JPH0558649B2 - - Google Patents
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- JPH0558649B2 JPH0558649B2 JP62169245A JP16924587A JPH0558649B2 JP H0558649 B2 JPH0558649 B2 JP H0558649B2 JP 62169245 A JP62169245 A JP 62169245A JP 16924587 A JP16924587 A JP 16924587A JP H0558649 B2 JPH0558649 B2 JP H0558649B2
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- Japan
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- resist
- semiconductor substrate
- developer
- semiconductor device
- light
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレジスト現像装置に関する。
従来のレジスト現像装置は、第２図に示すよう
に、レジストを塗布し目合露光を行つた半導体基
板７を上面に吸着保持するスピンモータ１０の回
転により一方向に回転するスピンチヤツク６と、
スピンチヤツク６の外周を覆い現像液の飛散を防
止する上カツプ８と下カツプ９とを備え、現像液
滴下ノズル１又は現像液スプレーノズル２のいず
れかから現像液Ｄを半導体基板７上に供給し、露
光されたレジストの現像を行つていた。
に、レジストを塗布し目合露光を行つた半導体基
板７を上面に吸着保持するスピンモータ１０の回
転により一方向に回転するスピンチヤツク６と、
スピンチヤツク６の外周を覆い現像液の飛散を防
止する上カツプ８と下カツプ９とを備え、現像液
滴下ノズル１又は現像液スプレーノズル２のいず
れかから現像液Ｄを半導体基板７上に供給し、露
光されたレジストの現像を行つていた。
第２図に示すレジスト現像装置では、現像に先
立ちバツクリンス部４からリンス液Ｒを半導体基
板７の裏面周辺部に吹付け周辺部のレジストを溶
解除去するバツクリンス方式を用いている。
立ちバツクリンス部４からリンス液Ｒを半導体基
板７の裏面周辺部に吹付け周辺部のレジストを溶
解除去するバツクリンス方式を用いている。
半導体基板の周辺レジスト除去にはバツクリン
ス方式の他に、周辺露光方式と称するものがあ
る。この方式は縮小投影露光装置により半導体基
板周辺部を全面ステツプ露光し、その後現像処理
して周辺部のレジストを除去するものである。
ス方式の他に、周辺露光方式と称するものがあ
る。この方式は縮小投影露光装置により半導体基
板周辺部を全面ステツプ露光し、その後現像処理
して周辺部のレジストを除去するものである。
上述した従来のレジスト現像装置は、バツクリ
ンス方式では、半導体基板の裏面端部にレジスト
の溶剤を吹付け、半導体基板表面及び裏面の周辺
部レジストを除去する方式を取つている。
ンス方式では、半導体基板の裏面端部にレジスト
の溶剤を吹付け、半導体基板表面及び裏面の周辺
部レジストを除去する方式を取つている。
従つて、溶剤の吹付け量、吹付け圧力、吹付け
位置及び半導体基板を回転させる速度等の条件が
設定条件から外れた場合、半導体基板裏面端部に
吹付けた溶剤が飛散し、半導体基板の表面に塗布
されているレジストを部分的に溶かし、溶剤が飛
散した半導体基板表面部でレジスト膜厚が薄くな
り、パターン加工精度が悪くなるという欠点があ
る。
位置及び半導体基板を回転させる速度等の条件が
設定条件から外れた場合、半導体基板裏面端部に
吹付けた溶剤が飛散し、半導体基板の表面に塗布
されているレジストを部分的に溶かし、溶剤が飛
散した半導体基板表面部でレジスト膜厚が薄くな
り、パターン加工精度が悪くなるという欠点があ
る。
又、極度にレジストが溶かされた部分では、レ
ジスト膜厚が激減しているためピンホール等が発
生して耐エツチング性が著しく損われ、半導体素
子特性を劣化するという欠点がある。
ジスト膜厚が激減しているためピンホール等が発
生して耐エツチング性が著しく損われ、半導体素
子特性を劣化するという欠点がある。
一方、周辺露光方式では、レジスト周辺除去の
ために、パターン形式には本来不必要な露光を行
う必要があり、目合露光機の処理能力を著しく低
下させ、生産性を悪くするという欠点がある。更
に、ステツプ露光を繰返すため半導体基板の縁よ
り任意の点までのレジストを除去することができ
