KR101962542B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

(과제) 처리액이 기판 표면의 디바이스 패턴 영역에 도달하는 것을 억제하고, 기판의 주연부의 처리를 적정하게 실행하는 것이 가능한 기판 처리 장치를 제공한다.
(해결 수단) 상부 컵 (11) 은, 반도체 웨이퍼 (W) 를 둘러싸는 형상을 갖는다. 이 상부 컵 (11) 은, 반도체 웨이퍼 (W) 측의 단 가장자리로부터 하방으로 연장되는 원통상의 벽부 (101) 를 구비하고 있다. 이 벽부 (101) 는, 상부 컵 (11) 에 있어서의 반도체 웨이퍼 (W) 의 외주부의 일부 영역에는 형성되어 있지 않고, 그 영역은 개구부 (100) 로 되어 있다. 이 영역은, 처리액 토출 노즐로부터 반도체 웨이퍼 (W) 에 처리액이 토출되는 위치의 근방 영역이다. 그리고, 벽부 (101) 의 하단부는, 상부가 반도체 웨이퍼 (W) 에 근접하고 하부가 반도체 웨이퍼 (W) 로부터 이격되는 경사면 (102) 을 가지고 있다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 예를 들어, 반도체 웨이퍼와 같은, 외형이 대략 원형의 형상을 갖는 기판의 주연부 (周緣部) 에 대해 처리를 실행하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
이와 같은 기판의 표면에 형성되는 디바이스 패턴은, 기판의 주연으로부터 일정 거리만큼 이격된 내측 영역에 형성된다. 한편, 디바이스 패턴을 형성하기 위한 성막 공정에 있어서는, 기판의 표면 전역에 대해 성막이 실행되게 된다. 이 때문에, 기판의 주연 영역에 형성된 막은 불필요할 뿐만 아니라, 이 막이 후단의 처리 공정에서 기판으로부터 이탈하여 디바이스 패턴 영역에 부착된 경우 등에 있어서는, 기판의 처리 품질이 저하된다. 또, 이 막이 후단의 처리 공정의 장해가 되는 경우도 있다.
이 때문에, 베벨이라고도 호칭되는 기판에 있어서의 디바이스 패턴의 외측의 주연부에 대해 에칭액 등을 공급함으로써, 주연부에 형성된 막을 제거하는 기판 처리 장치도 채용되고 있다 (특허문헌 1 및 특허문헌 2 참조).
이와 같은 기판 처리 장치에 있어서는, 기판을 스핀 척에 의해 유지한 상태에서 기판의 중심을 회전 중심으로 하여 회전시킨다. 그리고, 기판의 주연부의 상방에 처리액 토출 노즐을 배치하고, 이 처리액 토출 노즐로부터 연속하여 회전하는 기판의 주연부에 처리액을 공급한다. 이로써, 기판의 주연부에 형성된 막이 에칭되고, 제거된다.
일본 공개특허공보 2011-066194호 일본 공개특허공보 2009-070946호
특허문헌 1 또는 특허문헌 2 에 기재된 기판 처리 장치에 있어서는, 스핀 척에 의해 유지되어 회전하는 기판의 주연부에 연속하여 처리액을 토출하는 구성이므로, 처리액 토출 노즐로부터 기판의 주연부에 토출된 처리액은, 기판의 회전에 수반하여, 기판의 주연부 상면에 있어서의 공급 위치로부터, 기판의 외측으로 비산된다. 이 때문에, 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 외주부에는, 기판으로부터 비산되는 처리액을 포획하기 위한 컵이 배치 형성되어 있다.
그런데, 이와 같은 기판 처리 장치에 있어서는, 기판의 회전에 수반하여, 컵 내에 기판의 회전 방향과 동일 방향으로 주회 (周回) 하는 공기의 흐름이 발생하고 있다. 이 때문에, 기판으로부터 비산되고, 컵에 의해 포획되는 처리액이 컵과의 충돌시에 비산되고, 이 처리액의 일부가 공기의 흐름을 타고 기판의 표면에 도달하는 경우가 있다. 이 처리액이 기판의 표면에 있어서의 디바이스 패턴 영역에 부착된 경우에 있어서는, 디바이스 패턴에 결함이 생긴다는 문제가 발생한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 처리액이 기판 표면의 디바이스 패턴 영역에 도달하는 것을 억제하고, 기판의 주연부의 처리를 적정하게 실행하는 것이 가능한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
청구항 1 에 기재된 발명은, 외형이 대략 원형의 형상을 갖는 기판의 주면을 대략 수평으로 한 상태에서 유지함과 함께, 상기 기판을 당해 기판의 중심을 회전 중심으로 하여 회전시키는 스핀 척과, 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 주연부에 처리액을 토출하는 처리액 토출 노즐과, 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 외주부에 배치 형성되고, 상기 기판으로부터 비산되는 처리액을 포획하는 컵을 구비한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 표면보다 상방에 있어서, 상기 기판으로부터 비산된 처리액이 상기 컵과 충돌하는 충돌 위치와 상기 기판 사이에 배치 형성되고, 상기 컵과 충돌한 처리액이 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 표면에 도달하는 것을 방지하기 위한 반사 방지 부재를 구비한 것을 특징으로 한다.
청구항 2 에 기재된 발명은, 청구항 1 에 기재된 발명에 있어서, 상기 반사 방지 부재는, 상기 컵의 기판측의 단 가장자리로부터 하방으로 연장되는 원통상의 벽부를 구비함과 함께, 상기 벽부에 있어서의 상기 처리액 토출 노즐과 대향하는 영역에 개구부가 형성된다.
청구항 3 에 기재된 발명은, 청구항 2 에 기재된 발명에 있어서, 상기 개구부는, 상기 기판의 회전 중심과 상기 처리액 토출 노즐에 의한 상기 기판에 대한 처리액의 공급 위치를 연결하는 직선의 연장 상의 위치보다 상기 기판의 회전 방향의 상류측의 위치로부터, 상기 기판의 회전 방향의 하류측의 위치에 걸쳐 형성된다.
