JPS6228759Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6228759Y2 JPS6228759Y2 JP1982129796U JP12979682U JPS6228759Y2 JP S6228759 Y2 JPS6228759 Y2 JP S6228759Y2 JP 1982129796 U JP1982129796 U JP 1982129796U JP 12979682 U JP12979682 U JP 12979682U JP S6228759 Y2 JPS6228759 Y2 JP S6228759Y2
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- JP
- Japan
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- wafer
- annular plate
- vacuum
- dust
- suction
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Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 18
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 22
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Gripping Jigs, Holding Jigs, And Positioning Jigs (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は半導体素子の回路パターンの転写工
程などに用いられるウエハ真空吸着装置に関する
ものである。
程などに用いられるウエハ真空吸着装置に関する
ものである。
第１図は従来のウエハ真空吸着装置を有する回
路パターン転写装置を示す断面図、第２図は従来
のウエハ真空吸着装置の一部詳細断面図である。
図において１はウエハ真空吸着装置本体、２は本
体１の吸着面、３は吸着面２に設けられた溝、４
は本体１に取付けられたホース口、５はホース口
４と連通し、溝３に開口した排気口、６はウエ
ハ、７はウエハ６上に塗布された感光用レジス
ト、８は保持機構、９は保持機構８に保持された
マスク、１０はマスク９に設けられた回路パター
ンである。
路パターン転写装置を示す断面図、第２図は従来
のウエハ真空吸着装置の一部詳細断面図である。
図において１はウエハ真空吸着装置本体、２は本
体１の吸着面、３は吸着面２に設けられた溝、４
は本体１に取付けられたホース口、５はホース口
４と連通し、溝３に開口した排気口、６はウエ
ハ、７はウエハ６上に塗布された感光用レジス
ト、８は保持機構、９は保持機構８に保持された
マスク、１０はマスク９に設けられた回路パター
ンである。
この転写装置においては、光がＸ線を矢印の方
向に投射すると、回路パターン１０の形状がレジ
スト７に感光され、これを焼付現像すると、回路
パターン１０がレジスト７に転写される。この場
合、回路パターン１０の転写精度はマスク９とレ
ジスト７との距離を小さくするほど向上する。こ
のため、保持機構８によつてマスク９とレジスト
７との距離が所定値となるように制御されるが、
この距離を小さくして、回路パターン９の転写精
度を高めるには、レジスト７の面すなわちウエハ
６の面の平面度を良好にする必要がある。したが
つて、半導体素子製造工程で生じるウエハ６の反
りや曲がりを矯正するため、吸着面２が高精度な
平面に加工される。しかし、吸着面２を理想平面
に加工したとしても、第１図に示すように、ダス
スト１１が吸着面２に付着しているときには、ウ
エハ６が変形するから、マスク９とレジスト７と
の距離を所定値にすることができない。
向に投射すると、回路パターン１０の形状がレジ
スト７に感光され、これを焼付現像すると、回路
パターン１０がレジスト７に転写される。この場
合、回路パターン１０の転写精度はマスク９とレ
ジスト７との距離を小さくするほど向上する。こ
のため、保持機構８によつてマスク９とレジスト
７との距離が所定値となるように制御されるが、
この距離を小さくして、回路パターン９の転写精
