JP2001307986A - 半導体基板固定保持装置 - Google Patents
半導体基板固定保持装置Info
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- JP2001307986A JP2001307986A JP2000122360A JP2000122360A JP2001307986A JP 2001307986 A JP2001307986 A JP 2001307986A JP 2000122360 A JP2000122360 A JP 2000122360A JP 2000122360 A JP2000122360 A JP 2000122360A JP 2001307986 A JP2001307986 A JP 2001307986A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 洗浄液の吐出制御が適正な状態から逸脱した
場合でも、洗浄能力の低下を防止し、ウェハや半導体製
造装置の汚染を有効に防止し、かつ、製品の歩留まりの
低下を防止する。 【解決手段】 ウェハチャック４０の裏側の部分には複
数の遮蔽板４４と、隣り合う遮蔽板４４によって形成さ
れる洗浄液の通路４５が設けられている。吸入口には、
吐出ノズル４６から吐出された洗浄液が取り入れられ
る。ウェハチャック４０にウェハ３５を吸着して固定
し、所定の速度で回転させた状態で、吐出ノズルから洗
浄液を吐出させると、洗浄液は吸入口から通路４５に入
り、回転によって通路４５をウェハチャック４０の中央
部から外周部に向かって流れる。外周部に達した洗浄液
は、外周部から半径方向外側に向かって吐出されて拡散
され、ウェハ３５の裏面に達する。
場合でも、洗浄能力の低下を防止し、ウェハや半導体製
造装置の汚染を有効に防止し、かつ、製品の歩留まりの
低下を防止する。 【解決手段】 ウェハチャック４０の裏側の部分には複
数の遮蔽板４４と、隣り合う遮蔽板４４によって形成さ
れる洗浄液の通路４５が設けられている。吸入口には、
吐出ノズル４６から吐出された洗浄液が取り入れられ
る。ウェハチャック４０にウェハ３５を吸着して固定
し、所定の速度で回転させた状態で、吐出ノズルから洗
浄液を吐出させると、洗浄液は吸入口から通路４５に入
り、回転によって通路４５をウェハチャック４０の中央
部から外周部に向かって流れる。外周部に達した洗浄液
は、外周部から半径方向外側に向かって吐出されて拡散
され、ウェハ３５の裏面に達する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトリソグラフ
ィー工程におけるレジスト塗布などの際に、半導体基板
を固定・保持した状態で回転させる半導体基板固定保持
装置に関する。
ィー工程におけるレジスト塗布などの際に、半導体基板
を固定・保持した状態で回転させる半導体基板固定保持
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的なフォトリソグラフィーには、レ
ジスト塗布工程が含まれている。このレジスト塗布工程
では、被処理基板である半導体基板（以下「ウェハ」と
いう）を、レジスト塗布装置内に設けられた薬液回転塗
布機構（以下「コーターユニット」という）の半導体基
板固定保持装置（以下「ウェハチャック」という）に固
定した状態で薬液の塗布を行う。このレジスト塗布工程
までの過程において、ウェハの裏面には、直前工程から
の異物が付着したり、薬液塗布時においてウェハ裏面に
飛散した薬液ミストが付着したり、また、コーターユニ
ット内の搬送系からの異物が付着したりする。
ジスト塗布工程が含まれている。このレジスト塗布工程
では、被処理基板である半導体基板（以下「ウェハ」と
いう）を、レジスト塗布装置内に設けられた薬液回転塗
布機構（以下「コーターユニット」という）の半導体基
板固定保持装置（以下「ウェハチャック」という）に固
定した状態で薬液の塗布を行う。このレジスト塗布工程
までの過程において、ウェハの裏面には、直前工程から
の異物が付着したり、薬液塗布時においてウェハ裏面に
飛散した薬液ミストが付着したり、また、コーターユニ
ット内の搬送系からの異物が付着したりする。
