JP7189733B2 - 処理カップユニットおよび基板処理装置 - Google Patents
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Description
また、上下方向におけるミスト付着防止部材と基板の下面との間隔は、内方から外方に向かって漸次減少する。この場合、ミスト付着防止部材と基板の下面との間隔が外方側においてより狭くなるため、基板の被処理面の処理液が下面に回り込むことをさらに確実に防止することができる。
以下、本発明の一実施の形態に係る処理カップユニットおよび基板処理装置について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の一方向に沿った概略断面図である。図2は、図1の処理カップユニット10の部分拡大断面図である。図1に示すように、基板処理装置100は、処理カップユニット10、回転保持装置20および処理ノズル30を備える。処理カップユニット10は、基板Wから処理液が飛散することを防止する非回転カップであり、基板Wの周囲を取り囲むように設けられる。
図1および図2を参照しながら、基板処理装置100の動作を説明する。基板Wは、被処理面が上方に向けられた状態で回転保持部23により水平姿勢で保持される。この状態で、基板Wが回転保持部23により回転されるとともに、処理ノズル30から基板Wの被処理面の中心付近に処理液が吐出される。これにより、基板Wの被処理面の中心付近に吐出された処理液が、基板Wの回転に伴う遠心力により基板Wの被処理面の全体に拡げられ、基板Wの被処理面に処理液の膜が形成される。
本実施の形態において、下カップ11の上面11aは内方から外方に向かって斜め下方にわずかに傾斜するが、下カップ11の形状はこれに限定されない。図3は、変形例に係る処理カップユニット10の部分拡大断面図である。図3に示すように、下カップ11の上面11aは、内方から外方に向かって斜め上方に傾斜してもよい。この構成において、下カップ11がミスト付着防止部材17と干渉しない場合には、下カップ11に切欠11nが形成されなくてもよい。あるいは、下カップ11の上面11aは、ほとんど傾斜せずに、略水平であってもよい。
本実施の形態に係る基板処理装置100においては、回転保持装置20により基板Wが水平姿勢で保持されて回転される。この状態で、処理ノズル30により基板Wの被処理面に処理液が吐出されることにより基板Wが処理される。基板Wの周囲を取り囲むように処理カップユニット10が設けられるので、処理液の飛散による基板処理装置100の汚染が防止される。
(a)上記実施の形態において、処理カップユニット10は気体ノズル18を含むが、本発明はこれに限定されない。ミスト付着防止部材17の上面と基板Wの下面との間の空間V5が十分に狭く形成される場合には、処理カップユニット10は気体ノズル18を含まなくてもよい。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
(7)参考形態
(7-1)第1の参考形態に係る処理カップユニットは、水平姿勢で保持される基板に処理液を用いた処理を行う際に基板の周囲を取り囲むように設けられる処理カップユニットであって、下カップと、下カップの上方において基板の周囲を取り囲むように配置される上カップと、基板の下方に配置されかつ基板の下面に処理液のミストが付着することを防止するミスト付着防止部材とを備える。
この処理カップユニットにおいては、水平姿勢で保持される基板に処理液を用いた処理を行う際に、下カップおよび上カップが設けられる。上カップは、下カップの上方において基板の周囲を取り囲むように配置される。ミスト付着防止部材が、基板の下方に配置される。
この構成によれば、基板処理時に、基板の被処理面から飛散した処理液が下カップおよび上カップにより捕捉されるので、処理液の飛散による処理カップユニットの外部の汚染が防止される。ここで、基板から飛散した処理液が下カップまたは上カップに衝突して処理液のミストが発生した場合でも、ミスト付着防止部材により基板の下面に処理液のミストが付着することが防止される。これにより、処理液による基板の下面の汚染を防止することができる。また、基板の下面に処理液が付着しないので、基板の下面を洗浄するための洗浄液を基板の下面に供給する必要がない。そのため、基板処理における洗浄液の使用量を削減することができる。
(7-2)ミスト付着防止部材は、基板の下面に沿って延びかつ基板の下面に近接するように配置されてもよい。この場合、ミスト付着防止部材と基板の下面との間の空間が狭く形成される。そのため、基板の被処理面の処理液が下面に回り込むことがより容易に防止される。これにより、処理液による基板の下面の汚染をより確実に防止することができる。
(7-3)上下方向におけるミスト付着防止部材と基板の下面との間隔は、2mm以上5mm以下であってもよい。この場合、ミスト付着防止部材と基板の下面との間が十分に近接することにより、ミスト付着防止部材と基板の下面との間の空間がより狭く形成される。これにより、基板の被処理面の処理液が下面に回り込むことをより確実に防止することができる。
(7-4)上下方向におけるミスト付着防止部材と基板の下面との間隔は、内方から外方に向かって漸次減少してもよい。この場合、ミスト付着防止部材と基板の下面との間隔が外方側においてより狭くなるため、基板の被処理面の処理液が下面に回り込むことをさらに確実に防止することができる。
(7-5)ミスト付着防止部材の外縁部は、基板の外縁部よりも内方に位置してもよい。この場合でも、基板の被処理面の処理液が下面に回り込むことをさらに確実に防止することができる。
(7-6)処理カップユニットは、基板の下面に沿って内方から外方への気体の流れを形成する気体ノズルをさらに備えてもよい。この場合、ミスト付着防止部材と基板の下面との間の空間を陽圧に維持することができる。これにより、処理液のミストが基板の下面に付着すること、および基板の被処理面の処理液が下面に回り込むことをさらに確実に防止することができる。
