JP2001147540A - 現像装置 - Google Patents
現像装置Info
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- JP2001147540A JP2001147540A JP32965299A JP32965299A JP2001147540A JP 2001147540 A JP2001147540 A JP 2001147540A JP 32965299 A JP32965299 A JP 32965299A JP 32965299 A JP32965299 A JP 32965299A JP 2001147540 A JP2001147540 A JP 2001147540A
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- JP
- Japan
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- wafer
- gas
- knife edge
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハー２の裏面全面から現像液３を除去す
る機能を有する現像装置を提供する。 【解決手段】 ウェハー２の裏面側でウェハー２の回転
中心Ｏからウェハー２の周縁側の径方向に向けてガスを
吐出させ、そのガス流でナイフエッジリング４とウェハ
ー２の隙間Ｓを通って現像液３が内側に入り込むのを阻
止するようにしている。
る機能を有する現像装置を提供する。 【解決手段】 ウェハー２の裏面側でウェハー２の回転
中心Ｏからウェハー２の周縁側の径方向に向けてガスを
吐出させ、そのガス流でナイフエッジリング４とウェハ
ー２の隙間Ｓを通って現像液３が内側に入り込むのを阻
止するようにしている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハーの裏面か
ら現像液を除去する機能を有する現像装置に関するもの
である。
ら現像液を除去する機能を有する現像装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】一般的な現像装置は図３に示すように、
スピンチャック１にウェハー２を真空吸着して、ウェハ
ー２を回転させた状態で現像液３をウェハー２の回転中
心Ｏに滴下し、遠心力により現像液３をウェハー２の全
面に拡散して、ウェハー２上のフォトレジストを現像液
３で現像処理するようになっている。
スピンチャック１にウェハー２を真空吸着して、ウェハ
ー２を回転させた状態で現像液３をウェハー２の回転中
心Ｏに滴下し、遠心力により現像液３をウェハー２の全
面に拡散して、ウェハー２上のフォトレジストを現像液
３で現像処理するようになっている。
【０００３】遠心力により現像液３をウェハー２の全面
に拡散する際には、現像液３はウェハー２の回転中心Ｏ
から周縁に向けて拡大拡散するため、現像液３がウェハ
ー２の周縁に到達した際に、余分な現像液３がウェハー
２の周縁を伝ってウェハー２の裏面側に廻り込み、ウェ
ハー２の裏面に塗布される。
に拡散する際には、現像液３はウェハー２の回転中心Ｏ
から周縁に向けて拡大拡散するため、現像液３がウェハ
ー２の周縁に到達した際に、余分な現像液３がウェハー
２の周縁を伝ってウェハー２の裏面側に廻り込み、ウェ
ハー２の裏面に塗布される。
【０００４】この現像液３による膜は後工程での処理に
悪影響を及ぼすこととなり、現像処理が終了する際に
は、ウェハー２の裏面に現像液が残存していない状態を
確保する必要がある。
悪影響を及ぼすこととなり、現像処理が終了する際に
は、ウェハー２の裏面に現像液が残存していない状態を
確保する必要がある。
【０００５】そこで従来の現像装置は図３に示すよう
に、ウェハー２の真下に位置する基体４ａに無端状のナ
イフエッジリング４が立上げて設けられている。このナ
イフエッジリング４は、ウェハー２の周縁から内側に後
退した位置に設けられており、ナイフエッジリング４に
よりウェハー２の裏面に廻り込んだ現像液３を削ぎ落と
す構成になっている。
に、ウェハー２の真下に位置する基体４ａに無端状のナ
イフエッジリング４が立上げて設けられている。このナ
イフエッジリング４は、ウェハー２の周縁から内側に後
