TWI713667B - 光阻製程工具以及用於清洗光阻製程工具的杯洗盤和方法 - Google Patents

光阻製程工具以及用於清洗光阻製程工具的杯洗盤和方法 Download PDF

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Abstract

提供一種用於清洗光阻製程工具的杯洗盤。上部板配置 於下部板上方以定義所述上部板與所述下部板之間的空腔。所述下部板包括與所述空腔流體連通並沿所述下部板的周邊配置的周邊開口。多個墊片配置於所述上部板與所述下部板之間以將所述上部板與所述下部板隔開並定義所述上部板與所述下部板之間的縫隙。所述縫隙與所述空腔流體連通。亦提供一種使用所述杯洗盤清洗所述光阻製程工具的方法。

Description

光阻製程工具以及用於清洗光阻製程工具的杯 洗盤和方法
本發明實施例是有關於一種用於清洗光阻製程工具的杯洗盤、用於清洗光阻製程工具的方法以及光阻製程工具。
在積體電路(IC)的製造期間，執行多步驟序列的半導體製造過程以逐漸在半導體基板上形成電子電路。一個此類半導體製造過程為微影。微影為使用輻射將幾何圖案自光罩轉移至光阻層的製程。所述製程包括：沉積光阻層；將光阻層暴露於穿過並藉由光罩圖案化的輻射；以及顯影光阻層。
根據本發明的一些實施例，一種用於清洗光阻製程工具的杯洗盤包括上部板、下部板以及多個墊片。所述上部板配置於所述下部板上方以定義所述上部板與所述下部板之間的空腔，其中所述下部板包括與所述空腔流體連通且沿所述下部板的周邊配 置的周邊開口。所述墊片配置於所述上部板與所述下部板之間以將所述上部板與所述下部板隔開並定義所述上部板與所述下部板之間的縫隙，其中所述縫隙與所述空腔流體連通。
100:透視圖
102:CWD
104a:墊片
104b:墊片
104c:墊片
104d:墊片
106:上部板
108:下部板
110a:縫隙
110b:縫隙
110c:縫隙
114a:周邊開口
114b:周邊開口
114c:周邊開口
114d:周邊開口
114e:周邊開口
114f:周邊開口
114g:周邊開口
114h:周邊開口
114i:周邊開口
114j:周邊開口
118:下部開口
200A:上視圖
200B:剖面圖
200C:剖面圖
202:空腔
204:底表面
206:外側壁表面
208:下部開口
210:中心軸
212:外側壁表面
214:外側壁表面
300A:透視圖
300B:上視圖
302:墊片結構
304:環形區域
306a:可撓性部件
306b:可撓性部件
306c:可撓性部件
306d:可撓性部件
400:剖面圖
402:光阻製程工具
404:外殼
406:腔室
408:工件支撐件
410a:後沖洗噴嘴
410b:後沖洗噴嘴
412:馬達
414:轉軸
416:內側壁
418:外側壁
420:排氣通道
422:入口
424:光阻出口
426:溶劑出口
500:剖面圖
502:工件
600:剖面圖
602:光阻噴嘴
604:光阻
606:光阻層
608:過剩光阻
610:過剩光阻層
612:過剩光阻層
700:剖面圖
800:剖面圖
802:溶劑
804:經溶解光阻
806:過剩溶劑
900:流程圖
902:步驟
904:步驟
906:步驟
908:步驟
D:距離
T:厚度
當結合隨附圖式閱讀時，自以下詳細描述最佳地理解本發明實施例的態樣。應注意，根據業界中的標準實務，未按比例繪製各種特徵。實際上，為論述清楚起見，可任意地增大或減小各種特徵的尺寸。
圖1繪示一種具有墊片的杯洗盤(CWD)的一些實施例的透視圖。
圖2A繪示圖1的CWD的一些實施例的上視圖。
圖2B及圖2C繪示圖2A的CWD的一些實施例的各種剖面圖。
圖3A繪示圖1的CWD的更詳細實施例的透視圖。
圖3B繪示圖3A的CWD的一些實施例的上視圖。
圖4繪示圖1的以光阻製程工具配置的CWD的一些實施例的剖面圖。
圖5至圖8繪示一種使用光阻製程工具且隨後使用包括墊片的CWD清洗光阻製程工具的方法的一些實施例的一系列剖面圖。
圖9繪示一種使用光阻製程工具且隨後使用包括墊片的CWD清洗光阻製程工具的方法的一些實施例的流程圖。
本發明提供用於實施本發明的不同特徵的許多不同實施例或實例。下文描述組件以及配置的特定實例以簡化本發明。當然，此等組件及配置僅為實例且並不意欲為限制性的。舉例而言，在以下描述中的第一特徵在第二特徵上方或上的形成可包括第一特徵及第二特徵直接接觸形成的實施例，且亦可包括額外特徵可在第一特徵與第二特徵之間形成使得第一特徵及第二特徵可不直接接觸的實施例。另外，本發明可在各種實例中重複元件符號及/或字母。此重複是出於簡單性及清晰性之目的，且本身並不指示所論述的各種實施例及/或組態之間的關係。
