JPH08195375A - 回転乾燥方法および回転乾燥装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 回転乾燥後、表面にミストの付着のないウエ
ハが得られるようにする。 【構成】 液体で処理したウエハを回転させつつ乾燥さ
せる際に、液膜が無くなる前より、ウエハ１表面上の液
膜が無くなった時点または液膜が無くなった直後におい
て、ウエハ１の回転数が高くなるようにその回転数を制
御するようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置製造分野に
おいて例えばリソグラフィプロセス、洗浄プロセスなど
に適用されるウエハの回転乾燥方法および回転乾燥装置
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置製造分野においては、
その製造効率を向上させるためにウエハの大口径化が進
められており、これに伴って５インチ（１２．７ｃｍ）
径以降では、ウエハを一枚ずつ処理する、いわゆる枚葉
処理が主流になっている。この枚葉処理は、薬液や純水
などの液体を用いてウエハ表面を洗浄する場合、例えば
以下のようにして行われる。

【０００３】まず図６（ａ）に示すようにウエハ５０を
保持台５１上面に載置して保持させる。次いで、図６
（ｂ）に示すようにウエハ５０を、その中心を軸として
周方向に１００ｒｐｍ程度で低速回転させるとともに、
薬液５２をウエハ５０表面に供給する。次に図６（ｃ）
に示すように、薬液５２が盛られた状態でウエハ５０を
静止または１０ｒｐｍ程度に回転させ、所定時間そのま
ま放置してウエハ５０表面を薬液５２処理する。所定時
間経過後、図６（ｄ）に示すようにウエハ５０を１００
０ｒｐｍ程度に回転させ始めるとともに、ウエハ５０表
面に純水５３を供給して薬液５２を純水５３に置換し、
これにより洗浄処理を終了する。

【０００４】このようにして洗浄したウエハ５０表面を
乾燥させるには、図６（ｅ）に示すようにウエハ５０を
４０００ｒｐｍ程度に高速回転させて、ウエハ５０表面
の純水５３を振り切る。この後、図６（ｆ）に示すよう
にウエハ５０の回転を停止させて乾燥処理を終了する。
このような枚葉式処理技術の発達によって、リソグラフ
ィプロセスや洗浄プロセスなどはウエハの大口径化に対
応できるようになり、生産性が飛躍的に向上している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記したよ
うな枚葉処理では、ウエハ径が８インチ程度に大きくな
ると、回転乾燥後のウエハ表面に０．２μｍレベルのパ
ーティクルが５０〜１００個と多量に発生するという問
題が起きていた。

【０００６】この問題を追究している過程において、本
発明者はパーティクルの大部分がウエハの回転乾燥でウ
エハ表面上に残ったミストであることを突き止めた。つ
まり、ウエハ径が大きくなるとウエハ周辺部の周速度が
速くなるため、回転乾燥の際、図７に示すように一旦振
り切られた純水５３が保持台５１の周りを囲む処理槽５
４の内壁に激しく衝突し、跳ね返って再びウエハ５０表
面上に付着してしまう。一方、これを抑えようとしてウ
エハ５０の回転数を下げると、今度は純水５３が完全に
振り切られずにウエハ５０中心付近にミストが残ってし
まう。

【０００７】このようにウエハ５０径が大きくなると、
ウエハ５０中心付近と周辺部の周速度の差が大きくなる
ことから、ウエハ５０全域において最適な速度を得るの
が困難となり、ウエハ５０表面上にミストが残ってしま
うのである。このミストは多量の不純物を含むため、他
のパーティクルと同様にエッチング不良などを引き起こ
し、製造歩留りを低下させる原因となる。したがって、
乾燥後ミストの付着のないウエハを得ることができる回
転乾燥方法および回転乾燥装置の開発が強く要求されて
いるのである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者は上記知見に基
づいて鋭意研究した結果、以下に示す発明を完成させ
た。すなわち、本発明の回転乾燥方法は、液体で処理し
たウエハを回転させつつ乾燥させる際に、ウエハ表面上
の液膜が無くなった時点または液膜が無くなった直後
に、液膜が無くなる前よりウエハの回転数が高くなるよ
うにその回転数を制御するようにする。

