JP6584356B2 - 基板処理装置及び基板処理装置の処理方法 - Google Patents
基板処理装置及び基板処理装置の処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6584356B2 JP6584356B2 JP2016068187A JP2016068187A JP6584356B2 JP 6584356 B2 JP6584356 B2 JP 6584356B2 JP 2016068187 A JP2016068187 A JP 2016068187A JP 2016068187 A JP2016068187 A JP 2016068187A JP 6584356 B2 JP6584356 B2 JP 6584356B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- wafer
- processing
- imaging
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 315
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 123
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 251
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 178
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 97
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 95
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 84
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 24
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- 230000009545 invasion Effects 0.000 claims 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 312
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 113
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 85
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 47
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 31
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 31
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 29
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 24
- 230000008859 change Effects 0.000 description 22
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 12
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 10
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 9
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 5
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 5
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 description 4
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000037007 arousal Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
- H01L21/02087—Cleaning of wafer edges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B13/00—Viewfinders; Focusing aids for cameras; Means for focusing for cameras; Autofocus systems for cameras
- G03B13/32—Means for focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B17/00—Details of cameras or camera bodies; Accessories therefor
- G03B17/02—Bodies
- G03B17/08—Waterproof bodies or housings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Description
本実施形態では、ステップS302及びステップS303で撮像した位置から1度ずつ回転させながら360回の撮像を行うので、360個の位置で撮像を行った場合にのみ判断“Yes”がなされる。
・カット幅[mm]=カット面領域1102の幅[mm]+ラウンド領域1103の幅[mm]・・・式(1)
ここで、
・カット面領域1102の幅[mm]=(カット面境界1110の位置[画素]−処理膜境界1109の位置[画素])/スケーリング値[画素/mm]・・・式(2)
・ラウンド領域1103の幅[mm]=(ウエハ周縁端1111の位置[画素]−カット面境界1110の位置[画素])/スケーリング値[画素/mm]・・・式(3)
上記実施形態の変形例1として、焦点調節に関連するシステム構成例を2つ説明する。
上記実施形態の変形例2として、図7の全体フローにおける測定処理又はウエハ処理を追加的に実行する例を説明する。図7のステップS104での測定結果として、カット幅が図16の様な滑らかな曲線を描かず、例えば、数度単位で現れる小さな凹凸を複数個含んでいる場合がある(不図示)。この様な現象は特に処理膜境界1109が径方向に一定でないときに起こるので、処理膜が周方向に一様の幅で除去されず、部分的な膜残りが生じていることを意味する。部分的な膜残りは、ノズル位置設定の精度不足のためではなく、薬液処理の実行時間が不足しているために起こっている可能性が高い。したがって、カット幅の測定結果に小さな凹凸が生じた場合は、もう一度同じ薬液処理を繰り返す制御を行う。これにより、残った膜の上に十分な量の薬液が再び供給されるので、膜残りも容易に除去でき、測定対象であったウエハW自体も良好な処理結果を得ることができる。
第1実施形態では、撮像装置270を使用して偏芯量WDを計測できるようにしたが、この偏芯量WDに基づき、ウエハWの保持位置を自動調整するようにしても良い。本実施形態では、保持位置調整機構を処理ユニット16の内部に設けた場合の動作について説明する。
上記実施形態では、測定処理装置601は、測定処理を開始するに先立ちまず撮像装置270の撮像設定を行っているが、これを測定対象のウエハや処理の内容に応じて変更可能にするように構成しても良い。
本実施形態では、情報処理装置601が蓄積する測定処理結果の情報を分析処理し、装置の保守や管理に活用する手法について説明する。