退した位置に設けられており、ナイフエッジリング４に
よりウェハー２の裏面に廻り込んだ現像液３を削ぎ落と
す構成になっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで図３に示す従
来の現像装置では、ナイフエッジリング４はウェハー２
の回転に支障を与えないように設ける必要があるため、
ナイフエッジリング４とウェハー２の裏面との間には隙
間Ｓが形成されている。
来の現像装置では、ナイフエッジリング４はウェハー２
の回転に支障を与えないように設ける必要があるため、
ナイフエッジリング４とウェハー２の裏面との間には隙
間Ｓが形成されている。
【０００７】そのため図３に示す従来の現像装置では、
ウェハー２の裏面に生成されている現像液３による膜の
状態，性質によっては、ウェハー２の裏面に廻り込んだ
現像液３がナイフエッジリング４とウェハー２の隙間Ｓ
を通って点線で示すように内側に入り込んでウェハー２
の裏面に塗布されてしまうという問題がある。
ウェハー２の裏面に生成されている現像液３による膜の
状態，性質によっては、ウェハー２の裏面に廻り込んだ
現像液３がナイフエッジリング４とウェハー２の隙間Ｓ
を通って点線で示すように内側に入り込んでウェハー２
の裏面に塗布されてしまうという問題がある。
【０００８】リンスノズル５を用いて、ウェハー２の裏
面に廻り込んだ現像液３を洗浄除去することが併用され
るが、現像液３がリンスノズル５の設置位置より内側に
廻り込んだ場合には、現像液３をリングノズル５からの
洗浄液で確実に洗浄除去することは不可能な場合が多
く、この状態のウェハー２が次工程に移送されると、ウ
ェハー２の裏面に残った現像液３が付着し汚染の原因と
なる。
面に廻り込んだ現像液３を洗浄除去することが併用され
るが、現像液３がリンスノズル５の設置位置より内側に
廻り込んだ場合には、現像液３をリングノズル５からの
洗浄液で確実に洗浄除去することは不可能な場合が多
く、この状態のウェハー２が次工程に移送されると、ウ
ェハー２の裏面に残った現像液３が付着し汚染の原因と
なる。
【０００９】本発明の目的は、ウェハー２の裏面全面か
ら現像液３を除去する機能を有する現像装置を提供する
ことにある。
ら現像液３を除去する機能を有する現像装置を提供する
ことにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る現像装置は、ウェハーを回転させた状
態で現像液を遠心力によりウェハーの全面に拡散して、
ウェハー上のフォトレジストを現像液で現像処理する現
像装置において、ウェハーの裏面側に現像液を削ぎ落と
すナイフエッジリングを設け、ウェハーの裏面側でウェ
ハーの回転中心側からウェハーの周縁側の径方向に向け
てガスを吐出させ、そのガス流でナイフエッジリングと
ウェハーの隙間を通って現像液が内側に入り込むのを阻
止するようにしたものである。
め、本発明に係る現像装置は、ウェハーを回転させた状
態で現像液を遠心力によりウェハーの全面に拡散して、
ウェハー上のフォトレジストを現像液で現像処理する現
像装置において、ウェハーの裏面側に現像液を削ぎ落と
すナイフエッジリングを設け、ウェハーの裏面側でウェ
ハーの回転中心側からウェハーの周縁側の径方向に向け
てガスを吐出させ、そのガス流でナイフエッジリングと
ウェハーの隙間を通って現像液が内側に入り込むのを阻
止するようにしたものである。
【００１１】また前記ウェハーの回転中心側にガス吐出
ノズルを配置し、前記ウェハーの周縁側にガス排気ノズ
ルを設置し、前記ガス吐出ノズルから吐出されたガスを
前記ガス排気ノズルで吸引排気することにより、ウェハ
ーの裏面側でウェハーの回転中心側からウェハーの周縁
側の径方向に向かうガス流を形成するようにしたもので
ある。
ノズルを配置し、前記ウェハーの周縁側にガス排気ノズ
ルを設置し、前記ガス吐出ノズルから吐出されたガスを
前記ガス排気ノズルで吸引排気することにより、ウェハ
ーの裏面側でウェハーの回転中心側からウェハーの周縁
側の径方向に向かうガス流を形成するようにしたもので
ある。
【００１２】また前記ガス吐出ノズルの吐出量と前記ガ
ス排気ノズルからの排気量とを調整することにより、ナ
イフエッジリングから外側にガスが噴出することを制御
したものである。
ス排気ノズルからの排気量とを調整することにより、ナ
イフエッジリングから外側にガスが噴出することを制御
したものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。
より説明する。
【００１４】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１に係る現像装置を示す構成図である。
１に係る現像装置を示す構成図である。
【００１５】図１に示す本発明の実施形態１に係る現像
装置は、スピンチャック１にウェハー２を真空吸着し
て、ウェハー２を回転させた状態で現像液３をウェハー
２の回転中心Ｏに滴下し、遠心力により現像液３をウェ
ハー２の全面に拡散して、ウェハー２上のフォトレジス
トを現像液３で現像処理するようになっている。
装置は、スピンチャック１にウェハー２を真空吸着し
て、ウェハー２を回転させた状態で現像液３をウェハー
２の回転中心Ｏに滴下し、遠心力により現像液３をウェ
ハー２の全面に拡散して、ウェハー２上のフォトレジス
トを現像液３で現像処理するようになっている。
【００１６】さらにウェハー２の真下に位置する基体４
ａに無端状のナイフエッジリング４を立上げて設けてい
る。このナイフエッジリング４は、ウェハー２の周縁か
ら内側に後退した位置に設けており、ナイフエッジリン
グ４によりウェハー２の裏面に廻り込んだ現像液３を削
ぎ落とす構成になっている。
ａに無端状のナイフエッジリング４を立上げて設けてい
る。このナイフエッジリング４は、ウェハー２の周縁か
ら内側に後退した位置に設けており、ナイフエッジリン
グ４によりウェハー２の裏面に廻り込んだ現像液３を削
ぎ落とす構成になっている。
【００１７】さらに本発明の実施形態１は、ウェハー２
の裏面側でウェハー２の回転中心Ｏからウェハー２の周
縁側の径方向に向けてガスを吐出させ、そのガス流でナ
イフエッジリング４とウェハー２の隙間Ｓを通って現像
液３が内側に入り込むのを阻止するようにしている。
の裏面側でウェハー２の回転中心Ｏからウェハー２の周
縁側の径方向に向けてガスを吐出させ、そのガス流でナ
イフエッジリング４とウェハー２の隙間Ｓを通って現像
液３が内側に入り込むのを阻止するようにしている。
【００１８】具体的に説明すると、ウェハー２を真空吸
着するスピンチャック１の周囲に配置したガス吐出ノズ
ル６に、スピンチャック１の全周に沿って開口したリン
グ状の吐出口６ａを開口し、リング状の吐出口６ａをウ
ェハー２の裏面側でウェハー２の回転中心Ｏからウェハ
ー２の周縁側の径方向に向けて設置し、ガス吐出ノズル
６をダンパー８を介して図示しないガス供給源に接続し
ている。
着するスピンチャック１の周囲に配置したガス吐出ノズ
ル６に、スピンチャック１の全周に沿って開口したリン
グ状の吐出口６ａを開口し、リング状の吐出口６ａをウ
ェハー２の裏面側でウェハー２の回転中心Ｏからウェハ
ー２の周縁側の径方向に向けて設置し、ガス吐出ノズル
６をダンパー８を介して図示しないガス供給源に接続し
ている。
【００１９】さらにガス排気ノズル７をウェハー２の周
縁側に設けた無端状ナイフエッジリング４の内側に沿わ
せて設け、ガス排気ノズル７に、無端状ナイフエッジリ
ング４の全周に沿って開口したリング状の排気口７ａを
開口し、リング状の排気口７ａをウェハー２の裏面側で
ウェハー２の周縁からウェハー２の回転中心Ｏ側の径方
向に向けて設置し、ウェハー２の裏面側でウェハー２の
回転中心Ｏからウェハー２の周縁側の径方向に向けて吐
出ノズル６の吐出口６ａから吐出されたガスを、ナイフ
エッジリング４とウェハー２の隙間Ｓ付近でガス排気ノ
ズル７の排気口７ａから吸引排気することにより、その
ガス流でナイフエッジリング４とウェハー２の隙間Ｓを
通って現像液３が内側に入り込むのを阻止するようにし
ている。
縁側に設けた無端状ナイフエッジリング４の内側に沿わ
せて設け、ガス排気ノズル７に、無端状ナイフエッジリ
ング４の全周に沿って開口したリング状の排気口７ａを
開口し、リング状の排気口７ａをウェハー２の裏面側で
ウェハー２の周縁からウェハー２の回転中心Ｏ側の径方
向に向けて設置し、ウェハー２の裏面側でウェハー２の
回転中心Ｏからウェハー２の周縁側の径方向に向けて吐
出ノズル６の吐出口６ａから吐出されたガスを、ナイフ
エッジリング４とウェハー２の隙間Ｓ付近でガス排気ノ
ズル７の排気口７ａから吸引排気することにより、その
ガス流でナイフエッジリング４とウェハー２の隙間Ｓを
