JPH0883757A - パターン露光装置 - Google Patents
パターン露光装置Info
- Publication number
- JPH0883757A JPH0883757A JP21974794A JP21974794A JPH0883757A JP H0883757 A JPH0883757 A JP H0883757A JP 21974794 A JP21974794 A JP 21974794A JP 21974794 A JP21974794 A JP 21974794A JP H0883757 A JPH0883757 A JP H0883757A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- exposed
- section
- chuck
- exposure apparatus
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体集積回路装置等の製造工程で用いるパ
ターン露光装置に関し、被露光ウェーハにパターンを露
光する場合、被露光ウェーハとその支持台の間に存在す
るゴミ等のパーティクルによって被露光ウェーハが湾曲
することに起因する局所フォーカスずれを低減する手段
を提供する。 【構成】 被露光ウェーハ１３の周辺部を支持する凸部
（ウェーハ吸着部１２）と、この被露光ウェーハの周辺
部を支持する凸部より内側に、被露光ウェーハの背面が
接触しない凹部を有する被露光ウェーハ支持台（チャッ
ク１１）を用いる。この場合、被露光ウェーハの周辺部
を支持する凸部に真空チャック、静電チャック、クラン
プ機構を設けることができる。また、被露光ウェーハの
周辺部を支持する凸部を不連続な凸部にすることによっ
て、被露光ウェーハと、この被露光ウェーハの周辺部を
支持する凸部の間にゴミ等のパーティクルを挟み込む確
率を低減することができる。
ターン露光装置に関し、被露光ウェーハにパターンを露
光する場合、被露光ウェーハとその支持台の間に存在す
るゴミ等のパーティクルによって被露光ウェーハが湾曲
することに起因する局所フォーカスずれを低減する手段
を提供する。 【構成】 被露光ウェーハ１３の周辺部を支持する凸部
（ウェーハ吸着部１２）と、この被露光ウェーハの周辺
部を支持する凸部より内側に、被露光ウェーハの背面が
接触しない凹部を有する被露光ウェーハ支持台（チャッ
ク１１）を用いる。この場合、被露光ウェーハの周辺部
を支持する凸部に真空チャック、静電チャック、クラン
プ機構を設けることができる。また、被露光ウェーハの
周辺部を支持する凸部を不連続な凸部にすることによっ
て、被露光ウェーハと、この被露光ウェーハの周辺部を
支持する凸部の間にゴミ等のパーティクルを挟み込む確
率を低減することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトリソグラフィー
工程における露光に用いるパターン露光装置に関する。
工程における露光に用いるパターン露光装置に関する。
【０００２】半導体装置、特に半導体集積回路装置の製
造工程において、受注から納期までの期間を短縮するこ
と、スループットを向上すること、特性のばらつきを低
減すること、および歩留りを改善することが要求されて
いる。これらの要求に応えるために、パターン露光工程
において、精細なパターンの露光を実現することが求め
られている。
造工程において、受注から納期までの期間を短縮するこ
と、スループットを向上すること、特性のばらつきを低
減すること、および歩留りを改善することが要求されて
いる。これらの要求に応えるために、パターン露光工程
において、精細なパターンの露光を実現することが求め
られている。
【０００３】
【従来の技術】図５は、従来のパターン露光装置のウェ
ーハステージの説明図である。この図において、５１は
真空チャック、５２は排気管、５３は吸引孔、５４は被
露光ウェーハ、５５はパーティクルである。
ーハステージの説明図である。この図において、５１は
真空チャック、５２は排気管、５３は吸引孔、５４は被
露光ウェーハ、５５はパーティクルである。
【０００４】従来のパターン露光装置のウェーハステー
