CN112864043A - 晶圆清洗装置及晶圆清洗方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法。所述晶圆清洗装置包括：支撑台，用于承载晶圆；第一喷嘴，位于所述支撑台上方，用于向位于所述支撑台表面的所述晶圆喷射气体，所述第一喷嘴能够在与所述晶圆的中心对准的位置调整气体喷射角度，使得所述第一喷嘴能够倾斜喷射气体；控制组件，连接所述第一喷嘴，用于驱动所述第一喷嘴以固定的气体喷射角度沿自与所述晶圆的中心对准的位置向与所述晶圆的边缘对准的位置移动。本发明减少甚至是避免了晶圆表面颗粒物的残留，提高了晶圆表面的洁净度；同时，避免了晶圆表面中心区域图案的坍塌，提高了晶圆产品的良率。

Description

晶圆清洗装置及晶圆清洗方法

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法。

背景技术

在浸润式光刻工艺的曝光期间，通常需要在曝光镜头与晶圆表面的光刻胶之间填充满去离子水，以增加聚焦景深的适用范围。之后，可以进行若干个曝光后烘烤工艺，使位于所述晶圆表面的溶剂蒸发。接着，借由显影液除去曝光后不需要的光刻胶，并采用旋转干燥工艺干燥所述晶圆。

当前主要是通过ADR(Advanced Develop Rinse)来除去晶圆表面的显影液。ADR的主要过程是，在一次旋转干燥之后，采用去离子水二次浸润晶圆表面的光刻胶，并在二次浸润的同时，采用气体吹扫，使得去离子水自所述晶圆的中心向边缘移动。

但是，当前的ADR过程中，气体是沿垂直于晶圆表面的方向向下喷射，这就使得位于晶圆中心位置的颗粒物(例如残留光阻或光阻反应物)沿平行于晶圆所在平面的四个方向上的受力均相等，导致颗粒物残留于晶圆的中心。为了解决这一问题，当前主要是通过增大吹扫气体的流速，但是，过大的流速以及垂直于晶圆表面的吹扫方向，易导致晶圆表面中心区域的图案坍塌，影响晶圆产品的良率。

因此，如何提高晶圆清洗装置的清洗效果，减少晶圆表面的颗粒物残留，同时不造成晶圆表面中心区域的图案坍塌，从而提高晶圆产品的良率，是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法，用于解决当前现有技术中的晶圆清洗装置清洗效果较差的问题，以提高晶圆产品的良率。

为了解决上述问题，本发明提供了一种晶圆清洗装置，包括：

支撑台，用于承载晶圆；

第一喷嘴，位于所述支撑台上方，用于向位于所述支撑台表面的所述晶圆喷射气体，所述第一喷嘴能够在与所述晶圆的中心对准的位置调整气体喷射角度，使得所述第一喷嘴能够倾斜喷射气体；

控制组件，连接所述第一喷嘴，用于驱动所述第一喷嘴以固定的气体喷射角度沿自与所述晶圆的中心对准的位置向与所述晶圆的边缘对准的位置移动。

可选的，所述控制组件包括：

第一驱动器；

连接杆，一端连接所述第一驱动器、另一端连接所述第一喷嘴，所述第一驱动器用于通过所述连接杆驱动所述第一喷嘴围绕垂直于所述晶圆的轴线摆动。

可选的，所述连接杆包括第一杆和第二杆，所述第一杆的一端与所述第一驱动器连接、另一端与所述第二杆垂直连接，所述第二杆与所述第一喷嘴连接。

可选的，所述晶圆表面覆盖有光阻层，且所述光阻层中具有图案；

所述光阻层的厚度与所述图案的线宽之间的比值大于预设值时，所述第一喷嘴摆动的最大幅度与垂直于所述晶圆的轴线之间的夹角为第一预设角度；

所述光阻层的厚度与所述图案的线宽之间的比值小于预设值时，所述第一喷嘴摆动的最大幅度与垂直于所述晶圆的轴线之间的夹角为第二预设角度，且所述第二预设角度大于所述第一预设角度。

