JP2936505B2 - 塗布装置 - Google Patents

塗布装置

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/02Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
    • B05C11/08Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、塗布装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体ウエハ等の被処理体を回
転させて、これにフォトレジスト液等の処理液を塗布す
る塗布装置として、例えば図8に示すようなレジスト塗
布装置が知られている。この塗布装置は、被処理体、例
えば半導体ウエハWを水平に吸着保持して高速回転する
回転保持手段であるスピンチャック2と、ウエハWの表
面中心に処理液としてレジスト液を滴下するレジスト液
供給ノズル4と、スピンチャック2上のウエハWを包囲
して外方へ飛散するレジスト液や洗浄液を捕集するため
に設けられた外側容器6及び内側容器8を有している。
【0003】そして、処理液の回転塗布時においては、
飛散したレジスト液が回転に伴って発生する気流により
ウエハ裏面に回り込み、これがウエハ裏面の周縁部に付
着してその後の工程におけるパーティクルの発生原因と
なっていた。そのため、スピンチャック2の下方には、
ウエハWの裏面に付着したレジスト液を洗浄するための
洗浄液を放出する裏面洗浄ノズル10が設けられてお
り、レジスト液塗布後に例えばシンナーのような揮発性
の高い洗浄液(溶剤)を用いて裏面洗浄を行うようにな
っている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記裏面洗
浄を行うに際しては、ウエハ裏面に付着するレジストを
完全に除去するために洗浄ノズル10からの洗浄液の放
出方向を可変にし、洗浄液12をチャック2の周縁部よ
りも僅かに外側のウエハ裏面に向けて放出することも行
われ、可能な限りチャックに近いウエハ裏面まで洗浄す
るようになっている。しかしながら、このようにチャッ
ク2に近いウエハ裏面までも洗浄を行うと、飛散した洗
浄液12がウエハ裏面とチャック2との間に例えば毛細
管現象により矢印14に示すように浸入し、ウエハ裏面
の中心及びチャック2の表面を濡らすことになる。
【0005】このようにチャック2の表面が洗浄液によ
り濡れると、特に、これが高速回転することから揮発性
の高い洗浄液の気化熱によりチャック自体の温度が低下
し、この状態で次の未処理のウエハをチャック2に吸着
保持させた時にウエハ自体の温度プロファイルが悪化
し、この結果、ウエハ表面に塗布されるレジスト膜の膜
厚の面内均一性が損なわれるという改善点を有してい
た。例えば、通常のレジスト液を用いてウエハ温度のプ
ロファイルが悪化すると、ウエハ温度の低い部分は高い
部分と比較してレジスト膜の厚さが薄くなる等の改善点
を有していた。特に、レジスト液として温度に依存して
その粘性が敏感に変化する水溶性ポリマやゼラチン等を
用いた場合には、上記したレジスト膜の膜厚の面内均一
性が一層損なわれていた。
【0006】更には、上述のようにチャック2の表面が
洗浄液で濡れると、この部分にパーティクルが付着し易
くなり、このパーティクルに起因して歩留まりも低下す
るという改善点を有していた。本発明は、以上のような
問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたも
のである。本発明の目的は回転保持手段と被処理体との
間に洗浄液が浸入することを防止することができる塗布
装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、上面が平坦に形成された回転保持手段
に保持した被処理体を回転させつつこれに処理液を塗布
し、前記被処理体の裏面に付着した前記処理液を洗浄液
放出ノズルから放出された洗浄液により洗浄するように
した塗布装置において、前記回転保持手段の上面の周縁
部に、この上面に前記被処理体が載置保持された時に前
記洗浄液が浸入することを阻止するための洗浄液浸入阻