청구항 4 에 기재된 발명은, 청구항 3 에 기재된 발명에 있어서, 상기 개구부의 상기 기판의 회전 방향의 상류측의 단 가장자리는, 상기 기판의 회전 중심과 상기 처리액 토출 노즐에 의한 상기 기판에 대한 처리액의 공급 위치를 연결하는 직선의 연장 상의 위치보다 상기 기판의 회전 방향의 상류측에 배치됨과 함께, 상기 개구부의 상기 기판의 회전 방향의 하류측의 단 가장자리는, 상기 기판의 회전 중심과 상기 처리액 토출 노즐에 의한 상기 기판에 대한 처리액의 공급 위치를 연결하는 직선의 연장 상의 위치보다 상기 기판의 회전 방향의 하류 방향으로 이격된 위치에 배치된다.
청구항 5 에 기재된 발명은, 청구항 4 에 기재된 발명에 있어서, 상기 개구부의 상기 기판의 회전 방향의 하류측의 단 가장자리는, 상기 처리액 토출 노즐에 의한 상기 기판에 대한 처리액의 공급 위치로부터, 상기 기판의 회전 중심과 상기 처리액 토출 노즐에 의한 상기 기판에 대한 처리액의 공급 위치를 연결하는 직선이 상기 기판의 주연과 교차하는 위치에 있어서의 상기 기판의 외주에 의해 구성되는 원의 접선 방향의 위치보다 상기 기판의 회전 방향의 하류 방향에 배치된다.
청구항 6 에 기재된 발명은, 청구항 2 에 기재된 발명에 있어서, 상기 처리액 토출 노즐에 의한 상기 기판에 대한 처리액의 공급 위치보다 상기 기판의 회전 방향의 상류측의 위치에 있어서, 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 주연부에 기체를 토출하는 기체 토출 노즐을 추가로 구비한다.
청구항 7 에 기재된 발명은, 청구항 6 에 기재된 발명에 있어서, 상기 개구부의 상기 기판의 회전 방향의 상류측의 단 가장자리는, 상기 기판의 회전 중심과 상기 기체 토출 노즐에 의한 상기 기판에 대한 기체의 공급 위치를 연결하는 직선의 연장 상의 위치보다 상기 기판의 회전 방향의 상류측에 배치된다.
청구항 8 에 기재된 발명은, 청구항 2 내지 청구항 7 중 어느 하나에 기재된 발명에 있어서, 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 주연부의 상방의 처리액 공급 위치와, 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 상방으로부터 이격된 퇴피 위치 사이를 요동 가능한 아암의 선단에 복수의 처리액 토출 노즐이 배치 형성되고, 상기 복수의 처리액 토출 노즐이 선택적으로 사용된다.
청구항 9 에 기재된 발명은, 청구항 2 내지 청구항 7 중 어느 하나에 기재된 발명에 있어서, 상기 컵은, 상기 기판으로부터 비산되는 처리액이 충돌하는 충돌면을 구비하고, 상기 충돌면은, 상부가 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판에 근접하고, 하부가 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판으로부터 이격되는 경사면으로 구성된다.
청구항 10 에 기재된 발명은, 청구항 2 내지 청구항 7 중 어느 하나에 기재된 발명에 있어서, 상기 벽부의 하단부는, 상부가 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판에 근접하고, 하부가 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판으로부터 이격되는 경사면을 갖는다.
청구항 1 에 기재된 발명에 의하면, 반사 방지 부재의 작용에 의해, 처리액이 기판 표면의 디바이스 패턴 영역에 도달하는 것을 억제할 수 있고, 기판의 주연부의 처리를 적정하게 실행하는 것이 가능해진다.
청구항 2 내지 청구항 5 에 기재된 발명에 의하면, 벽부의 작용에 의해 처리액이 기판 표면의 디바이스 패턴 영역에 도달하는 것을 억제하는 것이 가능해진다. 이 때, 기판으로부터 비산되는 처리액은 개구부를 통하여 벽부의 외측 영역에 도달하므로, 처리액과 벽부의 충돌을 방지하는 것이 가능해진다.
청구항 6 및 청구항 7 에 기재된 발명에 의하면, 기체 토출 노즐로부터의 기체로 기판의 주연부에 잔존하는 처리액을 제거함으로써, 기판의 주연부에 잔존하는 처리액과 처리액 토출 노즐로부터 토출되는 처리액이 충돌하여 액 튕김이 발생하고, 이 처리액이 기판 표면의 디바이스 패턴 영역에 도달하는 것을 억제하는 것이 가능해진다.
청구항 8 에 기재된 발명에 의하면, 복수의 처리액을 선택적으로 기판의 주연부에 공급하여, 기판의 주연부의 처리를 바람직하게 실행하는 것이 가능해진다.
청구항 9 에 기재된 발명에 의하면, 충돌면에 충돌한 처리액의 다수가 하방을 향하여 비산되므로, 기판 표면을 향하여 비산되는 처리액의 양을 적은 것으로 하는 것이 가능해진다.
청구항 10 에 기재된 발명에 의하면, 벽부에 부착된 처리액의 액 제거를 바람직하게 실행하는 것이 가능해진다.
도 1 은 본 발명에 관련된 기판 처리 장치를 모식적으로 나타내는 정면 개요도이다.
도 2 는 본 발명에 관련된 기판 처리 장치의 요부를 나타내는 평면 개요도이다.
도 3 은 본 발명에 관련된 기판 처리 장치의 요부를 나타내는 사시도이다.
도 4 는 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 로부터 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 처리액을 공급하는 상태를 나타내는 모식도이다.
도 5 는 상부 컵 (11) 과 반도체 웨이퍼 (W) 의 배치를 나타내는 평면도이다.
도 6a 는 상부 컵 (11) 과 반도체 웨이퍼 (W) 의 배치를 나타내는 부분적인 종단면도이다.
도 6b 는 상부 컵 (11) 과 반도체 웨이퍼 (W) 의 배치를 나타내는 부분적인 종단면도이다.
