KR100498626B1 - 기판세정장치 및 방법 - Google Patents

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하시즈메아키오
츠지카와히로키
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다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
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Abstract

세정 미스트를 토출하는 소프트 스프레이 노즐은, 연직방향을 향한 아암에 고정 설치되어 있다. 한편, 장애를 억제하기 위한 린스 순수를 토출하는 린스 노즐은, 소프트 스프레이 노즐로부터 소정의 거리를 두고 아암에 연직방향을 향해 고정 설치되어 있다. 세정처리 중에, 양 노즐은 상대적인 배치관계를 유지하거나 세정액을 토출하게 된다. 따라서, 토출되는 세정 미스트 및 린스 순수는 기판에 착액하기 이전에 간섭하지는 않고, 사용된 세정액은 모두 수평방향으로 날아오는 컵에 회수된다. 이에 따라, 세정 미스트가 비산하여 주위에 부착하는 것이 방지된다.

Description

기판세정장치 및 방법{Substrate Cleaning Apparatus and Substrate Cleaning Method}
본 발명은 회전 베이스(spin base) 위에 유지되는 반도체 기판, 액정표시장치용 글라스 기판, 포토마스크용 글라스 기판, 광디스크용 기판 등(이하, 단지 「기판」이라 한다)을 대략 수평면 내에서 회전시키면서 세정하는 기판세정장치에 관한 것이다.
일반적으로, 상기 기판의 제조공정에서는 기판의 표면을 매우 높은 청정도로 유지할 필요가 있기 때문에, 제조공정에 있어서 여러 공정마다, 기판면에 부착되어 있는 미세입자(particle)를 제거하는 등의 세정처리가 이루어지고 있다.
이러한 세정처리의 하나의 방식으로서, 2류체(二流體) 노즐을 사용하여 세정액과 가압된 기체를 혼합하여 안개상(霧狀)으로 한 세정 미스트(mist)를 기판에 대하여 토출하는 세정방식이 알려져 있다.
이 세정방식은, 기판에 직접적으로 접촉하는 것은 아니므로, 패턴 등의 물리적인 손상을 발생시키지 않고 기판을 세정하는 것이 가능하다. 또한, 기체의 유량을 조절함으로써, 세정 미스트의 토출속도를 비교적 큰 가변폭(30m/s에서 음속 정도까지)으로 제어할 수 있기 때문에, 토출속도를 제어함으로써 대상 기판에 따른 세정을 하는 것이 가능하다.
예컨대, 세정 미스트의 토출속도를 음속 정도까지 높여주면, 산(酸)이나 알칼리 등을 세정액으로서 사용하지 않아도 단지 순수만을 세정액으로서 사용하여 충분한 세정효과를 얻을 수 있다. 반대로, 토출속도를 비교적 저하시키면, 대상 기판에 미치는 손상을 비교적 작게 할 수 있다.
그런데, 예컨대 대상 기판의 표면이 소수성(疏水性)인 경우에 상기 세정방식에 의한 세정을 실시하면, 워터마크(water mark) 상(狀)의 결함이 발생하며, 오히려 이물(異物)을 증가시켜 버리는 것으로 판명되었다. 이 결함은, 회전에 의한 원심력이 비교적 크게 되는 기판의 원주 둘레부로 갈수록 다수 발생한다.
이 원인에 대해 본 발명자가 예의 연구한 바, 세정액과 가압되는 기체를 혼합하여 안개상으로 한 세정 미스트를 기판에 토출하는 세정방식에 있어서는, 기판 위에 착액(着液)한 세정 미스트가 되튀어서, 다시 기판 위에 부착하고, 그대로 건조해버림으로써, 워터마크 상의 결함이 발생함을 밝혀냈다. 또한, 이 세정방식에 있어서는, 세정액의 유량이 적은 것도 워터마크 발생의 한 원인으로 되고 있음이 판명되었다.
본 발명은 회전 베이스 위에 유지된 기판을 대략 수평면 내에서 회전시키면서 세정하는 기판세정장치를 제공하는데 목적이 있다.
본 발명에 의하면, 기판세정장치는, 제1 세정액을 상기 기판 위에 토출하여, 상기 기판 위에 액체막을 형성하는 제1 토출수단과, 이동되면서, 상기 액체막이 형성된 상기 기판 위에, 제2 세정액과 가압된 기체를 혼합하여 형성되는 세정 미스트를 토출하는 제2의 토출수단을 구비한다.
제1 토출수단으로부터 토출된 제1 세정액의 액체막이 형성된 기판 위에 제2 토출수단으로부터 세정 미스트를 토출하도록 구성되기 때문에, 기판 위에 워터마크 상의 결함이 생기는 것을 방지할 수 있다.
바람직하게는, 상기 제1 토출수단은, 기판 위의 소정의 영역에 상기 제1 세정액의 액체막을 형성하도록 이동되며, 상기 제2 토출수단은, 상기 세정 미스트의 상기 기판 위의 착액지점(着液地点)이 상기 기판의 회전중심을 통과하도록 이동되고, 상기 제1 및 제2 토출수단은, 상기 제1 세정액과 상기 세정 미스트가 상기 기판 위에 착액하기 이전에 간섭하지 않도록 이동된다.
세정 미스트와 제1 세정액이 간섭함으로써 발생하는 세정 미스트의 비산을 방지할 수 있다.
본 발명의 하나의 국면에서는, 기판처리장치는, 제1 세정액을 상기 기판 위에 토출하여 상기 기판 위에 액체막을 형성하는 제1 토출수단과, 상기 액체막이 형성된 기판 위에, 제2 세정액과 가압된 기체를 혼합하여 형성되는 세정 미스트를 토출하는 제2 토출수단과, 상기 제1 및 제2 토출수단이 소정의 간격으로 떨어져 선단에 고정 설치된 아암과, 상기 제1 및 제2 토출수단의 양쪽이 상기 기판의 회전중심을 통과하도록 상기 아암을 회동(回動)시키는 회동수단을 구비한다.
기판 위에 워터마크 상의 결함이 생기는 것을 방지할 수 있는 동시에, 제1 및 제2 토출수단이, 소정의 간격으로 떨어져 고정 설치되기 때문에, 세정 미스트와 제1 세정액이 기판에 착액하기 이전에 간섭하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 세정 미스트와 제1 세정액이 간섭함으로써 생기는 세정 미스트의 비산을 방지할 수 있다.
본 발명은, 또한, 회전 베이스 위에 유지되는 기판을 대략 수평면 내에서 회전시키면서 세정하는 기판세정방법도 제공한다.
말하자면, 본 발명의 목적은, 세정 미스트를 기판 위에 토출하는 세정방식에 있어서, 워터마크 상의 결함이 발생하는 것을 방지할 수 있는 기판세정장치를 제공하는 것이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다.
<1. 제1 실시예>
도1은, 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판세정장치의 개략 구성을 도시한 도면이다. 기판세정장치(200)는, 2류체 노즐을 이용해서 세정액과 가압된 기체를 혼합하여 안개상으로 한 세정 미스트를 기판을 향해 토출하는 세정방식에 의해, 기판을 세정하는 매엽식(枚葉式)의 기판세정장치이다. 또한, 기판세정장치(200)는, 상술한 워터마크 상의 결함 발생을 억제하기 위하여, 세정 미스트가 토출되는 기판 표면을 피복하는 세정액으로서 순수(이하, 「린스 순수」라고도 한다)를 토출하도록 구성되어 있다. 또한 이하, 기판에 대하여 토출되는 세정 미스트 및 린스 순수를 총칭하는 경우는 「처리액」이라고 부르기로 한다.
