JPH08316293A - レジスト処理装置用チャック、及びウエハ洗浄方法 - Google Patents
レジスト処理装置用チャック、及びウエハ洗浄方法Info
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- JPH08316293A JPH08316293A JP11674995A JP11674995A JPH08316293A JP H08316293 A JPH08316293 A JP H08316293A JP 11674995 A JP11674995 A JP 11674995A JP 11674995 A JP11674995 A JP 11674995A JP H08316293 A JPH08316293 A JP H08316293A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 汚染されたチャック縁部によりウエハが汚れ
ることなく、しかも、未洗浄部を発生させないレジスト
処理装置用チャック、及びウエハ洗浄方法を提供する。 【構成】 ウエハＷとの接触面２５ａより低く形成され
た円環状の非接触面２７を、チャック上面の縁部に設け
る。ウエハ洗浄方法は、縁部に非接触面２７を有するチ
ャック上面にウエハＷを真空吸着して回転させる工程
と、チャック裏面に設けられた円環状のリンス液流入溝
へリンス液を放出することにより、リンス液流入溝と連
通する非接触面の穴から遠心力によってリンス液を放出
させ、チャック外周より半径方向内側のウエハ裏面にリ
ンス液をかける工程とからなる。
ることなく、しかも、未洗浄部を発生させないレジスト
処理装置用チャック、及びウエハ洗浄方法を提供する。 【構成】 ウエハＷとの接触面２５ａより低く形成され
た円環状の非接触面２７を、チャック上面の縁部に設け
る。ウエハ洗浄方法は、縁部に非接触面２７を有するチ
ャック上面にウエハＷを真空吸着して回転させる工程
と、チャック裏面に設けられた円環状のリンス液流入溝
へリンス液を放出することにより、リンス液流入溝と連
通する非接触面の穴から遠心力によってリンス液を放出
させ、チャック外周より半径方向内側のウエハ裏面にリ
ンス液をかける工程とからなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハ処理工程の中で
レジストを塗布、現像するためのレジスト処理装置に用
いられるチャックと、そのチャックに保持されるウエハ
の洗浄方法に関する。
レジストを塗布、現像するためのレジスト処理装置に用
いられるチャックと、そのチャックに保持されるウエハ
の洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レジスト処理装置であるレジスト塗布装
置（resist coater ）やスピン式現像装置（spin devel
oper）では、ウエハを水平状態に真空吸着して回転させ
るスピンチャック（チャック）が用いられる。図６は従
来のチャックが用いられたレジスト塗布装置の概略図で
ある。チャック１の外側にはウエハＷを囲い込むよう
に、円筒状のスピンカップ３が設けられ、スピンカップ
３は塗布中のレジストの飛散を抑止する。このレジスト
塗布装置では、水平にしたウエハＷ上にレジストＲをノ
ズル５から滴下し、ウエハＷを回転させることにより、
ウエハＷ上に均一なレジスト膜を形成する。
置（resist coater ）やスピン式現像装置（spin devel
oper）では、ウエハを水平状態に真空吸着して回転させ
るスピンチャック（チャック）が用いられる。図６は従
来のチャックが用いられたレジスト塗布装置の概略図で
ある。チャック１の外側にはウエハＷを囲い込むよう
に、円筒状のスピンカップ３が設けられ、スピンカップ
３は塗布中のレジストの飛散を抑止する。このレジスト
塗布装置では、水平にしたウエハＷ上にレジストＲをノ
ズル５から滴下し、ウエハＷを回転させることにより、
