JPS62142321A - ウエハ−処理装置 - Google Patents
ウエハ−処理装置Info
- Publication number
- JPS62142321A JPS62142321A JP60283613A JP28361385A JPS62142321A JP S62142321 A JPS62142321 A JP S62142321A JP 60283613 A JP60283613 A JP 60283613A JP 28361385 A JP28361385 A JP 28361385A JP S62142321 A JPS62142321 A JP S62142321A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- resist
- exposure
- development
- light source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体ウェハーの処理装置に関するものであり
、特にリソグラフィ一工程におけるレジストの塗布方式
の改善を図ったウニ・・−処理装置に関する。
、特にリソグラフィ一工程におけるレジストの塗布方式
の改善を図ったウニ・・−処理装置に関する。
従来の技術
半導体装置の製造におけるリソグラフィ一工程には、光
を使ったフォトリソグラフィーが量産用製造技術として
用いらｎている。フォトリソグラフィ一工程は半導体基
板上に電子回路パターンを形成するために、エツチング
用マスク又はイオン注入用マスクなどとして用いら扛る
。フォトレジストは微細パターン形成にはポジ型が主と
して用いられ、主成分はキノンジアジド系の感光剤とア
ルカリ可溶のフェノール系樹脂からなっている。
を使ったフォトリソグラフィーが量産用製造技術として
用いらｎている。フォトリソグラフィ一工程は半導体基
板上に電子回路パターンを形成するために、エツチング
用マスク又はイオン注入用マスクなどとして用いら扛る
。フォトレジストは微細パターン形成にはポジ型が主と
して用いられ、主成分はキノンジアジド系の感光剤とア
ルカリ可溶のフェノール系樹脂からなっている。
ポジ型７オトレジストは解像度が高く、微細パターン形
成には適しているが、主成分が樹脂からなるため、下地
基板との接着力や脆さ：て欠点がある。
成には適しているが、主成分が樹脂からなるため、下地
基板との接着力や脆さ：て欠点がある。
これは、レジスト塗布前処理により改善されているが、
ウェハーの端部、特に側面に付着したレジストが、粉末
状にはがれ、汚染やダストの原因となる。フォトレジス
ト工程をレジストＯＦＰＲ−８０ｏ（東京応化（製）、
３０ＣＩ） ）を例にとり示す。ｔｉＱ記の通り、
レジスト塗布は回転塗布法により行い、これは円板状の
回転台に真空によりウニ・・−を支持し、ウニ・・−の
中心部に曲記レジストを２〜３ｍｅ滴下し、２０００〜
５０００ｒ−ｐ、ｍで回転し、均一なレジスト膜を得る
。レジスト膜厚は２００ Ｏｒ、ｐ、ｍ塗布で約２−０
μｍ、４０００ｒ、ｐ、ｍで約１．３μｍとなる。塗布
膜厚のウニ・・−内分布は第３図（ａ）に示すようにウ
ェハーの周辺で盛り上り、かつ側壁にもレジストが付着
している。
ウェハーの端部、特に側面に付着したレジストが、粉末
状にはがれ、汚染やダストの原因となる。フォトレジス
ト工程をレジストＯＦＰＲ−８０ｏ（東京応化（製）、
３０ＣＩ） ）を例にとり示す。ｔｉＱ記の通り、
レジスト塗布は回転塗布法により行い、これは円板状の
回転台に真空によりウニ・・−を支持し、ウニ・・−の
中心部に曲記レジストを２〜３ｍｅ滴下し、２０００〜
５０００ｒ−ｐ、ｍで回転し、均一なレジスト膜を得る
。レジスト膜厚は２００ Ｏｒ、ｐ、ｍ塗布で約２−０
μｍ、４０００ｒ、ｐ、ｍで約１．３μｍとなる。塗布
膜厚のウニ・・−内分布は第３図（ａ）に示すようにウ
ェハーの周辺で盛り上り、かつ側壁にもレジストが付着
している。
レジスト塗布後、レジストに含まれる溶剤を除くために
８０°Ｃでベーキングを施し、光露光により石英ガラス
に形成さむ、た電子回路パターンをウニ・・−に転写す
る。次に、現像した後、下地基板との密着性強化、乾燥
のためベーキングを施し、エツチング、イオン注入用マ
スクなどして用いる。
８０°Ｃでベーキングを施し、光露光により石英ガラス
に形成さむ、た電子回路パターンをウニ・・−に転写す
る。次に、現像した後、下地基板との密着性強化、乾燥
のためベーキングを施し、エツチング、イオン注入用マ
スクなどして用いる。
このように、フォトリソグラフィ一工程は電子回路パタ
ーンをウニ・・−上に形成する工程であり、ゴミ、ダス
ト、異物の付着は極めて大きな影響を及ぼす。レジスト
