TWI529798B - 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體 - Google Patents

基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體 Download PDF

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TWI529798B
TWI529798B TW101141404A TW101141404A TWI529798B TW I529798 B TWI529798 B TW I529798B TW 101141404 A TW101141404 A TW 101141404A TW 101141404 A TW101141404 A TW 101141404A TW I529798 B TWI529798 B TW I529798B
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天野嘉文
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東京威力科創股份有限公司
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    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Description

基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
本發明係關於令經水平固持之基板旋轉並同時藉由化學液進行基板液體處理之基板處理裝置及基板處理方法。且本發明係關於儲存有用來使基板處理裝置實行基板處理方法之電腦程式之記憶媒體。
半導體裝置之製造程序中，包含以可繞著鉛直軸任意旋轉之方式固持基板，令基板旋轉並同時對其被處理面供給各種化學液之單片式液體處理程序。使用如此之化學液之液體處理中，對應處理目的分別適當使用不同之化學液。
例如於專利文獻1有人提倡一種基板處理裝置，具有噴嘴，該噴嘴包含：第1化學液噴吐口，朝基板周緣部噴吐第1化學液；及第2化學液噴吐口，朝基板周緣部噴吐第2化學液。
作為第1化學液及第2化學液，可例示例如包含硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、氨水、過氧化氫水、磷酸、有機酸(例如枸椽酸、草酸等)、有機鹼(例如TMAH：四甲基氫氧化銨等)、界面活性劑、抗腐蝕劑中至少1者之液體。
且於專利文獻1，噴嘴中通過第1化學液流路朝第1化學液供給口供給由噴嘴所供給之第1化學液，且通過第2化學液流路朝第2化學液供給口供給由噴嘴所供給之第2化學液。藉由構成如此噴嘴，可防止於噴嘴內部第1化學液與第2化學液相混溶。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2011-135014號公報
自噴嘴噴吐之第1化學液及第2化學液以既定速度衝擊基板。此時，有時衝擊基板之化學液會自基板反彈，反彈之化學液附著於噴嘴。且亦可想像已存在於基板上之化學液會因衝擊造成的能量彈起。在此，可想像如上述專利文獻1之情形於1個噴嘴設置第1化學液噴吐口及第2化學液噴吐口時，自基板反彈或彈起之第1化學液會附著於第2化學液噴吐口，或自基板反彈或彈起之第2化學液附著於第1化學液噴吐口，因此第1化學液與第2化學液相混溶。可想像若不同種類之化學液如此相混溶，即會因化學反應而產生異物或氣體，基板會因此而被污染。
本發明之目的在於提供一種基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體，可有效解決如此之課題。
本發明係一種基板處理裝置，令經水平固持之基板旋轉並同時藉由化學液進行基板周緣部之液體處理，其特徵在於包含：基板固持部，水平固持基板；旋轉驅動部，令該基板固持部旋轉；第1化學液噴嘴，朝基板周緣部上的第1化學液供給位置噴吐第1化學 液；及第2化學液噴嘴，朝基板周緣部上的第2化學液供給位置噴吐第2化學液；且該旋轉驅動部在該第1化學液噴嘴噴吐第1化學液時，令該基板固持部朝第1旋轉方向旋轉，且在該第2化學液噴嘴噴吐第2化學液時，令該基板固持部朝與第1旋轉方向相反之第2旋轉方向旋轉。
本發明係一種基板處理方法，令經水平固持之基板旋轉並同時藉由化學液進行基板周緣部之液體處理，其特徵在於包含下列者：令水平固持基板之基板固持部朝第1旋轉方向旋轉；在基板固持部朝第1旋轉方向旋轉時，藉由第1化學液噴嘴朝基板周緣部上的第1化學液供給位置噴吐第1化學液；令基板固持部朝與第1旋轉方向相反之第2旋轉方向旋轉；及在基板固持部朝第2旋轉方向旋轉時，藉由第2化學液噴嘴朝基板周緣部上的第2化學液供給位置噴吐第2化學液。
本發明係一種記憶媒體，儲存有用來令基板處理裝置實行基板處理方法之電腦程式，其特徵在於該基板處理方法由下列方法構成：令水平固持基板之基板固持部朝第1旋轉方向旋轉；在基板固持部朝第1旋轉方向旋轉時，藉由第1化學液噴嘴朝基板周緣部上的第1化學液供給位置噴吐第1化學液；令基板固持部朝與第1旋轉方向相反之第2旋轉方向旋轉；及在基板固持部朝第2旋轉方向旋轉時，藉由第2化學液噴嘴朝基板周緣部上的第2化學液供給位置噴吐第2化學液。
依本發明，可防止自基板反彈或彈起之第1化學液附著於第2化學液噴嘴，同樣地，可防止自基板反彈或彈起之第2化學液附著於第1化學液噴嘴。藉此，可防止第1化學液與第2化學液相混溶，藉此，可保持基板周邊環境潔淨。
C‧‧‧晶圓載具
H‧‧‧水平面
R1‧‧‧第1旋轉方向
R2‧‧‧第2旋轉方向
Wc‧‧‧中心點
W‧‧‧半導體晶圓
θ1、θ2‧‧‧角
‧‧‧化學液噴嘴間中心角
‧‧‧化學液噴吐口間中心角
、φ4‧‧‧中心角
ψ1‧‧‧甩切角(旋轉角度)
ψ2‧‧‧甩切角
1‧‧‧基板處理裝置
3‧‧‧杯體
5‧‧‧外殼構件
7‧‧‧控制部
10A‧‧‧送入送出站
10B‧‧‧處理站
21‧‧‧基板固持部
22‧‧‧旋轉驅動軸
23‧‧‧馬達
24‧‧‧旋轉驅動部
31‧‧‧內周部
32‧‧‧外周部
33‧‧‧溝槽部
34‧‧‧排氣空間
35b‧‧‧載體溶液供給口
35‧‧‧液承接空間
35a‧‧‧載體溶液供給部
35c‧‧‧載體溶液
35d‧‧‧液體
36‧‧‧壁部
37‧‧‧排氣口
38‧‧‧排液口
38s‧‧‧排液機構
38a‧‧‧第1切換閥
38b‧‧‧第2切換閥
38c‧‧‧第1排液管
38d‧‧‧第2排液管
39‧‧‧液承接底面
39a、39b‧‧‧液承接底面
40‧‧‧清洗液噴吐口
40a‧‧‧緩衝部
41a‧‧‧供給管
41b‧‧‧液流
41‧‧‧清洗液供給部
42‧‧‧氣體供給口
43a‧‧‧供給管
43‧‧‧氣體供給部
44‧‧‧凸緣部
45‧‧‧外殼部
46‧‧‧開口部
47、48‧‧‧昇降機構
49‧‧‧氣體供給口
51‧‧‧第1液承接部
52‧‧‧第2液承接部
53‧‧‧第1化學液噴嘴清洗機構
54a‧‧‧清洗液供給管
54b‧‧‧清洗液噴吐口
70‧‧‧第1噴嘴驅動部
71‧‧‧噴嘴頭支持軸
72‧‧‧第1噴嘴頭
73‧‧‧第1化學液噴嘴
73(1)‧‧‧處於第1外方位置之第1化學液噴嘴
73(2)‧‧‧處於第1處理位置之第1化學液噴嘴
73(3)‧‧‧處於第1待命位置之第1化學液噴嘴
73a、83a‧‧‧噴吐口
74a‧‧‧第1化學液供給位置
74c‧‧‧中心點
74b、77b‧‧‧液流
74‧‧‧存在於晶圓W上表面之第1化學液(到達晶圓W周緣部之第1化學液)
74d‧‧‧第1化學液74被甩掉之點
75a‧‧‧供給管
75、85、92、97‧‧‧化學液供給部
76‧‧‧第1潤洗噴嘴
77a‧‧‧第1潤洗液供給位置
77‧‧‧存在於晶圓W上表面之潤洗液(到達晶圓W上的第1潤洗液)
78a‧‧‧供給管
78、88、94、99‧‧‧潤洗液供給部
80‧‧‧第2噴嘴驅動部
83‧‧‧第2化學液噴嘴
84‧‧‧存在於晶圓W上表面之第2化學液
84a‧‧‧第2化學液供給位置
84b‧‧‧液流
84c‧‧‧中心點
84d‧‧‧第2化學液被甩掉之點
85a‧‧‧供給管
85‧‧‧第2化學液供給部
86‧‧‧第2潤洗噴嘴
87a‧‧‧第2潤洗液供給位置
87‧‧‧存在於晶圓W上表面之潤洗液
88a‧‧‧供給管
88‧‧‧潤洗液供給部
90‧‧‧第1化學液噴吐口
91‧‧‧存在於晶圓下表面之第1化學液
91a‧‧‧第3化學液供給位置
91c‧‧‧中心點
92a‧‧‧供給管
92‧‧‧第1化學液供給部
93‧‧‧潤洗液噴吐口
93a‧‧‧存在於晶圓W下表面之潤洗液
95‧‧‧第2化學液噴吐口