【０００９】上記回転数の制御は、この回転数が段階的
に変化するように行うかまたは回転数が連続的に変化す
るように行うことが好ましい。また、上記乾燥の際は、
ウエハ表面に照射した光の反射光を検出することによっ
て、その表面上に液膜が有るか無いかを検知することも
可能である。

【００１０】また本発明の回転乾燥装置は、ウエハを保
持するための保持台と、この保持台を回転させるための
駆動手段と、保持台上に保持されたウエハ表面に光を照
射するための発光手段と、そのウエハ表面に照射した発
光手段からの光の反射光を検出するための光検出手段
と、この光検出手段からの検出結果に基づいて上記駆動
手段を制御させる制御手段とを備えて構成されるもので
ある。

【００１１】

【作用】ウエハ表面上に液膜が無くなる前は、ウエハの
回転数が高いと、振り切られた液体がウエハの保持台の
周りに設けられた処理槽の内壁で跳ね返り、ウエハ表面
に再付着する。この跳ね返りは、当然のことながら回転
数が高いほど多く、また振り切られる液体の量が多いほ
ど多い。

【００１２】したがって本発明の回転乾燥方法では、ウ
エハ表面上に液膜が無くなった時点または液膜が無くな
った直後に、液膜が無くなる前よりウエハの回転数を高
くし、ウエハ表面上に液膜が有る段階ではウエハの回転
数を低く抑え、これによりウエハ表面から振り切られた
液体が跳ね返り、ウエハ表面に再付着するのを防止して
いる。また、液膜が無くなった時点でウエハ中心付近に
ミストが残っていても、液膜が無くなる前よりもウエハ
の回転数を高くすることから、残ったミストはウエハ表
面より確実に振り切られる。

【００１３】また乾燥の際に、ウエハ表面に照射した光
の反射光を検出することによって、その表面上に液膜が
有るか無いかを検知すれば、ウエハの回転数を高くする
タイミングが正確に把握される。

【００１４】また本発明の回転乾燥装置は、保持台上に
保持されたウエハ表面に光を照射するための発光手段
と、そのウエハ表面に照射した発光手段からの光の反射
光を検出するための光検出手段と、この光検出手段から
の検出結果に基づいて駆動手段を制御させる制御手段と
を備えていることから、ウエハ表面上の液膜の有無が反
射光により正確に検知され、この検知に基づく制御手段
の制御によって、保持台上に保持されたウエハを、液膜
が有る段階ではウエハ表面から振り切られた液体が跳ね
返ってウエハ表面に再付着せず、また液膜が無くなった
時点でウエハ表面に残ったミストを振り切れる回転数で
回転させることが可能になる。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳し
く説明する。図１は本発明の回転乾燥方法の第１実施例
を工程順に示す説明図であり、図１（ａ）に示す処理を
施した８インチの径のウエハ１を回転乾燥させる場合を
示したものである。

【００１６】すなわち、図１（ａ）に示す処理では、チ
ャック機構によって保持台１１上に保持された薬液処理
後のウエハ１を、その中心を軸にして周方向に１０００
ｒｐｍの回転数で回転させながら、純水ノズル１２から
ウエハ１表面に純水を供給し、ウエハ１表面の薬液を純
水に置換する。なお、置換後は、純水の供給を停止させ
る。

【００１７】そして本実施例では、こうして処理された
ウエハ１を回転させつつ乾燥させる。その際、ウエハ１
表面上の液膜が無くなった時点または液膜が無くなった
直後に、液膜が無くなる前よりウエハ１の回転数が高く
なるようにその回転数を制御するとともに、この回転数
の制御を、ウエハ１の回転数が段階的に変化する状態で
行う。ここでは、図２のグラフに示すように、ウエハ１
の回転数をウエハ１表面上の液膜が無くなる前（第１段
階）と、液膜が無くなった直後（第２段階）の２段階に
変化させる。

【００１８】すなわち、まず図１（ｂ）に示す第１段階
では、ウエハ１を１０００〜３０００ｒｐｍの回転数で
回転させる（特に、この例ではウエハ１を３０００ｒｐ
ｍの回転数で回転させる）。そしてウエハ１表面上の液
膜が無くなった直後、つまり約１０秒後に、図１（ｃ）
に示す第２段階として、ウエハ１を３０００ｒｐｍ以上
の回転数で回転させる（この例では、ウエハ１の回転数
を３５００ｒｐｍに設定し、その回転数で３秒間以上回
転させる）。