另外，為易於描述，本文中可使用諸如「在...之下」、「在...下方」、「下部」、「在...上方」、「上部」以及其類似者的空間相對術語，以描述如諸圖中所說明的一個元件或特徵與其他元件或特徵的關係。除諸圖中所描繪的定向以外，空間相對術語意欲涵蓋元件在使用或操作中的不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或處於其他定向)，且本文中所使用的空間相對描述詞可同樣相應地進行解譯。
用於沉積光阻層的一些製程涉及將液體光阻材料塗覆到旋轉工件的表面。雖然旋轉促進液體光阻材料的均勻塗覆，但旋轉亦可導致液體光阻材料的飛濺及/或噴射及液體光阻材料在容納旋轉工件的處理腔室的表面上的堆積(buildup)。堆積又可導致對置放於處理腔室中的其他工件的污染。一個解決方案為在使用之間清洗處理腔室。
為了清洗處理腔室，將杯洗盤(cup wash disk；CWD)置放於處理腔室內。CWD可包括上部板，所述上部板配置於下部 板上方且鄰接(abut)下部板以定義上部板與下部板之間的空腔。下部板包括在下部板的底部上的下部開口及沿下部板的周邊配置的多個周邊開口。下部開口及周邊開口與空腔流體連通，且下部開口經組態以接收溶劑。將CWD置放於處理腔室內之後，旋轉CWD同時將溶劑自CWD之下噴射至下部開口中。由於離心力，溶劑在空腔內向周邊開口行進，且飛濺及/或噴射至處理腔室的表面上。溶劑隨後溶解(dissolve)堆積並清洗處理腔室。
雖然CWD有助於處理腔室的清洗，但由於處理腔室之某些設計CWD可能不能有效地清洗處理腔室的外側壁(或杯)。舉例而言，處理腔室可包括阻擋溶劑側向噴射至外側壁的內側壁(或杯)。在CWD不能有效地清洗外側壁的情況下，其用以清洗處理腔室的時間及/或用於清洗處理腔室的溶劑的量可能增加，藉此增加成本。
本申請案涉及配置於定義空腔的上部板與下部板之間的具有墊片的CWD。下部板包括沿下部板的周邊配置並與空腔流體連通的周邊開口。此外，下部板包括與空腔流體連通的下部開口。墊片將下部板與上部板隔開，且定義下部板與上部板之間的多個縫隙。縫隙配置在周邊開口上方，沿上部板及下部板的周邊，且與空腔流體連通。有利的是，在使用CWD期間，縫隙增加來自CWD的溶劑的側向噴射的高度。此增加的高度可允許側向噴射到達不受處理腔室的內側壁阻擋的處理腔室的外側壁。由此，CWD在清洗外側壁上可為有效的，藉此在清洗期間節省溶劑、金錢及時間。
參考圖1，提供具有墊片104a、104b的CWD 102的一些 實施例的透視圖100。如所說明，墊片104a、104b經配置於上部板106與下部板108之間以定義上部板106與下部板108之間的縫隙(slits)110a、110b、110c。墊片104a、104b限制於上部板106及下部板108的周邊，且在一些實施例中，均勻隔開的墊片圍繞上部板106及下部板108的周邊。此外，在一些實施例中，墊片104a、104b直接鄰接上部板106及下部板108。墊片104a、104b可為(例如)鐵氟龍(Teflon)(例如，聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene))，及/或墊片104a、104b及縫隙110a、110b、110c可具有約0.1公釐的厚度T。
上部板106及下部板108定義其間與縫隙110a、110b、110c流體連通的空腔(未繪示)。空腔包括上部板106之下表面中之凹槽(recess)(未繪示)及/或下部板108之上表面中之凹槽(未繪示)。上部板106及/或下部板108包括與空腔流體連通且沿上部板106及/或下部板108的周邊配置的周邊開口114a、114b、114c、114d。在一些實施例中，均勻地側向隔開的周邊開口114a、114b、114c、114d圍繞上部板106及/或下部板108的周邊，及/或限制於下部板108。此外，下部板108包括與空腔流體連通的下部開口(未繪示)。在一些實施例中，上部板106及下部板108共用圓形覆蓋區(footprint)及/或上部板106及下部板108的側壁表面為共面的(coplanar)。
在使用中，置放CWD 102於經組態以沉積光阻的光阻製程工具的腔室內的工件支撐件上。CWD 102隨後經由工件支撐件旋轉同時溶劑流穿過下部開口噴射至空腔中。離心力將溶劑移動至CWD 102的周邊或使其向周邊加速，在所述周邊處所述溶劑噴 射出縫隙110a、110b、110c及周邊開口114a、114b、114c、114d到腔室的表面。與表面介接(interface)之後，溶劑溶解表面上的光阻的任何堆積，藉此清洗腔室。有利的是，縫隙110a、110b、110c可相對於周邊開口114a、114b、114c、114d較高，使得縫隙110a、110b、110c可提供對從周邊開口114a、114b、114c、114d噴射出的溶劑無法達到的表面的有效清洗。此有利地允許溶劑的有效使用，低成本及快速清洗。
參考圖2A，提供圖1的CWD 102的一些實施例的上視圖200A。如所說明，側向隔開的多個墊片104a、104b、104c、104d(繪示於剖視圖中)配置於上部板106之下且圍繞上部板106的周邊。舉例而言，墊片104a、104b、104c、104d可包括圍繞上部板106的周邊均勻地側向隔開的四個墊片。
參考圖2B，提供圖2A的CWD 102的一些實施例的剖面圖200B。剖面圖200B為沿圖2A中的線A-A’截取的。如所說明，空腔202配置於上部板106與下部板108之間，且包括下部板108及/或上部板106中的凹槽。在一些實施例中，空腔202為環形。
上部板106及/或下部板108包括與空腔202流體連通且沿上部板106及/或下部板108的周邊配置的周邊開口114d、114e、114f(僅標記其中一些)。周邊開口114d、114e、114f可為(例如)水平的、垂直的或向上或向下成角度的。在一些實施例中，周邊開口114d、114e、114f包括穿過下部板108的底表面204垂直延伸至空腔202的垂直周邊開口114f。在一些實施例中，周邊開口114d、114e、114f包括穿過下部板108的外側壁表面206側向延伸至空腔202的水平周邊開口114d。在一些實施例中，周邊開口 114d、114e、114f包括穿過下部板108的下部角(lower corner)與水平方向成約45度向上延伸至空腔202的帶角度(angled)周邊開口114e。此外，下部板108包括與空腔202流體連通且經組態以接收溶劑(由箭頭繪示)的下部開口208(或底部開口)。在一些實施例中，下部開口208為環形的，及/或在CWD 102的中心軸210與周邊開口114d、114e、114f之間側向隔開。此外，在一些實施例中，下部開口118配置於下部板108的底表面204上。
多個墊片104b、104d配置於上部板106與下部板108之間以將上部板106與下部板108隔開。墊片104b、104d沿上部板106的周邊側向隔開以定義上部板106與下部板108之間的縫隙(未繪示)。在一些實施例中，墊片104b、104d的外側壁表面212(僅標記其中的一者)與下部板108的外側壁表面206及/或上部板106的外側壁表面214共面。縫隙與空腔202流體連通並為溶劑進入空腔202提供出口。在一些實施例中，墊片104b、104d具有約0.1公釐的厚度T。
參考圖2C，提供圖2A的CWD 102的一些實施例的另一剖面圖200C。剖面圖200C為沿圖2A中的線B-B’截取的。如所說明，多個周邊開口114g、114h、114i(僅標記其中之一些)沿與下部板108與上部板106之間的空腔202流體連通的下部板108的周邊配置。此外，墊片(未繪示)配置於上部板106與下部板108之間以定義縫隙110c(僅標記其中之一者)。縫隙110c與空腔202流體連通且沿上部板106及下部板108的周邊配置，垂直配置於上部板106與下部板108之間並側向配置於墊片之間。在一些實施例中，縫隙110c配置於周邊開口114g、114h、114i上方。舉 例而言，縫隙110c可在周邊開口114g、114h、114i上方以約3公釐的距離D隔開。此外，在一些實施例中，縫隙110c經配置與空腔202直接流體連通。縫隙110c及周邊開口114g、114h、114i為進入空腔202的溶劑(由箭頭繪示)提供出口。
參考圖3A，提供圖1的CWD 102的更詳細實施例的透視圖300A。如所說明，墊片結構302配置於上部板106上以將上部板106與下部板108隔開。在一些實施例中，墊片結構302為鐵氟龍(例如，聚四氟乙烯)或一些其他聚合物，及/或經模製(molded)。墊片結構302包括環形區域304、多個墊片104b及多個可撓性部件306a。為了易於說明，僅標記墊片104a中之一者及可撓性部件306a中之一者。
