JP2007066956A - ウエハ端面保護装置及びウエハ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 ウエハの端面を構造的に保護することにより、ウエハ剥がれ等の処理不良を防止できる。
【解決手段】 処理部分の円Ｃを除くウエハＷの非処理面Ｓ２が保護部材５により覆われリップパッキン７を介して保護部材５を円板状部材３に積層した状態で、円板状部材３、保護部材５、ウエハＷの処理面Ｓ２、リップパッキン７で形成される空間ｓｐの気体を連通口９から排出する。保護部材５が円板状部材３に吸着されるので、ウエハＷの処理部分の円Ｃ以外は処理液に触れることがない。よって、ウエハＷの端面が処理液で処理されたり、基盤にウエハＷを接着しているワックス等が処理液に浸食されて剥がれたりする等の処理不良を防止することができる。その上、連通口９から排気するだけという簡単な動作でウエハ端面保護装置１をウエハに取り付けられ、空間ｓｐ内の負圧を解消するだけで取り外せる。
【選択図】 図３

Description

本発明は、シリコン半導体や化合物半導体などのウエハを処理液に浸漬させて所定の処理を行う際に、ウエハの非処理面及び端面を保護するウエハ端面保護装置及びこれを用いてウエハを処理するウエハ処理装置に関する。

従来、この種のウエハ処理として、ウエハの厚みを薄くする処理（シンニング）がある。この場合には、まず、基盤の上面にワックスを塗布して溶融させ、その上に、ウエハの回路等が形成された非処理面を下向きにして載置する。そして、冷却することによりウエハを基盤に固定し、水酸化カリウム(KOH)を含むエッチング液として貯留している処理槽にウエハを基盤とともに収容し、エッチング液中にウエハを浸漬する。これにより、ウエハの処理面を化学的に研磨して、ウエハの厚みを薄くする処理（シンニング）が行われている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００３−３４７２５４号公報

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来のウエハ処理では、ワックスに水酸化カリウムへの耐性をもたせることが困難であるので、エッチング液中にワックスが溶け出し、処理途中にてウエハが基盤から剥離したり、非処理面側にあたるウエハの表面周縁部の一部がエッチングされたりする場合がある。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、ウエハの端面を構造的に保護することにより、ウエハ剥がれ等の処理不良を防止することができるウエハ端縁保護装置及びウエハ処理装置を提供することを目的とする。

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、処理液にウエハを浸漬させてウエハの処理面を処理する際に、ウエハの非処理面及び端面を保護するウエハ端面保護装置において、外径がウエハの外径より大きく、ウエハの非処理面側に配置される円板状部材と、処理液に対する耐性を有し、ウエハの処理面においてほぼ円形を呈する処理部分を除いてウエハの処理面を覆う保護部材と、処理液に対する耐性を有し、前記円板状部材、前記保護部材、及びウエハの処理面との間に配置されるリップパッキンと、ウエハを前記円板状部材に載置し、前記リップパッキンを介して前記保護部材を前記円板状部材に積層した状態で、前記円板状部材、前記保護部材、ウエハの処理面、及び前記リップパッキンにより形成される空間内に連通され、前記空間内の気体を排出するとともに、前記空間内の負圧を解消させるための連通口と、を備えることを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項1に記載の発明によれば、処理部分を除くウエハの非処理面が保護部材により覆われ、リップパッキンを介して保護部材を円板状部材に積層した状態で、円板状部材、保護部材、ウエハの処理面、及びリップパッキンにより形成される空間の気体を連通口から排出する。これにより、保護部材が円板状部材に吸着されるので、ウエハの処理部分以外は処理液に触れることがない。したがって、ウエハの端面が処理液で処理されたり、基盤にウエハを接着しているワックス等が処理液に浸食されて剥がれたりする等の処理不良を防止することができる。その上、連通口から排出するだけという簡単な動作でウエハ端面保護装置をウエハに取り付けることができる。

なお、「リップパッキン」とは、流体に圧力がかかるとリップパッキンのリップ先端に流体圧よりも大きな圧力がかかり、当接面に圧着する部分が生じ、セルフシール作用によって圧着が維持される種類のパッキンをいう。このようなリップパッキンとしては、Ｕパッキン、Ｖパッキン、Ｌパッキン、Ｊパッキン等が挙げられ、ダストシールやスクレーパとも呼ばれる。