ウエハＷ上に均一なレジスト膜を形成する。
【０００３】一方、レジスト塗布中では、ウエハＷ表面
から飛び出した余剰レジストＲが、スピンカップ３に衝
突して跳ね返りウエハ裏面に再付着する。また、現像液
吐出時においても、微細な液滴がスピンカップ３に衝突
して跳ね返りウエハ裏面に付着する。このため、ウエハ
裏面にリンス液をかけ、レジストなどを除去するウエハ
裏面洗浄（所謂、バックリンス）が行われる。従来のウ
エハ裏面洗浄方法では、図７に示すように、リンス液放
出用ノズル７をチャック１の半径方向外側に配置し、ノ
ズル７からリンス液９を放出し、ウエハ裏面に接触させ
た後、ウエハＷの回転運動による遠心力で、ウエハ裏面
の外周側へと流し、これにより、ウエハ裏面を洗浄して
いた。
から飛び出した余剰レジストＲが、スピンカップ３に衝
突して跳ね返りウエハ裏面に再付着する。また、現像液
吐出時においても、微細な液滴がスピンカップ３に衝突
して跳ね返りウエハ裏面に付着する。このため、ウエハ
裏面にリンス液をかけ、レジストなどを除去するウエハ
裏面洗浄（所謂、バックリンス）が行われる。従来のウ
エハ裏面洗浄方法では、図７に示すように、リンス液放
出用ノズル７をチャック１の半径方向外側に配置し、ノ
ズル７からリンス液９を放出し、ウエハ裏面に接触させ
た後、ウエハＷの回転運動による遠心力で、ウエハ裏面
の外周側へと流し、これにより、ウエハ裏面を洗浄して
いた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
チャック１は、図８に示すように、上面の縁部１１が平
坦に形成され、ウエハ裏面と接触するようになっていた
ため、スピンカップ３から跳ね返ったレジストＲが一度
縁部１１に付着すると、縁部１１は汚染されることにな
り、この汚染により、ウエハ裏面は常に汚れた状態とな
った。また、従来のウエハ裏面洗浄方法では、リンス液
放出用ノズル７がチャック１の半径方向外側に配置され
ているため、リンス液放出用ノズル７よりチャック１側
のウエハ裏面では、リンス液が接触せず、未洗浄部１３
（図７参照）が発生し、汚染部を残したまま処理が終了
する問題があった。これに対し、未洗浄部１３の領域を
狭めるために、リンス液放出用ノズル７をチャック１側
に近づける方策もあるが、この場合では、チャック１と
ウエハ裏面との間にリンス液が入り込み、これが乾燥し
ない不具合が生じた。そして、このようにしてウエハ裏
面に残った汚れは、次工程、例えば、露光時の焦点ズ
レ、搬送時の剥離によるウエハ表面の汚染、ウェットエ
ッチング工程での他ウエハの汚染などを発生させ、半導
体デバイスの歩留りを低下させる要因となっていた。本
発明は上記状況に鑑みてなされたもので、汚染されたチ
ャック縁部によりウエハが汚れることなく、しかも、未
洗浄部を発生させないレジスト処理装置用チャック、及
びウエハ洗浄方法を提供し、半導体デバイスの歩留り向
上を図ることを目的とする。
チャック１は、図８に示すように、上面の縁部１１が平
坦に形成され、ウエハ裏面と接触するようになっていた
ため、スピンカップ３から跳ね返ったレジストＲが一度
縁部１１に付着すると、縁部１１は汚染されることにな
り、この汚染により、ウエハ裏面は常に汚れた状態とな
った。また、従来のウエハ裏面洗浄方法では、リンス液
放出用ノズル７がチャック１の半径方向外側に配置され
ているため、リンス液放出用ノズル７よりチャック１側
のウエハ裏面では、リンス液が接触せず、未洗浄部１３
（図７参照）が発生し、汚染部を残したまま処理が終了
する問題があった。これに対し、未洗浄部１３の領域を
狭めるために、リンス液放出用ノズル７をチャック１側
に近づける方策もあるが、この場合では、チャック１と
ウエハ裏面との間にリンス液が入り込み、これが乾燥し
ない不具合が生じた。そして、このようにしてウエハ裏
面に残った汚れは、次工程、例えば、露光時の焦点ズ
レ、搬送時の剥離によるウエハ表面の汚染、ウェットエ
ッチング工程での他ウエハの汚染などを発生させ、半導