96‧‧‧存在於晶圓下表面之第2化學液
96a‧‧‧第4化學液供給位置
96c‧‧‧中心點
97a‧‧‧供給管
97‧‧‧第2化學液供給部
98‧‧‧潤洗液噴吐口
98a‧‧‧存在於晶圓W下表面之潤洗液
100‧‧‧基板處理系統
101‧‧‧載具載置部
102‧‧‧運送部
103‧‧‧傳遞部
104‧‧‧殼體
105‧‧‧運送機構
106‧‧‧晶圓固持臂
107‧‧‧水平導件
200‧‧‧傳遞架座
201‧‧‧殼體
202‧‧‧運送室
203‧‧‧運送機構
204‧‧‧晶圓固持臂
205‧‧‧水平導件
圖1係顯示包含依本發明實施形態之基板處理裝置之基板處理系統概略構成之俯視圖。
圖2係顯示基板處理裝置概略構成之俯視圖。
圖3係顯示自III-III方向觀察圖2所示之基板處理裝置之縱剖面圖。
圖4係顯示自IV-IV方向觀察圖2所示之基板處理裝置之縱剖面圖。
圖5係顯示自V-V方向觀察圖2所示之基板處理裝置之縱剖面圖。
圖6係顯示自斜下方觀察由噴嘴驅動部支持之化學液噴嘴及潤洗噴嘴時之圖。
圖7中圖7(a)係顯示處於外方位置之化學液噴嘴圖，圖7(b)係顯示處於處理位置之化學液噴嘴圖，圖7(c)係顯示處於潤洗處理位置之潤洗噴嘴圖，圖7(d)係顯示處於待命位置之化學液噴嘴圖。
圖8係顯示形成於杯體之化學液噴吐口、潤洗液噴吐口及清洗液噴吐口圖。
圖9概略顯示形成為傾斜之杯體液承接空間液承接底面之作用圖。
圖10中圖10(a)~(f)係顯示依本發明實施形態之液體處理方法圖。
圖11中圖11(a)~(f)係顯示依本發明實施形態變形例之液體處理方法圖。
圖12中圖12(a)~(d)係顯示潤洗噴嘴變形例圖。
以下，參照圖1至圖10說明關於本發明實施形態。在此，說明關於進行係圓形基板之半導體晶圓(以下僅稱「晶圓」)W之液體處理之基板處理裝置1。
藉由依本實施形態之基板處理裝置1處理之晶圓W中形成有例如SiN所構成之膜，形成此膜，俾自晶圓W上表面經由晶圓W側端部橫跨至晶圓W下表面側周緣部。在此基板處理裝置1至少對晶圓W供給2種類不同之化學液，藉此去除形成於晶圓W之膜中位於晶圓W周緣部之膜。一開始先 參照圖1，說明關於包含如此之基板處理裝置1之基板處理系統100。
又，所謂晶圓W上表面或下表面係晶圓W由後述基板固持部21水平固持時朝上或下之面。且所謂晶圓W周緣部係在晶圓W側端部附近，未形成半導體裝置圖案之區域。
基板處理系統
圖1係顯示基板處理系統100概略構成之俯視圖。如圖1所示，基板處理系統100包含：送入送出站10A，擺放有收納複數晶圓W之晶圓載具C，送入、送出晶圓W；及處理站10B，用來進行晶圓W之液體處理。
送入送出站10A及處理站10B鄰接設置。
[送入送出站]
送入送出站10A包含載具載置部101、運送部102、傳遞部103及殼體104。載具載置部101中載置有以水平狀態收納複數晶圓W之晶圓載具C。於運送部102運送晶圓W，於傳遞部103傳遞晶圓W。收納運送部102及傳遞部103於殼體104。
運送部102包含運送機構105。運送機構105包含：晶圓固持臂106，固持晶圓W；及機構，使晶圓固持臂106前後移動。
且運送機構105雖未圖示但更包含下列機構：水平移動機構，順著沿配置晶圓載具C之X方向延伸之水平導件107使晶圓固持臂106移動；垂直移動機構，順著沿垂直方向設置之垂直導件使晶圓固持臂106移動；及旋轉機構，在水平面內使晶圓固持臂106旋轉。
藉由運送機構105，在晶圓載具C與傳遞部103之間運送晶圓W。
傳遞部103包含具有複數載置晶圓W之載置部之傳遞架座200。傳遞部103以此傳遞架座200在與處理站10B之間傳遞晶圓W。
[處理站]
處理站10B包含：殼體201；複數基板處理裝置1，收納於殼體201內；運送室202；及運送機構203，設於運送室202內。
於複數基板處理裝置1下方亦可收納用來對各基板處理裝置1供給液體或氣體之機構。
運送機構203包含：晶圓固持臂204，固持晶圓W；及機構，使晶圓固持臂204前後移動。
且運送機構203雖未圖示但更包含：水平移動機構，順著設於運送室202之水平導件205使晶圓固持臂204沿Y方向移動；垂直移動機構，順著沿垂直方向設置之垂直導件使晶圓固持臂204移動；及旋轉機構，在水平面內使晶圓固持臂204旋轉。
藉由運送機構203，相對於各基板處理裝置1實施晶圓W之送入送出。
基板處理裝置
其次參照圖2至圖9，說明關於基板處理裝置1。
一開始先說明關於基板處理裝置1各構成要素中用來對晶圓W上表面進行液體處理之構成要素。如圖2所示，基板處理裝置1包含：第1化學液噴嘴73，朝晶圓W上表面噴吐第1化學液； 第2化學液噴嘴83，朝晶圓W上表面噴吐第2化學液；及第1潤洗噴嘴76及第2潤洗噴嘴86，分別設於第1化學液噴嘴73及第2化學液噴嘴83附近，朝晶圓W上表面噴吐潤洗液。
且如圖2所示，基板處理裝置1更包含設置成自側方包覆晶圓W之杯體3。杯體3包含：外殼部45，承接自晶圓W飛散之化學液；及凸緣部44，將自晶圓W飛散之化學液導往杯體3內後述之液承接空間。且圖2中，分別以虛線表示下列者：排液口38，形成於杯體3內後述之液承接空間，以將化學液朝外部排出；及載體溶液供給口35b，對液承接空間供給用來促進液體流動之載體溶液。
作為第1化學液及第2化學液，使用相互不同之化學液。例如作為第1化學液，使用氨水、過氧化氫及純水之混合溶液(SC-1液)等鹼性化學液，且作為第2化學液，使用氫氟酸及純水之混合溶液(HF液)等酸性溶液。且作為潤洗液，使用可洗掉殘留在晶圓W上的化學液的液體，例如使用純水(DIW)。
又，可想像若不同種類之化學液相混溶，即會因化學反應產生異物或氣體。可想像例如鹼性化學液與酸性化學液若相混溶，即會因化學反應產生鹽，因此鹽晶圓W或基板處理裝置1內之環境被污染。本實施形態中，構成上述第1化學液噴嘴73及第2化學液噴嘴83，俾可防止如此之不同種類之化學液彼此相混溶。以下，說明關於各化學液噴嘴73、83之構成概略。
首先，說明關於自各化學液噴嘴73、83及各潤洗噴嘴76、86噴吐之液體之到達點及方向。圖2中，自處於後述第1處理位置之第1化學液噴嘴73噴吐之第1化學液到達晶圓W上表面時擴散之區域(以下稱第1化學液供給位置)以附有符號74a之實線表示，自第1潤洗噴嘴76噴吐之潤洗液 到達晶圓W上表面時擴散之區域(以下稱第1潤洗液供給位置)以附有符號77a之實線表示。同樣地，自處於後述第2處理位置之第2化學液噴嘴83噴吐之第2化學液到達晶圓W上表面時擴散之區域(以下稱第2化學液供給位置)以附有符號84a之實線表示，自第2潤洗噴嘴86噴吐之潤洗液到達晶圓W上表面時擴散之區域(以下稱第2潤洗液供給位置)以附有符號87a之實線表示。
本實施形態中，藉由連接晶圓W中心點Wc，與上述第1化學液供給位置74a中心點74c及第2化學液供給位置84a中心點84c而形成之化學液噴嘴間中心角φ1以第1化學液供給位置74a為基準沿圖2所示之第1旋轉方向R1觀察化學液噴嘴間中心角φ1時大於180度。該化學液噴嘴間中心角φ1宜在240度以上，例如圖2所示例中化學液噴嘴間中心角φ1約為300度。構成第1化學液噴嘴73及第2化學液噴嘴83，俾滿足關於如此之化學液噴嘴間中心角φ1之條件，藉此如後述，可防止自一方之化學液噴嘴噴吐之化學液附著於另一方之化學液噴嘴，藉此，可防止不同種類之化學液相混溶。
如後述，在晶圓W沿第1旋轉方向R1旋轉之期間內噴吐來自第1化學液噴嘴73及第1潤洗噴嘴76之液體。且在晶圓W沿第2旋轉方向R2旋轉之期間內噴吐來自第2化學液噴嘴83及第2潤洗噴嘴86之液體。在此宜形成第1化學液噴嘴73及第1潤洗噴嘴76，俾所噴吐之第1化學液及潤洗液之噴吐方向朝第1旋轉方向R1傾斜。在此所謂「噴吐方向朝第1旋轉方向R1傾斜」意指顯示第1化學液及潤洗液噴吐方向之向量(圖2中自第1化學液噴嘴73及第1潤洗噴嘴76伸出之箭頭)具有晶圓W第1旋轉方向R1之分量。同樣地，形成第2化學液噴嘴83及第2潤洗噴嘴86，俾所噴吐之第2化學液及潤洗液之噴吐方向朝第2旋轉方向R2傾斜。如此化學液或潤洗液等液體噴吐方向與晶圓W之旋轉方向具有同一分量，藉此可減小液體到達晶圓W上表面之速度，與晶圓W旋轉速度之差。藉此，可減小自各噴嘴73、76、83、86噴吐之液到達晶圓W上表面因而產生之衝擊能量。藉此，可防止對晶圓W噴吐之液體或存在於晶圓W上表面上之液體彈起，不同種類之化學液於各噴嘴73、76、83、86混溶。且藉由防止液體反彈，可 不浪費噴吐之液體，有效利用大部分噴吐之液體於晶圓W之處理。
如圖2所示，第1潤洗噴嘴76就第1旋轉方向R1而言宜配置於第1化學液噴嘴73上游側。藉此，可防止自第1化學液噴嘴73噴吐之第1化學液附著於第1潤洗噴嘴76。同樣地，第2潤洗噴嘴86就第2旋轉方向R2而言配置於第2化學液噴嘴83上游側。藉此，可防止自第2化學液噴嘴83噴吐之第2化學液附著於第2潤洗噴嘴86。如此藉由配置第1潤洗噴嘴76及第2潤洗噴嘴86，可更確實地防止第1化學液與第2化學液在潤洗噴嘴76、86上相混溶。