ず、かつ、半導体基板の裏面部のレジストを除去
できないという欠点がある。
ために、パターン形式には本来不必要な露光を行
う必要があり、目合露光機の処理能力を著しく低
下させ、生産性を悪くするという欠点がある。更
に、ステツプ露光を繰返すため半導体基板の縁よ
り任意の点までのレジストを除去することができ
ず、かつ、半導体基板の裏面部のレジストを除去
できないという欠点がある。
以上、述べたいずれの欠点も半導体素子製造工
程において、歩留り及び生産性を低下させる要因
となる。
程において、歩留り及び生産性を低下させる要因
となる。
本発明のレジスト現像装置は、レジストを塗布
し目合露光された半導体装置を上面に吸着保持し
一方向に回転するスピンチヤツクと、該スピンチ
ヤツクの周囲を覆つて設けられるカツプ部とを備
えるレジスト現像装置において、前記カツプ部に
前記半導体装置の周辺部を挟むように前記半導体
装置にほぼ垂直方向に対向配置され且つ前記半導
体装置の表面に平行に移動し得ると共に前記レジ
ストが感光する波長の光を照射する一対の投光器
と、現像時に該投光器を現像液から遮蔽する保護
板とを有している。
し目合露光された半導体装置を上面に吸着保持し
一方向に回転するスピンチヤツクと、該スピンチ
ヤツクの周囲を覆つて設けられるカツプ部とを備
えるレジスト現像装置において、前記カツプ部に
前記半導体装置の周辺部を挟むように前記半導体
装置にほぼ垂直方向に対向配置され且つ前記半導
体装置の表面に平行に移動し得ると共に前記レジ
ストが感光する波長の光を照射する一対の投光器
と、現像時に該投光器を現像液から遮蔽する保護
板とを有している。
次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図ａ及びｂはそれぞれ本発明の一実施例の
現像処理部の周辺レジスト露光時及び現像時の断
面図である。
現像処理部の周辺レジスト露光時及び現像時の断
面図である。
第１図に示すように、上面に半導体基板７を吸
着保持してスピンモータ１０の回転により一方向
に回転するスピンチヤツク６と、スピンチヤツク
６の周囲を覆つて現像液の飛散を防止する上カツ
プ８と下カツプ９と、半導体基板７上に現像液Ｄ
を滴下する現像液滴下ノズル１と、半導体基板７
上に現像液ＤをN2ガスによりスプレーする現像
液スプレーノズル２と、半導体基板７を洗浄する
純水Ｗ又はリンス液Ｒを噴射する純水リンスノズ
ル３と、光源１１と、光源１１からの光を導く光
フアイバ１２と、光フアイバ１２からの光を受け
て半導体基板７の表面及び裏面周辺部をそれぞれ
照射する１対の投光器１３と、現像時に投光器１
３を現像液から遮蔽する保護板１４とを含む。
着保持してスピンモータ１０の回転により一方向
に回転するスピンチヤツク６と、スピンチヤツク
６の周囲を覆つて現像液の飛散を防止する上カツ
プ８と下カツプ９と、半導体基板７上に現像液Ｄ
を滴下する現像液滴下ノズル１と、半導体基板７
上に現像液ＤをN2ガスによりスプレーする現像
液スプレーノズル２と、半導体基板７を洗浄する
純水Ｗ又はリンス液Ｒを噴射する純水リンスノズ
ル３と、光源１１と、光源１１からの光を導く光
フアイバ１２と、光フアイバ１２からの光を受け
て半導体基板７の表面及び裏面周辺部をそれぞれ
照射する１対の投光器１３と、現像時に投光器１
３を現像液から遮蔽する保護板１４とを含む。
次に、この現像処理部の動作を説明する。ま
ず、レジスト塗布後、目合せ露光された半導体基
板７が現像処理部に搬送されてくる。
ず、レジスト塗布後、目合せ露光された半導体基
板７が現像処理部に搬送されてくる。
次に、第１図ａに示すように、半導体基板７は
スピンチヤツク６に吸着固定された後、スピンモ
ータ１０の回転により1000〜5000γpmの範囲内の
任意の回転数で回転する。
スピンチヤツク６に吸着固定された後、スピンモ
ータ１０の回転により1000〜5000γpmの範囲内の
任意の回転数で回転する。
次に、光源１１から発生する光、例えば436n
ｍの波長を含んだ光を光フアイバ１２を介して投
光器１３から半導体基板７の周辺の表面及び裏面
部と側面部に照射し、その部分に付着した不要な
レジストを露光させる。なお、図示しない駆動機
構により、投光器１３は第１図ａに示す矢印の方
向Ａ及びＢに半導体基板７の面とほぼ平行に移動
が可能である。
ｍの波長を含んだ光を光フアイバ１２を介して投
光器１３から半導体基板７の周辺の表面及び裏面
部と側面部に照射し、その部分に付着した不要な
レジストを露光させる。なお、図示しない駆動機
構により、投光器１３は第１図ａに示す矢印の方
向Ａ及びＢに半導体基板７の面とほぼ平行に移動
が可能である。