度を高めるには、レジスト７の面すなわちウエハ
６の面の平面度を良好にする必要がある。したが
つて、半導体素子製造工程で生じるウエハ６の反
りや曲がりを矯正するため、吸着面２が高精度な
平面に加工される。しかし、吸着面２を理想平面
に加工したとしても、第１図に示すように、ダス
スト１１が吸着面２に付着しているときには、ウ
エハ６が変形するから、マスク９とレジスト７と
の距離を所定値にすることができない。
このため、従来のウエハ真空吸着装置において
は、吸着面２に多数の溝３を設けて、吸着面２と
ウエハ６との接触面積を極小化することにより、
ダスト１１の付着を確率的に低減することが行な
われている。しかし、この場合にはウエハ６を吸
着するため、ウエハ６の外周部に対応する吸着面
２を真空封止面２ａとして、広い面積を確保して
設けなければならず、この部分は面積が大きいの
で、真空封止面２ａとウエハ６との間にダスト１
１が介在する確率が大きくなる。また、真空封止
面２ａを広く設けても、その表面は硬いので、ウ
エハ６と真空封止面２ａとの間には、それぞれの
加工精度や表面あらさによつて微小な間隙が生
じ、周囲から大気を吸引する。したがつて、大気
中のダスト１１がウエハ６と真空封止面２ａとの
間に侵入し、またダスト１１がウエハ６の端面、
レジスト７上に吸引、滞留する。とくに、ウエハ
６の端面に滞留したダスト１１は新たに吸着され
たウエハ６の下敷になるため、ウエハ６の平面度
が低下するとともに、真空封止に影響し、大気の
吸入量が増大するので、さらにダスト１１を滞留
させる悪循環を誘発する。このように、ウエハ６
の平面度を安定確保することができないという問
題点がある。
は、吸着面２に多数の溝３を設けて、吸着面２と
ウエハ６との接触面積を極小化することにより、
ダスト１１の付着を確率的に低減することが行な
われている。しかし、この場合にはウエハ６を吸
着するため、ウエハ６の外周部に対応する吸着面
２を真空封止面２ａとして、広い面積を確保して
設けなければならず、この部分は面積が大きいの
で、真空封止面２ａとウエハ６との間にダスト１
１が介在する確率が大きくなる。また、真空封止
面２ａを広く設けても、その表面は硬いので、ウ
エハ６と真空封止面２ａとの間には、それぞれの
加工精度や表面あらさによつて微小な間隙が生
じ、周囲から大気を吸引する。したがつて、大気
中のダスト１１がウエハ６と真空封止面２ａとの
間に侵入し、またダスト１１がウエハ６の端面、
レジスト７上に吸引、滞留する。とくに、ウエハ
６の端面に滞留したダスト１１は新たに吸着され
たウエハ６の下敷になるため、ウエハ６の平面度
が低下するとともに、真空封止に影響し、大気の
吸入量が増大するので、さらにダスト１１を滞留
させる悪循環を誘発する。このように、ウエハ６
の平面度を安定確保することができないという問
題点がある。
この考案は上述の問題点を解決するためになさ
れたもので、ウエハの平面度を安定確保すること
ができるウエハ真空吸着装置を提供することを目
的とする。
れたもので、ウエハの平面度を安定確保すること
ができるウエハ真空吸着装置を提供することを目
的とする。
この目的を達成するため、この考案においては
ウエハの裏面の全体と接して上記ウエハを支持す
べく離散配置された複数の剛性微小突起１２と、
その微小突起１２の先端部を結んだ仮想の基準面
すなわち吸着面１３よりも低い位置に先端部があ
る剛体の循状突起１５と、その突起１５に一部が
接続され、少なくとも外周部が上記突起１５より
外方に位置しており、かつ少なくとも外周部が上
記ウエハとほぼ平行な、上記ウエハの周辺を保持
して真空封止するための肉薄で弾性を有する環状
板１６と、上記微小突起１２相互の空隙部に一端
が開口した排気口とを少なくとも含んで構成す
る。
ウエハの裏面の全体と接して上記ウエハを支持す
べく離散配置された複数の剛性微小突起１２と、
その微小突起１２の先端部を結んだ仮想の基準面
すなわち吸着面１３よりも低い位置に先端部があ
る剛体の循状突起１５と、その突起１５に一部が
接続され、少なくとも外周部が上記突起１５より
外方に位置しており、かつ少なくとも外周部が上
記ウエハとほぼ平行な、上記ウエハの周辺を保持
して真空封止するための肉薄で弾性を有する環状
板１６と、上記微小突起１２相互の空隙部に一端