パターンが、ゴミなどの付着により壊されることを防ぐ
と共に、レジスト工程で付着した異物などが次工程でゴ
ミの発生源となることをも防ぐ必要がある。現在のレジ
スト工程では、レジスト中のゴミ、処理中のゴミなどに
よる歩留低下は、クリーン度の向上、レジストのフィル
タリングなどにより改善されているが、後者のレジスト
工程に原因するパターン不良の発生は防止できていない
。前述の第３図を用いて詳細に示す。第３図（ａ）はレ
ジストを滴下し、３０００ ｒ、ｐ、ｍで回転し、塗布
した状態を示すウェハーの断面形状である。ウェハー上
の平坦部Ｂではレジスト膜厚１．７ミクロン、端部Ａは
最大約２ミクロンであり、周辺が盛９上っている。さら
に、ウェハーの側壁Ｃにもレジストが回り込んでいる。
ーンをウニ・・−上に形成する工程であり、ゴミ、ダス
ト、異物の付着は極めて大きな影響を及ぼす。レジスト
パターンが、ゴミなどの付着により壊されることを防ぐ
と共に、レジスト工程で付着した異物などが次工程でゴ
ミの発生源となることをも防ぐ必要がある。現在のレジ
スト工程では、レジスト中のゴミ、処理中のゴミなどに
よる歩留低下は、クリーン度の向上、レジストのフィル
タリングなどにより改善されているが、後者のレジスト
工程に原因するパターン不良の発生は防止できていない
。前述の第３図を用いて詳細に示す。第３図（ａ）はレ
ジストを滴下し、３０００ ｒ、ｐ、ｍで回転し、塗布
した状態を示すウェハーの断面形状である。ウェハー上
の平坦部Ｂではレジスト膜厚１．７ミクロン、端部Ａは
最大約２ミクロンであり、周辺が盛９上っている。さら
に、ウェハーの側壁Ｃにもレジストが回り込んでいる。
この塗布状態でソフトベーク、露光、現像を実施すると
、レジストパターンが形成され、第３図（ｂ）のように
なる。周辺の盛り上った部分、Ａ、Ｃは露光されないた
め、全て残る。縮小投影露光方式では全く周辺は除去さ
れない。第３図（ｂ）のような状態では、ウェハーカセ
ットに収納すると、同図中入およびＣの部分がカセット
と接触し、一部剥離し、カセ、７１・に付着する。また
、次工程であるエツチングやイオン注入工程にて一部は
粒子となってゴミと同じく、他のウェハーに付着する。
、レジストパターンが形成され、第３図（ｂ）のように
なる。周辺の盛り上った部分、Ａ、Ｃは露光されないた
め、全て残る。縮小投影露光方式では全く周辺は除去さ
れない。第３図（ｂ）のような状態では、ウェハーカセ
ットに収納すると、同図中入およびＣの部分がカセット
と接触し、一部剥離し、カセ、７１・に付着する。また
、次工程であるエツチングやイオン注入工程にて一部は
粒子となってゴミと同じく、他のウェハーに付着する。
このように周辺のレジストが、フォトリソグラフィ一工
程の粒子の発生源となり、パターン不良を起し、半導体
装置の製造歩留低下要因となっている。これを解決する
ため、現像工程（塗布と同じく、スピンしながら上部よ
り現像液を滴下しながら、現像する）シておいて、上部
に現像液を滴下すると同時に、ウニ・・−下方から、周
辺へ現像０．を吹き付け、裏面へのレジストの廻り込み
を防ぐ方法があるが、ウニ・・−側壁や周辺（上面）に
対しては効果がない。
程の粒子の発生源となり、パターン不良を起し、半導体
装置の製造歩留低下要因となっている。これを解決する
ため、現像工程（塗布と同じく、スピンしながら上部よ
り現像液を滴下しながら、現像する）シておいて、上部
に現像液を滴下すると同時に、ウニ・・−下方から、周
辺へ現像０．を吹き付け、裏面へのレジストの廻り込み
を防ぐ方法があるが、ウニ・・−側壁や周辺（上面）に
対しては効果がない。
このことは、ポジ型レジストは未露光部に対して、溶解
速度が遅く、寸だ、上面への廻り込みの制御性は低いこ
とは明らかでちる。
速度が遅く、寸だ、上面への廻り込みの制御性は低いこ
とは明らかでちる。
発明が解決しようとする問題点
従来のフォ［・リソグラフィ一工程において用いられて
いる回転塗布・現像法では、ウェハーの周辺でのレジス
トの盛り上り、ウニ・・−側壁へのレジストの付着、残
存はさけることができない。このウェハー周辺及び側壁
に付着したレジストは、ウェハーを収納するカセットに
付着し、汚染源となる。３このカセットに付着したレジ
ストかすは、ゴミと同じ作用をし、バター／形成不良や
汚染源となる。また、この他に、後工程のエツチング工
程や、イオン注入工程においても、反応室、注入室にレ
ジスト剥離によるゴミを発生させ、製造歩留の低下を引
き起す、本発明は、従来のフォト１．１ソゲラフイーで
製造歩留の低下を引き起す一要因であった、ウニ／・−
の周辺及び端部のレジストのはがれによる粒子状のゴミ
や汚染を防ぐウェハー処理方法を提供するものである。
