KR20120096406A - 유기 현상 처리 방법 및 유기 현상 처리 장치 - Google Patents

유기 현상 처리 방법 및 유기 현상 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20120096406A
KR20120096406A KR1020120003374A KR20120003374A KR20120096406A KR 20120096406 A KR20120096406 A KR 20120096406A KR 1020120003374 A KR1020120003374 A KR 1020120003374A KR 20120003374 A KR20120003374 A KR 20120003374A KR 20120096406 A KR20120096406 A KR 20120096406A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
organic
developer
development
gas
Prior art date
Application number
KR1020120003374A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101842720B1 (ko
Inventor
고우이치 혼타케
히데하루 교우다
다카후미 니와
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20120096406A publication Critical patent/KR20120096406A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101842720B1 publication Critical patent/KR101842720B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply

Abstract

본 발명은 린스액을 이용하지 않고, 유기 현상 처리의 시간차의 영향을 받지 않고 회로 패턴의 미세 선폭의 안정화 및 작업 처리량의 향상을 도모할 수 있도록 한 유기 현상 처리 방법 및 유기 현상 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 웨이퍼(W)의 표면에 현상액을 공급하여 현상하는 현상 처리에 있어서, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액을 토출하는 현상 노즐(30)과, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 현상 정지 및 건조용 N2 가스를 토출하는 가스 노즐(40)을 구비한다. 현상 노즐(30)로부터 웨이퍼(W)의 표면 전역에 현상액을 토출하여 웨이퍼(W)의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액의 액막을 형성한 후, 가스 노즐(40)로부터 웨이퍼(W)의 표면 전역에 N2 가스를 토출하여, 현상을 정지하고, 현상액을 제거하여 웨이퍼(W)를 건조한다.

Description

유기 현상 처리 방법 및 유기 현상 처리 장치{ORGANIC DEVELOPMENT PROCESSING APPARATUS AND ORGANIC DEVELOPMENT PROCESSING METHOD}
본 발명은, 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한 유기 현상 처리 방법 및 유기 현상 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정에서는, 예컨대 반도체 웨이퍼 등의 기판 위에, 예컨대 화학 증폭형의 포토레지스트를 도포하고, 레지스트막을 정해진 회로 패턴에 따라 노광하여, 현상 처리하는 것에 의해 회로 패턴을 형성하는 포토리소그래피 공정이 채용되어 있다.
포토리소그래피 공정에서, 알칼리 현상액을 이용한 알칼리 현상 방법(포지티브 현상 방법이라고도 함) 대신에, 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한 유기 현상 방법(네거티브 현상 방법이라고도 함)이 행해지고 있다(예컨대 특허문헌 1 참조).
상기 유기 현상 방법은, 노광용 마스크에 형성된 회로 패턴을 노광한 광 조사 강도가 약한 레지스트막의 영역을 선택적으로 용해?제거하여 패턴을 형성하는 방법이다. 이것에 대하여, 알칼리 현상 방법은, 반대로 노광용 마스크에 형성된 회로 패턴을 노광한 광 조사 강도가 강한 레지스트막의 영역을 용해?제거하여 패턴을 형성하는 방법이다.
특허문헌 1에 기재된 패턴 형성 방법에서는, 유기 용제를 함유하는 현상액에 대한 용해도가 감소하는 수지를 함유하는 유기 용제계 현상용 레지스트 조성물에 의해 레지스트막을 형성하는 공정과, 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용하여 현상 공정을 행한 후, 용제를 함유하는 린스액을 이용한 세정 공정을 행하고 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2010-152353호 공보(특허청구범위)
그런데, 본 발명의 발명자는 연구의 결과, 유기 현상 처리의 경우에는, 현상 후에 린스액을 이용한 세정 공정을 행하지 않아도 현상 처리만으로 해상이 가능하고, 결함도 증가하지 않는 것을 지견하였다. 한편, 린스액에 의한 세정 공정을 생략한 경우에는, 회로 패턴의 선폭이 변동하여 건조 얼룩이 생기는 것도 알았다.
여기서, 도 12를 참조하여, 유기 현상 방법과 알칼리 현상 방법의 현상 시간 10초?20초의 범위에서의 현상 속도와, 현상 시간 20초?30초의 범위에서의 현상 속도를 보면, 유기 현상액이 알칼리 현상액보다 용해 속도가 빠른 것을 알 수 있다. 또한, 유기 현상액에서는 알칼리 현상액과 비교하여, 일정 시간 경과 후에도 높은 용해 속도를 유지하고 있다. 즉, 유기 현상 처리에서는, 현상 처리의 시간차의 영향이 강하고, 이것이 회로 패턴의 선폭의 면내 분포에 반영되는 경향이 있다. 이것으로부터, 린스액을 이용한 세정 공정을 생략한 경우에는, 잔존한 현상액에 의해 회로 패턴의 선폭이 변동하여 건조 얼룩이 생긴 것으로 생각된다.
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 린스액을 이용하지 않고, 유기 현상 처리의 시간차의 영향을 받지 않고 회로 패턴의 미세 선폭의 안정화 및 작업 처리량의 향상을 도모할 수 있도록 한 유기 현상 처리 방법 및 유기 현상 처리 장치를 제공한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 유기 현상 처리 방법은, 표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판의 표면에 현상액을 공급하여 현상하는 현상 처리 방법에 있어서, 기판의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액의 액막을 형성하는 공정과, 상기 액막이 형성된 기판의 표면 전역에 가스를 공급하여, 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 유기 현상 처리 방법은, 표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판의 표면에 현상액을 공급하여 현상하는 현상 처리 방법에 있어서, 기판을 수평 상태로 유지하는 공정과, 기판의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액의 액막을 형성하는 공정과, 상기 액막이 형성된 기판의 표면 전역에 가스를 공급하여, 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기한 발명에 있어서, 상기 액막을 형성하는 공정은, 기판의 표면에 대향하는 복수의 현상액 공급 노즐로부터 상기 현상액을 기판의 표면 전역에 토출하여 행하는 편이 바람직하다.
또한, 상기 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정은, 기판의 표면에 대향하는 복수의 가스 공급 노즐로부터 가스를 기판의 표면 전역에 토출하여 행하는 편이 바람직하다. 이 경우, 상기 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정은, 수평 상태로 유지된 기판을 정지시킨 상태로 복수의 가스 공급 노즐로부터 가스를 기판의 표면 전역에 토출하여 행하여도 좋지만, 기판을 연직축 둘레로 회전시키면서 행하는 편이 바람직하다.