従つて、半導体基板７の周辺の表面及び裏面部
と側面部に付着したパターン形成に不必要なレジ
ストに光を照射し、レジストが現像液で除去でき
る程度にレジストを感光させることができる。
と側面部に付着したパターン形成に不必要なレジ
ストに光を照射し、レジストが現像液で除去でき
る程度にレジストを感光させることができる。
次に、第１図ｂに示すように、投光器１３を下
カツプ９内の外周部へ移動させ、現像及びリンス
時の液のはね返りを防止するため、保護板１４を
下カツプ９の上面及び下面から立てて、投光器１
３を遮蔽する。
カツプ９内の外周部へ移動させ、現像及びリンス
時の液のはね返りを防止するため、保護板１４を
下カツプ９の上面及び下面から立てて、投光器１
３を遮蔽する。
次に、スピンモータ１０を停止し半導体基板７
上へ現像液Ｄを供給し現像処理を行う。
上へ現像液Ｄを供給し現像処理を行う。
この場合、現像液滴下ノズル１又は現像液スプ
レーノズル２のいずかを使用するが、処理時間は
60〜90sである。
レーノズル２のいずかを使用するが、処理時間は
60〜90sである。
次に、純水リンスノズル３から純水Ｗを現像中
の半導体基板７に放出すると同時にスピンモータ
１０を500〜1000jpmの低速で回転させ、半導体
基板７上の現像液を純水で洗い流す。
の半導体基板７に放出すると同時にスピンモータ
１０を500〜1000jpmの低速で回転させ、半導体
基板７上の現像液を純水で洗い流す。
この時の処理時間は60〜75sである。
次に、半導体基板７上に乗つている純水を除去
するため、スピンモータ１０を5000〜6000γpmの
高速で回転させ、半導体基板７上の純水を円心力
により除去する。この時に、本来パターンとして
不必要である半導体基板７の周辺の表面及び裏面
部と側面部に付着しているレジストが完全に除去
される。
するため、スピンモータ１０を5000〜6000γpmの
高速で回転させ、半導体基板７上の純水を円心力
により除去する。この時に、本来パターンとして
不必要である半導体基板７の周辺の表面及び裏面
部と側面部に付着しているレジストが完全に除去
される。
以上説明したように本発明は、レジスト塗布し
た半導体基板の目合露光後に、本来パターン形成
には不必要な半導体基板の周辺の表面及び裏面部
と側面部に付着しているレジスト部分のみに、紫
外線等のレジストを感光できる波長の光を含んだ
光を照射した後、現像処理部で現像処理を行うこ
とにより、不必要なレジスト部分を完全に除去で
きる。
た半導体基板の目合露光後に、本来パターン形成
には不必要な半導体基板の周辺の表面及び裏面部
と側面部に付着しているレジスト部分のみに、紫
外線等のレジストを感光できる波長の光を含んだ
光を照射した後、現像処理部で現像処理を行うこ
とにより、不必要なレジスト部分を完全に除去で
きる。
従つて、半導体素子製造上の最大の問題である
ごみの発生原因となるキヤリヤへの半導体基板の
出し入れ時や、エツチング等の処理取扱い中にお
いても半導体基板の周辺の表面部及び裏面部と側
面部に付着している不必要なレジストが完全に除
去されているので、ごみの発生を防止して製品の
歩留り向上を計ることができるという効果があ
る。又、本発明によれば、従来のバツクリンス方
式のように半導体基板表面のレジスト溶けが発生
しないので、ピンホール及び局部的なレジスト膜
厚減少を発生せず半導体素子の製造におけるパタ
ーン加工精度と素子特性の信頼性を向上できると
いう効果がある。
ごみの発生原因となるキヤリヤへの半導体基板の
出し入れ時や、エツチング等の処理取扱い中にお
いても半導体基板の周辺の表面部及び裏面部と側
面部に付着している不必要なレジストが完全に除
去されているので、ごみの発生を防止して製品の
歩留り向上を計ることができるという効果があ
る。又、本発明によれば、従来のバツクリンス方
式のように半導体基板表面のレジスト溶けが発生
しないので、ピンホール及び局部的なレジスト膜
厚減少を発生せず半導体素子の製造におけるパタ
ーン加工精度と素子特性の信頼性を向上できると
いう効果がある。
第１図ａ及びｂはそれぞれ本発明の一実施例の
現像処理部の周辺レジスト露光時及び現像時の断
面図、第２図は従来のレジスト現像装置の現像処
理部の一例のブロツク図である。 １……現像液滴下ノズル、２……現像液スプレ
ーノズル、３……純水リンスノズル、４……バツ
クリンス部、５……バツクブロー部、６……スピ
ンチヤツク、７……半導体基板、８……上カツ
プ、９……下カツプ、１０……スピンモータ、１
１……光源、１２……光フアイバ、１３……投光
器、１４……保護板、１５……レギユレータ、１
６……ソレノイドバルブ、１７……フイルタ、１