도시된 바와 같이, 회전 베이스(100)의 상면에는, 복수의 척핀(chuck pin)(101)이 설치되어 있다. 복수의 척핀(101) 각각이 기판(W)의 원주 둘레부를 지지함으로써, 그 기판(W)을 회전 베이스(100)로부터 소정 간격으로 떨어진 수평자세로 유지된다.
회전 베이스(100)의 중심부 하면쪽에는 회전축(110)이 설치되어 있다. 회전축(110)은, 미도시된 회전구동기구에 의해 자유롭게 회전하도록 되어 있다. 구동축(110)이 회전됨에 따라, 회전 베이스(100) 및 그것에 유지된 기판(W)도 수평면 내에서 연직방향을 따라 축을 중심으로 회전된다. 또한, 회전 베이스(100) 및 그것에 유지된 기판(W)의 주위를 둘러싸도록 컵(103)이 배치되어 있다.
소프트 스프레이 노즐(soft spray nozzle)(30)은, 미도시된 질소가스 공급원 및 순수 공급원으로부터 각각 공급되는 질소가스(N2) 및 순수를 혼합함으로써, 세정 미스트를 형성하여 기판(W)에 대하여 토출하는 2류체 노즐이다.
도2는, 소프트 스프레이 노즐(30)의 단면 개략도이다. 도시된 바와 같이, 소프트 스프레이 노즐(30)은 순수(S)가 공급되는 세정액 도입관(32) 내에, 질소가스(G)가 공급되는 가스 도입관(33)이 삽입된 2중관 구조로 되어 있다. 또한, 세정액 도입관(32) 내의 가스 도입관(33) 단부보다 하류쪽은, 질소가스(G)와 순수(S)가 혼합되는 혼합부(34)로 되어 있다.
세정 미스트(M)는, 가압된 질소가스(G)와 순수(S)가 혼합부(34)에서 혼합됨으로써 형성된다. 형성된 세정 미스트(M)는, 혼합부(34)의 하류쪽의 가속관(35)에 의해 가속되고, 토출공(31)으로부터 토출된다.
소프트 스프레이 노즐(30)의 주위에는, 세정 미스트의 확산을 방지하기 위한 차폐판(113)이 설치되어 있다. 소프트 스프레이 노즐(30)은, 도시를 생략한 요동(搖動) 아암에 고정 설치되어 있으며, 요동 아암에 의해 기판의 회전중심과 원주 둘레부 사이를 요동친다. 기판(W)은 회전하고 있으므로, 세정 미스트는 기판(W)의 전체에 대하여 토출되게 된다.
한편, 린스 노즐(112)은, 기판(W)의 표면을 피복하도록 기판(W)에 대하여 순수를 토출한다. 린스 노즐(112)은, 도시를 생략한 지지 아암에 의해 그 토출공을 기판의 회전중심을 향한 경사자세로 지지된다. 기판의 회전중심을 향하여 토출된 순수는 착액후, 회전 원심력에 의해 기판의 원주 둘레부쪽으로 확장되기 때문에, 기판(W)의 표면 전체는 순수로 피복된다.
이에 따라, 세정 미스트는 순수로 피복된, 즉 순수의 액체막이 형성된 기판(W)의 표면 위에 토출됨으로써, 기판 위에서 되튀긴 세정 미스트가 기판 위에 직접 재부착하여 건조되는 것이 방지되며, 상기 워터마크 상의 결함 발생이 억제되게 된다.
<2. 제2 실시예>
다음에, 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판세정장치에 대하여, 도3을 기초로 설명한다. 또, 제1 실시예의 기판세정장치(200)와 같은 구성부분에 대하여는, 동일한 부호를 붙인다.
도3에 도시된 바와 같이, 기판세정장치(1)는, 주로 기판(W)을 세정하는 기판세정부(50)와, 기판세정부(50)에 대하여 불활성 가스인 질소가스(N2) 및 세정액으로 이루어진 순수를 공급하는 처리액 공급부(60)와, 기판세정장치(1) 전체를 제어하는 제어기(controller)(70)를 구비하고 있다.
기판세정부(50)는, 주로 기판(W)을 유지하여 회전시키는 기판회전기구(10)와, 기판회전기구(10)에 유지된 기판(W)에 대하여 처리액을 토출하는 처리액 토출기구(20)로 구성된다. 기판회전기구(10)는, 기판(W)을 유지하는 회전 베이스(11)와, 회전 베이스(11) 위에 설치된 복수의 척핀(12)과, 회전 베이스(11)를 회전시키는 회전 모터(14)와, 회전 베이스(11)에 유지된 기판(W)의 주위를 둘러싼 컵(15)을 구비하고 있다.
회전 베이스(11)는 원반상의 부재이며, 그 상면에는 각각이 원형 기판(W)의 원주 둘레부를 파지하는 복수의 척핀(12)이 설치되어 있다. 척핀(12)은 원형의 기판(W)을 확실히 유지하기 위하여 3개 이상 설치하면 좋다. 또, 도3에서는 도시의 편의상, 2개의 척핀(12)만을 도시하고 있다.
척핀(12) 각각은, 기판(W)의 외주 단면을 눌러 기판(W)을 유지하는 누름상태와, 기판(W)의 외주 단면에의 압력을 개방하는 개방상태 사이에서 전환 가능하다. 회전 베이스(11)에 미세정된 기판(W)이 건네질 때, 및 회전 베이스(11)로부터 세정 완료된 기판(W)을 꺼낼 때에는, 척핀(12)은 개방상태가 된다. 한편, 기판(W)에 대하여 세정처리가 행해질 때에는 척핀(12)은 누름상태가 된다. 척핀(12)이 누름상태가 됨으로써, 복수의 척핀(12)이 기판(W)의 원주 둘레부를 파지하여 그 기판(W)을 회전 베이스(11)로부터 소정 간격으로 떨어진 수평 자세로 유지된다.
회전 베이스(11)의 중심부 하면쪽에는 회전축(13)이 설치되며, 회전축(13)의 하부에는 회전 모터(14)가 연결되어 있다. 회전 모터(14)가 구동하면, 그 구동력은 회전축(13)에 전달되고, 회전축(13), 회전 베이스(11)와 함께 그것에 유지된 기판(W)이 수평면 내에서 연직방향을 따른 축(J1)을 중심으로 하여 회전된다. 또한 이하, 이 축(J1)은 「기판(W)의 회전중심(J1)」이라고도 부른다.
컵(15)은, 기판(W)의 세정에 사용된 처리액을 막고, 미도시된 배출구로 안내한다. 컵(15)은 도시를 생략하는 컵 반송기구와 연결되며, 회전 베이스(11)에 대하여 자유롭게 승강하도록 되어 있다. 기판(W)에 대하여 세정처리가 행해질 때에는, 컵(15)은 기판(W)의 회전에 의해 대략 수평방향으로 튀어나오는 처리액을 막도록, 컵(15)의 상단이 기판(W)의 표면보다도 위가 되도록 배치된다.