環形區域304配置於上部板106上方。在一些實施例中，環形區域304直接配置於上部板106上，及/或具有超過上部板106之外徑的外徑。墊片104b配置於上部板106與下部板108之間以定義上部板106與下部板108之間的縫隙110b。為了易於說明，僅標記縫隙110b中之一者。墊片104b限制於上部板106及下部板108的周邊，且在一些實施例中，側向隔開的墊片圍繞上部板106及下部板108的周邊。可撓性部件306a在墊片104b的外邊緣與環形區域304之間沿上部板106的外側壁表面214延伸以將墊片104b連接至環形區域304。在一些實施例中，可撓性部件306a的長度約等於上部板106的厚度，及/或可撓性部件306a直接鄰接上部板106的外側壁表面214。可撓性部件306a為可撓的以自外側壁表面214偏轉以便將墊片結構302添加至上部板106，或將墊片結構302自上部板106移除。
參考圖3B，提供圖3A的CWD 102的一些實施例的上視圖300B。如所說明，墊片結構302的環形區域304部分覆蓋上部板106。此外，側向隔開的多個墊片104a、104b、104c、104d(繪示為虛線)配置於上部板106之下且圍繞環形區域304的周邊。舉例而言，墊片104a、104b、104c、104d可包括圍繞環形區域304的周邊側向均勻地隔開的四個墊片。墊片104a、104b、104c、104d藉由各別可撓性部件306a、306b、306c、306d(亦繪示為虛線)連接至環形區域304，側向隔開的所述各別可撓性部件圍繞環形區域304的周邊與墊片104a、104b、104c、104d。
參考圖4，提供圖1的以光阻製程工具402配置的CWD102的一些實施例的剖面圖400。光阻製程工具402經組態以將光阻(諸如，液體光阻)沉積於工件(未繪示)上，且CWD 102經組態以噴射溶劑以在沉積之間清洗光阻製程工具402的過剩光阻。
如所說明，CWD 102配置於光阻製程工具402的外殼404中且包括配置於上部板106與下部板108之間的空腔202。上部板106及/或下部板108包括與空腔202流體連通且沿上部板106及/或下部板108的周邊配置的周邊開口114d、114j。此外，下部板108包括與空腔202流體連通的下部開口208(或底部開口)。墊片(未繪示)配置於上部板106與下部板108之間以定義沿CWD102的周邊，側向配置於墊片之間且垂直配置於上部板106與下部板108之間的縫隙110a、110c。
外殼404的腔室406容納工件支撐件408及後沖洗噴嘴(back rinse nozzles)410a、410b。工件支撐件408包括經組態以支撐CWD 102或工件(未繪示)的上部側面，且更包括經由轉軸 414機械耦接至馬達412的下部側面。馬達412經組態以經由轉軸414旋轉工件支撐件408。後沖洗噴嘴410a、410b經組態以將溶劑噴射至CWD 102的下部開口208中。腔室406由側向包圍工件支撐件408的內側壁416(或杯)及外側壁418(或杯)部分定義。內側壁416突出至高於工件支撐件408的第一高度，且外側壁418突出至高於工件支撐件408的大於第一高度的第二高度。此外，外側壁418側向包圍內側壁416且與內側壁416側向隔開。
外殼404的排氣通道420經組態以自腔室406移除過剩光阻及/或溶劑。在一些實施例中，排氣通道420在腔室406的周邊下方並沿所述腔室的周邊配置，及/或側向包圍腔室406。排氣通道420自鄰接腔室406的入口422延伸至入口422下方的一或多個出口424、426。入口422配置於內側壁416與外側壁418之間的外殼404的上部側面上。此外，在一些實施例中，入口422沿外殼404(例如，環形)的周邊側向包圍腔室406。出口424、426包括用於過剩光阻的光阻出口424及/或用於過剩溶劑的溶劑出口426。在一些實施例中，光阻出口424配置於外殼404的下部側面上及/或沿外殼404(例如，環形)的周邊側向封閉腔室406。此外，在一些實施例中，溶劑出口426配置於腔室406的正下方，光阻出口424的下游。為了防止光阻沿排氣通道420自光阻出口424移動至溶劑出口426，排氣通道420可在光阻出口424與溶劑出口426之間向上且接著向下移動。歸因於光阻相對於溶劑的密度的增加，光阻不能與溶劑一起向上移動。
在清洗光阻製程工具402期間，在藉由馬達412旋轉CWD102時後沖洗噴嘴410a、410b將溶劑噴射至CWD 102的下部開口 208中。離心力將溶劑移動至CWD 102的周邊或向周邊加速，在所述周邊處其噴射出CWD 102的周邊開口114d、114j及CWD 102的縫隙110a、110c。有利的是，縫隙110a、110c可允許有效地清洗外側壁418。舉例而言，在朝向外側壁418噴射出周邊開口114d、114j的溶劑由內側壁416阻擋的情況下，朝向外側壁418噴射出縫隙110a、110c的溶劑可到達不受內側壁416阻擋的外側壁418，此是因為縫隙110a、110c可經配置於周邊開口114d、114j及內側壁416的最頂點上方。藉由有效地清洗外側壁418，節省了溶劑、時間及金錢。
