KR20080111711A - 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트 및 이를 갖는 반도체스핀코터 - Google Patents

웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트 및 이를 갖는 반도체스핀코터 Download PDF

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KR20080111711A KR1020070060013A KR20070060013A KR20080111711A KR 20080111711 A KR20080111711 A KR 20080111711A KR 1020070060013 A KR1020070060013 A KR 1020070060013A KR 20070060013 A KR20070060013 A KR 20070060013A KR 20080111711 A KR20080111711 A KR 20080111711A
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    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers

Abstract

본 발명은 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트를 제공한다. 상기 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트는 웨이퍼의 저부에 배치되는 유니트몸체와, 상기 유니트몸체에 마련되며, 상기 웨이퍼 배면과 연결되도록 일정 반경의 기체막을 형성시키는 기체분사부를 구비한다. 또한, 본 발명은 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트를 갖는 반도체 스핀코터도 제공함으로써, 웨이퍼 상에 포토레지스트 또는 현상액을 균일한 두께로 형성하는 경우에, 웨이퍼 배면에 발생되는 이물질을 용이하게 제거할 수 있다.

Description

웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트 및 이를 갖는 반도체 스핀코터{PARTICLE REMOVAL UNIT OF WAFER BACK-SIDE AND SEMICONDUCTOR SPIN COATER HAVING THE SAME}
도 1은 본 발명의 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트를 갖는 반도체 스핀코터를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시부호 A의 확대 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따르는 분사홀의 제 1예를 보여주는 사시도이다.
도 4는 본 발명에 따르는 분사홀의 제 2예를 보여주는 사시도이다.
** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **
100 : 회전척
200 : 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트
210 : 유니트몸체
212 : 유동홀
220 : 기체분사부
221 : 돌기부재
222 : 분사홀
230 : 기체분사장치
241 : 내측커버
242 ; 외측커버
본 발명은 반도체 스핀코터에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼 상에 포토레지스트를 균일한 두께로 형성하는 경우에, 웨이퍼 배면에 발생되는 이물질을 용이하게 제거할 수 있는 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트 및 이를 갖는 반도체 스핀코터에 관한 것이다.
반도체 소자가 점점 더 고집적화 됨에 따라 각 소자를 구성하는 각종 패턴들의 크기는 더욱 미세화 되고 있다. 반면에 생산성의 향상이라는 측면에서 웨이퍼의 크기는 점점 대형화되어 가고 있다. 따라서 대형화된 웨이퍼의 내부에서 동일 반복적으로 형성되는 소자 패턴들을 적절하게 형성하고 관리하는 것이 더욱 어렵고도 중요한 일이 되어가고 있다.
반도체 소자를 구성하는 각종 패턴들을 형성하기 위해서는 웨이퍼 상에 소정의 물질층을 형성한 다음, 그 위에 포토레지스트를 코팅한다. 이어서, 상기 포토레지스트에 대하여 설계된 패턴에 따라 노광공정을 수행한다. 다음에, 포토레지스트의 노광영역에 현상액을 적용하여 이를 제거함으로써 원하는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이후, 상기 포토레지스트패턴을 식각마스크로 하여 상기 물질층에 대하여 식각공정을 수행하고, 잔류하는 포토레지스트 패턴을 제거해 줌으로써, 상기 웨 이퍼 상에는 소정의 물질층 패턴이 형성된다.
이 때, 웨이퍼 위에 포토레지스트를 코팅하거나 현상액을 적용하여 포토레지스트를 제거하기 위하여 여러 설비들이 사용될 수 있으나, 회전도포방식으로 웨이퍼를 회전되는 척(chuck) 위에 올려놓고 포토레지스트 또는 현상액을 도포하는 설비가 일반적으로 사용되고 있다. 상기 웨이퍼 상에 포토레지스트 또는 현상액을 분사시키면서 척을 회전시키면, 원심력으로 인해 상기 포토레지스트나 현상액이 웨이퍼의 상면에 골고루 도포된다.
이처럼 회전도포방식에 의한 설비를 스핀코터(Spin Coater) 또는 스피너(Spinner)(이하 "스핀코터"라 칭함)라 칭하는데, 이러한 스핀코터는 웨이퍼 상에 포토레지스트 또는 현상액을 분사하는 노즐 어셈블리와, 상기 웨이퍼가 안착되는 척과, 상기 척을 감싸고 있는 보울(bowl)을 포함하고 있다.