처리액 토출기구(20)는, 주로, 순수와 질소가스를 혼합하여 안개상의 세정 미스트를 형성하여 상기 세정 미스트를 기판(W)에 대하여 토출하는 소프트 스프레이 노즐(30)과, 세정 미스트가 토출되는 기판(W)의 표면을 피복하도록 린스 순수를 토출하는 린스 노즐(40)과, 소프트 스프레이 노즐(30) 및 린스 노즐(40)을 유지하는 아암(21)과, 아암(21)을 회동시키는 회동 모터(25)를 구비하고 있다.
아암(21)의 선단부(22)에는 소프트 스프레이 노즐(30) 및 린스 노즐(40)이 고정 설치되어 있으며, 기단부(基端部)(23)에는 회동축(24)이 설치된다. 이 회동축(24)의 아래에는 회동 모터(25)가 연결되어 있다. 아암(21)은 그 길이방향이 수평방향을 따르도록 기판(W)의 표면 위쪽에 배치되어 있고, 회동 모터(25)가 구동하면, 그 구동력은 회동축(24)을 통해 아암(21)에 전달되며, 아암(21)이 수평면 내에서 연직방향을 따른 축(J2)을 중심으로 하여 회동한다. 이 아암(21)의 회동 동작에 의해, 소프트 스프레이 노즐(30) 및 린스 노즐(40)도, 기판(W)의 표면 위쪽을 수평면 내에서 축(J2)을 중심으로 하여 회동된다. 또한 이하, 이 축(J2)을 「아암(21)의 회동중심(J2)」이라고도 부른다.
린스 노즐(40)은, 개폐제어되는 제어밸브(65)를 통하여 처리액 공급부(60)의 순수 공급장치(62)와 접속되며, 상기 순수 공급장치(62)로부터 순수가 공급된다. 한편, 소프트 스프레이 노즐(30)은, 개폐제어되는 제어밸브(66)를 통해 순수 공급장치(62)와 접속되며, 개폐제어되는 제어밸브(64)와 압력조정기(63)를 통하여 기체 공급장치(61)와 접속된다. 압력조정기(63)는, 질소가스의 가압이나 감압 등의 압력조정을 행한다. 이에 따라, 소프트 스프레이 노즐(30)에는, 처리액 공급부(60)의 순수 공급장치(62)로부터 순수가 공급되며, 기체 공급장치(61)로부터 압력조정된 질소가스가 공급된다.
또한, 소프트 스프레이 노즐(30)의 구성에 관해서는, 제1 실시예와 마찬가지이며, 도2의 단면 개략도에 도시된 구성을 구비하고 있다.
제어기(70)는 마이크로 컴퓨터를 구비하여 구성되고, 기판세정장치(1)의 각 처리부의 동작을 총괄적으로 제어한다. 제어기(70)가 행하는 동작제어에는, 상술한 회전 모터(14)의 회전제어, 회동 모터(25)의 회동제어, 제어밸브(64~ 66)의 개폐제어 및 압력조정기(63)의 압력조정제어 등이 포함된다.
다음에, 아암(21)의 선단부(22)에 고정 설치되는 소프트 스프레이 노즐(30) 및 린스 노즐(40)의 배치관계에 대하여 설명한다. 도4는 아암(21)의 선단부(22)를 정면에서 본 도면이며, 도5는 선단부(22)를 위쪽에서 본 도면이다. 도4는, 도5에 있어서 y방향에서 본 경우의 도면에 상당하며, 도5는 도4에 있어서 z방향에서 본 경우의 도면에 상당한다. 또한, 아암(21)의 회동중심(J2)은 도5에 있어서 (-y)방향에 위치한다.
이들 도면에 도시된 바와 같이, 아암(21)의 선단부(22)에는, 소프트 스프레이 노즐(30) 및 린스 노즐(40)과 함께, 상하 관통한 통형(筒型) 형상을 갖는 차폐판(26)이 설치되어 있다. 또한, 소프트 스프레이 노즐(30), 린스 노즐(40) 및 차폐판(26)의 상대적인 배치관계를 고정하는 고정부재(27)가 설치되어 있다. 고정부재(27)는 아암(21)에 대하여 고정 설치되어 있으며, 이에 따라, 소프트 스프레이 노즐(30), 린스 노즐(40) 및 차폐판(26)은 상대적인 배치관계를 유지하도록 아암(21)에 대하여 고정 설치되게 된다.
차폐판(26)은, 소프트 스프레이 노즐(30)의 주위를 둘러싸고, 차폐판(26)의 하단이 소프트 스프레이 노즐(30)의 토출공(31)보다도 아래가 되도록 배치된다. 또한, 린스 노즐(40)은 차폐판(26)의 통체(筒體) 외측에 배치되며, 소프트 스프레이 노즐(30)과 린스 노즐(40)은 차폐판(26)에 의해 칸막이한 상태가 된다. 이에 따라, 소프트 스프레이 노즐(30)로부터 토출된 세정 미스트의 주위로의 확산이 방지되는 동시에, 세정 미스트 및 린스 노즐(40)로부터 토출되는 린스 순수의 기판(W)으로의 착액 전의 접촉이 방지된다.
소프트 스프레이 노즐(30) 및 린스 노즐(40)은, 각각의 토출공(31, 41)의 양쪽이 각각 연직방향을 향하여 고정 설치되어 있다. 즉, 세정 미스트 및 린스 순수의 기판(W) 위에서의 착액지점(정확하게는, 각각의 착액지점의 집합의 중심점)은, 각각 토출공(31, 41)의 연직 바로 아래의 지점이 된다.
또한, 소프트 스프레이 노즐(30) 및 린스 노즐(40)은, 각각의 토출공(31, 41)이 수평방향으로 소정의 거리(D)로 떨어진 상태로 배치되어 있다. 이에 따라, 세정 미스트 및 린스 순수의 기판(W) 위에 있어서 착액지점의 간격은, 토출공 31과 토출공 41의 거리(D)와 동일한 거리가 된다. 이 거리(D)는, 실제 측정 등에 의해 구해진 세정 미스트 및 린스 순수가 기판(W)에 착액하기 이전에 간섭하지 않는 거리로 하고 있다.
도6은, 기판세정부(50)를 위에서 본 경우의 도면이다. 도6에서는 편의상, 기판회전기구(10)는 기판(W)만을 도시하고, 처리액 토출기구(20)는 아암(21)의 선단부(22)(소프트 스프레이 노즐(30)의 토출공(31), 린스 노즐(40)의 토출공(41) 및 차폐판(26))만을 도시하고 있다.
아암(21)의 회동동작에 의해, 아암(21)의 선단부(22)는 도6 중의 위치 A와 위치 C 사이를 회동한다. 위치 A는 기판(W)을 이동시킬 때의 대피위치이며, 위치 B 및 위치 C는 기판(W)을 세정할 때의 처리위치를 도시하고 있다. 도면에 도시된 바와 같이, 아암(21)의 선단부(22)가 위치 A 또는 B에 있을 때에는, 린스 노즐(40)은 소프트 스프레이 노즐(30)보다 기판(W)의 회전중심(J1) 쪽에 위치한다.