【０００３】この対策として、コーターユニットの下部
に吐出ノズルを設け、これから有機溶剤等の洗浄液をウ
ェハ裏面に向けて吐出し、洗浄するということが行われ
ている。この洗浄は、ウェハ表面に薬液を塗布した後
に、ウェハチャックにウェハを固定したままウェハを一
定の速度で回転させ、この状態でコーターユニットの下
部の吐出ノズルから洗浄液を吐出させて行う。
に吐出ノズルを設け、これから有機溶剤等の洗浄液をウ
ェハ裏面に向けて吐出し、洗浄するということが行われ
ている。この洗浄は、ウェハ表面に薬液を塗布した後
に、ウェハチャックにウェハを固定したままウェハを一
定の速度で回転させ、この状態でコーターユニットの下
部の吐出ノズルから洗浄液を吐出させて行う。
【０００４】この洗浄の際の洗浄液の吐出は、その吐出
圧、吐出流量、吐出ノズルの角度、吐出ノズルの位置な
どが、洗浄力、洗浄安定性、洗浄範囲、洗浄液の使用量
等に影響する。具体的には、吐出圧、吐出流量、吐出ノ
ズルの角度、吐出ノズルの位置などの調整が不十分だ
と、ウェハ表面への洗浄液の回り込みによるパターン欠
損、ウェハチャックのウェハ接触面の汚染、不十分な洗
浄による搬送系や各ユニット内部の汚染、縮小投影露光
装置でのデフォーカスなどが発生する原因となる。この
ため、洗浄液の吐出圧、吐出量、ノズルの角度、ノズル
の位置などを、定期的に調整し直すことが必要となる。
圧、吐出流量、吐出ノズルの角度、吐出ノズルの位置な
どが、洗浄力、洗浄安定性、洗浄範囲、洗浄液の使用量
等に影響する。具体的には、吐出圧、吐出流量、吐出ノ
ズルの角度、吐出ノズルの位置などの調整が不十分だ
と、ウェハ表面への洗浄液の回り込みによるパターン欠
損、ウェハチャックのウェハ接触面の汚染、不十分な洗
浄による搬送系や各ユニット内部の汚染、縮小投影露光
装置でのデフォーカスなどが発生する原因となる。この
ため、洗浄液の吐出圧、吐出量、ノズルの角度、ノズル
の位置などを、定期的に調整し直すことが必要となる。
【０００５】また、現像装置内に設けられた回転式現像
機構（以下「デベユニット」という）の内部では、感光
剤が塗布され露光処理されたウェハを、ウェハチャック
に固定した状態で、現像液により感光部分を溶解し、そ
の後、純水によって置換するという処理が行われる。こ
の処理の際、感光部分の感光剤を確実に溶解させるため
に、一般には、ウェハの表面に向けて現像液を過剰に吐
出させる。この過剰に吐出された現像液の一部は、ウェ
ハの表面から裏面に回り込み、ウェハの裏面にも現像液
が付着してしまう。このようにウェハの裏面に現像液が
付着した場合、これを確実に洗い流さないと、続く熱処
理工程において、熱処理ユニットを汚染し、パーティク
ルが発生する原因ともなる。
機構（以下「デベユニット」という）の内部では、感光
剤が塗布され露光処理されたウェハを、ウェハチャック
に固定した状態で、現像液により感光部分を溶解し、そ
の後、純水によって置換するという処理が行われる。こ
の処理の際、感光部分の感光剤を確実に溶解させるため
に、一般には、ウェハの表面に向けて現像液を過剰に吐
出させる。この過剰に吐出された現像液の一部は、ウェ
ハの表面から裏面に回り込み、ウェハの裏面にも現像液
が付着してしまう。このようにウェハの裏面に現像液が
付着した場合、これを確実に洗い流さないと、続く熱処
理工程において、熱処理ユニットを汚染し、パーティク
ルが発生する原因ともなる。
【０００６】これまでは、この現像液の洗浄にも、コー
ターユニットと同じ方法が採られていた。このため、上
で述べたコーターユニットに関する問題点は、この現像
液の洗浄の場合にも同様に生じ得る。
ターユニットと同じ方法が採られていた。このため、上
で述べたコーターユニットに関する問題点は、この現像
液の洗浄の場合にも同様に生じ得る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法でウェハの
裏面を洗浄する場合、洗浄液の吐出圧や洗浄液の流量が
不足すると、ウェハ裏面の全体に洗浄液がかからず、ウ
ェハを十分に洗浄することができない。一方、洗浄液の
吐出圧や洗浄液の流量が過剰だと、洗浄液がウェハチャ
ックに付着したり、チャック表面が汚染されたり、多量
の洗浄液が飛ばされて洗浄液ミストがウェハ表面に付着
