JPH10135316A - 薄板状基板の真空吸着方法及びその真空吸着テーブル装置 - Google Patents
薄板状基板の真空吸着方法及びその真空吸着テーブル装置Info
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- JPH10135316A JPH10135316A JP28450396A JP28450396A JPH10135316A JP H10135316 A JPH10135316 A JP H10135316A JP 28450396 A JP28450396 A JP 28450396A JP 28450396 A JP28450396 A JP 28450396A JP H10135316 A JPH10135316 A JP H10135316A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハのような薄板状基板の外周部の
縁だれや盛り上がりを無くし、薄板状基板を高精度で真
空吸着できる真空吸着テーブル装置を得ること。 【構成】 本発明の真空吸引テーブル装置１Ａは、多孔
質体の真空吸引部２１を中央部に埋設したステージ２２
の外周部２３に円環状溝２４を形成し、この円環状溝２
４に、給水パイプ２５を通じて給水タンク３１から純水
を供給しながら、ステージ２２に載置した半導体ウエー
ハＳを真空吸引部２１で吸引し、吸着、保持し、半導体
ウエーハＳの外周部を円環状溝２４から溢れ出る純水で
シールし、半導体ウエーハＳと真空吸引部２１と間に加
工液Ｅなどが流入することを防止し、半導体ウエーハＳ
を高精密で真空吸着できるように構成されている。
縁だれや盛り上がりを無くし、薄板状基板を高精度で真
空吸着できる真空吸着テーブル装置を得ること。 【構成】 本発明の真空吸引テーブル装置１Ａは、多孔
質体の真空吸引部２１を中央部に埋設したステージ２２
の外周部２３に円環状溝２４を形成し、この円環状溝２
４に、給水パイプ２５を通じて給水タンク３１から純水
を供給しながら、ステージ２２に載置した半導体ウエー
ハＳを真空吸引部２１で吸引し、吸着、保持し、半導体
ウエーハＳの外周部を円環状溝２４から溢れ出る純水で
シールし、半導体ウエーハＳと真空吸引部２１と間に加
工液Ｅなどが流入することを防止し、半導体ウエーハＳ
を高精密で真空吸着できるように構成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、Ｌ
ＣＤ用ガラス板のような被加工面積の広い薄板状基板を
理想的な表面基準に出来るだけ近い状態で面内均一性良
く加工液で加工する、例えば、液体研磨する場合に、薄
板状基板を真空吸着する薄板状基板の真空吸着方法及び
その真空吸着テーブル装置に関するものである。
ＣＤ用ガラス板のような被加工面積の広い薄板状基板を
理想的な表面基準に出来るだけ近い状態で面内均一性良
く加工液で加工する、例えば、液体研磨する場合に、薄
板状基板を真空吸着する薄板状基板の真空吸着方法及び
その真空吸着テーブル装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】先ず、図６乃至図９を参照しながら、従
来技術の薄板状基板を真空吸着する真空吸着テーブルを
説明する。図６は従来技術の第１の例の真空吸着テーブ
ルの一部を示す断面側面図であり、図７は従来技術の第
２の例の真空吸着テーブルの一部を示す断面側面図であ
り、図８は従来技術の第２の例の真空吸着テーブルの一
部を示す断面側面図であり、そして図９は図６に示した
真空吸着テーブルで薄板状基板を真空吸着した状態の薄
板状基板と真空吸着テーブルとの一部拡大断面側面図で
あって、同図Ａはその薄板状基板を吸着、保持した状態
の溝部の拡大図、同図Ｂは同図Ａの状態で加工圧力と真
空吸引を受けた場合の薄板状基板の状態を示す溝部の拡
大図である。
来技術の薄板状基板を真空吸着する真空吸着テーブルを
説明する。図６は従来技術の第１の例の真空吸着テーブ
ルの一部を示す断面側面図であり、図７は従来技術の第
２の例の真空吸着テーブルの一部を示す断面側面図であ
り、図８は従来技術の第２の例の真空吸着テーブルの一
部を示す断面側面図であり、そして図９は図６に示した
真空吸着テーブルで薄板状基板を真空吸着した状態の薄
板状基板と真空吸着テーブルとの一部拡大断面側面図で
あって、同図Ａはその薄板状基板を吸着、保持した状態
の溝部の拡大図、同図Ｂは同図Ａの状態で加工圧力と真
空吸引を受けた場合の薄板状基板の状態を示す溝部の拡
大図である。
【０００３】薄板状基板、例えば、半導体ウエーハ（以
下、加工しようとする薄板状基板として「半導体ウエー
ハ」を例示して説明する）を加工液で加工する、例え
ば、研磨液で研磨する場合には、その半導体ウエーハの
非加工面を保持装置で保持して研磨加工が行われる。バ