또한, 본 발명의 유기 현상 처리 방법은, 표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판의 표면에 현상액을 공급하여 현상하는 현상 처리 방법에 있어서, 기판의 표면을 아래쪽으로 향한 상태로, 저류 용기 안에 저류되어 있는 유기 용제를 함유하는 현상액에 상기 기판의 표면만을 침지하여, 기판의 표면 전역에 동시에 상기 현상액의 액막을 형성하는 공정과, 상기 액막이 형성된 기판의 표면 전역에 가스를 공급하여, 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 유기 현상 처리 방법은, 표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판의 표면에 현상액을 공급하여 현상하는 현상 처리 방법에 있어서, 기판의 표면을 아래쪽으로 향한 상태로 유지하는 공정과, 기판의 표면을 아래쪽으로 향한 상태로, 저류 용기 안에 저류되어 있는 유기 용제를 함유하는 현상액에 상기 기판의 표면만을 침지하여, 기판의 표면 전역에 동시에 상기 현상액의 액막을 형성하는 공정과, 상기 액막이 형성된 기판의 표면 전역에 가스를 공급하여, 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기한 발명에 있어서, 상기 현상액의 액막을 형성하는 공정은, 기판을 정지시킨 상태로 기판 표면만을 현상액에 침지하여도 지장이 없지만, 기판을 연직축 둘레로 회전시키면서 기판 표면만을 현상액에 침지하는 편이 바람직하다.
또한, 상기한 발명에 있어서, 상기 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정은, 기판의 표면에 대향하는 복수의 가스 공급 노즐로부터 가스를 기판 표면 전역에 토출하여 행하는 편이 바람직하다. 이 경우, 상기 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정은, 수평 상태로 유지된 기판을 정지시킨 상태로 복수의 가스 공급 노즐로부터 가스를 기판의 표면 전역에 토출하여 행하여도 좋지만, 기판을 연직축 둘레로 회전시키면서 행하는 편이 바람직하다.
상기한 유기 현상 처리 방법은, 기판의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액을 토출하는 현상액 공급 수단과, 기판의 표면 전역에 현상 정지 및 건조용 가스를 토출하는 가스 공급 수단을 구비하는 유기 현상 처리 장치에 의해 실시된다.
상기한 유기 현상 처리 방법은, 기판을 수평 상태로 유지하는 기판 유지 수단과, 기판의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액을 토출하는 현상액 공급 수단과, 기판의 표면 전역에 현상 정지 및 건조용 가스를 토출하는 가스 공급 수단을 구비하는 유기 현상 처리 장치에 의해 실시된다.
상기한 유기 현상 처리 장치에 있어서, 상기 현상액 공급 수단은, 기판의 표면에 대향하는 복수의 현상액 공급 노즐을 구비하는 편이 바람직하다. 또한, 상기 가스 공급 수단은, 기판의 표면에 대향하는 복수의 가스 공급 노즐을 구비하는 편이 바람직하다. 또한, 상기 기판 유지 수단을 연직축 둘레로 회전시키는 회전 구동 기구를 더 구비하는 편이 바람직하다.
또한, 상기한 유기 현상 처리 장치에 있어서, 상기 현상액 공급 수단과 가스 공급 수단은, 별체로 형성되어 있어도 좋지만, 바람직하게는 수평 상태로 유지된 기판의 표면에 대하여 상대적으로 접촉 분리 이동하는 노즐 헤드에 설치되어 있는 편이 좋다.
또한, 상기한 유기 현상 처리 방법은, 기판의 표면을 아래쪽으로 향한 상태로 유지하는 기판 유지 수단과, 유기 용제를 함유하는 현상액을 저류하는 용기와, 상기 기판 유지 수단에 유지된 기판과 상기 용기를 상대적으로 접촉 분리 이동시키는 이동 기구와, 상기 기판 유지 수단에 유지된 기판의 표면 전역에 현상 정지 및 기판 건조용 가스를 토출하는 가스 공급 수단을 구비하는 유기 현상 처리 장치에 의해 실시된다. 이 경우, 상기 가스 공급 수단은, 상기 기판 유지 수단에 유지된 기판과 상기 용기 사이에, 이동 가능하게 형성되어 있는 편이 바람직하다. 또한 상기 가스 공급 수단은, 기판의 표면에 대향하는 복수의 가스 공급 노즐을 구비하는 편이 바람직하다.
상기한 발명에 의하면, 현상액 공급 수단으로부터 기판의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액을 토출하는 것에 의해, 기판의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액의 액막을 형성한 후, 가스 공급 수단으로부터 액막이 형성된 기판의 표면 전역에 가스를 공급하여, 현상을 정지하고, 기판을 건조할 수 있다.
상기한 발명에 의하면, 기판 유지 수단에 의해 기판의 표면을 아래쪽으로 향한 상태로 유지한 상태로, 저류 용기 안에 저류되어 있는 유기 용제를 함유하는 현상액에 기판의 표면만을 침지하여, 기판의 표면 전역에 동시에 현상액의 액막을 형성한 후, 가스 공급 수단으로부터 액막이 형성된 기판의 표면 전역에 가스를 공급하여, 현상을 정지하고, 기판을 건조할 수 있다.
본 발명에 의하면, 기판의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액의 액막을 형성한 후, 가스 공급 수단으로부터 액막이 형성된 기판의 표면 전역에 가스를 공급하여, 현상을 정지하고, 기판을 건조함으로써, 린스액을 이용하지 않고, 유기 현상 처리의 시간차의 영향을 받지 않고 회로 패턴의 미세 선폭의 안정화를 도모할 수 있고, 작업 처리량의 향상을 도모할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 유기 현상 처리 장치의 제1 실시형태를 도시하는 개략 단면도.
도 2는 상기 유기 현상 처리 장치의 개략 평면도.
도 3은 제1 실시형태에서의 현상액 공급 노즐을 도시하는 바닥면도(a) 및 (a)의 선 I-I를 따라 취한 단면도(b).
도 4는 제1 실시형태의 현상액의 토출 상태를 도시하는 개략 측면도(a) 및 가스의 토출 상태를 도시하는 개략 측면도(b).
도 5는 본 발명에서의 현상액의 액막 형성 상태를 도시하는 확대 단면도(a), 가스 토출 상태를 도시하는 확대 단면도(b) 및 건조 상태를 도시하는 확대 단면도(c).