するなどの問題が生じる。
裏面を洗浄する場合、洗浄液の吐出圧や洗浄液の流量が
不足すると、ウェハ裏面の全体に洗浄液がかからず、ウ
ェハを十分に洗浄することができない。一方、洗浄液の
吐出圧や洗浄液の流量が過剰だと、洗浄液がウェハチャ
ックに付着したり、チャック表面が汚染されたり、多量
の洗浄液が飛ばされて洗浄液ミストがウェハ表面に付着
するなどの問題が生じる。
【０００８】また、洗浄液を吐出する吐出ノズルの角度
が適正でないと、ウェハに洗浄液がかからない部分が生
じたり、あるいはウェハで洗浄液が激しく跳ね返ってミ
ストが発生するなどの問題が生じる。吐出ノズルの位置
が適正でないと、ウェハに洗浄液がかからない部分が生
じたり、洗浄面積が不十分だったり、あるいはウェハチ
ャックの汚染が発生したりする。
が適正でないと、ウェハに洗浄液がかからない部分が生
じたり、あるいはウェハで洗浄液が激しく跳ね返ってミ
ストが発生するなどの問題が生じる。吐出ノズルの位置
が適正でないと、ウェハに洗浄液がかからない部分が生
じたり、洗浄面積が不十分だったり、あるいはウェハチ
ャックの汚染が発生したりする。
【０００９】上記のようにウェハ裏面の洗浄が不十分な
場合には、裏面の付着物によってデフォーカスが発生し
たり、熱処理ユニット内、ステッパー内、あるいはウェ
ハ裏面との接触部分が汚染されたり、パーティクルの発
生による製品不良、歩留まり低下の原因となったり、あ
るいは、次工程における半導体製造装置の汚染の原因と
もなる。また、上記のようにウェハ裏面を洗浄する際の
洗浄液が過剰な場合には、大量に発生した洗浄液ミスト
がウェハ表面に付着してパターン欠陥の原因となった
り、ウェハチャックの汚染の原因となったり、次工程に
おける半導体製造装置の汚染の原因となる。また、無駄
な洗浄液の使用によるコスト増の原因ともなる。
場合には、裏面の付着物によってデフォーカスが発生し
たり、熱処理ユニット内、ステッパー内、あるいはウェ
ハ裏面との接触部分が汚染されたり、パーティクルの発
生による製品不良、歩留まり低下の原因となったり、あ
るいは、次工程における半導体製造装置の汚染の原因と
もなる。また、上記のようにウェハ裏面を洗浄する際の
洗浄液が過剰な場合には、大量に発生した洗浄液ミスト
がウェハ表面に付着してパターン欠陥の原因となった
り、ウェハチャックの汚染の原因となったり、次工程に
おける半導体製造装置の汚染の原因となる。また、無駄
な洗浄液の使用によるコスト増の原因ともなる。
【００１０】このような問題はすべて、何らかの影響に
よって洗浄液の吐出制御が適正な状態から逸脱した結果
であり、このような適正制御状態からの逸脱は、予測不
可能な要因に基づいて発生することがほとんどである。
よって洗浄液の吐出制御が適正な状態から逸脱した結果
であり、このような適正制御状態からの逸脱は、予測不
可能な要因に基づいて発生することがほとんどである。
【００１１】本発明は、このような技術的背景に基づい
てなされたものである。すなわち、その目的は、洗浄液
の吐出制御が適正な状態から逸脱した場合でも洗浄能力
が低下することを防止し、ウェハや半導体製造装置の汚
染を有効に防止し、かつ、製品の歩留まりの低下を防止
することができる半導体基板固定保持装置を提供するこ
とである。
てなされたものである。すなわち、その目的は、洗浄液
の吐出制御が適正な状態から逸脱した場合でも洗浄能力
が低下することを防止し、ウェハや半導体製造装置の汚
染を有効に防止し、かつ、製品の歩留まりの低下を防止
することができる半導体基板固定保持装置を提供するこ
とである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項１記載の発明は、半導体基板の裏面に当接
して当該半導体基板を固定した状態で保持するととも
に、この状態で前記半導体基板を回転させる半導体基板
固定保持装置において、前記半導体基板の裏面に当接す
る側とは反対の側に、中央部から外周部へ向かう方向に
放射状に形成された洗浄液通路と、前記洗浄液通路の中
央部の側から洗浄液を供給する吐出ノズルとを設け、前
記半導体基板を保持した状態で回転しながら、前記吐出
ノズルから前記洗浄液通路に洗浄液を供給し、回転によ
