよりも薄くなると割れ易くなることが確認で
きた。さらに、パーティクルがウェハ２上に存在した場
合にも、マスク１を薄くすることでその弾性変形により
欠陥領域を小さくできるという効果がある。また、透明
部材を石英／ガラスとすることで、樹脂に比べ応力／熱
に対する変形を小さくできるので、高精度のパターンが
作製可能である。
質自体は従来と同じく石英／ガラス系の基板に金属遮光
膜を形成したものであるが、その厚さｄ１を従来のもの
よりも薄くし、１ｍｍ以下、特に０．１〜０．５ｍｍに
している点が特徴である。このように薄くすることでマ
スク１を弾性変形させることが容易にできるので、露光
後のウェハ２とマスク１を引き剥がす場合、図１（ａ）
の（イ）のように、マスク１の端部にわずかな応力４を
加えるとその部分だけに力が集中して他の箇所への力分
散がなく、その集中力がレジストとの密着強度を超える
とその端部が剥離されることとなる。そして、端部の剥
離が一旦始まると、図１（ａ）の（ロ）のように、応力
集中部分が密着している部分に順次移動するので、最終
的に全面が剥離するようになる。このように、本発明の
第１の実施の形態によれば、マスク１を薄くすることで
弾性変形させることが容易にできるので、レジストとの
剥離が僅かな力で行えるようになるとともに、この範囲
では割れないことが確認できた。そして、厚さｄ１が
０．１ｍｍよりも薄くなると割れ易くなることが確認で
きた。さらに、パーティクルがウェハ２上に存在した場
合にも、マスク１を薄くすることでその弾性変形により
欠陥領域を小さくできるという効果がある。また、透明
部材を石英／ガラスとすることで、樹脂に比べ応力／熱
に対する変形を小さくできるので、高精度のパターンが
作製可能である。
【００２０】次に、本発明の第２の実施の形態について
図２に基づいて説明する。図２はマスクの平面図の形状
を説明する図で、図２（ａ）は本発明の第１の実施の形
態に係るマスクを示し、図２（ｂ）は従来のマスクを示
している。図２（ｂ）に示すように、従来のマスク１０
０の形状は方形をしていた。このような方形のマスク１
００を図１（ｂ）のようにウエハ２００から剥離する場
合、マスク１００の辺部に応力４００を加えてもこの部
分は変形し難いため、剥離しにくいものとなった。
図２に基づいて説明する。図２はマスクの平面図の形状
を説明する図で、図２（ａ）は本発明の第１の実施の形
態に係るマスクを示し、図２（ｂ）は従来のマスクを示
している。図２（ｂ）に示すように、従来のマスク１０
０の形状は方形をしていた。このような方形のマスク１
００を図１（ｂ）のようにウエハ２００から剥離する場
合、マスク１００の辺部に応力４００を加えてもこの部
分は変形し難いため、剥離しにくいものとなった。
【００２１】これに対し、図２（ａ）に示す本発明の第
２の実施の形態によるマスク１のように、略円形形状と
することで、マスク１の辺縁部に力を加えた場合の断面
２次モーメントを小さくすることが可能となり、しかも
全周囲に亘ってどの場所でも同じく小さな応力４で弾性
変形しやすいので、方形のマスク１００に比べてマスク
とウエハを容易に剥離することが可能となる。
２の実施の形態によるマスク１のように、略円形形状と
することで、マスク１の辺縁部に力を加えた場合の断面
２次モーメントを小さくすることが可能となり、しかも
全周囲に亘ってどの場所でも同じく小さな応力４で弾性
変形しやすいので、方形のマスク１００に比べてマスク
とウエハを容易に剥離することが可能となる。
【００２２】次に具体的な実施例を示す。先ず、マスク
１は石英ガラスを４インチφのウェハ形状に成形した
後、研磨して０．５ｍｍ厚さとした。これに３０ｎｍ厚
のＣｒを真空蒸着により成膜し、通常の電子ビームリソ
グラフィを用いて１００ｎｍ幅の最小開口を持つマスク
１を作製した。また、マスク１の厚さｄ１は、応力を加
える手段にもよるが、一般的な加圧手段として利用され
る圧縮空気（０．６ＭＰａ）を使用した場合、剥離に十
分な変形が得られるには１ｍｍ以下が望ましく、より使
用し易い０．３ＭＰａ程度の圧力で変形させる場合は、
０．５ｍｍ以下の厚さにすると良好な剥離が可能であっ
た。逆に、マスク厚を０．１ｍｍ以下に薄くした場合
は、強度が不足して破損する確率が高くなり、後述の作
製時の研磨や洗浄等のハンドリングが困難であった。従
って、実用上マスク厚ｄ１は０．１〜０．５ｍｍの範囲
が剥離と強度を両立できる数値であることが判明した。
１は石英ガラスを４インチφのウェハ形状に成形した
後、研磨して０．５ｍｍ厚さとした。これに３０ｎｍ厚
のＣｒを真空蒸着により成膜し、通常の電子ビームリソ
グラフィを用いて１００ｎｍ幅の最小開口を持つマスク
１を作製した。また、マスク１の厚さｄ１は、応力を加
える手段にもよるが、一般的な加圧手段として利用され
る圧縮空気（０．６ＭＰａ）を使用した場合、剥離に十
分な変形が得られるには１ｍｍ以下が望ましく、より使
用し易い０．３ＭＰａ程度の圧力で変形させる場合は、
０．５ｍｍ以下の厚さにすると良好な剥離が可能であっ
た。逆に、マスク厚を０．１ｍｍ以下に薄くした場合
は、強度が不足して破損する確率が高くなり、後述の作