도 6은 본 발명에 따른 유기 현상 처리 장치의 제2 실시형태를 도시하는 개략 단면도.
도 7은 제2 실시형태에서의 반전 기구의 기판의 반입 동작?반전 전의 동작을 도시하는 개략 측면도(a),(b), 반전 동작을 도시하는 개략 정면도(c),(d), 기판의 반전 후의 동작?반출 동작을 도시하는 개략 측면도(e) 및 (d)의 화살표 II 방향에서 본 도면(f).
도 8은 제2 실시형태에서의 가스 공급 노즐을 도시하는 평면도(a) 및 (a)의 선 III-III을 따라 취한 단면도(b).
도 9은 제2 실시형태에서의 기판의 액막 형성 공정을 도시하는 개략 단면도(a), 현상 정지?건조 공정을 도시하는 개략 단면도(b) 및 현상 정지?건조 공정의 주요부를 도시하는 확대 단면도(c).
도 10은 평가 시험에 이용되는 웨이퍼의 개략 평면도.
도 11은 평가 시험에 의해 얻어진 선폭과 웨이퍼의 중심으로부터의 거리와의 관계를 도시하는 그래프.
도 12는 유기 현상과 알칼리 현상의 선폭 용해 속도와 현상 시간의 의존 관계를 도시하는 그래프.
이하에, 본 발명의 실시형태에 대해서 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 여기서는, 피처리 기판인 반도체 웨이퍼(W)[이하에 웨이퍼(W)라고 함]는, 도시하지 않는 도포 장치에서, 화학 증폭형의 포토레지스트가 도포되고, 노광 장치에서 노광 처리된 웨이퍼(W)를, 반송 수단(1)에 의해 본 발명에 따른 유기 현상 처리 장치에 반송하여 현상 처리를 행하는 경우에 대해서 설명한다.
<제1 실시형태>
제1 실시형태의 유기 현상 처리 장치(10)[이하에 현상 장치(10)라고 함]는, 하우징(11)을 구비하고 있고, 하우징(11)의 일측벽에는 웨이퍼(W)의 반송구(12)가형성되어 있다. 이 반송구(12)를 통해 도 2에 도시하는 반송 수단(1)에 의해 웨이퍼(W)가 하우징(11) 안에 반송된다. 이 경우, 반송 수단(1)은, 웨이퍼(W)의 옆 둘레를 둘러싸는 대략 말굽 형상의 아암체(2)와, 이 아암체(2)의 내주에 복수, 이 예에서는 4개가 설치되어, 웨이퍼(W)의 이면 주변을 지지하는 지지부(3)를 구비하고 있다.
하우징(11) 안에는, 이 하우징(11) 안을 상하로 구획하는 구획판(13)이 설치되어 있다. 구획판(13)의 상측은 웨이퍼(W)를 처리하기 위한 처리 영역(14a)으로서 구성되고, 구획판(13)의 하측은 구동 영역(14b)이 구성되어 있다.
하우징(11) 안에는 웨이퍼(W)를 수평 상태로 배치하는 기판 유지 수단인 기판 유지척(20)이 설치되어 있다. 이 기판 유지척(20)은 회전 구동 기구인, 예컨대 서버 모터로 형성되는 회전 구동 모터(21)의 회전축(21a)에 연결되어 있고, 회전 구동 모터(21)의 구동에 의해 수평 방향으로 회전 가능하게 구성되어 있다. 기판 유지척(20)의 표면의 복수 지점에는 흡인 구멍(22)이 형성되어 있고, 회전축(21a)에는 흡인 구멍(22)에 연통하는 흡인 통로(도시 생략)가 설치되어 있으며, 흡인 통로에 일단이 접속하는 배기관(23)의 타단이, 배기 수단인 진공 펌프(24)에 접속되어 있다. 또한, 회전축(21a)은 구획판(13)에 형성된 관통 구멍(13a)에 회전 가능하게 삽입 관통되어 있다.
또한, 기판 유지척(20)과 회전 구동 모터(21)는, 예컨대 실린더나 볼나사 기구 등으로 형성되는 승강 기구(25)에 의해 연직 방향으로 이동(승강) 가능하게 구성되어 있다.
회전 구동 모터(21), 승강 기구(25) 및 진공 펌프(24)는 제어부(100)에 전기적으로 접속되어, 제어부(100)로부터의 제어 신호에 기초하여 제어된다.
기판 유지척(20)의 위쪽에는 아래쪽이 개구되는 편평한 원형상의 커버체(26)가 설치되어 있고, 이 커버체(26)는, 지지 부재(27)를 통해 커버체(26)를 승강, 즉 기판 유지척(20)에 대하여 접촉 분리 이동시키는 접촉 분리 이동 기구(28)가 연접되어 있다. 접촉 분리 이동 기구(28)는 제어부(100)에 전기적으로 접속되어 있어, 제어부(100)로부터의 제어 신호에 의해 커버체(26)가 기판 유지척(20)에 대하여 접촉 분리 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한 커버체(26)의 개구 단부에는 O링(29)이 끼워져 있고, 커버체(26)가 하강하여 구획판(13)에 밀접하여, 커버체(26) 안의 기밀성이 유지되도록 되어 있다.
커버체(26)의 상부판(26a)의 하면에는 현상액 공급 수단인 현상액 공급 노즐(30)과 가스 공급 수단인 가스 공급 노즐(40)을 구비한 노즐체(50)가 장착되어 있다. 이 경우, 노즐체(50)는, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 기판 유지척(20) 위에 배치되는 웨이퍼(W)의 직경과 같은 직경 이상의 원에 내접하는 코너부(51)를 갖는, 예컨대 8각형상의 편평형의 노즐 헤드(52)를 구비하고 있고, 노즐 헤드(52)의 하면에 복수의 현상액 공급 노즐(30)[이하에 현상 노즐(30)이고 함]과, 가스 공급 노즐(40)[이하에 가스 노즐(40)이라고 함)이, 예컨대 교대로 흩어진 점 형상으로 설치되어 있다. 또한 노즐 헤드(52)는 반드시 8각형상일 필요는 없고, 예컨대 8각 이외의 다각형이나 원형이어도 좋다.