ジにおいては、真空チャック５１の空洞を排気管５２か
ら排気し、その上の全面に形成された多数の吸引孔５３
によって被露光ウェーハ５４を吸着して支持した状態で
パターン露光していた。
ジにおいては、真空チャック５１の空洞を排気管５２か
ら排気し、その上の全面に形成された多数の吸引孔５３
によって被露光ウェーハ５４を吸着して支持した状態で
パターン露光していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、被露光ウェ
ーハ５４を真空チャック５１の上の全面で接触するよう
に吸着して支持していたため、被露光ウェーハ５４の裏
面にゴミ等のパーティクル５５が付着していたり、真空
チャック５１の上にパーティクル５５が存在する場合、
被露光ウェーハ５４がパーティクル５５がある部分で高
くなって平坦性を失うことがあり、この被露光ウェーハ
５４にパターンを露光した場合、フォーカスずれを生
じ、パターン形状に歪み（局部フォーカスずれ）を生じ
ていた。本発明は、被露光ウェーハにパターンを露光す
る場合、局部フォーカスずれを低減する手段を提供する
ことを目的とする。
ーハ５４を真空チャック５１の上の全面で接触するよう
に吸着して支持していたため、被露光ウェーハ５４の裏
面にゴミ等のパーティクル５５が付着していたり、真空
チャック５１の上にパーティクル５５が存在する場合、
被露光ウェーハ５４がパーティクル５５がある部分で高
くなって平坦性を失うことがあり、この被露光ウェーハ
５４にパターンを露光した場合、フォーカスずれを生
じ、パターン形状に歪み（局部フォーカスずれ）を生じ
ていた。本発明は、被露光ウェーハにパターンを露光す
る場合、局部フォーカスずれを低減する手段を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明にかかるパターン
露光装置においては、被露光ウェーハの周辺部を支持す
る凸部と、該被露光ウェーハの周辺部を支持する凸部よ
り内側に凹部を有する被露光ウェーハ支持台を具備した
構成を採用した。
露光装置においては、被露光ウェーハの周辺部を支持す
る凸部と、該被露光ウェーハの周辺部を支持する凸部よ
り内側に凹部を有する被露光ウェーハ支持台を具備した
構成を採用した。
【０００７】この場合、被露光ウェーハの周辺部を支持
する凸部に真空チャック、静電チャック、クランプ機構
が設けられている構成とすることができる。
する凸部に真空チャック、静電チャック、クランプ機構
が設けられている構成とすることができる。
【０００８】また、これらの場合、被露光ウェーハの周
辺部を支持する凸部が不連続な凸部である構成とするこ
とができる。
辺部を支持する凸部が不連続な凸部である構成とするこ
とができる。
【０００９】
【作用】図１は、本発明のパターン露光装置の原理説明
図であり、（Ａ）は断面を示し、（Ｂ）は平面を示して
いる。この図において、１１はチャック、１２はウェー
ハ吸着部、１３は被露光ウェーハ、１４はパーティクル
である。
図であり、（Ａ）は断面を示し、（Ｂ）は平面を示して
いる。この図において、１１はチャック、１２はウェー
ハ吸着部、１３は被露光ウェーハ、１４はパーティクル
である。
【００１０】本発明のパターン露光装置のチャック（被
露光ウェーハ支持台）１１においては、被露光ウェーハ
１３の周辺部を支持するウェーハ吸着部１２が凸部とし
て形成され、このウェーハ吸着部１２より内側に、被露
光ウェーハ１３の裏面の中央部が接触しないように凹部
が形成されている。
露光ウェーハ支持台）１１においては、被露光ウェーハ
１３の周辺部を支持するウェーハ吸着部１２が凸部とし
て形成され、このウェーハ吸着部１２より内側に、被露
光ウェーハ１３の裏面の中央部が接触しないように凹部
が形成されている。
【００１１】このように、被露光ウェーハ１３を、その
周辺でウェーハ吸着部１２によって支持し、被露光ウェ
ーハ１３の裏面がチャック１１に接触しないため、被露
光ウェーハ１３の裏面にゴミ等のパーティクル１４が付
着していても、被露光ウェーハ１３を平坦に保つことが
でき、フォーカスずれを生じる可能性を低減することが
できる。
周辺でウェーハ吸着部１２によって支持し、被露光ウェ
ーハ１３の裏面がチャック１１に接触しないため、被露