止間隙を形成するための水平面を有する洗浄液浸入阻止
段部を形成し、洗浄時に前記洗浄液侵入阻止間隙の開口
部にこれを封止して空気圧により前記洗浄液の侵入を阻
止する液溜りを形成するようにしたものである。
【0008】
【作用】本発明は、以上のように構成したので、回転保
持手段の上面に被処理体が吸着保持されると、保持手段
の上面の周縁部には洗浄水浸入阻止段部が形成されてい
るのでこれと被処理体の裏面との間に洗浄液浸入阻止間
隙が形成される。従って、洗浄液放出ノズルから放出し
た洗浄液により被処理体の裏面に付着した処理液を洗浄
する場合に、洗浄液が上記阻止間隙の入口近傍に溜って
液溜りが形成され、これが栓の作用を発揮し、内部に封
じ込められた空気の空気圧によりそれ以上内側に洗浄液
が浸入することを防止することが可能となる。
【0009】
【実施例】以下に、本発明に係る塗布装置の一実施例を
添付図面に基づいて詳述する。図1は本発明に係る塗布
装置の一実施例を示す断面図、図2は本発明の塗布装置
を搭載した処理機構を示す平面図、図3は本発明の塗布
装置の回転保持手段を示す断面図、図4は本発明の塗布
装置の回転保持手段を示す平面図、図5は図3に示す回
転保持手段を示す部分拡大図である。本実施例において
は塗布装置を、被処理体にレジストを塗布するレジスト
塗布装置に適用した場合について説明する。尚、従来装
置と同一部分については同一符号を付す。
【0010】図2に示すようにレジスト塗布装置等の各
種の処理装置が組み込まれる処理機構18について説明
すると、この処理機構18は、被処理体、例えば半導体
ウエハW(以下、単にウエハと称す)に種々の処理を施
す処理装置が配設された処理装置ユニット20と、この
処理装置ユニット20にウエハWを自動的に搬入・搬出
するための搬入・搬出機構22とから主に構成されてい
る。上記搬入・搬出機構22は、処理前のウエハWを収
納するウエハキャリア24と、処理後のウエハWを収納
するウエハキャリア26と、ウエハWを吸着保持するア
ーム28と、このアーム28をX(左右)、Y(前
後)、Z(垂直)及びθ(回転)方向に移動させる移動
機構30と、ウエハWがアライメントされかつ処理装置
ユニット20との間でウエハWの受け渡しがなされるア
ライメントステージ32とを備えている。
【0011】上記処理装置ユニット20には、アライメ
ントステージ32よりX方向に形成された搬送路34に
沿って移動自在に搬送機構36が設けられている。搬送
機構36にはX、Y、Z及びθ方向に移動自在にメイン
アーム38が設けられている。搬送路34の一方の側に
は、ウエハWとレジスト液膜との密着性を向上させるた
めのアドヒージョン処理を行うアドヒージョン処理装置
40と、ウエハWに塗布されたレジスト中に残存する溶
剤を加熱蒸発させるためのプリベーク装置42と、加熱
処理されたウエハWを冷却する冷却装置44とが配設さ
れている。また、搬送路34の他方の側には、ウエハW
の表面にレジスト液を塗布する本発明に係る塗布装置4
6と、露光工程時の光乱反射を防止するために、ウエハ
Wのレジスト上にCEL膜などを塗布形成する表面被覆
層塗布装置48とが配設されている。
【0012】本発明に係る上記塗布装置46は、被処理
体としてのウエハWを上部表面に保持、例えば真空吸着
して保持して回転する回転保持手段であるスピンチャッ
ク50と、このスピンチャック50を回転駆動するスピ
ンモータ52を有している。このスピンチャック50は
平板状に成形されて上面が平坦になされ、この中心部に
は真空ポンプ等に接続された図示しない保持用真空孔が
複数設けられている。
【0013】このスピンチャック50の下方にはスピン
チャック50の回転軸54を挿通させて底板56が設け
られ、この底板56の上部には、上記ウエハWの上部に
供給された処理液、例えばレジスト液58の飛散を防止
するための容器60が形成されている。具体的には、こ
の容器60は、上記スピンチャック50の外周を被って
その上端部がスピンチャックの水平レベルよりも僅かに
高くなされた、円環状の外側容器60Aと、スピンチャ
ックの下部よりその外周方向へ延在された円環状の内側
容器60Bとにより主に構成されている。両外側容器6