本発明において、連通口は逆止弁を備えていることが好ましい（請求項２）。円板状部材と保護部材とリップパッキンで閉塞される空間の気体を連通口から排出した後、排出動作を止めても逆止弁で空間内部の負圧が維持できる。

また、本発明において、リップパッキンは、前記保護部材の前記円板状保護部材側に取り付けられていることが好ましく（請求項３）、リップパッキンは、ウエハの処理面に当接する内パッキンと、前記円板状部材の上面に当接する外パッキンとを有することが好ましい（請求項４）。

また、本発明において、円板状部材の一方面には、ウエハの外径より大径で、ウエハの厚さと同程度の深さを有する浅溝が形成されていることが好ましい（請求項５）。ウエハを浅溝に収容させるので、ウエハに余分な荷重が加わることを防止できる。

また、請求項６に記載の発明は、請求項１から５のいずれかに記載のウエハ端面保護装置が装着された複数枚のウエハを起立姿勢で収容する保持部材と、処理液を貯留し、前記保持部材を処理液内に浸漬させる処理槽と、を備えることを特徴とするものである（請求項６）。ウエハ端面保護装置を装着した複数枚のウエハを保持部材に起立姿勢で収容した状態で処理槽内の処理液に浸漬させることにより、一度に多くのウエハを処理することができ、処理効率を高めることができる。

本発明に係るウエハ端面保護装置によれば、処理部分を除くウエハの処理面が保護部材により覆われ、リップパッキンを介して保護部材を円板状部材に積層した状態で、円板状部材、保護部材、ウエハの処理面、及びリップパッキンにより形成される空間の気体を連通口から排出する。これにより、保護部材が円板状部材に吸着されるので、ウエハの処理部分以外は処理液に触れることがない。したがって、ウエハの端面が処理液で処理されたり、基盤にウエハを接着しているワックス等が処理液に浸食されて剥がれたりする等の処理不良を防止することができる。その上、連通口から排気するだけという簡単な動作でウエハ端面保護装置をウエハに取り付けることができる。

本発明は、ウエハの端面を保護するウエハ端面保護装置と、これを装着されたウエハを処理するためのウエハ処理装置であるが、以下の説明では、実施例１においてウエハ端面保護装置について説明し、実施例２においてウエハ処理装置について説明する。なお、以下の説明においては、オリエンテーション・フラットやノッチを省略した平面視円形状のウエハを例に採って説明する。

以下、図面を参照して本発明の実施例1を説明する。
図１は、実施例１に係るウエハ端面保護装置の概略構成を示す分解斜視図であり、図２は、円板状部材と保護部材の一部を拡大した縦断面図であり、図３は、円板状部材と保護部材とを積層吸着した状態の縦断面図であり、図４、円板状部材と保護部材との積層吸着を解除した状態の縦断面図である。

ウエハ端面保護装置１は、シリコン半導体や化合物半導体などの処理対象であるウエハＷを保持し、回路等が形成されている非処理面Ｓ１側とは反対側の面である処理面Ｓ２側をエッチングして薄くする際に、その端面を処理液から保護するものである。ウエハ端面保護装置１は、円板状部材３上にウエハＷを載置した状態で、さらにその上に保護部材５を備えている。保護部材５は、積層された円板状部材３を吸着するためのリップパッキン７と、吸引を行うための連通口９を備えている。

円板状部材３は、その外径がウエハＷの外径より大きく形成されている。その上面には、浅溝１１が形成されている。この浅溝１１は、非処理面Ｓ１側を下方に向けた状態のウエハＷを収容するとともに、位置ずれを抑制するとともに、後述する積層吸着した際にウエハＷに加わる荷重を軽減することができる。この浅溝１１の深さは、ウエハＷの厚さとほぼ同じ程度であることが好ましい。