소프트 스프레이 노즐(30)의 토출공(31) 및 린스 노즐(40)의 토출공(41)은, 각각 아암(21)의 회동중심(J2)으로부터의 거리가 동일한 거리(L)가 되도록 배치되어 있다. 즉, 아암(21)의 회동동작에 의해 소프트 스프레이 노즐(30) 및 린스 노즐(40)이 회동되면, 이들의 토출공(31, 41)의 양쪽의 회동궤적은 동일한 원주 위의 원호(CR1) 위를 그린다. 기판회전기구(10) 및 처리액 토출기구(20)는, 이 원호(CR1)가 기판(W)의 회전중심(J1) 바로 위를 통과하도록 배치되어 있기 때문에, 세정 미스트 및 린스 순수의 기판(W) 위의 착액지점은 각각 기판(W)의 회전중심(J1)을 통과하게 된다.
또한, 도6 중의 위치 B는 소프트 스프레이 노즐(30)의 토출공(31)이 기판(W)의 원주 둘레부 바로 위에 위치하고 있을 때를 도시하며, 도6 중의 위치 C는 토출공(31)이 기판(W)의 회전중심(J1) 바로 위에 위치하고 있을 때를 도시하고 있다.
다음에, 상기와 같은 구성을 갖는 기판세정장치(1)에서의 기판(W)의 세정동작에 대하여 설명한다. 또한, 이 동작개시 전에는, 아암(21)의 선단부(22)는 대피위치 A에 위치하고 있다.
우선, 컵(15)을 하강시킴으로써, 회전 베이스(11)를 컵(15)으로부터 돌출시킨다. 이 상태에서, 미세정된 기판(W)이 회전 베이스(11) 위에 건네져, 척핀(12)이 기판(W)의 원주 둘레부를 파지함으로써, 수평자세로 상기 기판(W)이 유지된다.
다음에, 위치 B로 아암(21)의 선단부(22)를 이동시킨다. 즉, 소프트 스프레이 노즐(30)의 토출공(31)을 기판(W)의 원주 둘레부 바로 위에 위치시킨다. 그리고, 컵(15)을 소정 위치까지 상승시킨 후, 회전 베이스(11)와 함께 그것에 유지된 기판(W)을 일정속도로 회전시킨다.
이 상태에서, 소프트 스프레이 노즐(30)로부터의 세정 미스트의 토출과, 린스 노즐(40)로부터의 린스 순수의 토출이 동시에 개시된다. 그리고, 양 노즐(30, 40)이 각각 세정액을 토출하면서, 아암(21)의 선단부(22)가 위치 B로부터 위치 C까지 이동된다.
아암(21)의 선단부(22)는 위치 C까지 이동된 후에는, 반대방향으로 위치 B까지 이동된다. 이 위치 B와 위치 C 사이의 이동동작은, 소정 횟수만큼 반복된다. 즉, 소프트 스프레이 노즐(30)의 토출공(31)이, 기판(W)의 원주 둘레부의 바로 위와 기판(W)의 회전중심(J1)의 바로 위 사이를 소정 횟수만큼 회동되게 된다.
소프트 스프레이 노즐(30)로부터 토출되는 세정 미스트는, 이와 같은 아암(21)의 선단부(22)의 회동동작에 의해, 기판(W)의 원주 둘레부 및 기판(W)의 회전중심(J1) 사이의 원호(CR1) 바로 아래에 착액된다. 기판(W)은 회전하고 있으므로, 세정 미스트는 기판(W) 전체에 대하여 착액하게 되며 기판(W) 전체가 세정된다. 기판(W)에 착액된 세정 미스트는, 회전 원심력에 의해 기판(W)으로부터 대략 수평방향으로 튀어나와 컵(15)에 막혀 배출구로 안내되어 배출된다.
한편, 린스 노즐(40)로부터 토출된 린스 순수는, 토출공(31, 41)의 거리(D)에 의해 세정 미스트와 간섭하지 않고, 세정 미스트의 착액지점으로부터 거리(D) 만큼 떨어진 지점에 착액된다. 기판(W)에 착액된 후에는, 회전 원심력에 의해 기판(W)의 원주 둘레부 방향(기판(W)의 회전중심(J1)으로부터 멀어지는 방향)으로, 기판(W) 표면의 소정 영역을 피복하는 액체막을 형성하도록 퍼진다. 기판(W)의 원주 둘레부에 도달하면, 그대로 대략 수평방향으로 튀어나와 컵(15)에 막혀 배출구로 안내되어 배출된다.
아암(21)의 선단부(22)가 위치 B에 있을 때에는, 토출공 41이 토출공 31보다도 기판(W)의 회전중심(J1) 쪽으로 위치하기 때문에, 원주 둘레부 방향으로 퍼진 린스 순수는 세정 미스트의 착액지점을 피복하는 상태가 되며, 워터마크 상의 결함 발생이 억제된다.
아암(21)의 선단부(22)가 위치 B에서 위치 C까지 이동되는 동안, 토출공 41이 기판(W)의 회전중심(J1) 바로 위에 위치하기까지는, 토출공 41이 토출공 31보다도 기판(W)의 회전중심(J1) 쪽에 위치하기 때문에, 세정 미스트의 착액지점은 린스 순수의 액체막으로 피복된 상태 그대로 이고, 마찬가지로 결함 발생이 억제된다.
토출공 41이 기판(W)의 회전중심(J1) 바로 위를 지나간 후, 토출공 41과 토출공 31의 중간위치(정확하게는, 원호(CR1)를 따른 중간 상당의 위치)가 기판(W)의 회전중심(J1) 바로 위에 위치하기까지는, 기판(W)의 회전중심(J1)으로부터 토출공 41까지의 거리는 기판(W)의 회전중심(J1)으로부터 토출공 31까지의 거리보다도 짧게 된다. 따라서, 착액후 원주 둘레부 방향으로 퍼지는 린스 순수는, 기판(W)이 회전함으로써 흘러 세정 미스트의 착액지점을 액체막으로 피복하는 상태가 되며, 마찬가지로 결함 발생이 억제된다.
토출공 41과 토출공 31의 중간위치가 기판(W)의 회전중심(J1) 바로 위를 지나, 아암(21)의 선단부(22)가 위치 C까지 이동되는 동안에는, 기판(W)의 회전중심(J1)으로부터 토출공 41까지의 거리는 기판(W)의 회전중심(J1)으로부터 토출공 31까지의 거리보다도 길게 되며, 린스 순수가 세정 미스트의 착액지점을 피복하는 상태가 일시적으로 없어진다. 그러나, 워터마크 상의 결함은, 기판(W)의 중심부보다도 상대적으로 회전속도가 빠르고 건조하기 쉬운 기판(W)의 원주 둘레부 쪽으로 갈수록 다수 발생하고, 기판(W)의 회전중심(J1) 부근은 발생하지 않으므로 문제가 되지 않는다.
이와 같이, 아암(21)의 선단부(22)가 위치 B로부터 위치 C까지 이동되는 동안, 어떠한 위치에 있을 때에 있어서도, 워터마크 상의 결함 발생은 억제되게 된다. 또한, 아암(21)의 선단부(22)가 위치 C로부터 위치 B까지 이동되는 동안에 있어서도, 토출공 41과 토출공 31과 기판(W)의 상대적인 배치관계는 같기 때문에, 결함 발생은 마찬가지로 억제된다. 즉, 아암(21)의 선단부(22)가 회동되는 모든 때에 있어서 워터마크 상의 결함 발생이 억제되게 된다.