光ウェーハ１３の裏面にゴミ等のパーティクル１４が付
着していても、被露光ウェーハ１３を平坦に保つことが
でき、フォーカスずれを生じる可能性を低減することが
できる。
【００１２】また、この場合に、ウェーハ吸着部１２を
連続した枠状にするのではなく、不連続にすることによ
って、被露光ウェーハ１３の周辺部の裏面にゴミ等のパ
ーティクル１４が付着している場合でも、被露光ウェー
ハ１３を平坦に保ち、フォーカスずれを低減する可能性
を高くすることができる。
連続した枠状にするのではなく、不連続にすることによ
って、被露光ウェーハ１３の周辺部の裏面にゴミ等のパ
ーティクル１４が付着している場合でも、被露光ウェー
ハ１３を平坦に保ち、フォーカスずれを低減する可能性
を高くすることができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００１４】（第１実施例）図２は、第１実施例のパタ
ーン露光装置の原理説明図であり、（Ａ）は断面を示
し、（Ｂ）は平面を示している。この図において、２１
はチャック、２２は排気管、２３は吸引孔、２４は被露
光ウェーハ、２５はパーティクルである。
ーン露光装置の原理説明図であり、（Ａ）は断面を示
し、（Ｂ）は平面を示している。この図において、２１
はチャック、２２は排気管、２３は吸引孔、２４は被露
光ウェーハ、２５はパーティクルである。
【００１５】この実施例のパターン露光装置のチャック
（被露光ウェーハ支持台）２１においては、被露光ウェ
ーハ２４の周辺部を減圧して支持する複数の吸引孔２３
が形成され、この吸引孔２３より内側に、被露光ウェー
ハ２４の裏面の中央部が接触しないように凹部が形成さ
れている。
（被露光ウェーハ支持台）２１においては、被露光ウェ
ーハ２４の周辺部を減圧して支持する複数の吸引孔２３
が形成され、この吸引孔２３より内側に、被露光ウェー
ハ２４の裏面の中央部が接触しないように凹部が形成さ
れている。
【００１６】このように、被露光ウェーハ２４を、その
周辺で複数の吸引孔２３によって支持し、被露光ウェー
ハ２４の裏面がチャック２１に接触しないため、被露光
ウェーハ２４の裏面にゴミ等のパーティクル２５が付着
していても、被露光ウェーハ２４を平坦に保つことがで
き、フォーカスずれを生じる可能性を低減することがで
きる。
周辺で複数の吸引孔２３によって支持し、被露光ウェー
ハ２４の裏面がチャック２１に接触しないため、被露光
ウェーハ２４の裏面にゴミ等のパーティクル２５が付着
していても、被露光ウェーハ２４を平坦に保つことがで
き、フォーカスずれを生じる可能性を低減することがで
きる。
【００１７】（第２実施例）図３は、第２実施例のパタ
ーン露光装置の原理説明図であり、（Ａ）は断面を示
し、（Ｂ）は平面を示している。この図において、３１
はチャック、３２は排気管、３３は吸引溝、３４は被露
光ウェーハ、３５はパーティクルである。
ーン露光装置の原理説明図であり、（Ａ）は断面を示
し、（Ｂ）は平面を示している。この図において、３１
はチャック、３２は排気管、３３は吸引溝、３４は被露
光ウェーハ、３５はパーティクルである。
【００１８】この実施例のパターン露光装置のチャック
（被露光ウェーハ支持台）３１においては、被露光ウェ
ーハ３４の周辺部を減圧して支持する吸引溝３３が形成
され、この吸引溝３３より内側に、被露光ウェーハ３４
の裏面の中央部が接触しないように凹部が形成されてい
る。
（被露光ウェーハ支持台）３１においては、被露光ウェ
ーハ３４の周辺部を減圧して支持する吸引溝３３が形成
され、この吸引溝３３より内側に、被露光ウェーハ３４
の裏面の中央部が接触しないように凹部が形成されてい
る。
【００１９】このように、被露光ウェーハ３４を、その
周辺で環状の吸引溝３３によって支持し、被露光ウェー
ハ３４の中央部の裏面がチャック３１に接触せず、周辺
部においても、被露光ウェーハ３４の裏面が小さい面積
の吸引溝３３の堤防部によって支持するため、被露光ウ
ェーハ３４の裏面にゴミ等のパーティクル３５が付着し
ていても、被露光ウェーハ３４を平坦に保つことがで
き、フォーカスずれを生じる可能性をより低減すること
ができる。
周辺で環状の吸引溝３３によって支持し、被露光ウェー
