JPS60200527A - 平板状物体の載置方法 - Google Patents
平板状物体の載置方法Info
- Publication number
- JPS60200527A JPS60200527A JP59057659A JP5765984A JPS60200527A JP S60200527 A JPS60200527 A JP S60200527A JP 59057659 A JP59057659 A JP 59057659A JP 5765984 A JP5765984 A JP 5765984A JP S60200527 A JPS60200527 A JP S60200527A
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- JP
- Japan
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- stage
- wafer
- rim
- middle portion
- valve
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は、平板状物体の載置方法、例えば半導体装置の
製造における露光装置の露光ステージにウェハを載置す
る方法に関す。
製造における露光装置の露光ステージにウェハを載置す
る方法に関す。
（ｂ） 技術の背景
半導体装置の製造においてウェハの微細加工のためホト
リソグラフィ技術が多用されている。ホトリソグラフィ
技術の中には、ウェハに塗布したレジスト膜のパターン
を形成するために露光する工程があるが、一つのウェハ
に対する露光が複数回におよぶので、露光するパターン
相互間において関係位置寸法が合致していることが重要
でである。
リソグラフィ技術が多用されている。ホトリソグラフィ
技術の中には、ウェハに塗布したレジスト膜のパターン
を形成するために露光する工程があるが、一つのウェハ
に対する露光が複数回におよぶので、露光するパターン
相互間において関係位置寸法が合致していることが重要
でである。
（Ｃ１従来技術と問題点
第１図は露光装置の一実施例の構成を示した図、第２図
はその露光用ステージの平面図（８１と側断面図（ｂ）
、第３図は従来の方法によるウェハ載置の作動を示した
図（ａ） （ｂｌで、１は光源、２はレンズ系、３はス
テージ、３１．３２は孔、３３は溝、３４はパルプ、４
は搬送アーム、Ａはレチクル、Ｂはウェハ、Ｃは光、ａ
、ｂは寸法、■は矢印をそれぞれ示す。
はその露光用ステージの平面図（８１と側断面図（ｂ）
、第３図は従来の方法によるウェハ載置の作動を示した
図（ａ） （ｂｌで、１は光源、２はレンズ系、３はス
テージ、３１．３２は孔、３３は溝、３４はパルプ、４
は搬送アーム、Ａはレチクル、Ｂはウェハ、Ｃは光、ａ
、ｂは寸法、■は矢印をそれぞれ示す。
第１図図示の露光装置は、レチクルＡにあるパターンを
ウェハＢに結像させ露光する装置であり、光源１からレ
チクルＡに照射された光Ｃは、レンズ系２を通り露光用
のステージ３上に載置されたウェハ８表面に当たり、レ
チクルＡにあるパターンをウェハ８表面に大きさ寸法ａ
の画像で結像させている。
ウェハＢに結像させ露光する装置であり、光源１からレ
チクルＡに照射された光Ｃは、レンズ系２を通り露光用
のステージ３上に載置されたウェハ８表面に当たり、レ
チクルＡにあるパターンをウェハ８表面に大きさ寸法ａ
の画像で結像させている。
ここで、若しウェハＢの前記結像位置がステージ３上か
ら浮上したならば、結像する画像の大きさはａより小さ
くなる。その小さくなる程度に関して、本願の発明者は
、前記浮上寸法ｂ （図示省略）を約５０μｍにすると
、ａから小さくなる寸法は約０．５μｍになり、半導体
装置の製造上からは、ｂを約１０μｍ以下に抑えるのが
望ましい旨の知見を経験から得ている。
ら浮上したならば、結像する画像の大きさはａより小さ
くなる。その小さくなる程度に関して、本願の発明者は
、前記浮上寸法ｂ （図示省略）を約５０μｍにすると
、ａから小さくなる寸法は約０．５μｍになり、半導体