製時の研磨や洗浄等のハンドリングが困難であった。従
って、実用上マスク厚ｄ１は０．１〜０．５ｍｍの範囲
が剥離と強度を両立できる数値であることが判明した。
【００２３】なお、ウェハ２面のレジスト塗布作業につ
いては、厚さ０．４ｍｍの３インチφのウェハにフォト
レジストをスピン塗布する。この際、レジスト塗布膜厚
はマスクスリットの最小開口幅以下とする。マスク開口
幅１００ｎｍで、ベーキング後のレジスト厚は５０ｎｍ
とした。このようにして作成されたウエハのフォトレジ
スト層に上記のマスクのパターンを密着させ、このよう
な密着状態で、マスク基板の裏面からのｉ線等の光によ
り照射を行なった。光照射によりマスクのパターン開口
部から近接場光が浸みだし、これにより露光が行なわ
れ、フォトレジストを感光させた。感光後、マスク辺縁
部に力を加えて変形させウエハから剥離した。
いては、厚さ０．４ｍｍの３インチφのウェハにフォト
レジストをスピン塗布する。この際、レジスト塗布膜厚
はマスクスリットの最小開口幅以下とする。マスク開口
幅１００ｎｍで、ベーキング後のレジスト厚は５０ｎｍ
とした。このようにして作成されたウエハのフォトレジ
スト層に上記のマスクのパターンを密着させ、このよう
な密着状態で、マスク基板の裏面からのｉ線等の光によ
り照射を行なった。光照射によりマスクのパターン開口
部から近接場光が浸みだし、これにより露光が行なわ
れ、フォトレジストを感光させた。感光後、マスク辺縁
部に力を加えて変形させウエハから剥離した。
【００２４】こうして剥離したウェハ２は、所定のＰＥ
Ｂ、現像、リンス、乾燥工程を実施して、レジストパタ
ーンを形成した。実際に形成されたレジストパターンは
１５０ｎｍ程度のパターン幅となり、開口に対して広が
るものの露光波長よりも十分狭い幅のパターンが近接場
光リソグラフィにより形成できた。
Ｂ、現像、リンス、乾燥工程を実施して、レジストパタ
ーンを形成した。実際に形成されたレジストパターンは
１５０ｎｍ程度のパターン幅となり、開口に対して広が
るものの露光波長よりも十分狭い幅のパターンが近接場
光リソグラフィにより形成できた。
【００２５】次に、本発明の第３の実施の形態について
図３および図４を参照して説明する。図３は本発明の第
３の実施の形態に係る露光装置のマスク押上機構を示す
平面図、図４は図３の露光装置のマスク押上機構にマス
クとウエハとを装填した状態の正面断面面である。
図３および図４を参照して説明する。図３は本発明の第
３の実施の形態に係る露光装置のマスク押上機構を示す
平面図、図４は図３の露光装置のマスク押上機構にマス
クとウエハとを装填した状態の正面断面面である。
【００２６】図３において、３はウェハチャック、３ｂ
はウェハチャック３の排気孔、３ｃはウェハチャック３
の排気溝、６はマスク保持手段としてのマスクチャッ
ク、６ａはマスクチャック排気孔、６ｃはマスクチャッ
ク排気溝、５はマスクチャック排気孔６ａ内に上下移動
可能に設けられたマスク押上部材の押上ピンである。押
上ピン５は圧縮空気が送り込まれることで上昇し、排気
により降下する。図４において、図３で説明した以外の
構成を示すと、１はマスクチャック６の上に装填された
マスク、２はウェハチャック３の上に装填されたウェ
ハ、６ｂはマスク／ウェハ間排気孔、６ｃは押上ピン５
の駆動用給気孔である。
はウェハチャック３の排気孔、３ｃはウェハチャック３
の排気溝、６はマスク保持手段としてのマスクチャッ
ク、６ａはマスクチャック排気孔、６ｃはマスクチャッ
ク排気溝、５はマスクチャック排気孔６ａ内に上下移動
可能に設けられたマスク押上部材の押上ピンである。押
上ピン５は圧縮空気が送り込まれることで上昇し、排気
により降下する。図４において、図３で説明した以外の
構成を示すと、１はマスクチャック６の上に装填された
マスク、２はウェハチャック３の上に装填されたウェ
ハ、６ｂはマスク／ウェハ間排気孔、６ｃは押上ピン５
の駆動用給気孔である。
【００２７】つぎに図３および図４のマスク押上機構の
動作について説明する。前述のように、本発明の第１お
よび第２の実施の形態によって薄くて円形形状の弾性変
形し易いマスク１が図３および図４のマスクチャック６
の上に載置され、マスクチャック排気孔６ａからの排気
により、マスク１はしっかりとマスクチャック６の上に
装填される。一方、ウェハチャック３の上には近接場光
露光されるウェハ２がウェハチャック３の上に載置さ
れ、ウエハチャック排気孔３ｂからの排気により、ウェ
ハ２がウェハチャック排気溝３ｃによって吸引されるた
めしっかりとウェハチャック３の上に装填される。装着
時には、図４（ａ）のように、マスクチャック６とウェ
ハチャック３は互いに離間して位置している。露光時に
はマスクチャック６とウェハチャック３は互いに密着し
て、露光される。また、露光終了後は、図４（ｂ）のよ
うに、押上ピン５の駆動用給気孔６ｃに圧縮空気を送り
込むことにより、押上ピン５を上方に押し上げて、第１
および第２の実施の形態による変形可能なマスク１のエ
ッジ部分を押し上げて変形させることにより、マスク１
をウェハ２から簡単かつ確実に剥離させることができ
る。
動作について説明する。前述のように、本発明の第１お