ハ３４の中央部の裏面がチャック３１に接触せず、周辺
部においても、被露光ウェーハ３４の裏面が小さい面積
の吸引溝３３の堤防部によって支持するため、被露光ウ
ェーハ３４の裏面にゴミ等のパーティクル３５が付着し
ていても、被露光ウェーハ３４を平坦に保つことがで
き、フォーカスずれを生じる可能性をより低減すること
ができる。
【００２０】（第３実施例）図４は、第３実施例のパタ
ーン露光装置の原理説明図であり、（Ａ）は断面を示
し、（Ｂ）は平面を示している。この図において、４１
はチャック、４２は排気管、４３はウェーハ支持部、４
４は吸引孔、４５は被露光ウェーハ、４６はパーティク
ルである。
ーン露光装置の原理説明図であり、（Ａ）は断面を示
し、（Ｂ）は平面を示している。この図において、４１
はチャック、４２は排気管、４３はウェーハ支持部、４
４は吸引孔、４５は被露光ウェーハ、４６はパーティク
ルである。
【００２１】この実施例のパターン露光装置のチャック
（被露光ウェーハ支持台）４１においては、被露光ウェ
ーハ４５の周辺部を支持する不連続な凸部であるウェー
ハ支持部４３が形成され、このウェーハ支持部４３に吸
引孔４４が形成され、この吸引孔４４より内側に、被露
光ウェーハ４５の裏面の中央部が接触しないように凹部
が形成されている。
（被露光ウェーハ支持台）４１においては、被露光ウェ
ーハ４５の周辺部を支持する不連続な凸部であるウェー
ハ支持部４３が形成され、このウェーハ支持部４３に吸
引孔４４が形成され、この吸引孔４４より内側に、被露
光ウェーハ４５の裏面の中央部が接触しないように凹部
が形成されている。
【００２２】このように、被露光ウェーハ４５を、その
周辺で不連続な凸部であるウェーハ支持部４３の吸引孔
４４によって支持し、被露光ウェーハ４５の中央部の裏
面がチャック４１に接触せず、周辺部においても、被露
光ウェーハ４５の裏面が小さい面積のウェーハ支持部４
３によって支持するため、被露光ウェーハ４５の裏面に
ゴミ等のパーティクル４６が付着していても、被露光ウ
ェーハ４５を平坦に保つことができ、フォーカスずれを
生じる可能性をより低減することができる。
周辺で不連続な凸部であるウェーハ支持部４３の吸引孔
４４によって支持し、被露光ウェーハ４５の中央部の裏
面がチャック４１に接触せず、周辺部においても、被露
光ウェーハ４５の裏面が小さい面積のウェーハ支持部４
３によって支持するため、被露光ウェーハ４５の裏面に
ゴミ等のパーティクル４６が付着していても、被露光ウ
ェーハ４５を平坦に保つことができ、フォーカスずれを
生じる可能性をより低減することができる。
【００２３】前記の各実施例においては、被露光ウェー
ハを支持する手段として真空吸引を用いたが、これに代
えて、静電吸引を用いることもでき、さらに機械的なク
ランプ機構を用いることもできる。
ハを支持する手段として真空吸引を用いたが、これに代
えて、静電吸引を用いることもでき、さらに機械的なク
ランプ機構を用いることもできる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のパターン
露光装置によると、被露光ウェーハの裏面に付着し、あ
るいは被露光ウェーハ支持台の上面に存在しているパー
ティクルによって生じる被露光ウェーハの湾曲に起因す
る局部フォーカスずれを低減することができ、スループ
ットを向上することができ、製造歩留りを改善すること
ができ、半導体装置の製造技術分野において寄与すると
ころが大きい。
露光装置によると、被露光ウェーハの裏面に付着し、あ
るいは被露光ウェーハ支持台の上面に存在しているパー
ティクルによって生じる被露光ウェーハの湾曲に起因す
る局部フォーカスずれを低減することができ、スループ
ットを向上することができ、製造歩留りを改善すること
ができ、半導体装置の製造技術分野において寄与すると
ころが大きい。
【図１】本発明のパターン露光装置の原理説明図であ
り、（Ａ）は断面を示し、（Ｂ）は平面を示している。
り、（Ａ）は断面を示し、（Ｂ）は平面を示している。
【図２】第１実施例のパターン露光装置の原理説明図で
あり、（Ａ）は断面を示し、（Ｂ）は平面を示してい
る。
あり、（Ａ）は断面を示し、（Ｂ）は平面を示してい
る。