体デバイスの歩留りを低下させる要因となっていた。本
発明は上記状況に鑑みてなされたもので、汚染されたチ
ャック縁部によりウエハが汚れることなく、しかも、未
洗浄部を発生させないレジスト処理装置用チャック、及
びウエハ洗浄方法を提供し、半導体デバイスの歩留り向
上を図ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係るレジスト処理装置用チャックの構成は、
上面にウエハを真空吸着して回転させる円盤状のレジス
ト処理装置用チャックであって、チャック上面の縁部に
設けられ前記ウエハとの接触面より低く形成された円環
状の非接触面を具備したことを特徴とするものである。
本発明に係るウエハ洗浄方法は、ウエハ裏面にリンス液
をかけて汚れを除去するウエハ洗浄方法であって、縁部
に非接触面を有するチャック上面にウエハを真空吸着し
て回転させる工程と、チャック裏面に設けられた円環状
のリンス液流入溝へリンス液を放出することにより、該
リンス液流入溝と連通する非接触面の穴から遠心力によ
ってリンス液を放出させ、チャック外周より半径方向内
側のウエハ裏面にリンス液をかける工程とからなること
を特徴とするものである。
の本発明に係るレジスト処理装置用チャックの構成は、
上面にウエハを真空吸着して回転させる円盤状のレジス
ト処理装置用チャックであって、チャック上面の縁部に
設けられ前記ウエハとの接触面より低く形成された円環
状の非接触面を具備したことを特徴とするものである。
本発明に係るウエハ洗浄方法は、ウエハ裏面にリンス液
をかけて汚れを除去するウエハ洗浄方法であって、縁部
に非接触面を有するチャック上面にウエハを真空吸着し
て回転させる工程と、チャック裏面に設けられた円環状
のリンス液流入溝へリンス液を放出することにより、該
リンス液流入溝と連通する非接触面の穴から遠心力によ
ってリンス液を放出させ、チャック外周より半径方向内
側のウエハ裏面にリンス液をかける工程とからなること
を特徴とするものである。
【０００６】
【作用】レジスト処理装置用チャックでは、ウエハが吸
着されると、非接触面とウエハ裏面との間に間隙が形成
され、チャックの接触面が間隙の奥に位置することにな
り、スピンカップから跳ね返ったレジストなどが接触面
まで進入することができず、チャックの接触面が汚染さ
れなくなり、チャックによるウエハ裏面の汚染がなくな
る。ウエハ洗浄方法では、チャックと共にウエハが回転
され、リンス液がチャック裏面のリンス液流入溝に放出
されると、遠心力によりリンス液が非接触面で開口する
穴へ導かれ、リンス液が非接触面と対向するウエハ裏
面、即ち、チャック外周より半径方向内側から接触する
ことになる。
着されると、非接触面とウエハ裏面との間に間隙が形成
され、チャックの接触面が間隙の奥に位置することにな
り、スピンカップから跳ね返ったレジストなどが接触面
まで進入することができず、チャックの接触面が汚染さ
れなくなり、チャックによるウエハ裏面の汚染がなくな
る。ウエハ洗浄方法では、チャックと共にウエハが回転
され、リンス液がチャック裏面のリンス液流入溝に放出
されると、遠心力によりリンス液が非接触面で開口する
穴へ導かれ、リンス液が非接触面と対向するウエハ裏
面、即ち、チャック外周より半径方向内側から接触する
ことになる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明に係るレジスト処理装置用チャ
ック、及びウエハ洗浄方法の好適な実施例を図面を参照
して詳細に説明する。図１は本発明の第一実施例を示す
チャックの断面図、図２は第一実施例のチャックの平面
図である。チャック２１の上面には凹溝２３と凸部２５
とが同心円状に交互に形成され、凸部２５の上面２５ａ
はウエハＷの接触面となる。チャック２１上面の縁部に
は凸部２５の上面２５ａより低く形成された非接触面２
７が形成され、非接触面２７は円環状となり、チャック
２１の外周まで至っている。つまり、チャック２１は、