【００１９】上記した方法において、第１段階で設定さ
れるウエハ１の回転数を３０００ｒｐｍとしたのは、以
下のような理由による。つまり、ウエハ１を回転させて
ウエハ１表面の純水を振り切る場合に、保持台１１を囲
んで設けられた処理槽（図示せず）の内壁に純水が跳ね
返らない回転数の範囲は、

【数１】 ωｒ≦３１．４（ｍ／ｓｅｃ） …（１） ω：角速度 ｒ：ウエハ１の半径 と表され、この式（１）から８インチの径のウエハ１で
は、上記跳ね返りのない回転数が３０００ｒｐｍ以下で
あることが求められる。したがって第１段階では、振り
切られた純水が処理槽の内壁で跳ね返るのを防止するた
めに、ウエハ１の回転数を３０００ｒｐｍに設定してい
る。また、ウエハ１の回転数はウエハ１表面から純水が
振り切れる１０００ｒｐｍ以上であることが望ましい。

【００２０】一方、第２段階でウエハ１の回転数を３０
００ｒｐｍより高くするのは、処理槽の内壁に純水が跳
ね返らない３０００ｒｐｍの回転数で純水を振り切った
だけでは、ウエハ１中心付近にミストが残るためであ
る。ここで、ウエハ１中心付近に残ったミストが残らな
い回転数は、

【数２】 ωｒ≦３６．７（ｍ／ｓｅｃ） …（２） ω：角速度 ｒ：ウエハ１の半径 と表され、この式（２）より８インチの径のウエハ１で
は、ミストが残らない回転数が３５００ｒｐｍ以上であ
ることが求められる。したがって第２段階では、ウエハ
１表面に残ったミストを振り切るべくウエハ１の回転数
を３５００ｒｐｍ以上に設定している。

【００２１】また、ウエハ１表面上の液膜が振り切られ
て無くなる時間は、８インチの径のウエハ１を３０００
ｒｐｍで回転した場合、８秒であることが実験結果から
得られている。上記実施例において、第１段階の回転を
開始してから約１０秒後に第２段階の回転数に設定する
のは、第１段階の回転数から第２段階の回転数への切り
換え時間（０〜２秒程度）を含めたためであり、したが
って第１段階のウエハ１の回転時間は１０秒以下でよ
く、第１段階の開始から約１０秒後に第２段階の回転数
に切り換わった時点では、ウエハ１表面上に液膜が無い
状態となっている。

【００２２】さらに、第１段階の回転数でウエハ１中心
付近に残ったミストが第２段階の回転数で振り切られる
時間は３秒であることが実験結果から得られている。よ
って第２段階の回転時間は３秒以上とするのが望まし
い。

【００２３】このように上記実施例では、振り切られた
純水が処理槽の内壁で跳ね返るのを防止するためにまず
ウエハ１を３０００ｒｐｍで回転させ、ウエハ１表面上
から液膜が無くなった直後に、それよりも高い３５００
ｒｐｍで回転させてウエハ１中心付近に残ったミストを
振り切っているので、回転乾燥後は表面にミストの付着
していないウエハ１を得ることができる。なお、３５０
０ｒｐｍで回転させて振り切るミストは、跳ね返らない
大きさの粒子なっているとともにミスト自体の量が微小
となっており、よってミストを振り切る際にウエハ１表
面に再付着することがない。

【００２４】実際に、この実施例に基づいて乾燥を行っ
たところ、ウエハ１表面上にはミストが観察されなかっ
た。また従来法では、回転乾燥後、ウエハ１表面に発生
したパーティクルの数は５０〜１００個だったのが、第
１実施例ではミストが完全に振り切られて無くなったた
めに、２０個以下に低減していた。したがってこの実施
例によれば、回転乾燥後は表面にミストの付着していな
いウエハ１を得ることができるので、ミストに起因する
エッチング不良の発生等を大幅に低減することができ、
半導体装置製造の歩留りを向上させることができる。

【００２５】次に、本発明の回転乾燥方法の第２実施例
を図３に示すグラフを用いて説明する。第２実施例にお
いて、第１実施例と相異するのは、ウエハ１の回転数の
制御を、この回転数が連続的に変化する状態に行う点で
ある。

