JPH064576Y2 - ウエハ周辺露光装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ＩＣ、ＬＳＩ、その他のエレクトロニクス
素子における部品の加工における微細パターンの形成工
程において、シリコンウエハに代表される半導体基板、
あるいは誘電体、金属、絶縁体等の基板に塗布されたレ
ジストの内の該基板周辺部の不要レジストを現像工程で
除去するためのウエハ周辺露光装置に関するものであ
る。

〔従来の技術〕

ＩＣやＬＳＩ等の製造工程においては、微細パターンを
形成するにあたって、シリコンウエハ等の表面にレジス
トを塗布し、さらに露光、現像を行いレジストパターン
を形成することが行われる。次に、このレジストパター
ンをマスクにしてイオン注入、エッチング、リフトオフ
等の加工が行われる。

通常、レジストの塗布はスピンコート法によって行われ
る。スピンコート法はウエハ表面の中心位置にレジスト
を注ぎながらウエハを回転させ、遠心力によってウエハ
の全表面にレジストを塗布するものである。しかし、ウ
エハ周辺部では大部分の場合正しく回路パターンを描く
ことができず、例え描けたとしても歩留まりが悪い。ウ
エハ周辺部のレジストは回路パターン形成にあたっては
ほとんど不要なレジストである。またレジストの塗布さ
れたウエハはいろいろな処理工程及びいろいろな方式で
搬送される。この時、ウエハ周辺部を機械的につかんで
保持したり、ウエハ周辺部がウエハカセット等の収納器
の壁にこすれたりする。この時、ウエハ周辺部の不要レ
ジストがとれてウエハのパターン形成部に付着すると、
正しいパターン形成ができなくなり、歩留まりを下げ
る。ウエハ周辺部に残留した不要レジストが「ゴミ」と
なって歩留まりを低下させることは、特に集積回路の高
機能化、微細化が進みつつある現在、深刻な問題となっ
ている。

そこで、最近ではパターン形成のための露光工程とは別
にウエハ周辺部の不要レジストを現像工程で除去するた
めに別途露光することが行われている。

第３図（ａ）、（ｂ）はこのような不要レジスト除去の
ための従来のウエハ周辺露光装置の概略説明図である。

搬送系（不図示）により回転ステージ７１の上にウエハ
７０を設置し、回転ステージ７１を回転させ、センサ７
２により、ウエハ７０のオリエンテーションフラット７
３を検出し、このオリエンテーションフラット７３が概
略所定の位置にきた時回転をとめ、次にオリエンテーシ
ョンフラットあて板７４ａ及びピン７４ｂ、７４ｃ、７
４ｄによりセンタリングとオリエンテーションフラット
７３の位置出しを行う。

上記の位置出し後、ウエハ７０を回転させながら、ミラ
ー７８、ランプ７９、シャッタ８０等からなる光源部か
らの放射光を受け入れる位置にその一端７５ａを、他端
７５ｂをウエハ７０の周辺近傍に配置したオプチカルフ
ァイバ８１により、レンズ系を通して、ウエハ周辺部７
６を露光する。この場合、円形の照射区域Ｅを中心にし
て、レンズ系内の多重繰り返し反射や漏光のため、リン
グ状の弱い「シマ模様」７７が生ずる。したがって処理
時間を短縮するために、照射区域の照射強度を大きくす
ると、この模様部分も露光され、せっかくシャープな露
光境界Ｐを作ろうとしても必しも良好な結果が得られな
い。

〔考案の目的〕

本考案は、上記リング状のシマ模様の生じないようにし
たうえで、更に境界Ｐのよりシャープなウエハ周辺露光
装置の提供を目的とする。

〔目的を達成するための手段〕

上記目的を達成するため、本考案においては、ウエハ周
辺露光装置を、 光源部と、一端が光源部よりの放射光を受け入れる位置
にあり他端がウエハ周辺部の表面近傍に位置したオプチ
カルファイバと、該他端に配置されたレンズ系と、該レ
ンズ系とウエハ周辺部の表面との間に配置された遮光手
段とよりなり、該遮光手段は、筒部と縁がナイフエッヂ
状のアパーチャを設けた底板とより構成する。

〔作用〕

筒部で漏光を遮断し、底板で多重繰り返し反射を防止し
かつ、アパーチャの縁をナイフエッヂ状にしたので、リ
ング状のシマ模様を消すとともに、境界がよりシャープ
にすることができる。

〔実施例〕

第１図は、本考案の実施例の説明図、第２図（ａ）
（ｂ）は遮光手段の説明図であって、第２図（ａ）は一
部分切開してある。図において８２は、オプチカルファ
イバ８１の他端７５ｂをおおうように設けられたレンズ
系であって、ウエハ70の周辺部７６に、光源部からの放
射光が集光するようにする。そして、オプチカルファイ
バの他端を方形に束ねておき、照射区域を方形にし、し
たがって遮光手段のアパーチャ１も方形にしておく。遮
光手段は、中空状の角筒２と、底板３とより成り、反射
の少ない黒色塗料が塗布されている。筒２は、四面必し
も必要ではなく、一面なくとも、そのない部分の方を、
ウエハ７０に対して反対側へ向くように取り付ければ、
ウエハ７０におけるシマ模様の防止効果は同じである。
ウエハ７０と底板３との間隙ｄは１mm以下、大体0.5mm
〜0.2mm程度であって、底板に黒色塗料が塗布されてい
るとシマ模様の防止効果が大きい。ここにおいて、アパ
ーチャ１の縁１ａをナイフエッヂ状にしておくと、境界
Ｐがよりシャープになる。特に、間隙ｄが小さければ小
さい程ナイフエッヂにした効果は大きい。

〔考案の効果〕

以上のとうり、オプチカルファイバの他端からレンズ系
を介してウエハ周辺部を露光する場合、レンズ系とウエ
ハとの間に、ウエハ表面に極接近した底板を有する遮光
手段を設け、底板に設けるアパーチャもその縁をナイフ
エッヂ状とし、かつファイバの束ねた形状と相似的に形
成し、かつ黒色塗料を塗布しているので、レンズ系を通
ってくる漏光、迷光、多重反射等が抑制され、したがっ
て照射区域を中心としたリング状のシマ模様を確実に抑
制できるとともに、境界Ｐをよりシャープにすることが
できる。特に照射区域は方形にすると区域内の露光量の
均一化に都合が良い。

尚、このウエハ周辺露光装置は、第２図（ａ）の遮光手
段を利用すると周辺部以外の極所区域の露光にも利用で
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本考案のウエハ露光装置の要部の概略説明
図、第２図（ａ）、（ｂ）は遮光手段の説明図、第３図
（ａ）、（ｂ）は従来のウエハ周辺露光装置の説明図で
ある。 図において、１はアパーチャ、２は角筒、３は底板、７
０はウエハ、７６はウエハの周辺部、８１はオプチカル
ファイバ、８２はレンズ系、８３は遮光手段を示す。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】光源部と、一端が光源部よりの放射光を受
   け入れる位置にあり他端がウエハ周辺部の表面近傍に位
   置したオプチカルファイバと、該他端に配置されたレン
   ズ系と、該レンズ系とウエハ周辺部の表面との間に配置
   された遮光手段とよりなり、該遮光手段は、筒部と縁が
   ナイフエッジ状のアパーチャを設けた底板とよりなるこ
   とを特徴とするウエハ周辺露光装置。