一番外側の凸部上面（接触面）２５ａが半径方向外側の
最後のウエハ接触面となる。従って、非接触面２７とウ
エハ裏面との間には僅かな間隙２９が形成されることに
なる。
ック、及びウエハ洗浄方法の好適な実施例を図面を参照
して詳細に説明する。図１は本発明の第一実施例を示す
チャックの断面図、図２は第一実施例のチャックの平面
図である。チャック２１の上面には凹溝２３と凸部２５
とが同心円状に交互に形成され、凸部２５の上面２５ａ
はウエハＷの接触面となる。チャック２１上面の縁部に
は凸部２５の上面２５ａより低く形成された非接触面２
７が形成され、非接触面２７は円環状となり、チャック
２１の外周まで至っている。つまり、チャック２１は、
一番外側の凸部上面（接触面）２５ａが半径方向外側の
最後のウエハ接触面となる。従って、非接触面２７とウ
エハ裏面との間には僅かな間隙２９が形成されることに
なる。
【０００８】このように構成されたチャック２１の作用
は、ウエハＷの一番外側の接触面２５ａが間隙２９の奥
に位置することになり、スピンカップ３（図６参照）か
ら跳ね返ったレジストなどが接触面２５ａまで進入する
ことができず、チャック２１の接触面２５ａが汚染され
ることがない。従って、チャック２１は、常に清浄度が
保たれ、ウエハ裏面を汚すことがない。
は、ウエハＷの一番外側の接触面２５ａが間隙２９の奥
に位置することになり、スピンカップ３（図６参照）か
ら跳ね返ったレジストなどが接触面２５ａまで進入する
ことができず、チャック２１の接触面２５ａが汚染され
ることがない。従って、チャック２１は、常に清浄度が
保たれ、ウエハ裏面を汚すことがない。
【０００９】この間隙２９は、最後のウエハ接触面２５
ａが、ウエハ外周部より２０ｍｍ以上離れたところに位
置すること、且つ間隙２９が０．２ｍｍ以内になってい
ることで、チャック２１に対するダスト付着が良好に防
止できる。
ａが、ウエハ外周部より２０ｍｍ以上離れたところに位
置すること、且つ間隙２９が０．２ｍｍ以内になってい
ることで、チャック２１に対するダスト付着が良好に防
止できる。
【００１０】ここで、発明者が具体的に本実施例のチャ
ックを作成し、従来のチャック１（図８参照）とのダス
ト付着状況を比較した実験結果を説明する。比較条件
は、 １．本実施例によるチャック２１の条件 チャックの大きさ；直径７６ｍｍ ウエハ外周部より最後のウエハ接触面２５ａまでの距
離；２４．５ｍｍ 非接触面におけるウエハＷとの間隙；０．１ｍｍ ２．従来チャック１の条件 チャックの大きさ；６０ｍｍ ３．レジストコーティング条件 吐出量；８．０ｍリットル スピン回転数５０００ｒｐｍ とした。この結果、ウエハ裏面に付着したダスト数は、 本実施例によるチャック；５２７個 従来のチャック；２０８５個 となり、本実施例によるチャック２１では、従来のチャ
ック１に比べ、ダスト付着数が７５％少なくなることが
知見された。
ックを作成し、従来のチャック１（図８参照）とのダス
ト付着状況を比較した実験結果を説明する。比較条件
は、 １．本実施例によるチャック２１の条件 チャックの大きさ；直径７６ｍｍ ウエハ外周部より最後のウエハ接触面２５ａまでの距
離；２４．５ｍｍ 非接触面におけるウエハＷとの間隙；０．１ｍｍ ２．従来チャック１の条件 チャックの大きさ；６０ｍｍ ３．レジストコーティング条件 吐出量；８．０ｍリットル スピン回転数５０００ｒｐｍ とした。この結果、ウエハ裏面に付着したダスト数は、 本実施例によるチャック；５２７個 従来のチャック；２０８５個 となり、本実施例によるチャック２１では、従来のチャ
ック１に比べ、ダスト付着数が７５％少なくなることが
知見された。
【００１１】この実施例によるチャック２１によれば、
チャック２１上面の縁部に非接触面２７を形成したの
で、跳ね返ったレジストが間隙２９によって接触面２５
ａまで進入できず、接触面２５ａが汚染されない。この
結果、ウエハ裏面の汚染をなくすことができ、汚染によ
る次工程への影響、例えば、露光時の焦点ズレ、搬送時