よび第２の実施の形態によって薄くて円形形状の弾性変
形し易いマスク１が図３および図４のマスクチャック６
の上に載置され、マスクチャック排気孔６ａからの排気
により、マスク１はしっかりとマスクチャック６の上に
装填される。一方、ウェハチャック３の上には近接場光
露光されるウェハ２がウェハチャック３の上に載置さ
れ、ウエハチャック排気孔３ｂからの排気により、ウェ
ハ２がウェハチャック排気溝３ｃによって吸引されるた
めしっかりとウェハチャック３の上に装填される。装着
時には、図４（ａ）のように、マスクチャック６とウェ
ハチャック３は互いに離間して位置している。露光時に
はマスクチャック６とウェハチャック３は互いに密着し
て、露光される。また、露光終了後は、図４（ｂ）のよ
うに、押上ピン５の駆動用給気孔６ｃに圧縮空気を送り
込むことにより、押上ピン５を上方に押し上げて、第１
および第２の実施の形態による変形可能なマスク１のエ
ッジ部分を押し上げて変形させることにより、マスク１
をウェハ２から簡単かつ確実に剥離させることができ
る。
【００２８】図５は図４のマスク押上機構の変形例で、
押上ピン５の代わりに圧縮空気を用いた剥離機構の説明
図である。図５において、１はマスクチャック６の上に
装填されたマスク、２はウェハチャック３の上に装填さ
れたウェハ、６ｂはマスク／ウェハ間排気孔、３はウェ
ハチャック、３ａはウェハチャック３のシール、３ｂは
ウェハチャック３の排気孔、３ｃはウェハチャック３の
排気溝、６はマスク保持手段としてのマスクチャック、
６ａはマスクチャック排気孔、６ｂはマスク／ウェハ間
排気孔、６ｃは圧縮空気給気孔、７は圧縮空気給気孔６
ｃから排出された押上用圧縮空気である。図５のよう
に、剥離時に、ウェハ２とマスク１の間に圧縮空気（又
はＮ２ガス等）７を吹き付けることにより、その圧力に
よりマスク１とウェハ２を剥離させるものである。図５
の押し上げ機構によれば、図４（ｂ）のような押上ピン
５およびその取り付け空間等の加工・工作が不要となる
ので便利である。
押上ピン５の代わりに圧縮空気を用いた剥離機構の説明
図である。図５において、１はマスクチャック６の上に
装填されたマスク、２はウェハチャック３の上に装填さ
れたウェハ、６ｂはマスク／ウェハ間排気孔、３はウェ
ハチャック、３ａはウェハチャック３のシール、３ｂは
ウェハチャック３の排気孔、３ｃはウェハチャック３の
排気溝、６はマスク保持手段としてのマスクチャック、
６ａはマスクチャック排気孔、６ｂはマスク／ウェハ間
排気孔、６ｃは圧縮空気給気孔、７は圧縮空気給気孔６
ｃから排出された押上用圧縮空気である。図５のよう
に、剥離時に、ウェハ２とマスク１の間に圧縮空気（又
はＮ２ガス等）７を吹き付けることにより、その圧力に
よりマスク１とウェハ２を剥離させるものである。図５
の押し上げ機構によれば、図４（ｂ）のような押上ピン
５およびその取り付け空間等の加工・工作が不要となる
ので便利である。
【００２９】次に、本発明に係る露光装置の露光シーケ
ンスについて、図を用いて説明する。先ず、図６（ａ）
に示すように、レジスト塗布した本発明による厚さおよ
び形状のＳｉウェハ２をウエハチャック３にセットし、
ウェハチャック排気孔３ｂより排気すると、図３に示す
排気溝３ｃを通してウェハ２の下面全体が真空チャッキ
ングにより固定される。また、マスク１をマスクチャッ
ク６にセットし、マスクチャック排気孔６ａより排気し
て、マスク１を真空チャッキングにより固定する。続い
て、図６（ｂ）に示すように、アライメント手段（マニ
ピュレーター）によりウェハ２とマスク１の位置合わせ
を行って、ウエハ／マスク間排気孔６ｂによりマスク１
とウェハ２間を減圧しながら、ウェハチャック３を上昇
させ（又は、マスクチャック６を下降させて）マスク１
とウェハ２を近接させ密着させる。
ンスについて、図を用いて説明する。先ず、図６（ａ）
に示すように、レジスト塗布した本発明による厚さおよ
び形状のＳｉウェハ２をウエハチャック３にセットし、
ウェハチャック排気孔３ｂより排気すると、図３に示す
排気溝３ｃを通してウェハ２の下面全体が真空チャッキ
ングにより固定される。また、マスク１をマスクチャッ
ク６にセットし、マスクチャック排気孔６ａより排気し
て、マスク１を真空チャッキングにより固定する。続い
て、図６（ｂ）に示すように、アライメント手段（マニ
ピュレーター）によりウェハ２とマスク１の位置合わせ
を行って、ウエハ／マスク間排気孔６ｂによりマスク１
とウェハ２間を減圧しながら、ウェハチャック３を上昇
させ（又は、マスクチャック６を下降させて）マスク１
とウェハ２を近接させ密着させる。
【００３０】この際に、減圧により、ウェハチャックシ
ール３ａがマスクチャック６の下部に当接して上（ウェ
ハ側に）に凸形状に変形し、かつマスク１が下（ウェハ
側に）に凸形状に変形するため、ウェハ中心部から残留
ガスを追い出す形となり、よりウェハ２とマスク１の密
着性が向上する（これは、マスク厚さが薄くなるほど変
形が大きくなるので、より効果が得やすくなる）。その
後、図６（ｃ）に示すように、完全に密着する前にウェ
ハチャッキングの真空排気を解放、又はＮ２ガス等によ
