JPS61188934A - レジスト除去装置 - Google Patents
レジスト除去装置Info
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- JPS61188934A JPS61188934A JP60029136A JP2913685A JPS61188934A JP S61188934 A JPS61188934 A JP S61188934A JP 60029136 A JP60029136 A JP 60029136A JP 2913685 A JP2913685 A JP 2913685A JP S61188934 A JPS61188934 A JP S61188934A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置の回路パターン形成等微細加工を
要する際に行われるホトエツチング、特にパターンの投
影露光をプロジェクションアライナにより行うホトエツ
チングにおけるプロジェクションアライナの焦点変動防
止方法に関する。
要する際に行われるホトエツチング、特にパターンの投
影露光をプロジェクションアライナにより行うホトエツ
チングにおけるプロジェクションアライナの焦点変動防
止方法に関する。
（従来の技術およびその問題点）
従来より半導体装置の回路パターン形成等微細加工には
、基板上にレジストを塗布し、このレジストに紫外線を
用いてパターンを投影露光した後現像処理を行い９次い
でエツチング等により所望のパターンを形成するいわゆ
るホトエツチングが一般的に行われている。
、基板上にレジストを塗布し、このレジストに紫外線を
用いてパターンを投影露光した後現像処理を行い９次い
でエツチング等により所望のパターンを形成するいわゆ
るホトエツチングが一般的に行われている。
ところで、上記ホトエツチングにおいて基板上のレジス
トにパターンを投影露光する際、一般的に用いられてい
る光学装置としては１例えば、レンズを使用したもの、
プロジェクションアライナ等反射鏡を使用したもの、お
よびレンズと反射鏡とを組み合わせたものがある。
トにパターンを投影露光する際、一般的に用いられてい
る光学装置としては１例えば、レンズを使用したもの、
プロジェクションアライナ等反射鏡を使用したもの、お
よびレンズと反射鏡とを組み合わせたものがある。
これらの光学装置のうち反射鏡を使用したプロジェクシ
ョンアライナにおいては従来から次のような問題があっ
た。
ョンアライナにおいては従来から次のような問題があっ
た。
すなわち、プロジェクションアライナでは、基板上のレ
ジストにパターンを正確に結像させるため、第４図（ａ
）および（ｂ）に示すように、基板ａを。
ジストにパターンを正確に結像させるため、第４図（ａ
）および（ｂ）に示すように、基板ａを。
レジストが塗布された面すを下側にして３乃至４つの焦
点位置決めパッド（以下パッドという）Ｃ・・・上に載
置し、露光を行っており、パッドＣ・・・と基板ａのレ
ジストとが直接接触している。このため、基板ａの表面
の性質によっては、パッドＣ・・・に接触する部分のレ
ジストがパッドい・・に付着し。
点位置決めパッド（以下パッドという）Ｃ・・・上に載
置し、露光を行っており、パッドＣ・・・と基板ａのレ
ジストとが直接接触している。このため、基板ａの表面
の性質によっては、パッドＣ・・・に接触する部分のレ
ジストがパッドい・・に付着し。
多数枚の基板に繰り返し投影露光を行うにつれてパッド
Ｃ・・・上にレジストが堆積していく。そして。
Ｃ・・・上にレジストが堆積していく。そして。
パッドＣ・・・上に堆積したレジストのため、基板３表
面が焦点位置からずれ、像のボケが生じ、解像性が損な
われてしまう。その結果、パターンの寸法変動やパター
ンの変形が発生し、半導体装置にあっては、著しい場合
９回路の短絡や断線を生じるといった問題があった。
面が焦点位置からずれ、像のボケが生じ、解像性が損な
われてしまう。その結果、パターンの寸法変動やパター
ンの変形が発生し、半導体装置にあっては、著しい場合
９回路の短絡や断線を生じるといった問題があった。
（発明の目的）
本発明は上記の問題点に鑑み、基板上のレジストがパッ
ド上に付着するのを防止することによりパッド上のレジ
ストの堆積に起因するプロジェクションアライナの焦点
変動を防止することを目的とするものである。
ド上に付着するのを防止することによりパッド上のレジ
ストの堆積に起因するプロジェクションアライナの焦点
変動を防止することを目的とするものである。
（発明の構成）
本発明のホトエツチングにおけるプロジェクションアラ
イナの焦点変動防止方法は、投影露光前に予め基板上か
らプロジェクションアライナのパッドに対応する部分の
レジストを除去し、プロジェクションアライナに基板を
装填した際、前記パッドにレジストが付着するのを防い
で投影露光時における焦点変動を防止するものである。
イナの焦点変動防止方法は、投影露光前に予め基板上か
らプロジェクションアライナのパッドに対応する部分の
レジストを除去し、プロジェクションアライナに基板を
装填した際、前記パッドにレジストが付着するのを防い
で投影露光時における焦点変動を防止するものである。
（実施例）
以下１本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
まず、基板ｌ上にレジスト２を９例えば回転塗布法等に
より塗布した後、レジスト２を基板１に固定すべく所定
の温度で焼成および乾燥を行う。
より塗布した後、レジスト２を基板１に固定すべく所定
の温度で焼成および乾燥を行う。
次に、このようになされた基板１をプロジェクションア
ライナの基板装填部３に装填する前に。
ライナの基板装填部３に装填する前に。
基板１上からプロジェクションアライナのパッド４・・