って前記洗浄液通路の中央部から外周部へ流れる洗浄液
を、前記外周部から前記半導体基板の裏面に対して吐出
させることを特徴とする。
めに、請求項１記載の発明は、半導体基板の裏面に当接
して当該半導体基板を固定した状態で保持するととも
に、この状態で前記半導体基板を回転させる半導体基板
固定保持装置において、前記半導体基板の裏面に当接す
る側とは反対の側に、中央部から外周部へ向かう方向に
放射状に形成された洗浄液通路と、前記洗浄液通路の中
央部の側から洗浄液を供給する吐出ノズルとを設け、前
記半導体基板を保持した状態で回転しながら、前記吐出
ノズルから前記洗浄液通路に洗浄液を供給し、回転によ
って前記洗浄液通路の中央部から外周部へ流れる洗浄液
を、前記外周部から前記半導体基板の裏面に対して吐出
させることを特徴とする。
【００１３】請求項２記載の発明は、請求項１記載の半
導体基板固定保持装置において、前記洗浄液通路は、前
記半導体基板の裏面に当接する側とは反対の側に、中央
部から外周部へ放射状に形成された複数の遮蔽板によっ
て形成されたものであることを特徴とする。
導体基板固定保持装置において、前記洗浄液通路は、前
記半導体基板の裏面に当接する側とは反対の側に、中央
部から外周部へ放射状に形成された複数の遮蔽板によっ
て形成されたものであることを特徴とする。
【００１４】請求項３記載の発明は、請求項１又は２記
載の半導体基板固定保持装置において、前記洗浄液通路
は、水平に保持された前記半導体基板に対し、一定の角
度で傾斜していることを特徴とする。
載の半導体基板固定保持装置において、前記洗浄液通路
は、水平に保持された前記半導体基板に対し、一定の角
度で傾斜していることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態に係
る半導体基板固定保持装置（ウェハチャック）につい
て、図面を参照しながら従来のものと対比しつつ説明す
る。図１は、従来のウェハチャック２０の斜視図、図２
は、図１に示した従来のウェハチャック２０の縦断面
図、図３は、従来のウェハチャック２０をコーターユニ
ット（又はデベユニット）３０に装着し、ウェハ３５を
保持している状態を示した縦断面図である。図４は、本
実施形態に係るウェハチャック４０の縦断面図、図５
は、図４に示したウェハチャック４０を上から見た内部
構造平面図、図６は、コーターユニット５０に装着さ
れ、ウェハ３５を吸着している状態のウェハチャック４
０を示した縦断面図である。
る半導体基板固定保持装置（ウェハチャック）につい
て、図面を参照しながら従来のものと対比しつつ説明す
る。図１は、従来のウェハチャック２０の斜視図、図２
は、図１に示した従来のウェハチャック２０の縦断面
図、図３は、従来のウェハチャック２０をコーターユニ
ット（又はデベユニット）３０に装着し、ウェハ３５を
保持している状態を示した縦断面図である。図４は、本
実施形態に係るウェハチャック４０の縦断面図、図５
は、図４に示したウェハチャック４０を上から見た内部
構造平面図、図６は、コーターユニット５０に装着さ
れ、ウェハ３５を吸着している状態のウェハチャック４
０を示した縦断面図である。
【００１６】従来のウェハチャック２０は、上面のウェ
ハ吸着面２１（図２参照）に、図３に示すように、ウェ
ハ３５を吸着して固定させる。コーターユニット３０に
は、図３に示すように、ウェハチャック２０を装着した
ときに、ウェハ３５の裏面と対向する位置であってウェ
ハチャック２０に洗浄液が飛散しない位置に、吐出ノズ
ル３１が設けられている。従来のウェハチャック２０を
用いた場合のウェハ裏面の洗浄は、ウェハ３５を吸着し
た状態でウェハチャック２０を回転させ、吐出ノズル３
１から上に向けて洗浄液を吐出させていた。したがっ
て、従来のウェハチャック２０は、ウェハを固定するだ
けで、洗浄液の吐出に関しては、特別の機構は設けられ
ていなかった。
ハ吸着面２１（図２参照）に、図３に示すように、ウェ
ハ３５を吸着して固定させる。コーターユニット３０に
は、図３に示すように、ウェハチャック２０を装着した
ときに、ウェハ３５の裏面と対向する位置であってウェ
ハチャック２０に洗浄液が飛散しない位置に、吐出ノズ
ル３１が設けられている。従来のウェハチャック２０を