が開口した排気口とを少なくとも含んで構成す
る。
第３図はこの考案に係るウエハ真空吸着装置を
示す平面図、第４図は同じく正断面図である。図
において１２はウエハ６の裏面の全体と接してウ
エハ６を支持すべく離散配置された複数の剛性微
小突起、１３は微小突起１２の先端部を結んだ仮
想の基準面すなわち吸着面で、吸着面１３はウエ
ハ６の反りや曲がりを矯正するために高精度な平
面に加工してある。１４は微小突起１２相互の空
隙部で、排気口５の一端が空隙部１４に開口して
いる。１５は吸着面１３よりも低い位置に先端部
がある剛性の環状突起、１６は突起１５に一部が
接続された肉薄で弾性を有する環状板で、環状板
１６は極めて薄い金属やプラスチツクで製作さ
れ、環状板１６の外周部は突起１５より外方に位
置しており、環状板１６はウエハ６と平行であ
る。
示す平面図、第４図は同じく正断面図である。図
において１２はウエハ６の裏面の全体と接してウ
エハ６を支持すべく離散配置された複数の剛性微
小突起、１３は微小突起１２の先端部を結んだ仮
想の基準面すなわち吸着面で、吸着面１３はウエ
ハ６の反りや曲がりを矯正するために高精度な平
面に加工してある。１４は微小突起１２相互の空
隙部で、排気口５の一端が空隙部１４に開口して
いる。１５は吸着面１３よりも低い位置に先端部
がある剛性の環状突起、１６は突起１５に一部が
接続された肉薄で弾性を有する環状板で、環状板
１６は極めて薄い金属やプラスチツクで製作さ
れ、環状板１６の外周部は突起１５より外方に位
置しており、環状板１６はウエハ６と平行であ
る。
このウエハ真空吸着装置においては、第５図に
示すように、吸着面１３上にウエハ６を載置した
状態で、ホース口４から排気すれば、排気口５か
ら空気が吸引され、大気がウエハ６の裏面と環状
板１６との間隙を流れるため、この間隙の圧力が
減少し、第６図に示すように、環状板１６が大気
圧によつて下方から押されて弾性変形し、ウエハ
６の裏面の周辺に吸着する。このため、環状板１
６の内側が真空となり、ウエハ６は大気圧によつ
て吸着面１３に強力に押付けられ、ウエハ６の反
り、曲がりなどは、吸着面１３の高精度な平面に
倣うため矯正される。なお、微小突起１２の配置
や寸法形状は大気圧によるウエハ６の変形に影響
を与えないように適宜定めるべきである。さら
に、排気口５を大気と連通すれば、環状板１６は
元の位置に自動的に弾性復帰して、ウエハ６を容
易に着脱することができる。
示すように、吸着面１３上にウエハ６を載置した
状態で、ホース口４から排気すれば、排気口５か
ら空気が吸引され、大気がウエハ６の裏面と環状
板１６との間隙を流れるため、この間隙の圧力が
減少し、第６図に示すように、環状板１６が大気
圧によつて下方から押されて弾性変形し、ウエハ
６の裏面の周辺に吸着する。このため、環状板１
６の内側が真空となり、ウエハ６は大気圧によつ
て吸着面１３に強力に押付けられ、ウエハ６の反
り、曲がりなどは、吸着面１３の高精度な平面に
倣うため矯正される。なお、微小突起１２の配置
や寸法形状は大気圧によるウエハ６の変形に影響
を与えないように適宜定めるべきである。さら
に、排気口５を大気と連通すれば、環状板１６は
元の位置に自動的に弾性復帰して、ウエハ６を容
易に着脱することができる。
そして、環状板１６はウエハ６の厚さに比べて
極めて薄いため、大気圧によつてウエハ６の裏面
に吸着すると、第７図に示すように、環状板１６
はウエハ６の裏面の反りや曲がり、凹凸あるいは
真空封止部に介在するダスト１１によく馴んで弾
性変形するため、真空封止の気密性は極めて良好
となるから、真空封止部から吸引される大気量す
なわちダスト量は飛躍的に減少する。また、ダス
ト１１がウエハ６の裏面と環状板１６との間に介
在したとしても、環状板１６が弾性変形するの
で、ウエハ６の平面度には全く影響を与えず、か
つこのダスト１１はウエハ６の着脱に伴なう環状
板１６の弾性振動や空気流によつて除去される可
能性が大きい。さらに、ウエハ６の裏面と環状板
１６の端面にダスト１１が真空吸引されたとして
も、吸着面１３上ではないため、ウエハ６の交換
に伴なつて吸着面１３上に滞留することがないか
ら、ダスト１１が新たなウエハ６の下敷きとなつ
て、ウエハ６の平面度に悪影響を及ぼすことはな
く、かつこのダスト１１はウエハ６の吸着解除の
際に重力あるいは環状板１６の弾性振動などによ
つて吸着面１３下方の空隙部１４に落下するの
で、吸着面１３に再付着することも避けられる。
また、大気の吸引量は極めて小さく、かつ大気は
ウエハ６の裏面に存在する真空封止部から吸引さ
れるため、ウエハ６の表面へのダスト１１の付着
は飛躍的に減少する。さらに、従来のように吸着
面上に真空封止部がないので、吸着面１３を微小
突起１２のみで形成できるから、ウエハ６との接
触面積を極小化することができ、確率的にダスト
１１の付着が減少する。
極めて薄いため、大気圧によつてウエハ６の裏面
に吸着すると、第７図に示すように、環状板１６
はウエハ６の裏面の反りや曲がり、凹凸あるいは
真空封止部に介在するダスト１１によく馴んで弾
性変形するため、真空封止の気密性は極めて良好
となるから、真空封止部から吸引される大気量す
なわちダスト量は飛躍的に減少する。また、ダス
ト１１がウエハ６の裏面と環状板１６との間に介
在したとしても、環状板１６が弾性変形するの
で、ウエハ６の平面度には全く影響を与えず、か
つこのダスト１１はウエハ６の着脱に伴なう環状
板１６の弾性振動や空気流によつて除去される可
能性が大きい。さらに、ウエハ６の裏面と環状板
１６の端面にダスト１１が真空吸引されたとして
も、吸着面１３上ではないため、ウエハ６の交換
に伴なつて吸着面１３上に滞留することがないか
ら、ダスト１１が新たなウエハ６の下敷きとなつ
て、ウエハ６の平面度に悪影響を及ぼすことはな
く、かつこのダスト１１はウエハ６の吸着解除の
際に重力あるいは環状板１６の弾性振動などによ
つて吸着面１３下方の空隙部１４に落下するの
で、吸着面１３に再付着することも避けられる。
また、大気の吸引量は極めて小さく、かつ大気は
ウエハ６の裏面に存在する真空封止部から吸引さ
れるため、ウエハ６の表面へのダスト１１の付着
は飛躍的に減少する。さらに、従来のように吸着
面上に真空封止部がないので、吸着面１３を微小
突起１２のみで形成できるから、ウエハ６との接
触面積を極小化することができ、確率的にダスト
１１の付着が減少する。
なお、上述実施例においては、環状板１６を円
環状としたが、環状であれば真空封止が可能であ
るから、環状板は円環状に限定されるものではな
く、ウエハ６の形状に合わせて自由に選択できる
ことはいうまでもない。
環状としたが、環状であれば真空封止が可能であ
るから、環状板は円環状に限定されるものではな
く、ウエハ６の形状に合わせて自由に選択できる
ことはいうまでもない。
以上説明したように、この考案に係るウエハ真
空吸着装置においては、環状板によつて真空封止
するから、吸着面に真空封止のための平面積を要
しないので、吸着面を微小突起のみで形成できる
ため、ウエハと吸着面との接触面積の極小化を促
進でき、吸着面へのダスト付着を確率的に減少で
きる利点がある。また、環状板がウエハに弾性的
に密着することにより真空封止がなされるので、
真空封止の高気密化によつて真空排気系を小型化
できる利点を有するとともに、真空封止部への大
気すなわちダストの吸引量を極めて少なくできる
利点がある。加えて、真空封止が吸着面ではなく
ウエハの裏面に存在する環状板でなされるため、
吸着面へのダストの滞留や侵入を皆無にでき、さ
らにウエハ表面へのダスト吸引も飛躍的に減少で
きるなど、ウエハの平面度矯正に及ぼすダストの
種々の悪影響を除去できる利点を有する。しがた
つて、半導体素子製造工程における回路パターン
の転写および検査装置、ウエハ平面度測定装置な
どに用いるウエハ真空吸着装置として最適であ
る。
空吸着装置においては、環状板によつて真空封止
するから、吸着面に真空封止のための平面積を要
しないので、吸着面を微小突起のみで形成できる
ため、ウエハと吸着面との接触面積の極小化を促
進でき、吸着面へのダスト付着を確率的に減少で
きる利点がある。また、環状板がウエハに弾性的
に密着することにより真空封止がなされるので、
真空封止の高気密化によつて真空排気系を小型化
できる利点を有するとともに、真空封止部への大
気すなわちダストの吸引量を極めて少なくできる
利点がある。加えて、真空封止が吸着面ではなく
ウエハの裏面に存在する環状板でなされるため、
吸着面へのダストの滞留や侵入を皆無にでき、さ
らにウエハ表面へのダスト吸引も飛躍的に減少で
きるなど、ウエハの平面度矯正に及ぼすダストの
種々の悪影響を除去できる利点を有する。しがた
つて、半導体素子製造工程における回路パターン
の転写および検査装置、ウエハ平面度測定装置な
どに用いるウエハ真空吸着装置として最適であ
る。
第１図は従来のウエハ真空吸着装置を有する回
路パターン転写装置を示す断面図、第２図は従来
のウエハ真空吸着装置の一部詳細断面図、第３図
はこの考案に係るウエハ真空吸着装置を示す平面
図、第４図は同じく正断面図、第５図ないし第７
図はそれぞれ第３図、第４図に示したウエハ真空
吸着装置の動作説明図である。 ６……ウエハ、１１……ダスト、１２……微小
突起、１３……吸着面、１４……空隙部、１５…
…突起、１６……環状板。
路パターン転写装置を示す断面図、第２図は従来
のウエハ真空吸着装置の一部詳細断面図、第３図
はこの考案に係るウエハ真空吸着装置を示す平面
図、第４図は同じく正断面図、第５図ないし第７
図はそれぞれ第３図、第４図に示したウエハ真空
吸着装置の動作説明図である。 ６……ウエハ、１１……ダスト、１２……微小
突起、１３……吸着面、１４……空隙部、１５…
…突起、１６……環状板。
Claims (1)
- ウエハの裏面の全体と接して上記ウエハを支持
すべく離散配置された複数の剛性微小突起１２
と、その微小突起１２の先端部を結んだ仮想の基
準面すなわち吸着面１３よりも低い位置に先端部
がある剛体の環状突起１５と、その突起１５に一
部が接続され、少なくとも外周部が上記突起１５
より外方に位置しており、かつ少なくとも外周部
が上記ウエハとほぼ平行な、上記ウエハの周辺を
保持して真空封止するための肉薄で弾性を有する
環状板１６と、上記微小突起１２相互の空隙部に
一端が開口した排気口とを少なくとも含んで構成
されることを特徴とするウエハ真空吸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12979682U JPS5936245U (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | ウエハ真空吸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12979682U JPS5936245U (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | ウエハ真空吸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5936245U JPS5936245U (ja) | 1984-03-07 |
| JPS6228759Y2 true JPS6228759Y2 (ja) | 1987-07-23 |
Family
ID=30293978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12979682U Granted JPS5936245U (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | ウエハ真空吸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5936245U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5314073B2 (ja) * | 1974-04-19 | 1978-05-15 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5735702Y2 (ja) * | 1976-07-19 | 1982-08-06 |
-
1982
- 1982-08-30 JP JP12979682U patent/JPS5936245U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5314073B2 (ja) * | 1974-04-19 | 1978-05-15 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5936245U (ja) | 1984-03-07 |
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