이 중 현상 노즐(30)은 노즐 헤드(52)에 설치된 현상액 유로(31)에 접속되어 있다. 현상액 유로(31)는 현상액 공급관(32)을 통해 유기 용제를 함유하는 현상액의 현상액 공급원(33)에 접속되어 있다. 현상액 공급관(32)에는, 밸브나 매스플로 컨트롤러를 구비한 유량 제어부(34A)와 온도 조절 제어부(35)가 개재되어 있다. 또한, 본 실시예에서 이용되는 유기 용제를 함유하는 현상액으로서는, 예컨대 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알콜계 용제, 아미드계 용제, 에테르계 용제 등의 극성 용제 및 탄화수소계 용제 등을 이용할 수 있고, 본 실시형태에서는, 에스테르계 용제인 초산부틸을 함유하는 현상액을 이용한다.
한편, 가스 노즐(40)은 노즐 헤드(52)에 설치된 가스 유로(41)에 접속되어 있다. 가스 유로(41)는 가스 공급관(42)을 통해 가스 공급원(43)에 접속되어 있다. 가스 공급관(42)에는, 밸브나 매스플로 컨트롤러를 구비한 유량 제어부(34B)가 개재되어 있다. 또한, 본 실시예에서 이용되는 가스로서는, 예컨대 질소(N2) 가스 등의 비활성 가스나 청정 공기 등이 이용되고, 본 실시형태에서는 비활성 가스인 N2 가스가 이용된다.
상기 유량 제어부(34A, 34B)와 온도 조절 제어부(35)는 제어부(100)와 전기적으로 접속되어 있어, 제어부(100)로부터의 제어 신호에 기초하여 현상액이 정해진 온도, 예컨대 23℃로 설정되고 정해진 양, 예컨대 80 mL?600 mL 토출되며, 또한 N2 가스가 정해진 양, 예컨대 5 L/min?50 L/min 토출되도록 형성되어 있다.
상기한 바와 같이 형성되는 노즐체(50)는, 커버체(26)와 함께 기판 유지척(20)에 대하여 접촉 분리 이동 가능하게 구성되어 있고, 하강하여 기판 유지척(20)에 근접한 상태로, 현상 노즐(30)로부터 현상액을 토출하는 것에 의해, 기판 유지척(20)에 배치된 웨이퍼(W)의 표면 전역에 동시에 현상액의 액막을 형성한다. 또한, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 현상액의 액막을 형성한 후, 가스 노즐(40)로부터 N2 가스를 토출하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 N2 가스를 공급하여, 현상을 정지하고, 웨이퍼(W) 표면 위의 현상액을 제거하여 건조할 수 있다. 또한, 현상 노즐(30)로부터 현상액을 토출할 때, 기판 유지척(20)을 회전시키는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 균일하게 현상액의 액막을 형성할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 N2 가스를 공급할 때에 기판 유지척(20)을 회전시키는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 균일하게 N2 가스를 공급할 수 있어, 현상액의 제거 및 건조 시간의 단축을 도모할 수 있다.
다음에, 제1 실시형태의 현상 장치의 동작 양태와 현상 방법에 대해서 도 1 내지 도 5를 참조하여 상세히 설명한다. 우선, 반송 수단(1)에 의해 웨이퍼(W)가 하우징(11) 안에 반송되어, 기판 유지척(20)의 위쪽에 웨이퍼(W)가 위치한다. 그러면, 승강 기구(25)의 구동에 의해 기판 유지척(20)이 상승하고, 흡인 동작에 의해 웨이퍼(W)는 기판 유지척(20) 위에 흡착 유지된다. 그 후, 반송 수단(1)은 후퇴한다.
기판 유지척(20) 위에 웨이퍼(W)를 유지한 상태로, 접촉 분리 이동 기구(28)가 구동하여 커버체(26)와 함께 현상 노즐(30)과 가스 노즐(40)을 구비한 노즐체(50)가 하강하여, 웨이퍼 표면 위쪽의 근접 위치, 예컨대 30 ㎜에 이동한다. 또한 이 때, 승강 기구(25)를 구동하여 웨이퍼(W)의 표면과 노즐체(50)와의 거리를 조정할 수도 있다.
다음에, 정해진 온도, 예컨대 23℃로 설정된 유기 용제를 함유하는 현상액(D)이 현상 노즐(30)로부터 웨이퍼(W)의 표면 전역에, 예컨대 10초?30초간 토출되어, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 동시에 현상액(D)의 액막이 형성된다. 이 때, 도 4의 (a)에 도시하는 바와 같이, 기판 유지척(20)을 회전(예컨대 10 rpm?1000 rpm)시키는 것에 의해, 기판 유지척(20)에 배치된 웨이퍼(W)의 표면 전역에 동시에 현상액의 액막을 형성한다. 현상액(D)의 액막이 형성된 상태를 확대하면, 도 5의 (a)에 도시하는 바와 같이, 현상액(D)에 레지스트의 용해성 부위가 용해되고, 불용해성의 부위가 남아 회로 패턴(C)이 형성된다. 이 상태에서는, 현상액(D)에 용해 생성물(d)이 혼재되어 있다.
다음에, 노즐체(50)를 웨이퍼 표면 위쪽의 근접 위치, 예컨대 30 ㎜에 이동시킨다. 이 상태에서, 기판 유지척(20)을 500 rpm?3000 rpm, 예컨대 1000 rpm의 회전수로 회전시키면서, 가스 노즐(40)로부터 웨이퍼(W)의 표면 전역에 N2 가스를 5 L/min?50 L/min, 예컨대 5 L/min의 유량으로 5초?30초간 토출한다[도 4의 (b) 참조]. 이와 같이, 현상액(D)의 액막이 형성된 후에, 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 표면 전역에 N2 가스를 토출하면, 그 토출에 의한 충격과 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력의 작용에 의해, 도 5의 (b), (c)에 도시하는 바와 같이, N2 가스는 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부를 향해 퍼지고, 용해 생성물(d)이 혼재되어 있는 현상액(D)은 효율적으로 외측으로 배출되어, 회로 패턴(C)의 오목부 안의 현상액(D)은 확실하게 배출(제거)된다.
상기한 바와 같이 하여 현상 처리가 종료한 후, 상기 동작과 반대의 동작에 의해 기판 유지척(20) 위의 웨이퍼(W)는, 기판 유지척(20)으로부터 반송 수단(1)에 수취되고, 반송 수단(1)에 의해 하우징(11) 안으로부터 반출된다.