可选的，所述预设值为2，所述第一预设角度为30°，所述第二预设角度为60°。

可选的，还包括：

第二喷嘴，用于向位于所述支撑台表面的所述晶圆喷射清洗液；

所述第二喷嘴位于所述第一喷嘴的一侧。

可选的，还包括：

真空吸附口，位于所述第一喷嘴的一侧，用于吸附所述晶圆表面的颗粒物。

可选的，所述第一喷嘴包括：

喷管，用于与存储所述气体的气源连通；

喷口，与所述喷管连通，所述气体经所述喷管自所述喷口喷出，且所述喷口的内径大于所述喷管的内径。

可选的，所述第一喷嘴包括矩形喷嘴、椭圆形喷嘴、扇形喷嘴中其中一种。

可选的，还包括：

滑轨，与所述第一喷嘴背离所述晶圆的一端卡接，且所述滑轨沿平行于所述晶圆的方向延伸；

所述控制组件还包括第二驱动器，所述第二驱动器用于驱动所述第一喷嘴沿所述滑轨滑动。

为了解决上述问题，本发明还提供了一种晶圆清洗方法，包括如下步骤：

提供第一喷嘴，所述第一喷嘴用于向位于支撑台表面的晶圆喷射气体；

对准所述第一喷嘴与所述晶圆的中心，并驱动所述第一喷嘴持续调整气体喷射角度，以能够倾斜地朝所述晶圆喷射气体；

驱动所述第一喷嘴以固定的气体喷射角度沿自与所述晶圆的中心对准的位置向与所述晶圆的边缘对准的位置移动。

可选的，驱动所述第一喷嘴持续调整气体喷射角度的具体步骤包括：

提供连接杆，所述连接杆的一端连接第一驱动器、另一端连接所述第一喷嘴；

所述第一驱动器通过所述连接杆驱动所述第一喷嘴围绕垂直于所述晶圆的轴线摆动。

可选的，所述晶圆表面覆盖有光阻层，且所述光阻层中具有图案；驱动所述第一喷嘴持续调整气体喷射角度的具体步骤包括：

当所述光阻层的厚度与所述图案的线宽之间的比值大于预设值时，所述第一喷嘴摆动的最大幅度与垂直于所述晶圆的轴线之间的夹角为第一预设角度；

当所述光阻层的厚度与所述图案的线宽之间的比值小于预设值时，所述第一喷嘴摆动的最大幅度与垂直于所述晶圆的轴线之间的夹角为第二预设角度，且所述第二预设角度大于所述第一预设角度。

可选的，所述预设值为2，所述第一预设角度为30°，所述第二预设角度为60°。

可选的，还包括如下步骤：

提供位于所述第一喷嘴一侧的真空吸附口；

开启所述真空吸附口，吸附所述晶圆表面的颗粒物。

可选的，还包括如下步骤：

提供与所述第一喷嘴背离所述晶圆的一端卡接的滑轨，且所述滑轨沿平行于所述晶圆的方向延伸；

通过第二驱动器驱动所述第一喷嘴沿所述滑轨滑动。

本发明提供的晶圆清洗装置及晶圆清洗方法，通过控制第一喷嘴在与晶圆中心对准的位置调整气体喷射角度，使得所述第一喷嘴能够朝晶圆表面倾斜喷射气体，在平行晶圆所在平面的方向上，气体的倾斜喷射使得晶圆表面的颗粒物受力不再均匀，使得颗粒物更容易被吹离所述晶圆表面，减少甚至是避免了晶圆表面颗粒物的残留，提高了晶圆表面的洁净度；同时，由于所述第一喷嘴的调整气体喷射角度，使得所述气体的喷射方向不再一直保持垂直于晶圆表面的方向，避免了晶圆表面中心区域图案的坍塌，提高了晶圆产品的良率。