通って現像液３が内側に入り込むのを阻止するようにし
ている。
【００２０】ガス排気ノズル７は、ダンパー８を介して
図示しない排気ポンプに接続されている。
図示しない排気ポンプに接続されている。
【００２１】さらに本発明の実施形態１は、ナイフエッ
ジリング４とウェハー２の隙間Ｓを通って現像液３が内
側に入り込む微細な現像液３の粒子等が前記ガス流に逆
らってウェハー２の裏面周縁側に付着したのものを除去
するため、ナイフエッジリング４から内側（ウェハー２
の回転中心Ｏ側）に後退した位置にリンスノズル５を設
置し、リンスノズル５から洗浄液をウェハー２の裏面周
縁側の一定範囲に渡って吐出して洗浄除去するようにし
ている。
ジリング４とウェハー２の隙間Ｓを通って現像液３が内
側に入り込む微細な現像液３の粒子等が前記ガス流に逆
らってウェハー２の裏面周縁側に付着したのものを除去
するため、ナイフエッジリング４から内側（ウェハー２
の回転中心Ｏ側）に後退した位置にリンスノズル５を設
置し、リンスノズル５から洗浄液をウェハー２の裏面周
縁側の一定範囲に渡って吐出して洗浄除去するようにし
ている。
【００２２】リンスノズル５から吐出された洗浄液は、
ウェハー２の裏面側に付着しようとする現像液３を流し
落して、これらを含んだまま図示しない回収口から回収
されて廃棄されるようになっている。
ウェハー２の裏面側に付着しようとする現像液３を流し
落して、これらを含んだまま図示しない回収口から回収
されて廃棄されるようになっている。
【００２３】図１に示す本発明の実施形態１において、
ウェハー２を回転させた状態で現像液３をウェハー２の
回転中心Ｏに滴下し、遠心力により現像液３をウェハー
２の全面に拡散して、ウェハー２上のフォトレジストを
現像液３で現像処理する。
ウェハー２を回転させた状態で現像液３をウェハー２の
回転中心Ｏに滴下し、遠心力により現像液３をウェハー
２の全面に拡散して、ウェハー２上のフォトレジストを
現像液３で現像処理する。
【００２４】遠心力により現像液３をウェハー２の全面
に拡散する際には、現像液３はウェハー２の回転中心Ｏ
から周縁に向けて拡大拡散するため、現像液３がウェハ
ー２の周縁に到達した際に、余分な現像液３がウェハー
２の周縁を伝ってウェハー２の裏面側に廻り込もうとす
るが、この現像液３は、表面張力によりナイフエッジリ
ング４を伝ってウェハー２から削ぎ落とされる。
に拡散する際には、現像液３はウェハー２の回転中心Ｏ
から周縁に向けて拡大拡散するため、現像液３がウェハ
ー２の周縁に到達した際に、余分な現像液３がウェハー
２の周縁を伝ってウェハー２の裏面側に廻り込もうとす
るが、この現像液３は、表面張力によりナイフエッジリ
ング４を伝ってウェハー２から削ぎ落とされる。
【００２５】しかし、ナイフエッジリング４とウェハー
２の間には若干の隙間Ｓがあり、この隙間Ｓを通って更
に内側に現像液３が廻り込む可能性がある。
２の間には若干の隙間Ｓがあり、この隙間Ｓを通って更
に内側に現像液３が廻り込む可能性がある。
【００２６】このときリンスノズル５より内側にあるガ
ス吐出ノズル６のリング状吐出口６ａから吐出されたガ
スは、ウェハー２の裏面側でウェハー２の回転中心Ｏか
らウェハー２の周縁側の径方向に向けて吐出されるた
め、そのガス流で現像液３は、ナイフエッジリング４の
すぐ内側にあるガス排気ノズル７に押やられ、ナイフエ
ッジリング４から排気される。
ス吐出ノズル６のリング状吐出口６ａから吐出されたガ
スは、ウェハー２の裏面側でウェハー２の回転中心Ｏか
らウェハー２の周縁側の径方向に向けて吐出されるた
め、そのガス流で現像液３は、ナイフエッジリング４の
すぐ内側にあるガス排気ノズル７に押やられ、ナイフエ
ッジリング４から排気される。
【００２７】この場合、ダンパー８によりガス吐出ノズ
ル６の吐出量とガス排気ノズル７からの排気量とを調整
することにより、ナイフエッジリング４から外側にガス
が噴出すことがない。
ル６の吐出量とガス排気ノズル７からの排気量とを調整
することにより、ナイフエッジリング４から外側にガス
が噴出すことがない。
【００２８】現像終了後の洗浄時、リンスノズル５から
ウェハー２の裏面側に向けてリンス液（洗浄液）を吐出
することにより、ウェハー２の裏面周縁側、特にナイフ
エッジリング４から外側に位置するウェハー２の裏面周
縁部に付着した現像液３を全て洗い流す。