參考圖5至圖8，提供一種使用光阻製程工具且隨後使用包括墊片的CWD清洗光阻製程工具的方法的一些實施例的一系列剖面圖。
如由圖5的剖面圖500所說明，工件502置放於光阻製程工具402的腔室406中的工件支撐件408上。工件502可為(例如)具有其上配置有一或多個層及/或元件的半導體晶圓或基板。半導體晶圓或基板可為(例如)塊狀(bulk)半導體基板，諸如，塊狀矽基板或絕緣體上矽(SOI)基板。
如由圖6的剖面圖600所說明，光阻噴嘴602配置於工件502上方且工件502經由工件支撐件408藉由馬達412旋轉。在工件502旋轉的情況下，光阻噴嘴602將光阻604塗覆至工件502從而在工件502上形成光阻層606。在一些實施例中，光阻噴嘴602將光阻604塗覆至工件502的中心，及/或光阻604以液體形式塗覆。歸因於離心力，所塗覆的光阻604跨越工件502均勻地分佈，藉此形成具有實質上均勻厚度的光阻層606。此外，過剩 光阻608飛濺及/或噴射離開工件502。一些過剩光阻608移動至圍繞腔室406的周邊的排氣通道420的入口422，且隨後自光阻製程工具402移除。此外，一些過剩光阻608在部分定義腔室406的內側壁416及外側壁418上堆積從而在內側壁416及外418上形成過剩光阻層610、612。
如由圖7的剖面圖700所說明，工件502(例如，見圖6)由CWD 102代替。換言之，光阻噴嘴602(例如，見圖6)自腔室406上方移除且工件502自腔室406移除。此外，CWD 102置放於工件支撐件408上的腔室406中。CWD 102包括上部板106及配置於上部板106下方的下部板108。上部板106與下部板108藉由配置於其間的墊片(未繪示)而與彼此隔開以定義沿上部板106及/或下部板108的周邊側向隔開的縫隙110a、110c。
如由剖面圖800所說明，藉由馬達412旋轉CWD 102同時後沖洗噴嘴410a、410b經由CWD 102的下部開口208(或底部開口)將溶劑802噴射(如箭頭所示)至CWD 102的空腔202中。歸因於離心力，溶劑802移動及/或加速穿過空腔202至CWD 102的周邊開口114d、114j及縫隙110a、110c，且同時朝向內側壁416及外側壁418噴射出周邊開口114d、114j及縫隙110。與內側壁416及外側壁418介接之後，溶劑802溶解在光阻沉積期間堆積於內側壁416及外側壁418上的過剩光阻層610、612。經溶解光阻804及過剩溶劑806移動至排氣通道420的入口422且分別行進至光阻出口424及溶劑出口426以用於自光阻製程工具402移除。
在一些實施例中，後沖洗噴嘴410a、410b繼續噴射溶劑802直至完全移除過剩光阻層610、612為止及/或經過一預定時間 段為止。此外，在一些實施例中，朝向外側壁418噴射出周邊開口114d、114j的溶劑由內側壁416阻擋，而噴射出縫隙110a、110c之溶劑到達不受內側壁416阻擋的外側壁418，此是因為縫隙110a、110c配置於周邊開口114d、114j及內側壁416的最頂點上方。在此等實施例中，CWD 102有利地允許腔室406的有效清洗，這減少了溶劑使用、時間及成本。
參考圖9，提供一種使用光阻製程工具且隨後使用包括墊片的CWD清洗光阻製程工具的方法的一些實施例的流程圖900。
在步驟902，將工件置放於光阻製程工具的腔室中。腔室藉由內側壁及延伸至內側壁上方的位置的外側壁部分定義。例如，見圖5。
在步驟904，在旋轉工件時將光阻沉積於工件上，使得過剩光阻飛濺並堆積於內側壁及外側壁上。例如，見圖6。
在步驟906，使用CWD代替工件。CWD包括將CWD的上部板與下部板隔開以形成縫隙的墊片。此外，下部板包括周邊開口。例如，見圖7。
在步驟908，在CWD旋轉時將溶劑噴射至CWD的空腔中，使得溶劑噴射出縫隙及周邊開口從而清洗內側壁及外側壁上的光阻堆積。內側壁阻擋噴射出周邊開口的溶劑到達外側壁，但不阻擋噴射出縫隙的溶劑到達外側壁。例如，見圖8。
