JPH04111415A - 半導体ウェハーの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体の製造、特に半導体ウェハーの周辺露
光方法に関するものである。

〔従来技術〕

従来半導体ウェハーに塗布したレゾストを、耐熱性、耐
ドライエツチ性を向」ニさせるだめの紫外線による硬化
を行うのが一般的となっている。しかしながらこの紫外
線による硬化における光化学反応によりウェハー周辺の
レジスト部分が発泡し発塵の原因となることも知られて
いる。このため１７ジス）　ノ？ターンを紫外線で硬化
前にウェハーの周辺の幅数部のレジスト部分を露光現象
して収り除き、レジストの発泡による障害を除去してい
る。

このレジストの部分的除去を行うための代表的なウェハ
ー周辺霧光装置を第３図に概略的に示す。

第３図において、レジスト５を塗布１−グリベークした
ウェハー１を回転可能なチャック２の上圧真空で固定す
る。次にそのウェハー１を回転及び直線的に移動させな
がらウェハーの周辺位置に光ファイバー４により紫外線
発光素子からの紫外線を照射部３に導きそれによシウェ
ノ・−上のレジスト５の周辺数瓢の部分を露光し、現像
することによりその部分を除去する。

〔発明が解決しようとする課題〕

このような周辺露光方法、露光装置ではスループットを
向上させる為、数Ｗの強い紫外線が必要である。

一般にレジスト材料として用いる塩化イソプレン等にお
いては紫外線照射を受けると光化学反応によシ窒素ガス
が発生するがその様な強い紫外線照射によりレジスト中
に発生したこの窒素ガスによってレジスト材料がウェノ
・−内部にまで飛散しパターン欠陥等の問題を生じさせ
る。

この発明は以上述べた周辺露光装置における周辺露光時
にレジスト内に発生する窒素ガスの発泡によるレジスト
材料の飛散を防止する事を目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明によればウエノ・−の周辺露光装置におけるレ
ジスト周辺部の紫外線露光において純水を紫外線照射の
直前にまたは同時に露光されるべき部分に向けて吐出す
る。

〔作用〕

この純水の吐出によシ、紫外線露光による窒素の発泡に
よって飛散するレジスト物質が純水によシ捕獲され洗い
流される。

〔実施例〕

第１図はこの発明の実施例の概略図である。第１図にお
いてカップ８内に配置された回転チャック２上のウェハ
ー１にレジスト５コーテイング後。

ウェハーを回転させながら光ファイ／ぐ−４に接続した
照射部３によりウエノ・−１のオリエンテーションフラ
ットの部分を除く周辺部の露光を行う。

この照射の数秒前にレジスト５の露光される部分に純水
吐出ノズル６から純水を吐出させ照射によるレジスト粒
子をそれに捕獲させる０ 照射部３と純水吐出ノズル６は第２図に示すように純水
吐出ノズル６を内側として適当な支持手段によシ相対的
に固定保持されてレジストの照射部と純水供給部がレジ
スト周辺の実質的に同じ場所となるようにする。

純水は連続的に吐出あるいは露光と同時に数秒間吐出さ
せることも可能である。レジスト５の回転によシこの純
水は、レジスト照射部を半径方向外向きに流れるように
作用するから、窒素の発泡によるレジスト材料粒子は純
水に捕獲され、レジスト５から洗い流されカッ７６８の
排液管９から排出される。また窒素ガスは排気管１０に
よシ排出される。

又ウェハーのオリエンテーションフラット部の露光時に
は、ウェハー１の回転を停止し純水吐出ノズル６より純
水を連続的に吐出しウェハーを移動させながらその部分
を露光する。オリエンテーションフラット部の露光９周
辺部の露光の順番はどちらが先でも良い。

露光終了後はウェハーを高速回転させ、ウェノ・−表面
の水分を遠心的に除去し、ノ４ターニング後、現像を行
う。あるいは上記工程を逆とし、パターニング後周辺露
光を行い現像する。

〔発明の効果〕

本発明によればウエノ１−の周辺部およびオリエンテー
ションフラット部のレジストの発泡によるレジストの飛
散を防止することが出来るから、露光照度を上げること
が出来、従ってスループットの向上が図れる。

レジストコート後、あるいはレジストノやターニング後
でも周辺露光が行える。

更に、従来はレジストパターニング後すぐに（３０分以
内）現像処理を行わないとレジストノ９ターン寸法変動
が有り、周辺露光もレジストパターニング後に行う必要
があったが、本発明によればコート後に処理が可能なた
め上記の問題がなく周辺露光、現像機のインラインの必
要性が無い。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法を実施するための装置の一例を示
す図、第２図は第１図の装置の重要部の拡大図、第３図
は従来の装置を示す図である。 １・・・ウェハー　２・・・チャック、３・・・照射部
、４・・・光ファイバ、５・・・レジスト、６・・・純
水吐出ノズル。 第 図 本発明に用１）ろ装置υ 第１図 イクリを７１＜−ｔに＾略包Ｉ 従　来　イ列 第３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、レジストを塗布した半導体ウェハーを回転させつつ
   、そのウェハーの周辺部分のレジストを除去するための
   紫外線による周辺露光において、レジストの紫外線照射
   を受ける部分に、純水を噴射し、露光終了後にウェハー
   を高速回転させることを特徴とする半導体ウェハーの製
   造方法。 ２、前記純水噴射は前記照射と同時に行うことを特徴と
   する請求項１記載の半導体ウェハーの製造方法。 ３、前記純水噴射は前記照射の直前に行うことを特徴と
   する請求項１記載の半導体ウェハーの製造方法。 ４、前記純水噴射は連続的に行うことを特徴とする請求
   項１記載の半導体ウェハーの製造方法。 ５、前記純水噴射は間欠的に行うことを特徴とする請求
   項１記載の半導体ウェハーの製造方法。