用いた場合のウェハ裏面の洗浄は、ウェハ３５を吸着し
た状態でウェハチャック２０を回転させ、吐出ノズル３
１から上に向けて洗浄液を吐出させていた。したがっ
て、従来のウェハチャック２０は、ウェハを固定するだ
けで、洗浄液の吐出に関しては、特別の機構は設けられ
ていなかった。
【００１７】これに対し、本実施形態のウェハチャック
４０には、図４に示すように、ウェハ吸着面４１の裏側
の部分に、ウェハチャック４０の裏側全体を被う裏面部
材４２と、この裏面部材４２とウェハチャック４０の裏
側とをつなぐ複数の柱４３と、ウェハチャック４０の裏
側から下向きに隆起した複数の遮蔽板４４が設けられて
いる。柱４３と遮蔽板４４は、図５に示すように、ウェ
ハチャック４０の中央部から外周部へ向けて放射状に、
かつ、螺旋状の曲線を描くように形成されている。
４０には、図４に示すように、ウェハ吸着面４１の裏側
の部分に、ウェハチャック４０の裏側全体を被う裏面部
材４２と、この裏面部材４２とウェハチャック４０の裏
側とをつなぐ複数の柱４３と、ウェハチャック４０の裏
側から下向きに隆起した複数の遮蔽板４４が設けられて
いる。柱４３と遮蔽板４４は、図５に示すように、ウェ
ハチャック４０の中央部から外周部へ向けて放射状に、
かつ、螺旋状の曲線を描くように形成されている。
【００１８】これら裏面部材４２、柱４３、遮蔽板４４
のうち、主として遮蔽板によって、ウェハチャック４０
の裏側に洗浄液が通る通路４５が形成される。ウェハチ
ャック４０の裏側が図４の断面に示すように傾斜してい
ることから、この通路４５は、ウェハチャック４０の中
央部側が低く、外周部側が高くなる。通路４５のうち、
ウェハチャック４０の中央に近い側は吸入口４５ａとな
り、図６に示した吐出ノズル４６から吐出された洗浄液
は、この吸入口４５ａから通路４５へ取り入れられ、ウ
ェハチャックの回転によって外周部の出口４５ｂへ向か
って流れる。吸入口４５ａ側が低いため、ウェハチャッ
ク４０の回転が停止しても、洗浄液は出口４５ｂから流
れ出ることはない。
のうち、主として遮蔽板によって、ウェハチャック４０
の裏側に洗浄液が通る通路４５が形成される。ウェハチ
ャック４０の裏側が図４の断面に示すように傾斜してい
ることから、この通路４５は、ウェハチャック４０の中
央部側が低く、外周部側が高くなる。通路４５のうち、
ウェハチャック４０の中央に近い側は吸入口４５ａとな
り、図６に示した吐出ノズル４６から吐出された洗浄液
は、この吸入口４５ａから通路４５へ取り入れられ、ウ
ェハチャックの回転によって外周部の出口４５ｂへ向か
って流れる。吸入口４５ａ側が低いため、ウェハチャッ
ク４０の回転が停止しても、洗浄液は出口４５ｂから流
れ出ることはない。
【００１９】次に、本実施形態に係るウェハチャック４
０の動作について説明する。ウェハ裏面の洗浄工程にお
いては、まず、ウェハチャック４０にウェハ３５を吸着
して固定させる。次に、ウェハを所定の速度で回転さ
せ、この状態で、吐出ノズル４６から洗浄液を吐出させ
る。吐出された洗浄液は、吸入口４５ａから通路４５に
入る。この洗浄液は、ウェハチャック４０が回転するこ
とによって、通路４５をウェハチャック４０の中央部か
ら外周部の出口４５ｂに向かって流れる。このとき、こ
の洗浄液の流れる様子を図４で見ると、一定の角度で傾
斜している通路４５の上面に沿って流れ、また、図５で
見ると、放射状の通路４５に沿って内側から外側へ流れ
る。
０の動作について説明する。ウェハ裏面の洗浄工程にお
いては、まず、ウェハチャック４０にウェハ３５を吸着
して固定させる。次に、ウェハを所定の速度で回転さ
せ、この状態で、吐出ノズル４６から洗浄液を吐出させ
る。吐出された洗浄液は、吸入口４５ａから通路４５に
入る。この洗浄液は、ウェハチャック４０が回転するこ
とによって、通路４５をウェハチャック４０の中央部か
ら外周部の出口４５ｂに向かって流れる。このとき、こ
の洗浄液の流れる様子を図４で見ると、一定の角度で傾
斜している通路４５の上面に沿って流れ、また、図５で
見ると、放射状の通路４５に沿って内側から外側へ流れ
る。
【００２０】外周部に達した洗浄液は、外周部から半径
方向外側に向かって拡散されながら吐出され、その後、
ウェハ３５の裏面に達する。このときの洗浄液の吐出角
度は、ウェハ３５に対して一定である。
方向外側に向かって拡散されながら吐出され、その後、
ウェハ３５の裏面に達する。このときの洗浄液の吐出角
度は、ウェハ３５に対して一定である。
【００２１】洗浄液を吐出ノズル４６から吐出させると
きの制御にはどうしても揺らぎが生じ、一定量の洗浄液
を安定して吐出させることは難しい。しかし、吐出ノズ
ル４６からの吐出量がある程度変動しても、最終的に
は、ウェハチャック４０の回転によってウェハチャック
４０の外周部から吐出させることにより、安定して、か
つ広範囲に、ウェハ３５の裏面に対して洗浄液を吐出さ
せることができる。このため、吐出ノズル４６から吸入
口４５ａへ吐出する洗浄液の量は、吐出量が多少変動し
ても、必要最小限の量を下回らないよう、予め一定の吐
出量を確保しておく。また、吐出ノズル４６からの洗浄
液の吐出を、ウェハ回転時に行うことにより、ウェハチ
ャック４０の表面に洗浄液が付着することを確実に防止
できる。
きの制御にはどうしても揺らぎが生じ、一定量の洗浄液
を安定して吐出させることは難しい。しかし、吐出ノズ
ル４６からの吐出量がある程度変動しても、最終的に
は、ウェハチャック４０の回転によってウェハチャック
４０の外周部から吐出させることにより、安定して、か
つ広範囲に、ウェハ３５の裏面に対して洗浄液を吐出さ
せることができる。このため、吐出ノズル４６から吸入
口４５ａへ吐出する洗浄液の量は、吐出量が多少変動し
ても、必要最小限の量を下回らないよう、予め一定の吐
出量を確保しておく。また、吐出ノズル４６からの洗浄
液の吐出を、ウェハ回転時に行うことにより、ウェハチ
ャック４０の表面に洗浄液が付着することを確実に防止
できる。
【００２２】本実施形態のウェハチャック４０の場合、
従来のウェハチャックを使用した場合の吐出圧、ノズル
角度の調整を、ウェハチャック４０の回転速度の制御に
よって行うことができる。半導体製造装置のコーターユ
ニット及びデベユニットに装備されているスピンユニッ
トは、回転速度を非常に高い精度で制御することができ
る。このため、所定の回転速度でウェハチャック４０を
回転させることで、ウェハチャック４０の外周部からウ
ェハ３５の裏面へ吐出される洗浄液の吐出状態は極めて
安定し、従来のように、吐出ノズルからの吐出量を制御
する場合に比べて、吐出量の変動はほとんどなくなる。
従来のウェハチャックを使用した場合の吐出圧、ノズル
角度の調整を、ウェハチャック４０の回転速度の制御に
よって行うことができる。半導体製造装置のコーターユ
ニット及びデベユニットに装備されているスピンユニッ
トは、回転速度を非常に高い精度で制御することができ
る。このため、所定の回転速度でウェハチャック４０を
回転させることで、ウェハチャック４０の外周部からウ
ェハ３５の裏面へ吐出される洗浄液の吐出状態は極めて
安定し、従来のように、吐出ノズルからの吐出量を制御
する場合に比べて、吐出量の変動はほとんどなくなる。
【００２３】また、ウェハチャック４０の裏面に放射状
に形成された柱４２及び遮蔽板４４を設け、これによっ
て洗浄液の通路４５を形成したことにより、ウェハチャ
ック４０の外周部の出口４５ｂから吐出される洗浄液の
整流効果が得られ、洗浄液が均一に拡散されてウェハ３
５の裏面に到達する。このため、ウェハ３５の裏面の洗
浄効果も均一となる。
に形成された柱４２及び遮蔽板４４を設け、これによっ
て洗浄液の通路４５を形成したことにより、ウェハチャ
ック４０の外周部の出口４５ｂから吐出される洗浄液の
整流効果が得られ、洗浄液が均一に拡散されてウェハ３
５の裏面に到達する。このため、ウェハ３５の裏面の洗
浄効果も均一となる。
【００２４】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨の範囲内において、種々の変
更が可能である。
るものではなく、その要旨の範囲内において、種々の変
更が可能である。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
裏面の中央部から外周部へ向かう方向に放射状に洗浄液
通路を形成し、回転によって、吐出ノズルから供給され
た洗浄液を中央部から外周部へ流したあと、最終的に外
周部から洗浄液を拡散させて、半導体装置の裏面に洗浄