いる回転塗布・現像法では、ウェハーの周辺でのレジス
トの盛り上り、ウニ・・−側壁へのレジストの付着、残
存はさけることができない。このウェハー周辺及び側壁
に付着したレジストは、ウェハーを収納するカセットに
付着し、汚染源となる。３このカセットに付着したレジ
ストかすは、ゴミと同じ作用をし、バター／形成不良や
汚染源となる。また、この他に、後工程のエツチング工
程や、イオン注入工程においても、反応室、注入室にレ
ジスト剥離によるゴミを発生させ、製造歩留の低下を引
き起す、本発明は、従来のフォト１．１ソゲラフイーで
製造歩留の低下を引き起す一要因であった、ウニ／・−
の周辺及び端部のレジストのはがれによる粒子状のゴミ
や汚染を防ぐウェハー処理方法を提供するものである。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、円板状のウニ／・−保持回転台と、ウェハー
の周辺に端部を露光する光源とをそなえ、ウェハーを回
転することにより、ウェハーの端部を匡光することを特
徴とするウェハー処理装置である。また、ウェハーの周
辺の露光と、レジスト塗布、又は現像を同一装置で処理
できるようにし、塗布９周辺露光、又は周辺露光、現像
を連続して処理することも可能である。
の周辺に端部を露光する光源とをそなえ、ウェハーを回
転することにより、ウェハーの端部を匡光することを特
徴とするウェハー処理装置である。また、ウェハーの周
辺の露光と、レジスト塗布、又は現像を同一装置で処理
できるようにし、塗布９周辺露光、又は周辺露光、現像
を連続して処理することも可能である。
以上のようなウニ・・−処理方式により、レジストのは
がれにより製造歩留の低下を防止することを可能にした
。
がれにより製造歩留の低下を防止することを可能にした
。
作用
本発明によりウニ／・−の周辺及び側壁のレジストがカ
セットに付着し、粒子状のゴミになり、あるいは後処理
工程、例えばドライエツチングの反応室、イオン注入に
おけるチャンバー内、ウェットエツチングの薬液槽で剥
離して異物となって製造歩留の低下を起すことを防止す
ることができた。
セットに付着し、粒子状のゴミになり、あるいは後処理
工程、例えばドライエツチングの反応室、イオン注入に
おけるチャンバー内、ウェットエツチングの薬液槽で剥
離して異物となって製造歩留の低下を起すことを防止す
ることができた。
とりわけ、周辺のレジストを制御性よく除去することに
より、レジストに起因するゴミの発生を著しく減少でき
た。
より、レジストに起因するゴミの発生を著しく減少でき
た。
本発明はウェハーの周辺幅の数朋、及びウェハー側壁の
レジストを取り除くことにより、収納ケース（カセット
）へのレジスト付着、後処理工程でのレジストによる粒
子発生を防止できることを確認した。周辺及び側壁のポ
ジ型レジストは、現像［）Ｄに、光を照射することによ
り、現像工程において全て除去されることを見い出した
。これは塗布又は現像前にウニ・・一端部に焦点を定め
、紫外光でスポット状に露光し、ウェハーを回転するこ
とにより、均一に露光され、これを現像することにより
、不要なレジストは全て除去されることを見い出した。
レジストを取り除くことにより、収納ケース（カセット
）へのレジスト付着、後処理工程でのレジストによる粒
子発生を防止できることを確認した。周辺及び側壁のポ
ジ型レジストは、現像［）Ｄに、光を照射することによ
り、現像工程において全て除去されることを見い出した
。これは塗布又は現像前にウニ・・一端部に焦点を定め
、紫外光でスポット状に露光し、ウェハーを回転するこ
とにより、均一に露光され、これを現像することにより
、不要なレジストは全て除去されることを見い出した。
実施例
次に本発明に係るウェハー処理装置について図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
第１図は本発明に係るウェハー処理装置の概略図である
。円板状の支持台１にはウエノ＼−２を固定するために
溝３が刻まれ、回転軸４の内部を通されたパイプにより
真空ポンプにつながっている。
。円板状の支持台１にはウエノ＼−２を固定するために
溝３が刻まれ、回転軸４の内部を通されたパイプにより
真空ポンプにつながっている。
ウェハー２は支持台１に設けらｎた溝３により真空で固
定され、回転する。ウェハー２の端の上部に光源５があ
り、光源はノ・ロゲンランプ又は水銀ランプからなり、
フォトレジストの感光波長である３００〜４０ｏｎｍの
波長をもつ光源を用いる。
定され、回転する。ウェハー２の端の上部に光源５があ
り、光源はノ・ロゲンランプ又は水銀ランプからなり、
フォトレジストの感光波長である３００〜４０ｏｎｍの
波長をもつ光源を用いる。