且第1潤洗液供給位置77a宜較第1化學液供給位置74a更位於晶圓W中心側。亦即，相較於第1化學液更朝晶圓W中心側供給潤洗液。藉此，可以潤洗液確實清洗晶圓W上表面中第1化學液曾流動之區域。同樣地，第2潤洗液供給位置87a宜較第2化學液供給位置84a更位於晶圓W中心側。
其次，說明基板處理裝置1各構成要素中用來對晶圓W下表面進行液體處理之構成要素。如圖2所示，基板處理裝置1更包含：第1化學液噴吐口90，朝晶圓W下表面噴吐第1化學液；及第2化學液噴吐口95，朝晶圓W下表面噴吐第2化學液。
作為自第1化學液噴吐口90及第2化學液噴吐口95噴吐之第1化學液及第2化學液，使用與自上述第1化學液噴嘴73及第2化學液噴嘴83噴吐之第1化學液及第2化學液相同者。又，如後述，亦可於基板處理裝置1中包含朝晶圓W下表面噴吐潤洗液之潤洗液噴吐口等其他噴吐口。
其次，說明關於自各化學液噴吐口90、95噴吐之液體到達點及方向。圖2中，自第1化學液噴吐口90噴吐之第1化學液到達之晶圓W下表面上的區域(以下稱第3化學液供給位置)以附有符號91a之虛線表示，自第2化學液噴吐口95噴吐之第2化學液到達之晶圓W下表面上的區域(以下稱第4化學液供給位置)以附有符號96a之虛線表示。
在此，連接晶圓W中心點Wc，與上述第3化學液供給位置91a中心點91c及第4化學液供給位置96a中心點96c因而形成之化學液噴吐口間中心角φ2以第3化學液供給位置91a為基準沿圖2所示之第1旋轉方向R1觀察化學液噴吐口間中心角φ2時大於180度。該化學液噴吐口間中心角φ2宜在240度以上，例如圖2所示例中化學液噴吐口間中心角φ2約為260度。構成第1化學液噴吐口90及第2化學液噴吐口95，俾滿足關於如此之化學液噴吐口間中心角φ2之條件，藉此如後述，可防止自一方化學液噴吐口噴吐之化學液附著於另一方化學液噴吐口，藉此，可防止不同種類之化學液相混溶。
如後述，來自第1化學液噴吐口90之第1化學液與來自第1化學液噴嘴73之第1化學液同時在晶圓W沿第1旋轉方向R1旋轉之期間內被噴吐。且來自第2化學液噴吐口95之第2化學液與來自第2化學液噴嘴83之第2化學液同時在晶圓W沿第2旋轉方向R2旋轉之期間內被噴吐。在此宜形成第1化學液噴吐口90，俾所噴吐之第1化學液噴吐方向朝第1旋轉方向R1傾斜。同樣地，形成第2化學液噴吐口95，俾所噴吐之第2化學液噴吐方向朝第2旋轉方向R2傾斜。藉此，與上述化學液噴嘴73、83之情形相同，可減小自各化學液噴吐口90、95噴吐之化學液到達晶圓W下表面因而產生之衝擊能量。藉此，可防止到達晶圓W下表面之液體大量飛散。
又，自各化學液噴吐口90、95到達晶圓W下表面之化學液在晶圓W旋轉之期間內有時會迴繞至晶圓W上表面側。此時，假如朝存在有迴繞至晶圓W上表面上的化學液之區域噴吐來自處於晶圓W上側之化學液噴嘴73、83之化學液，自化學液噴吐口90、95噴吐之化學液與自化學液噴嘴73、83噴吐之化學液有時即會相衝擊而產生霧氣。在此依本實施形態，如圖2所示，構成第1化學液噴吐口90，俾就第1旋轉方向R1而言第3化學液供給位置91a配置於晶圓W上表面上的第1化學液供給位置74a下游側。因此，順著第1旋轉方向R1觀察時，自第3化學液供給位置91a至第1化學液供給位置74a之距離變長。因此，由第1化學液噴吐口90噴吐而到達 晶圓W下表面之第1化學液在較因晶圓W旋轉而被送至第1化學液供給位置74a前，會因離心力而自晶圓W被甩掉。藉此，可防止由第1化學液噴吐口90供給之第1化學液存在於第1化學液供給位置74a內。藉此，可防止由第1化學液噴吐口90供給之第1化學液與由第1化學液噴嘴73供給之第1化學液於晶圓W上表面側相衝擊，藉此，可防止產生第1化學液之霧氣。同樣地，構成第2化學液噴吐口95，俾就第2旋轉方向R2而言第4化學液供給位置96a配置在晶圓W上表面上的第2化學液供給位置84a的下游側。藉此，可防止由第2化學液噴吐口95供給之第2化學液與由第2化學液噴嘴83供給之第2化學液於晶圓W上表面側相衝擊，藉此，可防止產生第2化學液之霧氣。
第1化學液噴吐口90之具體配置雖無特別限定，但宜構成第1化學液噴吐口90，俾連接晶圓W中心點Wc，與第3化學液供給位置91a中心點91c及第1化學液供給位置74a中心點74c因而形成之中心角φ3在10度以上。同樣地，宜構成第2化學液噴吐口95，俾連接晶圓W中心點Wc，與第4化學液供給位置96a中心點96c及第2化學液供給位置84a中心點84c因而形成之中心角φ4在10度以上。
參照圖3至圖5並於以下說明關於滿足上述到達點或方向以可噴吐化學液及潤洗液之基板處理裝置1之具體構造。圖3係自III-III方向觀察圖2所示之基板處理裝置1之縱剖面圖，圖4係自IV-IV方向觀察圖2所示之基板處理裝置之縱剖面圖，圖5係自V-V方向觀察圖2所示之基板處理裝置1之縱剖面圖。又，圖3中，為便於說明，於自III-III方向觀察基板處理裝置1之縱剖面圖描繪有第1化學液噴嘴73、第1潤洗噴嘴76及第1化學液噴吐口90中任一者。同樣地圖4中，為便於說明，於自IV-IV方向觀察基板處理裝置1之縱剖面圖描繪有第2化學液噴嘴83、第2潤洗噴嘴86及第2化學液噴吐口95其中任一者。
如圖3至圖5所示，基板處理裝置1包含：基板固持部21，水平固持晶圓W； 旋轉驅動部24，連接基板固持部21下側，使基板固持部21旋轉；上述杯體3，設置成自側方包覆晶圓W；及外殼構件5，設置成與晶圓W上表面隔著空間對向。
以下，依序說明關於各構成要素。
[基板固持部及旋轉驅動部]
基板固持部21不接觸晶圓W周緣部而水平固持晶圓W，例如作為吸附固持晶圓W下表面中央部之真空吸盤構成。旋轉驅動部24包含：旋轉驅動軸22，支持基板固持部21；及馬達23，使旋轉驅動軸22旋轉。
藉由使旋轉驅動軸22旋轉，可使由基板固持部21固持之晶圓W繞著鉛直方向軸周圍旋轉。又，旋轉驅動部24之旋轉驅動軸22可沿第1旋轉方向R1亦可沿與第1旋轉方向R1相反的第2旋轉方向R2旋轉。
[杯體]
杯體3係環狀構件，自側方包圍基板固持部21及晶圓W側端部，並具有晶圓W可插入之開口部46。一開始先說明關於杯體3之內部構造。如圖3至圖5所示，於杯體3內部形成朝上方開口，沿圓周方向延伸之溝槽部33。溝槽部33包含：環狀排氣空間34，係用來將於液體處理期間內產生之氣體或送入晶圓W周邊之氣體朝外部排出之流路；排氣口37，連通排氣空間34；環狀液承接空間35，係用來承接於液體處理期間內自晶圓W飛散之化學液或潤洗液等液體並將其朝外部排出之流路；及排液口38，連通液承接空間35。
排氣空間34與液承接空間35由形成於溝槽部33之壁部36分隔。構成壁部36，俾分散於氣流中之液體成分於液承接空間35自該氣流分離。且如圖2及圖5所示，於杯體3形成有對液承接空間35供給用來促進液體朝排液口38流動之載體溶液之載體溶液供給口35b。
以排氣口37將流入排氣空間34之氣體朝外部排出。且自排液口38以排液機構38s將由液承接空間35承接之液體朝外部排出。排氣口37及排液口38配置於杯體3之同一側，俾如圖5所示相互接近。又，排氣口37與排液口38亦可配置於不同側。且排液機構38s亦可對應所排出之液體種類以不同通道排出液體。例如圖5所示，排液機構38s亦可包含：第1切換閥38a；第1排液管38c，連接第1切換閥38a；第2切換閥38b；及第2排液管38d，連接第2切換閥38b。
此時，對應存在於液承接空間35內之液體種類開啟切換閥38a、38b中任一者，藉此可以不同通道排出不同液體。例如，排出第1化學液時開啟第1切換閥38a朝第1排液管38c排出第1化學液，排出第2化學液時開啟第2切換閥38b朝第2排液管38d排出第2化學液。亦可為對應液體種類更細分排出通道而設置3個以上切換閥及排液管。
其次說明關於杯體3之外形。在此，定義杯體3中較溝槽部33更位於內側之部分為內周部31，定義杯體3中較溝槽部33更位於外側之部分為外周部32。如圖3至圖5所示，杯體3包含：凸緣部44，自內周部31上端部朝外方延伸；及外殼部45，自外周部32上端部朝內方於凸緣部44上方延伸。其中凸緣部44將自晶圓W飛散之液體或來自晶圓W周邊之氣流導往杯體3內部。且外殼部45以其內面承接自旋轉之晶圓W飛散之液體，將其導往杯體3內部。
且將用來使杯體3昇降之昇降機構47安裝於杯體3。
[外殼構件]
外殼構件5於液體處理時自上方包覆杯體3之開口部46，構成為例如圓板形。使外殼構件5昇降之昇降機構48安裝於外殼構件5。藉此，可使外殼構件5接近杯體3，或是使外殼構件5遠離杯體3。圖3至圖5中，顯 示於晶圓W之液體處理時外殼構件5之位置。
其次，說明關於對晶圓W噴吐液體或氣體之噴嘴及噴吐口構造。