る加圧を行って、ウェハチャッキング時のチャック用溝
にウェハが沈み込む変形による密着不良を低減する。最
後に、ウェハ２表面をマスク１下面と同レベルまで上昇
させ、マスク１を水平にした後、固定させる。こうして
露光ＯＫの状態にセットが完了したら、高圧水銀ランプ
（ｇ、ｈ、ｉ線）を用いた近接場光露光系で、紫外線を
所定時間照射する。この際、マスク１のスリット方向に
平行な偏光方向となるように調整する。
ール３ａがマスクチャック６の下部に当接して上（ウェ
ハ側に）に凸形状に変形し、かつマスク１が下（ウェハ
側に）に凸形状に変形するため、ウェハ中心部から残留
ガスを追い出す形となり、よりウェハ２とマスク１の密
着性が向上する（これは、マスク厚さが薄くなるほど変
形が大きくなるので、より効果が得やすくなる）。その
後、図６（ｃ）に示すように、完全に密着する前にウェ
ハチャッキングの真空排気を解放、又はＮ２ガス等によ
る加圧を行って、ウェハチャッキング時のチャック用溝
にウェハが沈み込む変形による密着不良を低減する。最
後に、ウェハ２表面をマスク１下面と同レベルまで上昇
させ、マスク１を水平にした後、固定させる。こうして
露光ＯＫの状態にセットが完了したら、高圧水銀ランプ
（ｇ、ｈ、ｉ線）を用いた近接場光露光系で、紫外線を
所定時間照射する。この際、マスク１のスリット方向に
平行な偏光方向となるように調整する。
【００３１】露光が完了すると、一旦解放したウェハチ
ャック３を、再び減圧して真空チャッキングする。減圧
したウェハ／マスク間６ｂを解放し、マスクチャッキン
グ６ａを解放して大気圧に戻した状態で、図６（ｄ）の
ようにマスク押上ピン５によりマスク１の端部を押上
げ、ウェハ端部をマスク１から剥離し、図６（ｅ）のよ
うにウェハチャック３を下降させて全体を引き剥がすこ
とができる。もちろん、マスク押上ピン５の代わりに、
図５のように圧縮空気の吹きつけによりマスク１の端部
を押上げ、ウェハ端部をマスク１から剥離し、図６
（ｅ）のようにウェハチャック３を下降させて全体を引
き剥がすこともできる。
ャック３を、再び減圧して真空チャッキングする。減圧
したウェハ／マスク間６ｂを解放し、マスクチャッキン
グ６ａを解放して大気圧に戻した状態で、図６（ｄ）の
ようにマスク押上ピン５によりマスク１の端部を押上
げ、ウェハ端部をマスク１から剥離し、図６（ｅ）のよ
うにウェハチャック３を下降させて全体を引き剥がすこ
とができる。もちろん、マスク押上ピン５の代わりに、
図５のように圧縮空気の吹きつけによりマスク１の端部
を押上げ、ウェハ端部をマスク１から剥離し、図６
（ｅ）のようにウェハチャック３を下降させて全体を引
き剥がすこともできる。
【００３２】図７は本発明の第４の実施の形態に係るマ
スク剥離機構を説明する図である。図７において、１は
マスクチャック６の上に装填されたマスク、２はウェハ
チャック３の上に装填されたウェハ、３はウェハチャッ
ク、３ａはウェハチャック３のシール、３ｂはウェハチ
ャック３の排気孔、３ｃはウェハチャック３の排気溝、
６はマスク保持手段としてのマスクチャック、６ａはマ
スクチャック排気孔、６ｂはマスク／ウェハ間排気孔、
８は気体吹き出し管である。気体吹き出し管８以外は、
上述の対応符号の機構と同じ機能である。
スク剥離機構を説明する図である。図７において、１は
マスクチャック６の上に装填されたマスク、２はウェハ
チャック３の上に装填されたウェハ、３はウェハチャッ
ク、３ａはウェハチャック３のシール、３ｂはウェハチ
ャック３の排気孔、３ｃはウェハチャック３の排気溝、
６はマスク保持手段としてのマスクチャック、６ａはマ
スクチャック排気孔、６ｂはマスク／ウェハ間排気孔、
８は気体吹き出し管である。気体吹き出し管８以外は、
上述の対応符号の機構と同じ機能である。
【００３３】このマスク剥離機構の動作は次のようにな
る。図７（ａ）は露光終了後の状態を示している。図７
（ａ）において、露光後、気体吹き出し管８がマスク１
の中央上部へ配管される。その後、図７（ｂ）のよう
に、ウェハチャック３を下降させながら、気体吹き出し
管８からＮ２ガス（圧縮空気でもよい）等をマスク１の
上部へ向けて勢いよく噴射すると、本発明による弾性変
形可能なマスク１はその中央部分を下方に変形するの
で、マスク１とウェハ２との間に間隙ができる。この
時、同時に、ウェハチャック排気孔３ｂとマスク／ウェ
ハ間排気孔６ｂに各々給気を行えばより剥離は確実なも
のとなる。そこでさらに、ウェハチャック３を下降させ
れば、図７（ｃ）のようにウェハ２とマスク１が剥離さ
れる。
る。図７（ａ）は露光終了後の状態を示している。図７
（ａ）において、露光後、気体吹き出し管８がマスク１
の中央上部へ配管される。その後、図７（ｂ）のよう
に、ウェハチャック３を下降させながら、気体吹き出し
管８からＮ２ガス（圧縮空気でもよい）等をマスク１の
上部へ向けて勢いよく噴射すると、本発明による弾性変
形可能なマスク１はその中央部分を下方に変形するの
で、マスク１とウェハ２との間に間隙ができる。この
時、同時に、ウェハチャック排気孔３ｂとマスク／ウェ
ハ間排気孔６ｂに各々給気を行えばより剥離は確実なも
のとなる。そこでさらに、ウェハチャック３を下降させ
れば、図７（ｃ）のようにウェハ２とマスク１が剥離さ
れる。
【００３４】図８は本発明の第５の実施の形態に関する
説明図で、図９に示すハンドラー９を用いた剥離動作の
手順を示す図である。図８において、１はマスクチャッ
ク６の上に装填されたマスク、２はウェハチャック３の
上に装填されたウェハ、３はウェハチャック、３ａはウ
ェハチャック３のシール、３ｂはウェハチャック３の排
気孔、３ｃはウェハチャック３の排気溝、６はマスク保
持手段としてのマスクチャック、６ａはマスクチャック
排気孔、６ｂはマスク／ウェハ間排気孔、９はハンドラ
ーである。９のハンドラー以外は、上述の対応符号の機
構と同じである。ハンドラー９の構造は図９に平面図で
示されている。
説明図で、図９に示すハンドラー９を用いた剥離動作の
手順を示す図である。図８において、１はマスクチャッ
ク６の上に装填されたマスク、２はウェハチャック３の
上に装填されたウェハ、３はウェハチャック、３ａはウ
ェハチャック３のシール、３ｂはウェハチャック３の排
気孔、３ｃはウェハチャック３の排気溝、６はマスク保
持手段としてのマスクチャック、６ａはマスクチャック
排気孔、６ｂはマスク／ウェハ間排気孔、９はハンドラ
ーである。９のハンドラー以外は、上述の対応符号の機
構と同じである。ハンドラー９の構造は図９に平面図で
示されている。
【００３５】図９において、３はウェハチャック、３ｂ
はウェハチャック３の排気孔、６はマスクチャック、６
ｃはマスクチャック排気溝、６ｂはマスク／ウェハ間排
気孔、９はハンドラーである。そして点線で示す１はマ
スクである。ハンドラー９は基部から先端に向けて互い
に平行に２つに枝分かれした先端部（以後、「音叉状挿
入部」と言う。）９ａ、９ｂを備えている。この音叉状
挿入部９ａ、９ｂどうしの間隔はウェハチャック３の外
径より若干大きく、本発明に係る円形形状マスクの外径
より若干小さくなっている。また、この音叉状挿入部９
ａ、９ｂどうしの作る空間の奥行きはウェハチャック３
の半径より大きくなっている。
はウェハチャック３の排気孔、６はマスクチャック、６
ｃはマスクチャック排気溝、６ｂはマスク／ウェハ間排
気孔、９はハンドラーである。そして点線で示す１はマ
スクである。ハンドラー９は基部から先端に向けて互い
に平行に２つに枝分かれした先端部（以後、「音叉状挿
入部」と言う。）９ａ、９ｂを備えている。この音叉状
挿入部９ａ、９ｂどうしの間隔はウェハチャック３の外
径より若干大きく、本発明に係る円形形状マスクの外径
より若干小さくなっている。また、この音叉状挿入部９
ａ、９ｂどうしの作る空間の奥行きはウェハチャック３
の半径より大きくなっている。
【００３６】そこで、図８に戻って、図９に示すハンド
ラー９を用いた剥離動作の手順を説明する。図８（ａ）
は露光を終えた状態を示している。露光が終わると、図
８（ｂ）に示すようにウェハチャック３をマスクチャッ
ク６の吸着面よりも上昇させ、マスク１とマスクチャッ
ク６の間隙に、図９に示すハンドラー９の音叉状挿入部
９ａ、９ｂを挿入する。その後、ウェハチャック３を下
降させてマスク１をハンドラー９に押当てると、図８
（ｃ）に示すように、本発明に係るマスク１が変形をし
始める。そこでそのままウェハチャック３を下降させて
いけば、マスク１とウェハ２は図８（ｄ）に示すよう
に、最終的に剥離する。この場合に、ウェハ端部が剥離
し始めた後、ウェハ２とマスク１の間隙にＮ２ガスなど
を吹き込むことにより、より容易に剥離が可能となる。
ラー９を用いた剥離動作の手順を説明する。図８（ａ）
は露光を終えた状態を示している。露光が終わると、図
８（ｂ）に示すようにウェハチャック３をマスクチャッ
ク６の吸着面よりも上昇させ、マスク１とマスクチャッ
ク６の間隙に、図９に示すハンドラー９の音叉状挿入部
９ａ、９ｂを挿入する。その後、ウェハチャック３を下
降させてマスク１をハンドラー９に押当てると、図８
（ｃ）に示すように、本発明に係るマスク１が変形をし
始める。そこでそのままウェハチャック３を下降させて
いけば、マスク１とウェハ２は図８（ｄ）に示すよう
に、最終的に剥離する。この場合に、ウェハ端部が剥離
し始めた後、ウェハ２とマスク１の間隙にＮ２ガスなど
を吹き込むことにより、より容易に剥離が可能となる。
【００３７】次に、本発明の第６の実施の形態について
図を参照して説明する。図１０は本発明の第６の実施の
形態に係るオートマスクチェンジャーを有する露光装置
の構成図である。従来の露光装置では、１枚のマスクを
マスクチャックに設置して複数枚のウェハを連続して処
理していたが、近接場光リソグラフィではウェハ２とマ
スク１を密着させて露光するために、これではレジスト
等のパーティクルがマスクに付着し、密着性の悪化やパ
ターン欠陥の発生の原因となって、実用化を困難にして
いた。これを解決する方法として、第６の実施の形態で
は、ウェハ２と同数のマスク１を用意して、１枚ウェハ
を露光する毎にマスク１を自動的に交換するようにして
回避するようにしたものである。
図を参照して説明する。図１０は本発明の第６の実施の
形態に係るオートマスクチェンジャーを有する露光装置