附图说明

附图1是本发明具体实施方式中一晶圆清洗装置的第一角度示意图；

附图2是本发明具体实施方式中一晶圆清洗装置的第二角度示意图；

附图3是本发明具体实施方式中一晶圆清洗装置的第三角度示意图；

附图4是本发明具体实施方式中第一喷嘴自与晶圆中心对准的位置向与晶圆边缘对准的位置移动的示意图；

附图5A-5C是本发明具体实施方式中位于晶圆中心位置的颗粒物的受力分析图；

附图6A-6B是本发明具体实施方式中第一驱动器与第一喷嘴连接的示意图；

附图7是本发明具体实施方式中第一喷嘴的摆动角度与光阻层、图案之间的对应关系图；

附图8A-8C是本发明具体实施方式中另一晶圆清洗装置的结构示意图；

附图9是本发明具体实施方式中晶圆清洗方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明提供的晶圆清洗装置及晶圆清洗方法的具体实施方式做详细说明。

本具体实施方式提供了一种晶圆清洗装置，附图1是本发明具体实施方式中一晶圆清洗装置的第一角度示意图，附图2是本发明具体实施方式中一晶圆清洗装置的第二角度示意图，附图3是本发明具体实施方式中一晶圆清洗装置的第三角度示意图。如图1、图2和图3所示，本具体实施方式提供的晶圆清洗装置，包括：

支撑台30，用于承载晶圆11；

第一喷嘴10，位于所述支撑台30上方，用于向位于所述支撑台30表面的所述晶圆11喷射气体，所述第一喷嘴10能够在与所述晶圆11的中心对准的位置调整气体喷射角度，使得所述第一喷嘴10能够倾斜喷射气体；

控制组件，连接所述第一喷嘴10，用于驱动所述第一喷嘴10以固定的气体喷射角度沿自与所述晶圆11的中心对准的位置向与所述晶圆11的边缘对准的位置移动。

图1中沿Z轴方向延伸的虚线表示所述第一喷嘴10与所述晶圆11的中心对准，即所述第一喷嘴10的喷口中心沿竖直方向(即图1中的Z轴方向)的投影与所述晶圆11的中心重合。具体来说，当对位于所述支撑台30表面的所述晶圆11进行清洗的过程中，一方面，所述支撑台30带动所述晶圆11高速旋转；另一方面，所述第一喷嘴10在喷射所述气体的同时，沿自与所述晶圆11的中心对准的位置向与所述晶圆11的边缘对准的位置运动，例如沿平行于所述晶圆11的一径向方向、自所述晶圆11的中心的上方向所述晶圆11的边缘的上方运动。当所述第一喷嘴10处于初始位置，即所述第一喷嘴10与所述晶圆11的中心对准的位置(所述第一喷嘴10的喷口中心沿竖直方向的投影与所述晶圆11的中心重合的位置)，所述第一喷嘴10能够在喷射所述气体的同时，进行气体喷射角度的调整，使得所述第一喷嘴10在存在至少一向所述晶圆11表面倾斜喷射气体的时刻。此时，进行气体喷射角度的调整可以是持续进行调整，也可以仅进行若干次的调整，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。其中，所述气体可以为氮气，也可以为氩气等惰性气体。本具体实施方式中所述的惰性气体是指由元素周期表中第Ⅷ族元素构成的气体。

而在所述第一喷嘴10沿自与所述晶圆11的中心对准的位置向与所述晶圆11的边缘对准的位置移动的过程中，保持所述第一喷嘴10的气体喷射角度不变，有助于避免杂质颗粒再次吹向所述晶圆11的中心，避免了所述晶圆11中心的二次污染。