一開始先說明關於用來對晶圓W自上方施行處理之上述化學液噴嘴73、83及潤洗噴嘴76、86等構成要素構造。如圖3所示，第1化學液噴嘴73及第1潤洗噴嘴76皆由第1噴嘴驅動部70支持。第1噴嘴驅動部70可使第1化學液噴嘴73及第1潤洗噴嘴76作為一體移動。第1化學液噴嘴73經由供給管75a連接對第1化學液噴嘴73供給SC-1液等第1化學液之第1化學液供給部75，第1潤洗噴嘴76經由供給管78a連接對第1潤洗噴嘴76供給DIW等潤洗液之潤洗液供給部78。同樣地，如圖4所示，第2化學液噴嘴83及第2潤洗噴嘴86皆由第2噴嘴驅動部80支持。第2噴嘴驅動部80可使第2化學液噴嘴83及第2潤洗噴嘴86作為一體移動。第2化學液噴嘴83經由供給管85a連接對第2化學液噴嘴83供給HF液等第2化學液之第2化學液供給部85，第2潤洗噴嘴86經由供給管88a連接對第2潤洗噴嘴86供給DIW等潤洗液之潤洗液供給部88。各噴嘴驅動部70、80如後述安裝於外殼構件5。
[噴嘴驅動部]
參照圖6，詳細說明關於噴嘴驅動部70、80。圖6係顯示自斜下方觀察由第1噴嘴驅動部70支持之第1化學液噴嘴73及第1潤洗噴嘴76時之圖。
如圖6所示，第1噴嘴驅動部70包含：第1噴嘴頭72，支持第1化學液噴嘴73及第1潤洗噴嘴76；及噴嘴頭支持軸71，連接第1噴嘴頭72，可沿其軸方向移動。
同樣地，雖未圖示但第2噴嘴驅動部80包含：第2噴嘴頭，支持第2化學液噴嘴83及第2潤洗噴嘴86；及噴嘴頭支持軸，連接第2噴嘴頭，可沿其軸方向移動。
配置各噴嘴驅動部70、80之噴嘴頭支持軸，俾其軸方向與晶圓W之 半徑方向大致平行。藉由使用如此之噴嘴驅動部70、80，可因應狀況將各化學液噴嘴73、83及潤洗噴嘴76、86配置於晶圓W上所希望之位置。
以下，參照圖7(a)、(b)、(c)、(d)，說明關於各化學液噴嘴73、83及潤洗噴嘴76、86可採取之沿晶圓W半徑方向之位置。又，第1化學液噴嘴73及第1潤洗噴嘴76與第2化學液噴嘴83及第2潤洗噴嘴86可採取之半徑方向位置大致相同，故在此僅說明關於第1化學液噴嘴73及第1潤洗噴嘴76。圖7(a)、(b)、(c)、(d)中自第1化學液噴嘴73及第1潤洗噴嘴76噴吐之第1化學液及潤洗液之液流分別以符號74b及77b表示。
圖7(a)顯示處於較後述第1處理位置更外側，由第1化學液噴嘴73噴吐之第1化學液不到達晶圓W之位置(以下稱第1外方位置)之第1化學液噴嘴73。又，圖7(a)及其以下之圖中，處於第1外方位置之第1化學液噴嘴73以符號73(1)表示。同樣關於其他構成要素，後示之附有括弧之符號(1)亦意指該構成要素處於外方位置。
於第1外方位置，在噴吐第1化學液前可朝晶圓W周緣部實施例如用來使液流74b穩定之所謂假注液。圖7(a)中顯示由處於第1外方位置之第1化學液噴嘴73噴吐之第1化學液之液流74b朝向較晶圓W周緣部更外側之情形。
圖7(b)顯示為朝晶圓W周緣部噴吐第1化學液而配置第1化學液噴嘴73之位置(以下稱第1處理位置)。又，圖7(b)及其以下之圖中，處於第1處理位置之第1化學液噴嘴73以符號73(2)表示。同樣關於其他構成要素，後示附有括弧之符號(2)亦意指其構成要素處於處理位置。化學液噴嘴73處於第1處理位置時，由化學液噴嘴73噴吐之第1化學液之液流74b到達晶圓W周緣部。到達晶圓W周緣部之第1化學液如圖7(b)中以符號74所示，因起因於晶圓W旋轉而產生之離心力，於晶圓W上表面在周緣側擴散。
圖7(c)顯示為朝晶圓W周緣部噴吐潤洗液而配置第1潤洗噴嘴76之位 置(潤洗處理位置)。第1潤洗噴嘴76處於潤洗處理位置時，由第1潤洗噴嘴76噴吐之潤洗液到達晶圓W周緣部。此時，在晶圓W上潤洗液之供給位置較由化學液噴嘴73噴吐而到達晶圓W上之第1化學液之供給位置更朝晶圓W中心側。到達晶圓W上的第1潤洗液如圖7(c)中以符號77所示，因起因於晶圓W旋轉而產生之離心力，於晶圓W上表面在周緣側擴散。
圖7(d)顯示於不噴吐第1化學液期間內可配置第1化學液噴嘴73之位置(以下稱第1待命位置)。又，圖7(d)及其以下之圖中，處於第1待命位置之第1化學液噴嘴73以符號73(3)表示。同樣關於其他構成要素，後示附有括弧之符號(3)亦意指該構成要素處於待命位置。又，本實施形態中，第1化學液噴嘴73及第1潤洗噴嘴76作為一體移動，又，第1化學液噴嘴73處於第1待命位置時，第1潤洗噴嘴76亦處於該待命位置。
如圖7(d)所示，第1化學液噴嘴73之第1待命位置較上述第1外方位置及第1處理位置，及第1潤洗噴嘴76之潤洗處理位置更存在於晶圓W中心側。且第1潤洗噴嘴76之待命位置較第1化學液噴嘴73之第1外方位置及第1處理位置，及第1潤洗噴嘴76之潤洗處理位置更存在於晶圓W中心側。第1化學液噴嘴73之第1待命位置及第1潤洗噴嘴76之待命位置係為防止在由第2化學液噴嘴83等其他噴嘴進行液體處理期間內，來自其他噴嘴之化學液等附著於第1化學液噴嘴73及第1潤洗噴嘴76而令第1化學液噴嘴73及第1潤洗噴嘴76退避之位置。
藉由如此因應狀況以第1噴嘴驅動部70移動第1化學液噴嘴73及第1潤洗噴嘴76，如後述，可防止第1化學液噴嘴73及第1潤洗噴嘴76被污染，並同時有效地實施由第1化學液噴嘴73及第1潤洗噴嘴76進行之液體處理。
如圖7(a)所示，第1潤洗噴嘴76較第1化學液噴嘴73更配置於晶圓W中心側。亦即，如圖7(c)所示，安裝第1化學液噴嘴73及第1潤洗噴嘴76於第1噴嘴頭72，俾一旦以第1噴嘴驅動部70配置第1化學液噴嘴73 於第1外方位置，即同時配置第1潤洗噴嘴76於其處理位置(潤洗處理位置)。藉此，如後述，可以由第1化學液噴嘴73噴吐之第1化學液進行液體處理結束後，馬上對晶圓W周緣部供給潤洗液。且藉由配置第1潤洗噴嘴76於中心側，可防止第1潤洗噴嘴76因由第1化學液噴嘴73噴吐之第1化學液而被污染。又，防止第1潤洗噴嘴76被污染之效果可藉由以後述由氣體供給口49噴出之氣體產生自晶圓W中心側朝外側之氣流更為提高。雖未圖示，但宜亦更配置第2潤洗噴嘴86於較第2化學液噴嘴83更朝晶圓W之中心側，俾第2化學液噴嘴83處於外方位置時由第2潤洗噴嘴86噴吐之潤洗液液流到達晶圓W周緣部。
如圖7(d)所示，在處於第1待命位置之第1化學液噴嘴73與晶圓W之間，設有用來承接自第1化學液噴嘴73滴下之第1化學液之第1液承接部51。藉由設置如此之第1液承接部51，可防止晶圓W因自處於第1待命位置之第1化學液噴嘴73滴下之第1化學液而被污染。第1液承接部51之具體構成雖無特別限定，但例如第1液承接部51可固定於外殼構件5，作為形成有用來防止液體溢出之緣部之構件構成之。且如圖4所示，為承接自處於待命位置之第2化學液噴嘴83滴下之第2化學液亦可設置與第1液承接部51大致相同之第2液承接部52。
宜亦可如圖6所示，於第1化學液噴嘴73附近，設置包含形成有朝第1化學液噴嘴73噴吐清洗液之清洗液噴吐口54b之清洗液供給管54a之第1化學液噴嘴清洗機構53。且於第1化學液噴嘴清洗機構53之清洗液供給管54a亦可更形成朝第1潤洗噴嘴76噴吐清洗液之清洗液噴吐口54b。藉由設置如此之第1化學液噴嘴清洗機構53，可洗掉附著於第1化學液噴嘴73或第1潤洗噴嘴76之液體等。如此之第1化學液噴嘴清洗機構53設於第1噴嘴驅動部70。作為清洗液使用例如DIW等。且雖未圖示但宜設置包含朝第2化學液噴嘴83噴吐清洗液之清洗液噴吐口之第2化學液噴嘴清洗機構於第2化學液噴嘴83附近。第2化學液噴嘴清洗機構之構成與上述第1化學液噴嘴清洗機構53之構成大致相同，故省略詳細說明。
如圖3及圖4所示，宜形成各噴嘴73、76、83、86，俾分別噴吐之化學液及潤洗液之噴吐方向具有朝向晶圓W半徑方向外側之分量。具體而言，如圖3及圖4中就化學液噴嘴73、83放大成以虛線之圓包圍之部分所示，構成各化學液噴嘴73、83，俾在自各化學液噴嘴73、83之噴吐口73a、83a所噴吐之第1化學液及第2化學液之液流74b、84b與水平面H之間形成之角θ1、θ2小於90度。藉此，由化學液噴嘴73、83噴吐而到達晶圓W上之化學液可更迅速地朝晶圓W半徑方向外側飛散。藉此，可使晶圓W附近之環境更保持潔淨。且如圖3及圖4所示，潤洗噴嘴76、86亦同樣地形成。
如圖3至圖5所示，基板處理裝置1亦可更包含氣體供給口49，其設於較第1化學液噴嘴73及第2化學液噴嘴83更朝晶圓W中心側之外殼構件5，朝晶圓W上表面噴出潔淨氣體。作為氣體宜係例如氮等惰性氣體或乾燥空氣等。藉由設置如此之氣體供給口49，可如在外殼構件5與晶圓W之間之空間以箭頭所示，在晶圓W周邊產生自晶圓W中心側朝外側之氣流。藉此，即使以化學液進行液體處理程序時在晶圓W周邊產生化學液之霧氣，亦可防止化學液或霧氣進入晶圓W中心側，將化學液或霧氣迅速地朝晶圓W外側排出。藉此，可防止第1化學液噴嘴73、第2化學液噴嘴83或其他構成要素(潤洗噴嘴等)因化學液之霧氣而被污染，因此，可使晶圓W周邊環境保持潔淨。