도 7 은 노즐 헤드 (31) 가 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부 부근에 대한 질소 가스 또는 처리액의 공급 위치에 배치되었을 때의, 노즐 헤드 (31) 와 개구부의 배치 관계를 나타내는 평면도이다.
도 8 은 노즐 헤드 (31) 가 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부 부근에 대한 질소 가스 또는 처리액의 공급 위치에 배치되었을 때에, 제 1 질소 가스 토출 노즐 (41) 및 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 과 벽부 (101) 에 형성된 개구부 (100) 를 상부 컵 (11) 의 내측으로부터 본 개요도이다.
도 9 는 상부 컵 (11) 에 있어서의 벽부 (101) 와 스핀 척 (13) 에 흡착 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼 (W) 의 배치 관계를 나타내는 설명도이다.
도 10 은 노즐 헤드 (31) 가 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부 부근에 대한 질소 가스 또는 처리액의 공급 위치에 배치되었을 때에, 제 1 질소 가스 토출 노즐 (41) 및 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 과 벽부 (101) 에 형성된 다른 형태에 관련된 개구부 (100) 를 상부 컵 (11) 의 내측으로부터 본 개요도이다.
도 11a 는 제 2 실시형태에 관련된 상부 컵 (11) 과 반도체 웨이퍼 (W) 의 배치를 나타내는 부분적인 종단면도이다.
도 11b 는 제 2 실시형태에 관련된 상부 컵 (11) 과 반도체 웨이퍼 (W) 의 배치를 나타내는 부분적인 종단면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면에 기초하여 설명한다. 도 1 은, 본 발명에 관련된 기판 처리 장치를 모식적으로 나타내는 정면 개요도이다. 또, 도 2 는, 본 발명에 관련된 기판 처리 장치의 요부를 나타내는 평면 개요도이다. 또한, 도 3 은, 본 발명에 관련된 기판 처리 장치의 요부를 나타내는 사시도이다.
이 기판 처리 장치는, 외형이 대략 원형의 형상을 갖는 기판으로서의 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 대해 처리를 실행하는 것이다. 이 기판 처리 장치는, 반도체 웨이퍼 (W) 의 주면을 대략 수평으로 하고, 반도체 웨이퍼 (W) 의 하면을 흡착 유지한 상태에서, 이 반도체 웨이퍼 (W) 를 반도체 웨이퍼 (W) 의 중심을 회전 중심으로 하여 회전시키는 스핀 척 (13) 을 구비한다. 이 스핀 척 (13) 은, 축 (14) 을 개재하여, 케이싱 (16) 내에 배치 형성된 모터 등의 회전 구동 기구 (15) 와 접속되어 있다.
스핀 척 (13) 에 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼 (W) 의 외주부에는, 반도체 웨이퍼 (W) 로부터 비산되는 처리액을 포획하기 위한 컵 (10) 이 배치 형성되어 있다. 이 컵 (10) 은, 상부 컵 (11) 과 하부 컵 (12) 으로 구성되어 있다. 상부 컵 (11) 은, 도시를 생략한 승강 기구에 의해, 하부 컵 (12) 에 대해 승강 가능하게 되어 있다. 이 상부 컵 (11) 은, 반도체 웨이퍼 (W) 에 대해 처리액을 공급할 때에는, 그 상부가 스핀 척 (13) 에 흡착 유지된 반도체 웨이퍼 (W) 의 상면보다 상방이 되는 높이 위치에 배치되고, 반도체 웨이퍼 (W) 의 반입 반출시에는, 그 상부가 스핀 척 (13) 에 흡착 유지된 반도체 웨이퍼 (W) 의 정면보다 하방이 되는 높이 위치에 배치된다.
스핀 척 (13) 에 흡착 유지된 반도체 웨이퍼 (W) 의 하방에 있어서의 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부와 대향하는 위치에는, 히터 (17) 가 배치 형성되어 있다. 이 히터 (17) 는, 반도체 웨이퍼 (W) 의 처리 효율을 향상시키기 위해서 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부를 가열하기 위한 것이다. 이 히터는, 반도체 웨이퍼 (W) 의 반입 반출시에는, 도시를 생략한 승강 기구에 의해, 반송 기구와 완충되지 않는 위치까지 하강한다.
이 기판 처리 장치는, 제 1 질소 가스 토출 노즐 (41) 과, 복수의 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) (도 2 및 도 3 참조) 을 구비한 노즐 헤드 (31) 를 구비한다. 이 노즐 헤드 (31) 는, 지지부 (22) 를 중심으로 하여 요동 가능한 아암 (21) 의 선단에 지지되어 있다. 이 아암 (21) 은, 모터 (23) 의 구동에 의해, 도 2 에 있어서 실선으로 나타내는 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부 부근에 대한 질소 가스 또는 처리액의 공급 위치와, 도 2 에 있어서 가상선으로 나타내는 대기 위치 사이를 요동 가능하게 되어 있다.
제 1 질소 가스 토출 노즐 (41) 은, 도 1 에 나타내는 개폐 밸브 (68) 를 개재하여, 불활성 가스로서의 질소 가스의 공급원 (64) 과 접속되어 있다. 또, 처리액 토출 노즐 (42) 은, 도 1 에 나타내는 개폐 밸브 (67) 를 개재하여, 처리액인 SC1 의 공급원 (63) 과 접속되어 있다. 또, 처리액 토출 노즐 (43) 은, 도 1 에 나타내는 개폐 밸브 (66) 를 개재하여, 처리액인 순수 (DIW) 의 공급원 (62) 과 접속되어 있다. 또한, 처리액 토출 노즐 (44) 은, 도 1 에 나타내는 개폐 밸브 (65) 를 개재하여, 처리액인 HF 와 순수의 혼합액의 공급원 (61) 과 접속되어 있다.
도 4 는, 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 로부터 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 처리액을 공급하는 상태를 나타내는 모식도이다.
