JPH08264416A - 半導体ウエハの周辺露光方法及び周辺露光装置 - Google Patents

半導体ウエハの周辺露光方法及び周辺露光装置

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Publication number
JPH08264416A
JPH08264416A JP7063999A JP6399995A JPH08264416A JP H08264416 A JPH08264416 A JP H08264416A JP 7063999 A JP7063999 A JP 7063999A JP 6399995 A JP6399995 A JP 6399995A JP H08264416 A JPH08264416 A JP H08264416A
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JP
Japan
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resist
wafer
semiconductor wafer
pure water
developing solution
Prior art date
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Pending
Application number
JP7063999A
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English (en)
Inventor
Mari Muta
真理 牟田
Yosuke Matsue
洋介 松江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPH08264416A publication Critical patent/JPH08264416A/ja
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウエハ周辺部の露光を行う際、レジストの発
泡、飛散及び再付着を有効に防止することができる装置
及び方法を提供する。 【構成】 半導体ウエハの周辺露光方法は、半導体ウエ
ハの周辺部に現像液を付与する現像液付与工程と、この
付与された現像液の上からウエハ周辺を露光する露光工
程と、を含んでいる。また、半導体ウエハの周辺露光装
置は、半導体ウエハの周辺部に現像液を付与する現像液
付与手段と、この付与された現像液の上からウエハ周辺
を露光する露光手段と、を含んでいる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置製造工程
のレジストパターン形成工程において、ウエハ周辺部の
不要レジストを除去するための周辺露光方法及び周辺露
光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図5は従来の半導体装置製造工程のレジ
ストパターン形成工程のフローを示す図である。図5に
示すように、一般の半導体装置製造工程では、パターン
形成のためのレジスト塗布(図5(a))及びその露光
工程(図5(b))の後に、ウエハ周辺の不要レジスト
を現像工程で除去するためにウエハ周辺を選択的に別途
露光するウエハ周辺露光が行われ(図5(c))、その
後に現像を行い(図5(d))、レジストパターン形成
を完成する(図5(e))ようにしている。
【0003】図6はこの半導体装置製造工程のレジスト
パターン形成工程において行われる一般的なウエハ周辺
部の露光のための方法及び装置を示す模式図である。図
中、1はウエハ、2はレジストを示しており、ウエハ1
は真空吸着によってチャック3に固定される。チャック
3は下部にモータ(図示せず)を有しており、モータの
回転に伴いチャック3が回転するように構成されてい
る。次に動作について説明する。チャック3上にウエハ
1を真空吸着により固定する。チャック3上のウエハ1
を回転させながら、水銀ランプ4の光を光ファイバ5を
通してウエハ1に照射し、特定部分、例えばウエハ周辺
部の露光を行っている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の周辺露光は以上
のようにして行われているので、露光中に発生する窒素
ガスが原因で、レジスト2が発泡してレジスト片2aと
して飛散してウエハ上に再付着して異物となり(図7参
照)、パターン欠陥となる問題があった。
【0005】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、レジストの発泡による異物の
発生及び異物によるパターン欠陥を防止することができ
る、半導体ウエハの周辺露光方法及び周辺露光装置を提
供することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】以上のような課題を解決
するための本発明による半導体ウエハの周辺露光方法
は、半導体ウエハの周辺部に現像液を付与する現像液付
与工程と、この付与された現像液の上からウエハ周辺を
露光する露光工程と、を含むものである。
【0007】またこの周辺露光方法においては、前記現
像液付与工程は、半導体ウエハの表面全体に、現像液を
表面張力により盛るものであることが望ましい。
【0008】また本発明による半導体ウエハの周辺露光
装置は、半導体ウエハの周辺部に現像液を付与する現像
液付与手段と、この付与された現像液の上からウエハ周
辺を露光する露光手段と、を含むものである。
【0009】また本発明による半導体ウエハの周辺露光
方法は、半導体ウエハに純水を付与して、半導体ウエハ