其次，說明關於用來自下方對晶圓W施行處理之上述化學液噴吐口90、95等構成要素之構造。如圖3所示，第1化學液噴吐口90形成於杯體3內周部31，且第1化學液噴吐口90經由供給管92a連接供給SC-1液等第1化學液之第1化學液供給部92。同樣地，如圖4所示，第2化學液噴吐口95形成於杯體3之內周部31，且第2化學液噴吐口95經由供給管97a連接供給HF液等第2化學液之第2化學液供給部97。
第1化學液噴吐口90及第2化學液噴吐口95宜分別與第1化學液噴嘴73及第2化學液噴嘴83相同，形成為所噴吐之第1化學液及第2化學 液之噴吐方向具有朝向晶圓W半徑方向外側之分量。藉此，由化學液噴吐口90、95噴吐而到達晶圓W之化學液可更迅速地朝晶圓W半徑方向外側飛散。藉此，可防止第1化學液噴吐口90及第2化學液噴吐口95因化學液之霧氣而被污染，因此，可使晶圓W附近之環境更保持潔淨。
如圖3所示，就第1旋轉方向R1而言於第1化學液噴吐口90之上游側形成有朝晶圓W下表面周緣部噴吐潤洗液之潤洗液噴吐口93。同樣地，如圖4所示，就第2旋轉方向R2而言於第2化學液噴吐口95之上游側形成有朝晶圓W下表面周緣部噴吐潤洗液之潤洗液噴吐口98。藉由配置潤洗液噴吐口93、98於較化學液噴吐口90、95更上游側，可防止由化學液噴吐口90、95噴吐之化學液附著於潤洗液噴吐口93、98。且設置潤洗液噴吐口93、98於較化學液噴吐口90、95更朝晶圓W之中心側。其結果，由潤洗液噴吐口93、98噴吐之潤洗液到達之晶圓W下表面上的區域形成於較晶圓W下表面上的化學液供給位置91a、96a更朝晶圓W之中心側。亦即，與晶圓W上表面側之情形相同，於晶圓W下表面側亦自較化學液更朝晶圓W之中心側供給潤洗液。藉此，可以潤洗液確實清洗晶圓W下表面中化學液曾流動之區域。
又，只要自較化學液更朝晶圓W之中心側供給潤洗液，潤洗液噴吐口93、98之配置無特別限定，例如化學液噴吐口90、95與潤洗液噴吐口93、98亦可沿晶圓W之圓周方向排成一列。
如圖5所示，在較化學液噴吐口90、95及潤洗液噴吐口93、98更朝晶圓W之中心側，亦可形成朝杯體3凸緣部44噴吐DIW等清洗液之清洗液噴吐口40於杯體3內周部31。清洗液噴吐口40如圖3至圖5及圖8所示，呈沿晶圓W圓周方向延伸之狹縫狀形狀。又，圖8係顯示自斜上方觀察形成清洗液噴吐口40或化學液噴吐口90、95及潤洗液噴吐口93、98等之杯體3時之立體圖。藉由設置如此之清洗液噴吐口40，如圖8所示，可沿所有方向產生自清洗液噴吐口40朝向外方之清洗液液流41b。藉此，可橫跨全域以清洗液清洗附著有化學液之凸緣部44。用來對清洗液噴吐口40供給清洗液之具體構成雖無特別限定，但例如圖3至圖5所示，清洗液噴 吐口40連接儲存清洗液之環狀緩衝部40a，緩衝部40a經由供給管41a連接供給清洗液之清洗液供給部41。
且如圖5所示，在較化學液噴吐口90、95及潤洗液噴吐口93、98更朝晶圓W之中心側，亦可形成朝晶圓W下表面噴出氣體之氣體供給口42於杯體3之內周部31。氣體供給口42經由供給管43a連接供給氮等惰性氣體或乾燥空氣等氣體之氣體供給部43。藉由使用如此之氣體供給口42朝晶圓W下表面吹送氣體，可防止化學液或潤洗液進入晶圓W中心側。且可使以化學液或潤洗液進行液體處理完畢後的晶圓W下表面迅速地乾燥。又，與由上述清洗液噴吐口40清洗之凸緣部44之情形不同，以氣體供給口42吹送氣體之晶圓W可藉由旋轉驅動軸22任意旋轉。因此，即使在氣體供給口42非以狹縫狀而係以點狀構成時，亦可朝晶圓W下表面沿晶圓W圓周方向以無間隙之方式吹送來自氣體供給口42之氣體。
[杯體之液承接空間]
其次，就關於杯體3之液承接空間35被考慮之課題，及用來解決該課題之較佳構成進行說明。
如上述，藉由依本實施形態之基板處理裝置1所實施之液體處理係針對晶圓W周緣部之液體處理。亦即，係處理對象之晶圓W區域受到限定。因此，在依本實施形態之基板處理裝置1所使用之化學液或潤洗液的量相較於針對晶圓W全域進行液體處理之類型的基板處理裝置較少。例如，液體處理時對晶圓W所噴吐之化學液量於每分鐘約為30ml。可想像此時依使用之化學液種類，於杯體3液承接空間35內化學液之流動性不足，因此化學液到達排液口38需耗費時間。化學液若於液承接空間35內長時間地停留，即可能產生來自化學液之霧氣或因不同化學液相混溶而造成之異物等，故不佳。
在此依本實施形態，杯體3底面由朝排液口38往下方傾斜之液承接底面39構成，又，排液口38形成於液承接底面39中處於最低位置之液承接 底面39b。此液承接底面39b之高度例如圖5所示，恰低於液承接底面39中處於最高位置(係最高位)之液承接底面39a△h。藉由設於如此朝排液口38往下方傾斜之液承接底面39，可使液承接空間35內之化學液朝排液口38流動。藉此，可使存在於液承接空間35內之化學液更迅速地到達排液口38。又，處於最高位置之液承接底面39a與排液口38宜分開180度設置。此時，形成自處於最高位置之液承接底面39a往左右雙方朝向排液口38之傾斜。又，本實施形態中，處於最高位置之液承接底面39a位於杯體3之液承接空間35中，進入因連接晶圓W中心點Wc與第1化學液供給位置74a中心點74c之直線，及連接晶圓W中心點Wc與第2化學液供給位置84a中心點84c之直線而形成之銳角之區域。具體而言，處於最高位置之液承接底面39a位於杯體3中較對應第1化學液供給位置74a之位置沿第1旋轉方向R1更上游側，且較對應第2化學液供給位置84a之位置沿第2旋轉方向R2更上游側。
如圖2及圖5所示，在處於最高位置之液承接底面39a，宜設置在液承接底面39上供給載體溶液35c之載體溶液供給口35b。在此所謂「載體溶液」係為增加液承接空間35內中液體之流量，藉此形成沿液承接底面39朝向排液口38之穩定的液流，而對液承接空間35內所供給之液體。如此之載體溶液之種類雖無特別限定，但例如使用DIW。
載體溶液供給口35b如圖2所示，宜設於第1化學液供給位置74a與第2化學液供給位置84a之間，設置於對應中間點之位置則更佳。又，所謂「對應中間點之位置」意指將載體溶液供給口35b配置在通過連接第1化學液供給位置74a中心點74c與第2化學液供給位置84a中心點84c之直線中點，及晶圓W中心點Wc之直線上。藉由於如此之位置設置載體溶液供給口35b，可有效使由第1化學液噴嘴73噴吐而抵達液承接空間35之第1化學液，及由第2化學液噴嘴83噴吐而抵達液承接空間35之第2化學液中任一者皆往排液口38而去。
圖9係概略顯示自晶圓W飛散而抵達液承接空間35之化學液等液體 35d朝排液口38而去之情形之圖。如圖9所示，液承接空間35中，藉由液承接底面39中之傾斜，與由載體溶液供給口35b所供給之載體溶液35c，形成沿液承接底面39朝向排液口38之液流。因此，即使在自晶圓W飛散而抵達液承接空間35之液體35d的量少之情形下，亦可以載體溶液35c為載體使液體35d迅速抵達排液口38。藉此，可防止化學液等於液承接空間35內長時間地停留。
又，液承接底面39之傾斜程度，或由載體溶液供給口35b所供給之載體溶液35c的量無特別限定，可對應自晶圓W飛散而抵達液承接空間35之液體35d的量等適當設定之。
[控制部]
基板處理裝置1包含整合控制其整體動作之控制部7。控制部7控制基板處理裝置1所有功能零件(例如旋轉驅動軸22、昇降機構47、48、清洗液供給部41、氣體供給部43、噴嘴驅動部70、80、化學液供給部75、85、92、97、潤洗液供給部78、88、94、99等)之動作。控制部7可藉由作為硬體之例如通用電腦，與作為軟體之用來使該電腦動作之程式(裝置控制程式及處理配方等)實現。軟體可儲存於固定設置於電腦之硬碟驅動機等記憶媒體，或是儲存於CDROM、DVD、快閃記憶體等以可裝卸之方式安裝於電腦之記憶媒體。處理器可因應所需根據來自使用者介面之指示等自記憶媒體叫出既定處理配方並實行之，藉此基板處理裝置1各功能零件在控制部7之控制下動作，進行既定處理。
其次，說明關於使用上述基板處理裝置1，去除處於晶圓W周緣部之不要的膜或物質之液體處理之一連串程序。
<晶圓送入及設置程序>
一開始先令外殼構件5朝上方退避，令杯體3朝下方退避。其後，將晶圓W送入基板處理裝置1內部，在基板固持部21上載置晶圓W。基板固持部21藉由吸附等固持晶圓W。其後，令杯體3上昇，俾配置晶圓W 於杯體3之開口部46。且令外殼構件5下降，俾杯體3之開口部46由外殼構件5包覆。藉此，如圖3至圖5所示，實現外殼構件5與晶圓W上表面隔著既定空間對向以進行液體處理之狀態。
其次，自氣體供給口49對晶圓W上表面供給潔淨氣體。藉此，於晶圓W與外殼構件5之間之空間產生自晶圓W中心側朝向外側之氣流。又，以下程序中，只要未特別提及，皆持續自氣體供給口49朝晶圓W送入氣體。