の剥離によるウエハ表面の汚染、ウェットエッチング工
程での他ウエハの汚染などが抑えられ、半導体デバイス
の歩留りを向上させることができる。
チャック２１上面の縁部に非接触面２７を形成したの
で、跳ね返ったレジストが間隙２９によって接触面２５
ａまで進入できず、接触面２５ａが汚染されない。この
結果、ウエハ裏面の汚染をなくすことができ、汚染によ
る次工程への影響、例えば、露光時の焦点ズレ、搬送時
の剥離によるウエハ表面の汚染、ウェットエッチング工
程での他ウエハの汚染などが抑えられ、半導体デバイス
の歩留りを向上させることができる。
【００１２】次に、本発明の第二実施例を図３〜図５に
基づき説明する。図３は本発明の第二実施例を示すチャ
ックの断面図、図４は第二実施例によるチャックの平面
図で、（ａ）は表面、（ｂ）は裏面を示す。この実施例
によるチャック３１には、上述のチャック２１と同様
に、チャック２１上面の縁部に接触面３１ａより低くな
った円環状の非接触面２７が形成されている。
基づき説明する。図３は本発明の第二実施例を示すチャ
ックの断面図、図４は第二実施例によるチャックの平面
図で、（ａ）は表面、（ｂ）は裏面を示す。この実施例
によるチャック３１には、上述のチャック２１と同様
に、チャック２１上面の縁部に接触面３１ａより低くな
った円環状の非接触面２７が形成されている。
【００１３】一方、チャック裏面には円環状のリンス液
流入溝３５が形成され、リンス液流入溝３５は溝底３５
ａ方向に向かうに従って溝幅が狭くなるテーパ状に形成
されるとともに、溝底３５ａが溝開口３５ｂより半径方
向外側となるように配置されている。また、チャック３
１の非接触面２７には複数の穴３７が同心円上に穿設さ
れ、穴３７はリンス液流入溝３５の溝底３５ａと連通し
ている。つまり、溝開口３５ｂに放出されたリンス液
は、遠心力により穴３７へ導かれるようになっている。
流入溝３５が形成され、リンス液流入溝３５は溝底３５
ａ方向に向かうに従って溝幅が狭くなるテーパ状に形成
されるとともに、溝底３５ａが溝開口３５ｂより半径方
向外側となるように配置されている。また、チャック３
１の非接触面２７には複数の穴３７が同心円上に穿設さ
れ、穴３７はリンス液流入溝３５の溝底３５ａと連通し
ている。つまり、溝開口３５ｂに放出されたリンス液
は、遠心力により穴３７へ導かれるようになっている。
【００１４】このように構成されたチャック３１の作用
は、上述のチャック２１と同様に、ウエハＷの接触面３
１ａが間隙２９の奥に位置することになり、跳ね返った
レジストなどが接触面３１ａまで進入することができ
ず、チャック３１の接触面３１ａが汚染されることがな
い。また、チャック裏面に形成されたリンス液流入溝３
５が穴３７を介して非接触面２７に開口され、穴３７が
リンス液流入溝３５より半径方向外側に配置されるた
め、チャック３１が回転されることにより、リンス液流
入溝３５に放出されたリンス液が遠心力によって非接触
面２７と対向するウエハ裏面から接触することになる。
は、上述のチャック２１と同様に、ウエハＷの接触面３
１ａが間隙２９の奥に位置することになり、跳ね返った
レジストなどが接触面３１ａまで進入することができ
ず、チャック３１の接触面３１ａが汚染されることがな
い。また、チャック裏面に形成されたリンス液流入溝３
５が穴３７を介して非接触面２７に開口され、穴３７が
リンス液流入溝３５より半径方向外側に配置されるた
め、チャック３１が回転されることにより、リンス液流
入溝３５に放出されたリンス液が遠心力によって非接触
面２７と対向するウエハ裏面から接触することになる。
【００１５】このように構成されたチャック３１を用い
てウエハ裏面を洗浄するには、先ず、ウエハＷを吸着し
たチャック３１を回転させ、チャック裏面側のリンス液
放出用ノズル３９からリンス液流入溝３５へ向けてリン
ス液４１を放出する。放出されたリンス液４１は、遠心
力により溝底３５ａへ導かれ、穴３７からウエハ裏面へ
と放出される。放出されたリンス液４１は、非接触面２
７と対向するウエハ裏面に接触し、その後、遠心力によ
りウエハＷの外周側へと流れる。従って、ウエハ裏面
は、清浄度が保持される非接触面２７と対向するウエハ
裏面部分から洗浄が行われ、従来方法で問題となってい
た未洗浄部１３（図７参照）が発生しない。
てウエハ裏面を洗浄するには、先ず、ウエハＷを吸着し
たチャック３１を回転させ、チャック裏面側のリンス液
放出用ノズル３９からリンス液流入溝３５へ向けてリン
ス液４１を放出する。放出されたリンス液４１は、遠心
力により溝底３５ａへ導かれ、穴３７からウエハ裏面へ
と放出される。放出されたリンス液４１は、非接触面２
７と対向するウエハ裏面に接触し、その後、遠心力によ
りウエハＷの外周側へと流れる。従って、ウエハ裏面
は、清浄度が保持される非接触面２７と対向するウエハ
裏面部分から洗浄が行われ、従来方法で問題となってい
た未洗浄部１３（図７参照）が発生しない。
【００１６】ここで、本実施例のチャック３１と従来の
チャック１（図８参照）とを用いてウエハ洗浄を行った
際のダスト付着状況を比較した実験結果を説明する。比
較条件は、 １．本実施例によるチャック３１の条件 リンス液流入溝の幅（溝開口部）；５ｍｍ 穴径；１ｍｍ 穴数；同心円上に３６個 ２．リンス条件 リンス液吐出量；３０ｃｃ／min スピン回転数６００ｒｐｍ とした。この結果、図５（ａ）に示す、接触面と同形状
で汚染領域４３が残る従来ウエハに対し、本実施例によ
るチャック３１を用いた洗浄方法では、図５（ｂ）に示
すように汚染領域がなくなり、ウエハ裏面のダスト付着
数が７７％少なくなることが知見された。
チャック１（図８参照）とを用いてウエハ洗浄を行った
際のダスト付着状況を比較した実験結果を説明する。比
較条件は、 １．本実施例によるチャック３１の条件 リンス液流入溝の幅（溝開口部）；５ｍｍ 穴径；１ｍｍ 穴数；同心円上に３６個 ２．リンス条件 リンス液吐出量；３０ｃｃ／min スピン回転数６００ｒｐｍ とした。この結果、図５（ａ）に示す、接触面と同形状
で汚染領域４３が残る従来ウエハに対し、本実施例によ
るチャック３１を用いた洗浄方法では、図５（ｂ）に示
すように汚染領域がなくなり、ウエハ裏面のダスト付着
数が７７％少なくなることが知見された。
【００１７】この実施例によるチャック３１によれば、
チャック２１と同様、上面の縁部に非接触面２７を形成
したので、接触面３１ａが汚染されない。また、リンス
液流入溝３５をチャック裏面に形成するとともに、この
リンス液流入溝３５に連通する穴３７を非接触面２７に
開口したので、リンス液を非接触面２７と対向するウエ
ハ裏面から接触させることができる。また、この実施例
によるチャック３１を用いたウエハ洗浄方法によれば、
リンス液をチャック裏面のリンス液流入溝３５に放出
し、非接触面２７で開口する穴３７からウエハ裏面に導
くようにしたので、リンス液を非接触面２７と対向する
ウエハ裏面、即ち、チャック外周より半径方向内側から
接触させることができ、未洗浄部１３（図７参照）の残
らない洗浄を行うことができる。この結果、ウエハ裏面
の汚染をなくすことができ、上述のチャック２１と同
様、汚染による次工程への影響、例えば、露光時の焦点
ズレ、搬送時の剥離によるウエハ表面の汚染、ウェット
エッチング工程での他ウエハの汚染などが抑えられ、半
導体デバイスの歩留りを向上させることができる。
チャック２１と同様、上面の縁部に非接触面２７を形成
したので、接触面３１ａが汚染されない。また、リンス
液流入溝３５をチャック裏面に形成するとともに、この
リンス液流入溝３５に連通する穴３７を非接触面２７に
開口したので、リンス液を非接触面２７と対向するウエ
ハ裏面から接触させることができる。また、この実施例
によるチャック３１を用いたウエハ洗浄方法によれば、
リンス液をチャック裏面のリンス液流入溝３５に放出
し、非接触面２７で開口する穴３７からウエハ裏面に導
くようにしたので、リンス液を非接触面２７と対向する
ウエハ裏面、即ち、チャック外周より半径方向内側から