光源の効率を高めるため、背にはミラー６を設置し、レ
ンズ７を用いて焦点をウェハーの端部知合わせる。スポ
ットのサイズは２〜４朋とする。次（こ、処理方法を第
２図面の簡単な説明する。第２図（ａ） 、 （ｂ）は
ウニ・・−の断面形状を示す。まず、第２図（ａ）のよ
うに、ウニ／・−２にフォトレジスｊ・（ポジ型）８を
回転塗布法により塗布した後８０°Ｃでベーキングした
後、第１図のウェハー処理装置により露光する。１００
０ｒ、ｐ、ｍで３０秒可回転光し、ウェハーの周辺部公
人を充分に露光する。
ンズ７を用いて焦点をウェハーの端部知合わせる。スポ
ットのサイズは２〜４朋とする。次（こ、処理方法を第
２図面の簡単な説明する。第２図（ａ） 、 （ｂ）は
ウニ・・−の断面形状を示す。まず、第２図（ａ）のよ
うに、ウニ／・−２にフォトレジスｊ・（ポジ型）８を
回転塗布法により塗布した後８０°Ｃでベーキングした
後、第１図のウェハー処理装置により露光する。１００
０ｒ、ｐ、ｍで３０秒可回転光し、ウェハーの周辺部公
人を充分に露光する。
露＃、量はレジストの感度曲線より得られる必要露尤−
壮の数倍露光しても問題がない。次に、マスク合せ露光
した後、現像、リンスを実施し、第２図（ｂ）に示すレ
ジスト形状を得る。すなわち、ウェハー２の端部及び側
壁に付着したレジストは現像により、全て除去される。
壮の数倍露光しても問題がない。次に、マスク合せ露光
した後、現像、リンスを実施し、第２図（ｂ）に示すレ
ジスト形状を得る。すなわち、ウェハー２の端部及び側
壁に付着したレジストは現像により、全て除去される。
従来のように端や側壁のレジスト塊が残存することなく
、後工程で剥離し、ダストや汚染源となることもない。
、後工程で剥離し、ダストや汚染源となることもない。
１だ、本実施例ではレジスト塗布後、周辺露光したが、
レジスト１Ｆ布装置に周辺露光装置を付設シ、同一スピ
ンナーでレジスト塗布後、直ちに連続して周辺を回転露
光することも可能である。
レジスト１Ｆ布装置に周辺露光装置を付設シ、同一スピ
ンナーでレジスト塗布後、直ちに連続して周辺を回転露
光することも可能である。
さらに、現像を同様なスピンナーにウェハーを保持し、
現像リンス液を上部より滴下することにより行う方式を
用いれば、同一スピンナーを用い、周辺露光した後、直
ちに連続して、現像、リンスを行うことも可能である。
現像リンス液を上部より滴下することにより行う方式を
用いれば、同一スピンナーを用い、周辺露光した後、直
ちに連続して、現像、リンスを行うことも可能である。
以上のように、単独の周辺露光用ウェハー処理装置又は
既存の塗布、現像装置に周辺露光用光源を設け、露光を
プログラミング方式により制御することにより、容易に
実施することができる。また、ウニ・・−の下方に同様
に光源を設置しても同様な効果が得らｎる。
既存の塗布、現像装置に周辺露光用光源を設け、露光を
プログラミング方式により制御することにより、容易に
実施することができる。また、ウニ・・−の下方に同様
に光源を設置しても同様な効果が得らｎる。
発明の効果
以上のように本発明により、ポジ型フォトレジスト工程
におけるレジストに起因する異物１粒子などの発生原因
であったウェハー周辺や側壁のレジスＨ−完全に除去す
ることが可能となった。
におけるレジストに起因する異物１粒子などの発生原因
であったウェハー周辺や側壁のレジスＨ−完全に除去す
ることが可能となった。
特に従来のフォトレジスト工程ではウェハー周辺や側壁
のレジストがカセットに付着したり、後処理工程例えば
二ノチングやイオン注入での反応室や真空チャンバー内
ではがれ粒子状となり、パターン不良発生原因となって
いたが、現像工程で全て除去することが可能となったた
め、このような不良発生を防止することができた。
のレジストがカセットに付着したり、後処理工程例えば
二ノチングやイオン注入での反応室や真空チャンバー内
ではがれ粒子状となり、パターン不良発生原因となって
いたが、現像工程で全て除去することが可能となったた
め、このような不良発生を防止することができた。
本装置はレジスト塗布装置又は現像装置にも光源を取り
付けることにより、同一装置内で連続処理でき、製造工
程上、処理能率を低下することもない。
付けることにより、同一装置内で連続処理でき、製造工
程上、処理能率を低下することもない。
第１図は本発明に係るウェハー処理装置の概略図、第２
図（＆）、 （ｂ）は本発明に係るレジスト形状を工程
順に示す断面図、第３図（ａ）、 （ｂ）は従来のレジ
スト塗布工程で得られたレジスト形状を工程順に示す断
面図である。 １・・・・・・支持台、２・・・・・・ウェハー、３・
・・・・・真空チャック溝、４・・・・・・回転軸、５
・・・・・・光源、６・・・・ベラ−１７・・・・・・
