JPH03256321A - レジスト膜形成装置 - Google Patents

レジスト膜形成装置

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Publication number
JPH03256321A
JPH03256321A JP5548590A JP5548590A JPH03256321A JP H03256321 A JPH03256321 A JP H03256321A JP 5548590 A JP5548590 A JP 5548590A JP 5548590 A JP5548590 A JP 5548590A JP H03256321 A JPH03256321 A JP H03256321A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
resist film
resist
nozzle
forming apparatus
Prior art date
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Pending
Application number
JP5548590A
Other languages
English (en)
Inventor
Harutaka Koshida
越田 治孝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP5548590A priority Critical patent/JPH03256321A/ja
Publication of JPH03256321A publication Critical patent/JPH03256321A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウェーハ(以下ウェーハと言う〉にフ
ォトリソグラフィ用のレジスト膜を形成するレジスト膜
形成装置に関する。
〔従来の技術〕
第5図は従来の一例を示すレジスト膜形成装置の断面図
、第6図(a>及び(b)はウェーハ上に形成されたレ
ジスト膜の状態を示すウェーハの断面図である。このレ
ジスト膜形成装置は、第5図に示すように、ウェーハ2
を保持し、高速回転するスピンチャック10と、ウェー
ハ2の表面にレジスト液を滴下するノズル1とを有して
いた。
また、このレジスト膜形成装置で形成されたウェーハ2
の周辺部のレジストを除去するために、カバー8を貫通
する溶剤用ノズル7及び12が設けられている。この装
置を使用して、ウェーハ2上にレジスト膜を形成する場
合は、まず、ノズル1よりレジスト液をウェーハ2面に
滴下し、スピンチャック10の回転遠心力でレジスト液
をウェーハ面で伸ばし、第5図(a)に示すように、ウ
ェーハ2面にレジスト膜11を形成していた。また、ウ
ェーハ2面の周辺部の不要なレジスト膜を除去するのに
、第5図に示す、溶剤用ノズル7及び12より、例えば
、ケトン液のような溶剤を滴下したり、噴出させること
により、第5図(b)に示すように、周辺部のレジスト
膜11を除去していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のレジスト膜形成装置では、成膜されたレ
ジスト膜11が第5図(b)に示すように、その端部で
、溶剤に溶がされたレジストがレジストの持つ張力のた
めに盛り上がりを生じる。
つまり、ここの部分の膜厚が厚くなるのでレジスト全面
除去や周辺露光でレジストが取り切れずに残ってしまう
という欠点を有する。
本発明は、かかる欠点を解消するレジスト膜形成装置を
提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のレジスト膜形成装置は、半導体ウェーハを保持
し、回転させるスピンチャックと、前記半導体ウェーハ
面の、所定の位置にレジスト液を滴下する第1のノズル
と、前記半導体ウェーハの周辺部に形成されたレジスト
膜を露光する光源と、露光された前記レジスト膜の任意
の個所に現像液を滴下する第2のノズルとを備え構成さ
れる。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すレジスト膜形成装置の
断面図である。このレジスト膜形成装置は、同図に示す
ように、周辺のレジストを露光するための光源3と、そ
の光源で露光されたレジスト膜をエツチング除去する現
像液を滴下するノズル4とを設けたことである。従来技
術においては、第5図に示すように、レジスト液をウェ
ーハ2上に滴下して、塗布した後に、ウェーハ2の周辺
のレジスト膜を除去するために、例えば、ケトン等のレ
ジストの溶剤を用いて、ウェーハの周辺の上部又は裏面
から溶剤用ノズル7及び12でウェーハ2に噴出して行
っている。このとき、ウェーハ周辺のレジスト膜は除去
されるが、レジストの端部では溶剤に溶かされたレジス
トがレジストの持つ張力のために盛り上がりを生じる。
つまり、ここの部分の膜厚が厚くなるのでレジスト全面
除去や周辺露光でレジストが取れ切れずに残ってしまう
第2図(a>、(b)及び(C)はウェーハ上に形成さ