の構成図である。従来の露光装置では、１枚のマスクを
マスクチャックに設置して複数枚のウェハを連続して処
理していたが、近接場光リソグラフィではウェハ２とマ
スク１を密着させて露光するために、これではレジスト
等のパーティクルがマスクに付着し、密着性の悪化やパ
ターン欠陥の発生の原因となって、実用化を困難にして
いた。これを解決する方法として、第６の実施の形態で
は、ウェハ２と同数のマスク１を用意して、１枚ウェハ
を露光する毎にマスク１を自動的に交換するようにして
回避するようにしたものである。
【００３８】図１０に示すオートマスクチェンジャーに
おいて、２０は露光ユニットで図３〜図９に示す露光、
剥離機構のいずれかを内蔵している。２１はマスクキャ
リアで図１および図２に示す本発明に係るマスク１を複
数個保持している。２２はウェハキャリアで複数のウェ
ハ２を保持している。２３はウェハ搬送系でウェハキャ
リア２１から露光ユニット２０へウェハ２を搬送してウ
ェハチャック３にセットし、露光終了後にはウェハ２を
運び出すす搬送ロボットである。２４はマスク搬送系で
マスクキャリア２１のマスク１をマスクチャック６にセ
ットし、露光終了後に運びだす搬送ロボットである。
おいて、２０は露光ユニットで図３〜図９に示す露光、
剥離機構のいずれかを内蔵している。２１はマスクキャ
リアで図１および図２に示す本発明に係るマスク１を複
数個保持している。２２はウェハキャリアで複数のウェ
ハ２を保持している。２３はウェハ搬送系でウェハキャ
リア２１から露光ユニット２０へウェハ２を搬送してウ
ェハチャック３にセットし、露光終了後にはウェハ２を
運び出すす搬送ロボットである。２４はマスク搬送系で
マスクキャリア２１のマスク１をマスクチャック６にセ
ットし、露光終了後に運びだす搬送ロボットである。
【００３９】次に動作について説明する。ウェハ搬送系
２３のマニピュレーターによりウェハキャリア２２のウ
ェハ２を把持して、露光ユニット２０のウェハチャック
３上にセットする。次に、マスク搬送系２４のマニピュ
レーターによりマスクキャリア２１内のマスク１を、マ
スクチャック６にセットする。以降は、例えば図６
（ａ）〜（ｃ）のように、マスク１とウェハ２の位置合
わせを行い、密着させて、露光ユニット２０内に固定す
る。露光が終了したら、図６（ｄ）〜（ｅ）、又は、図
７〜図９のような剥離手段によりマスク１とウェハ２の
剥離を行う。
２３のマニピュレーターによりウェハキャリア２２のウ
ェハ２を把持して、露光ユニット２０のウェハチャック
３上にセットする。次に、マスク搬送系２４のマニピュ
レーターによりマスクキャリア２１内のマスク１を、マ
スクチャック６にセットする。以降は、例えば図６
（ａ）〜（ｃ）のように、マスク１とウェハ２の位置合
わせを行い、密着させて、露光ユニット２０内に固定す
る。露光が終了したら、図６（ｄ）〜（ｅ）、又は、図
７〜図９のような剥離手段によりマスク１とウェハ２の
剥離を行う。
【００４０】剥離が済んだら、例えば、露光ユニット２
０からウェハ搬送系２３によりウェハ２を次工程へ搬出
するか、又は、元のウェハキャリア２２へ処理済みウェ
ハとして戻して保管し、ウェハキャリヤ２２から２枚目
のウェハ２を搬送してウェハチャック３にセットする。
（なお、これらの動作順序は特に限定されない）続い
て、マスク搬送系２４により露光ユニット２０からマス
ク１を搬出してマスクキャリア２１に使用済みマスクと
して戻し、２枚目のマスク１を露光ユニット２０へ搬送
してマスクチャック６にセットする。以降は、同様に図
６以下の処理を行う。この場合、使用するマスク１は本
発明により円形形状となっているので、通常のウェハと
同形状となり、従来のウェハ搬送機構に大きな変更を行
うことなく使用することができるので、装置コストを低
減できるという利点がある。
０からウェハ搬送系２３によりウェハ２を次工程へ搬出
するか、又は、元のウェハキャリア２２へ処理済みウェ
ハとして戻して保管し、ウェハキャリヤ２２から２枚目
のウェハ２を搬送してウェハチャック３にセットする。
（なお、これらの動作順序は特に限定されない）続い
て、マスク搬送系２４により露光ユニット２０からマス
ク１を搬出してマスクキャリア２１に使用済みマスクと
して戻し、２枚目のマスク１を露光ユニット２０へ搬送
してマスクチャック６にセットする。以降は、同様に図
６以下の処理を行う。この場合、使用するマスク１は本
発明により円形形状となっているので、通常のウェハと
同形状となり、従来のウェハ搬送機構に大きな変更を行
うことなく使用することができるので、装置コストを低
減できるという利点がある。
【００４１】図１１は図１０に示すオートマスクチェン
ジャーの代わりに露光ユニット２０にマスク洗浄機構２
５を備えた露光装置である。これによって、マスクを交
換しないで洗浄して複数のウェハに使用できるようにな
る。図１１において、２５はマスク洗浄機構であり、実
際にはプラズマ、オゾン、アッシング装置や、両面ブラ
ッシングを行うスクラバー装置等を使用する。２６は検
査ユニットで、マスク１のクリーニング状態確認のため
のパーティクルの検査ユニットであって、マスク洗浄機