光学システム（レンズ系）、８・・・・・・フォトレジ
ストっ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ５尤：、界 ２′７ニヘー
図（＆）、 （ｂ）は本発明に係るレジスト形状を工程
順に示す断面図、第３図（ａ）、 （ｂ）は従来のレジ
スト塗布工程で得られたレジスト形状を工程順に示す断
面図である。 １・・・・・・支持台、２・・・・・・ウェハー、３・
・・・・・真空チャック溝、４・・・・・・回転軸、５
・・・・・・光源、６・・・・ベラ−１７・・・・・・
光学システム（レンズ系）、８・・・・・・フォトレジ
ストっ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ５尤：、界 ２′７ニヘー
Claims (3)
- （１）円板状のウェハーの保持回転台と、ウェハーの周
辺に端部を含む範囲で露光する光源とをそなえ、ウェハ
ーを回転することにより、ウェハーの端部を露光するこ
とを特徴とするウェハー処理装置。 - （２）ウェハーの端部を含む範囲で露光する光源が、レ
ジストの塗布を連続して処理できる回転塗布台に連動付
設された特許請求の範囲第１項記載のウェハー処理装置
。 - （３）ウェハーの端部を含む範囲で露光する光源と、レ
ジストの現像が連続して処理できる現像処理台に連動付
設された特許請求の範囲第１項記載のウェハー処理装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60283613A JPS62142321A (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | ウエハ−処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60283613A JPS62142321A (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | ウエハ−処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62142321A true JPS62142321A (ja) | 1987-06-25 |
Family
ID=17667770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60283613A Pending JPS62142321A (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | ウエハ−処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62142321A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6412528A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-17 | Nec Corp | Resist development device |
| JPH0212811A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Ushio Inc | ウエハ周辺露光方法 |
| US5028955A (en) * | 1989-02-16 | 1991-07-02 | Tokyo Electron Limited | Exposure apparatus |
| JPH04121728U (ja) * | 1991-04-19 | 1992-10-30 | 太陽誘電株式会社 | 半導体装置の製造装置 |
| DE10050050A1 (de) * | 2000-10-10 | 2002-04-25 | Promos Technologies Inc | Verfahren zur Verringerung des Belastungseffekts beim Ätzen tiefer Gräben |
| US10073360B2 (en) | 2015-01-28 | 2018-09-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Edge exposure apparatus |
-
1985
- 1985-12-17 JP JP60283613A patent/JPS62142321A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6412528A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-17 | Nec Corp | Resist development device |