<第1化學液體處理程序>
其次參照圖10(a)~(f)，說明關於晶圓W之液體處理程序。一開始先說明關於朝晶圓W噴吐第1化學液(SC-1液)之第1化學液體處理程序。
一開始先以旋轉驅動部24使晶圓W(固持晶圓W之基板固持部21)朝第1旋轉方向R1旋轉。轉速例如為2000~3000rpm。且如圖10(a)所示，使第1化學液噴嘴73朝第1外方位置移動。此時第2化學液噴嘴83配置於較第2化學液噴嘴83朝晶圓W周緣部噴吐第2化學液時所處之後述第2處理位置更朝晶圓W中心側之第2待命位置。其次，開始第1化學液噴嘴73中第1化學液之假注液，藉此使第1化學液之液流74b穩定。
液流74b穩定後，即噴吐第1化學液並同時令第1化學液噴嘴73朝第1處理位置移動。藉此，如圖10(b)所示，對晶圓W上表面周緣部供給第1化學液。且使用第1化學液噴吐口90，對晶圓W下表面周緣部供給第1化學液。圖10(b)中，存在於晶圓W上表面之第1化學液以符號74表示，存在於晶圓下表面之第1化學液以符號91表示。如圖10(b)所示，對朝第1旋轉方向R1旋轉之晶圓W周緣部所供給之第1化學液74、91因由旋轉造成的離心力而朝晶圓W外側移動，然後自晶圓W被甩掉而朝外方飛散。朝晶圓W外方飛散之第1化學液經由杯體3液承接空間35自排液口38朝外部排出。此時，載體溶液供給部35a亦可經由載體溶液供給口35b在液承接底面39上供給載體溶液35c。藉此，可使液承接空間35內之第1化學液 迅速抵達排液口38。
在晶圓W上第1化學液74自晶圓W被甩掉之位置取決於由第1化學液噴嘴73噴吐之第1化學液之速度、晶圓W之旋轉速度及自上述第1化學液供給位置74a至晶圓W側端部之距離等參數。本實施形態中，設定此等參數，俾到達晶圓W之第1化學液自晶圓W被甩掉止所需之晶圓W旋轉角度ψ1(以下稱甩切角ψ1)在上述化學液噴嘴間中心角φ1以下。藉此，可防止對晶圓W上表面周緣部供給之第1化學液74抵達第2化學液噴嘴83附近。又，上述甩切角ψ1作為連接第1化學液供給位置74a中心點74c與晶圓W中心點Wc之直線，及連接第1化學液74被甩掉之點(圖10(b)中以符號74d表示之點)與晶圓W中心點Wc因而形成之直線之間所形成之角度定義之。
宜調整晶圓W旋轉速度等上述各參數，俾第1化學液74被甩掉之點74d就第1旋轉方向R1而言存在於排液口38上游側。藉此，可使自晶圓W飛散而抵達液承接空間35之第1化學液迅速到達排液口38。且此時，起因於飛散之第1化學液之霧氣就第1旋轉方向R1而言主要係在排液口38上游側產生。產生之霧氣可自設置成接近排液口38之排氣口37迅速排出。因此，可抑制霧氣於排液口38下游側流動。藉此，可使晶圓W周邊環境更保持潔淨。
又，如上述，形成第1化學液噴嘴73，俾所噴吐之第1化學液噴吐方向具有朝向晶圓W半徑方向外側之分量。因此，對晶圓W周緣部供給之第1化學液74可更迅速地朝晶圓W外側移動，其結果，甩切角ψ1更小。藉此，可更確實地防止對晶圓W上表面周緣部供給之第1化學液74抵達第2化學液噴嘴83附近。又，亦可形成第1化學液噴吐口90與第1化學液噴嘴73相同，俾所噴吐之第1化學液噴吐方向具有朝向晶圓W半徑方向外側之分量。
以第1化學液體處理晶圓W周緣部結束後，第1噴嘴驅動部70令持 續噴吐第1化學液之第1化學液噴嘴73朝第1外方位置移動。藉此，可維持第1化學液穩定之液流至最後，並同時結束對晶圓W供給第1化學液。第1化學液噴嘴73到達第1外方位置後，第1化學液噴嘴73停止噴吐第1化學液。
<第1潤洗處理程序>
以第1化學液體處理晶圓W周緣部結束後，如圖10(c)所示，處於處理位置(潤洗處理位置)之第1潤洗噴嘴76朝晶圓W上表面周緣部噴吐潤洗液。圖10(c)中，存在於晶圓W上表面之潤洗液以符號77表示。且潤洗液噴吐口93朝晶圓W下表面周緣部噴吐潤洗液。圖10(c)中，存在於晶圓W下表面之潤洗液以符號93a表示。又，由第1潤洗噴嘴76及潤洗液噴吐口93噴吐而到達晶圓W上之潤洗液供給位置較由第1化學液噴嘴73及第1化學液噴吐口90噴吐而到達晶圓W上之第1化學液供給位置更處於晶圓W中心側。因此，可以潤洗液確實清洗晶圓W上表面及下表面中第1化學液曾流動之區域。
又，如上述，第1化學液噴嘴73處於第1外方位置時，第1潤洗噴嘴76處於其處理位置。因此，第1化學液噴嘴73結束對晶圓W供給第1化學液後，第1潤洗噴嘴76可馬上對晶圓W周緣部開始供給潤洗液。藉此，第1化學液在晶圓W上乾燥前，可對晶圓W供給潤洗液。藉此，可確實防止起因於第1化學液乾燥而可能產生之微粒等在晶圓W上形成。
以潤洗液去除殘留於晶圓W周緣部之第1化學液後，第1潤洗噴嘴76及潤洗液噴吐口93停止噴吐潤洗液。其後，停止晶圓W朝第1旋轉方向R1旋轉。且令第1化學液噴嘴73朝第1待命位置移動。
<第2化學液體處理程序>
其次，以旋轉驅動部24令晶圓W(固持晶圓W之基板固持部21)朝第2旋轉方向R2旋轉。轉速例如為2000~3000rpm。且如圖10(d)所示，令第2化學液噴嘴83朝第2外方位置移動。此時配置第1化學液噴嘴73於較上 述第1處理位置更處於晶圓W中心側之第1待命位置。其次，開始以第2化學液噴嘴83假注液第2化學液，藉此使第2化學液之液流84b穩定。
液流84b穩定後，即噴吐第2化學液並同時令第2化學液噴嘴83朝第2處理位置移動。藉此，如圖10(e)所示，對晶圓W上表面周緣部供給第2化學液。且使用第2化學液噴吐口95，對晶圓W下表面周緣部供給第2化學液。圖10(e)中，存在於晶圓W上表面之第2化學液以符號84表示，存在於晶圓下表面之第2化學液以符號96表示。如圖10(e)所示，對朝第2旋轉方向R2旋轉之晶圓W周緣部供給之第2化學液84、96因旋轉造成的離心力朝晶圓W外側移動，然後自晶圓W被甩掉而朝外方飛散。朝晶圓W外方飛散之第2化學液經由杯體3液承接空間35自排液口38朝外部被排出。此時，載體溶液供給口35b亦可在液承接底面39a上供給載體溶液35c。藉此，可使液承接空間35內之第2化學液迅速抵達排液口38。
在此，與上述第1化學液74之情形相同，就第2化學液84而言，其甩切角ψ2亦在上述化學液噴嘴間中心角φ1以下。藉此，可防止對晶圓W上表面周緣部供給之第2化學液84抵達第1化學液噴嘴73附近。第2化學液84被甩掉之點84d宜就第2旋轉方向R2而言存在於排液口38上游側。藉此，可抑制起因於飛散之第2化學液之霧氣就第2旋轉方向R2而言流往排液口38下游側。
且與上述第1化學液噴嘴73之情形相同，形成第2化學液噴嘴83，俾所噴吐之第2化學液噴吐方向具有朝向晶圓W半徑方向外側之分量。藉此，可更確實地防止對晶圓W上表面周緣部供給之第2化學液84抵達第1化學液噴嘴73附近。又，亦可形成第2化學液噴吐口95，俾所噴吐之第2化學液噴吐方向亦具有朝向晶圓W半徑方向外側之分量。
以第2化學液體處理晶圓W周緣部結束後，第2噴嘴驅動部80令持續噴吐第2化學液之第2化學液噴嘴83朝第2外方位置移動。藉此，可維持第2化學液穩定之液流至最後，並同時結束對晶圓W供給第2化學液。 第2化學液噴嘴83到達第2外方位置後，第2化學液噴嘴83停止噴吐第2化學液。
<第2潤洗處理程序>
以第2化學液體處理晶圓W周緣部結束後，如圖10(f)所示，處於處理位置(潤洗處理位置)之第2潤洗噴嘴86朝晶圓W上表面周緣部噴吐潤洗液。圖10(f)中，存在於晶圓W上表面之潤洗液以符號87表示。且潤洗液噴吐口98朝晶圓W下表面周緣部噴吐潤洗液。圖10(f)中，存在於晶圓W下表面之潤洗液以符號98a表示。又，由第2潤洗噴嘴86及潤洗液噴吐口98噴吐而到達晶圓W上之潤洗液供給位置較由第2化學液噴嘴83及第2化學液噴吐口95噴吐而到達晶圓W上之第2化學液供給位置更處於晶圓W中心側。因此，可以潤洗液確實清洗晶圓W上表面及下表面中第2化學液曾流動之區域。
在此，與上述第1化學液噴嘴73及第1潤洗噴嘴76之情形相同，第2化學液噴嘴83處於第2外方位置時，第2潤洗噴嘴86處於其處理位置。因此，第2化學液噴嘴83結束對晶圓W供給第2化學液後，第2潤洗噴嘴86可馬上開始朝晶圓W周緣部供給潤洗液。藉此，第2化學液在晶圓W上乾燥前，可對晶圓W供給潤洗液。藉此，可確實防止起因於第2化學液乾燥而可能產生之微粒等在晶圓W上形成。
以潤洗液去除殘留於晶圓W周緣部之第2化學液後，第2潤洗噴嘴86及潤洗液噴吐口98停止噴吐潤洗液。其後，令第2化學液噴嘴83朝第2待命位置移動。
<乾燥處理程序>
上述第2潤洗處理程序後，繼續持續令晶圓W旋轉。藉此，以離心力甩掉殘留在晶圓W上的潤洗液。且自氣體供給口42朝晶圓W下表面吹送氣體。如此去除殘留在晶圓W上的潤洗液。此時，為更有效率地實施乾燥處理，亦可設定晶圓W之旋轉速度高於上述化學液體處理程序及潤洗處理 程序時之旋轉速度。
<晶圓送出程序>