또한, 아암(21)의 선단부(22)가 회동되는 모든 때에 있어서, 소프트 스프레이 노즐(30), 린스 노즐(40) 및 차폐판(26)의 상대적인 배치관계가 유지되기 때문에, 세정 미스트 및 린스 순수가 기판(W)의 착액 전에 간섭하는 것이 방지된다. 따라서, 세정처리에 사용된 모든 처리액은, 넓은 각도에서 비스듬히 위쪽으로 튀어나가지 않고 기판(W)으로부터 대략 수평방향으로 튀어나가게 되며, 정확하게 컵(15)에 막혀 배출구로 안내되어 배출된다.
아암(21)의 선단부(22)가 소정의 횟수로 회동되면, 세정 미스트 및 린스 순수의 토출이 정지된다. 양 노즐(30, 40)로부터 토출이 정지된 후에도 기판(W)의 회전은 계속되며, 기판(W)에 부착되어 있는 물방울이 회전 원심력에 의해 제거되는 건조처리(회전건조처리)가 행해진다.
소정시간의 회전건조처리가 종료하면, 회전 베이스(11) 및 그것에 유지된 기판(W)의 회전이 정지된다. 그리고, 컵(15)을 하강시키는 동시에, 아암(21)의 선단부(22)가 대피위치 A로 이동된다. 이 상태에서, 도시를 생략한 반송 로봇이 세정된 기판(W)을 회전 베이스(11)로부터 꺼내서 반출함으로써 일련의 세정처리가 종료한다.
이상과 같이, 제2 실시예의 기판세정장치(1)에 있어서는, 소프트 스프레이 노즐(30)과 린스 노즐(40)은 소정 거리로 떨어진 상태로 유지된 채 각각 세정 미스트 및 린스 순수를 토출하게 되므로, 세정 미스트 및 린스 순수가 기판(W)으로의 착액 전에 간섭하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 소프트 스프레이 노즐(30)과 린스 노즐(40)은 차폐판(26)에 의해 칸막이된 상태가 되므로, 세정 미스트 및 린스 순수가 기판(W)으로의 착액 전에 간섭하는 것도 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 소프트 스프레이 노즐(30)과 린스 노즐(40)은, 각각 세정액을 연직방향을 향해 토출하기 때문에, 토출되는 세정액은 수평방향의 운동에너지를 갖지 않고, 기판(W)에 착액할 때에 되튀김 등에 의한 세정액의 주위로의 비산을 억제할 수 있다.
이에 따라, 사용된 모든 세정액은 컵(15)에 정확하게 회수되게 되며, 세정액이 넓은 각도로 비산하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 비산된 세정액이 기판(W)의 반입구나 주변기기 등에 부착함에 기인하는 입자(particle) 발생이나 디바이스(device) 불량 문제가 생길 우려가 없게 된다.
<3. 변형예>
이상, 본 발명의 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 다양한 변형이 가능하다.
예컨대, 상기 실시예에 있어서는 세정 미스트의 형성에 사용하는 기체를 질소가스로 하고 있으나, 공기 등 통상의 2류체 노즐에서 이용되는 기체이면 어느 기체라도 좋다.
또한, 상기 실시예에서는, 결함 발생을 억제하기 위한 기판 표면을 액체막으로 피복하는 세정액으로서 순수를 이용하였지만, 이에 한정되지 않고, 예컨대 오존을 순수에 용해한 오존수나 수소를 순수에 용해한 수소수 등의 기능수(機能水)를 이용하도록 하여도 좋다. 또한, 결함 발생을 억제하기 위한 기판 표면을 액체막으로 피복하는 세정액으로서는 세정 미스트의 형성에 사용하는 세정액과 동일한 종류의 액체를 사용하도록 하여도 좋다.
또한, 세정 미스트의 형성에 사용하는 세정액으로서 순수를 사용하였지만, 이에 한정되지 않고, 산성 용액, 알칼리성 용액 또는 기판에 부착한 유기물을 제거하는 제거액을 이용하도록 하여도 좋다. 기판에는, 기판 위에 형성된 레지스트(resist)막이 드라이 에칭(dry etching) 등에 의해 변질하여 생긴 반응생성물인 폴리머(polymer) 등의 유기물이 부착하고 있다. 이와 같은 기판에 부착된 유기물을 제거할 때에, 순수 등을 토출하여 액체막을 형성하면서 제거액의 세정 미스트를 토출하도록 하면, 기판 위에 되튀긴 제거액의 세정 미스트가 기판 위에 직접 재부착하여 건조하는 것이 방지된다.
또한, 폴리머의 제거액으로서는, 디메틸설폭시드, 디메틸포름아미드 등, 유기아민을 함유한 유기아민계 제거액, 불화암몬을 함유한 불화암몬계 제거액, 무기계 제거액이 있다.
유기아민계 제거액으로서는 모노에탄올아민과 물과 아로마틱트리올과의 혼합용액, 2- (2-아미노에톡시)에탄올과 히드록시아민과 카테콜과의 혼합용액, 알칸올아민과 물과 디알킬설폭시드와 히드록시아민과 아민계 방식제의 혼합용액, 알칸올아민과 글라이콜에테르와 물과의 혼합용액, 디메틸설폭시드와 히드록시아민과 트리에틸렌테트라민과 피로카테콜과 물과의 혼합용액, 물과 히드록시아민과 피로가롤과의 혼합용액, 2- 아미노에탄올과 에테르류와 당(糖)알콜류와의 혼합용액, 2- (2-아미노에톡시)에탄올과 N- 디메틸아세토아세토아미드와 물과 트리에탄올아민과의 혼합용액이 있다.
불화암몬계 제거액으로서는, 유기알칼리와 당알콜과 물과의 혼합용액, 불소화합물과 유기카르복실산과 산·아미드계 용제와의 혼합용액, 알킬아미드와 물과 불화암몬과의 혼합용액, 디메틸설폭시드와 2- 아미노에탄올과 유기알칼리 수용액과 방향족 탄화수소와의 혼합용액, 디메틸설폭시드와 불화암몬과 물과의 혼합용액, 불화암몬과 트리에탄올아민과 펜타메틸디에틸렌트리아민과 이미노디아세테이트와 물의 혼합용액, 글리콜과 황산알킬과 유기염과 유기산과 무기염의 혼합용액, 아미드와 유기염과 유기산과 무기염과의 혼합용액, 아미드와 유기염과 유기산과 무기염과의 혼합용액이 있다.
무기계 제거액으로서는 물과 인산유도체와의 혼합용액이 있다.
또한, 상기 실시예에 있어서 하나의 린스 노즐만이 설치되어 있었지만, 복수의 린스 노즐이 설치되어도 좋다. 복수의 린스 노즐을 설치할 경우는, 세정 미스트의 착액지점 부근을 피복할 수 있는 위치(예컨대, 기판(W)의 회전 상류쪽이 되는 위치)에 설치함으로써, 효과적으로 워터마크 상의 결함 발생을 억제할 수 있다.
또한, 상기 실시예의 소프트 스프레이 노즐(30)과 린스 노즐(40)은 각각으로부터의 세정액의 토출 개시 및 정지가 동시에 행해지는 것으로 하여 설명을 했으나, 린스 순수의 토출을 세정 미스트의 토출보다도 선행하여 개시키고, 세정 미스트의 토출을 정지한 후에 늦게 린스 순수의 토출을 정지하도록 하여도 좋다. 이에 따르면, 세정 미스트의 착액지점은 확실하게 린스 순수의 액체막으로 피복된 상태가 되며, 보다 효과적으로 워터마크 상의 결함 발생을 억제할 수 있다.