・に対応する部分２ａのレジストを除去する（第１図お
よび第２図参照）。この除去には１例えば第３図（ａ）
および中）に示すような装置を用いる。
・に対応する部分２ａのレジストを除去する（第１図お
よび第２図参照）。この除去には１例えば第３図（ａ）
および中）に示すような装置を用いる。
第３図（ａ）および山）において、５は上端が開口され
た有底の洗浄チャックで、その断面はレジスト２の除去
部分の形状と略同形状になされており。
た有底の洗浄チャックで、その断面はレジスト２の除去
部分の形状と略同形状になされており。
この洗浄チャック５の上端開口部に基板１の周縁部が載
置される。図中、５ａは上端開口部の周縁の一部に設け
られた当接部で、この当接部５ａの内側に基板ｌの周縁
を当接させることにより基板１のレジスト除去部分と洗
浄チャック５の上端開口部との位置合わせがなされる。
置される。図中、５ａは上端開口部の周縁の一部に設け
られた当接部で、この当接部５ａの内側に基板ｌの周縁
を当接させることにより基板１のレジスト除去部分と洗
浄チャック５の上端開口部との位置合わせがなされる。
また、この洗浄チャック５内には、洗浄チャック５より
も細い洗浄液噴射ノズル６が下方から嵌挿されており、
その先端は洗浄チャック５の上端開口部の中心に臨まさ
れ、基端は洗浄液タンク７内に入れられている。洗浄液
８としてはレジストの種類に応じた溶剤が用いられる。
も細い洗浄液噴射ノズル６が下方から嵌挿されており、
その先端は洗浄チャック５の上端開口部の中心に臨まさ
れ、基端は洗浄液タンク７内に入れられている。洗浄液
８としてはレジストの種類に応じた溶剤が用いられる。
図中、５ｂは、洗浄チャック５の下部の周壁に設けられ
た真空吸引口で、この真空吸引口５ｂから洗浄チャック
５内を真空に引くことにより洗浄液タンク７内の洗浄液
８が洗浄ノズル６より基板１に向かって噴射され、基板
１上（図では下面）の、洗浄チャック５の上端開口部に
相当する領域のレジストが洗浄、除去される。
た真空吸引口で、この真空吸引口５ｂから洗浄チャック
５内を真空に引くことにより洗浄液タンク７内の洗浄液
８が洗浄ノズル６より基板１に向かって噴射され、基板
１上（図では下面）の、洗浄チャック５の上端開口部に
相当する領域のレジストが洗浄、除去される。
洗浄後の廃液は真空吸引口５ｂから排出される。
このような装置をレジスト除去を要する数だけ用意し、
それぞれレジスト除去部分に対応するよう配してレジス
ト除去を行う。
それぞれレジスト除去部分に対応するよう配してレジス
ト除去を行う。
なお、レジスト除去は、上記のような装置によるものだ
けに限らず１例えば、洗浄液を含浸させたスポンジ状の
ものや保水性を有する繊維状の集合体を基板の所定部分
に接触させてレジストを払拭することにより行ってもよ
い。
けに限らず１例えば、洗浄液を含浸させたスポンジ状の
ものや保水性を有する繊維状の集合体を基板の所定部分
に接触させてレジストを払拭することにより行ってもよ
い。
（発明の効果）
本発明によれば、パッドに基板上のレジストが付着し、
堆積することを防ぐことができるため。
堆積することを防ぐことができるため。
基板表面を常に正しく焦点位置に配することができる。
従って、パターンの寸法変動やパターンの変形を防止す
ることができ、延いては製品の性能劣化や歩留り低下を
防止することができる。
ることができ、延いては製品の性能劣化や歩留り低下を
防止することができる。
第１図乃至第３図は本発明の詳細な説明する図で、第１
図は基板の平面図、第２図はプロジェクションアライナ
の基板装填部を示す底面図、第３図（ａ）および（ｂ）
はレジスト除去に用いる装置の一例を示す部分平面図お
よび側面図、第４図（ａ）および（ｂ）は従来例を示し
、第４図（ａ）はプロジェクションアライナの基板装填
部を示す断面図、第４図山）はプロジェクションアライ
ナの基板装填部を示す平面図である。 １・・・基板 ２・・・レジスト ２ａ・・・焦点位置決めパッドに対応する部分４・・・
焦点位置決めパッド 第４図（ａ）
図は基板の平面図、第２図はプロジェクションアライナ
の基板装填部を示す底面図、第３図（ａ）および（ｂ）
はレジスト除去に用いる装置の一例を示す部分平面図お
よび側面図、第４図（ａ）および（ｂ）は従来例を示し
、第４図（ａ）はプロジェクションアライナの基板装填
部を示す断面図、第４図山）はプロジェクションアライ
ナの基板装填部を示す平面図である。 １・・・基板 ２・・・レジスト ２ａ・・・焦点位置決めパッドに対応する部分４・・・
焦点位置決めパッド 第４図（ａ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板上にレジストを塗布し、このレジストにプロジ
ェクションアライナによりマスクパターンを投影露光し
た後現像処理を行い、次いでエッチング等により所望の
パターンを形成するホトエッチングにおいて、 投影露光前に予め基板上から前記プロジェクションアラ
イナの焦点位置決めパッドに対応する部分のレジストを
除去し、プロジェクションアライナに基板を装填した際
、前記焦点位置決めパッドにレジストが付着するのを防
いで投影露光時における焦点変動を防止することを特徴
とするプロジェクションアライナの焦点変動防止方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60029136A JPS61188934A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | レジスト除去装置 |