ウェハー２の裏面側に向けてリンス液（洗浄液）を吐出
することにより、ウェハー２の裏面周縁側、特にナイフ
エッジリング４から外側に位置するウェハー２の裏面周
縁部に付着した現像液３を全て洗い流す。
【００２９】以上のように本発明の実施形態１によれ
ば、ウェハー２の裏面側でウェハー２の回転中心Ｏから
ウェハー２の周縁側の径方向に向けてガスを吐出させ、
そのガス流でナイフエッジリング４とウェハー２の隙間
Ｓを通って現像液３が内側に入り込むのを阻止するよう
にしているため、ウェハー２の裏面に現像液３が付着す
るのを防止することができる。
ば、ウェハー２の裏面側でウェハー２の回転中心Ｏから
ウェハー２の周縁側の径方向に向けてガスを吐出させ、
そのガス流でナイフエッジリング４とウェハー２の隙間
Ｓを通って現像液３が内側に入り込むのを阻止するよう
にしているため、ウェハー２の裏面に現像液３が付着す
るのを防止することができる。
【００３０】さらに現像終了後の洗浄時にリンスノズル
５からウェハー２の裏面側に向けてリンス液（洗浄液）
を吐出する作業を併用することにより、ウェハー２の裏
面周縁側に付着する現像液３を全て洗い流すことができ
る。
５からウェハー２の裏面側に向けてリンス液（洗浄液）
を吐出する作業を併用することにより、ウェハー２の裏
面周縁側に付着する現像液３を全て洗い流すことができ
る。
【００３１】さらに現像処理中にガスを流してもナイフ
エッジリング４より外に吹き出すことがないため、ウェ
ハー２の表面側の気流も乱れず温度分布も安定を保ち現
像処理に悪影響を与えることがない。
エッジリング４より外に吹き出すことがないため、ウェ
ハー２の表面側の気流も乱れず温度分布も安定を保ち現
像処理に悪影響を与えることがない。
【００３２】（実施形態２）図２は、本発明の実施形態
２に係る現像装置を示す構成図である。
２に係る現像装置を示す構成図である。
【００３３】図１に示す本発明の実施形態１ではガス吐
出ノズル６及びガス排気ノズル７にダンパー８を設けた
が、図２に示す本発明の実施形態２は、ダンパー８に代
えてマスフローコントローラー９を設けて、ガスの吐出
量及び排気量を調節するようにしたものである。
出ノズル６及びガス排気ノズル７にダンパー８を設けた
が、図２に示す本発明の実施形態２は、ダンパー８に代
えてマスフローコントローラー９を設けて、ガスの吐出
量及び排気量を調節するようにしたものである。
【００３４】図２に示す本発明の実施形態２は、ダンパ
ー８に代えてマスフローコントローラー９を設けて、ガ
スの吐出量及び排気量を調節するため、ガス吐出側と排
気側の変動に関わらずガス吐出量とガス排気量を常に安
定した状態で任意に制御することができる。
ー８に代えてマスフローコントローラー９を設けて、ガ
スの吐出量及び排気量を調節するため、ガス吐出側と排
気側の変動に関わらずガス吐出量とガス排気量を常に安
定した状態で任意に制御することができる。
【００３５】これにより、ウェハー２の裏面の状態によ
り変化する現像液３の廻り込み量に応じたガス流量の制
御ができ、確実にナイフエッジリング４の部分で現像液
をとどめることができるという利点がある。
り変化する現像液３の廻り込み量に応じたガス流量の制
御ができ、確実にナイフエッジリング４の部分で現像液
をとどめることができるという利点がある。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ウ
ェハーの裏面側でウェハーの回転中心側からウェハーの
周縁側の径方向に向けてガスを吐出させ、そのガス流で
ナイフエッジリングとウェハーの隙間を通って現像液が
内側に入り込むのを阻止することができる。
ェハーの裏面側でウェハーの回転中心側からウェハーの
周縁側の径方向に向けてガスを吐出させ、そのガス流で
ナイフエッジリングとウェハーの隙間を通って現像液が
内側に入り込むのを阻止することができる。
【図１】本発明の実施形態１に係る現像装置を示す構成
図である。
図である。
【図２】本発明の実施形態２に係る現像装置を示す構成
図である。
図である。
【図３】従来例に係る現像装置を示す構成図である。
１ スピンチャック ２ ウェハー ３ 現像液 ４ ナイフエッジリング ５ リンスノズル ６ ガス吐出ノズル ７ ガス排気ノズル ８ ダンパー ９ マスフローコントローラー
Claims (3)