接触させることができ、未洗浄部１３（図７参照）の残
らない洗浄を行うことができる。この結果、ウエハ裏面
の汚染をなくすことができ、上述のチャック２１と同
様、汚染による次工程への影響、例えば、露光時の焦点
ズレ、搬送時の剥離によるウエハ表面の汚染、ウェット
エッチング工程での他ウエハの汚染などが抑えられ、半
導体デバイスの歩留りを向上させることができる。
【００１８】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
るレジスト処理装置用チャックによれば、チャック上面
の縁部に非接触面を形成したので、跳ね返ったレジスト
が間隙によって接触面まで進入できず、接触面が汚染さ
れない。本発明に係るウエハ洗浄方法によれば、リンス
液をチャック裏面のリンス液流入溝に放出し、非接触面
で開口する穴からウエハ裏面に導くようにしたので、リ
ンス液をチャック外周より半径方向内側から接触させる
ことができ、未洗浄部の残らない洗浄を行うことができ
る。この結果、ウエハ裏面の汚染をなくすことができ、
半導体デバイスの歩留りを向上させることができる。
るレジスト処理装置用チャックによれば、チャック上面
の縁部に非接触面を形成したので、跳ね返ったレジスト
が間隙によって接触面まで進入できず、接触面が汚染さ
れない。本発明に係るウエハ洗浄方法によれば、リンス
液をチャック裏面のリンス液流入溝に放出し、非接触面
で開口する穴からウエハ裏面に導くようにしたので、リ
ンス液をチャック外周より半径方向内側から接触させる
ことができ、未洗浄部の残らない洗浄を行うことができ
る。この結果、ウエハ裏面の汚染をなくすことができ、
半導体デバイスの歩留りを向上させることができる。
【図１】本発明の第一実施例を示すチャックの断面図で
ある。
ある。
【図２】第一実施例のチャックの平面図である。
【図３】本発明の第二実施例を示すチャックの断面図で
ある。
ある。
【図４】第二実施例によるチャックの平面図で（ａ）は
表面（ｂ）は裏面を示す。
表面（ｂ）は裏面を示す。
【図５】第二実施例と従来例との汚染領域を比較した図
である。
である。
【図６】従来のチャックが用いられたレジスト塗布装置
の概略図である。
の概略図である。
【図７】従来のウエハ裏面洗浄を説明する図である。
【図８】従来チャックの断面図である。
２１、３１ チャック ２５ａ、３１ａ 接触面 ２７ 非接触面 ３５ リンス液流入溝 ３７ 穴 ４１ リンス液 Ｗ ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｃ (72)発明者 末永 隆三 鹿児島県国分市野口北５番地１号 ソニー 国分株式会社内 (72)発明者 下窪 光治 鹿児島県国分市野口北５番地１号 ソニー 国分株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 上面にウエハを真空吸着して回転させる
円盤状のレジスト処理装置用チャックであって、 チャック上面の縁部に設けられ前記ウエハとの接触面よ
り低く形成された円環状の非接触面を具備したことを特
徴とするレジスト処理装置用チャック。 - 【請求項２】 上面にウエハを真空吸着して回転させる
円盤状のレジスト処理装置用チャックであって、 チャック上面の縁部に設けられ前記ウエハとの接触面よ
り低く形成された円環状の非接触面と、 チャック裏面に設けられ該チャックと同心円状に形成さ
れた円環状のリンス液流入溝と、 該リンス液流入溝より半径方向外側で前記非接触面に穿
設され該リンス液流入溝と連通する穴とを具備したこと
を特徴とするレジスト処理装置用チャック。 - 【請求項３】 ウエハ裏面にリンス液をかけて汚れを除
去するウエハ洗浄方法であって、 縁部に非接触面を有するチャック上面にウエハを真空吸
着して回転させる工程と、 チャック裏面に設けられた円環状のリンス液流入溝へリ
ンス液を放出することにより、該リンス液流入溝と連通
する非接触面の穴から遠心力によってリンス液を放出さ
せ、チャック外周より半径方向内側のウエハ裏面にリン
ス液をかける工程とからなることを特徴とするウエハ洗
浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11674995A JPH08316293A (ja) | 1995-05-16 | 1995-05-16 | レジスト処理装置用チャック、及びウエハ洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11674995A JPH08316293A (ja) | 1995-05-16 | 1995-05-16 | レジスト処理装置用チャック、及びウエハ洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08316293A true JPH08316293A (ja) | 1996-11-29 |
Family
ID=14694818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11674995A Pending JPH08316293A (ja) | 1995-05-16 | 1995-05-16 | レジスト処理装置用チャック、及びウエハ洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08316293A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001068541A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-03-16 | Tatsumo Kk | 処理基板トレイ |
| JP2008108766A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Toppan Printing Co Ltd | チャックおよびスピンコータ装置 |
| JP2009111024A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Applied Materials Inc | 化学機械研磨装置の基板支持部材、および化学機械研磨装置 |
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| JP2011521453A (ja) * | 2008-05-15 | 2011-07-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体ウェハのエッチング装置 |
| JP2013215868A (ja) * | 2012-04-12 | 2013-10-24 | Disco Corp | チャックテーブル |
| JPWO2014087761A1 (ja) * | 2012-12-04 | 2017-01-05 | リソテック ジャパン株式会社 | 基板処理機構及びこれを用いた小型製造装置 |
| WO2020153219A1 (ja) * | 2019-01-24 | 2020-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 加工装置及び加工方法 |
-
1995
- 1995-05-16 JP JP11674995A patent/JPH08316293A/ja active Pending
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| JPWO2020153219A1 (ja) * | 2019-01-24 | 2021-11-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 加工装置及び加工方法 |
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