附图5A-5C是本发明具体实施方式中位于晶圆中心位置的颗粒物的受力分析图。举例来说，如图5A-图5C所示，所述晶圆11表面覆盖有图案化的光阻层51，所述光阻层51中具有暴露所述晶圆11的开口，所述开口内残留有颗粒物52。当所述第一喷嘴10朝向所述晶圆11表面倾斜吹扫气体时，所述颗粒物52受到平行于所述晶圆11表面的第一力F1、平行于所述晶圆11表面且与所述第一力F1方向相反的第二力F2、平行于所述晶圆11表面且与所述第一力F1方向垂直的第三力F3、平行于所述晶圆11表面且与所述第三力F3方向相反的第四力F4、以及垂直于所述晶圆11表面的第五力F5，其中F3＝F4，F1＞F2，从而使得所述颗粒物52极易被吹扫出所述晶圆11。另外，由于所述第一喷嘴10在与所述晶圆11对准的位置进行气体喷射角度的调整，从而能够从多个角度对所述颗粒物52进行吹扫，进一步确保了所述颗粒物能够被充分去除。

可选的，所述控制组件包括：

第一驱动器60；

连接杆，一端连接所述第一驱动器60、另一端连接所述第一喷嘴10，所述第一驱动器60用于通过所述连接杆驱动所述第一喷嘴10围绕垂直于所述晶圆11的轴线摆动。

可选的，所述连接杆包括第一杆611和第二杆612，所述第一杆611的一端与所述第一驱动器60连接、另一端与所述第二杆612垂直连接，所述第二杆612与所述第一喷嘴10连接。

垂直于所述晶圆11的轴线是指，垂直于所述晶圆11所在平面、且穿过所述晶圆11中心的直线。附图6A-6B是本发明具体实施方式中第一驱动器与第一喷嘴连接的示意图。举例来说，所述连接杆包括第一杆611和第二杆612，所述第一杆611的一端与所述第一驱动器60连接、另一端与所述第二杆612垂直连接，所述第二杆612与所述第一喷嘴10连接。如图6B所示，所述第二杆612的顶端与所述第一杆611连接，所述第一喷嘴10与所述第二杆612的侧壁连接。所述第一驱动器60能够驱动所述第一杆611围绕所述第一杆611自身的轴线转动(即所述第一杆611自转)，所述第一杆611的自转带动所述第二杆612围绕其与所述第一杆611的连接点转动，所述第二杆612的转动带动与其连接的所述第一喷嘴10围绕垂直于所述晶圆10的轴线来回往复摆动。所述第一喷嘴10的顶端还连接有一软管62，所述软管62用于向所述第一喷嘴10传输所述气体。

可选的，所述晶圆11表面覆盖有光阻层51，且所述光阻层51中具有图案；

所述光阻层51的厚度H与所述图案的线宽W之间的比值大于预设值时，所述第一喷嘴10摆动的最大幅度与垂直于所述晶圆11的轴线之间的夹角θ为第一预设角度；

所述光阻层51的厚度H与所述图案的线宽W之间的比值小于预设值时，所述第一喷嘴10摆动的最大幅度与垂直于所述晶圆11的轴线之间的夹角θ为第二预设角度，且所述第二预设角度大于所述第一预设角度。

可选的，所述预设值为2，所述第一预设角度为30°，所述第二预设角度为60°。

具体来说，所述第一喷嘴10的摆动幅度取决于所述光阻层51的厚度H与图案的线宽W，所述光阻层51的厚度越大、所述图案的线宽W越小，则图案出现坍塌的可能性越大，此时，摆动的幅度也相对越小。例如，当H/W＞2时，所述第一喷嘴10在垂直于所述晶圆11的轴线的相对两侧的摆动角度均不超过30°；当H/W＜2时，所述第一喷嘴10在垂直于所述晶圆11的轴线的相对两侧的摆动角度均不超过60°。