- 【請求項１】 ウェハーを回転させた状態で現像液を遠
心力によりウェハーの全面に拡散して、ウェハー上のフ
ォトレジストを現像液で現像処理する現像装置におい
て、 ウェハーの裏面側に現像液を削ぎ落とすナイフエッジリ
ングを設け、 ウェハーの裏面側でウェハーの回転中心側からウェハー
の周縁側の径方向に向けてガスを吐出させ、そのガス流
でナイフエッジリングとウェハーの隙間を通って現像液
が内側に入り込むのを阻止するようにしたことを特徴と
する現像装置。 - 【請求項２】 前記ウェハーの回転中心側にガス吐出ノ
ズルを配置し、前記ウェハーの周縁側にガス排気ノズル
を設置し、前記ガス吐出ノズルから吐出されたガスを前
記ガス排気ノズルで吸引排気することにより、ウェハー
の裏面側でウェハーの回転中心側からウェハーの周縁側
の径方向に向かうガス流を形成するようにしたことを特
徴とする請求項１に記載の現像装置。 - 【請求項３】 前記ガス吐出ノズルの吐出量と前記ガス
排気ノズルからの排気量とを調整することにより、ナイ
フエッジリングから外側にガスが噴出することを制御し
たことを特徴とする請求項１に記載の現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32965299A JP3360052B2 (ja) | 1999-11-19 | 1999-11-19 | 現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32965299A JP3360052B2 (ja) | 1999-11-19 | 1999-11-19 | 現像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001147540A true JP2001147540A (ja) | 2001-05-29 |
| JP3360052B2 JP3360052B2 (ja) | 2002-12-24 |
Family
ID=18223748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32965299A Expired - Fee Related JP3360052B2 (ja) | 1999-11-19 | 1999-11-19 | 現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3360052B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004274028A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-30 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 現像装置および現像方法 |
| US10032657B2 (en) | 2015-11-30 | 2018-07-24 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating a substrate |
-
1999
- 1999-11-19 JP JP32965299A patent/JP3360052B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004274028A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-30 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 現像装置および現像方法 |
| US10032657B2 (en) | 2015-11-30 | 2018-07-24 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating a substrate |
| KR101909182B1 (ko) * | 2015-11-30 | 2018-12-10 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3360052B2 (ja) | 2002-12-24 |
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