ッキング材（緩衝材）やワックスなどを使用しないダイ
レクトチャックは、自動化や研磨（加工）精度向上には
有効であるが、一般にダストなどの影響を受けやすいと
いう欠点がある。ダイレクトチャックの手段としては、
図６乃至図８に示したような真空吸着テーブルがある。
下、加工しようとする薄板状基板として「半導体ウエー
ハ」を例示して説明する）を加工液で加工する、例え
ば、研磨液で研磨する場合には、その半導体ウエーハの
非加工面を保持装置で保持して研磨加工が行われる。バ
ッキング材（緩衝材）やワックスなどを使用しないダイ
レクトチャックは、自動化や研磨（加工）精度向上には
有効であるが、一般にダストなどの影響を受けやすいと
いう欠点がある。ダイレクトチャックの手段としては、
図６乃至図８に示したような真空吸着テーブルがある。
【０００４】図６に示した真空吸着テーブル５０は、ス
テージ５１の中央部上面に形成された複数本の溝５２が
形成されており、各溝５２には共通のパイプ５３が連通
していて、そのパイプ５３の基は真空吸引装置である真
空ポンプ（不図示）に接続された構造で構成されてい
る。
テージ５１の中央部上面に形成された複数本の溝５２が
形成されており、各溝５２には共通のパイプ５３が連通
していて、そのパイプ５３の基は真空吸引装置である真
空ポンプ（不図示）に接続された構造で構成されてい
る。
【０００５】図７に示した真空吸着テーブル６０は、ス
テージ６１の中央部上面に開口した複数個の孔６２が形
成されており、各孔６２には共通のパイプ６３が連通し
ていて、そのパイプ６３の基は真空吸引装置である真空
ポンプ（不図示）に接続された構造で構成されている。
テージ６１の中央部上面に開口した複数個の孔６２が形
成されており、各孔６２には共通のパイプ６３が連通し
ていて、そのパイプ６３の基は真空吸引装置である真空
ポンプ（不図示）に接続された構造で構成されている。
【０００６】図８に示した真空吸着テーブル７０は、ス
テージ７１の中央部上面に多孔質体７２が埋設されてお
り、その下方にパイプを通して真空ポンプ（不図示）に
接続された構造で構成されている。いずれの図において
も、符号Ｓは被加工物である半導体ウエーハを指す。
テージ７１の中央部上面に多孔質体７２が埋設されてお
り、その下方にパイプを通して真空ポンプ（不図示）に
接続された構造で構成されている。いずれの図において
も、符号Ｓは被加工物である半導体ウエーハを指す。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図６に示した真空吸着
テーブル５０を用いて半導体ウエーハＳを液体研磨する
場合には、図６及び図９Ａに示したように、この真空吸
着テーブル５０の全ての前記溝５２を塞ぐようにして、
その保持面に半導体ウエーハＳの非加工面を下にして載
置し、その非加工面をパイプ５３を通じて真空ポンプで
真空吸引し、半導体ウエーハＳを吸着、保持し、そして
所定の加工（研磨）圧力を掛けた状態で、その被加工面
（被研磨面）を研磨する。
テーブル５０を用いて半導体ウエーハＳを液体研磨する
場合には、図６及び図９Ａに示したように、この真空吸
着テーブル５０の全ての前記溝５２を塞ぐようにして、
その保持面に半導体ウエーハＳの非加工面を下にして載
置し、その非加工面をパイプ５３を通じて真空ポンプで
真空吸引し、半導体ウエーハＳを吸着、保持し、そして
所定の加工（研磨）圧力を掛けた状態で、その被加工面
（被研磨面）を研磨する。
【０００８】このような真空吸着テーブル５０は、半導
体ウエーハＳが加工圧力などで一時的に不意に浮き上が
ることがあるため、加工液が半導体ウエーハＳの外周部
からステージ上面に侵入することがある。そして前記真
空吸着テーブル５０は、加工圧力と真空吸引力とが前記
各溝５２の開口部分で半導体ウエーハＳに特に強く掛か
るために、図９Ｂに示したように、それらの溝５２の開
口部分で変形（へこみ）してしまう。また、真空吸着テ
ーブル５０の保持面にダストが付着した状態で半導体ウ
エーハＳを載置し、真空吸着した場合には、前記加工圧
力と真空吸引力と相まって、それらのダストの存在によ
り半導体ウエーハＳが盛り上がるという不都合な現象が
生じる。また、図７に示した真空吸着テーブル６０の場
合には、ステージ６１の保持面にダストが付着し易く、
特に孔６２の周りに多く付着し、また、吸引力が不均一
になり易いという問題点がある。更にまた、図８に示し
た真空吸着テーブル７０の場合には、多孔質体７２の表
面に付着したダストを簡単に除去し難く、洗浄が困難と
いう問題点がある。
体ウエーハＳが加工圧力などで一時的に不意に浮き上が
ることがあるため、加工液が半導体ウエーハＳの外周部
からステージ上面に侵入することがある。そして前記真
空吸着テーブル５０は、加工圧力と真空吸引力とが前記
各溝５２の開口部分で半導体ウエーハＳに特に強く掛か
るために、図９Ｂに示したように、それらの溝５２の開