の表面全体に純水が表面張力により盛られた状態にする
純水付与工程と、この付与された純水の上からウエハ周
辺を露光する露光工程と、を含むものである。
【0010】さらに本発明による半導体ウエハの周辺露
光装置は、半導体ウエハに純水を付与して、半導体ウエ
ハの表面全体に純水が表面張力により盛られた状態にす
る純水付与手段と、この付与された純水の上からウエハ
周辺を露光する露光手段と、を含むものである。
【0011】
【作用】本発明においては、露光前にウエハの周辺部に
現像液を付与するようにしたので、従来のように周辺露
光時にレジストが発泡してレジスト片が飛散すること
を、有効に防止することができる。すなわち、本発明で
は、現像液によりレジストが溶解されるので、露光して
も、発泡の原因の一つであるレジスト表面の硬化層が形
成されにくくなるので、発泡が発生しなくなる。また本
発明では、現像液によりレジスト表面層が溶解されるの
で、もし窒素ガスが発生してレジストが発泡しそうにな
ってもレジスト片が飛散する前に溶解することになる。
さらに本発明では、仮に露光によりレジストが発泡して
レジスト片が飛散しても、レジスト片は、ウエハに再付
着する前に現像液に捕らえられ、現像液の中で溶解され
るため、ウエハ上への再付着が防止されるようになる。
よって本発明によれば、従来生じていた周辺露光により
飛散し再付着したレジスト片によるパターン欠陥をなく
すことができる。
【0012】また特に、本発明において、現像液付与を
行う場合に、半導体ウエハの表面全体に、現像液を表面
張力により盛るようにすることにより、現像液の付与が
効率的に行えるようになる。
【0013】また本発明においては、半導体ウエハの表
面全体に純水が表面張力により盛られた状態になるよう
に純水を付与し、この付与され盛られた純水の上からウ
エハ周辺を露光するようにしているので、従来のように
周辺露光時にレジストが発泡してレジスト片が飛散しウ
エハに再付着することを、有効に防ぐことができる。す
なわち、本発明では、レジスト層の上に純水が盛られて
いるので、もし露光により窒素ガスが発生してレジスト
が発泡しそうになっても、純水がその上を覆っているの
で、レジスト片が飛散することがなくなる。また、仮に
露光によりレジスト片が飛散しても、ウエハに再付着す
る前に純水に捕らえられるため、ウエハ上への再付着が
防止されるようになる。よって本発明によれば、従来生
じていた周辺露光により飛散し再付着したレジスト片に
よるパターン欠陥を、なくすことができる。
【0014】
【実施例】
実施例1.以下、この発明の実施例1を図1及び図2に
基づいて説明する。図1において、1はウエハ、2はウ
エハに塗布されたレジストを示す。ウエハ1はモータ
(図示せず)等で回転するチャック3上に真空吸着され
ている。露光は水銀ランプ4と光を中継する光ファイバ
5で行う。さらに図1において、7は現像液6を塗布す
るためのノズル、8は廃液用のパイプ、9は換気用のパ
イプである。
【0015】次に実際の周辺露光フローについて図2を
参照して説明する。まず、ノズル7より現像液6がウエ
ハ1上に盛られる。その後、光ファイバ5を介して水銀
ランプ4の光が露光される(図2(a))。このとき、
レジスト2は現像液6により溶解されるので、レジスト
2が発泡が発生することはまずない。また仮にレジスト
2に発泡が発生しても、レジスト2の上を現像液6が覆
っているので、レジスト片2aが飛散することはない。
さらにまた仮にレジスト片2aが飛散しても、飛散した
レジスト片2aは現像液6に浮いた状態で捕らえられ
(図2(a))、その後溶解する(図2(b))ので、
レジスト片2aがウエハ1に再付着することはない。周
辺露光後は、ウエハ1上を水洗し乾燥することにより、
露光された部分のレジスト2が除去される(図2
(c))。
【0016】なお。この実施例1では、図1及び図2に
示すように、現像液はウエハ1上の全体に塗布されてお
り、現像液は表面張力によってウエハ1上の全体にある
程度の厚さで盛られた状態になっているが、本発明はこ
れに限られるものではなく、例えば、周辺露光の対象と
なるウエハ1の周辺部にのみ選択的に現像液を塗布など
により付与するようにしてもよい。
【0017】実施例2.次に、この発明の実施例2を図
3及び図4に基づいて説明する。図3において、1はウ
エハ、2はウエハに塗布されたレジスト、3はウエハ1
を真空吸着してモータ(図示せず)等で回転するチャッ
ク、4は露光を行うための水銀ランプ、5は光を中継す
る光ファイバ、16は純水、7は純水16を排出するノ
ズル、8は廃液用のパイプ、9は換気用のパイプであ
る。
【0018】次に実際の周辺露光フローについて図4を
参照して説明する。まず、ノズル7より純水16がウエ
ハ1上に排出され、純水16は、表面張力により、ウエ
ハ1の表面全体に、ある程度の厚みで盛られる。その
後、光ファイバ5を介して水銀ランプ4の光が露光され
る。このとき、レジスト2に発泡が発生しても、レジス
ト2の上には純水16が盛られた状態で覆っている(図
4(a))ので、レジスト片2aが飛散することはな
い。また仮にレジスト片2aが飛散したとしても、レジ
スト片2aはウエハ1に再付着する前に純水16に浮い
た状態で維持される(図4(b))ので、ウエハ1上に
再付着することが防止される。周辺露光後は、ウエハ1
上を水洗し乾燥することにより、露光された部分のレジ
ストが除去される(図4(c))。
【0019】なお、特開平4−111415号公報で
は、周辺露光と同時に又はその直前に純水を周辺露光の
対象となるウエハ周辺部に対して連続的に又は間欠的に
噴出又は吐出することにより、周辺露光により発生する
レジスト片・レジスト粒子を、この次々に吐出される純