| US07/309,904 US4904570A (en) | 1985-02-15 | 1989-02-09 | Method of using a projection aligner for photoetching |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60029136A JPS61188934A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | レジスト除去装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61188934A true JPS61188934A (ja) | 1986-08-22 |
| JPH031823B2 JPH031823B2 (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=12267866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60029136A Granted JPS61188934A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | レジスト除去装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4904570A (ja) |
| JP (1) | JPS61188934A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02114628A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-26 | Ushio Inc | ウエハ周辺露光装置 |
| JPH036812A (ja) * | 1989-06-03 | 1991-01-14 | Sharp Corp | 膜除去装置 |
| US7008487B1 (en) * | 2002-03-04 | 2006-03-07 | Micron Technology, Inc. | Method and system for removal of contaminates from phaseshift photomasks |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5168021A (en) * | 1989-09-21 | 1992-12-01 | Ushio Denki | Method for exposing predetermined area of peripheral part of wafer |
| CN100573343C (zh) * | 2006-02-27 | 2009-12-23 | 探微科技股份有限公司 | 晶边清洗的方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5898925A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
| JPS59117123A (ja) * | 1982-12-23 | 1984-07-06 | Toshiba Corp | レジスト除去装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4068947A (en) * | 1973-03-09 | 1978-01-17 | The Perkin-Elmer Corporation | Optical projection and scanning apparatus |
| US4198159A (en) * | 1978-12-29 | 1980-04-15 | International Business Machines Corporation | Optical alignment system in projection printing |
| US4518678A (en) * | 1983-12-16 | 1985-05-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Selective removal of coating material on a coated substrate |
-
1985
- 1985-02-15 JP JP60029136A patent/JPS61188934A/ja active Granted
-
1989
- 1989-02-09 US US07/309,904 patent/US4904570A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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| US7300526B2 (en) | 2002-03-04 | 2007-11-27 | Micron Technology, Inc. | Method and system for removal of contaminates from phaseshift photomasks |
| US8627836B2 (en) | 2002-03-04 | 2014-01-14 | Micron Technology, Inc. | Method and system for removal of contaminates from phaseshift photomasks |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH031823B2 (ja) | 1991-01-11 |
| US4904570A (en) | 1990-02-27 |
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