装置の製造上からは、ｂを約１０μｍ以下に抑えるのが
望ましい旨の知見を経験から得ている。
ウェハＢを載置するステーピ３は第２図図示のように、
中央に一個の孔３１と３１の周囲に複数の孔３２とがス
テージ３の表面に開口して設けられ、複数の３２は溝３
３で繋げられている。そして、孔３１．３２は図（ｂ１
図示のように一つに纏められてバルブ３４に接続され、
バルブ３４を開くことによりステージ３表面の空気を孔
３１．３２から吸引するようになっている。
中央に一個の孔３１と３１の周囲に複数の孔３２とがス
テージ３の表面に開口して設けられ、複数の３２は溝３
３で繋げられている。そして、孔３１．３２は図（ｂ１
図示のように一つに纏められてバルブ３４に接続され、
バルブ３４を開くことによりステージ３表面の空気を孔
３１．３２から吸引するようになっている。
ウェハＢをステージ３に載置する従来の方法は第３図図
示の如くである。搬送アーム４がステージ３の外にある
ウェハＢを保持して矢印Ｉの方向に従って図（ａ）図示
のようにステージ３の直上に搬送したところで、バルブ
３４を開いて孔３１．３２の吸引を開始し、次いで搬送
アーム４の保持を解放し、図（ｂ）図示のようにウェハ
Ｂをステージ３に吸着させて載置を終了し、ウェハＢは
保持された状態になる。この際、ウェハＢの自由状態に
おける反りが殆どないかまたは下に凸の場合は、ウエノ
・、Ｂの全面がステージ３に略密着し、局部的に浮上が
あっても該浮上寸法すは略ｌＯｐｍ以内に収まるが、該
反りが上に凸の場合には孔３２の吸着が先行してウェハ
Ｂの周辺部がステージ３上で摺動し難くなり、孔３１の
吸引にもかかわらずウェハＢの中央部は浮上したままに
なってしまう。そして、この浮上寸法すは３０〜５０μ
ｍ程度に達する場合がある。
示の如くである。搬送アーム４がステージ３の外にある
ウェハＢを保持して矢印Ｉの方向に従って図（ａ）図示
のようにステージ３の直上に搬送したところで、バルブ
３４を開いて孔３１．３２の吸引を開始し、次いで搬送
アーム４の保持を解放し、図（ｂ）図示のようにウェハ
Ｂをステージ３に吸着させて載置を終了し、ウェハＢは
保持された状態になる。この際、ウェハＢの自由状態に
おける反りが殆どないかまたは下に凸の場合は、ウエノ
・、Ｂの全面がステージ３に略密着し、局部的に浮上が
あっても該浮上寸法すは略ｌＯｐｍ以内に収まるが、該
反りが上に凸の場合には孔３２の吸着が先行してウェハ
Ｂの周辺部がステージ３上で摺動し難くなり、孔３１の
吸引にもかかわらずウェハＢの中央部は浮上したままに
なってしまう。そして、この浮上寸法すは３０〜５０μ
ｍ程度に達する場合がある。
従って、この構成でなるウェハの載置方法においては、
ウェハの浮上寸法を半導体装置の製造において望まれて
いる約１０μｍ以下に確実に抑えることが困難で、該ウ
ニｔｚｌこ結像する画像の大きさが小さくなる露光不良
を発生させる欠点を有する。
ウェハの浮上寸法を半導体装置の製造において望まれて
いる約１０μｍ以下に確実に抑えることが困難で、該ウ
ニｔｚｌこ結像する画像の大きさが小さくなる露光不良
を発生させる欠点を有する。
この載置方法の問題は、単に露光装置の場合に限られる
ものではなく、台の表面に載置された平板状の物体が、
該表面に略密着していることを必要とする場合に共通す
る問題である。
ものではなく、台の表面に載置された平板状の物体が、
該表面に略密着していることを必要とする場合に共通す
る問題である。
（ｄｌ 発明の目的
本発明の目的は上記従来の欠点に鑑み、平板状の物体を
台の表面に略密着させて載置することを可能にしだ載置
方法を提供するにある。
台の表面に略密着させて載置することを可能にしだ載置
方法を提供するにある。
（ｅｌ 発明の構成
上記目的は、平板状物体の中央部を台の表面に吸着させ
ると共に該物体の外周部を該表面から浮上させ、次いで
、該中央部の吸着を継続しながら該外周部も吸着させる
ことを特徴とする平板状物体の載置方法によって達成さ
れる。
ると共に該物体の外周部を該表面から浮上させ、次いで
、該中央部の吸着を継続しながら該外周部も吸着させる
ことを特徴とする平板状物体の載置方法によって達成さ