종래의 스핀코터는 보울과 상기 보울의 내측에 배치되는 척을 구비한다. 또한, 상기 보울의 하측에는 상기 보울과 결합되고, 상기 척의 하부에 결합된 지지대가 관통되는 베이스부가 마련된다.
이와 같은 요소들을 포함한 스핀코터에서 공정이 개시되면, 우선 로봇 등과 같은 이송수단에 의해 웨이퍼가 척으로 이송된다.
그리고, 노즐 어셈블리를 통해 포토레지스트 또는 현상액이 상기 웨이퍼 상에 공급된다.
이어, 상기 척이 회전함으로써 웨이퍼에 포토레지스트 또는 현상액이 일정 두께로 도포된다.
상기한 바와 같이 포토레지스트 도포공정 또는 현상공정이 반복적으로 진행되면, 웨이퍼 상면에 공급되는 잔류 포토레지스트 또는 잔류 현상액(이하, 잔류 화학용액이라 한다.)은 보울의 내측으로 배기된다.
그러나, 이와 같이 보울의 내측으로 배기되는 잔류 화학용액은 먼지와 같은 이물질과 혼합되어 웨이퍼의 배면 또는 다시 웨이퍼의 상면측으로 유동이 형성되어 상기 웨이퍼의 상면과 배면을 오염시키게 된다.
따라서, 종래에는 웨이퍼 상면에 도포된 포토레지스트막에 이물질이 존재하게 되면, 이후에 패턴형성시에 품질이 저화되는 패턴이 형성되는 문제점이 있다.
특히, 종래에는 이물질을 포함한 잔류 화학용액이 웨이퍼의 배면에 부착되는 경우에, 상기 웨이퍼에 대한 노광공정 진행 시 디포커스(defocus)로 인한 패턴불량이 발생하게 되는 문제점이 있다.
또한, 현재에는 이를 방지하기 위해 유저(user)는 주기적으로 스핀코터를 세정(Preventive Maintenance)하고 있다. 그러나 상기와 같은 세정작업은 스핀코터를 완전히 분해하여 실시된다.
따라서, 종래에는 상기 세정작업에 투입되는 시간이 증가되고 이와 아울러 설비의 가동시간이 줄게되기 때문에 반도체 소자의 생산성이 저하되는 문제점을 갖는다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있도록 안출된 것으로서, 본 발명의 제 1목적은 포토레지스트를 웨이퍼 상에 일정 두께로 도포하는 경우 에, 잔류 포토레지스트가 웨이퍼 배면측으로 유입되어 웨이퍼 배면을 오염시키는 것을 방지할 수 있는 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트 및 이를 갖는 반도체 스핀코터를 제공함에 있다.
본 발명의 제 2목적은 포토레지스트를 웨이퍼 상에 일정 두께로 도포하는 경우에, 웨이퍼 배면측에 발생되는 이물질을 웨이퍼의 외측으로 용이하게 배출시킬 수 있는 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트 및 이를 갖는 반도체 스핀코터를 제공함에 있다.
전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트는 웨이퍼의 저부에 배치되는 유니트몸체와, 상기 유니트몸체에 마련되며, 상기 웨이퍼 배면과 연결되도록 일정 반경의 기체막을 형성시키는 기체분사부를 포함한다.
여기서, 상기 기체분사부에는 분사홀이 형성되고, 상기 유니트몸체에는 일단이 상기 분사홀과 연통되고 타단이 상기 유니트몸체의 외부에 노출되는 유동홀이 형성되는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 기체분사부는 기체공급장치와 연결된다. 상기 기체공급장치는 상기 유동홀과 연결되는 기체공급라인과, 상기 기체공급라인에 일정 압력의 압축기체를 일정 유량으로 공급하는 기체공급기와, 상기 기체공급기와 전기적으로 연결되어 상기 압축기체의 유량을 제어하는 제어기를 구비하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 기체분사부는 상기 유니트몸체 상에 링형상으로 마련되는 돌기부재이고, 상기 분사홀은 상기 돌기부재의 바깥측에 형성된다.
상기 분사홀의 중심축은 상기 돌기부재의 수직축과 예각이 형성되도록 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 분사홀은 상기 돌기부재를 따라 형성되는 링형 상의 홀이거나, 상기 돌기부재에 마련되되, 서로 일정거리 이격되어 형성되는 다수개의 홀인 것이 바람직하다.
전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트를 갖는 반도체 스핀코터는 웨이퍼의 저면을 진공흡착하고 상기 웨이퍼를 일정 회전속도로 회전시키는 회전척과, 상기 회전척의 주변부를 에워싸도록 상기 웨이퍼의 저부에 배치되는 유니트몸체와, 상기 유니트몸체에 마련되며, 상기 웨이퍼 배면과 연결되도록 일정 반경의 기체막을 형성시키는 기체분사부를 포함한다.
여기서, 상기 유니트몸체에는 그 외측을 감싸는 내측커버와, 상기 내측커버와 상기 웨이퍼의 주변을 감싸는 외측커버가 설치된다.
상기 내측커버의 직경은 상기 웨이퍼의 직경보다 작고, 상기 내측커버의 상단은 상기 웨이퍼의 배면과 일정거리 이격된다.
상기 외측커버의 상단은 상기 웨이퍼의 상면으로부터 수직방향으로 일정거리 이격되는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 기체분사부에는 분사홀이 형성되고, 상기 유니트몸체에는 일단이 상기 분사홀과 연통되고 타단이 상기 유니트몸체의 외부에 노출되는 유동홀이 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 기체분사부는 기체공급장치와 연결된다.
상기 기체공급장치는 상기 유동홀과 연결되는 기체공급라인과, 상기 기체공급라인에 일정 압력의 압축기체를 일정 유량으로 공급하는 기체공급기와, 상기 기체공급기와 전기적으로 연결되어 상기 압축기체의 유량을 제어하는 제어기를 구비하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 기체분사부는 상기 유니트몸체 상에 링형상으로 마련되는 돌기부재이고, 상기 분사홀은 상기 돌기부재의 바깥측에 형성된다.
상기 분사홀의 중심축은 상기 돌기부재의 수직축과 예각이 형성되도록 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 분사홀은 상기 돌기부재를 따라 형성되는 링형상의 홀이거나, 상기 돌기부재에 마련되되, 서로 일정거리 이격되어 형성되는 다수개의 홀인 것이 바람직하다.
이하, 첨부되는 도면들을 참조로 하여 본 발명의 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트 및 이를 갖는 반도체 스핀코터를 설명하도록 한다.
여기서, 본 발명의 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트는 본 발명의 반도체 스핀코터에 포함되는 구성이기 때문에, 상기 반도체 스핀코터를 설명함에 포함하여 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트를 갖는 반도체 스핀코터를 보여주는 단면도이다. 도 2는 도 1에 도시된 표시부호 A의 확대 단면도이다. 도 3은 본 발명에 따르는 분사홀의 제 1예를 보여주는 사시도이다. 도 4는 본 발명에 따르는 분사홀의 제 2예를 보여주는 사시도이다.
도 1을 참조로 하면, 본 발명의 반도체 스핀코터는 웨이퍼(W)의 저면을 진공흡착하고 상기 웨이퍼(W)를 일정 회전속도로 회전시키는 회전척(100)과, 상기 웨이퍼(W) 배면과의 일정 반경을 갖는 기체막을 형성시켜 상기 웨이퍼(W) 배면에 형성되는 이물질을 제거하는 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트(200)를 갖는다.
상기 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트(200)는 상기 회전척(100)의 주변부를 에워싸도록 상기 웨이퍼(W)의 저부에 배치되는 유니트몸체(210)와, 상기 유니트몸체(210)에 마련되며, 상기 웨이퍼(W) 배면과 연결되도록 일정 반경의 기체막을 형성시키는 기체분사부(220)를 구비한다.
상기 회전척(100)은 상기 웨이퍼(W)의 중앙부 배면을 받치는 진공척(110)과, 상기 진공척(110)의 저부에 연결되어 상기 진공척(110)을 일정 회전속도로 회전시키는 모터와 같은 회전구동부(120)로 구성된다.
도면에 도시되지는 않았지만, 상기 진공척(110)은 외부의 진공제공부로부터 진공력을 제공받는 진공라인이 형성된다.
상기 유니트몸체(210)는 상기 회전구동부(120)가 끼워지는 관통홀(211)이 형성된다.
상기 기체분사부(220)는 돌출된 링형상을 갖는 돌기부재(221)와, 상기 돌기부재(221)의 상단 바깥측에는 분사홀(222)로 구성된다.
상기 유니트몸체(210)에는 일단이 상기 분사홀(222)과 연통되고 타단이 상기 유니트몸체(210)의 외부에 노출되는 유동홀(212)이 형성된다.
상기 기체분사부(220)는 기체분사장치(230)와 연결된다.
상기 기체분사장치(230)는 상기 유동홀(212)과 연결되는 기체공급라인(231)과, 상기 기체공급라인(231)에 일정 압력의 기체를 일정 유량으로 공급하는 기체공급기(232)와, 상기 기체공급기(232)와 연결되어 상기 기체의 유량을 제어하는 제어기(233)로 구성된다.
여기서, 상기 유니트몸체(210)의 직경(D1)은 상기 웨이퍼(W)의 직경(Dw)보다 작도록 형성된다. 이에 더하여, 상기 돌기부재(221)의 직경(D2)은 상기 유니트몸체(210)의 직경(D1)보다 작도록 형성된다.
한편, 도 2를 참조하면, 상기 돌기부재(221)의 상단에 형성되는 분사홀(222)의 중심축(c)은 상기 돌기부재(221)의 수직축(h)을 기준으로 예각(θ)으로 형성된다. 상기 돌기부재(221)의 수직축(h)은 상기 유니트몸체(210)의 상면과 수직한 방향을 따르는 축이다.
따라서, 상기 분사홀(222)의 형성방향은 상기 돌기부재(221)의 상단에서 상기 웨이퍼(W)의 배면을 향하여 점차적으로 퍼지는 방향이다.
한편, 도 3을 참조하면, 상기 분사홀(222)은 상기 돌기부재(221)를 따라 링형상으로 형성되는 홀이다.
또한, 도 4를 참조하면, 분사홀(222')은 상기 돌기부재(221)의 상단에 형성되고 서로 일정 거리로 이격되어 형성되는 다수개의 홀들일 수도 있다.
또 한편, 상기 유니트몸체(210)의 외측에는 내측커버(241)와 외측커버(242) 가 설치된다.
상기 내측커버(241)는 상기 유니트몸체(210)의 외측둘레를 감싸며, 그 상단은 상기 웨이퍼(W)의 배면과 일정거리 이격된다.
상기 외측커버(242)는 상기 내측커버(241)와 일정 거리 이격되도록 배치되고, 상기 내측커버(241)를 감싸도록 설치된다. 상기 외측커버(242)의 상단은 상기 웨이퍼(W)의 상면으로부터 수직방향을 따라 일정 거리 이격된다.
따라서, 상기 내측커버(241)와 상기 외측커버(242)의 사이에는 일정 공간이 형성되고, 상기 공간은 도면에 도시되지 않은 진공라인과 연결될 수 있다.
다음은, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트를 갖는 반도체 스핀코터의 작동을 설명하도록 한다.
도 1을 참조하면, 진공척(110)의 상부에는 웨이퍼(W)가 안착된다. 상기 웨이퍼(W)는 상기 진공척(110)의 상부에서 진공흡착된다.
모터와 같은 회전구동부(120)는 외부로부터 구동력을 전달받아 구동된다. 상기 회전구동부(120)는 그 상단에 연결된 진공척(110)을 일정 회전속도로 회전시킨다.
따라서, 상기 웨이퍼(W)는 일정 회전속도로 회전된다.
이어, 상기 웨이퍼(W)의 상부에는 일정량의 포토레지스트가 도포된다. 상기 포토레지스트는 상기 회전되는 웨이퍼(W) 상면에서 웨이(W)퍼의 원심력에 의하여 상기 웨이퍼(W)의 중앙부에서 가장자리부를 따라 점차적으로 퍼지고, 이에 따라 상 기 웨이퍼(W)의 상면에 일정 두께로 도포된다.
상기 웨이퍼(W) 상면에 도포된 이후에 웨이퍼(W) 가장자리로부터 이탈되는 잔류 포토레지스트는 내측커버(241)와 외측커버(242)의 사이 공간으로 낙하되고, 이 낙하되는 잔류 포토레지스트는 상기 공간에 형성되는 진공력에 의하여 커버(241,242)의 외부로 배출된다.
이때, 본 발명에 따르는 기체분사장치(230)는 기체분사부(220)로 일정 유량의 에어와 같은 기체를 공급한다.
즉, 제어기(233)에는 상기 기체의 공급유량이 기설정된다. 상기 제어기(233)는 기체공급기(232)로 전기적 신호를 전송한다. 상기 기체공급기(232)는 기설정된 유량으로 일정 압력의 기체를 기체공급라인(231)으로 공급한다.
상기 기체공급라인(231)으로 공급되는 기체는 유니트몸체(210)의 내부에 형성된 유동홀(212)로 유동된다.
상기 유동홀(212)로 유동된 기체는 기체분사부(220)의 분사홀(222)로 유동된다.
상기 분사홀(222)로 유동된 기체는 상기 분사홀(222)로부터 분사되어 웨이퍼(W) 배면을 향하여 분사된다.
이때, 상기 분사홀(222)의 중심축(c)은 돌기부재(221)의 수직축(h)과 예각(θ)이 형성되기 때문에, 상기 분사홀(222)을 통하여 분사되는 기체는 돌기부재(221)의 상단으로부터 웨이퍼(W) 배면을 향하여 점차적으로 퍼지도록 분사된다.
또한, 상기 분사홀(222)은 도 3에 도시된 바와 같이 링형상으로 형성된 홀이 기 때문에 상기 돌기부재(221)의 상단과 상기 웨이퍼(W)의 배면의 사이에 에어커튼과 같은 기체막을 형성시킨다. 상기 기체막은 돌기부재(221)의 상단과 웨이퍼(W)의 배면의 사이에서 일정 반경을 갖는다.
따라서, 상기 기체막은 웨이퍼(W)의 외측에서 웨이퍼(W) 배면 측으로 잔류 포토레지스트와 같은 이물질이 투입되지 않도록 할 수 있다.
이에 더하여, 웨이퍼(W)의 중앙부 배면에 발생될 수 있는 이물질은 상기 분사홀(222)로부터 분사되는 기체의 유동에 의하여 웨이퍼(W)의 외측으로 배출될 수 있다.
즉, 상기 분사홀(222)로부터 분사되는 기체는 웨이퍼(W)의 배면측을 향하여 연속적인 유동을 갖기 때문에, 웨이퍼(W)의 중앙부 배면에 형성되는 이물질은 상기 기체의 유동에 의하여 웨이퍼(W)의 외측으로 배출될 수 있도록 유동된다.
이와 같이 웨이퍼(W)의 외측으로 배출되는 이물질은 내측커버(241)와 외측커버(242)의 사이에 형성되는 공간으로 유입되고 이 공간에 형성되는 진공력에 의하여 외부로 배출된다.
또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 분사홀(222')이 돌기부재의 상단에 일정 간격을 이루는 다수개의 홀인 경우에, 상기 분사홀들(222')로부터 분사되는 기체는 상기 웨이퍼(W)의 배면을 향하여 퍼지고, 이와 같이 퍼지는 기체는 상기 웨이퍼(W)의 배면과 돌기부재(221)의 상단의 사이에서 기체막을 형성시킬 수 있다.
이에 따라, 상기와 같이 형성되는 기체막은 상기에 언급된 바와 같이 웨이퍼(W)의 외측에서 웨이퍼(W) 중앙부 배면측으로 이물질이 투입되지 않도록 할 수 있고, 웨이퍼(W) 배면에 형성된 이물질을 웨이퍼(W) 외측으로 배출시킬 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 포토레지스트를 웨이퍼 상에 일정 두께로 도포하는 경우에, 웨이퍼의 외측에서 웨이퍼의 배면측으로 이물질이 유입되지 않도록 기체막을 형성시킴으로써, 잔류 포토레지스트가 웨이퍼 배면측으로 유입되어 웨이퍼 배면을 오염시키는 것을 용이하게 방지할 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 포토레지스트를 웨이퍼 상에 일정 두께로 도포하는 경우에, 웨이퍼 배면측에 발생되는 이물질을 웨이퍼의 외측으로 분사되는 기체 유동에 의하여 웨이퍼 외측으로 용이하게 배출시킬 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 웨이퍼의 배면 및 웨이퍼 상면을 포함한 주변부의 이물질을 용이하게 제거함으로써, 웨이퍼 상면에 도포되는 포토레지트막의 오염을 방지할 수 있고, 이에 따라 포토레지트막에 형성되는 패턴의 품질을 향상시킬 수 있는 효과를 갖는다.

Claims (13)

  1. 웨이퍼의 저부에 배치되는 유니트몸체; 및
    상기 유니트몸체에 마련되며, 상기 웨이퍼 배면과 연결되도록 일정 반경의 기체막을 형성시키는 기체분사부를 포함하는 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 기체분사부에는 분사홀이 형성되고, 상기 유니트몸체에는 일단이 상기 분사홀과 연통되고 타단이 상기 유니트몸체의 외부에 노출되는 유동홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 기체분사부는 기체공급장치와 연결되되,
    상기 기체공급장치는 상기 유동홀과 연결되는 기체공급라인과, 상기 기체공급라인에 일정 압력의 압축기체를 일정 유량으로 공급하는 기체공급기와, 상기 기체공급기와 전기적으로 연결되어 상기 압축기체의 유량을 제어하는 제어기를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 기체분사부는 상기 유니트몸체 상에 링형상으로 마련되는 돌기부재이 고, 상기 분사홀은 상기 돌기부재의 바깥측에 형성되되,
    상기 분사홀의 중심축은 상기 돌기부재의 수직축과 예각이 형성되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 분사홀은 상기 돌기부재를 따라 형성되는 링형상의 홀인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 분사홀은 상기 돌기부재에 마련되되, 서로 일정거리 이격되어 형성되는 다수개의 홀인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트.
  7. 웨이퍼의 저면을 진공흡착하고, 상기 웨이퍼를 일정 회전속도로 회전시키는 회전척;
    상기 회전척의 주변부를 에워싸도록 상기 웨이퍼의 저부에 배치되는 유니트몸체; 및
    상기 유니트몸체에 마련되며, 상기 웨이퍼 배면과 연결되도록 일정 반경의 기체막을 형성시키는 기체분사부를 포함하는 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트를 갖는 반도체 스핀코터.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 유니트몸체에는 그 외측을 감싸는 내측커버와, 상기 내측커버와 상기 웨이퍼의 주변을 감싸는 외측커버가 설치되되,
    상기 내측커버의 직경은 상기 웨이퍼의 직경보다 작고, 상기 내측커버의 상단은 상기 웨이퍼의 배면과 일정거리 이격되며,
    상기 외측커버의 상단은 상기 웨이퍼의 상면으로부터 수직방향으로 일정거리 이격되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트를 갖는 반도체 스핀코터.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 기체분사부에는 분사홀이 형성되고, 상기 유니트몸체에는 일단이 상기 분사홀과 연통되고 타단이 상기 유니트몸체의 외부에 노출되는 유동홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트를 갖는 반도체 스핀코터.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 기체분사부는 기체공급장치와 연결되되,
    상기 기체공급장치는 상기 유동홀과 연결되는 기체공급라인과, 상기 기체공급라인에 일정 압력의 압축기체를 일정 유량으로 공급하는 기체공급기와, 상기 기체공급기와 전기적으로 연결되어 상기 압축기체의 유량을 제어하는 제어기를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트를 갖는 반도체 스핀코 터.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 기체분사부는 상기 유니트몸체 상에 링형상으로 마련되는 돌기부재이고, 상기 분사홀은 상기 돌기부재의 바깥측에 형성되되,
    상기 분사홀의 중심축은 상기 돌기부재의 수직축과 예각이 형성되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트를 갖는 반도체 스핀코터.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 분사홀은 상기 돌기부재를 따라 형성되는 링형상의 홀인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트를 갖는 반도체 스핀코터.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 분사홀은 상기 돌기부재에 마련되되, 서로 일정거리 이격되어 형성되는 다수개의 홀인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 배면 이물질 제거 유니트를 갖는 반도체 스핀코터.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2019169537A (ja) * 2018-03-22 2019-10-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

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