이 도면에 나타내는 바와 같이, 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 에 형성된 처리액 유통로의 하단부는, 스핀 척 (13) 에 흡착 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부 방향을 향하도록 편향되는 구성을 갖는다. 이 때문에, 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 자체를 연직 방향에 배치한 경우에 있어서도, 이들 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 로부터 토출되는 처리액에 대해, 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연 방향을 향한 경사 방향을 향하는 흐름을 형성하는 것이 가능해진다.
다시 도 1 내지 도 3 을 참조하여, 이 기판 처리 장치는, 제 2 질소 가스 토출 노즐 (45) (도 2 및 도 3 참조) 을 구비한 노즐 헤드 (33) 를 구비한다. 이 노즐 헤드 (33) 는, 지지부 (25) 를 중심으로 하여 요동 가능한 아암 (24) 의 선단에 지지되어 있다. 이 아암 (24) 은, 모터 (26) 의 구동에 의해, 도 2 에 있어서 실선으로 나타내는 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부 부근에 대한 질소 가스의 공급 위치와, 도 2 에 있어서 가상선으로 나타내는 대기 위치 사이를 요동 가능하게 되어 있다. 제 2 질소 가스 토출 노즐 (45) 은, 도 1 에 나타내는 개폐 밸브 (56) 를 개재하여, 불활성 가스로서의 질소 가스의 공급원 (54) 과 접속되어 있다.
또, 이 기판 처리 장치는, 질소 가스 토출부 (32) 를 구비한다. 이 질소 가스 토출부 (32) 는, 지지부 (28) 를 중심으로 하여 요동 가능한 아암 (27) 의 선단에 지지되어 있다. 이 아암 (27) 은, 모터 (29) 의 구동에 의해, 도 2 에 있어서 실선으로 나타내는 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 중심 부근에 대한 질소 가스의 공급 위치와, 도 2 에 있어서 가상선으로 나타내는 대기 위치 사이를 요동 가능하게 되어 있다. 이 질소 가스 토출부 (32) 는, 원통상 부재의 하단부에 차폐판을 부설한 구성을 갖고, 스핀 척 (13) 에 의해 흡착 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 중심 부근으로부터 그 표면을 따라 주연부에 이르는 질소 가스의 흐름을 형성하는 구성을 갖는다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 질소 가스 토출부 (32) 는, 개폐 밸브 (53) 를 개재하여, 불활성 가스로서의 질소 가스의 공급원 (51) 과 접속되어 있다.
이 기판 처리 장치에 있어서는, 베벨이라고도 호칭되는 반도체 웨이퍼 (W) 에 있어서의 디바이스 패턴의 외측 주연부에 대해, 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 로부터 처리액을 공급함으로써, 주연부에 형성된 막을 에칭하여 제거하는 구성을 갖는다. 즉, 이 기판 처리 장치에 있어서는, 반도체 웨이퍼 (W) 를 스핀 척 (13) 에 의해 유지한 상태에서 반도체 웨이퍼 (W) 의 중심을 회전 중심으로 하여 회전시킨다. 그리고, 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부의 상방에 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 중 어느 것을 배치하고, 이 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 로부터 연속하여 회전하는 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 처리액을 공급한다. 이로써, 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 형성된 막이 에칭되고, 제거되게 된다.
이 때, 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 로부터 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 처리액이 공급된 후, 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 공급된 처리액이 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 잔류하고 있는 상태에서, 추가로 이 주연부가 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 과 대향하는 위치까지 이동하여 처리액이 공급된 경우에는, 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 로부터 새롭게 토출된 처리액이, 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 잔류하고 있는 처리액에 닿아 액 튕김을 일으킨다. 이 액 튕김에 의해 발생한 처리액의 액적이 반도체 웨이퍼 (W) 의 표면에 있어서의 디바이스 패턴 영역에 부착된 경우에 있어서는, 디바이스 패턴에 결함이 생긴다는 문제가 발생한다.
이 때문에, 이 기판 처리 장치에 있어서는, 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 로부터 반도체 웨이퍼 (W) 의 표면에 처리액을 공급하기 전에, 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 잔존하는 처리액을, 제 1 질소 가스 토출 노즐 (41) 및 제 2 질소 가스 토출 노즐 (45) 에 의해 제거하는 구성을 채용하고 있다.
이 때, 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 잔존하는 처리액을 신속하게 제거하기 위해서는, 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 대해 대유량의 질소 가스를 공급하면 된다. 그러나, 대유량의 질소 가스가 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 잔존하는 처리액과 충돌한 경우에 있어서는, 처리액에 액 튕김이 발생하고, 이 액 튕김에 의해 발생한 처리액의 액적이 반도체 웨이퍼 (W) 의 표면에 있어서의 디바이스 패턴 영역에 부착될 가능성이 있다. 한편, 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 공급하는 질소 가스의 유량을 작은 것으로 한 경우에는, 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 잔류하는 처리액을 충분히 제거할 수 없다.
이 때문에, 이 기판 처리 장치에 있어서는, 제 2 질소 가스 토출 노즐 (45) 로부터 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 소유량 또는 유속이 작은 질소 가스를 공급하여 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부로부터 처리액을 어느 정도 제거한 후, 제 1 질소 가스 토출 노즐 (41) 로부터 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 대유량 또는 유속이 큰 질소 가스를 공급함으로써, 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 잔존하는 처리액을 완전하게 제거하는 구성을 채용하고 있다.
또한, 이와 같이 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부의 처리액을 질소 가스에 의해 제거하는 구성을 채용할 때에는, 처리액이 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부로부터 내측으로 이동하는 것을 방지할 필요가 있다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 대한 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 로부터의 처리액의 토출 위치보다 반도체 웨이퍼 (W) 의 중심측 위치에 대해 질소 가스를 공급할 필요가 있다.
즉, 도 2 및 후술하는 도 7 에 나타내는 바와 같이, 제 1 질소 가스 토출 노즐 (41) 은, 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 보다, 스핀 척 (13) 에 흡착 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 중심에 가까운 위치에 배치되어 있다. 이것은, 제 2 질소 가스 토출 노즐 (45) 에 대해서도 동일하다.