雖然由流程圖900描述的方法在本文中說明且描述為一系列動作或事件，但應瞭解，不應以限制性意義來解譯此類動作或事件的所說明的排序。舉例而言，除本文中所說明及/或所描述的動作或事件之外，一些動作可與其他動作或事件以不同次序及/ 或同時發生。此外，並非所有經說明的動作可需要以實施本文中描述之一或多個態樣或實施例，且本文中所描繪的動作中之一或多者可在一或多個單獨動作及/或階段中進行。
因此，如可自上文瞭解，本發明提供用於清洗光阻製程工具的杯洗盤。上部板配置於下部板上方以定義上部板與下部板之間的空腔。下部板包括與空腔流體連通並沿下部板的周邊配置的周邊開口。多個墊片配置於上部板與下部板之間以將上部板與下部板隔開並定義上部板與下部板之間的縫隙。縫隙與空腔流體連通。
在上述用於清洗光阻製程工具的杯洗盤中，所述縫隙側向配置於所述墊片之間且垂直配置於所述上部板與所述下部板之間。
在上述用於清洗光阻製程工具的杯洗盤中，所述墊片為聚四氟乙烯。
在上述用於清洗光阻製程工具的杯洗盤中，所述縫隙及所述墊片沿所述上部板與所述下部板的周邊配置。
在上述用於清洗光阻製程工具的杯洗盤中，所述上部板的外表面及所述下部板的外表面與所述墊片的外表面共面。
在上述用於清洗光阻製程工具的杯洗盤中，所述多個墊片包括圍繞所述上部板及所述下部板的周邊均勻地側向隔開的四個墊片。
在上述用於清洗光阻製程工具的杯洗盤中，所述上部板與所述下部板共用圓形覆蓋區。
在上述用於清洗光阻製程工具的杯洗盤中，所述下部板 更包括下部開口，所述下部開口配置於所述下部板的底部上、側向配置於所述下部板的中心軸與所述周邊開口之間，且其中所述下部開口與所述空腔流體連通。
在上述用於清洗光阻製程工具的杯洗盤中，所述下部開口為環形的。
在上述用於清洗光阻製程工具的杯洗盤中，所述空腔為環形的。
在其他實施例中，本發明提供一種用於清洗光阻製程工具的方法。杯洗盤放置於光阻製程工具的腔室中。杯洗盤包括配置於上部板與下部板之間以定義上部板與下部板之間的多個縫隙的墊片。旋轉杯洗盤同時將溶劑自杯洗盤下方噴射至杯洗盤的空腔中。空腔定義於上部板與下部板之間且與縫隙流體連通。溶劑穿過空腔移動至縫隙以朝向腔室的側壁將溶劑噴射出縫隙。
在上述用於清洗光阻製程工具的方法中，所述下部板包括在所述縫隙下方的周邊開口，且其中所述方法更包括：穿過所述空腔將所述溶劑移動至所述周邊開口及所述縫隙從而將所述溶劑同時噴射出所述縫隙及所述周邊開口。
在上述用於清洗光阻製程工具的方法中，移動所述溶劑包括：朝向不受所述腔室的內側壁阻擋的所述腔室的外側壁將所述溶劑側向噴射出所述縫隙，同時朝向由所述內側壁阻擋的所述外側壁將所述溶劑側向噴射出所述周邊開口。
在上述用於清洗光阻製程工具的方法中，移動所述溶劑包括使用離心力使所述溶劑向所述縫隙加速。
在上述用於清洗光阻製程工具的方法中，更包括：穿過 配置於所述下部板的底部上的所述下部板的下部開口將所述溶劑噴射至所述空腔中。
在上述用於清洗光阻製程工具的方法中，移動所述溶劑包括：在獨立於所述縫隙的四個不同方向上將所述溶劑側向噴射出所述縫隙。
在其他實施例中，本發明提供光阻製程工具。工件支撐件配置於腔室中。杯洗盤配置於工件支撐件上。杯洗盤包括上部板及下部板，其堆疊於彼此上且由配置於上部板與下部板之間的多個墊片隔開。墊片沿杯洗盤之周邊側向隔開。
在上述光阻製程工具中，所述上部板及所述下部板定義其間與縫隙流體連通的空腔，且其中所述縫隙側向配置於所述墊片之間且垂直配置於所述上部板與所述下部板之間。
在上述光阻製程工具中，更包括：後沖洗噴嘴，其配置於所述杯洗盤下方且經組態以穿過所述下部板的下部開口將溶劑噴射至所述杯洗盤的空腔中。
在上述光阻製程工具中，所述多個墊片包括圍繞所述杯洗盤的周邊側向均勻地隔開的四個墊片。
前文概述若干實施例的特徵，使得本領域具有通常知識者可較佳地理解本揭露的態樣。本領域具有通常知識者應理解，其可易於使用本揭露作為設計或修改用於實現本文中所引入的實施例的相同目的及/或達成相同優點的其他製程及結構的基礎。本領域具有通常知識者亦應認識到，此類等效構造並不脫離本發明的精神及範疇，且其可在不脫離本發明的精神及範疇的情況下在本文中進行各種改變、替代以及更改。
100：透視圖
102：CWD
104a：墊片
104b：墊片
106：上部板
108：下部板
110a：縫隙
110b：縫隙
110c：縫隙
114a：周邊開口
114b：周邊開口
114c：周邊開口
114d：周邊開口
T：厚度

Claims (9)

  1. 一種用於清洗光阻製程工具的杯洗盤，所述杯洗盤包括：上部板，其配置於下部板上方以定義所述上部板與所述下部板之間的空腔，其中所述下部板包括與所述空腔流體連通且沿所述下部板的周邊配置的周邊開口；以及多個墊片，其配置於所述上部板與所述下部板之間以將所述上部板與所述下部板隔開並定義所述上部板與所述下部板之間的多個縫隙，其中所述縫隙與所述空腔流體連通。