0A及び内側容器60Bは、スピンチャックの半径方向
外方に向けて徐々に下降傾斜して形成されており、これ
らの壁面に付着したレジスト液を底板56に向けて導く
ように構成されている。
【0014】また、上記底板56は一方向に向けて緩や
かに傾斜して形成されており、その最上位には容器60
内の排気を行うための排気管62が接続されると共に最
下位には容器内を流下したレジスト液や後述する洗浄液
等を排出する排液管64が接続されている。更に、上記
内側容器60Bの周縁部よりも僅かに半径方向内方の底
板56には、内側へ排液等が浸入することを防止するた
めの隔壁66が環状に起立させて設けられている。
【0015】そして、上記スピンチャック50の下方に
は、ウエハの裏面に向けてシンナーのような洗浄液68
を放出するために洗浄液供給手段としての複数、例えば
2つの洗浄液放出ノズル70が設けられている。具体的
には、これら放出ノズル70はスピンチャックの回転中
心を中心として点対称に配置されており、例えば8イン
チウエハのように半径の大きなウエハに対しても有効に
裏面洗浄を行い得るように構成されている。上記各放出
ノズル70の垂直方向に対する傾斜角度θは例えば45
°程度に設定してもよいし、或いは例えば25〜65°
の範囲内でスピンチャックとの回転数の関係で設定可能
としてもよい。
【0016】そして、上記各放出ノズル70は、それぞ
れ配管72等を介して洗浄液タンクや供給ポンプ等を有
する洗浄液供給部74へ接続されている。また、この洗
浄液供給部74は、予め洗浄工程等がプログラミングさ
れた例えばマイクロプロセッサ等よりなる制御手段76
からの制御信号によって制御され、また、この制御手段
76は前記スピンモータ52の回転数も制御している。
ここで、ウエハ裏面にこれに付着したレジスト液を除去
するために例えばシンナー等よりなる洗浄液68を放出
すると、この洗浄液68は、スピンチャック50の上側
表面とウエハWの下面との間に浸入してこの表面を濡ら
すことになる。そこで、これを防止するために上面が平
坦になされたスピンチャック50の上面の周縁部には、
段部状に切り欠かれた洗浄液浸入阻止段部78がチャッ
ク50の周方向に沿って円環状、ドーナツ状に形成され
ている。
【0017】この場合、阻止段部78の幅L1及び高さ
H1は、ウエハWの大きさにもよるが、例えば6インチ
ウエハの場合にはそれぞれ例えば5mm程度及び0.2
〜0.5mm程度に設定する。この場合、チャックの直
径R1が例えば80mmであるのに対して、段部間の直
径R2は70mmに設定されているが、これらの数値に
限定されるものではない。そして、このように形成され
た阻止段部78を有するスピンチャック50にウエハW
を吸着保持させると、この阻止段部78とウエハ裏面の
周縁部との間に、洗浄時に洗浄液68がウエハ裏面とチ
ャック上面との間に浸入してくることを阻止するため
液溜り部としての洗浄液浸入阻止間隙80を形成し得る
ように構成されている。また、スピンチャック50の上
方には、ウエハW上の中心に処理液、例えばレジスト液
58を供給するためのレジスト液供給ノズル82が設け
られている。
【0018】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。まず、処理前のウエハWは、搬
入・搬出機構22のアーム28によってウエハキャリア
24から搬出されてアライメントステージ32上に載置
される。次いで、アライメントステージ32上のウエハ
Wは、搬送機構36のメインアーム38に保持されて、
各処理装置40〜48へと順次搬送されて処理される。
そして、処理後のウエハWはメインアーム38によって
アライメントステージ32に戻され、更にアーム28に
より搬送されてウエハキャリア26に収納されることに
なる。
【0019】上記各処理装置の内の本発明に係るレジス
ト塗布装置16においては以下のようにレジスト膜形成
操作が行われる。まず、スピンチャック50上にウエハ
Wを載置し、これを真空吸引によって吸引保持する。そ
して、ウエハWを保持した状態でスピンモータ52を駆
動することによりスピンチャック50及びこれに吸着さ
れるウエハWを例えば2000rpmの回転数で高速回
転し、これと同時にレジスト液供給ノズル82から所定