| JPH0558649B2 (ja) * | 1987-07-06 | 1993-08-27 | Nippon Electric Co | |
| JPH0212811A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Ushio Inc | ウエハ周辺露光方法 |
| JPH0750676B2 (ja) * | 1988-06-30 | 1995-05-31 | ウシオ電機株式会社 | ウエハ周辺露光方法 |
| US5028955A (en) * | 1989-02-16 | 1991-07-02 | Tokyo Electron Limited | Exposure apparatus |
| JPH04121728U (ja) * | 1991-04-19 | 1992-10-30 | 太陽誘電株式会社 | 半導体装置の製造装置 |
| DE10050050A1 (de) * | 2000-10-10 | 2002-04-25 | Promos Technologies Inc | Verfahren zur Verringerung des Belastungseffekts beim Ätzen tiefer Gräben |
| DE10050050B4 (de) * | 2000-10-10 | 2006-06-14 | Promos Technologies, Inc. | Verfahren zur Verringerung des Belastungseffekts beim Ätzen tiefer Gräben |
| US10073360B2 (en) | 2015-01-28 | 2018-09-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Edge exposure apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62142321A (ja) | ウエハ−処理装置 | |
| JPH035573B2 (ja) | ||
| US3986876A (en) | Method for making a mask having a sloped relief | |
| CN110568730A (zh) | 半导体边缘光刻胶去除方法 | |
| JPH09106081A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPS6173330A (ja) | 半導体デバイス製造装置 | |
| JPH07240360A (ja) | 薬液塗布装置 | |
| JPS58159535A (ja) | 感光性樹脂塗布装置 | |
| JP2848625B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| TW202309993A (zh) | 製造半導體裝置的方法 | |
| JPH0624674B2 (ja) | 基板載置台 | |
| JPH03256321A (ja) | レジスト膜形成装置 | |
| KR20000017439A (ko) | 습식 처리에 따른 레지스트막 현상 공정을 구비하는 반도체장치의 제조방법 | |
| JPH01119024A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPH02284415A (ja) | 半導体ウェハー周縁部レジスト除去装置 | |
| JPS61226750A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02125420A (ja) | ウエハ周辺露光における露光量制御装置 | |
| JPH03141633A (ja) | 半導体ウェハー外周部のフォトレジスト除去方法 | |
| JPS6343323A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0430739B2 (ja) | ||
| JPH01128435A (ja) | ウエハ側面部レジスト除去方法 | |
| JPH036014A (ja) | 既被露光域を有するレジスト塗布基板、その製造方法および製造装置 | |
| JPH07325385A (ja) | ホトレジスト膜の形成方法とホトプレート | |
| JPH02271625A (ja) | ウエットエッチング方法 | |
| JPH01125828A (ja) | レジスト現像装置 |