优选的，所述控制组件用于驱动所述第一喷嘴10以相对于垂直于所述晶圆11的轴线倾斜第三预设角度的方向沿平行于自所述晶圆11的中心指向所述晶圆11的边缘的方向移动。

附图4是本发明具体实施方式中第一喷嘴自与晶圆中心对准的位置向与晶圆边缘对准的位置移动的示意图。举例来说，所述第一喷嘴10在沿平行于所述晶圆11的一径向方向，自所述晶圆11中心的上方移动至所述晶圆11边缘的上方的过程中，所述第一喷嘴10保持与垂直于所述晶圆11的轴线相对倾斜第三预设角度的方向，且所述第一喷嘴朝向远离所述晶圆11的中心的一侧倾斜。其中，所述第三预设角度可以与所述第一喷嘴10摆动的最大幅度与垂直于所述晶圆11的轴线之间的夹角θ相等。

可选的，所述晶圆清洗装置还包括：

第二喷嘴14，用于向位于所述支撑台30表面的所述晶圆11喷射清洗液；

所述第二喷嘴14位于所述第一喷嘴10的一侧。

具体来说，所述第一喷嘴10与所述第二喷嘴14可以共同安装于箱体12下方，所述箱体12内可用于安装所述第一驱动器60、用于向所述第一喷嘴10传输所述气体的软管62、以及向所述第二喷嘴14传输所述清洗液的管道等结构。所述控制组件还可以包括与所述箱体12连接的驱动臂13，所述驱动臂13可以通过在移动轴31上移动，以带动所述箱体12、所述第一喷嘴10和所述第二喷嘴14同时沿一径向方向自与所述晶圆11的中心对应的位置向与所述晶圆11的边缘对应的位置的方向平移。所述第二喷嘴14位于所述第一喷嘴10的一侧，例如所述第二喷嘴14位于垂直所述第一喷嘴10移动方向且远离所述移动轴31的一侧，可以使得在所述晶圆11表面一区域喷射所述清洗液之后，再对该区域进行气体吹扫，从而确保了所述晶圆11表面的干燥。所述清洗液可以是但不限于去离子水。

附图8A-8C是本发明具体实施方式中另一晶圆清洗装置的结构示意图。可选的，所述晶圆清洗装置还包括：

真空吸附口81，位于所述第一喷嘴10的一侧，用于吸附所述晶圆11表面的颗粒物。

具体来说，所述真空吸附口81可以位于平行所述第一喷嘴10移动方向且远离所述第二喷嘴14的一侧，如图8C所示。通过设置所述真空吸附口81，可以及时吸附被所述气体吹扫出来的所述颗粒物，避免所述颗粒物向所述晶圆12中心一侧飞溅，从而进一步提高了所述晶圆清洗装置的清洗效果。

可选的，所述第一喷嘴10包括：

喷管101，用于与存储所述气体的气源连通；

喷口102，与所述喷管101连通，所述气体经所述喷管101自所述喷口102喷出，且所述喷口102的内径大于所述喷管101的内径。

具体来说，如图8B所示，通过增大所述喷口102的内径，有助于减小自所述第一喷嘴10喷出的所述气体的压力，使得图案化的所述光阻层51的受力方式得到优化，进一步有效避免出现图案坍塌的情况。

可选的，所述第一喷嘴10包括矩形喷嘴、椭圆形喷嘴、扇形喷嘴中其中一种。本领域技术人员也可以根据实际需要设置其他形状的所述第一喷嘴10。

可选的，所述晶圆清洗装置还包括：

滑轨80，与所述第一喷嘴10背离所述晶圆11的一端卡接，且所述滑轨80沿平行于所述晶圆11的方向延伸；

所述控制组件还包括第二驱动器，所述第二驱动器用于驱动所述第一喷嘴10沿所述滑轨滑动。

具体来说，如图8A所示，通过设置所述滑轨80，使得所述第二驱动器能够驱动所述第一喷嘴10沿所述滑轨80在平行于所述晶圆11的平面内相对于所述箱体12进行滑动，从而可以对所述第一喷嘴10的位置进行精细调整，有助于更加充分的去除所述晶圆11表面的颗粒物。