水により捕獲して洗い流すようにする技術、が開示され
ている。本実施例では、前述のように、純水をウエハ周
辺のみでなくウエハ表面の全体に表面張力によりある程
度の厚みで盛るようにしており、この点でこの特開平4
−111415号公報の発明と本実施例とは異なってい
る。本実施例によれば、純水を単にウエハ上に盛るだけ
なので、純水を連続的又は間欠的に噴出又は吐出してい
く前記公報の発明に比べて純水の使用量が大幅に少なく
て済む。また、本実施例では、ウエハ上を純水が表面張
力によりある程度の厚みで覆うことによりレジスト片が
飛散することを防止しまた仮にレジスト片が飛散しても
この盛られた純水で捕獲して再付着することを防止する
ようにしているが、前記の特開平4−111415号公
報の発明では、飛散されるレジスト片を純水で次々と洗
い流すようにしており、この点で両者はその作用効果が
大きく異なっている。
【0020】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば現像液を
ウエハ上に盛った状態で露光するようにしたので、従来
のように周辺露光時にレジストが発泡してレジスト片が
飛散すもことを、有効に防止することができる。また、
ウエハ周辺へ現像液を付与するための現像液ノズルは従
来の現像ユニットのものをそのまま使用できるので、周
辺露光のための余分なコスト増が抑えられる。また、周
辺露光時のレジスト発泡対策のために従来行っていたレ
ジストの種類毎の条件の見直しが不要となるため、複数
種類のレジストについて単一・同一の処理が可能とな
る。さらに、露光と現像を同一ユニットで行うことがで
きるため、半導体製造装置の省スペース化が可能とな
り、またスループット向上という効果も得られる。
【0021】また特に、本発明において、前記の現像液
付与を行う場合に、半導体ウエハの表面全体に、現像液
を表面張力により盛るようにすることにより、現像液の
付与が効率的に行えるようになる。
【0022】また本発明においては、半導体ウエハの表
面全体に純水が表面張力により盛られた状態になるよう
に純水を付与し、この盛られた純水の上からウエハ周辺
を露光するようにしているので、従来のように周辺露光
時にレジストが発泡してレジスト片が飛散することを、
有効に防止することができる。また、周辺露光時のレジ
スト発泡対策のために従来行っていたレジストの種類毎
の条件の見直しが不要となるため、複数種類のレジスト
について単一・同一の処理が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例1による半導体ウエハの周辺
露光装置の模式図である。
【図2】本発明の実施例1を使用した周辺露光方法を示
す図である。
【図3】この発明の実施例2による半導体ウエハの周辺
露光装置の模式図である。
【図4】本発明の実施例2を使用した周辺露光方法を示
す図である。
【図5】従来のレジストパタン形成工程のフローを示す
模式図である。
【図6】従来の半導体ウエハの周辺露光装置を示す模式
図である。
【図7】従来の半導体ウエハの周辺露光方法の問題点を
示す図である。
【符号の説明】
1 ウエハ. 2 レジスト. 2a レジスト片 3
チャック.4 水銀ランプ. 5 光ファイバ. 6
現像液. 16 純水.7 ノズル. 8 廃液パイ
プ. 9 排気パイプ. 10 紫外線.11 マス
ク. 12 レンズ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ウエハの周辺露光方法において、 半導体ウエハの周辺部に現像液を付与する現像液付与工
    程と、 この付与された現像液の上からウエハ周辺を露光する露
    光工程と、を含む、半導体ウエハの周辺露光方法。
  2. 【請求項2】 請求項1において、前記現像液付与工程
    は、半導体ウエハ表面の全体に、現像液を表面張力によ
    り盛るものである、半導体ウエハの周辺露光方法。
  3. 【請求項3】 半導体ウエハの周辺露光装置において、 半導体ウエハの周辺部に現像液を付与する現像液付与手
    段と、 この付与された現像液の上からウエハ周辺を露光する露
    光手段と、を含む、半導体ウエハの周辺露光装置。
  4. 【請求項4】 半導体ウエハの周辺露光方法において、 半導体ウエハに純水を付与して、半導体ウエハ表面の全
    体に純水が表面張力により盛られた状態にする純水付与
    工程と、 この付与された純水の上からウエハ周辺を露光する露光
    工程と、を含む、半導体ウエハの周辺露光方法。
  5. 【請求項5】 半導体ウエハの周辺露光装置において、 半導体ウエハに純水を付与して、半導体ウエハ表面の全
    体に純水が表面張力により盛られた状態にする純水付与
    手段と、 この付与された純水の上からウエハ周辺を露光する露光
    手段と、を含む、半導体ウエハの周辺露光装置。
JP7063999A 1995-03-23 1995-03-23 半導体ウエハの周辺露光方法及び周辺露光装置 Pending JPH08264416A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100330481B1 (ko) * 1999-12-30 2002-04-01 황인길 반도체 노광 장치
DE19732506B4 (de) * 1997-07-29 2005-05-19 Daimlerchrysler Ag Verfahren zur Herstellung von Multimode-Wellenleitern und Wellenleiterstrukturen

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