【図３】第２実施例のパターン露光装置の原理説明図で
あり、（Ａ）は断面を示し、（Ｂ）は平面を示してい
る。
あり、（Ａ）は断面を示し、（Ｂ）は平面を示してい
る。
【図４】第３実施例のパターン露光装置の原理説明図で
あり、（Ａ）は断面を示し、（Ｂ）は平面を示してい
る。
あり、（Ａ）は断面を示し、（Ｂ）は平面を示してい
る。
【図５】従来のパターン露光装置のウェーハステージの
説明図である。
説明図である。
１１ チャック １２ ウェーハ吸着部 １３ 被露光ウェーハ １４ パーティクル ２１ チャック ２２ 排気管 ２３ 吸引孔 ２４ 被露光ウェーハ ２５ パーティクル ３１ チャック ３２ 排気管 ３３ 吸引溝 ３４ 被露光ウェーハ ３５ パーティクル ４１ チャック ４２ 排気管 ４３ ウェーハ支持部 ４４ 吸引孔 ４５ 被露光ウェーハ ４６ パーティクル
Claims (5)
- 【請求項１】 被露光ウェーハの周辺部を支持する凸部
と、該被露光ウェーハの周辺部を支持する凸部より内側
に凹部を有する被露光ウェーハ支持台を具備したことを
特徴とするパターン露光装置。 - 【請求項２】 被露光ウェーハの周辺部を支持する凸部
に真空チャックが設けられていることを特徴とする請求
項１に記載されたパターン露光装置。 - 【請求項３】 被露光ウェーハの周辺部を支持する凸部
に静電チャックが設けられていることを特徴とする請求
項１に記載されたパターン露光装置。 - 【請求項４】 被露光ウェーハの周辺部を支持する凸部
にクランプ機構が設けられていることを特徴とする請求
項１に記載されたパターン露光装置。 - 【請求項５】 被露光ウェーハの周辺部を支持する凸部
が不連続な凸部であることを特徴とする請求項１から請
求項４までのいずれか１項に記載されたパターン露光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21974794A JPH0883757A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | パターン露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21974794A JPH0883757A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | パターン露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0883757A true JPH0883757A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=16740365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21974794A Withdrawn JPH0883757A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | パターン露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0883757A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2008053929A1 (ja) * | 2006-11-02 | 2010-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 微小構造体の検査装置、微小構造体の検査方法及び基板保持装置 |
-
1994
- 1994-09-14 JP JP21974794A patent/JPH0883757A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2008053929A1 (ja) * | 2006-11-02 | 2010-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 微小構造体の検査装置、微小構造体の検査方法及び基板保持装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011120 |