構２５と組合せる場合がある。
ジャーの代わりに露光ユニット２０にマスク洗浄機構２
５を備えた露光装置である。これによって、マスクを交
換しないで洗浄して複数のウェハに使用できるようにな
る。図１１において、２５はマスク洗浄機構であり、実
際にはプラズマ、オゾン、アッシング装置や、両面ブラ
ッシングを行うスクラバー装置等を使用する。２６は検
査ユニットで、マスク１のクリーニング状態確認のため
のパーティクルの検査ユニットであって、マスク洗浄機
構２５と組合せる場合がある。
【００４２】つぎに動作について説明する。ウェハ搬送
系２３とマスク搬送系２４により、ウェハ２とマスク１
をウェハチャック３とマスクチャック６にセットして固
定し、露光を行う。露光が済んだら、ウェハ搬送系２３
によりウェハ２を搬出し、２枚目のウェハをウェハチャ
ック３にセットする。マスク搬送系２４によりマスク１
をマスク洗浄機構２５へ搬送して、洗浄工程を実施した
後、マスク搬送系２４によりマスク１を今度は、検査ユ
ニット２６へ搬送する。検査ユニット２６において光学
的検査等によりパーティクル検査工程を実施して、ＯＫ
ならマスク搬送系２４により露光ユニット２０へ搬送し
て、再度マスクチャック６にセットする。検査工程で不
良となったら再び、マスク搬送系２４によってマスク洗
浄機構２５へ戻され、再度洗浄を行って検査工程へ搬送
される。この場合、マスク洗浄機構には従来のウェハプ
ロセスで使用する装置が流用可能あり、コストの低下が
図れる。
系２３とマスク搬送系２４により、ウェハ２とマスク１
をウェハチャック３とマスクチャック６にセットして固
定し、露光を行う。露光が済んだら、ウェハ搬送系２３
によりウェハ２を搬出し、２枚目のウェハをウェハチャ
ック３にセットする。マスク搬送系２４によりマスク１
をマスク洗浄機構２５へ搬送して、洗浄工程を実施した
後、マスク搬送系２４によりマスク１を今度は、検査ユ
ニット２６へ搬送する。検査ユニット２６において光学
的検査等によりパーティクル検査工程を実施して、ＯＫ
ならマスク搬送系２４により露光ユニット２０へ搬送し
て、再度マスクチャック６にセットする。検査工程で不
良となったら再び、マスク搬送系２４によってマスク洗
浄機構２５へ戻され、再度洗浄を行って検査工程へ搬送
される。この場合、マスク洗浄機構には従来のウェハプ
ロセスで使用する装置が流用可能あり、コストの低下が
図れる。
【００４３】ここまでは露光装置について、厚さが、
０．１〜０．５ｍｍで円形状の本発明のマスク１の使用
を前提に説明したが、これにとどまらず、従来のマスク
を用いても高歩留まりの近接場光リソグラフィを行うこ
とは可能であり、本発明のマスク形状を使用した場合に
限定するものではない。
０．１〜０．５ｍｍで円形状の本発明のマスク１の使用
を前提に説明したが、これにとどまらず、従来のマスク
を用いても高歩留まりの近接場光リソグラフィを行うこ
とは可能であり、本発明のマスク形状を使用した場合に
限定するものではない。
【００４４】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、マスク厚さを薄くすることにより、基板形状に格段
の変更が無く、ウェハとマスクの密着性、剥離性が良好
な露光プロセスを実現できる。更に、マスクを薄くする
ことにより、パーティクルがウェハ上に存在した場合に
も変形により欠陥領域を小さくできる。更に、マスク形
状を略円形のウェハと同じ形状とすることで、密着して
いるウェハ周辺部のマスク変形が容易になり、剥離し易
くすることが可能になる。更に、円形状としたことで従
来のウェハプロセス装置をマスク作製に利用してコスト
を低減できる。更に、円形状としたことで、押上ピン又
は圧縮空気で、局所的にマスクに応力を加えることで、
ウェハとマスクの剥離が容易になり、スティッキングの
問題を解決できる。更に、露光装置に自動マスク交換
機、又は洗浄機を付属することで、密着露光のマスク汚
染による歩留まり低下を回避できる。
ば、マスク厚さを薄くすることにより、基板形状に格段
の変更が無く、ウェハとマスクの密着性、剥離性が良好
な露光プロセスを実現できる。更に、マスクを薄くする
ことにより、パーティクルがウェハ上に存在した場合に
も変形により欠陥領域を小さくできる。更に、マスク形
状を略円形のウェハと同じ形状とすることで、密着して
いるウェハ周辺部のマスク変形が容易になり、剥離し易
くすることが可能になる。更に、円形状としたことで従
来のウェハプロセス装置をマスク作製に利用してコスト
を低減できる。更に、円形状としたことで、押上ピン又
は圧縮空気で、局所的にマスクに応力を加えることで、
ウェハとマスクの剥離が容易になり、スティッキングの
問題を解決できる。更に、露光装置に自動マスク交換
機、又は洗浄機を付属することで、密着露光のマスク汚
染による歩留まり低下を回避できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るマスクの厚さ
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】図１に示すマスクの形状を示す平面図である。