상기 제1 실시형태에 의하면, 현상 노즐(30)에 의해, 웨이퍼(W)의 전체면에 동시에 현상액을 공급하여 액막을 형성한 후, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 N2 가스를 공급하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 전체면에서 동시에 현상을 정지할 수 있다. 따라서, 회로 패턴의 선폭을 안정화시킬 수 있다.
또한, 상기 제1 실시형태에서는, 현상 노즐(30)로부터 웨이퍼(W)의 표면 전역에 현상액을 토출하여 웨이퍼 표면에 현상액의 액막을 형성할 때에, 웨이퍼(W)를 회전시키는 경우에 대해서 설명했지만, 현상 노즐(30)로부터 토출되는 현상액이 웨이퍼(W)의 표면 전역에 걸쳐 토출되어 있으면, 반드시 웨이퍼(W)를 회전시키지 않아도 좋다.
또한, 상기 실시형태에서는, 노즐체(50)의 각 현상 노즐(30)은 공통의 현상액 유로(31)를 통해 현상액 공급원(33)에 접속되어, 각 현상 노즐(30)로부터 동량의 현상액을 토출하는 경우에 대해서 설명했지만, 각 현상 노즐(30)에 연통하는 현상액 유로를, 예컨대 중심부와 외주부로 구획하고, 분리하여 현상액을 토출하도록 하여도 좋다. 이와 같이 하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 더 균일하게 현상액의 액막을 형성할 수 있다.
<제2 실시형태>
다음에, 본 발명에 따른 유기 현상 처리 장치의 제2 실시형태에 대해서, 도 6 내지 도 9를 참조하여 설명한다.
제2 실시형태의 유기 현상 처리 장치(10A)[이하에 현상 장치(10A)라고 함]는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 도시하지 않는 하우징 안에, 웨이퍼(W)의 표면을 아래쪽으로 향한 상태로 유지하는 기판 유지 수단인 기판 유지척(20A)과, 유기 용제를 함유하는 현상액(D)을 저류하는 현상액 저류 용기(60)[이하에 용기(60)라고 함]와, 기판 유지척(20A)에 유지된 웨이퍼(W)와 용기(60)를 상대적으로 접촉 분리 이동시키는 접촉 분리 이동 기구(28A)와, 기판 유지척(20A)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면 전역에 현상 정지 및 기판 건조용 가스, 예컨대 질소(N2) 가스를 토출하는 가스 공급 수단인 가스 공급 노즐(40A)[이하에 가스 노즐(40A)이라고 함]을 구비하고 있다. 또한, 현상 장치(10A)는, 도시하지 않는 반송 수단으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 웨이퍼(W)의 표리면을 반전시키는 전달 아암(70)을 구비하고 있고, 전달 아암(70)에 의해 표리 반전된 웨이퍼(W)를 기판 유지척(20A)에 전달 가능하게 구성되어 있다.
이 경우, 전달 아암(70)은, 도 7에 도시하는 바와 같이, 베이스(71)의 상단에, 수평 방향으로 회전 및 신축 가능한 링크 부재(72)를 개재하여 상부 수평축(73)을 설치하고, 상부 수평축(73)을 따라 외측을 향해 수평 방향으로 진퇴 가능한 웨이퍼 유지부(74)가 설치되어 있다. 또한, 전달 아암(70)은, 도시하지 않는 반전용 모터를 구비하는 반전 기구(75)를 구비하고 있고, 이 반전 기구(75)에 의해 웨이퍼 유지부(74)는, 상부 수평축(73)에 대하여 180도 회동 가능, 즉 반전 가능하게 형성되어 있다.
웨이퍼 유지부(74)는, 도 7의 (f)에 도시하는 바와 같이, 선단이 대략 말굽 형상으로 형성되고, 웨이퍼(W)의 이면 중심부측을, 예컨대 진공 흡착에 의해 유지하도록 구성되어 있다. 또한, 이 경우, 웨이퍼 유지부(74)의 말굽 형상부에는, 둘레 방향을 따라 적절하게 간격을 두고, 복수의 흡인 구멍(74a)이 형성되어 있으며, 도시하지 않는 개폐 밸브를 개재한 배관(도시 생략)을 통해 흡착원, 예컨대 진공 펌프(도시 생략)에 접속되어 있다.
상기한 바와 같이 구성되는 전달 아암(70)은, 도 7의 (a)에 도시하는 상태로부터 웨이퍼 유지부(74)가 수평 방향으로 신장하여, 도시하지 않는 반송 수단으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 흡착 유지한 상태[도 7의 (b) 참조]로, 반전 기구(75)에 의해 웨이퍼 유지부(74)가 상부 수평축(73)에 대하여 180도 회동하여 웨이퍼(W)의 표리면을 반전시킨다[도 7의 (c)?도 7의 (e) 참조].
또한, 현상 장치(10A)는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 도시하지 않는 하우징 안의 상부에 배치되는, 예컨대 볼나사 기구나 타이밍 벨트 기구 등으로 형성되는 접촉 분리 이동 기구(28A)와, 접촉 분리 이동 기구(28A)에 의해 연직 방향으로 이동 가능한 승강 브래킷(28b)의 하부에 연결되는, 회전 구동 기구인, 예컨대 서보 모터로 형성되는 회전 구동 모터(21A)를 구비하고 있다. 회전 구동 모터(21A)의 회전축(21a)의 하단부에 기판 유지척(20A)이 하향으로 연결되어 있고, 회전 구동 모터(21A)의 구동에 의해 수평 방향으로 회전 가능하게 구성되어 있다. 기판 유지척(20A)은, 제1 실시형태의 기판 유지척(20)과 마찬가지로, 기판 유지척(20A)의 표면의 복수 지점에는 흡인 구멍(도시 생략)이 형성되어 있고, 회전축(21a)에는 흡인 구멍과 연통하는 흡인 통로(도시 생략)가 형성되며, 흡인 통로에 일단이 접속하는 배기관(도시 생략)의 타단이 배기 수단인 진공 펌프에 접속되어 있다.
회전 구동 모터(21A), 접촉 분리 이동 기구(28A) 및 진공 펌프(도시 생략)는 제어부(100)에 전기적으로 접속되어, 제어부(100)로부터의 제어 신호에 기초하여 제어된다.
상기 용기(60)는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 상단이 개구된 상자형으로 형성되고, 도시하지 않는 지지대 등에 의해 수평 상태로 설치되어 있다. 용기(60)의 대향하는 측벽의 상부에 형성된 연통구(61a, 61b)에 순환 관로(62)의 양단이 접속되어 있고, 순환 관로(62)에는 필터(63)와 순환 펌프(64)가 개재되며, 순환 관로(62)를 흐르는 유기 용제를 함유하는 현상액(D)의 온도를 일정한 온도로 설정하는 온도 제어부(65)가 개재되어 있다. 또한, 용기(60)의 바닥부에는 배액구(66)가 형성되어 있고, 배액구(66)에 드레인 밸브(67)를 개재한 드레인관(68)이 접속되어 있다.
용기(60)의 외주에는 컵(80)이 배치되어 있다. 컵(80)은, 용기(60)의 외주 바깥쪽 및 아래쪽을 포위하는 바닥을 갖는 원통형의 하부 컵체(81)와, 하부 컵체(81)의 개구부측의 내주면을 따라 이동 가능한 상부 컵체(82)로 구성되어 있다. 이 경우, 상부 컵체(82)는, 하부 컵체(81)의 개구부측의 내주면을 따라 이동 가능한 편평한 통형 기부(基部)(83)와, 편평한 통형 기부(83)의 상단으로 굴곡되는 경사부(84)와, 경사부(84)의 상단으로부터 용기(60)측으로 굴곡되는 내향 플랜지부(85)로 구성되어 있다. 또한, 상부 컵체(82)는, 이 상부 컵체(82)의 편평한 통형 기부(83)의 외측에 연결되는 지지 부재(86)를 통해 컵 승강 기구(87)에 연접되어 있어, 컵 승강 기구(87)에 의해 상부 컵체(82)가 승강 가능하게 구성되어 있다.
또한, 가스 노즐(40A)은 노즐체(50A)에 구비되어 있다. 노즐체(50A)는, 도 6 및 도 8에 도시하는 바와 같이, 기판 유지척(20A)에 흡착 유지되는 웨이퍼(W)의 직경과 같은 직경 이상의 원에 내접하는 코너부(51)를 갖는 8각 형상의 편평형의 노즐 헤드(52A)를 구비하고 있고, 노즐 헤드(52A)의 상면에 복수의 가스 노즐(40A)이 흩어진 점 형상으로 설치되어 있다. 가스 노즐(40A)은 노즐 헤드(52A)에 설치된 가스 유로(41)에 접속되어 있고, 가스 유로(41)는 가스 공급관(42)을 통해 N2 가스 공급원(43)에 접속되어 있다. 가스 공급관(42)에는, 밸브나 매스플로 컨트롤러를 구비한 유량 제어부(도시 생략)가 개재되어 있다. 또한 노즐 헤드(52A)는 반드시 8각 형상일 필요는 없고, 예컨대 8각 이외의 다각형이나 원형이어도 좋다.
상기한 바와 같이 형성되는 가스 노즐(40A)을 구비하는 노즐 헤드(52A)는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 가이드 레일(90)을 따라 이동 가능한 가동 베이스(91)의 하부에 늘어지는 접촉 분리 이동 기구(28B)에 의해 연직 방향으로 이동 가능한 승강 브래킷(28c)에 연결되어 있다. 또한, 가동 베이스(91)는, 도시하지 않는, 예컨대 볼나사 기구나 타이밍 벨트 기구 등의 구동 수단에 의해 가이드 레일(90) 위를 이동 가능하게 형성되어 있고, 제어부(100)로부터의 제어 신호에 기초하여 구동하는 구동 수단에 의해, 기판 유지척(20A)에 유지된 웨이퍼(W)와 용기(60) 사이의 위치와, 용기(60) 바깥쪽의 대기 위치에 이동 가능하게 구성되어 있다.
다음에, 제2 실시형태의 현상 장치의 동작 양태와 현상 방법에 대해서, 도 6 내지 도 9를 참조하여 상세히 설명한다. 우선, 도시하지 않는 반송 수단에 의해 반송된 웨이퍼(W)를 전달 아암(70)이 웨이퍼(W)의 표면을 위로 한 채 수취한다. 웨이퍼(W)를 수취한 전달 아암(70)은, 반전 기구(75)에 의해 웨이퍼 유지부(74)가 상부 수평축(73)에 대하여 180도 회동하여 웨이퍼(W)의 표리면을 반전시킨다[도 7의 (c)?도 7의 (e) 참조].
전달 아암(70)에 의해 웨이퍼(W)를 반전시킨 상태로, 전달 아암(70)의 웨이퍼 유지부(74)가 기판 유지척(20A)측에 이동하여, 기판 유지척(20A)이 대략 말굽 형상의 웨이퍼 유지부(74) 안쪽으로 들어간다[도 7의 (f)의 이점쇄선 참조]. 이 상태로, 웨이퍼 유지부(74)의 진공 흡착을 해제하면 동시에 또는 해제 직전에, 기판 유지척(20A)의 진공 흡착을 시작하여 기판 유지척(20A)에 의해 웨이퍼(W)의 이면측을 흡착 유지한다. 그 후, 기판 유지척(20A)을 용기(60) 위쪽으로 이동시킨다.
다음에, 접촉 분리 이동 기구(28A)를 구동하여 기판 유지척(20A)에 유지되어 있는 웨이퍼(W)의 표면만을 용기(60) 안에 저류되어 있는 유기 용제를 함유하는 현상액(D)에 정해진 시간, 예컨대 20초간 침지하여, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 동시에 현상액의 액막을 형성한다.
다음에, 접촉 분리 이동 기구(28A)를 구동하여 기판 유지척(20A)에 유지되어 있는 웨이퍼(W)를 용기(60) 위쪽으로 이동시켜 수평 상태로 유지한다. 웨이퍼(W)의 상승과 동시 또는 상승 후, 구동 수단의 구동에 의해 가동 베이스(91)가 가이드 레일(90)을 따라 이동하여, 노즐 헤드(52A)가 기판 유지척(20A)에 유지된 웨이퍼(W)와 용기(60) 사이에 위치하고, 가스 노즐(40A)을 웨이퍼(W)의 표면과 대향하는 위치에 둔다. 이 때, 컵 승강 기구(87)의 구동에 의해 상부 컵체(82)는 용기(60)의 위쪽과 노즐 헤드(52A)의 주위를 포위한다. 이 상태로, 기판 유지척(20A)을 500 rpm?3000 rpm, 예컨대 1000 rpm의 회전수로 회전시키면서, 가스 노즐(40A)로부터 웨이퍼(W)의 표면 전역에 N2 가스를 5 L/min?50 L/min, 예컨대 5 L/min의 유량으로 5초?30초간 토출한다. 이와 같이, 현상액(D)의 액막이 형성된 후에, 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 표면 전역에 N2 가스를 토출하면, 그 토출에 의한 충격과 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력의 작용에 의해, N2 가스는 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부를 향해 퍼지고, 용해 생성물(d)이 혼재되어 있는 현상액(D)은 효율적으로 외측으로 배출되어, 회로 패턴(C)의 오목부 안의 현상액(D)이 확실하게 배출(제거)된다.