口部分で変形（へこみ）してしまう。また、真空吸着テ
ーブル５０の保持面にダストが付着した状態で半導体ウ
エーハＳを載置し、真空吸着した場合には、前記加工圧
力と真空吸引力と相まって、それらのダストの存在によ
り半導体ウエーハＳが盛り上がるという不都合な現象が
生じる。また、図７に示した真空吸着テーブル６０の場
合には、ステージ６１の保持面にダストが付着し易く、
特に孔６２の周りに多く付着し、また、吸引力が不均一
になり易いという問題点がある。更にまた、図８に示し
た真空吸着テーブル７０の場合には、多孔質体７２の表
面に付着したダストを簡単に除去し難く、洗浄が困難と
いう問題点がある。
【０００９】以上のように、いずれの場合も、ダストの
影響を受け易く、真空吸引により流れる空気の影響もあ
って、付着したダストが乾燥、固着してしまい、加工精
度が劣化する要因になり易い。加工時に、特に研磨加工
時にスラリーを用いる場合は、その対策が困難である。
スラリーは、即ち、ダストである。
影響を受け易く、真空吸引により流れる空気の影響もあ
って、付着したダストが乾燥、固着してしまい、加工精
度が劣化する要因になり易い。加工時に、特に研磨加工
時にスラリーを用いる場合は、その対策が困難である。
スラリーは、即ち、ダストである。
【００１０】また、ダストなどが真空吸引面に付着する
ことを防ぐために、半導体ウエーハＳの外周縁を何らか
の方法でシールすることが必要であるが、そのシールに
よりステージの保持平面の高さが異なることから、縁だ
れや盛り上がりを起こす問題も生じる。
ことを防ぐために、半導体ウエーハＳの外周縁を何らか
の方法でシールすることが必要であるが、そのシールに
よりステージの保持平面の高さが異なることから、縁だ
れや盛り上がりを起こす問題も生じる。
【００１１】それ故、本発明では、半導体ウエハの表面
加工、例えば、研磨加工に当たって加工液が真空吸着面
と被加工物である半導体ウエーハの非加工面との間に流
入することによる半導体ウエーハの平面度の劣化を防止
し、確実に半導体ウエーハを面内均一性よく加工（研
磨）できる薄板状基板の真空吸着方法及びその真空吸着
テーブル装置を得ることを目的とするものである。
加工、例えば、研磨加工に当たって加工液が真空吸着面
と被加工物である半導体ウエーハの非加工面との間に流
入することによる半導体ウエーハの平面度の劣化を防止
し、確実に半導体ウエーハを面内均一性よく加工（研
磨）できる薄板状基板の真空吸着方法及びその真空吸着
テーブル装置を得ることを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】そのため、本発明の薄板
状基板の真空吸着方法は、被加工物である半導体ウエー
ハ（薄板状基板）の被加工面を加工液を用いて加工する
場合に前記半導体ウエーハの非加工面を真空吸引して真
空吸着テーブルのステージの平面上で吸着、保持する真
空吸着方法において、前記半導体ウエーハの非加工面側
の外周部とその下方の前記ステージの平面との間隙を液
体（例えば、純水）を用いてシールし、前記加工液が前
記間隙から前記半導体ウエーハの内方に流入することを
防止する方法を採って、前記課題を解決している。
状基板の真空吸着方法は、被加工物である半導体ウエー
ハ（薄板状基板）の被加工面を加工液を用いて加工する
場合に前記半導体ウエーハの非加工面を真空吸引して真
空吸着テーブルのステージの平面上で吸着、保持する真
空吸着方法において、前記半導体ウエーハの非加工面側
の外周部とその下方の前記ステージの平面との間隙を液
体（例えば、純水）を用いてシールし、前記加工液が前
記間隙から前記半導体ウエーハの内方に流入することを
防止する方法を採って、前記課題を解決している。
【００１３】そして前記薄板状基板の真空吸着方法を実
現するための一手段として、本発明の真空吸着テーブル
装置は、表面が平面に仕上げられた真空吸引部と、この
真空吸引部を中央部に埋設し、外周部の平面が前記真空
吸引部の前記平面と同一面を形成するように構成されて
いるステージと、このステージに前記半導体ウエーハを
載置した場合に、その半導体ウエーハの外周縁よりやや
内側の下方に在る前記ステージの前記外周部に形成され
た環状溝とこの環状溝にバルブを介して接続されたタン
クとから構成されている液体供給装置と、前記真空吸引
部に接続されている真空ポンプなどの真空吸引装置とか
ら構成されていて、前記課題を解決している。
現するための一手段として、本発明の真空吸着テーブル
装置は、表面が平面に仕上げられた真空吸引部と、この
真空吸引部を中央部に埋設し、外周部の平面が前記真空
吸引部の前記平面と同一面を形成するように構成されて
いるステージと、このステージに前記半導体ウエーハを
載置した場合に、その半導体ウエーハの外周縁よりやや
内側の下方に在る前記ステージの前記外周部に形成され
た環状溝とこの環状溝にバルブを介して接続されたタン
クとから構成されている液体供給装置と、前記真空吸引
部に接続されている真空ポンプなどの真空吸引装置とか
ら構成されていて、前記課題を解決している。
【００１４】従って、本発明の薄板状基板の真空吸着方
法及びその真空吸着テーブル装置によれば、加工液が真
空吸引面と半導体ウエーハの裏面（非加工面）との間に
流入することを防止でき、そしてその流入による半導体
ウエーハの平面度の劣化を防止でき、加工面の面内均一
性の悪化を防止することができる。
法及びその真空吸着テーブル装置によれば、加工液が真
空吸引面と半導体ウエーハの裏面（非加工面）との間に
流入することを防止でき、そしてその流入による半導体
ウエーハの平面度の劣化を防止でき、加工面の面内均一
性の悪化を防止することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に、図１乃至図５を参照しなが
ら、本発明の薄板状基板の真空吸着テーブル装置の実施
例及びこの真空吸着テーブルを用いた本発明の真空吸着
方法を説明する。図１は半導体ウエーハを載置した状態
の本発明の第１実施例の真空吸着テーブル装置の構成を
示した断面側面図であり、図２は図１に示した真空吸着
テーブル装置の機能を説明するための、その一部拡大断
面側面図であり、図３は半導体ウエーハを載置した状態
の本発明の第２実施例の真空吸着テーブル装置の構成を
示した一部拡大断面側面図であり、図４は半導体ウエー
ハを載置した状態の本発明の第３実施例の真空吸着テー
ブル装置の構成を示した一部拡大断面側面図であり、そ
して図５は半導体ウエーハを載置した状態の本発明の第
４実施例の真空吸着テーブル装置の構成を示した一部拡
大断面側面図である。
ら、本発明の薄板状基板の真空吸着テーブル装置の実施
例及びこの真空吸着テーブルを用いた本発明の真空吸着
方法を説明する。図１は半導体ウエーハを載置した状態
の本発明の第１実施例の真空吸着テーブル装置の構成を
示した断面側面図であり、図２は図１に示した真空吸着
テーブル装置の機能を説明するための、その一部拡大断
面側面図であり、図３は半導体ウエーハを載置した状態
の本発明の第２実施例の真空吸着テーブル装置の構成を
示した一部拡大断面側面図であり、図４は半導体ウエー
ハを載置した状態の本発明の第３実施例の真空吸着テー
ブル装置の構成を示した一部拡大断面側面図であり、そ
して図５は半導体ウエーハを載置した状態の本発明の第
４実施例の真空吸着テーブル装置の構成を示した一部拡
大断面側面図である。
【００１６】先ず、図１及び図２を参照しながら、本発
明の真空吸着テーブル装置の構成を説明する。図１にお
いて、符号１は本発明の真空吸着テーブル装置１Ａを指
す。この真空吸着テーブル装置１Ａは真空吸着テーブル
本体２と純水供給装置３とから構成されている。前者の
真空吸着テーブル本体２は、表面が平面に仕上げられ
た、例えば、多孔質体の真空吸引部２１と、この真空吸
引部２１を中央部に埋設し、外周部の平面が真空吸引部
２１の平面と同一面を形成する構造のステージ２２とか
ら主として構成されている。そして、このステージ２２
の外周部２３には、このステージ２２に半導体ウエーハ
Ｓを載置した場合に、その半導体ウエーハＳの外周縁よ
りやや内側の下方に在る部分に円環状溝２４が形成され
ている。この円環状溝２４には、その複数箇所で等間隔
で給水口が開けられ、これらの給水口に共通の給水パイ
プ２５が接続され、組み込まれている。また、前記真空
吸引部２１の中央部下面には、図示していなが、真空ポ
ンプに基端部が接続されているパイプ２６の先端部が接
続される真空吸引口２７が設けられている。
明の真空吸着テーブル装置の構成を説明する。図１にお
いて、符号１は本発明の真空吸着テーブル装置１Ａを指
す。この真空吸着テーブル装置１Ａは真空吸着テーブル
本体２と純水供給装置３とから構成されている。前者の
真空吸着テーブル本体２は、表面が平面に仕上げられ
た、例えば、多孔質体の真空吸引部２１と、この真空吸
引部２１を中央部に埋設し、外周部の平面が真空吸引部
２１の平面と同一面を形成する構造のステージ２２とか
ら主として構成されている。そして、このステージ２２
の外周部２３には、このステージ２２に半導体ウエーハ
Ｓを載置した場合に、その半導体ウエーハＳの外周縁よ
りやや内側の下方に在る部分に円環状溝２４が形成され
ている。この円環状溝２４には、その複数箇所で等間隔
で給水口が開けられ、これらの給水口に共通の給水パイ
プ２５が接続され、組み込まれている。また、前記真空
吸引部２１の中央部下面には、図示していなが、真空ポ
ンプに基端部が接続されているパイプ２６の先端部が接
続される真空吸引口２７が設けられている。
【００１７】一方、前記純水供給装置３は、給水タンク
３１と、この給水タンク３１の底に一端が接続され、他
端が前記給水パイプ２５に接続されている太めの給水パ