또한, 상기 실시의 변형에 있어서는, 소프트 스프레이 노즐(30)의 토출공(31) 및 린스 노즐(40)의 토출공(41)은 동일한 아암(21)에 대하여 소정의 거리(D)로 떨어져 고정 설치된 것으로 설명하였지만, 적어도 토출공 31 및 토출공 41이 소정 이상의 거리를 유지하도록, 소프트 스프레이 노즐(30) 및 린스 노즐(40)이 이동되도록 되어도 좋다. 예컨대, 소프트 스프레이 노즐(30)과 린스 노즐(40)이 다른 아암에 고정 설치되고, 각각이 독립하여 이동되도록 하여도 좋다.
도7은 이와 같은 경우의 기판세정장치의 기판세정부(50)를 위쪽에서 본 경우의 도면이다. 도6과 마찬가지로 편의상, 기판(W), 소프트 스프레이 노즐(30)의 토출공(31), 린스 노즐(40)의 토출공(41) 및 차폐판(26)만을 도시하고, 상기 실시예와 동일한 기능을 갖는 것에 대하여는 동일 부호를 붙인다.
소프트 스프레이 노즐(30) 및 차폐판(26)은 상기 실시예와 같이 상대적인 배치관계를 유지하도록, 도면 중 부호 J3으로 도시하는 축을 중심으로 하여 회동되는 아암(이하, 「제1 아암」이라고 한다)에 고정된다. 제1 아암의 회동동작은, 상기 실시예의 아암(21)의 회동동작과 마찬가지이다.
한편, 린스 노즐(40)은, 제1 아암에는 고정 설치되지 않고, 별도 설치되어 도면 중 부호 J4로 도시하는 축을 중심으로 하여 회동되는 아암(이하, 「제2 아암」이라 한다)의 선단부에, 그 토출공(41)을 연직방향을 향해 고정 설치된다. 제2 아암의 회동동작에 의해, 린스 노즐(40)의 토출공(41)의 회동궤적은 원호(CR2) 위를 그리게 된다.
세정처리에 있어서는, 우선 소프트 스프레이 노즐(30)의 토출공(31)이 기판(W)의 원주 둘레부에 위치하도록 제1 아암이 이동되는 (위치 B로 이동되는) 동시에, 린스 노즐(40)의 토출공(41)이 기판(W)의 회전중심(J1) 바로 위에 위치하도록 제2 아암이 이동된다.
이 상태에서, 양 노즐(30, 40)로부터 세정액의 토출이 개시된다. 린스 순수는 기판의 회전중심(J1)에 착액후, 회전 원심력에 의해 기판 전체로 퍼진다. 이 때문에, 세정 미스트는 린스 순수의 액체막으로 피복된 기판에 대하여 토출되게 되며, 워터마크 상의 결함 발생이 억제된다.
제1 아암의 선단부가 위치 C에 접근하면, 제2 아암의 선단부가 이것에 연동하여 도면 중의 화살표 AR1 방향으로 이동된다. 구체적으로는, 토출공 31과 토출공 41의 간격이 소정 이상의 거리가 되도록 제2 아암의 선단부가 회동한다. 또한, 제1 아암의 선단부가 위치 B로 이동할 때에는, 그것에 연동하여 제2 아암의 선단부가 도면 중의 화살표 AR2 방향으로 이동되며, 토출공 41이 기판의 회전중심(J1) 바로 위에 위치하게 된다.
이와 같은 기판세정장치에 있어서도, 세정 미스트가 기판에 토출됨으로써 생기는 워터마크 상의 결함 발생을 억제하면서, 세정 미스트와 세정액이 간섭하여 발생하는 처리액이 비산을 방지하는 것이 가능하다.
또한, 이와 같은 기판세정장치는, 각각의 노즐(30, 40)에 대하여 아암을 설치하지 않으면 안되고, 또한 각각의 아암의 회동동작을 독립하여 제어할 필요가 있기 때문에 그 구성이 복잡화된다. 이 때문에, 하나의 아암에 양 노즐(30, 40)을 고정 설치한다는 단순한 구성이 된다는 점에서, 상기 제2 실시예의 기판세정장치의 구성이 보다 바람직하다.
또한, 상술한 제1 및 제2 실시예에 있어서는, 린스 노즐로부터 토출되는 린스 순수의 기판(W) 위의 착액지점이, 기판(W)의 회전중심을 포함하도록 구성되었지만, 이에 한정되지 않으며, 워터마크 상의 결함을 억제하는데 필요한 범위로 순수의 액체막을 형성할 수 있도록 구성하면 좋다.
또한, 본 발명에 따른 기술은, 예컨대 기판에 폴리머 제거액을 공급하여 기판에 부착된 폴리머의 제거처리를 행한 후의 린스 처리나 에칭액을 공급하여 산화막 등의 에칭처리를 행한 후의 린스 처리 등, 소정의 약액을 공급하는 약액처리후의 린스 처리에도 적용할 수 있다.
본 발명에 따르면, 제1 토출수단으로부터 토출된 제1 세정액의 액체막이 형성된 기판 위에 제2 토출수단으로부터 세정 미스트를 토출하도록 구성되기 때문에, 기판 위에 워터마크 상의 결함이 생기는 것을 방지할 수 있으며, 또한 세정 미스트와 제1 세정액이 간섭함으로써 발생하는 세정 미스트의 비산을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 기판 위에 워터마크 상의 결함이 생기는 것을 방지할 수 있는 동시에, 제1 및 제2 토출수단이, 소정의 간격으로 떨어져 고정 설치되기 때문에, 세정 미스트와 제1 세정액이 기판에 착액하기 이전에 간섭하는 것을 방지할 수 있고, 그 결과, 세정 미스트와 제1 세정액이 간섭함으로써 생기는 세정 미스트의 비산을 방지할 수 있다.
도1은, 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판세정장치의 개략 구성을 도시한 도면이다.
도2는, 소프트 스프레이 노즐의 단면 개략도이다.
도3은, 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판세정장치의 개략 구성을 도시한 도면이다.
도4는, 아암의 선단부를 정면에서 본 도면이다.
도5는, 아암의 선단부를 위쪽에서 본 도면이다.
도6은, 기판세정부를 위쪽에서 본 경우의 도면이다.
도7은, 아암을 복수 설치한 경우의 기판세정장치에서 기판세정부를 위쪽에서 본 경우의 도면이다.