上述乾燥處理後，停止晶圓W之旋轉，又，令外殼構件5朝上方退避。其次，令杯體3下降至晶圓W之傳遞位置。其後，將晶圓W自基板處理裝置1朝外部送出。如此，針對晶圓W之一連串液體處理完畢。
<清洗程序>
針對晶圓W之一連串液體處理完畢後，清洗液噴吐口40朝杯體3之凸緣部44噴吐DIW等清洗液。藉此，可洗掉附著於凸緣部44之化學液等。且第1化學液噴嘴清洗機構53自清洗液噴吐口54b朝第1化學液噴嘴73及第1潤洗噴嘴76噴吐DIW等清洗液。噴吐清洗液之期間內，亦可藉由噴嘴頭支持軸71令第1化學液噴嘴73及第1潤洗噴嘴76往復移動。藉此，可使清洗液無例外地到達第1化學液噴嘴73及第1潤洗噴嘴76整體所有處。同樣地，雖無圖示但第2化學液噴嘴清洗機構自清洗液噴吐口朝第2化學液噴嘴83及第2潤洗噴嘴86噴吐DIW等清洗液。藉此，可洗掉附著於化學液噴嘴73、83及潤洗噴嘴76、86之化學液等。如此，在送入下一晶圓W前，可洗掉殘留於基板處理裝置1內部之化學液等，藉此，可使基板處理裝置1內部環境潔淨。
又，上述清洗程序未必每針對1片晶圓W進行液體處理即實施，亦可每針對既定片數晶圓W進行液體處理即實施。且亦可以各化學液噴嘴清洗機構清洗化學液噴嘴或潤洗噴嘴後，自清洗液噴吐口54b朝潤洗噴嘴噴吐氮等氣體。藉此，可促進化學液噴嘴或潤洗噴嘴乾燥。
如以上說明，依本實施形態，旋轉驅動部24在第1化學液噴嘴73噴吐第1化學液時，令晶圓W朝第1旋轉方向R1旋轉，且在第2化學液噴嘴83噴吐第2化學液時，令晶圓W朝第2旋轉方向R2旋轉。因此，可抑制由第1化學液噴嘴73噴吐之第1化學液抵達第2化學液噴嘴83附近，且可抑制由第2化學液噴嘴83噴吐之第2化學液抵達第1化學液噴嘴73附近。藉此，可防止由一方化 學液噴嘴噴吐之化學液附著於另一方化學液噴嘴，藉此，可防止在化學液噴嘴上第1化學液與第2化學液相混溶。藉此，可保持晶圓W周邊環境潔淨。
且依本實施形態，連接晶圓W中心點Wc與第1化學液供給位置74a及第2化學液供給位置84a因而形成之化學液噴嘴間中心角φ1大於180度。藉此，可確保第1化學液噴嘴73與第2化學液噴嘴83之間之距離夠長。藉此，可更確實地抑制由一方化學液噴嘴噴吐之化學液抵達另一方噴嘴附近。
且依本實施形態，在第1化學液噴嘴73噴吐第1化學液期間內，配置第2化學液噴嘴83於較第2處理位置更處於晶圓W中心側之第2待命位置。且在第2化學液噴嘴83噴吐第2化學液期間內，配置第1化學液噴嘴73於較第1處理位置更處於晶圓W中心側之第1待命位置。因此，更可防止由一方化學液噴嘴噴吐之化學液附著於另一方化學液噴嘴，藉此，更可防止第1化學液與第2化學液相混溶。
且依本實施形態，形成化學液噴嘴73、83，俾所噴吐之化學液噴吐方向具有朝向晶圓W半徑方向外側之分量，藉此可迅速甩掉到達晶圓W之化學液。藉此，可更防止在化學液噴嘴上第1化學液與第2化學液相混溶。藉此，可更使晶圓W周邊環境保持潔淨。
且依本實施形態，如上述，對應所噴吐之化學液使晶圓W之旋轉方向不同並設定化學液噴嘴間中心角φ1大於180度，藉此於杯體3之液承接空間35分離第1化學液通過之通道與第2化學液通過之通道亦成為可能。藉此，可防止於液承接空間35第1化學液與第2化學液相混溶，藉此，可使晶圓W周邊環境更保持潔淨。且如上述，傾斜設置液承接空間35之液承接底面39，或對液承接空間35之液承接底面39供給載體溶液35c，藉此於液承接空間35可迅速排出化學液，可更防止第1化學液與第2化學液相混溶。藉此，可更使晶圓W周邊環境保持潔淨。
且依本實施形態，對旋轉之晶圓W周緣部供給化學液，故可藉由離心 力迅速甩掉到達晶圓W之化學液。且如上述，形成化學液噴嘴73、83，俾所噴吐之化學液噴吐方向具有朝向晶圓W半徑方向外側之分量。藉此，可更迅速地自晶圓W甩掉化學液。此外，自氣體供給口49朝晶圓W上表面供給潔淨氣體，因此，可於晶圓W周邊產生自晶圓W中心側朝外側之氣流。藉此，可防止化學液或霧氣進入晶圓W中心側。藉由此等者，可防止第1化學液噴嘴73、第2化學液噴嘴83或其他構成要素(潤洗噴嘴等)因化學液或霧氣而被污染，因此，可更使晶圓W周邊環境保持潔淨。
又，可對上述實施形態施加各種變更。以下，說明關於變形之一例。
[液體處理方法之變形例]
上述本實施形態中，已揭示分別自同一排液口38排出第1化學液及第2化學液之例。然而，不限於此，排出第1化學液之排液口38，與排出第2化學液之排液口38亦可分別形成於杯體3之液承接底面39b。藉此，可防止第1化學液與第2化學液於排液口38相混溶。藉此，可更使晶圓W周邊環境保持潔淨。
[液體處理方法之變形例]
上述本實施形態中，已揭示在一方化學液噴嘴噴吐化學液期間內，配置另一方化學液噴嘴於較其處理位置更處於晶圓W中心側之待命位置之例。然而，不限於此，在一方化學液噴嘴噴吐化學液期間內，亦可配置另一方化學液噴嘴於其處理位置。參照圖11(a)~(f)說明關於如此例。
圖11(a)~(f)係顯示依本變形例之液體處理程序圖，係對應依上述本實施形態之圖10(a)~(f)之圖。本變形例中，如圖11(b)所示，第1化學液噴嘴73朝晶圓W周緣部噴吐第1化學液時，第2化學液噴嘴83非配置於第2待命位置而係配置於第2處理位置。此時亦設定上述化學液噴嘴間中心角φ1或晶圓W旋轉方向，俾由第1化學液噴嘴73對晶圓W上表面周緣部所供給之第1化學液不抵達第2化學液噴嘴83附近。藉此，可防止在第2化學液噴嘴83上第1化學液與第2化學液相混溶。
且本變形例中，如圖11(e)所示，第2化學液噴嘴83朝晶圓W周緣部噴吐第2化學液時，第1化學液噴嘴73非配置於第1待命位置而係配置於第1處理位置。此時亦設定上述化學液噴嘴間中心角φ1或晶圓W旋轉方向，俾由第2化學液噴嘴83對晶圓W上表面周緣部所供給之第2化學液不抵達第1化學液噴嘴73附近。藉此，可防止在第1化學液噴嘴73上第1化學液與第2化學液相混溶。
[潤洗噴嘴配置之變形例]
且上述本實施形態中，已揭示第1潤洗噴嘴76較第1化學液噴嘴73更配置於晶圓W中心側之例。然而，不限於此，例如圖12(a)~(d)所示，第1化學液噴嘴73與第1潤洗噴嘴76亦可沿晶圓W圓周方向排成一列。以下，說明關於本變形例中之液體處理程序。又，為使其簡單，圖12中省略第1化學液噴嘴73及第1潤洗噴嘴76以外的噴嘴或噴吐口。
本變形例中，一開始先令晶圓W朝第1旋轉方向R1旋轉，且如圖12(a)所示，令第1化學液噴嘴73朝第1外方位置移動，開始假注液。其次如圖12(b)所示，令第1化學液噴嘴73朝第1處理位置移動，藉此對晶圓W周緣部供給第1化學液。其後，如圖12(c)所示，令持續噴吐第1化學液之第1化學液噴嘴73朝第1外方位置移動。第1化學液噴嘴73到達第1外方位置後，馬上停止由第1化學液噴嘴73噴吐第1化學液。其次，令第1噴嘴頭72迅速朝晶圓W中心側移動，又，配置第1潤洗噴嘴76於其處理位置。其後，如圖12(d)所示，第1潤洗噴嘴76朝晶圓W上表面周緣部噴吐潤洗液77。藉此，洗掉殘留在晶圓W上的第1化學液。
如此依本變形例，藉由迅速實施停止由第1化學液噴嘴73噴吐第1化學液，及朝處理位置移動第1潤洗噴嘴76，於第1化學液在晶圓W上乾燥前，可對晶圓W供給潤洗液。
又，雖未圖示，但與第1潤洗噴嘴76之情形相同，第2化學液噴嘴83與 第2潤洗噴嘴86亦可沿晶圓W圓周方向排成一列。此時亦可藉由迅速實施停止由第2化學液噴嘴83噴吐第2化學液，及朝處理位置移動第2潤洗噴嘴86，於第2化學液在晶圓W上乾燥前，對晶圓W供給潤洗液。
且上述本實施形態及變形例中，已揭示第1化學液噴嘴73及第1潤洗噴嘴76皆安裝於第1噴嘴頭72，因此第1化學液噴嘴73及第1潤洗噴嘴76呈一體移動之例。然而，不限於此，用來使第1潤洗噴嘴76自第1化學液噴嘴73獨立移動之噴嘴驅動部(未經圖示)亦可與第1噴嘴驅動部70個別設置。同樣地，用來使第2潤洗噴嘴86自第2化學液噴嘴83獨立移動之噴嘴驅動部(未經圖示)亦可與第2噴嘴驅動部80個別設置。
又，雖已說明相對於上述實施形態之數種變形例，但當然亦可適當組合複數變形例以適用之。
R1‧‧‧第1旋轉方向
R2‧‧‧第2旋轉方向
Wc‧‧‧中心點
W‧‧‧半導體晶圓
θ1、θ2‧‧‧角
ψ1‧‧‧甩切角(旋轉角度)
ψ2‧‧‧甩切角
72‧‧‧第1噴嘴頭
73(1)‧‧‧處於第1外方位置之第1化學液噴嘴
73(2)‧‧‧處於第1處理位置之第1化學液噴嘴
73(3)‧‧‧處於第1待命位置之第1化學液噴嘴
74c‧‧‧中心點
74b‧‧‧液流
74‧‧‧存在於晶圓W上表面之第1化學液(到達晶圓W周緣部之第1化學液)
74d‧‧‧第1化學液74被甩掉之點
76‧‧‧第1潤洗噴嘴
77‧‧‧存在於晶圓W上表面之潤洗液(到達晶圓W上的第1潤洗液)
83‧‧‧第2化學液噴嘴
84‧‧‧存在於晶圓W上表面之第2化學液
84b‧‧‧液流
84c‧‧‧中心點