상기한 바와 같이 하여 현상 처리가 종료한 후, 상기 동작과 반대의 동작에 의해 기판 유지척(20A)에 의해 유지된 웨이퍼(W)는, 기판 유지척(20A)으로부터 전달 아암(70)에 수취되고, 전달 아암(70)에 의해 표리 반전, 즉 표면이 상면측으로 반전된 후, 도시하지 않는 반송 수단에 의해 반송된다.
또한, 상기 제2 실시형태에서는, 가스 노즐(40A)을 구비하는 노즐 헤드(52A)가 가이드 레일(90) 위를 이동하는 가동 베이스(91)에 부착되는 경우에 대해서 설명했지만, 노즐 헤드(52A)의 이동은 반드시 이 구조에 한정되는 것이 아니라, 예컨대 수평 방향으로 선회 가능한 아암에 의해 웨이퍼(W)와 용기(60) 사이와, 용기(60)의 바깥쪽 위치에 이동 가능한 구조로 하여도 좋다.
상기 제2 실시형태에 의하면, 웨이퍼(W)의 표면만을 용기(60) 안에 저류된 현상액(D)에 침지하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 전체면에 동시에 현상액을 공급하여 액막을 형성한 후, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 N2 가스를 공급하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 전체면에서 동시에 현상을 정지할 수 있다. 따라서, 회로 패턴의 선폭을 안정화시킬 수 있다. 또한, 제2 실시형태에서는, 용기(60)에 저류된 현상액(D)은, 순환 관로(62)를 통해 필터(63)에 의해 불순물을 제거한 후에, 온도 제어부(65)로 온도가 조정되어 재차 현상에 이용할 수 있어, 현상액의 낭비를 적게 할 수 있다.
(평가 시험)
다음에, 유기 용제를 함유하는 현상액을 웨이퍼에 공급하여 현상액의 액막을 형성한 후의 N2 가스의 토출의 유무에 의한 평가 시험에 대해서 도 10 및 도 11을 참조하여 설명한다.
도 10에 도시하는 바와 같이, 300 ㎜ 웨이퍼(W)의 표면에 유기 용제를 함유하는 현상액을 공급하여 액막을 형성한 후, 웨이퍼(W)의 중심부에 N2 가스를 5 L/min의 유량으로, 3초간 토출한 경우와, N2 가스를 토출하지 않는 경우의 웨이퍼(W)의 중심으로부터 외주에서의 임의의 지점의 선폭의 상한과 하한을 조사한 바, 도 11에 도시하는 바와 같은 결과를 얻을 수 있었다.
그 결과, 도 11에 도시하는 바와 같이, N2 가스를 토출한 경우는, N2 가스를 토출하지 않는 경우에 비해 N2 가스 토출 영역의 현상의 정지가 빨라지고, 선폭이 변동한다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 전체에 N2 가스를 토출함으로써, 웨이퍼 면내의 선폭의 제어가 가능해진다.
이상, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 기판의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액의 액막을 형성한 후, 기판의 표면 전역에 가스를 공급하여, 현상의 정지와 건조를 행하는 모든 유기 현상 처리에 적용할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에서는, 피처리 기판이 반도체 웨이퍼(W)인 경우에 대해서 설명했지만, 본 발명은 반도체 웨이퍼 이외의, 예컨대 FPD 기판 등의 다른 기판의 유기 현상 처리에도 적용할 수 있다.
W: 웨이퍼(기판), 20, 20A: 기판 유지척(기판 유지 수단), 21, 21A: 회전 구동 모터(회전 구동 기구), 28, 28A, 28B: 접촉 분리 이동 기구, 30: 현상 노즐(현상액 공급 수단), 40, 40A: 가스 노즐(가스 공급 수단), 50, 50A: 노즐체, 52, 52A: 노즐 헤드, 60: 용기(현상액 저류 용기), 100: 제어부

Claims (19)

  1. 표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판의 표면에 현상액을 공급하여 현상하는 유기 현상 처리 방법에 있어서,
    기판의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액의 액막을 형성하는 공정과,
    상기 액막이 형성된 기판의 표면 전역에 가스를 공급하여, 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 현상 처리 방법.
  2. 표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판의 표면에 현상액을 공급하여 현상하는 유기 현상 처리 방법에 있어서,
    기판을 수평 상태로 유지하는 공정과,
    기판의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액의 액막을 형성하는 공정과,
    상기 액막이 형성된 기판의 표면 전역에 가스를 공급하여, 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 현상 처리 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 액막을 형성하는 공정은, 기판의 표면에 대향하는 복수의 현상액 공급 노즐로부터 상기 현상액을 기판의 표면 전역에 토출하여 행하는 것을 특징으로 하는 유기 현상 처리 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정은, 기판의 표면에 대향하는 복수의 가스 공급 노즐로부터 가스를 기판의 표면 전역에 토출하여 행하는 것을 특징으로 하는 유기 현상 처리 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정은, 수평 상태로 유지된 기판을 연직축 둘레로 회전시키면서 행하는 것을 특징으로 하는 유기 현상 처리 방법.
  6. 표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판의 표면에 현상액을 공급하여 현상하는 유기 현상 처리 방법에 있어서,
    기판의 표면을 아래쪽으로 향한 상태로, 저류 용기 안에 저류되어 있는 유기 용제를 함유하는 현상액에 상기 기판의 표면만을 침지하여, 기판의 표면 전역에 동시에 상기 현상액의 액막을 형성하는 공정과,
    상기 액막이 형성된 기판의 표면 전역에 가스를 공급하여, 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 현상 처리 방법.
  7. 표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판의 표면에 현상액을 공급하여 현상하는 유기 현상 처리 방법에 있어서,
    기판의 표면을 아래쪽으로 향한 상태로 유지하는 공정과,
    기판의 표면을 아래쪽으로 향한 상태로, 저류 용기 안에 저류되어 있는 유기 용제를 함유하는 현상액에 상기 기판의 표면만을 침지하여, 기판의 표면 전역에 동시에 상기 현상액의 액막을 형성하는 공정과,
    상기 액막이 형성된 기판의 표면 전역에 가스를 공급하여, 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 현상 처리 방법.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 현상액의 액막을 형성하는 공정은, 기판을 연직축 둘레로 회전시키면서 행하는 것을 특징으로 하는 유기 현상 처리 방법.
  9. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정은, 기판의 표면에 대향하는 복수의 가스 공급 노즐로부터 가스를 기판의 표면 전역에 토출하여 행하는 것을 특징으로 하는 유기 현상 처리 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정은, 기판을 연직축 둘레로 회전시키면서 행하는 것을 특징으로 하는 유기 현상 처리 방법.
  11. 표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판의 표면에 현상액을 공급하여 현상하는 유기 현상 처리 장치에 있어서,
    기판의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액을 토출하는 현상액 공급 수단과,
    기판의 표면 전역에 현상 정지 및 건조용 가스를 토출하는 가스 공급 수단
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 현상 처리 장치.
  12. 표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판의 표면에 현상액을 공급하여 현상하는 유기 현상 처리 장치에 있어서,
    기판을 수평 상태로 유지하는 기판 유지 수단과,
    기판의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액을 토출하는 현상액 공급 수단과,
    기판의 표면 전역에 현상 정지 및 건조용 가스를 토출하는 가스 공급 수단
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 현상 처리 장치.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 현상액 공급 수단은, 기판의 표면에 대향하는 복수의 현상액 공급 노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 현상 처리 장치.
  14. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 가스 공급 수단은, 기판의 표면에 대향하는 복수의 가스 공급 노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 현상 처리 장치.
  15. 제12항에 있어서, 상기 기판 유지 수단을 연직축 둘레로 회전시키는 회전 구동 기구를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 현상 처리 장치.
  16. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 현상액 공급 수단과 가스 공급 수단은, 수평 상태로 유지된 기판의 표면에 대하여 상대적으로 접촉 분리 이동하는 노즐 헤드에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 현상 처리 장치.
  17. 표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판의 표면에 현상액을 공급하여 현상하는 유기 현상 처리 장치에 있어서,
    기판의 표면을 아래쪽으로 향한 상태로 유지하는 기판 유지 수단과,
    유기 용제를 함유하는 현상액을 저류하는 용기와,
    상기 기판 유지 수단에 유지된 기판과 상기 용기를 상대적으로 접촉 분리 이동시키는 이동 기구와,
    상기 기판 유지 수단에 유지된 기판의 표면 전역에 현상 정지 및 기판 건조용 가스를 토출하는 가스 공급 수단
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 현상 처리 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 가스 공급 수단은, 상기 기판 유지 수단에 유지된 기판과 상기 용기 사이에, 이동 가능하게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 현상 처리 장치.
  19. 제17항 또는 제18항에 있어서, 상기 가스 공급 수단은, 기판의 표면에 대향하는 복수의 가스 공급 노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 현상 처리 장치.
KR1020120003374A 2011-02-22 2012-01-11 유기 현상 처리 방법 및 유기 현상 처리 장치 KR101842720B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011035310A JP5275385B2 (ja) 2011-02-22 2011-02-22 有機現像処理方法及び有機現像処理装置
JPJP-P-2011-035310 2011-02-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120096406A true KR20120096406A (ko) 2012-08-30
KR101842720B1 KR101842720B1 (ko) 2018-03-27

Family

ID=46886419

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120003374A KR101842720B1 (ko) 2011-02-22 2012-01-11 유기 현상 처리 방법 및 유기 현상 처리 장치

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5275385B2 (ko)
KR (1) KR101842720B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6148210B2 (ja) * 2014-06-17 2017-06-14 東京エレクトロン株式会社 現像方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6314779B2 (ja) * 2014-10-01 2018-04-25 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、記憶媒体及び液処理装置
WO2017187951A1 (ja) * 2016-04-28 2017-11-02 東京エレクトロン株式会社 現像方法、現像装置及び記憶媒体

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH083636B2 (ja) * 1986-11-29 1996-01-17 富士通株式会社 電子線ポジレジスト
JP2712392B2 (ja) * 1988-10-11 1998-02-10 日本電気株式会社 レジスト現像方法
JP2867509B2 (ja) * 1989-12-13 1999-03-08 富士通株式会社 レジストパターンの形成方法
JPH04127517A (ja) * 1990-09-19 1992-04-28 Fujitsu Ltd レジストの現像方法とその装置
JP3169666B2 (ja) * 1992-02-13 2001-05-28 富士通株式会社 現像装置及び現像方法
GB9827798D0 (en) * 1998-12-17 1999-02-10 Agency Ind Science Techn Electron beam resist
JP5578774B2 (ja) 2008-08-29 2014-08-27 日本写真印刷株式会社 ヘアライン意匠を有する転写シートと転写成形品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012173510A (ja) 2012-09-10
JP5275385B2 (ja) 2013-08-28
KR101842720B1 (ko) 2018-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102604997B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
TWI387490B (zh) 基板清洗方法、基板清洗裝置及記憶媒體
TW201741032A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US7841787B2 (en) Rinsing method, developing method, developing system and computer-read storage medium
KR100895030B1 (ko) 기판 처리 장치 및 이에 구비된 노즐의 세정 방법
JPH1154394A (ja) 液膜形成装置及びその方法
TW201714212A (zh) 基板處理裝置，基板處理方法及記錄媒體
KR100271764B1 (ko) 반도체장치 제조용 현상 장치 및 그의 제어방법
CN107275260B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
KR102424125B1 (ko) 현상 방법
CN101097837A (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
KR20070098509A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR100822511B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP5390873B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TW201934211A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
KR20120096406A (ko) 유기 현상 처리 방법 및 유기 현상 처리 장치
US20210001357A1 (en) Nozzle apparatus, apparatus and method for treating substrate
US20200126822A1 (en) Substrate processing apparatus, and substrate processing method
KR102508316B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP6491900B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20170077031A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
KR100437850B1 (ko) 반도체장치 제조용 현상 장치 및 그의 제어방법
JP6405259B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US20170287743A1 (en) Substrate treating device and substrate treating method
JP6563098B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant