JPH02125420A - ウエハ周辺露光における露光量制御装置 - Google Patents
ウエハ周辺露光における露光量制御装置Info
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- JPH02125420A JPH02125420A JP63277455A JP27745588A JPH02125420A JP H02125420 A JPH02125420 A JP H02125420A JP 63277455 A JP63277455 A JP 63277455A JP 27745588 A JP27745588 A JP 27745588A JP H02125420 A JPH02125420 A JP H02125420A
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、IC,LSI、その他のエレクトロニクス
素子における部品の加工における微細パターンの形成工
程において、シリコンウェハに代表される半導体基板、
あるいは誘電体、金属、絶縁体等の基板に塗布されたレ
ジストの内の該基板周辺部の不要レジストを現像工程で
除去するためのウェハ周辺露光に関するものである。
素子における部品の加工における微細パターンの形成工
程において、シリコンウェハに代表される半導体基板、
あるいは誘電体、金属、絶縁体等の基板に塗布されたレ
ジストの内の該基板周辺部の不要レジストを現像工程で
除去するためのウェハ周辺露光に関するものである。
IC−?)LSI等の製造工程においては、微細パター
ンを形成するにあたって、シリコンウェハ等の表面にレ
ジストを塗布し、さらに露光、現像を行い、レジストパ
ターンを形成することが行われる。次に、このレジスト
パターンをマスクにしてイオン注入、エツチング、リフ
トオフ等の加工が行われる。
ンを形成するにあたって、シリコンウェハ等の表面にレ
ジストを塗布し、さらに露光、現像を行い、レジストパ
ターンを形成することが行われる。次に、このレジスト
パターンをマスクにしてイオン注入、エツチング、リフ
トオフ等の加工が行われる。
通常、レジストの塗布はスピンコード法によって行われ
る。スピンコード法はウェハ表面の中心位置にレジスト
を注ぎなからウェハを回転させ、遠心力によってウェハ
の表面にレジストを塗布するものである。しかしこのス
ピンコード法によると、レジストがウェハ周辺部をはみ
出し、ウェハの裏側にまわり込んでしまう場合もある。
る。スピンコード法はウェハ表面の中心位置にレジスト
を注ぎなからウェハを回転させ、遠心力によってウェハ
の表面にレジストを塗布するものである。しかしこのス
ピンコード法によると、レジストがウェハ周辺部をはみ
出し、ウェハの裏側にまわり込んでしまう場合もある。
第3図は、このウェハの裏側へまわり込んだレジストを
示すウェハの一部断面図であり、1はつエバ、1pはウ
ェハ周辺部、1aはパターン形成部のレジスト、1bは
ウェハ周辺部1pの表面のレジスト、ICがウェハ1の
エツジから裏側へまわり込んだレジストを示す。
示すウェハの一部断面図であり、1はつエバ、1pはウ
ェハ周辺部、1aはパターン形成部のレジスト、1bは
ウェハ周辺部1pの表面のレジスト、ICがウェハ1の
エツジから裏側へまわり込んだレジストを示す。
第4図はウェハに露光された回路パターンの形状を示す
図である。Tで示した1つの領域が1つの回路パターン
に相当する。ウェハ周辺部では大部分の場合正しく回路
パターンを描くことができず、たとえ描けたとしても歩
留りが悪い。したがって、ウェハ周辺部の表面もレジス
トは実際には不要なレジストである。
図である。Tで示した1つの領域が1つの回路パターン
に相当する。ウェハ周辺部では大部分の場合正しく回路
パターンを描くことができず、たとえ描けたとしても歩
留りが悪い。したがって、ウェハ周辺部の表面もレジス
トは実際には不要なレジストである。
このようなエツジからウェハ周辺部の裏側にまわり込ん
だ不要なレジスト及びウェハ周辺部の表面の不要なレジ
ストの存在は次のような問題を引き起こす。即ち、レジ
ストの塗布されたウェハはいろいろな処理工程及びいろ
いろな方式で搬送される。この時、ウェハ周辺部を機械
的につかんで保持したり、ウェハ周辺部がウェハカセッ
ト等の収納器の壁にこすれたりする。この時、ウェハ周
辺部の不要レジストがとれてウェハのパターン形成部に
付着すると、正しいパターン形成ができなくなり、歩留
りを下げる。
だ不要なレジスト及びウェハ周辺部の表面の不要なレジ
ストの存在は次のような問題を引き起こす。即ち、レジ
ストの塗布されたウェハはいろいろな処理工程及びいろ
いろな方式で搬送される。この時、ウェハ周辺部を機械
的につかんで保持したり、ウェハ周辺部がウェハカセッ
ト等の収納器の壁にこすれたりする。この時、ウェハ周
辺部の不要レジストがとれてウェハのパターン形成部に
付着すると、正しいパターン形成ができなくなり、歩留
りを下げる。
ウェハ周辺部の不要レジストが「ゴミ」となって歩留り
を低下させることは、特に集積回路の高機能化、微細化
が進みつつある現在、深刻な問題となっている。
を低下させることは、特に集積回路の高機能化、微細化
が進みつつある現在、深刻な問題となっている。
そこで、このようなウェハ周辺部の不要レジストを除去
する技術として、溶剤噴射法によってウェハ周辺部の裏
面から溶剤を噴射して不要なレジストを溶かし去り除去
する技術が実用化されている。しかし、この方法では、
第3図のはみ出し部分のレジストICは除去できるが、
ウェハ周辺部の表面のレジスト1bは除去されない。こ
のウェハ周辺部の表面のレジス)lbを除去すべくウェ
ハlの表面から溶剤を噴射するようにしても、溶剤の飛
沫の問題を生ずるばかりでなく、ウェハ周辺部の表面の
不要なレジスト1bと後のエツチングやイオン注入等の
際のマスク層として必要なレジストであるパターン形成
部のレジスト1aとの境界部分をシャープに、かつ制御
性良く不要レジストのみを除去することはできない。
する技術として、溶剤噴射法によってウェハ周辺部の裏
面から溶剤を噴射して不要なレジストを溶かし去り除去
する技術が実用化されている。しかし、この方法では、
第3図のはみ出し部分のレジストICは除去できるが、
ウェハ周辺部の表面のレジスト1bは除去されない。こ
のウェハ周辺部の表面のレジス)lbを除去すべくウェ
ハlの表面から溶剤を噴射するようにしても、溶剤の飛
沫の問題を生ずるばかりでなく、ウェハ周辺部の表面の
不要なレジスト1bと後のエツチングやイオン注入等の
際のマスク層として必要なレジストであるパターン形成
部のレジスト1aとの境界部分をシャープに、かつ制御
性良く不要レジストのみを除去することはできない。
そこで、最近ではパターン形成のための露光工程とは別
に、ウェハ周辺部の不要レジストを現像工程で除去する
ために別途露光するウェハ周辺露光法が行われている。
に、ウェハ周辺部の不要レジストを現像工程で除去する
ために別途露光するウェハ周辺露光法が行われている。
このウェハ周辺露光法は、レジストの塗布されたウェハ
を回転させながら、ライトガイドファイバで導かれた光
をウェハ周辺部に照射して、ウェハ周辺部を周状に露光
するものである。
を回転させながら、ライトガイドファイバで導かれた光
をウェハ周辺部に照射して、ウェハ周辺部を周状に露光
するものである。
〔発明が解決しようとする技術的課題〕このようなウェ
ハ周辺露光においては、レジストに対する露光量が不足
すると、現像後もレジストが残留し、前述の「ゴミ」と
なって正しいパターン形成を阻害するという問題がある
。従って、ウェハ周辺部の露光量を制御してレジスト除
去に必要な一定の量に保つ必要がある。
ハ周辺露光においては、レジストに対する露光量が不足
すると、現像後もレジストが残留し、前述の「ゴミ」と
なって正しいパターン形成を阻害するという問題がある
。従って、ウェハ周辺部の露光量を制御してレジスト除
去に必要な一定の量に保つ必要がある。
フォトリソグラフィ工程のステッパによる露光の場合に
は、従来より露光時間を制御することにより露光量を一
定に保つことが行われている。しかし、ウェハ周辺露光
においては露光時間の制御によっては露光量を一定に保
つことはできない。
は、従来より露光時間を制御することにより露光量を一
定に保つことが行われている。しかし、ウェハ周辺露光
においては露光時間の制御によっては露光量を一定に保
つことはできない。
かかる課題に鑑み、本発明は、ウェハ周辺露光に適した
露光量制御方式の提供を目的とする。
露光量制御方式の提供を目的とする。
かかる目的を達成するため、本発明の露光量制御方式は
、レジストの塗布されたウェハを回転させる回転機構と
、回転するウェハのウェハ周辺部に光照射する光照射機
構と、光照射機構からの光による照度をモニタする照度
モニタと、照度モニタからの照度モニタ信号と基準照度
信号を比較する比較手段とを具備し、比較手段による比
較結果に基づき、前記回転機構の回転時間を制御して、
ウェハ周辺部の露光量を一定に保つことを特徴とする。
、レジストの塗布されたウェハを回転させる回転機構と
、回転するウェハのウェハ周辺部に光照射する光照射機
構と、光照射機構からの光による照度をモニタする照度
モニタと、照度モニタからの照度モニタ信号と基準照度
信号を比較する比較手段とを具備し、比較手段による比
較結果に基づき、前記回転機構の回転時間を制御して、
ウェハ周辺部の露光量を一定に保つことを特徴とする。
ウェハ周辺部の露光量が一定に保たれるため、現像後レ
ジストの残留がなく、「ゴミ」となってパターン形成を
阻害することがない。
ジストの残留がなく、「ゴミ」となってパターン形成を
阻害することがない。
以下、本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明の実施例であるウェハ周辺露光におけ
る露光量制御方式を説明するための概略図である。Lは
露光光源としての水銀ランプ、2は楕円集光鏡、3は平
面反射鏡、4はライトガイドファイバ、1はウェハ、6
は回転ステージ、7は照度モニタ、8は比較器、9はス
テージ駆動モータ、10はコントローラを示す。
る露光量制御方式を説明するための概略図である。Lは
露光光源としての水銀ランプ、2は楕円集光鏡、3は平
面反射鏡、4はライトガイドファイバ、1はウェハ、6
は回転ステージ、7は照度モニタ、8は比較器、9はス
テージ駆動モータ、10はコントローラを示す。
第2図は、第1図のウェハ1を上から見た概略図で、1
pはウェハの周辺部、11はライトガイドファイバから
の光により形成される露光パターン。
pはウェハの周辺部、11はライトガイドファイバから
の光により形成される露光パターン。
dは該露光パターンの幅(以下露光幅という。)を示す
。
。
第1図及び第2図のウェハ周辺露光において、水銀ラン
プLからの光はライトガイドファイバ4によって導かれ
、回転ステージ6によって回転するウェハ1の周辺部t
pを照射する。
プLからの光はライトガイドファイバ4によって導かれ
、回転ステージ6によって回転するウェハ1の周辺部t
pを照射する。
つぎに、第1図及び第2図のウェハ周辺露光における本
実施例の露光量制御方式について説明する。
実施例の露光量制御方式について説明する。
いま、
露光量 −・−・−W露光幅
−・・−dウェハの直径
−・・・・・a基準照度 ・−・−一
一一 ■。
−・・−dウェハの直径
−・・・・・a基準照度 ・−・−一
一一 ■。
モニタ照度 ・−・−・・ I基準照度
時に必要な回転時間−・・−・・ t0制御する回転時
間 ・−・・−tとすると、露光量Wを一定に
保つための条件は、π×a π×a より、 t=t0 x ■ となるようにtを制御してやれば良い。
時に必要な回転時間−・・−・・ t0制御する回転時
間 ・−・・−tとすると、露光量Wを一定に
保つための条件は、π×a π×a より、 t=t0 x ■ となるようにtを制御してやれば良い。
ここで、露光量Wはレジストの種類や膜厚によって適宜
法められる値であり、たとえば東京応化工業株式会社製
0FPR−800が2μmの厚さで塗布された場合には
、460 mJ/cm”の露光量が必要である。この場
合、基準照度I0を3000mW/cm”と設定すると
、基準照度■。時に必要な回転時間to (本実施例
では一回転とする。)は、20秒となる。ここで、何ら
かの原因でモニタ照度Iが低下し、2500mW/cw
+”となった場合は、回転時間tを長くして24秒とな
るよう、コントローラ10からのステージ駆動モータ9
に制御信号を送る。
法められる値であり、たとえば東京応化工業株式会社製
0FPR−800が2μmの厚さで塗布された場合には
、460 mJ/cm”の露光量が必要である。この場
合、基準照度I0を3000mW/cm”と設定すると
、基準照度■。時に必要な回転時間to (本実施例
では一回転とする。)は、20秒となる。ここで、何ら
かの原因でモニタ照度Iが低下し、2500mW/cw
+”となった場合は、回転時間tを長くして24秒とな
るよう、コントローラ10からのステージ駆動モータ9
に制御信号を送る。
尚、照度の経時変化の原因としては、水銀ランプ等の露
光光源の経時劣化やライトガイドファイバや投影レンズ
等の光学部品の経時劣化などが考えられる。
光光源の経時劣化やライトガイドファイバや投影レンズ
等の光学部品の経時劣化などが考えられる。
以上説明した通り、本発明のウェハ周辺露光における露
光量制御方式は、比較手段による比較結果に基づき、前
記回転機構によるウェハの回転時間を制御して、ウェハ
の周辺部の露光量を一定に保つことを特徴とするので、
照度が経時的に低下しても露光量は必要な一定の量に保
つことが可能となり、露光量不足による現像後のレジス
ト残留がなく、従って残留レジストが「ごみ」となって
パターン欠陥をもたらすことがない。
光量制御方式は、比較手段による比較結果に基づき、前
記回転機構によるウェハの回転時間を制御して、ウェハ
の周辺部の露光量を一定に保つことを特徴とするので、
照度が経時的に低下しても露光量は必要な一定の量に保
つことが可能となり、露光量不足による現像後のレジス
ト残留がなく、従って残留レジストが「ごみ」となって
パターン欠陥をもたらすことがない。
第1図は、本発明の実施例であるウェハ周辺露光におけ
る露光量制御方式を説明するための概略図、第2図は、
第1図のウェハを上から見た概略図、第3図は、このウ
ェハの裏側へまわり込んだレジストを示すウェハの一部
断面図、第4図はウェハに露光された回路パターンの形
状を示す図である。 図中、 12 ・・・−ウェハ 1、 ・・・−・−ウェハ周辺部 4・〜・−−−−・−・−一一−ライトガイドファイバ
6−・−・−・−・−・一回転スチーシフ・−−−−・
・ 照度モニタ 8 −−−−−−一比較器 9−・−・・−−−−−・−・・−・−ステージ駆動モ
ータ10−−m=・・−・・−・・−・・コントローラ
を示す。 図面の浄iF(内容に変更なし) 第 図 第 図 第 図 手続補正書c方式) %式% 1、事件の表示 昭和63年特許願第277455号 24発明の名称 ウェハ周辺露光における露光量制御方式3、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区大手町2丁目6番1号朝日東海
ビル19階 5゜ 6゜ 補正の対象 1図面」 補正の内容 願書に最初に添付した図面の浄書・別紙の通り(内容に
変更
る露光量制御方式を説明するための概略図、第2図は、
第1図のウェハを上から見た概略図、第3図は、このウ
ェハの裏側へまわり込んだレジストを示すウェハの一部
断面図、第4図はウェハに露光された回路パターンの形
状を示す図である。 図中、 12 ・・・−ウェハ 1、 ・・・−・−ウェハ周辺部 4・〜・−−−−・−・−一一−ライトガイドファイバ
6−・−・−・−・−・一回転スチーシフ・−−−−・
・ 照度モニタ 8 −−−−−−一比較器 9−・−・・−−−−−・−・・−・−ステージ駆動モ
ータ10−−m=・・−・・−・・−・・コントローラ
を示す。 図面の浄iF(内容に変更なし) 第 図 第 図 第 図 手続補正書c方式) %式% 1、事件の表示 昭和63年特許願第277455号 24発明の名称 ウェハ周辺露光における露光量制御方式3、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区大手町2丁目6番1号朝日東海
ビル19階 5゜ 6゜ 補正の対象 1図面」 補正の内容 願書に最初に添付した図面の浄書・別紙の通り(内容に
変更
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 レジストの塗布されたウェハを回転させる回転機構と、
回転するウェハのウェハ周辺部に光照射する光照射機構
と、光照射機構からの光による照度をモニタする照度モ
ニタと、照度モニタからの照度モニタ信号と基準照度信
号を比較する比較手段とを具備し、 比較手段による比較結果に基づき、前記回転機構による
ウェハの回転時間を制御して、ウェハ周辺部の露光量を
一定に保つことを特徴とするウェハ周辺露光における露
光量制御方式。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63277455A JPH0795519B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | ウエハ周辺露光における露光量制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63277455A JPH0795519B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | ウエハ周辺露光における露光量制御装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02125420A true JPH02125420A (ja) | 1990-05-14 |
JPH0795519B2 JPH0795519B2 (ja) | 1995-10-11 |
Family
ID=17583823
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63277455A Expired - Lifetime JPH0795519B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | ウエハ周辺露光における露光量制御装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0795519B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007220890A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Toshiba Corp | 塗布現像処理装置における基板周縁処理方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5771132A (en) * | 1980-10-21 | 1982-05-01 | Canon Inc | Exposure controlling system |
JPS5892221A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-06-01 | Nec Kyushu Ltd | 半導体基板露光装置 |
-
1988
- 1988-11-04 JP JP63277455A patent/JPH0795519B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5771132A (en) * | 1980-10-21 | 1982-05-01 | Canon Inc | Exposure controlling system |
JPS5892221A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-06-01 | Nec Kyushu Ltd | 半導体基板露光装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007220890A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Toshiba Corp | 塗布現像処理装置における基板周縁処理方法 |
US8084194B2 (en) | 2006-02-16 | 2011-12-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate edge treatment for coater/developer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0795519B2 (ja) | 1995-10-11 |
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