86‧‧‧第2潤洗噴嘴
87a‧‧‧第2潤洗液供給位置
87‧‧‧存在於晶圓W上表面之潤洗液
90‧‧‧第1化學液噴吐口
91‧‧‧存在於晶圓下表面之第1化學液
91c‧‧‧中心點
93‧‧‧潤洗液噴吐口
93a‧‧‧存在於晶圓W下表面之潤洗液
95‧‧‧第2化學液噴吐口
96‧‧‧存在於晶圓下表面之第2化學液
96c‧‧‧中心點
98‧‧‧潤洗液噴吐口
98a‧‧‧存在於晶圓W下表面之潤洗液

Claims (16)

  1. 一種基板處理裝置，一面使受水平固持之基板旋轉一面藉由化學液進行基板周緣部之液體處理，其特徵在於包含：基板固持部，水平固持基板；旋轉驅動部，令該基板固持部旋轉；第1化學液噴嘴，朝基板周緣部上的第1化學液供給位置噴吐第1化學液；及第2化學液噴嘴，朝基板周緣部上的第2化學液供給位置噴吐第2化學液；且該旋轉驅動部在該第1化學液噴嘴噴吐第1化學液時，令該基板固持部朝第1旋轉方向旋轉；而在該第2化學液噴嘴噴吐第2化學液時，令該基板固持部朝與第1旋轉方向相反之第2旋轉方向旋轉，連結基板中心與該第1化學液供給位置中心點及該第2化學液供給位置中心點因而形成之中心角，在以該第1化學液供給位置為基準沿第1旋轉方向觀察該中心角時大於180度。
  2. 一種基板處理裝置，其包含：基板固持部，為了藉由化學液進行基板周緣部之液體處理而水平固持基板；旋轉驅動部，一面藉由該基板固持部使受水平固持之基板旋轉，一面為了進行液體處理而令該基板固持部旋轉；第1化學液噴嘴，朝基板周緣部上的第1化學液供給位置噴吐第1化學液；及第2化學液噴嘴，朝基板周緣部上的第2化學液供給位置噴吐第2化學液；該第1化學液噴嘴係形成為：使其所噴吐之第1化學液之噴吐方向朝該第1旋轉方向傾斜，該第2化學液噴嘴係形成為：使其所噴吐之第2化學液之噴吐方向朝該第2旋轉方向傾斜。 該旋轉驅動部在該第1化學液噴嘴噴吐第1化學液時，令該基板固持部 朝第1旋轉方向旋轉；而在該第2化學液噴嘴噴吐第2化學液時，令該基板固持部朝與第1旋轉方向相反之第2旋轉方向旋轉，於令該基板固持部朝第1旋轉方向時，從朝該第1旋轉方向傾斜之該第1化學液噴嘴噴吐該第1化學液，於令該基板固持部朝第2旋轉方向時，從朝該第2旋轉方向傾斜之該第2化學液噴嘴噴吐該第2化學液。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中：該第1化學液噴嘴係形成為：使其所噴吐之第1化學液之噴吐方向朝該第1旋轉方向傾斜，該第2化學液噴嘴係形成為：使其所噴吐之第2化學液之噴吐方向朝該第2旋轉方向傾斜。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中：該第1化學液噴嘴及該第2化學液噴嘴係形成為：使其所噴吐之第1化學液及第2化學液之噴吐方向分別具有朝向基板半徑方向外側之分量。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中：該第1化學液噴嘴及該第2化學液噴嘴係配置成：分別朝該基板上表面噴吐第1化學液及第2化學液，該基板處理裝置更包含：第1化學液噴吐口，朝基板下表面上的第3化學液供給位置噴吐第1化學液；及第2化學液噴吐口，朝基板下表面上的第4化學液供給位置噴吐第2化學液；且該第3化學液供給位置相對於該第1化學液供給位置包夾著該基板，且位於沿該第1旋轉方向之下游側，該第4化學液供給位置相對於該第2化學液供給位置包夾著該基板，且位於沿該第2旋轉方向之下游側。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中：更包含杯體，該杯體形成有：環狀液承接空間，承接自基板飛散之第1化學液及第2化學液；及排液口，排出第1化學液及/或第2化學液；且該杯體底面藉由朝該排液口往下方傾斜之液承接底面構成，該液承接底面在對應第1化學液供給位置之位置與對應第2化學液供給位置之位置之間為最高位，自最高位之部分起，沿第1旋轉方向及第2旋轉方向朝下方傾斜。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中：設有對該液承接底面中的最高位之部分供給載體溶液之載體溶液供給口。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中：更包含外殼構件，其設置成與基板上表面隔著空間對向，該第1化學液噴嘴及該第2化學液噴嘴安裝於該外殼構件。
  9. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中：更包含第1清洗液噴吐口及第2清洗液噴吐口，其朝該第1化學液噴嘴及該第2化學液噴嘴噴吐清洗液。
  10. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中：更包含噴嘴驅動部，其令該第1化學液噴嘴及該第2化學液噴嘴沿水平方向移動，該第1化學液噴嘴及該第2化學液噴嘴分別一面噴吐第1化學液及第2化學液，一面自該基板外方起，移動至朝第1化學液供給位置及第2化學液供給位置噴吐第1化學液及第2化學液之位置止。
  11. 一種基板處理方法，一面使受水平固持之基板旋轉一面藉由化學液進行基板周緣部之液體處理，其特徵在於包含：令水平固持基板之基板固持部朝第1旋轉方向旋轉； 在基板固持部朝第1旋轉方向旋轉時，藉由第1化學液噴嘴朝基板周緣部上的第1化學液供給位置噴吐第1化學液；令基板固持部朝與第1旋轉方向相反之第2旋轉方向旋轉；在基板固持部朝第2旋轉方向旋轉時，藉由第2化學液噴嘴朝基板周緣部上的第2化學液供給位置噴吐第2化學液；及連結基板中心與該第1化學液供給位置及該第2化學液供給位置因而形成之中心角在以該第1化學液供給位置為基準沿第1旋轉方向觀察該中心角時大於180度。
  12. 一種基板處理方法，其一面藉由基板固持部使受水平固持之基板旋轉，一面藉由化學液進行基板周緣部之液體處理，其特徵在於包含：令該基板固持部朝第1旋轉方向旋轉；於令該基板固持部朝該第1旋轉方向時，從使其所噴吐之第1化學液之噴吐方向朝該第1旋轉方向傾斜而形成之第1化學液噴嘴，朝基板周緣部上的第1化學液供給位置噴吐第1化學液；令該基板固持部朝與第1旋轉方向相反之第2旋轉方向旋轉；及於令該基板固持部朝該第2旋轉方向時，從使其所噴吐之第2化學液之噴吐方向朝該第2旋轉方向傾斜而形成之第2化學液噴嘴，朝基板周緣部上的第2化學液供給位置噴吐第2化學液。
  13. 如申請專利範圍第11項之基板處理方法，其中：在藉由該第1化學液噴嘴朝基板周緣部上的第1化學液供給位置噴吐該第1化學液時，該第1化學液噴嘴一面噴吐第1化學液，一面自該基板外方，移動至朝第1化學液供給位置噴吐第1化學液之位置為止。
  14. 如申請專利範圍第11項之基板處理方法，其中：該第1化學液噴嘴及該第2化學液噴嘴係配置成：分別朝該基板上表面噴吐第1化學液及第2化學液，該基板處理方法更包含：在該第1化學液噴嘴噴吐第1化學液時，朝基板下表面上的第3化學液供 給位置噴吐第1化學液；及在該第2化學液噴嘴噴吐第2化學液時，朝基板下表面上的第4化學液供給位置噴吐第2化學液；且該第3化學液供給位置相對於該第1化學液供給位置包夾著該基板，並位於沿該第1旋轉方向之下游側，該第4化學液供給位置相對於該第2化學液供給位置包夾著該基板，並位於沿該第2旋轉方向之下游側。
  15. 一種記憶媒體，儲存有用來令基板處理裝置實行基板處理方法之電腦程式，其特徵在於該基板處理方法包含：令水平固持基板之基板固持部朝第1旋轉方向旋轉；在基板固持部朝第1旋轉方向旋轉時，藉由第1化學液噴嘴朝基板周緣部上的第1化學液供給位置噴吐第1化學液；令基板固持部朝與第1旋轉方向相反之第2旋轉方向旋轉；在基板固持部朝第2旋轉方向旋轉時，藉由第2化學液噴嘴朝基板周緣部上的第2化學液供給位置噴吐第2化學液；及連結基板中心與該第1化學液供給位置及該第2化學液供給位置因而形成之中心角在以該第1化學液供給位置為基準沿第1旋轉方向觀察該中心角時大於180度。
  16. 一種記憶媒體，儲存有用來令基板處理裝置實行基板處理方法之電腦程式，其特徵在於該基板處理方法包含：令該基板固持部朝第1旋轉方向旋轉；於令該基板固持部朝該第1旋轉方向時，從使其所噴吐之第1化學液之噴吐方向朝該第1旋轉方向傾斜而形成之第1化學液噴嘴，朝基板周緣部上的第1化學液供給位置噴吐第1化學液；令該基板固持部朝與第1旋轉方向相反之第2旋轉方向旋轉；及於令該基板固持部朝該第2旋轉方向時，從使其所噴吐之第2化學液之噴吐方向朝該第2旋轉方向傾斜而形成之第2化學液噴嘴，朝基板周緣部上的第2化學液供給位置噴吐第2化學液。
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