れる。
本発明によれば、前記吸着または浮上は、前記表面に開
口している孔を通した空気の吸引または気体の吹き出し
によって行うことを特徴とする。
口している孔を通した空気の吸引または気体の吹き出し
によって行うことを特徴とする。
前記物体の自由状態における反りが上に凸であっても、
該物体を前記表面上で一旦下に凸の形にすることによっ
て、全面を該表面に略密着させて載置することが可能に
なる。
該物体を前記表面上で一旦下に凸の形にすることによっ
て、全面を該表面に略密着させて載置することが可能に
なる。
（ｆｌ 発明の実施例
以下本発明の実施例を図により説明する。企図を通じ同
一符号は同一対象物を示す。
一符号は同一対象物を示す。
第４図は第１図図示露光装置において本発明による載置
方法を実施可能にした露光用ステージの平面図ｔａｌと
側断面図（ｂｌ、第５図はその方法によるウェハ載置の
作動を示した図（ａ）〜ｔｅｌ、第６図はその作動にお
けるパルプ開閉のタイムチャートで、３５．３６はバル
ブをそれぞれ示す。
方法を実施可能にした露光用ステージの平面図ｔａｌと
側断面図（ｂｌ、第５図はその方法によるウェハ載置の
作動を示した図（ａ）〜ｔｅｌ、第６図はその作動にお
けるパルプ開閉のタイムチャートで、３５．３６はバル
ブをそれぞれ示す。
本発明の載置方法を実施可能にした露光用ステージを示
した第４図は第２図に対応している。従来の露光用ステ
ージにおいては第２図（ｂ）図示のように孔３１．３２
が並列に接続されて同一吸引作動をしたが、本露光用ス
テージにおいては、従来のステージ３の孔３１と３２と
を分離して、３２には吸引の他に気体例えば窒素ガスの
吹き出しをも行わせるようにしである。従って、第４図
１ｂ１図示のように孔３１は従来と同様にバルブ３４に
接続され、孔３２は二つに分岐されて一方は３４と同様
な吸引用のバルブ３５に他方は気体吹き出し用のバルブ
３６に接続されている。
した第４図は第２図に対応している。従来の露光用ステ
ージにおいては第２図（ｂ）図示のように孔３１．３２
が並列に接続されて同一吸引作動をしたが、本露光用ス
テージにおいては、従来のステージ３の孔３１と３２と
を分離して、３２には吸引の他に気体例えば窒素ガスの
吹き出しをも行わせるようにしである。従って、第４図
１ｂ１図示のように孔３１は従来と同様にバルブ３４に
接続され、孔３２は二つに分岐されて一方は３４と同様
な吸引用のバルブ３５に他方は気体吹き出し用のバルブ
３６に接続されている。
ウェハＢをステージ３に載置する本発明による方法は第
５図ｆａｌ〜（Ｑ１図示の如くで、その際のバルブ３４
．３５．３６開閉のタイムチャートが第６図である。
５図ｆａｌ〜（Ｑ１図示の如くで、その際のバルブ３４
．３５．３６開閉のタイムチャートが第６図である。
搬送アーム４がステージ３の外にあるウェハＢを保持し
て矢印■の方向に従って図（ａ１図示のようにステージ
３の直上に搬送したところで、バルブ３４を開いて孔３
１の吸引を開始し、次いで搬送アーム４の保持を解放し
、図（ｂ）図示のようにウェハＢをステージ３に吸着さ
せる。
て矢印■の方向に従って図（ａ１図示のようにステージ
３の直上に搬送したところで、バルブ３４を開いて孔３
１の吸引を開始し、次いで搬送アーム４の保持を解放し
、図（ｂ）図示のようにウェハＢをステージ３に吸着さ
せる。
この際、ウェハＢの自由状態における反りが上に凸の場
合には、前記解放直後は図（ｂ）図示のようにウェハＢ
の周辺部がステージ３に触れ中央部が浮上しているが、
孔３２の吸引がないため該周辺部はステージ３と摺動可
能で、孔３１の吸引により図（Ｃ１図示のように該中央
部が吸着される。続いてバルブ３６を短時間開き、孔３
２から気体を吹き出させて図（ｄ１図示のようにウェハ
Ｂの周辺部を浮上させ反りを下に凸の形にして中央部の
吸着を確実にする。バルブ３６を閉じた後バルブ３５を
開き孔３２の吸引が行われると、図（ＰＩ）図示のよう
に前記周辺部も吸着させて載置を終了し、ウェハＢは保
持された状態になる。こうすることにより、ウェハＢの
全面がステージ３に略密着し、局部的な浮上が残っても
該浮上の寸法は１０μｍ以内に収まるようになる。
合には、前記解放直後は図（ｂ）図示のようにウェハＢ
の周辺部がステージ３に触れ中央部が浮上しているが、
孔３２の吸引がないため該周辺部はステージ３と摺動可
能で、孔３１の吸引により図（Ｃ１図示のように該中央
部が吸着される。続いてバルブ３６を短時間開き、孔３
２から気体を吹き出させて図（ｄ１図示のようにウェハ
Ｂの周辺部を浮上させ反りを下に凸の形にして中央部の
吸着を確実にする。バルブ３６を閉じた後バルブ３５を
開き孔３２の吸引が行われると、図（ＰＩ）図示のよう
に前記周辺部も吸着させて載置を終了し、ウェハＢは保
持された状態になる。こうすることにより、ウェハＢの
全面がステージ３に略密着し、局部的な浮上が残っても
該浮上の寸法は１０μｍ以内に収まるようになる。
一方、ウェハＢの自由状態における反りが殆どないかま
たは下に凸の場合は、最初からウェハＢの中央部を確実
に吸着するので、ウェハＢが保持される状態は上記と同
様になる。
たは下に凸の場合は、最初からウェハＢの中央部を確実
に吸着するので、ウェハＢが保持される状態は上記と同
様になる。
従って、露光用ステージにウェハを載置する際に本発明
による方法で行うことにより、ウェハの自由状態におけ
る反りの方向如何にかかわりなく、該ウェハの全面を該
ステージに略密着させて載置することが可能になる。
による方法で行うことにより、ウェハの自由状態におけ
る反りの方向如何にかかわりなく、該ウェハの全面を該
ステージに略密着させて載置することが可能になる。
この載置方法は、単に露光装置の場合に限られるもので
はなく、台の表面に載置された平板状の物体が、該表面
に略密着していることを必要とする場合に共通して適用
可能であることは、上記説明から容易に類推可能である
。
はなく、台の表面に載置された平板状の物体が、該表面
に略密着していることを必要とする場合に共通して適用
可能であることは、上記説明から容易に類推可能である
。
（ｇ） 発明の効果
以上に説明したように、本発明による構成によれば、平
板状の物体を台の表面に略密着させて載置することを可
能にした載置方法を提供することが出来て、例えば半導
体装置の製造における露光工程において、ウェハに結像
する画像の大きさが小さくなる露光不良の発生低減を可
能にさせる効果がある。
板状の物体を台の表面に略密着させて載置することを可
能にした載置方法を提供することが出来て、例えば半導
体装置の製造における露光工程において、ウェハに結像
する画像の大きさが小さくなる露光不良の発生低減を可
能にさせる効果がある。
第１図は露光装置の一実施例の構成を示した図、第２図
はその露光用ステージの平面図（ａｌと側断面図（ｂｌ
、第３図は従来の方法によるウェハ載置の作動を示した
図（ａ） ｆｂｌ、第４図は第１図図示露光装置におい
て本発明による載置方法を実施可能にした露光用ステー
ジの平面図（ａ）と側断面図（ｂｌ、第５図はその方法
によるウェハ載置の作動を示した図（ａｌ〜ｔｅ＋、第
６図はその作動におけるバルブ開閉のタイムチャートで
ある。 図面において、１は光源、２はレンズ系、３はステージ
、３１．３２は孔、３３は溝、３４．３５．３６は〕＼
ルブ、４は搬送アーム、Ａはレチクル、Ｂはウェハ、Ｃ
は光、ａ−、ｂは寸法、■は矢印をそれぞれ示す。 ３４− 革３図（ａ） ｒｂ）
はその露光用ステージの平面図（ａｌと側断面図（ｂｌ
、第３図は従来の方法によるウェハ載置の作動を示した
図（ａ） ｆｂｌ、第４図は第１図図示露光装置におい
て本発明による載置方法を実施可能にした露光用ステー
ジの平面図（ａ）と側断面図（ｂｌ、第５図はその方法
によるウェハ載置の作動を示した図（ａｌ〜ｔｅ＋、第
６図はその作動におけるバルブ開閉のタイムチャートで
ある。 図面において、１は光源、２はレンズ系、３はステージ
、３１．３２は孔、３３は溝、３４．３５．３６は〕＼
ルブ、４は搬送アーム、Ａはレチクル、Ｂはウェハ、Ｃ
は光、ａ−、ｂは寸法、■は矢印をそれぞれ示す。 ３４− 革３図（ａ） ｒｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１平板状物体の中央部を台の表面に吸着させると共