不仅如此，本具体实施方式还提供了一种晶圆清洗方法，附图9是本发明具体实施方式中晶圆清洗方法的流程图。本具体实施方式提供的晶圆清洗方法可以采用如图1-图4、图5A-图5C、图6A-图6B、图7及图8A-图8C所示的晶圆清洗装置实施。如图1-图4、图5A-图5C、图6A-图6B、图7、图8A-图8C及图9所示，本具体实施方式提供的晶圆清洗方法，包括如下步骤：

步骤S91，提供第一喷嘴10，所述第一喷嘴10用于向位于支撑台30表面的晶圆11喷射气体；

步骤S92，对准所述第一喷嘴10与所述晶圆11的中心，并驱动所述第一喷嘴10调整气体喷射角度，以能够倾斜地朝所述晶圆11喷射气体；

步骤S93，驱动所述第一喷嘴10以固定的气体喷射角度沿自与所述晶圆11的中心对准的位置向与所述晶圆11的边缘对准的位置移动。

可选的，驱动所述第一喷嘴10调整气体喷射角度的具体步骤包括：

提供连接杆，所述连接杆的一端连接第一驱动器60、另一端连接所述第一喷嘴10；

所述第一驱动器60通过所述连接杆驱动所述第一喷嘴10围绕垂直于所述晶圆11的轴线摆动。

可选的，所述晶圆11表面覆盖有光阻层51，且所述光阻层51中具有图案；驱动所述第一喷嘴10调整气体喷射角度的具体步骤包括：

当所述光阻层51的厚度H与所述图案的线宽W之间的比值大于预设值时，所述第一喷嘴10摆动的最大幅度与垂直于所述晶圆11的轴线之间的夹角θ为第一预设角度；

当所述光阻层51的厚度H与所述图案的线宽W之间的比值小于预设值时，所述第一喷嘴10摆动的最大幅度与垂直于所述晶圆11的轴线之间的夹角θ为第二预设角度，且所述第二预设角度大于所述第一预设角度。

可选的，所述预设值为2，所述第一预设角度为30°，所述第二预设角度为60°。

可选的，所述晶圆清洗方法还包括如下步骤：

提供位于所述第一喷嘴10一侧的真空吸附口81；

开启所述真空吸附口81，吸附所述晶圆11表面的颗粒物。

可选的，所述晶圆清洗方法还包括如下步骤：

提供与所述第一喷嘴10背离所述晶圆的一端卡接的滑轨80，且所述滑轨80沿平行于所述晶圆11的方向延伸；

通过第二驱动器驱动所述第一喷嘴10沿所述滑轨80滑动。

本具体实施方式提供的晶圆清洗装置及晶圆清洗方法，通过控制第一喷嘴在与晶圆中心对准的位置持续调整气体喷射角度，使得所述第一喷嘴能够朝晶圆表面倾斜喷射气体，在平行晶圆所在平面的方向上，气体的倾斜喷射使得晶圆表面的颗粒物受力不再均匀，使得颗粒物更容易被吹离所述晶圆表面，减少甚至是避免了晶圆表面颗粒物的残留，提高了晶圆表面的洁净度；同时，由于所述第一喷嘴持续的调整气体喷射角度，使得所述气体的喷射方向不再一直保持垂直于晶圆表面的方向，避免了晶圆表面中心区域图案的坍塌，提高了晶圆产品的良率。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (16)

1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：

支撑台，用于承载晶圆；

第一喷嘴，位于所述支撑台上方，用于向位于所述支撑台表面的所述晶圆喷射气体，所述第一喷嘴能够在与所述晶圆的中心对准的位置调整气体喷射角度，使得所述第一喷嘴能够倾斜喷射气体；

控制组件，连接所述第一喷嘴，用于驱动所述第一喷嘴以固定的气体喷射角度自与所述晶圆的中心对准的位置向与所述晶圆的边缘对准的位置移动。

2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述控制组件包括：第一驱动器；

连接杆，一端连接所述第一驱动器、另一端连接所述第一喷嘴，所述第一驱动器用于通过所述连接杆驱动所述第一喷嘴围绕垂直于所述晶圆的轴线摆动。

3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述连接杆包括第一杆和第二杆，所述第一杆的一端与所述第一驱动器连接、另一端与所述第二杆垂直连接，所述第二杆与所述第一喷嘴连接。

4.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述晶圆表面覆盖有光阻层，且所述光阻层中具有图案；

所述光阻层的厚度与所述图案的线宽之间的比值大于预设值时，所述第一喷嘴摆动的最大幅度与垂直于所述晶圆的轴线之间的夹角为第一预设角度；

所述光阻层的厚度与所述图案的线宽之间的比值小于预设值时，所述第一喷嘴摆动的最大幅度与垂直于所述晶圆的轴线之间的夹角为第二预设角度，且所述第二预设角度大于所述第一预设角度。

5.根据权利要求4所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述预设值为2，所述第一预设角度为30°，所述第二预设角度为60°。

6.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，还包括：

第二喷嘴，用于向位于所述支撑台表面的所述晶圆喷射清洗液；

所述第二喷嘴位于所述第一喷嘴的一侧。

7.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，还包括：

真空吸附口，位于所述第一喷嘴的一侧，用于吸附所述晶圆表面的颗粒物。

8.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一喷嘴包括：喷管，用于与存储所述气体的气源连通；

喷口，与所述喷管连通，所述气体经所述喷管自所述喷口喷出，且所述喷口的内径大于所述喷管的内径。

9.根据权利要求8所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一喷嘴包括矩形喷嘴、椭圆形喷嘴、扇形喷嘴中其中一种。

10.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，还包括：

滑轨，与所述第一喷嘴背离所述晶圆的一端卡接，且所述滑轨沿平行于所述晶圆的方向延伸；

所述控制组件还包括第二驱动器，所述第二驱动器用于驱动所述第一喷嘴沿所述滑轨滑动。

11.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供第一喷嘴，所述第一喷嘴用于向位于支撑台表面的晶圆喷射气体；

对准所述第一喷嘴与所述晶圆的中心，并驱动所述第一喷嘴调整气体喷射角度，以能够倾斜地朝所述晶圆喷射气体；

驱动所述第一喷嘴以固定的气体喷射角度自与所述晶圆的中心对准的位置向与所述晶圆的边缘对准的位置移动。

12.根据权利要求11所述的晶圆清洗方法，其特征在于，驱动所述第一喷嘴调整气体喷射角度的具体步骤包括：

提供连接杆，所述连接杆的一端连接第一驱动器、另一端连接所述第一喷嘴；

所述第一驱动器通过所述连接杆驱动所述第一喷嘴围绕垂直于所述晶圆的轴线摆动。

13.根据权利要求12所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述晶圆表面覆盖有光阻层，且所述光阻层中具有图案；驱动所述第一喷嘴调整气体喷射角度的具体步骤包括：

当所述光阻层的厚度与所述图案的线宽之间的比值大于预设值时，所述第一喷嘴摆动的最大幅度与垂直于所述晶圆的轴线之间的夹角为第一预设角度；

当所述光阻层的厚度与所述图案的线宽之间的比值小于预设值时，所述第一喷嘴摆动的最大幅度与垂直于所述晶圆的轴线之间的夹角为第二预设角度，且所述第二预设角度大于所述第一预设角度。

14.根据权利要求13所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述预设值为2，所述第一预设角度为30°，所述第二预设角度为60°。

15.根据权利要求11所述的晶圆清洗方法，其特征在于，还包括如下步骤：

提供位于所述第一喷嘴一侧的真空吸附口；

开启所述真空吸附口，吸附所述晶圆表面的颗粒物。

16.根据权利要求11所述的晶圆清洗方法，其特征在于，还包括如下步骤：

提供与所述第一喷嘴背离所述晶圆的一端卡接的滑轨，且所述滑轨沿平行于所述晶圆的方向延伸；

通过第二驱动器驱动所述第一喷嘴沿所述滑轨滑动。

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