Claims (26)

  1. 회전 베이스 위에 유지되는 기판을 대략 수평면 내에서 회전시키면서 세정하는 기판세정장치에 있어서,
    제1 세정액을 상기 기판 위에 토출하여, 상기 기판 위의 소정영역에 액체막을 형성하는 제1 토출수단; 및
    상기 제1 토출수단에 의해 액체막이 형성되어 있는 상기 소정영역에, 제2 세정액과 가압된 기체를 혼합하여 형성되는 세정 미스트를 토출하는 제2의 토출수단; 을 구비하고,
    상기 제1 토출수단은 기판 위의 상기 소정영역에 상기 제1 세정액의 액체막을 형성하도록 이동하고,
    상기 제2 토출수단은 상기 세정 미스트의 상기 기판 위의 착액지점이 상기 기판의 회전중심을 통과하도록 이동하고,
    상기 제1 및 제2 토출수단은 각각으로부터의 상기 기판 위의 착액지점이 소정 이상의 거리를 유지함으로써 상기 제1 세정액 미스트가 상기 기판 위에 착액하기 이전에 간섭하는 일이 없도록 이동하는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 토출수단은, 상기 제1 세정액을 대략 연직방향으로 토출하는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 세정 미스트 및 상기 제1 세정액이 상기 기판에 착액하기 이전에 접촉하는 것을 방지하는 차폐수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 토출수단의 양쪽을 일체적으로 이동시키는 이동수단을 더 구비하고,
    상기 제1 및 제2 토출수단의 각각은, 상기 이동수단에 의해 각각으로부터의 상기 기판 위의 착액지점이 소정의 거리를 유지하도록 이동되는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 이동수단은, 상기 제2 토출수단이 적어도 상기 기판의 회전중심과 상기 기판의 원주 둘레부 사이를 회동하도록, 상기 제1 및 제2 토출수단의 양쪽을 회동시키며,
    상기 이동수단에 의해 회동되는 상기 제1 및 제2 토출수단의 각각의 회동궤적이 거의 동일한 원주 위의 원호가 되며,
    또한, 상기 제2 토출수단이 상기 기판의 원주 둘레부에 위치하고 있을 때에, 상대적으로 상기 제1 토출수단이 상기 기판의 회전중심쪽에 위치하도록, 상기 제1 및 제2 토출수단이 배치되는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 세정액은, 순수, 기능수로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제2 세정액은, 순수, 산성용액, 알칼리성 용액, 기판에 부착된 유기물을 제거하는 제거액으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 세정액과 상기 제2 세정액은 같은 종류의 액체인 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  11. 회전 베이스 위에 유지되는 기판을 대략 수평면 내에서 회전시키면서 세정하는 기판세정장치에 있어서,
    제1 세정액을 상기 기판 위에 토출하여 상기 기판 위의 소정영역에 액체막을 형성하는 제1 토출수단;
    상기 제1 토출수단에 의해 액체막이 형성되어 있는 상기 소정영역에, 제2 세정액과 가압된 기체를 혼합하여 형성되는 세정 미스트를 토출하는 제2 토출수단;
    상기 제1 및 제2 토출수단이 소정의 간격으로 떨어져 선단에 고정 설치된 아암; 및
    상기 제1 및 제2 토출수단의 양쪽이 상기 기판의 회전중심을 통과하도록 상기 아암을 회동시키는 회동수단;을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 회동수단은, 상기 제2 토출수단이 적어도 상기 기판의 회전중심과 상기 기판의 원주 둘레부 사이를 회동하도록, 상기 아암을 회동시키며,
    상기 회동수단에 의해 회동되는 상기 제1 및 제2 토출수단의 각각의 회동궤적이 대략 동일한 원주 위의 원호가 되며,
    또한, 상기 제2 토출수단이 상기 기판의 원주 둘레부에 위치하고 있을 때에, 상대적으로 상기 제1 토출수단이 상기 기판의 회전중심쪽에 위치하도록, 상기 제1 및 제2 토출수단이 배치되는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  13. 회전 베이스 위에 유지되는 기판을 대략 수평면 내에서 회전시키면서 세정하는 기판세정방법에 있어서,
    제1 토출수단으로부터 제1 세정액을 상기 기판 위에 토출하고,
    기판 위의 소정영역에 상기 제1 세정액의 액체막을 형성하도록 상기 제1 토출수단을 이동하고,
    상기 제1 토출수단에 의해 액체막이 형성되어 있는 상기 소정영역에, 상기 제2 토출수단으로부터 제2 세정액과 가압된 기체를 혼합하여 형성되는 세정 미스트를 토출하고,
    상기 세정 미스트의 상기 기판 위의 착액지점이 상기 기판의 회전중심을 통과하도록 상기 제2 토출수단을 이동하고,
    상기 제1 및 제2 토출수단은 각각으로부터의 상기 기판 위의 착액지점이 소정 이상의 거리를 유지함으로써 상기 제1 세정액과 상기 세정 미스트가 상기 기판 위에 착액하기 이전에 간섭하는 일이 없도록 이동되는 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 제13항에 있어서,
    상기 제1 세정액은, 순수, 기능수로부터 이루어진 그룹 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제2 세정액은, 순수, 산성용액, 알칼리성 용액, 기판에 부착된 유기물을 제거하는 제거액으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  19. 제13항에 있어서,
    상기 제1 세정액과 상기 제2 세정액은 같은 액체인 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  20. 제7항에 있어서,
    세정처리를 개시할 때에, 상기 제1 및 제2 토출수단을 상기 기판의 주연부(周緣部) 근방에 위치시키면서 상기 제1 세정액 및 상기 세정 미스트의 토출을 각각 개시시킨 후, 상기 제1 및 제2 토출수단을 상기 기판의 회전중심으로 향하여 이동시키도록 상기 제1 및 제2 토출수단 및 상기 이동수단을 제어하는 토출제어수단을 더 구비하는 것을 기판세정장치.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 토출제어수단은, 상기 제1 및 제2 토출수단이 상기 기판의 회전중심에 도달한 후, 상기 제1 세정액 및 상기 세정 미스트를 각각 토출하면서 상기 제1 및 제2 토출수단이 상기 주연부와 상기 회전중심과의 사이에서 왕복이동하도록 상기 제1 및 제2 토출수단 및 상기 이동수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  22. 제12항에 있어서,
    세정처리를 개시할 때에, 상기 제1 및 제2 토출수단을 상기 기판의 주연부(周緣部) 근방에 위치시키면서 상기 제1 세정액 및 상기 세정 미스트의 토출을 각각 개시시킨 후, 상기 제1 및 제2 토출수단을 상기 기판의 회전중심으로 향하여 이동시키도록 상기 제1 및 제2 토출수단 및 상기 이동수단을 제어하는 토출제어수단을 더 구비하는 것을 기판세정장치.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 토출제어수단은, 상기 제1 및 제2 토출수단이 상기 기판의 회전중심에 도달한 후, 상기 제1 세정액 및 상기 세정 미스트를 각각 토출하면서 상기 제1 및 제2 토출수단이 상기 주연부와 상기 회전중심과의 사이에서 왕복이동하도록 상기 제1 및 제2 토출수단 및 상기 이동수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  24. 제13항에 있어서,
    세정처리를 개시할 때에, 상기 제1 및 제2 토출수단은 상기 기판의 주연부(周緣部) 근방에 위치한 상태에서 상기 제1 세정액 및 상기 세정 미스트의 토출을 각각 개시시킨 후, 상기 기판의 회전중심으로 향하여 이동하는 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 토출수단은 상기 기판의 회전중심에 도달한 후, 상기 제1 세정액 및 상기 세정 미스트를 각각 토출하면서 상기 주연부와 상기 회전중심과의 사이에서 왕복이동하는 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 제1 세정액은, 상기 제1 토출수단으로부터 대략 연직방향으로 토출되는 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
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Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060118132A1 (en) * 2004-12-06 2006-06-08 Bergman Eric J Cleaning with electrically charged aerosols
KR101006800B1 (ko) * 2003-06-06 2011-01-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판의 처리막의 표면 거침을 개선하는 방법 및 기판 처리장치
AT501653B1 (de) * 2003-11-18 2010-04-15 Tokyo Electron Ltd Substrat-reinigungsverfahren, substrat-reinigungsvorrichtung und computer-lesbares aufzeichnungsmedium
US20050211267A1 (en) * 2004-03-26 2005-09-29 Yao-Hwan Kao Rinse nozzle and method
JP4488497B2 (ja) * 2004-05-24 2010-06-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US20050274393A1 (en) * 2004-06-09 2005-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer clean process
TW200703482A (en) * 2005-03-31 2007-01-16 Toshiba Kk Method and apparatus for cleaning electronic device
JP2006286665A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Toshiba Corp 電子デバイス洗浄方法及び電子デバイス洗浄装置
KR101255048B1 (ko) * 2005-04-01 2013-04-16 에프에스아이 인터내쇼날 인크. 하나 이상의 처리 유체를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는데 이용되는 장치용 배리어 구조 및 노즐 장치
JP2007220956A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Toshiba Corp 基板処理方法及び基板処理装置
CN101389415A (zh) * 2006-02-22 2009-03-18 赛迈有限公司 单侧工件处理
CN101484974B (zh) 2006-07-07 2013-11-06 Fsi国际公司 用于处理微电子工件的设备和方法以及遮挡结构
JP5017375B2 (ja) * 2007-01-22 2012-09-05 ラム・リサーチ・アクチエンゲゼルシヤフト 表面を洗浄する方法
JP5063138B2 (ja) * 2007-02-23 2012-10-31 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板現像方法および現像装置
WO2009020524A1 (en) * 2007-08-07 2009-02-12 Fsi International, Inc. Rinsing methodologies for barrier plate and venturi containment systems in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids, and related apparatuses
KR100901459B1 (ko) * 2007-10-11 2009-06-08 세메스 주식회사 약액 공급 장치
JP5224876B2 (ja) * 2008-03-31 2013-07-03 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の処理装置
JP5705723B2 (ja) * 2008-05-09 2015-04-22 テル エフエスアイ インコーポレイテッド 操作において開モードと閉モードとの切り替えを簡単に行う加工チェンバ設計を用いてマイクロ電子加工品を加工するための道具および方法
JP5355951B2 (ja) * 2008-07-24 2013-11-27 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP5420336B2 (ja) * 2009-07-23 2014-02-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP5650896B2 (ja) * 2009-09-03 2015-01-07 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置および基板処理方法
TWI421927B (zh) * 2010-03-09 2014-01-01 Dainippon Screen Mfg 基板清洗方法及基板清洗裝置
KR101258002B1 (ko) * 2010-03-31 2013-04-24 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP5528927B2 (ja) * 2010-07-09 2014-06-25 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP5852898B2 (ja) * 2011-03-28 2016-02-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US20130034966A1 (en) * 2011-08-04 2013-02-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., ("Tsmc") Chemical dispersion method and device
US20130052360A1 (en) * 2011-08-30 2013-02-28 Tadashi Maegawa Substrate processing apparatus, substrate processing method, and nozzle
JP5829082B2 (ja) * 2011-09-09 2015-12-09 オリンパス株式会社 洗浄装置
KR101344921B1 (ko) * 2012-03-28 2013-12-27 세메스 주식회사 기판처리장치 및 방법
US9005877B2 (en) 2012-05-15 2015-04-14 Tokyo Electron Limited Method of forming patterns using block copolymers and articles thereof
JP6250924B2 (ja) * 2012-10-02 2017-12-20 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置および研磨装置
US9393579B2 (en) 2012-10-03 2016-07-19 The Boeing Company Cleaning apparatus and method of cleaning a contaminated surface
KR101536722B1 (ko) * 2012-11-06 2015-07-15 세메스 주식회사 기판처리방법
US8975009B2 (en) 2013-03-14 2015-03-10 Tokyo Electron Limited Track processing to remove organic films in directed self-assembly chemo-epitaxy applications
US20140273534A1 (en) 2013-03-14 2014-09-18 Tokyo Electron Limited Integration of absorption based heating bake methods into a photolithography track system
US9147574B2 (en) 2013-03-14 2015-09-29 Tokyo Electron Limited Topography minimization of neutral layer overcoats in directed self-assembly applications
US8980538B2 (en) 2013-03-14 2015-03-17 Tokyo Electron Limited Chemi-epitaxy in directed self-assembly applications using photo-decomposable agents
US9136110B2 (en) 2013-03-15 2015-09-15 Tokyo Electron Limited Multi-step bake apparatus and method for directed self-assembly lithography control
JP6223839B2 (ja) * 2013-03-15 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体
KR102394998B1 (ko) 2013-09-04 2022-05-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 유도 자기 조립용 화학 템플릿을 생성하기 위한 경화 포토레지스트의 자외선을 이용한 박리
US9793137B2 (en) 2013-10-20 2017-10-17 Tokyo Electron Limited Use of grapho-epitaxial directed self-assembly applications to precisely cut logic lines
US9349604B2 (en) 2013-10-20 2016-05-24 Tokyo Electron Limited Use of topography to direct assembly of block copolymers in grapho-epitaxial applications
JP2015198217A (ja) * 2014-04-03 2015-11-09 株式会社ディスコ 洗浄装置及びワークの洗浄方法
JP6389089B2 (ja) * 2014-09-18 2018-09-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6502050B2 (ja) * 2014-09-29 2019-04-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2016192538A (ja) 2015-03-30 2016-11-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN105563348B (zh) * 2015-12-28 2017-10-31 北京科技大学 一种后混合磨料水射流除鳞喷嘴
JP6726430B2 (ja) * 2016-01-25 2020-07-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR20170110199A (ko) * 2016-03-22 2017-10-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US9947597B2 (en) 2016-03-31 2018-04-17 Tokyo Electron Limited Defectivity metrology during DSA patterning
US11355366B2 (en) * 2018-08-30 2022-06-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods for shuttered wafer cleaning
CN109878404A (zh) * 2019-02-28 2019-06-14 贵州黎阳天翔科技有限公司 一种燃气射流洗消车
CN111921395B (zh) * 2020-07-30 2022-01-07 武汉大学 一种溶气式水射流装置及溶气式水射流发生方法
JP2022189496A (ja) * 2021-06-11 2022-12-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
US20230062148A1 (en) * 2021-08-31 2023-03-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for manufacturing a semiconductor device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030036087A (ko) * 2001-11-01 2003-05-09 동경 엘렉트론 주식회사 기판세정장치 및 기판세정방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19522525A1 (de) * 1994-10-04 1996-04-11 Kunze Concewitz Horst Dipl Phy Verfahren und Vorrichtung zum Feinstreinigen von Oberflächen
TW402737B (en) * 1997-05-27 2000-08-21 Tokyo Electron Ltd Cleaning/drying device and method
JP3626610B2 (ja) * 1998-11-02 2005-03-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
KR100726015B1 (ko) * 1999-10-06 2007-06-08 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판세정방법 및 그 장치
US6387822B1 (en) * 1999-11-12 2002-05-14 Texas Instruments Incorporated Application of an ozonated DI water spray to resist residue removal processes
JP3939077B2 (ja) 2000-05-30 2007-06-27 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置
US6951221B2 (en) * 2000-09-22 2005-10-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US6858091B2 (en) * 2001-07-13 2005-02-22 Lam Research Corporation Method for controlling galvanic corrosion effects on a single-wafer cleaning system
JP3993048B2 (ja) * 2002-08-30 2007-10-17 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030036087A (ko) * 2001-11-01 2003-05-09 동경 엘렉트론 주식회사 기판세정장치 및 기판세정방법

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Publication number Publication date
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