  2. 一種光阻製程工具，包括：工件支撐件，其配置於腔室中；以及杯洗盤，其配置於所述工件支撐件上，其中所述杯洗盤包括上部板及下部板，所述上部板及所述下部板堆疊於彼此上且由配置於所述上部板與所述下部板之間的多個墊片隔開，且其中所述墊片沿所述杯洗盤的周邊側向隔開以定義出多個縫隙。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的光阻製程工具，其中所述上部板及所述下部板定義其間與所述縫隙流體連通的空腔，且其中所述縫隙側向配置於所述墊片之間且垂直配置於所述上部板與所述下部板之間。
  4. 一種光阻製程工具，包括：工件支撐件，其配置於腔室中；以及杯洗盤，其配置於所述工件支撐件上，其中所述杯洗盤包括上部板及下部板，所述上部板及所述下部板堆疊於彼此上且由配置於所述上部板與所述下部板之間的多個墊片隔開，其中所述墊 片沿所述杯洗盤的周邊側向隔開，其中所述杯洗盤包括墊片結構，所述墊片結構圍繞所述上部板的一側，所述墊片結構包括多個墊片、多個可撓性部件以及環形主體，且其中所述墊片以一對一的方式對應於所述可撓性部件，且所述可撓性部件中的每一者從所述環形主體突出並終結於對應的一個墊片。
  5. 一種用於清洗光阻製程工具的方法，所述方法包括：將杯洗盤置放於光阻製程工具之腔室中，其中所述杯洗盤包括配置於上部板與下部板之間以定義所述上部板與所述下部板之間的多個縫隙的多個墊片；旋轉所述杯洗盤同時將溶劑自所述杯洗盤下方噴射至所述杯洗盤的空腔中，其中所述空腔定義於所述上部板與所述下部板之間且與所述縫隙流體連通；以及穿過所述空腔將所述溶劑移動至所述縫隙以朝向所述腔室的側壁將所述溶劑噴射出所述縫隙。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的用於清洗光阻製程工具的方法，其中所述下部板包括在所述縫隙下方的周邊開口，且其中所述方法更包括：穿過所述空腔將所述溶劑移動至所述周邊開口及所述縫隙從而將所述溶劑同時噴射出所述縫隙及所述周邊開口。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的用於清洗光阻製程工具的方法，更包括：穿過配置於所述下部板的底部上的所述下部板的下部開口將所述溶劑噴射至所述空腔中。
  8. 一種用於清洗光阻處理工具的方法，所述方法包括： 提供一種杯洗盤，其包括上部板、下部板和多個墊片，其中所述上部板覆蓋所述下部板並且通過所述墊片與所述下部板垂直隔開，其中所述上部板、所述下部板和所述墊片在所述上部板與所述下部板之間定義空腔，其中所述上部板、所述下部板和所述墊片進一步在所述杯洗盤的側壁上定義多個縫隙，其中所述下部板定義位於所述縫隙下方和側向延伸穿過所述下部板的側壁的周邊開口，並且其中所述縫隙和所述周邊開口與所述空腔流體連通；以及在光阻製程工具的腔室中旋轉所述杯洗盤，同時從所述杯洗盤的下方將溶劑噴射到所述杯洗盤的所述空腔中，其中旋轉產生的離心力將所述溶劑通過所述空腔移動到所述縫隙和所述周邊開口，其中所述離心力通過所述縫隙和所述周邊開口將所述溶劑從所述空腔中進一步排出到所述腔室的側壁。
  9. 一種用於清洗光阻處理工具的方法，所述方法包括：提供一種杯洗盤，其包括上部板、下部板和多個墊片，其中所述上部板覆蓋所述下部板並且通過所述墊片與所述下部板垂直隔開，其中所述上部板、所述下部板和所述墊片在所述上部板與所述下部板之間定義空腔，其中所述上部板、所述下部板和所述墊片在所述杯洗盤的環形側壁上進一步定義多個縫隙，其中所述縫隙沿著所述杯洗盤的所述環形側壁隔開並且與所述空腔流體連通；將所述杯洗盤放置在光阻製程工具的腔室中，其中所述腔室部分地由一對第一腔室側壁和一對第二腔室側壁定義，其中所述第一腔室側壁分別在所述杯洗盤的相對側上並且分別懸置所述第 二腔室側壁，且其中所述第二腔室側壁在所述第一腔室側壁之間並且分別在所述杯洗盤的所述相對側上；以及在所述腔室中旋轉所述杯洗盤，同時將溶劑從所述杯洗盤下方噴射到所述杯洗盤的所述空腔中，其中旋轉產生的離心力將所述溶劑從所述空腔中穿過所述縫隙排向所述第一腔室側壁，並且所述溶劑通過所述縫隙排出穿過所述第二腔室側壁的頂部邊緣並撞擊在所述第一腔室側壁上。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111687113A (zh) * 2020-06-23 2020-09-22 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 一种光刻胶涂胶托盘的清洁装置及方法
CN112090890B (zh) * 2020-07-30 2022-07-19 中国科学院微电子研究所 光刻胶收集杯清理方法及光刻胶收集杯清理设备
CN115228863A (zh) * 2022-09-05 2022-10-25 宁波润华全芯微电子设备有限公司 一种旋涂废液收集杯清洗辅助工具及旋涂装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5312487A (en) * 1991-09-20 1994-05-17 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Coating apparatus
TW472297B (en) * 2001-03-23 2002-01-11 Taiwan Semiconductor Mfg Method to prevent coating defect in photoresist
US20040200509A1 (en) * 2003-04-08 2004-10-14 Stephen Felder Methods of and apparatus for washing high-density microplates
US20110000509A1 (en) * 2008-07-04 2011-01-06 Semiconductor Manufacturing International (Shanghai Corporation) Photoresist tool cleaning jig configured to receive flow from top and bottom

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3116297B2 (ja) * 1994-08-03 2000-12-11 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理装置
US5947136A (en) * 1996-09-10 1999-09-07 Silicon Valley Group Inc. Catch cup cleaning system
JP2007149892A (ja) * 2005-11-25 2007-06-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
CN101673062B (zh) * 2008-09-09 2011-10-26 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种全湿法去胶的装置
KR101540609B1 (ko) * 2009-02-24 2015-07-31 삼성전자 주식회사 웨이퍼 에지 식각 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5312487A (en) * 1991-09-20 1994-05-17 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Coating apparatus
TW472297B (en) * 2001-03-23 2002-01-11 Taiwan Semiconductor Mfg Method to prevent coating defect in photoresist
US20040200509A1 (en) * 2003-04-08 2004-10-14 Stephen Felder Methods of and apparatus for washing high-density microplates
US20110000509A1 (en) * 2008-07-04 2011-01-06 Semiconductor Manufacturing International (Shanghai Corporation) Photoresist tool cleaning jig configured to receive flow from top and bottom

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