８……流量計、１９……エアーオペレートバル
ブ、２０……サツクバツクバルブ、２１……セン
ダ、２２……現像処理部、２３……バツフアエレ
ベータ、２４……プリベークオーブン、２５……
レシーバ、２６……キーボード、２７……デイス
プレイ。
現像処理部の周辺レジスト露光時及び現像時の断
面図、第２図は従来のレジスト現像装置の現像処
理部の一例のブロツク図である。 １……現像液滴下ノズル、２……現像液スプレ
ーノズル、３……純水リンスノズル、４……バツ
クリンス部、５……バツクブロー部、６……スピ
ンチヤツク、７……半導体基板、８……上カツ
プ、９……下カツプ、１０……スピンモータ、１
１……光源、１２……光フアイバ、１３……投光
器、１４……保護板、１５……レギユレータ、１
６……ソレノイドバルブ、１７……フイルタ、１
８……流量計、１９……エアーオペレートバル
ブ、２０……サツクバツクバルブ、２１……セン
ダ、２２……現像処理部、２３……バツフアエレ
ベータ、２４……プリベークオーブン、２５……
レシーバ、２６……キーボード、２７……デイス
プレイ。
Claims (1)
- １ レジストを塗布し目合露光された半導体装置
を上面に吸着保持し一方向に回転するスピンチヤ
ツクと、該スピンチヤツクの周囲を覆つて設けら
れるカツプ部とを備えるレジスト現像装置におい
て、前記カツプ部に前記半導体装置の周辺部を挟
むように前記半導体装置にほぼ垂直に対向配置さ
れ且つ前記半導体装置の表面に平行に移動し得る
と共に前記レジストが感光する波長の光を照射す
る一対の投光器と、現像時に該投光器を現像液か
ら遮蔽する保護板とを有することを特徴とするレ
ジスト現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16924587A JPS6412528A (en) | 1987-07-06 | 1987-07-06 | Resist development device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16924587A JPS6412528A (en) | 1987-07-06 | 1987-07-06 | Resist development device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6412528A JPS6412528A (en) | 1989-01-17 |
| JPH0558649B2 true JPH0558649B2 (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=15882932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16924587A Granted JPS6412528A (en) | 1987-07-06 | 1987-07-06 | Resist development device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6412528A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2017719C (en) * | 1990-05-29 | 1999-01-19 | Zarlink Semiconductor Inc. | Moisture-free sog process |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62142321A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-25 | Matsushita Electronics Corp | ウエハ−処理装置 |
-
1987
- 1987-07-06 JP JP16924587A patent/JPS6412528A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62142321A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-25 | Matsushita Electronics Corp | ウエハ−処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6412528A (en) | 1989-01-17 |
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