또한, 이 기판 처리 장치에 있어서는, 질소 가스 토출부 (32) 에 의해, 스핀 척 (13) 에 의해 흡착 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 중심 부근으로부터 그 표면을 따라 주연부에 이르는 질소 가스의 흐름을 형성하는 구성을 채용하고 있다. 이 때문에, 이 질소 가스 토출부 (32) 로부터 토출되는 질소 가스에 의해, 액 튕김에 의해 발생한 처리액의 액적이 반도체 웨이퍼 (W) 의 표면에 있어서의 디바이스 패턴 영역에 부착될 가능성을 더욱 저하시키는 것이 가능해진다.
다음으로, 본 발명의 특징 부분인 컵 (10) 에 있어서의 상부 컵 (11) 의 구성에 대해 설명한다. 도 5 는, 상부 컵 (11) 과 반도체 웨이퍼 (W) 의 배치를 나타내는 평면도이다. 또, 도 6a 및 도 6b 는, 상부 컵 (11) 과 반도체 웨이퍼 (W) 의 배치를 나타내는 부분적인 종단면도이다. 또한, 도 6a 는, 도 5 에 있어서의 A-A 종단면을 나타내고, 도 6b 는, 도 5 에 있어서의 B-B 단면을 나타내고 있다.
상기 서술한 바와 같이, 컵 (10) 을 구성하는 상부 컵 (11) 은, 스핀 척 (13) 에 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼 (W) 의 외주부에 배치 형성되고, 반도체 웨이퍼 (W) 로부터 비산되는 처리액을 포획하기 위한 것이다. 이 상부 컵 (11) 은, 반도체 웨이퍼 (W) 를 둘러싸는 형상을 갖는다. 이 상부 컵 (11) 은, 반도체 웨이퍼 (W) 측의 단 가장자리로부터 하방으로 연장되는 원통상의 벽부 (101) 를 구비하고 있다. 이 벽부 (101) 는, 상부 컵 (11) 에 있어서의 반도체 웨이퍼 (W) 의 외주부에 대향하는 영역 중 일부의 영역에는 형성되어 있지 않고, 그 영역은 개구부 (100) 로 되어 있다. 이 영역은, 후술하는 바와 같이, 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 로부터 반도체 웨이퍼 (W) 에 처리액이 토출되는 위치의 근방 영역이다. 그리고, 도 6a 에 나타내는 바와 같이, 벽부 (101) 의 하단부는, 상부가 스핀 척 (13) 에 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼 (W) 에 근접하고, 하부가 이 반도체 웨이퍼 (W) 로부터 이격되는 경사면 (102) 을 가지고 있다.
상부 컵 (11) 에 있어서의 벽부 (101) 이외의 영역은, 상단의 수평 방향을 향하는 수평부와, 이 수평부에 접속하는 경사부와, 이 경사부로부터 하방향으로 연장되는 수직부로 구성되어 있다. 그리고, 경사부는, 상부가 스핀 척 (13) 에 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼 (W) 에 근접하고, 하부가 이 반도체 웨이퍼 (W) 로부터 이격되는 경사면으로 구성된다. 이 경사부는, 기판으로부터 비산되는 처리액이 충돌하는, 본 발명에 관련된 충돌면을 구성한다.
도 7 은, 노즐 헤드 (31) 가, 도 2 에 있어서 실선으로 나타내는 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부 부근에 대한 질소 가스 또는 처리액의 공급 위치에 배치되었을 때의, 노즐 헤드 (31) 와 개구부 (100) 의 배치 관계를 나타내는 평면도이다. 또, 도 8 은, 그 때의 제 1 질소 가스 토출 노즐 (41) 및 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 과 벽부 (101) 에 형성된 개구부 (100) 를 상부 컵 (11) 의 내측으로부터 본 개요도이다.
스핀 척 (13) 에 흡착 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부를 향하여 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 로부터 처리액을 토출했을 때에는, 반도체 웨이퍼 (W) 에 공급된 처리액은 원심력에 의해 반도체 웨이퍼 (W) 의 외측을 향하여 비산된다. 이 처리액의 비산 영역에 있어서, 도 6a 에 나타내는 바와 같이 상부 컵 (11) 에 있어서의 벽부 (101) 가 배치되어 있었던 경우에는, 반도체 웨이퍼 (W) 로부터 비산된 처리액이 벽부 (101) 에 충돌하게 된다. 이 때문에, 이와 같은 영역에 있어서는, 도 6b 및 도 8 에 나타내는 바와 같이, 벽부 (101) 에 대해 개구부 (100) 를 형성하고 있다. 그리고, 이와 같은 영역 이외의 영역에 대해서는, 도 6a 에 나타내는 바와 같이, 벽부 (101) 를 배치하여, 상부 컵 (11) 에 충돌하여 비산되어 처리액이 반도체 웨이퍼 (W) 의 표면에 도달하는 것을 방지하고 있다.
이 개구부 (100) 는, 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 중심과 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 에 의한 반도체 웨이퍼 (W) 에 대한 처리액의 공급 위치를 연결하는 직선의 연장 상의 위치보다 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 방향의 상류측 위치로부터, 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 방향의 하류측의 위치에 걸쳐 형성될 필요가 있다. 보다 구체적으로는, 개구부 (100) 의 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 방향의 상류측의 단 가장자리는, 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 중심과 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 에 의한 반도체 웨이퍼 (W) 에 대한 처리액의 공급 위치를 연결하는 직선의 연장 상의 위치보다 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 방향의 상류측에 배치됨과 함께, 개구부 (100) 의 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 방향의 하류측의 단 가장자리는, 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 중심과 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 에 의한 반도체 웨이퍼 (W) 에 대한 처리액의 공급 위치를 연결하는 직선의 연장 상의 위치보다 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 방향의 하류 방향으로 이격된 위치에 배치될 필요가 있다.
이 때, 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 로부터 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 토출된 처리액은, 스핀 척 (13) 에 흡착 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼 (W) 의 원심력에 의해 외측으로 비산될 뿐만 아니라, 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 중심을 중심으로 하는 원의 접선 방향을 향하여 비산되게 된다. 이 때문에, 도 7 에 있어서 화살표로 나타내는 바와 같이, 개구부 (100) 의 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 방향의 하류측의 단 가장자리는, 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 에 의한 반도체 웨이퍼 (W) 에 대한 처리액의 공급 위치로부터, 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 중심과 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 에 의한 반도체 웨이퍼 (W) 에 대한 처리액의 공급 위치를 연결하는 직선이 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연과 교차하는 위치에 있어서의 반도체 웨이퍼 (W) 의 접선 방향의 위치보다 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 방향의 하류 방향에 배치되는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 서술한 실시형태에 있어서는, 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 에 의한 반도체 웨이퍼 (W) 에 대한 처리액의 공급 위치보다 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 방향의 상류측 위치에 있어서, 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 기체를 토출하는 제 1 질소 가스 토출 노즐 (41) 을 추가로 구비하고 있다. 이로써, 이 제 1 질소 가스 토출 노즐 (41) 로부터 토출되는 질소 가스의 작용에 의해, 먼저 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 에 의해 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 토출되고 반도체 웨이퍼 (W) 상에 잔존하는 처리액이 제거되고, 반도체 웨이퍼 (W) 의 외측으로 비산된다. 이 때문에, 이 실시형태에 있어서는, 개구부 (100) 의 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 방향의 상류측의 단 가장자리는, 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 중심과 제 1 질소 가스 토출 노즐에 의한 반도체 웨이퍼 (W) 에 대한 질소 가스의 공급 위치를 연결하는 직선의 연장 상의 위치보다 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 방향의 상류측에 배치되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 서술한 제 2 질소 가스 토출 노즐 (45) 로부터 토출되는 질소 가스의 작용에 의해서도, 먼저 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 에 의해 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 토출되고 반도체 웨이퍼 (W) 상에 잔존하는 처리액이 제거되고, 반도체 웨이퍼 (W) 의 외측으로 비산되게 된다. 그러나, 상기 서술한 바와 같이, 제 2 질소 가스 토출 노즐 (45) 로부터는, 제 1 질소 가스 토출 노즐 (41) 로부터 토출되는 질소 가스와 비교하여, 소유량 또는 유속이 작은 질소 가스를 공급하는 구성을 채용하고 있으므로, 제 2 질소 가스 토출 노즐 (45) 에 대향하는 영역에 개구부를 형성할 필요는 없다. 즉, 반도체 웨이퍼 (W) 의 외측으로 비산되는 처리액은, 그 대부분이 개구부 (100) 를 통하여 상부 컵 (11) 에 비산되게 된다.
예를 들어, 반도체 웨이퍼 (W) 의 직경을 300 ㎜ 로 하고, 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전수를 1300 rpm 으로 한 경우에 있어서는, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 중심에 대해, 개구부 (100) 의 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 방향의 상류측의 단 가장자리와 제 1 질소 가스 토출 노즐 (41) 이 이루는 각도 (θ1) 는 2 도 정도인 것이 바람직하고, 개구부 (100) 의 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 방향의 상류측의 단 가장자리와 처리액 토출 노즐 (42) 이 이루는 각도 (θ2) 는 4 도 정도인 것이 바람직하고, 개구부 (100) 의 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 방향의 상류측의 단 가장자리와 처리액 토출 노즐 (44) 이 이루는 각도 (θ3) 는 20 도 정도인 것이 바람직하고, 개구부 (100) 의 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 방향의 상류측의 단 가장자리와 하류측의 단 가장자리가 이루는 각도 (θ4) 는 45 도 정도인 것이 바람직하다.
도 9 는, 상부 컵 (11) 에 있어서의 벽부 (101) 와 스핀 척 (13) 에 흡착 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼 (W) 의 배치 관계를 나타내는 설명도이다.
상부 컵 (11) 에 있어서의 벽부 (101) 의 하단부와 스핀 척 (13) 에 흡착 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼 (W) 의 표면의 거리 (H) 는, 수 ㎜ 정도인 것이 바람직하다. 이 거리 (H) 를 작게 한 경우에는, 반도체 웨이퍼 (W) 로부터 비산되는 처리액이 벽부 (101) 에 충돌할 가능성이 있다. 한편, 이 거리 (H) 를 크게 한 경우에는, 상부 컵 (11) 에 충돌한 처리액이 반도체 웨이퍼 (W) 의 표면에 도달할 가능성이 있다. 또, 상부 컵 (11) 에 있어서의 벽부 (101) 의 내측면과 스핀 척에 흡착 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼 (W) 의 단부 (端部) 의 거리 (D) 는, 상부 컵 (11) 의 승강시에 상부 컵 (11) 과 반도체 웨이퍼 (W) 가 간섭하지 않는 범위에서 작은 것이 바람직하다.
또한, 상기 서술한 실시형태에 있어서는, 개구부 (100) 는, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 사각형상의 형상을 하고 있다. 그러나, 본 발명에 관련된 개구부 (100) 는, 이와 같은 형상으로 한정되는 것은 아니다. 도 10 은, 노즐 헤드 (31) 가 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부 부근에 대한 질소 가스 또는 처리액의 공급 위치에 배치되었을 때에, 제 1 질소 가스 토출 노즐 (41) 및 처리액 토출 노즐 (42, 43, 44) 과 벽부 (101) 에 형성된 다른 형태에 관련된 개구부 (100) 를 상부 컵 (11) 의 내측으로부터 본 개요도이다.
이 도면에 나타내는 바와 같이, 개구부 (100) 의 상단은, 곡선상이어도 된다. 이 때, 이 개구부 (100) 의 상단의 위치는, 처리액이 보다 많이 비산되는 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 방향의 상류측에서 높고, 회전 방향의 하류측에서 낮게 하는 것이 바람직하다.
이상과 같은 구성을 갖는 기판 처리 장치에 의해 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 대해 에칭 처리를 실행하는 경우에 있어서는, 반도체 웨이퍼 (W) 를 스핀 척 (13) 에 의해 흡착 유지한 상태에서, 노즐 헤드 (31), 노즐 헤드 (33) 및 질소 가스 토출부 (32) 를 도 2 에 있어서 실선으로 나타내는 위치에 배치한다. 그러한 후, 상부 컵 (11) 이 도 1 및 도 6a 및 도 6b 에 나타내는 위치까지 상승한다.
이 상태에 있어서, 반도체 웨이퍼 (W) 를 스핀 척 (13) 과 함께 회전시킨다. 그리고, 처리액 토출 노즐 (42) 보다 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에, 최초로 SC1 을 공급한다. 반도체 웨이퍼 (W) 에 공급된 SC1 은, 반도체 웨이퍼 (W) 의 단 가장자리로부터 비산되고, 상부 컵 (11) 에 있어서의 벽부 (101) 에 형성된 개구부 (100) 를 통과한 후, 상부 컵 (11) 에 있어서의 경사진 충돌면과 충돌한다. 이 충돌면에 충돌한 처리로서의 SC1 의 다수는 하방을 향하여 비산되므로, 반도체 웨이퍼 (W) 의 표면을 향하여 비산되는 SC1 의 양을 적은 것으로 하는 것이 가능해진다.
또, 비산된 SC1 의 일부는, 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 방향과 동일 방향으로 주회하는 공기의 흐름을 타고 부유된다. 그러나, 이 SC1 은, 도 6a 에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼 (W) 의 표면보다 상방에 있어서 반도체 웨이퍼 (W) 로부터 비산된 SC1 이 상부 컵 (11) 에 있어서의 충돌면과 충돌하는 충돌 위치와 반도체 웨이퍼 (W) 사이에 배치 형성된 벽부 (101) 에 의해 포획된다. 그리고, 이 SC1 은, 벽부 (101) 의 하단부로부터 적하된다. 이 때, 벽부 (101) 의 하단부는, 상부가 반도체 웨이퍼 (W) 에 근접하고, 하부가 반도체 웨이퍼 (W) 로부터 이격되는 경사면 (102) 을 가지므로, 벽부 (101) 에 부착된 SC1 의 액 제거를 바람직하게 실행하는 것이 가능해진다.
반도체 웨이퍼 (W) 의 단 가장자리에 잔존하는 SC1 은, 제 2 질소 가스 토출 노즐 (45) 로부터 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 공급된 소유량 또는 유속이 작은 질소 가스에 의해 어느 정도 제거된 후, 제 1 질소 가스 토출 노즐 (41) 로부터 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 공급된 대유량 또는 유속이 큰 질소 가스에 의해 완전하게 제거된다. 이로써, 처리액 토출 노즐 (42) 로부터 공급된 SC1 이 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 잔류하고 있는 상태에서, 추가로 SC1 이 공급되어 생기는 액 튕김의 발생을 방지하는 것이 가능해진다.
이와 같이 하여 SC1 에 의한 처리를 실행한 후에, 동일한 처리를 다른 처리액에 대해서도 실행한다. 즉, 계속하여, 처리액 토출 노즐 (43) 로부터 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 순수를 공급하여 세정 처리를 실시하고, 다음으로, 처리액 토출 노즐 (44) 로부터 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 HF 와 순수의 혼합액을 공급하여 에칭 처리를 실시하고, 추가로 처리액 토출 노즐 (43) 로부터 반도체 웨이퍼 (W) 의 주연부에 다시 순수를 공급하여 세정 처리를 실시한다. 이들 처리액에 의해 처리를 실행할 때에도, SC1 의 경우와 동일하게, 벽부 (101) 의 작용에 의해 각 처리액이 반도체 웨이퍼 (W) 표면의 디바이스 패턴 영역에 도달하는 것을 억제하는 것이 가능해진다. 이 때, 반도체 웨이퍼 (W) 로부터 비산되는 처리액은 개구부 (100) 를 통하여 벽부 (101) 의 외측 영역에 도달하므로, 처리액과 벽부 (101) 의 충돌을 효과적으로 방지하는 것이 가능해진다.
또한, 이들 처리시에 있어서는, 항상, 질소 가스 토출부 (32) 로부터 질소 가스를 공급함으로써, 스핀 척 (13) 에 의해 흡착 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼 (W) 의 회전 중심 부근으로부터 그 표면을 따라 주연부에 이르는 질소 가스의 흐름을 형성한다. 이로써, 처리액의 액적이 반도체 웨이퍼 (W) 의 표면에 있어서의 디바이스 패턴 영역에 부착될 가능성을 더욱 저하시키는 것이 가능해진다.
도 11a 및 도 11b 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 상부 컵 (11) 과 반도체 웨이퍼 (W) 의 배치를 나타내는 부분적인 종단면도이다.
상기 서술한 제 1 실시형태에 있어서는, 스핀 척 (13) 에 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼 (W) 의 표면보다 상방에 있어서, 반도체 웨이퍼 (W) 기판으로부터 비산된 처리액이 상부 컵 (11) 과 충돌하는 충돌 위치와 반도체 웨이퍼 (W) 사이에 배치 형성되고, 상부 컵 (11) 과 충돌한 처리액이 반도체 웨이퍼 (W) 의 표면에 도달하는 것을 방지하기 위한 반사 방지 부재로서, 상부 컵 (11) 의 반도체 웨이퍼 (W) 측의 단 가장자리로부터 하방으로 연장되는 원통상의 벽부 (101) 를 사용하고 있다. 이에 대하여, 이 제 2 실시형태에 있어서는, 반도체 웨이퍼 (W) 의 외측이고, 또한 상부 컵 (11) 의 상단의 하방에 배치된 반사 방지 부재 (103) 를 사용하고 있다.
이 반사 방지 부재 (103) 는, 도 11a 에 나타내는 바와 같이, 제 1 실시형태에 있어서의 벽부 (101) 의 개구부 (100) 이외의 영역과 상당하는 영역에 배치 형성되어 있다. 제 1 실시형태에 있어서의 벽부 (101) 의 개구부 (100) 와 대향하는 영역에는, 도 11b 에 나타내는 바와 같이, 반사 방지 부재 (103) 는 배치 형성되어 있지 않다. 그리고, 이 반사 방지 부재 (103) 의 하단부는, 제 1 실시형태에 관련된 벽부 (101) 의 하단부와 동일하게, 상부가 스핀 척 (13) 에 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼 (W) 에 근접하고, 하부가 이 반도체 웨이퍼 (W) 로부터 이격되는 경사면 (104) 을 가지고 있다.
이 반사 방지 부재 (103) 를 사용한 경우에 있어서도, 벽부 (101) 를 사용한 경우와 동일하게, 반사 방지 부재 (103) 의 작용에 의해 각 처리액이 반도체 웨이퍼 (W) 표면의 디바이스 패턴 영역에 도달하는 것을 억제하는 것이 가능해진다. 이 때, 반도체 웨이퍼 (W) 로부터 비산되는 처리액은 반사 방지 부재 (103) 가 존재하지 않는 영역을 통하여 외측 영역에 도달하므로, 처리액과 반사 방지 부재 (103) 의 충돌을 효과적으로 방지하는 것이 가능해진다.
10 : 컵
11 : 상부 컵
12 : 하부 컵
13 : 스핀 척
15 : 회전 구동 기구
31 : 노즐 헤드
32 : 질소 가스 토출부
33 : 노즐 헤드
41 : 제 1 질소 가스 토출 노즐
42 : 처리액 토출 노즐
43 : 처리액 토출 노즐
44 : 처리액 토출 노즐
45 : 제 2 질소 가스 토출 노즐
61 : HF 와 순수의 혼합액의 공급원
62 : 순수의 공급원
63 : SC1 의 공급원
64 : 질소 가스의 공급원
100 : 개구부
101 : 벽부
102 : 경사면
103 : 반사 방지 부재
104 : 경사면
W : 반도체 웨이퍼

Claims (10)

  1. 외형이 원형의 형상을 갖는 기판의 주면을 수평으로 한 상태에서 유지함과 함께, 상기 기판을 당해 기판의 중심을 회전 중심으로 하여 회전시키는 스핀 척과,
    상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 주연부에 처리액을 토출하는 처리액 토출 노즐과,
    상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 외주부에 배치 형성되고, 상기 기판으로부터 비산되는 처리액을 포획하는 컵
    을 구비한 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 표면보다 상방에 있어서, 상기 기판으로부터 비산된 처리액이 상기 컵과 충돌하는 충돌 위치와 상기 기판 사이에 배치 형성되고, 상기 컵과 충돌한 처리액이 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 표면에 도달하는 것을 방지하기 위한 반사 방지 부재를 구비한 것을 특징으로 하고,
    상기 반사 방지 부재는, 원통상의 벽부를 구비하고, 상기 벽부에 있어서의 상기 처리액 토출 노즐과 대향하는 영역에 개구부가 형성되는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 원통상의 벽부는, 상기 컵의 기판측의 단 가장자리로부터 하방으로 연장되는, 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 개구부는, 상기 기판의 회전 중심과 상기 처리액 토출 노즐에 의한 상기 기판에 대한 처리액의 공급 위치를 연결하는 직선의 연장 상의 위치보다 상기 기판의 회전 방향의 상류측의 위치로부터, 상기 기판의 회전 방향의 하류측의 위치에 걸쳐 형성되는, 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 개구부의 상기 기판의 회전 방향의 상류측의 단 가장자리는, 상기 기판의 회전 중심과 상기 처리액 토출 노즐에 의한 상기 기판에 대한 처리액의 공급 위치를 연결하는 직선의 연장 상의 위치보다 상기 기판의 회전 방향의 상류측에 배치됨과 함께,
    상기 개구부의 상기 기판의 회전 방향의 하류측의 단 가장자리는, 상기 기판의 회전 중심과 상기 처리액 토출 노즐에 의한 상기 기판에 대한 처리액의 공급 위치를 연결하는 직선의 연장 상의 위치보다 상기 기판의 회전 방향의 하류 방향으로 이격된 위치에 배치되는, 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 개구부의 상기 기판의 회전 방향의 하류측의 단 가장자리는, 상기 처리액 토출 노즐에 의한 상기 기판에 대한 처리액의 공급 위치로부터, 상기 기판의 회전 중심과 상기 처리액 토출 노즐에 의한 상기 기판에 대한 처리액의 공급 위치를 연결하는 직선이 상기 기판의 주연과 교차하는 위치에 있어서의 상기 기판의 외주에 의해 구성되는 원의 접선 방향의 위치보다 상기 기판의 회전 방향의 하류 방향에 배치되는, 기판 처리 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 처리액 토출 노즐에 의한 상기 기판에 대한 처리액의 공급 위치보다 상기 기판의 회전 방향의 상류측의 위치에 있어서, 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 주연부에 기체를 토출하는 기체 토출 노즐을 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 개구부의 상기 기판의 회전 방향의 상류측의 단 가장자리는, 상기 기판의 회전 중심과 상기 기체 토출 노즐에 의한 상기 기판에 대한 기체의 공급 위치를 연결하는 직선의 연장 상의 위치보다 상기 기판의 회전 방향의 상류측에 배치되는, 기판 처리 장치.
  8. 제 2 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 주연부의 상방의 처리액 공급 위치와, 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 상방으로부터 이격된 퇴피 위치 사이를 요동 가능한 아암의 선단에 복수의 처리액 토출 노즐이 배치 형성되고, 상기 복수의 처리액 토출 노즐이 선택적으로 사용되는, 기판 처리 장치.
  9. 제 2 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 컵은, 상기 기판으로부터 비산되는 처리액이 충돌하는 충돌면을 구비하고,
    상기 충돌면은, 상부가 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판에 근접하고, 하부가 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판으로부터 이격되는 경사면으로 구성되는, 기판 처리 장치.
  10. 제 2 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 벽부의 하단부는, 상부가 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판에 근접하고, 하부가 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판으로부터 이격되는 경사면을 갖는, 기판 처리 장치.
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