(7-7)下カップの内縁部は、上カップの内縁部よりも内方に位置してもよい。この場合、下カップの内縁部が基板に十分に近接する。そのため、処理液の飛散距離が短い場合でも、下カップにより処理液を捕集することができる。また、基板の近傍で処理液が下カップに衝突して処理液のミストが発生した場合でも、ミスト付着防止部材により基板の下面に処理液のミストが付着することが防止される。これにより、処理液による基板の下面の汚染を防止することができる。
(7-8)下カップの内縁部は、ミスト付着防止部材の外縁部の下方に位置してもよい。この場合、下カップの内縁部が基板に十分に近接する。そのため、処理液の飛散距離が短い場合でも、下カップにより処理液を捕集することができる。また、基板の近傍で処理液が下カップに衝突して処理液のミストが発生した場合でも、ミスト付着防止部材により基板の下面に処理液のミストが付着することが防止される。これにより、処理液による基板の下面の汚染を防止することができる。
(7-9)基板処理に用いられる処理液の粘度は、100cP以上300cP以下であってもよい。この構成によれば、ミスト付着防止部材により処理液のミストが基板の下面に付着することが防止されるので、基板処理に用いられる処理液の粘度が比較的高い場合でも、洗浄液を用いることなく基板の下面の汚染を防止することができる。
(7-10)第2の参考形態に係る基板処理装置は、基板を水平姿勢で保持して回転させる回転保持装置と、回転保持装置により保持された基板の被処理面に処理液を吐出する処理液吐出部と、回転保持装置により保持された基板の周囲を取り囲むように設けられる第1の参考形態に係る処理カップユニットとを備える。
この基板処理装置においては、回転保持装置により基板が水平姿勢で保持されて回転される。この状態で、処理液吐出部により基板の被処理面に処理液が吐出されることにより基板が処理される。基板の周囲を取り囲むように上記の処理カップユニットが設けられるので、処理液の飛散による基板処理装置の汚染が防止される。
また、基板から飛散した処理液が下カップまたは上カップに衝突して処理液のミストが発生した場合でも、ミスト付着防止部材により基板の下面に処理液のミストが付着することが防止される。これにより、処理液による基板の下面の汚染を防止することができる。さらに、基板の下面に処理液が付着しないので、基板の下面を洗浄するための洗浄液を基板の下面に供給する必要がない。そのため、基板処理における洗浄液の使用量を削減することができる。
Claims (9)
- 水平姿勢で保持される基板に処理液を用いた処理を行う際に基板の周囲を取り囲むように設けられる処理カップユニットであって、
下カップと、
前記下カップの上方において基板の周囲を取り囲むように配置される上カップと、
基板を回転させるための回転保持装置を取り囲むように基板の下方に配置されかつ基板の下面に処理液のミストが付着することを防止するミスト付着防止部材とを備え、
前記ミスト付着防止部材の上面は、前記回転保持装置における基板の保持部分と対向する内縁部から前記内縁部とは逆の外縁部に向かって斜め上方に傾斜することにより、上下方向における前記ミスト付着防止部材と基板の下面との間隔は、内方から外方に向かって漸次減少する、処理カップユニット。 - 前記ミスト付着防止部材は、基板の下面に沿って延びかつ基板の下面に近接するように配置される、請求項1記載の処理カップユニット。
- 上下方向における前記ミスト付着防止部材と基板の下面との間隔は、2mm以上5mm以下である、請求項2記載の処理カップユニット。
- 前記ミスト付着防止部材の外縁部は、基板の外縁部よりも内方に位置する、請求項2または3記載の処理カップユニット。
- 基板の下面に沿って内方から外方への気体の流れを形成する気体ノズルをさらに備える、請求項1~4のいずれか一項に記載の処理カップユニット。
- 前記下カップの内縁部は、前記上カップの内縁部よりも内方に位置する、請求項1~5のいずれか一項に記載の処理カップユニット。
- 前記下カップの内縁部は、前記ミスト付着防止部材の外縁部の下方に位置する、請求項1~6のいずれか一項に記載の処理カップユニット。
- 基板処理に用いられる処理液の粘度は、100cP以上300cP以下である、請求項1~7のいずれか一項に記載の処理カップユニット。
- 基板を水平姿勢で保持して回転させる回転保持装置と、
前記回転保持装置により保持された基板の被処理面に処理液を吐出する処理液吐出部と、
前記回転保持装置により保持された基板の周囲を取り囲むように設けられる請求項1~8のいずれか一項に記載の処理カップユニットとを備える、基板処理装置。
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Citations (4)
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014086639A (ja) | 2012-10-25 | 2014-05-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| WO2017082065A1 (ja) | 2015-11-10 | 2017-05-18 | 株式会社Screenホールディングス | 膜処理ユニット、基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2017103368A (ja) | 2015-12-02 | 2017-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布液供給装置、塗布方法及び記憶媒体 |
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