第1〜第4実施形態では、ウエハ処理の結果又は偏芯量を取得するために、薬液処理を行う前か又は処理を行った後に、測定処理を行うものであった。
16 基板処理ユニット
250A 処理液供給部
250B 処理液供給部
270 撮像装置
601 測定処理装置
602 情報処理装置
Claims (6)
- 基板の周縁部の膜を除去する処理を行う基板処理装置であって、
前記基板を保持して回転させる回転保持部と、
前記回転保持部により基板が第1回転方向に回転しているとき、前記基板の周縁部に前記膜を除去するための第1処理液を供給する第1処理液供給部と、
前記第1回転方向に関して前記基板における第1処理液の到達領域よりも手前の位置に設置され前記基板の周縁部を撮像する撮像部と、
前記回転保持部により基板が前記第1回転方向とは逆の第2回転方向に回転しているとき、前記基板の周縁部に前記膜を除去するための第2処理液を供給する第2処理液供給部を備え、
前記撮像部は、前記第2回転方向に関して前記基板における第2処理液の到達領域よりも手前であって前記第1処理液供給部と前記第2処理液供給部の間に設置されることを特徴とする基板処理装置。 - 基板の周縁部の膜を除去する処理を行う基板処理装置であって、
前記基板を保持して回転させる回転保持部と、
前記回転保持部により基板が第1回転方向に回転しているとき、前記基板の周縁部に前記膜を除去するための第1処理液を供給する第1処理液供給部と、
前記第1回転方向に関して前記基板における第1処理液の到達領域よりも手前の位置に設置され前記基板の周縁部を撮像する撮像部と、
を備え、
前記回転保持部により保持された基板の周縁部を上方から覆う円環状のカバー部材をさらに有し、
前記撮像部は、前記カバー部材の一部を切り欠いて取り付けられ、前記基板の光学像を導く光ガイド部と前記光学像を撮像する撮像機能部から構成されており、前記切り欠かれたカバー部材と前記光ガイド部とを合わせた全体の断面形状の輪郭は、前記カバー部材の断面形状の輪郭と一致することを特徴とする基板処理装置。 - 基板の周縁部の膜を除去する処理を行う基板処理装置であって、
前記基板を保持して回転させる回転保持部と、
前記回転保持部により基板が第1回転方向に回転しているとき、前記基板の周縁部に前記膜を除去するための第1処理液を供給する第1処理液供給部と、
前記第1回転方向に関して前記基板における第1処理液の到達領域よりも手前の位置に設置され前記基板の周縁部を撮像する撮像部と、
を備え、
前記回転保持部により保持された基板の周縁部を上方から覆う円環状のカバー部材をさらに有し、
前記撮像部の上面であって前記円環状のカバー部材よりも高い位置に、焦点調整を行うための調節部材が配置されていることを特徴とする基板処理装置。 - 前記カバー部材に取り付けられたときの前記撮像部の下端の高さは、前記カバー部材の前記基板と対向する下面の高さと一致することを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記撮像部に設けられた前記基板を撮像するための開口の下端に、前記撮像部の内部への雰囲気の侵入を遮断するガラス窓が設けられていることを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記基板を保持して回転させる回転保持部と、前記基板の周縁部の膜を除去するための第1処理液を供給する第1処理液供給部と、前記基板の周縁部を撮像するための開口を設けた撮像部と、を備える基板処理装置の処理方法であって、
前記回転保持部により基板が第1回転方向に回転しているとき、第1処理液供給部により前記基板の周縁部に前記膜を除去するための第1処理液を供給する第1処理液供給工程と、
前記回転保持部により基板が第1回転方向とは逆の第2回転方向に回転しているとき、第2処理液供給部により前記基板の周縁部に前記膜を除去するための第2処理液を供給する第2処理液供給工程と、
前記第1処理液供給工程を行っているときに、前記第1回転方向に関して前記基板における第1処理液の到達領域よりも手前で、かつ、前記第2回転方向に関して前記基板における第2処理液の到達領域よりも手前であって前記第1処理液供給部と前記第2処理液供給部の間に設置された前記撮像部によって前記基板の周縁部を撮像する撮像工程と、
を備えることを特徴とする基板処理装置の処理方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016068187A JP6584356B2 (ja) | 2016-03-30 | 2016-03-30 | 基板処理装置及び基板処理装置の処理方法 |
TW106107138A TWI692025B (zh) | 2016-03-30 | 2017-03-06 | 基板處理裝置及基板處理裝置之處理方法 |
US15/454,154 US10217628B2 (en) | 2016-03-30 | 2017-03-09 | Substrate processing apparatus and processing method of substrate processing apparatus |
KR1020170029936A KR102286315B1 (ko) | 2016-03-30 | 2017-03-09 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 처리 방법 |
CN201710142173.0A CN107275201B (zh) | 2016-03-30 | 2017-03-10 | 基板处理装置和基板处理装置的处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016068187A JP6584356B2 (ja) | 2016-03-30 | 2016-03-30 | 基板処理装置及び基板処理装置の処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017183492A JP2017183492A (ja) | 2017-10-05 |
JP6584356B2 true JP6584356B2 (ja) | 2019-10-02 |
Family
ID=59959749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016068187A Active JP6584356B2 (ja) | 2016-03-30 | 2016-03-30 | 基板処理装置及び基板処理装置の処理方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10217628B2 (ja) |
JP (1) | JP6584356B2 (ja) |
KR (1) | KR102286315B1 (ja) |
CN (1) | CN107275201B (ja) |
TW (1) | TWI692025B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019151041A1 (ja) * | 2018-02-05 | 2019-08-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 |
US11468590B2 (en) * | 2018-04-24 | 2022-10-11 | Cyberoptics Corporation | Wireless substrate-like teaching sensor for semiconductor processing |
JP7144982B2 (ja) * | 2018-06-22 | 2022-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