【００２６】すなわち、第１実施例と同様に図１（ａ）
に示す処理を施したウエハ１を回転させつつ乾燥させる
際、図３に示すようにウエハ１の回転数を、回転乾燥前
の１０００ｒｐｍから２０秒後に３５００ｒｐｍとなる
ように直線的に高くしていく。なお、この場合にも、ウ
エハ１表面上の液膜が無くなった時点または液膜が無く
なった直後では、液膜が無くなる前よりウエハ１の回転
数が高くなっているのは言うまでもない。

【００２７】ここでは、ウエハ１表面上の液膜が無くな
るのは、３０００ｒｐｍで約１０秒であることが実験結
果から得られているので、回転乾燥の開始から１０秒後
までは３０００ｒｐｍ以下の回転数でウエハ１が回転
し、１０秒経過した時点または１０秒直後に３０００ｒ
ｐｍより高い回転数でウエハ１が回転するように回転数
を上げていく。

【００２８】第２実施例においても、振り切られた純水
が処理槽の内壁で跳ね返るのを防止するために、液膜が
無くなる前は、ウエハ１を３０００ｒｐｍ以下の回転数
で回転させ、ウエハ１表面上から液膜が無くなった時点
または直後に、それよりも高い３５００ｒｐｍで回転さ
せるように回転数を制御するので、純水の跳ね返りを防
止できるとともに、ウエハ１中心付近に残ったミストを
確実に振り切ることができる。よって、この実施例によ
っても、回転乾燥後は表面にミストが付着していないウ
エハ１を得ることができる。

【００２９】実際に、この実施例に基づいて乾燥を行っ
たところ、第１実施例の場合と同様にウエハ１表面上に
はミストが観察されず、またミストが完全に振り切られ
て無くなったために、回転乾燥後、ウエハ１表面に発生
したパーティクルも２０個以下に低減した。したがって
第２実施例によっても、ウエハ１表面に付着しているミ
ストによるエッチング不良の発生を大幅に低減すること
ができので、半導体装置製造の歩留りを向上させること
ができる。

【００３０】なお、第２実施例では、ウエハ１の回転数
を時間に対して直線的に連続して上げていく場合につい
て述べたが、ウエハ１表面上の液膜が無くなった時点ま
たは液膜が無くなった直後に、液膜が無くなる前よりウ
エハ１の回転数が高くなるようにその回転数が連続的に
制御されれば、曲線状に回転数を高くしてもよいのは言
うまでもない。また、ウエハ１表面上の液膜が無くなる
前は一定の回転数に制御し、ウエハ１表面上の液膜が無
くなった時点または直後から連続的に回転数を上げるよ
うにしてもよく、さらには、ウエハ１表面上の液膜が無
くなる時点または直後まで連続的に回転数を上げ、その
後、液膜が無くなった時点または直後からウエハ１表面
上に残ったミストを振り切れる一定の高回転数にしても
よい。

【００３１】次に、本発明の回転乾燥装置の一実施例を
図４を用いて説明する。この回転乾燥装置１０は、ウエ
ハ１表面を薬液や純水などの液体で処理する機能と、液
体処理した後のウエハ１を回転乾燥させる機能とを備え
たものである。

【００３２】すなわち回転乾燥装置１０は、ウエハ１用
の保持台１１と、保持台１１を回転させるための本発明
の駆動手段としてのモータ１３と、保持台１１の上方に
配置された純水ノズル１２、薬液ノズル１４および反射
光検出部１５と、反射光検出部１５とモータ１３とに接
続した本発明の制御手段としての回転数制御部１６と、
保持台１１の周りを囲む状態で設けられた処理槽１７と
を備えて構成されている。

【００３３】上記保持台１１は、チャック機構を有して
おり、保持台１１上に載置されたウエハ１を吸着保持す
る。また保持台１１の下面には軸１１ａが垂下した状態
に連結されており、この軸１１ａにはモータ１３が取り
付けられている。そして、このような構成により保持台
１１は、モータ１３の駆動による軸１１ａの回転に伴っ
てその周方向に回転するようになっている。