保護部材５は、ウエハＷの処理面Ｓ２において平面視ほぼ円形状を呈する処理部分の円Ｃを除いて、ウエハＷの処理面Ｓ２側を覆う。つまり、保護部材５は、平面視環状を呈するとともに、円板状部材３の外径とほぼ同じ外径を有する。その下面には、同心円状の凹溝１３，１５が形成されており、これらにリップパッキン７（内パッキン７ａ及び外パッキン７ｂ）が嵌め付けられている。内側の凹溝１３は、その内径がウエハＷの外径より小さく、外側の凹溝１４は、その内径がウエハＷの外径より大きく、かつ円板状部材３の外径より小さい。つまり、凹溝１３に取り付けられたパッキン７ａ部分は、ウエハＷの処理面Ｓ２側における外周部に当接し、凹溝１４に取り付けられた外パッキン７ｂは、円板状部材３の上面外周部に当接する。また、保護部材５の上面の一部位には、リップパッキン７（内パッキン７ａ及び外パッキン７ｂ）の間、つまり、円板状部材３に保護部材５を積層し、リップパッキン７で閉塞される空間ＳＰに連通した連通口９が形成されている。

連通口９の保護部材５上面側には、管継手１７が取り付けられている。この管継手１７は、逆止弁１８と制御弁１９を内蔵し、いずれか一方に切り換え自在となっている。図３に示すように管継手１７には、三方弁２１を介して一端側が真空源２３と気体供給源２５に連通接続された配管２７の他端側が着脱自在となっている。なお、配管２７のうち、排気時における三方弁２１の上流側には、圧力計２９と流量調整弁３１が配設されている。真空源２３は、クリーンルームに設けられている真空ユーティリティであり、一般的にその吸引圧が一定の負圧となっている。流量調整弁３１は、後述する吸着時における排出圧を、その吸引圧より弱めるように調整するために用いられるものである。これにより、吸引圧が強すぎてリップパッキン７がウエハＷに強固に張り付いてしまう不都合を防止できる。気体供給源２５は、例えば、クリーンエアを供給するクリーンルームのユーティリティである。なお、クリーンエアに代えて窒素ガスを供給するようにしてもよい。

なお、上述したリップパッキン７は、処理液の一例である水酸化カリウムに対する耐性を備えた材料で構成されていることが好ましい。例えば、パーフロロエラストマーに分類される高分子材料（フッ素樹脂と同様の化学構造式を有する）等が好ましく、具体的には、カルレッツ（登録商標：デュポンダウエラストマー社）や、パーフロ（登録商標：ダイキン工業）や、ＥＰＤＭ（エチレン・プロピレンゴム）が例示される。

また、上述した円板状部材３と、保護部材５と、管継手１７は、処理液に対する耐性を備えている金属材料で構成されている。このような金属材料としては、例えば、ステンレス鋼板が挙げられる。

上記のように構成されているウエハ端面保護装置１は、次のようにしてウエハＷを積層する。なお、流量調整弁３１を調整して、真空源２３による排気圧が予め適切に調整されており、三方弁２１が真空源２３側に切り換えられ、制御弁１９が閉止されているものとする。

まず、円板状部材３の浅溝１１にウエハＷを載置する。ウエハＷは、その非処理面Ｓ１が円板状部材３側に向けられた状態である。ここでいう非処理面Ｓ１とは、ウエハＷに回路等が形成された面であり、処理面Ｓ２とは、その反対側の面のことである。そして、図２に示すように、円板状部材３の上に保護部材５を載置する。このとき円板状部材２と保護部材５の外周が横方向で一致するように位置合わせした状態で載置するのが好ましい。そのためには、例えば、円板状部材３の外径より若干大径の穴を形成した治具を用い、その穴にウエハＷを載置した円形状部材３を収容し、その上から保護部材５を載置する。または、台座の、円板状部材３の外径に合わせた位置に複数本の位置合わせピンを立設した治具を用いる。

そして、配管２７を管継手１７に連結すると、予め設定された適切な排気圧で空間ｓｐ内の空気が真空源２３に排出される。すると、図３に示すように、リップパッキン７が変形して保護部材５がウエハＷ側へと吸着され、ウエハＷの端面がシールされる。これにより、ウエハＷの処理面Ｓ２のうち、処理部分の円Ｃに相当する領域を除いて液密に保持される。そして、処理液に浸漬する際には、配管２７を管継手１７から取り外すが、配管２７を通して排気圧がかからない状態となっても、逆止弁１８及びリップパッキン７のセルフシール作用により保護部材５を円板状部材３に吸着させたままにできる。

このように構成されたウエハ端面保護装置１を装着されたウエハＷは、所定温度（例えば、７０℃）にされた処理液を貯留している処理槽（図示省略）に浸漬され、例えば、３０分〜６０分程度その状態を維持される。すると、ウエハＷの処理面Ｓ２側が化学的に研磨され、例えば、６インチ径のウエハＷでは厚さが５０μｍ以下にまで薄くされる。

そして、所定の処理時間が経過すると、ウエハ端面保護装置１を処理液が取り出すとともに、図４に示すように管継手１７に配管２７を連結する。そして、三方弁２１を気体供給源２５側に切り換えるとともに制御弁１９を開放する。これにより、空間ｓｐの負圧が空気の加圧によって積極的に解消され、負圧によってリップパッキン７が張り付いていたとしても容易に保護部材５を円板状部材３から分離することができる。

このように処理部分の円Ｃを除くウエハＷの非処理面Ｓ２が保護部材５により覆われ、リップパッキン７を介して保護部材５を円板状部材３に積層した状態で、円板状部材３と、保護部材５と、ウエハの処理面Ｓ２と、リップパッキン７とで形成される空間ｓｐの気体を連通口９から排出する。これにより、保護部材５が円板状部材３に吸着されるので、ウエハＷの処理部分の円Ｃ以外は処理液に触れることがない。したがって、ウエハＷの端面が処理液で処理されたり、基盤にウエハＷを接着しているワックス等が処理液に浸食されて剥がれたりする等の処理不良を防止することができる。その上、連通口９から排気するだけという簡単な動作でウエハ端面保護装置１をウエハに取り付けることができるとともに、空間ｓｐ内の負圧を解消するだけで、取り外すことができる。

なお、本発明は、上述した実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）円板状部材３と保護部材５に位置合わせ穴と位置合わせピンを形成し、これらにより位置合わせを容易に行えるように構成してもよい。また、これらに代えて位置合わせ突起リング及び凹部リングや、一対の切り欠きなどを用いて位置合わせするように構成してもよい。

（２）上記の例では、ウエハ端面保護装置１を処理液に浸漬する際には配管２７を取り外すようにしているが、配管２７を管継手１７に接続して排気を維持したままとしてもよい。この場合には、逆止弁１８と制御弁１９を省略することができる。

（３）上述した実施例では、負圧を解消するのにクリーンエアを供給しているが、単に制御弁１９を開放して大気圧に戻すようにしてもよい。これにより配管系の構成を簡単化することができる。

次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。
図５は、実施例２に係るウエハ処理装置の概略構成を示す縦断面図であり、図６は、 図５を側面から見た縦断面図である。

本実施例２に係るウエハ処理装置は、上述した実施例１に係るウエハ端面保護装置１が装着された複数枚のウエハＷを起立姿勢で収容するカセット７１を備え、カセット７１ごと処理液に浸漬させて処理を行う装置である。なお、カセット７１が本発明における保持部材に相当する。

カセット７１は、図５の紙面方向に複数箇所のスロット７３を備え、各スロット７３の間には、スロット７３へ挿入されてきたウエハ端面保護装置１をスロット７３に案内するための案内面を備えた案内部７５が形成されている。このカセット７１は、ウエハＷだけを収納するカセットに比較すると、ウエハ端面保護装置１の厚みがあるだけに収納枚数は少なくなる。カセット７１は、図５における前後面（図６における左右面）に取付部７７を備えており、この取付部７７を介して後述する保持機構１０７に取り付けられる。

このウエハ処理装置は、処理液を貯留する内槽７９と、この内槽７９から溢れた処理液を回収するための外槽８１とを備えた処理槽８３を備えている。内槽７９の底面には、処理液を導入するための導入口８５が形成されており、その上方には、整流板８７が配設されている。この整流板８７は、複数の細かい孔が全面にわたって形成されており、導入口８５から導入された処理液の流れを整えて内槽７９に導く。

外槽８１の一部位には、排出口８９が形成されている。この排出口８９と上記の導入口８５には、供給配管９１が連通接続されている。供給配管９１には、上流側から三方弁９３と、ポンプ９５と、インラインヒータ９７と、フィルタ９９とが設けられている。三方弁９３には、さらに処理液供給源１０１が連通接続されている。また、排出口８９と三方弁９３との間付近の供給配管９１には、分岐管１０３が設けられ、この分岐管１０３に取り付けられた開閉弁１０５の操作によって外槽８１に貯留した処理液が排液される。

この装置は、上記の構成に加えて保持機構１０７を備えている。この保持機構１０７は、図５及び図６に示す処理位置と、この処理位置及び処理槽８３よりも上方にあたる待機位置とにわたって昇降機構１０９により昇降される。

保持機構１０７は、一対の保持フレーム１１１を備えている。この保持フレーム１１１の各先端部は、上述したカセット７１の取付部７７に着脱自在に構成されている。但し、カセット７１と保持フレーム１１１との間における相対的な位置が固定されている。

駆動機構１１３は、内槽７９中において上述した保持機構１０７を、基板Ｗの整列方向に沿った水平軸周りに公転させる機能を備えている。以下に、この駆動機構１１３について詳細に説明する。

駆動機構１１３は、前フレーム１１５と、後フレーム１１７と、これらを下部において補強する補強カバー１１９とを備えている。前フレーム１１５と後フレーム１１７の下部には、軸穴１２１が形成されている。この軸穴１２１には、基板Ｗの整列方向に沿う軸心Ｐに合わせて第１の回転軸１２３が緩挿されている。第１の回転軸１２３の両端部は、前フレーム１１５および後フレーム１１７から突出している。この第１の回転軸１２３の両端部には、軸心Ｐから基板Ｗの面方向に向けられた回転片１２５がネジ止めされて固定されている。また、各々の回転片１２５の先端部には、上述した保持フレーム１１１の上端部が、基板Ｗの面方向に沿って回転可能にネジ１２７によって取り付けられている。第１の回転軸１２３の中間部には、ギア１２８が固定的に取り付けられている。

第１の回転軸１２３の上方には、第２の回転軸１２９が配設され、その後端は処理槽８３の後側に延出されている。第２の回転軸１２９には、第１の回転軸１２３に取り付けられているギア１２８と螺合するようにギア１３１が取り付けられている。第２の回転軸１２９の延出された部分には、昇降機構１０９が配備されている。

この昇降機構１０９は、上述した待機位置と処理位置とにわたって伸縮可能な作動片１３３を備えたアクチュエータ１３４と、この作動片１３３の上端に取り付けられ、処理槽８３側に延出された昇降片１３５とを備えている。この昇降片１３５の処理槽８３側には、モータ１３７が配設されており、その回転軸には第２の回転軸１２９の他端側が連結されている。

上述したモータ１３７の回転軸を、図５に示すように正面から見て時計回りに駆動すると、第２の回転軸１２９が時計回りに回転し、ギア１３１，１２８を介して第１の回転軸１２３が反時計回りに回転する。すると、第１の回転軸１２３に取り付けられている回転片１２５が反時計回りに、回転片１２５の先端部側が軸心Ｐ周りに公転する。したがって、回転片１２５の先端部側で回転可能に取り付けられた保持フレーム１１１は、鉛直姿勢を保ったままその上端部が軸心Ｐの周囲を回転し、これに伴い保持フレーム１１１の下端部に固定されているカセット７１が内槽７９中において公転運動することになる。

このように構成された装置では、次のようにして処理が行われる。

なお、初期状態としては、アクチュエータ１３４が伸長動作して、保持機構１０７が処理槽８３の上方にあたる図示しない待機位置にあるものとする。そして、この状態にて、ウエハ端面保護装置１が装着されたウエハＷが収納されたカセット７１を、図示しない搬送手段から保持機構１０７に受け渡す。

次いで、開放弁１０５を閉止するとともに、三方弁９３を処理液供給源１０１に切り替え、ここから処理液を供給するためにポンプ９５を作動させる。さらに、インラインヒータ９７を作動させて、処理液を所定の温度に加熱して供給配管９１に流通させる。なお、処理液としては、例えば、半導体シリコンに対するエッチングレートが高い水酸化カリウムが挙げられる。このようにして供給された処理液が内槽７９から溢れ、外槽８９に貯留した後、三方弁９３を切り替えて、処理液供給源１０１からの供給を停止するとともに、外槽８１の処理液を供給配管９１に循環させる。この循環を行いつつ、インラインヒータ９７による加熱で処理液の温度が安定した場合には、昇降機構１０９を作動させて、保持機構１０７を待機位置から処理位置に下降させる。これと同時に、モータ１３７を作動させて、保持機構１０７を公転運動させる。なお、モータ１３７の回転による保持機構１０７の公転回転数は、例えば、９０ｒｐｍ程度であるが、この公転回転数は処理内容に応じて適宜に調整すればよい。

上記の動作により、ウエハ端面保護装置１が装着されたウエハＷに対して、処理液による処理が行われる。さらに、モータ１３７の作動により保持機構１０７が公転するので、ウエハ端面保護装置１が装着された複数枚のウエハＷを内槽７９中において水平軸ＶＰ周りに公転運動させることができる。したがって、ウエハＷを公転運動させることになるので、ウエハＷの処理部分の円Ｃの全面にわたって処理液を均一に接触させることができる。その結果、ウエハＷの全面にわたって均一に処理を行うことができ、しかも処理が遅い部分に処理時間を合わせる必要がないので、処理の短時間化を図ることができる。

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した実施例では、第１及び第２の回転軸１２３，１２９と、ギア１２８，１３１などとを処理槽８３の上方に備えた駆動機構１１３を例示したが、本発明はこのような構成の駆動機構に限定されるものではない。例えば、駆動機構１１３を処理槽の底部に配置して下方から公転駆動するように構成してもよい。また、公転させるのが処理の均一性の観点から好ましいが、必ずしも公転させる必要はなく、処理槽８３に静止させた状態で浸漬させてもよく、自転させるあるいは昇降する構成としてもよい。

（２）上述した実施例では、処理液として水酸化カリウムを例に採り、処理として基板の裏面研磨を例に挙げたが、例えば、燐酸によるアルミエッチング等の処理等においても本発明を適用することができる。

（３）上述した実施例では、カセット７１に案内部７５を備えているが、これを省略した構成を採用してもよい。これにより、収納枚数を増加させることができる。

実施例１に係るウエハ端面保護装置の概略構成を示す分解斜視図である。 円板状部材と保護部材の一部を拡大した縦断面図である。 円板状部材と保護部材とを積層吸着した状態の縦断面図である。 円板状部材と保護部材との積層吸着を解除した状態の縦断面図である。 実施例２に係るウエハ処理装置の概略構成を示す縦断面図である。 図５を側面から見た縦断面図である。

符号の説明

１ … ウエハ端面保護装置
Ｗ … ウエハ
Ｓ１ … 非処理面
Ｓ２ … 処理面
３ … 円板状部材
５ … 保護部材
７ … リップパッキン
ｓｐ … 空間
９ … 連通口
１１ … 浅溝
１８ … 管継手
１８ … 逆止弁
７１ … カセット

Claims (6)

1. 処理液にウエハを浸漬させてウエハの処理面を処理する際に、ウエハの非処理面及び端面を保護するウエハ端面保護装置において、
   外径がウエハの外径より大きく、ウエハの非処理面側に配置される円板状部材と、
   処理液に対する耐性を有し、ウエハの処理面においてほぼ円形を呈する処理部分を除いてウエハの処理面を覆う保護部材と、
   処理液に対する耐性を有し、前記円板状部材、前記保護部材、及びウエハの処理面との間に配置されるリップパッキンと、
   ウエハを前記円板状部材に載置し、前記リップパッキンを介して前記保護部材を前記円板状部材に積層した状態で、前記円板状部材、前記保護部材、ウエハの処理面、及び前記リップパッキンにより形成される空間内に連通され、前記空間内の気体を排出するとともに、前記空間内の負圧を解消させるための連通口と、
   を備えることを特徴とするウエハ端面保護装置。
2. 請求項１に記載のウエハ端面保護装置において、
   前記連通口は逆止弁を備えていることを特徴とするウエハ端面保護装置。
3. 請求項１または２に記載のウエハ端面保護装置において、
   前記リップパッキンは、前記保護部材の前記円板状保護部材側に取り付けられていることを特徴とするウエハ端面保護装置。
4. 請求項３に記載のウエハ端面保護装置において、
   前記リップパッキンは、ウエハの処理面に当接する内パッキンと、前記円板状部材の上面に当接する外パッキンとを有することを特徴とするウエハ端面保護装置。
5. 請求項１から４のいずれかに記載のウエハ端面保護装置において、
   前記円板状部材の一方面には、ウエハの外径より大径で、ウエハの厚さと同程度の深さを有する浅溝が形成されていることを特徴とするウエハ端面保護装置。
6. 請求項１から５のいずれかに記載のウエハ端面保護装置が装着された複数枚のウエハを起立姿勢で収容する保持部材と、
   処理液を貯留し、前記保持部材を処理液内に浸漬させる処理槽と、
   を備えることを特徴とするウエハ処理装置。
   

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