量のレジスト液58をウエハW上に滴下供給する。この
時、排気管62を介して容器60内の雰囲気は所定の吸
引力で排気されている。
【0020】供給されたレジスト液は回転するウエハW
により遠心力が与えられてウエハ中心よりその半径方向
へ均一に広がりつつウエハ表面に均一に塗布され、余剰
分は高速回転による振り切りによりウエハ周辺部より外
方へ飛散して外側容器60Aの内壁面や内側容器60B
の外壁面に付着し、またミスト状のレジスト液がウエハ
Wのサイド面や裏面に付着する。そして、付着したまま
放置しておくとパーティクルの発生原因となる。このよ
うにして所定時間の塗布工程が終了したならば、制御手
段76により洗浄液供給部74を駆動して両洗浄液放出
ノズル70からシンナーのごとき洗浄液68を放出して
ウエハWの裏面洗浄及びサイドリンス(ウエハW周辺部
のレジストの溶解除去)を行ってここに付着した塗布液
を除去する。
【0021】この裏面洗浄を行う時には、洗浄液68を
放出しつつ制御手段76によりスピンモータ58を制御
してウエハ2の回転数を例えば500〜2000rpm
の範囲で増減させて変化させ、ウエハ2の裏面に衝突し
て飛散する洗浄液に与える遠心力を漸増或いは漸減する
ことにより飛散した洗浄液は外側容器64Aの内壁面及
び内側容器の外壁面に届き、これら表面を洗浄すること
になる。
【0022】このウエハの裏面洗浄に際しては、例えば
放出ノズル70の傾斜角度θを変化させることによりチ
ャック50の周縁部に当たらない範囲でこれに可能な限
り近いウエハ裏面まで洗浄することになるが、それでも
飛散した洗浄液68がウエハの回転中心の方向に向か
い、このウエハ裏面とチャック上面との間に浸入しよう
とする傾向となる。しかしながら、図6にも示すように
本実施例にあっては、スピンチャック50の上面周縁部
に阻止段部78を設けてあることからチャック上面にウ
エハWが吸着保持されるとこの阻止段部78とウエハ裏
面との間で洗浄液阻止間隙80が形成されることにな
る。従って、ウエハ回転中心の方向に飛散してきた洗浄
液は、阻止間隙80の開口部80Aにて表面張力、粘着
力等の作用によりトラップされてここに液溜り84を形
成することになり、それ以上、阻止間隙80内に洗浄液
が浸入することを防止することができる。すなわち、阻
止間隙80の開口端に液溜り84が形成されると間隙内
部に空気が封じ込められてしまい、この閉じ込められた
空気圧によりそれ以上の洗浄液の浸入が阻止されること
になる。
【0023】このように、洗浄液の浸入が阻止されるの
で、チャック表面やウエハ裏面がパーティクルを含む洗
浄液により濡れることがない。従って、従来装置にあっ
てはチャック表面が揮発性の洗浄液に濡れていたことか
らチャック自体の温度が洗浄液の気化熱により部分的に
低下していたが、本実施例にあっては上述のようにチャ
ック表面が洗浄液に濡れることはないので、温度が低下
せずにこのチャック表面の温度プロファイルは適正に維
持される。従って、次の未処理のウエハを、このチャッ
クに載置保持した場合にあっても、そのウエハの温度プ
ロファイルは適正に維持され、従って、温度に敏感なレ
ジスト液であってもこれを均等にウエハ表面に塗布して
レジスト膜の面内均一性を大幅に向上させることができ
る。また、上述のようにパーティクルを含む洗浄液によ
りチャック表面やウエハ裏面が濡れることはないので、
残存パーティクルを減少させることができ、これに起因
する歩留まりの低下を阻止することができる。
【0024】尚、上記実施例にあってはチャック50の
直径R1を80mmに設定したが、これに限定されず、
例えば図7に示すようにチャック50の直径R1を、ハ
ンドリングアーム(図示せず)によるウエハ裏面の把持
を阻止しない範囲で可能な限り大きくし、例えば110
mm程度に設定して阻止段部78の幅L1を20mm程
度まで長く設定するようにしてもよい。このように阻止
段部78の幅を長く設定することにより、先の実施例に
て示したと同様な作用効果を発揮することは勿論のこ
と、阻止段部78の幅が長くなった分だけウエハWの裏
面をカバーすることができ、従って、この部分に対応す
るウエハWの周縁部において温度変化が生ずることを阻
止でき、レジスト膜の膜厚の面内均一性を一層向上させ
ることができる。
【0025】尚、本発明においては被処理体として半導
体ウエハを用いた場合について説明したが、これに限定
されず、例えばプリント基板、LCD基板、CD等にも
適用することができ、また、本発明はレジスト塗布装置
のみならず、現像液塗布装置、エッチング液塗布装置、
磁性液塗布装置、洗浄装置等にも適用することができ
る。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の塗布装置
によれば次のような優れた作用効果を発揮することがで
きる。回転保持手段に洗浄液浸入阻止段部を形成して、
或いは回転保持手段とこれに保持される被処理体との間
に液溜り部を形成してここに洗浄液の液溜りを発生さ
せ、これにより内部を封止して空気圧により洗浄液が被
処理体と回転保持手段との間にそれ以上浸入することを
阻止するようにしたので、保持手段が洗浄液の気化熱に
より冷却されることがなく、これに載置される被処理体
の温度プロファイルに悪影響を与えることがない。従っ
て、塗布される処理液の膜厚の面内均一性を大幅に向上
させることができる。また、パーティクルを含む洗浄液
で保持手段の表面が塗れることはなく、従って残存する
パーティクルに起因する歩留まりの低下を抑制すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る塗布装置の一実施例を示す断面図
である。
【図2】本発明の塗布装置を搭載した処理機構を示す平
面図である。
【図3】本発明の塗布装置の回転保持手段を示す断面図
である。
【図4】本発明の塗布装置の回転保持手段をを示す平面
図である。
【図5】図3に示す回転保持手段を示す拡大図である。
【図6】本発明の塗布装置の動作を説明するための動作
説明図である。
【図7】本発明の塗布装置の変形例の要部を示す拡大図
である。
【図8】従来の塗布装置を示す断面図である。
【符号の説明】
46 塗布装置 50 スピンチャック(回転保持手段) 58 レジスト液(処理液) 60A 外側容器 60B 内側容器 68 洗浄液 70 洗浄液放出ノズル 78 洗浄液浸入阻止段部 80 洗浄液浸入阻止間隙 82 レジスト液供給ノズル 84 液溜り W 半導体ウエハ(被処理体)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/027

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 上面が平坦に形成された回転保持手段に
    保持した被処理体を回転させつつこれに処理液を塗布
    し、前記被処理体の裏面に付着した前記処理液を洗浄液
    放出ノズルから放出された洗浄液により洗浄するように
    した塗布装置において、前記回転保持手段の上面の周縁
    部に、この上面に前記被処理体が載置保持された時に前
    記洗浄液が浸入することを阻止するための洗浄液浸入阻
    止間隙を形成するための水平面を有する洗浄液浸入阻止
    段部を形成し、洗浄時に前記洗浄液侵入阻止間隙の開口
    部にこれを封止して空気圧により前記洗浄液の侵入を阻
    止する液溜りを形成するようにしたことを特徴とする塗
    布装置。
  2. 【請求項2】 上面が平坦に形成された回転保持手段に
    保持した被処理体を回転させつつこれに処理液を塗布
    し、前記被処理体の裏面に付着した前記処理液を前記被
    処理体の裏面側に向けて洗浄液供給手段から放出された
    洗浄液により洗浄するようにした塗布装置において、前
    記回転保持手段の前記被処理体との当接面側に、この面
    と前記被処理体の裏面との間で前記洗浄液を表面張力で
    保持して空気圧により前記洗浄液の浸入を阻止する液溜
    りを形成するための液溜め部を形成したとことを特徴と
    する塗布装置。
  3. 【請求項3】 前記液溜め部は、前記回転保持手段の当
    接面の周方向に沿って円環状に形成されていることを特
    徴とする請求項2記載の塗布装置。
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