【００３４】反射光検出部１５は、ヘリウム（Ｈｅ）−
ネオン（Ｎｅ）レーザ光（発振波長；６３２ｎｍ）など
の光を発光し、保持台１１上に保持されたウエハ１表面
にその光を照射する本発明の発光手段と、そのウエハ１
表面に照射した発光手段からの光の反射光を検出するた
めの本発明の光検出手段とを兼ねた一体型のものであ
る。この反射光検出部１５は例えば保持台１１上に保持
されたウエハ１の周辺部の上方で、かつ光の発光面と検
出面とがウエハ１表面に略平行になるように配置されて
おり、検出結果を回転制御部１６に出力するように構成
されている。

【００３５】図５は、反射光検出部１５による検出信号
の一例を示すものであり、縦軸は反射光強度、横軸は時
間（ｓｅｃ）を表している。例えば、ウエハ１表面に液
膜が存在する場合には、液膜によって反射光検出部１５
から照射された光が干渉するので、図５に示すような波
状の検出信号が出力される。一方、液膜が無くなった時
点（ｐ）からは、光の干渉がなくなるのでほぼ一定の値
の検出信号が出力される。

【００３６】また回転制御部１６は、このように反射光
検出部１５から送られた検出結果に基づいて、ウエハ１
表面上に液膜が有るか無いかを検知し、モータ１３の回
転数を制御するように構成されている。例えば図５に示
す検出信号において、ほぼ一定値の検出信号が検知され
た場合、回転制御部１６はウエハ１表面上の液膜が無く
なったと判断して、液膜が無くなる前よりウエハ１の回
転数が高くなるようにモータ１３の回転数を制御するよ
うになっている。

【００３７】次に、このような回転乾燥装置１０を用い
たウエハ１の回転乾燥方法の説明に基づき、本発明の回
転乾燥方法の第３実施例を説明する。ここでは、予め、
回転乾燥装置１０により次のような薬液処理を施したウ
エハ１を回転乾燥させる。

【００３８】すなわち、保持台１１上に保持されたウエ
ハ１表面に、薬液ノズル１４から薬液を供給する。所定
時間経過後、モータ１３の駆動によりウエハ１を周方向
に１０００ｒｐｍの回転数で回転させながら、純水ノズ
ル１２からウエハ１表面に純水を供給し、ウエハ１表面
の薬液を純水に置換する。なお、置換後は、純水の供給
を停止させる。

【００３９】このように処理されたウエハ１を回転乾燥
するにあたっては、反射光検出部１５より送られてきた
検出結果から、回転制御部１６がウエハ１表面上の液膜
が有ると判断した場合、回転制御部１６によるモータ１
３の駆動制御によってウエハ１を３０００ｒｐｍの回転
数で回転させる。また、反射光検出部１５より送られて
きた検出結果から、回転制御部１６がウエハ１表面上の
液膜が無くなったと判断した場合には、回転制御部１６
はモータ１３の回転数を上げ、ウエハ１を３５００ｒｐ
ｍで回転させる。すると、このような回転乾燥により、
表面にミストが付着しない、清浄なウエハ１が得られる
のである。

【００４０】このように本実施例においては、ウエハ１
表面上の液膜の有無を反射光を検出することによって検
知し、その結果に基づいてウエハ１の回転数を制御する
ので、ウエハ１表面上から液膜が無くなるタイミングを
正確に把握することができ、純水の跳ね返りを防止しつ
つウエハ１中心付近に残ったミストを確実にしかも効率
良く振り切ることができる。

【００４１】実際に、この実施例に基づいて乾燥を行っ
たところ、ウエハ１表面上にミストは観察されなかっ
た。また、第１および第２実施例の場合と同様にウエハ
１表面上にはミストが観察されず、またミストが完全に
振り切られて無くなったために、回転乾燥後、ウエハ１
表面に発生したパーティクルも２０個以下に低減した。
したがってこの実施例の回転乾燥装置１０および回転乾
燥方法によりウエハ１を乾燥させれば、回転乾燥後にウ
エハ１表面にミストが付着しているとによるエッチング
不良の発生を大幅に低減することができるので、半導体
装置製造の歩留りを向上させることができる。

【００４２】なお、第３実施例では、反射光検出部１５
から送られてきた検出結果から、回転制御部１６がウエ
ハ１の回転数を段階的に変化するようにモータ１３の駆
動を制御する場合について説明したが、ウエハ１の回転
数を連続的に変化するようにモータ１３の駆動を制御さ
せても良いのは言うまでもない。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように本発明の回転乾燥方
法は、ウエハ表面上に液膜が無くなった時点または液膜
が無くなった直後に、液膜が無くなる前よりウエハの回
転数を高くすることから、ウエハ表面上に液膜が有る段
階ではウエハの回転数は低く抑えられているため、ウエ
ハ表面に液膜が有る段階でウエハ表面から振り切られた
液体がウエハに跳ね返るのを防止できかつ、液膜が無く
なった後は振り切られずにウエハ中心付近に残ったミス
トを確実に振り切ることができる。したがって、回転乾
燥後、表面にミストが付着していないウエハを得ること
ができるので、ウエハ表面にミストが付着していること
に起因するエッチング不良の発生を大幅に低減すること
ができ、半導体装置製造の歩留りを向上させることがで
きる。

【００４４】また乾燥の際に、ウエハ表面に照射した光
の反射光を検出することによって、その表面上に液膜が
有るか無いかを検知すれば、ウエハの回転数を高くする
タイミングを正確に把握することができることから、液
体の跳ね返りを防止しつつウエハ中心付近に残ったミス
トを確実にしかも効率良く振り切ることができる。

【００４５】また本発明の回転乾燥装置は、保持台上に
保持されたウエハ表面に光を照射するための発光手段
と、そのウエハ表面に照射した発光手段からの光の反射
光を検出するための光検出手段と、この光検出手段から
の検出結果に基づいて駆動手段を制御させる制御手段と
を備えていることから、ウエハ表面上の液膜の有無を反
射光により正確に検知でき、この結果に基づく制御手段
の制御によって、保持台上に保持されたウエハの回転数
を、ウエハ表面上に液膜が有る段階ではウエハ表面から
振り切られた液体が跳ね返ってウエハ表面に再付着せ
ず、また液膜が無くなった時点でウエハ表面に残ったミ
ストを振り切れる回転数で回転させることができる。し
たがって、回転乾燥後は表面にミストが付着していない
清浄なウエハを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の回転乾燥方法の第１
実施例を工程順に示す説明図である。

【図２】第１実施例における回転数の制御例を示すグラ
フである。

【図３】本発明の回転乾燥方法の第２実施例における回
転数の制御例を示すグラフである。

【図４】本発明の回転乾燥装置の一実施例を示す概略構
成図である。

【図５】反射光検出部による検出信号の一例を示すグラ
フである。

【図６】（ａ）〜（ｆ）は従来法の一例を工程順に示す
説明図である。

【図７】回転乾燥時の跳ね返りの様子を示す模式図であ
る。

【符号の説明】

１ ウエハ １０ 回転乾燥装置 １１ 保持台 １３ モータ（駆動手段） １５ 反射光検出部（発光手段、光検出手段） １６ 回転制御部（制御手段）

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液体で処理したウエハを回転させつつ乾
   燥する回転乾燥方法において、 前記乾燥の際は、前記ウエハ表面上の液膜が無くなった
   時点または液膜が無くなった直後に、該液膜が無くなる
   前より前記ウエハの回転数が高くなるように該回転数を
   制御することを特徴とする回転乾燥方法。
2. 【請求項２】 前記回転数の制御を、該回転数が段階的
   に変化する状態に行うことを特徴とする請求項１記載の
   回転乾燥方法。
3. 【請求項３】 前記回転数の制御を、該回転数が連続的
   に変化する状態に行うことを特徴とする請求項１記載の
   回転乾燥方法。
4. 【請求項４】 前記乾燥の際は、前記ウエハ表面に照射
   した光の反射光を検出することによって、該表面上に液
   膜が有るか無いかを検知することを特徴とする請求項
   １、２または３記載の回転乾燥方法。
5. 【請求項５】 液体で処理したウエハを回転させつつ乾
   燥する回転乾燥装置において、 前記ウエハを保持するための保持台と、 該保持台を回転させるための駆動手段と、 前記保持台上に保持されたウエハ表面に光を照射するた
   めの発光手段と、 前記ウエハ表面に照射した前記発光手段からの光の反射
   光を検出するための光検出手段と、 該光検出手段からの検出結果に基づいて前記駆動手段を
   制御させる制御手段とを備えていることを特徴とする回
   転乾燥装置。