液を吐出させるようにしたことにより、吐出ノズルから
供給される洗浄液の圧力や流量などが、適正な制御状態
から多少変動しても、最終的に半導体基板の裏面に対し
て吐出される洗浄液の圧力や流量はほぼ一定に保たれ、
このため、ウェハ裏面の洗浄効果が向上し、かつ安定す
る。このため、半導体製品の歩留まりの低下を有効に防
止できる。また、従来のように、吐出ノズルの位置や角
度についての微妙な調整が不要となり、使い勝手に優れ
たものとなる。さらに、洗浄効果が向上することによ
り、洗浄液の余分な消費を削減でき、洗浄工程のコスト
ダウンにつながる。また、半導体基板を吸着し、回転さ
せているときのみ吐出ノズルから洗浄液を吐出するよう
にすることにより、ウェハや半導体製造装置だけでな
く、半導体基板固定保持装置そのものの汚れを防止する
ことができる。
裏面の中央部から外周部へ向かう方向に放射状に洗浄液
通路を形成し、回転によって、吐出ノズルから供給され
た洗浄液を中央部から外周部へ流したあと、最終的に外
周部から洗浄液を拡散させて、半導体装置の裏面に洗浄
液を吐出させるようにしたことにより、吐出ノズルから
供給される洗浄液の圧力や流量などが、適正な制御状態
から多少変動しても、最終的に半導体基板の裏面に対し
て吐出される洗浄液の圧力や流量はほぼ一定に保たれ、
このため、ウェハ裏面の洗浄効果が向上し、かつ安定す
る。このため、半導体製品の歩留まりの低下を有効に防
止できる。また、従来のように、吐出ノズルの位置や角
度についての微妙な調整が不要となり、使い勝手に優れ
たものとなる。さらに、洗浄効果が向上することによ
り、洗浄液の余分な消費を削減でき、洗浄工程のコスト
ダウンにつながる。また、半導体基板を吸着し、回転さ
せているときのみ吐出ノズルから洗浄液を吐出するよう
にすることにより、ウェハや半導体製造装置だけでな
く、半導体基板固定保持装置そのものの汚れを防止する
ことができる。
【図１】従来のウェハチャックの斜視図である。
【図２】図１に示した従来のウェハチャックの縦断面図
である。
である。
【図３】従来のウェハチャックをコーターユニット（又
はデベユニット）に装着し、ウェハを保持した状態を示
した縦断面図である。
はデベユニット）に装着し、ウェハを保持した状態を示
した縦断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係るウェハチャックの縦断
面図である。
面図である。
【図５】図４に示したウェハチャックを上から見た内部
構造平面図である。
構造平面図である。
【図６】コーターユニットに装着され、ウェハを吸着し
ている状態のウェハチャックを示した縦断面図である。
ている状態のウェハチャックを示した縦断面図である。
２０…ウェハチャック ２１…ウェハ吸着面 ３０…コ
ーターユニット ３１…吐出ノズル ３５…ウェハ（半
導体基板） ４０…ウェハチャック ４１…ウェハ吸着
面 ４２…裏面部材 ４３…柱 ４４…遮蔽部材 ４５
…通路 ４６…吐出ノズル
ーターユニット ３１…吐出ノズル ３５…ウェハ（半
導体基板） ４０…ウェハチャック ４１…ウェハ吸着
面 ４２…裏面部材 ４３…柱 ４４…遮蔽部材 ４５
…通路 ４６…吐出ノズル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｃ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板の裏面に当接して当該半導体
基板を固定した状態で保持するとともに、この状態で前
記半導体基板を回転させる半導体基板固定保持装置にお
いて、 前記半導体基板の裏面に当接する側とは反対の側に、中
央部から外周部へ向かう方向に放射状に形成された洗浄
液通路と、 前記洗浄液通路の中央部の側から洗浄液を供給する吐出
ノズルとを設け、 前記半導体基板を保持した状態で回転しながら、前記吐
出ノズルから前記洗浄液通路に洗浄液を供給し、回転に
よって前記洗浄液通路の中央部から外周部へ流れる洗浄
液を、前記外周部から前記半導体基板の裏面に対して吐
出させることを特徴とする半導体基板固定保持装置。 - 【請求項２】 前記洗浄液通路は、前記半導体基板の裏
面に当接する側とは反対の側に、中央部から外周部へ放
射状に形成された複数の遮蔽板によって形成されたもの
であることを特徴とする請求項１記載の半導体基板固定
保持装置。 - 【請求項３】 前記洗浄液通路は、水平に保持された前
記半導体基板に対し、一定の角度で傾斜していることを
特徴とする請求項１又は２記載の半導体基板固定保持装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000122360A JP2001307986A (ja) | 2000-04-24 | 2000-04-24 | 半導体基板固定保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000122360A JP2001307986A (ja) | 2000-04-24 | 2000-04-24 | 半導体基板固定保持装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001307986A true JP2001307986A (ja) | 2001-11-02 |
Family
ID=18632844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000122360A Pending JP2001307986A (ja) | 2000-04-24 | 2000-04-24 | 半導体基板固定保持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001307986A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008124368A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 塗布方法 |
| JP6010661B1 (ja) * | 2015-06-02 | 2016-10-19 | 株式会社ソフ．エンジニアリング | 多段枚葉式基板処理装置 |
| KR20200051869A (ko) * | 2018-11-05 | 2020-05-14 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| CN111326473A (zh) * | 2020-04-08 | 2020-06-23 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种硅片承载装置及边缘抛光设备 |
-
2000
- 2000-04-24 JP JP2000122360A patent/JP2001307986A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008124368A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 塗布方法 |
| JP6010661B1 (ja) * | 2015-06-02 | 2016-10-19 | 株式会社ソフ．エンジニアリング | 多段枚葉式基板処理装置 |
| KR20200051869A (ko) * | 2018-11-05 | 2020-05-14 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102139604B1 (ko) * | 2018-11-05 | 2020-07-31 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| CN111326473A (zh) * | 2020-04-08 | 2020-06-23 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种硅片承载装置及边缘抛光设备 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070125 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090727 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091126 |