れたレジスト膜の状態を示すウェーハの断面図である。
ここで、本発明では、レジスト液をウェーハ2上に滴下
して、塗布した後に、周辺露光用の光源3でウェーハ2
の真上から光を照射してウェーハ2を回転させながら露
光し、さらに、現像液用ノズルである第2のノズル4か
ら現像液を滴下させる。これによって、第2図(b)に
示すように、レジスト膜の端部が盛り上がらずにレジス
ト膜11が除去される。さらに、ウェーハ2の側壁部の
レジストは残るため、第1図に示すように、ウェーハ2
の裏面から溶剤用ノズル7で、ケトンを噴出して除去す
る。このように、本発明のレジスト膜形成装置によれば
、第2図(c)に示すように、レジスト膜11の端で盛
り上がらずに、ウェーハ周辺の除去が可能となる。
第3図は本発明の他の実施例を示すレジスト膜形成装置
の断面図、第4図(a)及び(b)はウェーハ上に形成
されたレジスト膜の状態を示すウェーハの断面図である
。このレジスト膜形成装置は、前述の実施例に示した露
光用の光源3と並べて、ウェーハ2の端面に斜めに照射
する光源3aを設けたことである。この構造にすること
により、前述の溶剤用ノズルを必要とすることなく、ウ
ェーハ2の端部のレジストは、第4図(b)に示すよう
に、取除くことが出来る。
この実施例の場合は、前述の実施例と比べ、溶剤用ノズ
ルが不要になるばかりでなく、排出管9より排出される
有害な溶剤が不要になるという利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明のレジスト膜形成装置は、ウ
ェーハの周辺部のレジスト膜を露光する光源と、この光
源で露光されたレジスト膜を除去する現像液を滴下する
第2のノズルを設けることによって、形成されたウェー
ハのレジスト膜端面に盛り上がりが生ずることなく、ウ
ェーハ周辺部のレジスト膜が完全除去できるという効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示すレジスト膜形成装置の
断面図、第2図(a)、(b)及び(c)はウェーハ上
に形成されたレジスト膜の状態を示すウェーハの断面図
、第3図は本発明の他の実施例を示すレジスト膜形成装
置の断面図、第4図(a)及び(b)はウェーハ上に形
成されたレジスト膜の状態を示すウェーハの断面図、第
5図は従来の一例を示すレジスト膜形成装置の断面図、
第6図(a)及び(b)はウェーハ上に形成されたレジ
スト膜の状態を示すウェーハの断面図である。 1・・・ノズル、2・・・ウェーハ、3,3a・・・光
源、4・・・第2のノズル、5・・・洗浄用ノズル、7
,12・・・溶剤用ノズル、8・・・カバー、9・・・
排出管、10・・・スピンチャック、11・・・レジス
ト膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  半導体ウェーハを保持し、回転させるスピンチャック
    と、前記半導体ウェーハ面の、所定の位置にレジスト液
    を滴下する第1のノズルと、前記半導体ウェーハの周辺
    部に形成されたレジスト膜を露光する光源と、露光され
    た前記レジスト膜の任意の個所に現像液を滴下する第2
    のノズルとを備えることを特徴とするレジスト膜形成装
    置。
JP5548590A 1990-03-06 1990-03-06 レジスト膜形成装置 Pending JPH03256321A (ja)

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JP5548590A JPH03256321A (ja) 1990-03-06 1990-03-06 レジスト膜形成装置

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JPH03256321A true JPH03256321A (ja) 1991-11-15

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JP (1) JPH03256321A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002343704A (ja) * 2001-05-17 2002-11-29 Nec Corp 塗付膜形成方法およびその装置
US6582137B1 (en) * 1999-08-05 2003-06-24 Nec Electronics, Inc. Polyimide coating process with dilute TMAH and DI-water backrinse
KR100663013B1 (ko) * 2004-12-29 2006-12-28 동부일렉트로닉스 주식회사 포토레지스트 도포장치 및 기판 가장자리 포토레지스트제거방법
JP2008098520A (ja) * 2006-10-13 2008-04-24 Tokyo Electron Ltd 周辺露光装置、塗布、現像装置、周辺露光方法及び塗布、現像方法並びに記憶媒体

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