イプ３２と、この給水パイプ３２の中間部に装着された
開閉バルブ３３とから構成されている。前記給水タンク
３１には純水が供給されており、その水位は、点線で示
したように、前記給水パイプ２５の給水口、即ち、ステ
ージ２２の上面より僅かに高い水位Ｌになるように給水
が調整されている。この調整には給水量を調整してもよ
く、また、給水タンク３１を上下に微細に動かせる昇降
装置で調整するようにしてもよい。
３１と、この給水タンク３１の底に一端が接続され、他
端が前記給水パイプ２５に接続されている太めの給水パ
イプ３２と、この給水パイプ３２の中間部に装着された
開閉バルブ３３とから構成されている。前記給水タンク
３１には純水が供給されており、その水位は、点線で示
したように、前記給水パイプ２５の給水口、即ち、ステ
ージ２２の上面より僅かに高い水位Ｌになるように給水
が調整されている。この調整には給水量を調整してもよ
く、また、給水タンク３１を上下に微細に動かせる昇降
装置で調整するようにしてもよい。
【００１８】次に、本発明の前記真空吸着テーブル装置
１Ａの動作及びこれを用いて半導体ウエーハＳを吸着さ
せる真空吸着方法を説明する。先ず、半導体ウエハＳを
真空吸引部２１の上面に載置し、真空ポンプ（不図示）
を作動させて半導体ウエーハＳを吸引する。同時に開閉
バルブ３３を開く。給水タンク３１中の純水の水位Ｌは
給水パイプ２５の開口の位置より高いため、給水タンク
３１中の純水は給水パイプ２５の開口より円環状溝２４
に溢れ出る。溢れ出た純水の内の極微量は真空吸引部２
１の中央下部の真空吸引口２７及びパイプ２６を通じて
真空ポンプで吸引され、その他の大部分の純水は半導体
ウェーハＳの外周縁部から外方へ順次押し出され、最終
的には真空吸引されている半導体ウェーハＳが円環状溝
２４を上から塞ぐ状態で、吸着、保持される。
１Ａの動作及びこれを用いて半導体ウエーハＳを吸着さ
せる真空吸着方法を説明する。先ず、半導体ウエハＳを
真空吸引部２１の上面に載置し、真空ポンプ（不図示）
を作動させて半導体ウエーハＳを吸引する。同時に開閉
バルブ３３を開く。給水タンク３１中の純水の水位Ｌは
給水パイプ２５の開口の位置より高いため、給水タンク
３１中の純水は給水パイプ２５の開口より円環状溝２４
に溢れ出る。溢れ出た純水の内の極微量は真空吸引部２
１の中央下部の真空吸引口２７及びパイプ２６を通じて
真空ポンプで吸引され、その他の大部分の純水は半導体
ウェーハＳの外周縁部から外方へ順次押し出され、最終
的には真空吸引されている半導体ウェーハＳが円環状溝
２４を上から塞ぐ状態で、吸着、保持される。
【００１９】このように円環状溝２４が閉鎖されると、
給水タンク３１からの純水の供給が停止するとともに、
外部から半導体ウェーハＳと真空吸引部２１との隙間に
侵入しようとする加工液（研磨液、エッチング液など）
やダストなどの侵入を円環状溝２４の部分で防止するこ
とができる。
給水タンク３１からの純水の供給が停止するとともに、
外部から半導体ウェーハＳと真空吸引部２１との隙間に
侵入しようとする加工液（研磨液、エッチング液など）
やダストなどの侵入を円環状溝２４の部分で防止するこ
とができる。
【００２０】また、加工作業終了後、その半導体ウェー
ハＳをステージ２２から取り外す際には、開閉バルブ３
３を開いた状態で、真空吸引口２７から真空破壊のため
のエアーブローを行う。この真空破壊により真空吸引部
２１内部及び半導体ウェーハＳの外周縁部のステージ２
２上面に出た微量の純水を吹き飛ばすことになり、簡易
的ではあるが、真空吸引部２１の内外及びステージ２２
の表面を効率よく洗浄することができる。
ハＳをステージ２２から取り外す際には、開閉バルブ３
３を開いた状態で、真空吸引口２７から真空破壊のため
のエアーブローを行う。この真空破壊により真空吸引部
２１内部及び半導体ウェーハＳの外周縁部のステージ２
２上面に出た微量の純水を吹き飛ばすことになり、簡易
的ではあるが、真空吸引部２１の内外及びステージ２２
の表面を効率よく洗浄することができる。
【００２１】前記第１実施例の真空吸着テーブル装置１
Ａは、ステージ２２の外周部２３が全面平面で真空吸引
部２１と同一平面を構成する構造になっているが、図３
乃至図５に示すような構造で構成することにより、前記
第１実施例の真空吸着テーブル装置１Ａを改良すること
ができる。
Ａは、ステージ２２の外周部２３が全面平面で真空吸引
部２１と同一平面を構成する構造になっているが、図３
乃至図５に示すような構造で構成することにより、前記
第１実施例の真空吸着テーブル装置１Ａを改良すること
ができる。
【００２２】先ず、図３に示したように、この第２実施
例の真空吸着テーブル装置１Ｂは、ステージ２２の外周
部２３に形成した円環状溝２４から外側の外周壁２３Ａ
の上面を環状溝２４より内側の平面より徐々に後退する
傾斜面２３０１で形成して、外周壁２３Ａの上面と半導
体ウエーハＳとの接触面積を少なくするようにした構造
のものである。即ち、この接触面積は線状で殆どゼロに
なる。この第２実施例の真空吸着テーブル装置１Ｂの動
作は、真空吸着テーブル装置１Ａの動作と同一である
が、この真空吸着テーブル装置１Ｂの場合、前記傾斜面
２３０１に加工液Ｌが流れているために、この傾斜面２
３０１にダストなどが存在する確率が遥に少なくなる。
なお、半導体ウエーハＳの外周縁部には加工圧力などが
掛かるが、この加工圧力などによる前記外周縁部の変形
は、半導体ウエーハＳに剛性があり、しかも厚さがあ
り、また、外周壁２３Ａからの寸法Ｄが短ければ、加工
精度にもよるが、殆どの場合無視することができるレベ
ルになる。
例の真空吸着テーブル装置１Ｂは、ステージ２２の外周
部２３に形成した円環状溝２４から外側の外周壁２３Ａ
の上面を環状溝２４より内側の平面より徐々に後退する
傾斜面２３０１で形成して、外周壁２３Ａの上面と半導
体ウエーハＳとの接触面積を少なくするようにした構造
のものである。即ち、この接触面積は線状で殆どゼロに
なる。この第２実施例の真空吸着テーブル装置１Ｂの動
作は、真空吸着テーブル装置１Ａの動作と同一である
が、この真空吸着テーブル装置１Ｂの場合、前記傾斜面
２３０１に加工液Ｌが流れているために、この傾斜面２
３０１にダストなどが存在する確率が遥に少なくなる。
なお、半導体ウエーハＳの外周縁部には加工圧力などが
掛かるが、この加工圧力などによる前記外周縁部の変形
は、半導体ウエーハＳに剛性があり、しかも厚さがあ
り、また、外周壁２３Ａからの寸法Ｄが短ければ、加工
精度にもよるが、殆どの場合無視することができるレベ
ルになる。
【００２３】図４に示した第３実施例の真空吸着テーブ
ル装置１Ｃは、前記ステージ２２の外周部の円環状溝２
４より外側の外周壁２３Ａ上面が、円環状溝２４より内
側の平面より若干低い平面２３０２に形成し、この平面
２３０２とその上方の半導体ウエーハＳとの間にスリッ
トを形成したことを特徴とする。このように構成するこ
とにより、円環状溝２４からの給水をこのスリットを通
じて常に積極的に外方へ流すことができる。前記第２実
施例の真空吸着テーブル装置１Ｂと同様に、半導体ウエ
ーハＳの変形は無視することができる。
ル装置１Ｃは、前記ステージ２２の外周部の円環状溝２
４より外側の外周壁２３Ａ上面が、円環状溝２４より内
側の平面より若干低い平面２３０２に形成し、この平面
２３０２とその上方の半導体ウエーハＳとの間にスリッ
トを形成したことを特徴とする。このように構成するこ
とにより、円環状溝２４からの給水をこのスリットを通
じて常に積極的に外方へ流すことができる。前記第２実
施例の真空吸着テーブル装置１Ｂと同様に、半導体ウエ
ーハＳの変形は無視することができる。
【００２４】図５に示した第４実施例の真空吸着テーブ
ル装置１Ｄは、前記外周壁２３Ａ上面を、円環状溝２４
より内側の平面より若干低い平面２３０２に形成し、ス
リットを形成したことは前記第３実施例の真空吸着テー
ブル装置１Ｃと同一であるが、この実施例の場合には、
前記平面２３０２上に支柱２８を立てられていることを
特徴とする。この支柱２８で半導体ウエーハＳの外周部
を支持し、加工圧力などによる変形を抑えるようにした
もので、動作は前記と同様である。
ル装置１Ｄは、前記外周壁２３Ａ上面を、円環状溝２４
より内側の平面より若干低い平面２３０２に形成し、ス
リットを形成したことは前記第３実施例の真空吸着テー
ブル装置１Ｃと同一であるが、この実施例の場合には、
前記平面２３０２上に支柱２８を立てられていることを
特徴とする。この支柱２８で半導体ウエーハＳの外周部
を支持し、加工圧力などによる変形を抑えるようにした
もので、動作は前記と同様である。
【００２５】以上の説明から明らかなように、従来技術
の真空吸着テーブルでは、半導体ウエーハＳが加工圧力
などで不意に一時的に浮き上がって、加工液が半導体ウ
エーハＳの外周部から真空吸引部２１上面に侵入する不
都合があったものが、本発明の真空吸着テーブル装置で
は、純水の滞留でシールすることができ、前記のような
不都合を防止することができる。また、本発明の真空吸
着テーブル装置では、真空吸引部に侵入する液体は、円
環状溝２４から溢れた極微量の純水のみであるから、特
別な真空保護回路や洗浄機構は不要である。更に、半導
体ウエーハＳの真空吸引部２１及びステージの表面から
浮き上がりを制御する各圧力の関係や純水の供給量の調
整は、加工圧力、真空吸引力及び給水タンクの水位を所
定の値に設定することにより容易に行うことができる。
更にまた、基準となるステージ高さが半導体ウエーハの
外周部まで同一平面であるため、一般のシール時に見ら
れるような縁だれ、或いは盛り上がりなどを起こさな
い。
の真空吸着テーブルでは、半導体ウエーハＳが加工圧力
などで不意に一時的に浮き上がって、加工液が半導体ウ
エーハＳの外周部から真空吸引部２１上面に侵入する不
都合があったものが、本発明の真空吸着テーブル装置で
は、純水の滞留でシールすることができ、前記のような
不都合を防止することができる。また、本発明の真空吸
着テーブル装置では、真空吸引部に侵入する液体は、円
環状溝２４から溢れた極微量の純水のみであるから、特
別な真空保護回路や洗浄機構は不要である。更に、半導
体ウエーハＳの真空吸引部２１及びステージの表面から
浮き上がりを制御する各圧力の関係や純水の供給量の調
整は、加工圧力、真空吸引力及び給水タンクの水位を所
定の値に設定することにより容易に行うことができる。
更にまた、基準となるステージ高さが半導体ウエーハの
外周部まで同一平面であるため、一般のシール時に見ら
れるような縁だれ、或いは盛り上がりなどを起こさな
い。
【００２６】前記実施例の説明では、被加工物として半
導体ウエーハを採り上げて説明したが、本発明の真空吸
着テーブル装置は、半導体ウエーハを加工する場合にの
み用いられるものではなく、この他、ＬＣＤ用ガラス板
など、被加工面積の広い薄板状基板を加工する場合にも
広く用いることができる。また、前記実施例の説明で
は、研磨加工を採り上げ、半導体ウエーハを保持する真
空吸着テーブル装置として説明したが、この他、被加工
物にエッチング、洗浄、乾燥などを施す場合にも使用す
ることができることを付言しておく。
導体ウエーハを採り上げて説明したが、本発明の真空吸
着テーブル装置は、半導体ウエーハを加工する場合にの
み用いられるものではなく、この他、ＬＣＤ用ガラス板
など、被加工面積の広い薄板状基板を加工する場合にも
広く用いることができる。また、前記実施例の説明で
は、研磨加工を採り上げ、半導体ウエーハを保持する真
空吸着テーブル装置として説明したが、この他、被加工
物にエッチング、洗浄、乾燥などを施す場合にも使用す
ることができることを付言しておく。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の真空吸着テーブル装置によれば、加工液のステージ上
面への付着を防止することができ、また、ダストも侵入
または存在しないため、薄板状基板の縁だれや盛り上が
りを防止でき、薄板状基板を高精度に保持（真空チャッ
ク）することができる。このため薄板状基板を面内均一
性良く加工することができる。一方、本発明の真空吸着
テーブル装置そのものは、構造が簡単で、しかも耐久性
がある。
の真空吸着テーブル装置によれば、加工液のステージ上
面への付着を防止することができ、また、ダストも侵入
または存在しないため、薄板状基板の縁だれや盛り上が
りを防止でき、薄板状基板を高精度に保持（真空チャッ
ク）することができる。このため薄板状基板を面内均一
性良く加工することができる。一方、本発明の真空吸着
テーブル装置そのものは、構造が簡単で、しかも耐久性
がある。
【図１】 半導体ウエーハを載置した状態の本発明の第
１実施例の真空吸着テーブルの構成を示した断面側面図
である。
１実施例の真空吸着テーブルの構成を示した断面側面図
である。
【図２】 図１に示した真空吸着テーブルの機能を説明
するための、その一部拡大断面側面図である。
するための、その一部拡大断面側面図である。
【図３】 半導体ウエーハを載置した状態の本発明の第
２実施例の真空吸着テーブルの構成を示した一部拡大断
面側面図である。
２実施例の真空吸着テーブルの構成を示した一部拡大断
面側面図である。
【図４】 半導体ウエーハを載置した状態の本発明の第
３実施例の真空吸着テーブルの構成を示した一部拡大断
面側面図である。
３実施例の真空吸着テーブルの構成を示した一部拡大断
面側面図である。
【図５】 半導体ウエーハを載置した状態の本発明の第
４実施例の真空吸着テーブルの構成を示した一部拡大断
面側面図である。
４実施例の真空吸着テーブルの構成を示した一部拡大断
面側面図である。
【図６】 従来技術の第１の例の真空吸着テーブルの一
部を示す断面側面図である。
部を示す断面側面図である。
【図７】 従来技術の第２の例の真空吸着テーブルの一
部を示す断面側面図である。
部を示す断面側面図である。
【図８】 従来技術の第２の例の真空吸着テーブルの一
部を示す断面側面図である。
部を示す断面側面図である。
【図９】 図６に示した真空吸着テーブルで薄板状基板
を真空吸着した状態の薄板状基板と真空吸着テーブルと
の一部拡大断面側面図であって、同図Ａはその薄板状基
板を保持した状態の溝部の拡大図、同図Ｂは同図Ａの状
態で加工圧力と真空吸引を受けた場合の薄板状基板の状
態を示す溝部の拡大図である。
を真空吸着した状態の薄板状基板と真空吸着テーブルと
の一部拡大断面側面図であって、同図Ａはその薄板状基
板を保持した状態の溝部の拡大図、同図Ｂは同図Ａの状
態で加工圧力と真空吸引を受けた場合の薄板状基板の状
態を示す溝部の拡大図である。
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ…本発明の真空吸着テーブル装
置、２…真空吸着テーブル本体、３…純水供給装置、２
１…真空吸引部、２２…ステージ、２３…ステージ２２
の外周部、２３Ａ…外周部２３の外周壁、２４…円環状
溝、２５…給水パイプ、２６…パイプ、２７…真空吸引
口、３１…給水タンク、３２…給水パイプ、３３…開閉
バルブ、Ｅ…研磨液、Ｌ…給水タンク３１内の純水の水
位、Ｓ…薄板状基板（半導体ウエーハ）
置、２…真空吸着テーブル本体、３…純水供給装置、２
１…真空吸引部、２２…ステージ、２３…ステージ２２
の外周部、２３Ａ…外周部２３の外周壁、２４…円環状
溝、２５…給水パイプ、２６…パイプ、２７…真空吸引
口、３１…給水タンク、３２…給水パイプ、３３…開閉
バルブ、Ｅ…研磨液、Ｌ…給水タンク３１内の純水の水
位、Ｓ…薄板状基板（半導体ウエーハ）
Claims (5)
- 【請求項１】 被加工物である薄板状基板の被加工面を
加工液を用いて加工する場合に前記薄板状基板の非加工
面を真空吸引して真空吸着テーブルのステージの平面上
で保持する真空吸着方法において、前記薄板状基板の非
加工面側の外周部とその下方の前記ステージの平面との
間隙を液体を用いてシールし、前記加工液が前記間隙か
ら前記薄板状基板の内方に流入することを防止すること
を特徴とする薄板状基板の真空吸着方法。 - 【請求項２】 被加工物である薄板状基板の被加工面を
加工液を用いて加工する場合に前記薄板状基板の非加工
面を真空吸引して保持する真空吸着テーブル装置におい
て、 表面が平面に仕上げられた真空吸引部と、 この真空吸引部を中央部に埋設し、外周部の平面が前記
真空吸引部の前記平面と同一面を形成するように構成さ
れているステージと、 このステージに前記薄板状基板を載置した場合に、その
薄板状基板の外周縁よりやや内側の下方に在る前記ステ
ージの前記外周部に形成された環状溝とこの環状溝にバ
ルブを介して接続されたタンクとから構成されている液
体供給装置と、 前記真空吸引部に接続されている真空吸引装置と、から
構成されていることを特徴とする薄板状基板の真空吸着
テーブル装置。 - 【請求項３】 前記ステージの外周部の前記環状溝より
外側の外周壁上面が、前記環状溝より内側の平面より後
退する傾斜面で形成されていることを特徴とする請求項
２に記載の薄板状基板の真空吸着テーブル装置。 - 【請求項４】 前記ステージの外周部の前記環状溝より
外側の外周壁上面が、前記環状溝より内側の平面より若
干低い平面で形成されていることを特徴とする請求項２
に記載の薄板状基板の真空吸着テーブル装置。 - 【請求項５】 前記ステージの外周部の前記環状溝より
外側の外周壁上面が、前記環状溝より内側の平面より若
干低い平面で形成し、これら両平面の段差に相当する支
柱が前記外周壁面に立てられていることを特徴とする請
求項２に記載の薄板状基板の真空吸着テーブル装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28450396A JPH10135316A (ja) | 1996-10-28 | 1996-10-28 | 薄板状基板の真空吸着方法及びその真空吸着テーブル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28450396A JPH10135316A (ja) | 1996-10-28 | 1996-10-28 | 薄板状基板の真空吸着方法及びその真空吸着テーブル装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10135316A true JPH10135316A (ja) | 1998-05-22 |
Family
ID=17679361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28450396A Pending JPH10135316A (ja) | 1996-10-28 | 1996-10-28 | 薄板状基板の真空吸着方法及びその真空吸着テーブル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10135316A (ja) |
Cited By (22)
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| CN112917386A (zh) * | 2019-12-06 | 2021-06-08 | 株式会社迪思科 | 板状物保持器具 |
-
1996
- 1996-10-28 JP JP28450396A patent/JPH10135316A/ja active Pending
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