に該物体の外周部を該表面から浮上させ、次いで、該中
央部の吸着を継続しながら該外周部も吸着させることを
特徴とする平板状物体の載置方法。 （２）前記吸着または浮上は、前記表面に開口している
孔を通した空気の吸引または気体の吹き出しによって行
うことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の平
板状物体の載置方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59057659A JPS60200527A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 平板状物体の載置方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59057659A JPS60200527A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 平板状物体の載置方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60200527A true JPS60200527A (ja) | 1985-10-11 |
Family
ID=13062022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59057659A Pending JPS60200527A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 平板状物体の載置方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60200527A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6342220A (ja) * | 1986-08-04 | 1988-02-23 | クセルト セントロ・ステユデイ・エ・ラボラトリ・テレコミニカチオ−ニ・エツセ・ピ−・ア− | プログラマブル論理アレイ |
| JP2008103481A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Hoya Corp | 露光用反射型マスクブランク及び露光用反射型マスク、多層反射膜付き基板、並びに半導体装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5680141A (en) * | 1979-12-04 | 1981-07-01 | Seiko Epson Corp | Manufacture device of semiconductor |
-
1984
- 1984-03-26 JP JP59057659A patent/JPS60200527A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5680141A (en) * | 1979-12-04 | 1981-07-01 | Seiko Epson Corp | Manufacture device of semiconductor |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6342220A (ja) * | 1986-08-04 | 1988-02-23 | クセルト セントロ・ステユデイ・エ・ラボラトリ・テレコミニカチオ−ニ・エツセ・ピ−・ア− | プログラマブル論理アレイ |
| JP2008103481A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Hoya Corp | 露光用反射型マスクブランク及び露光用反射型マスク、多層反射膜付き基板、並びに半導体装置の製造方法 |
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