【図３】図１に示すウェハチャックの平面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る露光装置のマ
スク押上機構を示す図である。
スク押上機構を示す図である。
【図５】図４に示す押上部材の代わりに圧縮空気を用い
た剥離動作の説明図である。
た剥離動作の説明図である。
【図６】図４に示す露光装置の露光シーケンスにおけ
る、剥離動作の手順を示す図である。
る、剥離動作の手順を示す図である。
【図７】図６に示す露光装置のガス噴射による剥離動作
の手順を示す図である。
の手順を示す図である。
【図８】図６に示す露光シーケンスの構造体による剥離
動作の手順を示す図である。
動作の手順を示す図である。
【図９】図８に示す構造体の平面図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態に係るオートマス
クチェンジャーを有する露光装置の構成図である。
クチェンジャーを有する露光装置の構成図である。
【図１１】図１０に示すオートマスクチェンジャーに代
えてマスク洗浄機構を備えた露光装置の構成図である。
えてマスク洗浄機構を備えた露光装置の構成図である。
【図１２】近接場光露光による微細パターンの転写方法
を示す図である。
を示す図である。
【図１３】真空引きによる密着露光装置の断面図を示し
ている。
ている。
１ マスク
２ ウェハ
３ ウェハチャック
３ａ ウェハチャックシール
３ｂ ウェハチャック排気機構
４ 応力
５ 押上ピン
６ マスクチャック
６ａ マスクチャック真空排気機構
６ｂ マスク／ウェハ間真空排気機構
７ 圧縮空気
８ 気体吹き出し管
９ ハンドラー
２０ 露光ユニット
２１ マスクキャリア
２２ ウェハキャリア
２３ ウェハ搬送系
２４ マスク搬送系
２５ マスク洗浄機構
２６ 検査ユニット
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 向井 厚史
神奈川県足柄上郡開成町宮台798番地 富
士写真フイルム株式会社内
Ｆターム(参考） 2H095 BA04 BC27 BC28
2H097 CA12 GA01 LA17
5F046 AA17 BA01 BA10 CB17 CC01
CC02 CD01 CD02 DA23 DA24
Claims (13)
- 【請求項１】 露光光に対して透明なマスク母材の一表
面側に、所定パターンの開口部を残すように遮光部を形
成し、この開口部が形成されたパターニング部分をウェ
ハの表面に密着させて近接場光露光に用いられる近接場
光露光用マスクにおいて、前記マスクが厚さ１ｍｍ以下
の透明部材から成ることを特徴とする近接場光露光用マ
スク。 - 【請求項２】 前記マスクの厚さが０．１ｍｍ〜０．５
ｍｍであることを特徴とする請求項１記載の近接場光露
光用マスク。 - 【請求項３】 前記マスクが略円形形状であることを特
徴とする請求項１又は２記載の近接場光露光用マスク。 - 【請求項４】 露光光に対して透明なマスク母材の一表
面側に、所定パターンの開口部を残すように遮光部を形
成し、この開口部が形成されたパターニング部分をウェ
ハの表面に密着させて近接場光露光を行う露光装置にお
いて、 前記マスクを変形するための圧力印加手段を備えたこと
を特徴とする露光装置。 - 【請求項５】 前記圧力印加手段が前記マスクを押上げ
る押上部材を備えていることを特徴とする請求項４記載
の露光装置。 - 【請求項６】 前記圧力印加手段が気体吹き付け手段を
備えていることを特徴とする請求項４記載の露光装置。 - 【請求項７】 前記圧力印加手段が、前記マスクと該マ
スクを保持するマスク保持手段の間に挿入される音叉状
挿入部を備えたハンドラーであることを特徴とする請求
項４記載の露光装置。 - 【請求項８】 露光毎に前記マスクを自動的に交換する
オートマスクチェンジャーを備えたことを特徴とする請
求項４記載の露光装置。 - 【請求項９】 前記マスクの洗浄を行うマスク洗浄機構
を備えたことを特徴とする請求項４記載の露光装置。 - 【請求項１０】 前記マスク洗浄機構が酸素プラズマ又
はオゾンアッシングによるものであることを特徴とする
請求項９記載の露光装置。 - 【請求項１１】 前記マスク洗浄機構が両面スクラバー
であることを特徴とする請求項９記載の露光装置。 - 【請求項１２】 前記マスクの洗浄状態を自動的に検査
する自動検査機構を備えたことを特徴とする請求項９〜
１１のいずれか１項記載の露光装置。 - 【請求項１３】 所定パターンの形成されたマスクをマ
スクチャックの上に装填し、フォトレジスト層を備えた
ウェハをウェハチャックの上に装填した後、前記マスク
チャックと前記ウェハチャックを互いに接近させて、前
記マスクの前記パターンを前記ウェハの前記フォトレジ
スト層の上に密着させて近接場光露光する近接場光露光
方法において、露光終了後、圧力印加手段を前記マスク
の辺縁部に作用させて前記マスクの辺縁部を弾性変形さ
せることにより剥離開始することを特徴とする近接場光
露光方法。
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