KR102162187B1 (ko) | 2018-08-31 | 2020-10-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP7202828B2 (ja) * | 2018-09-26 | 2023-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板検査方法、基板検査装置および記録媒体 |
JP7157816B2 (ja) * | 2018-10-23 | 2022-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP7285741B2 (ja) * | 2019-08-30 | 2023-06-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7330027B2 (ja) * | 2019-09-13 | 2023-08-21 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、および、基板処理方法 |
JP7443163B2 (ja) * | 2020-05-27 | 2024-03-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
WO2022054528A1 (ja) * | 2020-09-08 | 2022-03-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 周縁処理装置、周縁処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4316210B2 (ja) * | 2002-08-27 | 2009-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 保守システム,基板処理装置及び遠隔操作装置 |
JP2004179211A (ja) | 2002-11-25 | 2004-06-24 | Nec Kansai Ltd | レジスト塗布装置のエッジリンス機構 |
KR20060068454A (ko) * | 2004-12-16 | 2006-06-21 | 삼성전자주식회사 | 스핀 세정 장치 |
JP4601452B2 (ja) * | 2005-02-22 | 2010-12-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP5143498B2 (ja) * | 2006-10-06 | 2013-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置、プログラムならびに記録媒体 |
JP2008244328A (ja) | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体基板の処理方法 |
KR101011637B1 (ko) * | 2008-06-24 | 2011-01-28 | 참엔지니어링(주) | 버퍼 모듈을 갖는 웨이퍼 가공 장치 및 그의 기능 수행 방법 |
JP5693438B2 (ja) * | 2011-12-16 | 2015-04-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
JP5729326B2 (ja) * | 2012-02-14 | 2015-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
JP6000743B2 (ja) * | 2012-08-10 | 2016-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5951444B2 (ja) * | 2012-10-25 | 2016-07-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6329428B2 (ja) * | 2014-05-09 | 2018-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理装置の付着物除去方法、及び記憶媒体 |
JP6475071B2 (ja) | 2015-04-24 | 2019-02-27 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2016
- 2016-03-30 JP JP2016068187A patent/JP6584356B2/ja active Active
-
2017
- 2017-03-06 TW TW106107138A patent/TWI692025B/zh active
- 2017-03-09 KR KR1020170029936A patent/KR102286315B1/ko active IP Right Grant
- 2017-03-09 US US15/454,154 patent/US10217628B2/en active Active
- 2017-03-10 CN CN201710142173.0A patent/CN107275201B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107275201B (zh) | 2022-03-04 |
US10217628B2 (en) | 2019-02-26 |
US20170287703A1 (en) | 2017-10-05 |
TWI692025B (zh) | 2020-04-21 |
KR20170113097A (ko) | 2017-10-12 |
JP2017183492A (ja) | 2017-10-05 |
KR102286315B1 (ko) | 2021-08-05 |
TW201802927A (zh) | 2018-01-16 |
CN107275201A (zh) | 2017-10-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6611652B2 (ja) | 基板処理装置の管理方法、及び基板処理システム | |
JP6584356B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理装置の処理方法 | |
JP6537992B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、及び基板処理システム | |
JP6254929B2 (ja) | 測定処理装置、基板処理システム、測定用治具、測定処理方法、及びその記憶媒体 | |
JP6562864B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理装置の調整方法 | |
JP6541605B2 (ja) | 基板処理装置、及び基板処理装置の撮像方法 | |
TW202402415A (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP2016115863A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180213 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190404 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190806 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190903 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6584356 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |