JP7202828B2 - 基板検査方法、基板検査装置および記録媒体 - Google Patents

Description

本開示は、基板検査方法、基板検査装置および記録媒体に関する。

基板（例えば、半導体ウエハ）の微細加工時に行われるレジスト膜の形成をスピンコート法で行う場合、ウエハの表面全体にレジスト膜が形成される。しかしながら、このようなウエハを搬送アームによって搬送すると、搬送アームがウエハの周縁を把持する際に搬送アームにレジスト膜が付着する場合がある。そのため、ウエハの周縁領域に存在するレジスト膜を除去する周縁除去処理が行われることがある（例えば、特許文献１，２参照）。

特開平１１－３３３３５５号公報 特開２００２－１５８１６６号公報

ところで、ウエハは様々な工程を経て製造されるため、ウエハが当初から（微細加工が施される前から）反りを有する場合がある。また、製造工程の途中にウエハが反ってしまうこともある。ウエハが反りを有する場合、ウエハの処理に際してウエハが回転すると、ウエハの周縁の高さ位置が変動し得る。反りを考慮せずに上記の周縁除去処理などを実施した場合、レジスト膜の周縁部の除去を適切に行うことができない可能性が考えられる。

本開示の例示的実施形態は、ウエハの反りを精度良く測定することが可能な技術を提供する。

本開示の例示的実施形態は、反り量が既知である基準基板を保持する保持台を回転し、当該基準基板の周縁全周にわたって前記基準基板の端面をカメラによって撮像する第１の工程と、前記第１の工程で得られた撮像画像を画像処理して、前記基準基板の端面の形状データを前記基準基板の周縁全周にわたって取得する第２の工程と、被処理基板を保持する前記保持台を回転し、当該被処理基板の周縁全周にわたって前記被処理基板の端面をカメラによって撮像する第３の工程と、前記第３の工程で得られた撮像画像を画像処理して、前記被処理基板の端面の形状データを前記被処理基板の周縁全周にわたって取得する第４の工程と、前記第１の工程における前記保持台の回転位置と、前記第３の工程における前記保持台の回転位置と、が一致する条件で、前記第２の工程で取得された形状データと前記第４の工程で取得された形状データとの差分を求めることで、前記被処理基板の反り量を算出する第５の工程と、を含む、基板検査方法である。

一つの例示的実施形態によれば、ウエハの反りを精度良く測定することが可能な技術を提供する。

図１は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムを示す斜視図である。 図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線断面図である。 図３は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムにおける単位処理ブロック（ＢＣＴブロック、ＨＭＣＴブロック及びＤＥＶブロック）を示す上面図である。 図４は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムにおける単位処理ブロック（ＣＯＴブロック）を示す上面図である。 図５は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムにおける液処理ユニットを示す模式図である。 図６は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムにおける検査ユニットを上方から見た断面図である。 図７は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムにおける検査ユニットを側方から見た断面図である。 図８は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムにおける検査ユニットを示す斜視図である。 図９は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムにおける周縁撮像サブユニットを前方から見た斜視図である。 図１０は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムにおける周縁撮像サブユニットを後方から見た斜視図である。 図１１は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムにおける周縁撮像サブユニットの上面図である。 図１２は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムにおける二面撮像モジュールの側面図である。 図１３は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムにおけるミラー部材を示す斜視図である。 図１４は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムにおけるミラー部材を示す側面図である。 図１５（ａ）は一つの例示的実施形態に係る基板処理システムにおいて照明モジュールからの光がミラー部材において反射する様子を説明するための図であり、図１５（ｂ）は一つの例示的実施形態に係る基板処理システムにおいてウエハからの光がミラー部材において反射する様子を説明するための図である。 図１６は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムにおける裏面撮像サブユニットの側面図である。 図１７は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムにおける周縁露光ユニットを側方から見た断面図である。 図１８は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムにおける周縁露光ユニットを示す斜視図である。 図１９は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムにおける基板処理システムの主要部を示すブロック図である。 図２０は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムにおけるコントローラのハードウェア構成を示す概略図である。 図２１は、一つの例示的実施形態に係る基板処理方法における基準ウエハのプロファイル線を算出する手順を説明するためのフローチャートである。 図２２は、一つの例示的実施形態に係る基板処理方法におけるウエハの処理手順の一例を説明するためのフローチャートである。 図２３は、一つの例示的実施形態に係る基板処理方法におけるウエハ検査の処理手順を説明するためのフローチャートである。 図２４は、一つの例示的実施形態に係る基板処理方法における反り量の算出方法を説明する図であり、保持台の回転位置に係る補正を行わない場合について説明する図である。 図２５は、一つの例示的実施形態に係る基板処理方法における反り量の算出方法を説明する図であり、保持台の回転位置に係る補正を行う場合について説明する図である。 図２６は、一つの例示的実施形態に係る基板処理方法におけるウエハのプロファイル線を算出する手順の変形例を説明するためのフローチャートである。

以下、種々の例示的実施形態について説明する。

一つの例示的実施形態において、基板検査方法を提供する。基板検査方法は、反り量が既知である基準基板を保持する保持台を回転し、当該基準基板の周縁全周にわたって前記基準基板の端面をカメラによって撮像する第１の工程と、前記第１の工程で得られた撮像画像を画像処理して、前記基準基板の端面の形状データを前記基準基板の周縁全周にわたって取得する第２の工程と、被処理基板を保持する前記保持台を回転し、当該被処理基板の周縁全周にわたって前記被処理基板の端面をカメラによって撮像する第３の工程と、前記第３の工程で得られた撮像画像を画像処理して、前記被処理基板の端面の形状データを前記被処理基板の周縁全周にわたって取得する第４の工程と、前記第１の工程における前記保持台の回転位置と、前記第３の工程における前記保持台の回転位置と、が一致する条件で、前記第２の工程で取得された形状データと前記第４の工程で取得された形状データとの差分を求めることで、前記被処理基板の反り量を算出する第５の工程と、を含む。

上記の基板検査方法によれば、被処理基板の反り量を算出する際に、第１の工程および第３の工程における保持台の回転位置が一致する条件で、第２の工程で取得された形状データと第４の工程で取得された形状データとの差分を求める。このような構成とすることで、保持台の回転位置に応じて形状の変化に対応する成分が反り量に含まれることを防ぐことができる。したがって、反り量をより精度良く算出することができる。

別の例示的実施形態において、前記保持台は、前記保持台の回転の基準となる基準点を有し、前記第１の工程において、前記保持台を回転した際の前記基準点の位置を特定する情報を取得し、前記第３の工程において、前記保持台を回転した際の前記基準点の位置を特定する情報を取得し、前記第５の工程において、前記第１の工程で前記保持台を回転した際の前記基準点の位置を特定する情報を前記第２の工程で取得された形状データに対応付けるとともに、前記第３の工程で前記保持台を回転した際の前記基準点の位置を特定する情報を前記第４の工程で取得された形状データに対して前記保持台の回転位置に係る情報を対応付け、前記第１の工程における前記保持台の前記基準点の位置と、前記第３の工程における前記保持台の前記基準点の位置と、が一致する条件で、前記第２の工程で取得された形状データと前記第４の工程で取得された形状データとの差分を求める態様とすることができる。

上記の態様では、保持台の回転の基準となる基準点を予め定めておき、保持台を回転した際の基準点の位置を特定した上で、第１の工程における保持台の基準点の位置と第３の工程における保持台の基準点の位置とが一致する条件で、形状データの差分を求める。このような構成とした場合、基準点の位置を利用して、第１の工程における保持台の回転位置と、第３の工程における保持台の回転位置とが一致する条件を速やかに見出すことができ、形状データの差分を求めることができる。したがって、より高い精度での反り量の算出を簡単に行うことができる。

別の例示的実施形態において、前記第１の工程における前記基準基板を保持する直前の前記保持台の回転位置と、前記第３の工程における前記被処理基板を保持する直前の前記保持台の回転位置と、を一致させるとともに、前記第５の工程において、前記第２の工程で取得された形状データと前記第４の工程で取得された形状データとの差分を求める態様とすることができる。

上記の態様では、基準基板および被処理基板を保持する直前での保持台の回転位置が一致されている。そのため、第５の工程において、形状データの差分を求めるときに、補正等を行わなくても、第１の工程における保持台の回転位置と、第３の工程における保持台の回転位置と、が一致する条件を作ることができる。したがって、より高い精度での反り量の算出を簡単に行うことができる。

別の例示的実施形態において、前記基準基板は平坦であり、前記第２の工程で取得される形状データは、前記基準基板の端面の中央を通る第１のプロファイル線のデータであり、前記第４の工程で取得される形状データは、前記被処理基板の端面の中央を通る第２のプロファイル線のデータである態様とすることができる。この場合、第１及び第２のプロファイル線のデータから被処理基板の反り量をより簡単に算出することができる。

一つの例示的実施形態において、基板検査装置を提供する。基板検査装置は、前記被処理基板を保持して回転させるように構成された保持台と、カメラとを制御する制御部を備え、前記制御部は、反り量が既知である基準基板を保持する保持台を回転し、当該基準基板の周縁全周にわたって前記基準基板の端面をカメラによって撮像する第１の処理と、前記第１の処理で得られた撮像画像を画像処理して、前記基準基板の端面の形状データを前記基準基板の周縁全周にわたって取得する第２の処理と、被処理基板を保持する前記保持台を回転し、当該被処理基板の周縁全周にわたって前記被処理基板の端面をカメラによって撮像する第３の処理と、前記第３の処理で得られた撮像画像を画像処理して、前記被処理基板の端面の形状データを前記被処理基板の周縁全周にわたって取得する第４の処理と、前記第１の処理における前記保持台の回転位置と、前記第３の処理における前記保持台の回転位置と、が一致する条件で、前記第２の処理で取得された形状データと前記第４の処理で取得された形状データとの差分を求めることで、前記被処理基板の反り量を算出する第５の処理と、を実行する。

上記の基板検査装置によれば、制御部において被処理基板の反り量を算出する際に、第１の処理および第３の処理における保持台の回転位置が一致する条件で、第２の処理で取得された形状データと第４の処理で取得された形状データとの差分を求める処理が実行される。このような構成とすることで、保持台の回転位置に応じて形状の変化に対応する成分が反り量に含まれることを防ぐことができる。したがって、反り量をより精度良く算出することができる。

一つの例示的実施形態において、記録媒体が提供される。記録媒体は、上記の基板処理方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体である。

この場合、上記の基板処理方法と同様の作用効果を奏する。本明細書において、コンピュータ読み取り可能な記録媒体には、一時的でない有形の媒体（non-transitory computer recording medium）（例えば、各種の主記憶装置又は補助記憶装置）や、伝播信号（transitory computer recording medium）（例えば、ネットワークを介して提供可能なデータ信号）が含まれる。

以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

［基板処理システム］
図１に示されるように、基板処理システム１（基板検査装置）は、塗布現像装置２と、コントローラ１０とを備える。基板処理システム１には、露光装置３が併設されている。露光装置３は、基板処理システム１のコントローラ１０と通信可能なコントローラ（図示せず）を備える。露光装置３は、塗布現像装置２との間でウエハＷ（基板）を授受して、ウエハＷの表面Ｗａ（図５等参照）に形成された感光性レジスト膜の露光処理（パターン露光）を行うように構成されている。具体的には、液浸露光等の方法により感光性レジスト膜（感光性被膜）の露光対象部分に選択的にエネルギー線を照射する。エネルギー線としては、例えばＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、ｇ線、ｉ線、又は極端紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet）が挙げられる。

塗布現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、感光性レジスト膜又は非感光性レジスト膜（以下、あわせて「レジスト膜Ｒ」（図５参照）という。）をウエハＷの表面Ｗａに形成する処理を行う。塗布現像装置２は、露光装置３による感光性レジスト膜の露光処理後に、当該感光性レジスト膜の現像処理を行う。

ウエハＷは、円板状を呈してもよいし、多角形など円形以外の板状を呈していてもよい。ウエハＷは、一部が切り欠かれた切り欠き部を有していてもよい。切り欠き部は、例えば、ノッチ（Ｕ字形、Ｖ字形等の溝）であってもよいし、直線状に延びる直線部（いわゆる、オリエンテーション・フラット）であってもよい。ウエハＷは、例えば、半導体基板、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板その他の各種基板であってもよい。ウエハＷの直径は、例えば２００ｍｍ～４５０ｍｍ程度であってもよい。なお、ウエハＷの縁にベベル（面取り）が存在する場合、本明細書における「表面」には、ウエハＷの表面Ｗａ側から見たときのベベル部分も含まれる。同様に、本明細書における「裏面」には、ウエハＷの裏面Ｗｂ（図５等参照）側から見たときのベベル部分も含まれる。本明細書における「端面」には、ウエハＷの端面Ｗｃ（図５等参照）側から見たときのベベル部分も含まれる。

図１～図４に示されるように、塗布現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インターフェースブロック６とを備える。キャリアブロック４、処理ブロック５及びインターフェースブロック６は、水平方向に並んでいる。

キャリアブロック４は、図１、図３及び図４に示されるように、キャリアステーション１２と、搬入搬出部１３とを有する。キャリアステーション１２は複数のキャリア１１を支持する。キャリア１１は、少なくとも一つのウエハＷを密封状態で収容する。キャリア１１の側面１１ａには、ウエハＷを出し入れするための開閉扉（図示せず）が設けられている。キャリア１１は、側面１１ａが搬入搬出部１３側に面するように、キャリアステーション１２上に着脱自在に設置される。

キャリア１１内には、記録媒体１１ｂが設けられている（図１参照）。記録媒体１１ｂは、例えば不揮発性メモリであり、キャリア１１内のウエハＷと、当該ウエハＷに関する情報（詳しくは後述する。）とを対応づけて記憶している。キャリア１１がキャリアステーション１２上に装着されている状態において、記録媒体１１ｂにはコントローラ１０がアクセス可能であり、記録媒体１１ｂの情報の読み出しと、記録媒体１１ｂへの情報の書き出しが行える。

搬入搬出部１３は、キャリアステーション１２及び処理ブロック５の間に位置している。搬入搬出部１３は、複数の開閉扉１３ａを有する。キャリアステーション１２上にキャリア１１が載置される際には、キャリア１１の開閉扉が開閉扉１３ａに面した状態とされる。開閉扉１３ａ及び側面１１ａの開閉扉を同時に開放することで、キャリア１１内と搬入搬出部１３内とが連通する。搬入搬出部１３は、受け渡しアームＡ１を内蔵している。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウエハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウエハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。

処理ブロック５は、図１及び図２に示されるように、単位処理ブロック１４～１７を有する。単位処理ブロック１４～１７は、床面側から単位処理ブロック１７、単位処理ブロック１４、単位処理ブロック１５、単位処理ブロック１６の順に並んでいる。単位処理ブロック１４，１５，１７は、図３に示されるように、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２（加熱部）と、検査ユニットＵ３とを有する。単位処理ブロック１６は、図４に示されるように、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２（加熱部）と、検査ユニットＵ３と、周縁露光ユニットＵ４とを有する。

液処理ユニットＵ１は、各種の処理液をウエハＷの表面Ｗａに供給するように構成されている（詳しくは後述する。）。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板によりウエハＷを加熱し、加熱後のウエハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行うように構成されている。検査ユニットＵ３は、ウエハＷの各面（表面Ｗａ、裏面Ｗｂ及び端面Ｗｃ（図５等参照））を検査するように構成されている（詳しくは後述する。）。周縁露光ユニットＵ４は、レジスト膜Ｒが形成されたウエハＷの周縁領域Ｗｄ（図５等参照）に紫外線を照射して、レジスト膜Ｒのうち周縁領域Ｗｄに位置する部分についての露光処理を行うように構成されている。

単位処理ブロック１４は、ウエハＷの表面Ｗａ上に下層膜を形成するように構成された下層膜形成ブロック（ＢＣＴブロック）である。単位処理ブロック１４は、各ユニットＵ１～Ｕ３にウエハＷを搬送する搬送アームＡ２を内蔵している（図２及び図３参照）。単位処理ブロック１４の液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の塗布液をウエハＷの表面Ｗａに塗布して塗布膜を形成する。単位処理ブロック１４の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させて下層膜とするための加熱処理が挙げられる。下層膜としては、例えば、反射防止（ＳｉＡＲＣ）膜が挙げられる。

単位処理ブロック１５は、下層膜上に中間膜を形成するように構成された中間膜（ハードマスク）形成ブロック（ＨＭＣＴブロック）である。単位処理ブロック１５は、各ユニットＵ１～Ｕ３にウエハＷを搬送する搬送アームＡ３を内蔵している（図２及び図３参照）。単位処理ブロック１５の液処理ユニットＵ１は、中間膜形成用の塗布液を下層膜上に塗布して塗布膜を形成する。単位処理ブロック１５の熱処理ユニットＵ２は、中間膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させて中間膜とするための加熱処理が挙げられる。中間膜としては、例えば、ＳＯＣ（Spin On Carbon）膜、アモルファスカーボン膜が挙げられる。

単位処理ブロック１６は、熱硬化性を有するレジスト膜Ｒを中間膜上に形成するように構成されたレジスト膜形成ブロック（ＣＯＴブロック）である。単位処理ブロック１６は、各ユニットＵ１～Ｕ４にウエハＷを搬送する搬送アームＡ４を内蔵している（図２及び図４参照）。単位処理ブロック１６の液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の塗布液（レジスト剤）を中間膜上に塗布して塗布膜を形成する。単位処理ブロック１６の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させてレジスト膜Ｒとするための加熱処理（ＰＡＢ：Pre Applied Bake）が挙げられる。

単位処理ブロック１７は、露光されたレジスト膜Ｒの現像処理を行うように構成された現像処理ブロック（ＤＥＶブロック）である。単位処理ブロック１７は、各ユニットＵ１～Ｕ３にウエハＷを搬送する搬送アームＡ５と、これらのユニットを経ずにウエハＷを搬送する直接搬送アームＡ６とを内蔵している（図２及び図３参照）。単位処理ブロック１７の液処理ユニットＵ１は、露光後のレジスト膜Ｒに現像液を供給してレジスト膜Ｒを現像する。単位処理ブロック１７の液処理ユニットＵ１は、現像後のレジスト膜Ｒにリンス液を供給して、レジスト膜Ｒの溶解成分を現像液と共に洗い流す。これにより、レジスト膜Ｒが部分的に除去され、レジストパターンが形成される。単位処理ブロック１６の熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等が挙げられる。

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には、図２～図４に示されるように、棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、床面から単位処理ブロック１５にわたって設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウエハＷを昇降させる。

処理ブロック５内におけるインターフェースブロック６側には、棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は床面から単位処理ブロック１７の上部にわたって設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

インターフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１のウエハＷを取り出して露光装置３に渡し、露光装置３からウエハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻すように構成されている。

コントローラ１０は、基板処理システム１を部分的又は全体的に制御する。コントローラ１０の詳細については後述する。なお、コントローラ１０は露光装置３のコントローラとの間で信号の送受信が可能であり、各コントローラの連携により基板処理システム１及び露光装置３が制御される。

［液処理ユニットの構成］
続いて、図５を参照して、液処理ユニットＵ１についてさらに詳しく説明する。液処理ユニットＵ１は、図５に示されるように、回転保持部２０と、液供給部３０（塗布液供給部）と、液供給部４０（溶剤供給部）を備える。

回転保持部２０は、回転部２１と、保持部２２とを有する。回転部２１は、上方に突出したシャフト２３を有する。回転部２１は、例えば電動モータ等を動力源としてシャフト２３を回転させる。保持部２２は、シャフト２３の先端部に設けられている。保持部２２上にはウエハＷが配置される。保持部２２は、例えば、吸着等によりウエハＷを略水平に保持する吸着チャックである。保持部２２（吸着チャック）の形状は特に限定されないが、例えば円形であってもよい。保持部２２のサイズは、ウエハＷよりも小さくてもよい。保持部２２が円形の場合、保持部２２のサイズは、例えば直径が８０ｍｍ程度であってもよい。

回転保持部２０は、ウエハＷの姿勢が略水平の状態で、ウエハＷの表面Ｗａに対して垂直な軸（回転軸）周りでウエハＷを回転させる。本実施形態では、回転軸は、円形状を呈するウエハＷの中心を通っているので、中心軸でもある。本実施形態では、図５に示されるように、回転保持部２０は、上方から見て時計回りにウエハＷを回転させる。

液供給部３０は、ウエハＷの表面Ｗａに処理液Ｌ１を供給するように構成されている。単位処理ブロック１４～１６において、処理液Ｌ１は、下層膜、中間膜又はレジスト膜を形成するための各種塗布液である。この場合、液供給部３０は、塗布液供給部として機能する。単位処理ブロック１７において、処理液Ｌ１は現像液である。この場合、液供給部３０は、現像液供給部として機能する。

液供給部３０は、液源３１と、ポンプ３２と、バルブ３３と、ノズル３４と、配管３５とを有する。液源３１は、処理液Ｌ１の供給源として機能する。ポンプ３２は、液源３１から処理液Ｌ１を吸引し、配管３５及びバルブ３３を介してノズル３４に送り出す。ノズル３４は、吐出口がウエハＷの表面Ｗａに向かうようにウエハＷの上方に配置されている。ノズル３４は、図示しない駆動部によって水平方向及び上下方向に移動可能に構成されている。ノズル３４は、ポンプ３２から送り出された処理液Ｌ１を、ウエハＷの表面Ｗａに吐出可能である。配管３５は、上流側から順に、液源３１、ポンプ３２、バルブ３３及びノズル３４を接続している。

液供給部４０は、ウエハＷの表面Ｗａに処理液Ｌ２を供給するように構成されている。単位処理ブロック１４～１６において、処理液Ｌ２は、下層膜、中間膜又はレジスト膜をウエハＷから除去するための各種有機溶剤である。この場合、液供給部４０は、溶剤供給部として機能する。単位処理ブロック１７において、処理液Ｌ２はリンス液である。この場合、液供給部４０は、リンス液供給部として機能する。

液供給部４０は、液源４１と、ポンプ４２と、バルブ４３と、ノズル４４と、配管４５とを有する。液源４１は、処理液Ｌ２の供給源として機能する。ポンプ４２は、液源４１から処理液Ｌ２を吸引し、配管４５及びバルブ４３を介してノズル４４に送り出す。ノズル４４は、吐出口がウエハＷの表面Ｗａに向かうようにウエハＷの上方に配置されている。ノズル４４は、図示しない駆動部によって水平方向及び上下方向に移動可能に構成されている。ノズル４４は、ポンプ４２から送り出された処理液Ｌ２を、ウエハＷの表面Ｗａに吐出可能である。配管４５は、上流側から順に、液源４１、ポンプ４２、バルブ４３及びノズル４４を接続している。

［検査ユニットの構成］
続いて、図６～図１６を参照して、検査ユニットＵ３についてさらに詳しく説明する。検査ユニットＵ３は、図６～図８に示されるように、筐体１００と、回転保持サブユニット２００（回転保持部）と、表面撮像サブユニット３００と、周縁撮像サブユニット４００（基板撮像装置）と、裏面撮像サブユニット５００とを有する。各サブユニット２００～５００は、筐体１００内に配置されている。筐体１００のうち一端壁には、ウエハＷを筐体１００の内部に搬入及び筐体１００の外部に搬出するための搬入出口１０１が形成されている。

回転保持サブユニット２００は、保持台２０１と、アクチュエータ２０２，２０３と、ガイドレール２０４とを含む。保持台２０１は、例えば、吸着等によりウエハＷを略水平に保持する吸着チャックである。保持台２０１（吸着チャック）の形状は特に限定されないが、例えば円形であってもよい。保持台２０１のサイズは、ウエハＷよりも小さくてもよく、保持部２２（吸着チャック）のサイズと同程度であってもよい。保持台２０１が円形の場合、保持台２０１（吸着チャック）のサイズは、例えば直径が８０ｍｍ程度であってもよい。

アクチュエータ２０２は、例えば電動モータであり、保持台２０１を回転駆動する。すなわち、アクチュエータ２０２は、保持台２０１に保持されているウエハＷを回転させる。アクチュエータ２０２は、保持台２０１の回転位置を検出するためのエンコーダを含んでいてもよい。この場合、各撮像サブユニット３００，４００，５００によるウエハＷの各面の撮像位置と、回転位置との対応付けを行うことができる。ウエハＷが切り欠き部を有する場合には、各撮像サブユニット３００，４００，５００によって判別された当該切り欠き部とエンコーダによって検出された回転位置とに基づいて、ウエハＷの姿勢を特定することができる。なお、保持台２０１の回転位置とは保持台２０１の回転角度である。

アクチュエータ２０３は、例えばリニアアクチュエータであり、保持台２０１をガイドレール２０４に沿って移動させる。すなわち、アクチュエータ２０３は、保持台２０１に保持されているウエハＷをガイドレール２０４の一端側と他端側との間で搬送する。従って、保持台２０１に保持されているウエハＷは、搬入出口１０１寄りの第１の位置と、周縁撮像サブユニット４００及び裏面撮像サブユニット５００寄りの第２の位置との間で移動可能である。ガイドレール２０４は、筐体１００内において線状（例えば直線状）に延びている。

表面撮像サブユニット３００は、カメラ３１０（撮像手段）と、照明モジュール３２０とを含む。カメラ３１０及び照明モジュール３２０は、一組の撮像モジュールを構成している。カメラ３１０は、レンズと、一つの撮像素子（例えば、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサ等）とを含む。カメラ３１０は、照明モジュール３２０（照明部）に対向している。

照明モジュール３２０は、ハーフミラー３２１と、光源３２２とを含む。ハーフミラー３２１は、水平方向に対して略４５°傾いた状態で、筐体１００内に配置されている。ハーフミラー３２１は、上方から見てガイドレール２０４の延在方向に交差するように、ガイドレール２０４の中間部分の上方に位置している。ハーフミラー３２１は、矩形状を呈している。ハーフミラー３２１の長さ（長手方向の長さ）は、ウエハＷの直径よりも大きい。

光源３２２は、ハーフミラー３２１の上方に位置している。図６等に示すように、光源３２２は、ハーフミラー３２１と同様の矩形状を呈しているが、ハーフミラー３２１よりも長手方向の長さが大きい。光源３２２から出射された光は、ハーフミラー３２１を全体的に通過して下方（ガイドレール２０４側）に向けて照射される。ハーフミラー３２１を通過した光は、ハーフミラー３２１の下方に位置する物体で反射した後、ハーフミラー３２１で再び反射して、カメラ３１０のレンズを通過し、カメラ３１０の撮像素子に入射する。すなわち、カメラ３１０は、ハーフミラー３２１を介して、光源３２２の照射領域に存在する物体を撮像できる。例えば、ウエハＷを保持する保持台２０１がアクチュエータ２０３によってガイドレール２０４に沿って移動する際に、カメラ３１０は、光源３２２の照射領域を通過するウエハＷの表面Ｗａを撮像できる。カメラ３１０によって撮像された撮像画像のデータは、コントローラ１０に送信される。

周縁撮像サブユニット４００は、図６～図１２に示されるように、カメラ４１０（撮像手段）と、照明モジュール４２０と、ミラー部材４３０とを含む。カメラ４１０、照明モジュール４２０（照明部）及びミラー部材４３０は、一組の撮像モジュールを構成している。カメラ４１０は、レンズ４１１と、一つの撮像素子４１２（例えば、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサ等）とを含む。カメラ４１０は、照明モジュール４２０に対向している。

照明モジュール４２０は、図９～図１２に示されるように、保持台２０１に保持されたウエハＷの上方に配置されている。照明モジュール４２０は、光源４２１と、光散乱部材４２２と、保持部材４２３とを含む。光源４２１は、例えば、複数のＬＥＤ点光源４２１ｂ（図１２参照）で構成されていてもよい。

保持部材４２３は、図９～図１２に示されるように、ハーフミラー４２４と、円柱レンズ４２５と、光拡散部材４２６と、焦点調節レンズ４２７とを内部に保持している。ハーフミラー４２４は、図１２及び図１４に示されるように、水平方向に対して略４５°傾いた状態で、貫通孔４２３ａ及び交差孔４２３ｂの交差部分に配置されている。ハーフミラー４２４は、矩形状を呈している。

焦点調節レンズ４２７は、図９及び図１０に示されるように、交差孔４２３ｂ内に配置されている。焦点調節レンズ４２７は、レンズ４１１との合成焦点距離を変化させる機能を有するレンズであれば特に限定されない。焦点調節レンズ４２７は、例えば、直方体形状を呈するレンズである。

ミラー部材４３０は、図９及び図１２に示されるように、照明モジュール４２０の下方に配置されている。ミラー部材４３０は、図９及び図１２～図１４に示されるように、本体４３１と、反射面４３２とを含む。本体４３１は、アルミブロックによって構成されている。

反射面４３２は、図９及び図１４に示されるように、保持台２０１に保持されたウエハＷが第２の位置にある場合、保持台２０１に保持されたウエハＷの端面Ｗｃと裏面Ｗｂの周縁領域Ｗｄとに対向する。反射面４３２は、保持台２０１の回転軸に対して傾斜している。反射面４３２には、鏡面加工が施されている。例えば、反射面４３２には、ミラーシートが貼り付けられていてもよいし、アルミめっきが施されていてもよいし、アルミ材料が蒸着されていてもよい。

反射面４３２は、保持台２０１に保持されたウエハＷの端面Ｗｃから離れる側に向けて窪んだ湾曲面である。すなわち、ミラー部材４３０は、凹面鏡である。そのため、ウエハＷの端面Ｗｃが反射面４３２に写ると、その鏡像が実像よりも拡大する。反射面４３２の曲率半径は、例えば、１０ｍｍ～３０ｍｍ程度であってもよい。反射面４３２の開き角θ（図１４参照）は、１００°～１５０°程度であってもよい。なお、反射面４３２の開き角θとは、反射面４３２に外接する２つの平面がなす角をいう。

照明モジュール４２０においては、光源４２１から出射された光は、光散乱部材４２２で散乱され、円柱レンズ４２５で拡大され、さらに光拡散部材４２６で拡散された後、ハーフミラー４２４を全体的に通過して下方に向けて照射される。ハーフミラー４２４を通過した拡散光は、ハーフミラー４２４の下方に位置するミラー部材４３０の反射面４３２で反射する。保持台２０１に保持されたウエハＷが第２の位置にある場合、拡散光が反射面４３２で反射した反射光は、図１５（ａ）に示されるように、主としてウエハＷの端面Ｗｃと表面Ｗａの周縁領域Ｗｄとに照射される。反射光は、ウエハＷの縁にベベルが存在する場合には、特にベベル部分の上端側に対して照射される。

ウエハＷの表面Ｗａの周縁領域Ｗｄから反射した反射光は、ミラー部材４３０の反射面４３２には向かわずに直接ハーフミラー４２４に入射する（図１５（ｂ）参照）。その後、反射光は、焦点調節レンズ４２７は通過せずにカメラ４１０のレンズ４１１を通過し、カメラ４１０の撮像素子４１２に入射する。一方、ウエハＷの端面Ｗｃから反射した反射光は、ミラー部材４３０の反射面４３２の方向へ向かう。この反射光は、反射面４３２及びハーフミラー４２４で順次反射して、焦点調節レンズ４２７に入射する。そして焦点調節レンズ４２７から出射された反射光は、カメラ４１０のレンズ４１１を通過し、カメラ４１０の撮像素子４１２に入射する。このように、ウエハＷの周縁領域Ｗｄからの反射光とウエハＷの端面Ｗｃからの反射光とは、互いに異なる光路を経て撮像素子４１２に入射する。したがって、ウエハＷの端面Ｗｃからカメラ４１０の撮像素子４１２に到達する光の光路長は、ウエハＷの表面Ｗａの周縁領域Ｗｄからカメラ４１０の撮像素子４１２に到達する光の光路長よりも長い。これらの光路の光路差は、例えば１ｍｍ～１０ｍｍ程度であってもよい。このように、カメラ４１０の撮像素子４１２には、ウエハＷの表面Ｗａの周縁領域Ｗｄからの光と、ウエハＷの端面Ｗｃからの光との双方が入力される。すなわち、保持台２０１に保持されたウエハＷが第２の位置にある場合、カメラ４１０は、ウエハＷの表面Ｗａの周縁領域ＷｄとウエハＷの端面Ｗｃとの双方を撮像できる。カメラ４１０によって撮像された撮像画像のデータは、コントローラ１０に送信される。

なお、焦点調節レンズ４２７が存在しない場合、カメラ４１０によって撮像された撮像画像の一部がぼけて写る傾向がある。例えば、ウエハＷの表面Ｗａの周縁領域Ｗｄに合焦した場合、当該光路差の存在により、カメラ４１０によって撮像された撮像画像において、ウエハＷの表面Ｗａの周縁領域Ｗｄは鮮明に写るがウエハＷの端面Ｗｃはぼけて写る傾向にある。一方、ウエハＷの端面Ｗｃに合焦した場合、当該光路差の存在により、カメラ４１０によって撮像された撮像画像において、ウエハＷの端面Ｗｃは鮮明に写るがウエハＷの表面Ｗａの周縁領域Ｗｄはぼけて写る傾向にある。しかしながら、ミラー部材４３０の反射面４３２で反射された反射光がレンズ４１１に至るまでの間に焦点調節レンズ４２７が存在しているので、当該光路差が存在しても、ウエハＷの端面Ｗｃの結像位置が撮像素子４１２に合う。従って、カメラ４１０によって撮像された撮像画像において、ウエハＷの表面Ｗａの周縁領域ＷｄとウエハＷの端面Ｗｃとが共に鮮明に写る。

裏面撮像サブユニット５００は、図６～図１１及び図１６に示されるように、カメラ５１０（撮像手段）と、照明モジュール５２０（照明部）とを含む。カメラ５１０及び照明モジュール５２０は、一組の撮像モジュールを構成している。カメラ５１０は、レンズ５１１と、一つの撮像素子５１２（例えば、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサ等）とを含む。カメラ５１０は、照明モジュール５２０（照明部）に対向している。

照明モジュール５２０は、照明モジュール４２０の下方であって、保持台２０１に保持されたウエハＷの下方に配置されている。照明モジュール５２０は、図１６に示されるように、ハーフミラー５２１と、光源５２２とを含む。ハーフミラー５２１は、水平方向に対して略４５°傾いた状態で配置されている。ハーフミラー５２１は、矩形状を呈している。

光源５２２は、ハーフミラー５２１の下方に位置している。光源５２２は、ハーフミラー５２１よりも長い。光源５２２から出射された光は、ハーフミラー５２１を全体的に通過して上方に向けて照射される。ハーフミラー５２１を通過した光は、ハーフミラー５２１の上方に位置する物体で反射した後、ハーフミラー５２１で再び反射して、カメラ５１０のレンズ５１１を通過し、カメラ５１０の撮像素子５１２に入射する。すなわち、カメラ５１０は、ハーフミラー５２１を介して、光源５２２の照射領域に存在する物体を撮像できる。例えば、保持台２０１に保持されたウエハＷが第２の位置にある場合、カメラ５１０は、ウエハＷの裏面Ｗｂを撮像できる。カメラ５１０によって撮像された撮像画像のデータは、コントローラ１０に送信される。

［周縁露光ユニットの構成］
続いて、図１７及び図１８を参照して、周縁露光ユニットＵ４についてさらに詳しく説明する。周縁露光ユニットＵ４は、図１７に示されるように、筐体６００と、回転保持サブユニット７００（回転保持部）と、露光サブユニット８００（照射部）とを有する。各サブユニット７００，８００は、筐体６００内に配置されている。筐体６００のうち一端壁には、ウエハＷを筐体６００の内部に搬入及び筐体６００の外部に搬出するための搬入出口６０１が形成されている。

回転保持サブユニット７００は、図１７及び図１８に示されるように、保持台７０１と、アクチュエータ７０２，７０３と、ガイドレール７０４とを含む。保持台７０１は、例えば、吸着等によりウエハＷを略水平に保持する吸着チャックである。保持台７０１（吸着チャック）の形状は特に限定されないが、例えば円形であってもよい。保持台７０１のサイズは、ウエハＷよりも小さくてもよく、保持部２２（吸着チャック）及び保持台２０１（吸着チャック）のサイズと同程度であってもよい。保持台７０１が円形の場合、保持台７０１（吸着チャック）のサイズは、例えば直径が８０ｍｍ程度であってもよい。

アクチュエータ７０２は、例えば電動モータであり、保持台７０１を回転駆動する。すなわち、アクチュエータ７０２は、保持台２０１に保持されているウエハＷを回転させる。アクチュエータ７０２は、保持台７０１の回転位置を検出するためのエンコーダを含んでいてもよい。この場合、露光サブユニット８００によるウエハＷの周縁領域Ｗｄに対する露光位置と、回転位置との対応付けを行うことができる。

アクチュエータ７０３は、例えばリニアアクチュエータであり、保持台７０１をガイドレール７０４に沿って移動させる。すなわち、アクチュエータ７０３は、保持台７０１に保持されているウエハＷをガイドレール７０４の一端側と他端側との間で搬送する。従って、保持台７０１に保持されているウエハＷは、搬入出口６０１寄りの第１の位置と、露光サブユニット８００寄りの第２の位置との間で移動可能である。ガイドレール７０４は、筐体６００内において線状（例えば直線状）に延びている。

露光サブユニット８００は、回転保持サブユニット７００の上方に位置している。露光サブユニット８００は、図１８に示されるように、光源８０１と、光学系８０２と、マスク８０３と、アクチュエータ８０４とを有する。光源８０１は、レジスト膜Ｒを露光可能な波長成分を含むエネルギー線（例えば紫外線）を下方（保持台７０１側）に向けて照射する。光源８０１としては、例えば、超高圧ＵＶランプ、高圧ＵＶランプ、低圧ＵＶランプ、エキシマランプなどを使用してもよい。

光学系８０２は、光源８０１の下方に位置している。光学系８０２は、少なくとも一つのレンズによって構成されている。光学系８０２は、光源８０１からの光を略平行光に変換して、マスク８０３に照射する。マスク８０３は、光学系８０２の下方に位置している。マスク８０３には、露光面積を調節するための開口８０３ａが形成されている。光学系８０２からの平行光は、開口８０３ａを通過し、保持台７０１に保持されているウエハＷの表面Ｗａのうち周縁領域Ｗｄに照射される。

アクチュエータ８０４は、光源８０１に接続されている。アクチュエータ８０４は、例えば昇降シリンダであり、光源８０１を上下方向に昇降させる。すなわち、光源８０１は、アクチュエータ８０４によって、保持台７０１に保持されているウエハＷに近づく第１の高さ位置（下降位置）と、保持台７０１に保持されているウエハＷから遠ざかる第２の高さ位置（上昇位置）との間で移動可能である。

［コントローラの構成］
コントローラ１０は、図１９に示されるように、機能モジュールとして、読取部Ｍ１と、記憶部Ｍ２と、処理部Ｍ３と、指示部Ｍ４とを有する。これらの機能モジュールは、コントローラ１０の機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、コントローラ１０を構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路（例えば論理回路）、又は、これを集積した集積回路（ＡＳＩＣ：Application Specific Integrated Circuit）により実現されるものであってもよい。

読取部Ｍ１は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体ＲＭからプログラムを読み取る。記録媒体ＲＭは、基板処理システム１の各部を動作させるためのプログラムを記録している。すなわち、記録媒体ＲＭは、本実施形態で説明した基板検査方法を基板検査装置に実行させるためのプログラムを記録している。記録媒体ＲＭとしては、例えば、半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、光磁気記録ディスクであってもよい。なお、記録媒体ＲＭは、リムーバブルメディアであってもよい。

記憶部Ｍ２は、種々のデータを記憶する。記憶部Ｍ２が記憶するデータとしては、例えば、読取部Ｍ１において記録媒体ＲＭから読み出したプログラム、記録媒体１１ｂから読み出したウエハＷに関する情報等が挙げられる。また、記憶部Ｍ２は、カメラ３１０，４１０，５１０において撮像された撮像画像のデータ、ウエハＷに処理液Ｌ１，Ｌ２を供給する際の各種データ（いわゆる処理レシピ）、外部入力装置（図示せず）を介してオペレータから入力された設定データ等を記憶する。

処理部Ｍ３は、各種データを処理する。処理部Ｍ３は、例えば、記憶部Ｍ２に記憶されている各種データに基づいて、液処理ユニットＵ１、熱処理ユニットＵ２、検査ユニットＵ３および周縁露光ユニットＵ４を動作させるための動作信号を生成する。液処理ユニットＵ１には、例えば、回転保持部２０、液供給部３０，４０等が含まれる。また、検査ユニットＵ３には、例えば、回転保持サブユニット２００、カメラ３１０，４１０，５１０、照明モジュール３２０，４２０，５２０等が含まれる。また、周縁露光ユニットＵ４には、例えば、回転保持サブユニット７００、露光サブユニット８００が含まれる。また、処理部Ｍ３は、カメラ３１０，４１０，５１０において撮像された撮像画像のデータに基づいてウエハＷに関する情報を生成する。

指示部Ｍ４は、処理部Ｍ３において生成された動作信号を各種装置に送信する。指示部Ｍ４は、処理部Ｍ３において生成されたウエハＷに関する情報を記録媒体１１ｂに記憶させる。指示部Ｍ４は、記録媒体１１ｂに記憶されているウエハＷに関する情報を読み出す指示信号を記録媒体１１ｂに送信する。

コントローラ１０のハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成される。コントローラ１０は、ハードウェア上の構成として、例えば図２０に示される回路１０Ａを有する。回路１０Ａは、電気回路要素（circuitry）で構成されていてもよい。回路１０Ａは、具体的には、プロセッサ１０Ｂと、メモリ１０Ｃ（記憶部）と、ストレージ１０Ｄ（記憶部）と、入出力ポート１０Ｅとを有する。プロセッサ１０Ｂは、メモリ１０Ｃ及びストレージ１０Ｄの少なくとも一方と協働してプログラムを実行し、入出力ポート１０Ｅを介した信号の入出力を実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート１０Ｅは、プロセッサ１０Ｂ、メモリ１０Ｃ及びストレージ１０Ｄと、基板処理システム１の各種装置との間で、信号の入出力を行う。各種装置としては、例えば、記録媒体１１ｂ、回転部２１、保持部２２、ポンプ３２，４２、バルブ３３，４３、熱処理ユニットＵ２、保持台２０１，７０１、アクチュエータ２０２，２０３，７０２，７０３，８０４、カメラ３１０，４１０，５１０、光源３２２，４２１，５２２，８０１等が挙げられる。

本実施形態では、基板処理システム１は、一つのコントローラ１０を備えているが、複数のコントローラ１０で構成されるコントローラ群（制御部）を備えていてもよい。基板処理システム１がコントローラ群を備えている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコントローラ１０によって実現されていてもよいし、２個以上のコントローラ１０の組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラ１０が複数のコンピュータ（回路１０Ａ）で構成されている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコンピュータ（回路１０Ａ）によって実現されていてもよい。また、コントローラ１０は、２つ以上のコンピュータ（回路１０Ａ）の組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラ１０は、複数のプロセッサ１０Ｂを有していてもよい。この場合、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのプロセッサ１０Ｂによって実現されていてもよいし、２つ以上のプロセッサ１０Ｂの組み合わせによって実現されていてもよい。

なお、本実施形態では、基板処理システム１が塗布現像装置２およびコントローラ１０を含む場合について説明するが、この構成には限定されない。すなわち、コントローラ１０は、塗布現像装置２に対して外部から接続可能なＰＣまたはサーバ装置により構成されていてもよい。コントローラ１０は、基板検査装置としての機能、すなわち、保持台およびカメラを制御する制御部としての機能を有している。この基板検査装置としてのコントローラ１０は、検査ユニットＵ３と一体的に構成される必要はなく、必要に応じて有線または無線で通信接続が可能な外部装置として実現されてもよい。この場合も、コントローラ１０は、ハードウェア上の構成として、プロセッサ１０Ｂ、メモリ１０Ｃ、ストレージ１０Ｄ、及び、入出力ポート１０Ｅを有する回路１０Ａを含む。

［基準ウエハのプロファイル線の算出方法］
続いて、図２１を参照して、検査ユニットＵ３を用いて基準ウエハのプロファイル線を算出する方法について説明する。基準ウエハのプロファイル線を算出する方法は、ウエハＷ（被処理基板）の検査方法の一部となる。ここで、基準ウエハとは、反り量（特に周縁の反り量）が既知であるウエハをいう。基準ウエハは、平坦なウエハであってもよい。ウエハＷの平坦度の評価指標としては、例えば、ＳＥＭＩ（Semiconductor equipment and materialsinternational）規格で定義されるＧＢＩＲ（Global Backside Ideal focal plane Range）、ＳＦＱＲ（Site Frontsideleast sQuares focal plane Range）、ＳＢＩＲ（Site Backside least sQuares focal plane Range）、ＲＯＡ（Roll OffAmount）、ＥＳＦＱＲ（Edge Site Frontsideleast sQuares focal plane Range）、ＺＤＤ（Z-heightDoubleDifferentiation）などが挙げられる。基準ウエハは、例えば、ＳＦＱＲの最大値が１００ｎｍ程度の平坦度を有していてもよいし、ＳＦＱＲの最大値が４２ｎｍ程度の平坦度を有していてもよい。また、基準ウエハは、例えば、ＳＦＱＲの最大値が３２ｎｍ程度の平坦度を有していてもよいし、ＳＦＱＲの最大値が１６ｎｍ程度の平坦度を有していてもよい。

保持台２０１に係る振れ等を原因として、保持台２０１によって回転されるウエハＷは偏心回転し、ウエハＷの周縁は上下に振れうる。保持台２０１に係る振れとしては、回転軸自体の軸振れ、回転保持サブユニット２００における機械的な組み付け公差による振れ、保持台２０１の吸着面における公差による振れなどが挙げられる。基準ウエハを用いる目的は、回転保持サブユニット２００におけるウエハＷの上下方向での振れの基準値を得ることにある。基板処理システム１によるウエハＷの処理開始前に基準ウエハを用いて基準値のデータを取得してもよいし、基板処理システム１のメンテナンス（調整、清掃等）の後に基準ウエハを用いて基準値のデータを取得してもよい。さらに、定期的に基準ウエハを用いて基準値のデータを取得してもよい。基準値のデータと、実際に処理されるウエハＷ（処理ウエハ）を検査ユニットＵ３において検査して得られたデータとを比較することにより、処理ウエハの正確な反り量が把握できる。

まず、コントローラ１０が基板処理システム１の各部を制御して、基準ウエハを検査ユニットＵ３に搬送させる（ステップＳ１１）。次に、コントローラ１０が回転保持サブユニット２００を制御して、保持台２０１に基準ウエハを保持させる。次に、コントローラ１０が回転保持サブユニット２００を制御して、第１の位置から第２の位置へと保持台２０１をガイドレール２０４に沿ってアクチュエータ２０３によって移動させる。これにより、基準ウエハの周縁部が、照明モジュール４２０とミラー部材４３０との間に位置する。

次に、コントローラ１０が回転保持サブユニット２００を制御して、保持台２０１をアクチュエータ２０２によって回転させる。これにより、基準ウエハが回転する。この状態で、コントローラ１０が周縁撮像サブユニット４００を制御して、光源４２１をＯＮにさせつつ、カメラ４１０による撮像を行う（ステップＳ１２）。こうして、基準ウエハの周縁全周にわたって基準ウエハの端面が撮像される。

次に、ステップＳ１２で得られた基準ウエハの端面の撮像画像に基づいて、基準ウエハのプロファイル線を処理部Ｍ３において算出する（ステップＳ１３）。具体的には、コントローラ１０は、撮像画像から基準ウエハの端面の上縁及び下縁を、例えばコントラスト差に基づいて処理部Ｍ３において判別する。そして、コントローラ１０は、当該上縁と下縁との中間位置を通る線をプロファイル線として、処理部Ｍ３において算出する。こうして、基準ウエハの端面の形状が取得される。

ここで、検査ユニットＵ３を用いて基準ウエハのプロファイル線を算出する場合には、プロファイル線に対する保持台２０１の回転位置に係る情報を取得する（ステップＳ１４）。保持台２０１は回転を停止する際の停止位置（停止時の回転位置）は特に制限されていない場合が多い。そのため、一般的に、どの回転位置において保持台２０１が停止しているかは、通常の検査ユニットでは把握しない構成とされている。これに対して、本実施形態で説明する検査ユニットＵ３では、保持台２０１の回転位置を把握可能な構成として、プロファイル線に対して保持台２０１の回転位置に係る情報を対応付ける。

保持台２０１の回転位置に係る情報としては、保持台２０１の基準点の位置を特定する情報が挙げられる。例えば、保持台２０１が回転する際の基準となる点（基準点）を予め決めておく。そして、基準ウエハを保持した保持台２０１を３６０度回転させて基準ウエハの端面を撮像した際に、保持台２０１の基準点または基準点に対応する保持台２０１の所定の場所に保持された基準ウエハの端面をいつ撮像したか特定する。いつ撮像したかとは、撮像を始めてから何度回転させた段階で撮像したか、という意味である。これを特定することにより、プロファイル線に対応付けられる保持台２０１の回転位置に係る情報を取得することができる。

なお、保持台２０１の回転位置に係る情報は、上記のプロファイル線を利用して後述のウエハの検査を行う場合に使用される。基準ウエハの端面撮像を行う際の保持台２０１の回転位置に係る情報の取得方法（保持台２０１の基準点の位置を把握する方法）は限定されない。例えば、アクチュエータ２０２が、保持台２０１の回転位置を検出するためのエンコーダを含んでいる場合は、エンコーダで得られた情報に基づいて基準点の位置を特定することができるが、エンコーダを用いずに基準点の位置を特定してもよい。また、保持台２０１またはその周囲に、保持台２０１の回転位置を検出するセンサを設けておき、このセンサから得られる保持台２０１の回転位置の情報を回転位置に係る情報として取得する方法を用いてもよい。センサで取得された回転位置に係る情報を処理部Ｍ３に対して送ることで、基準ウエハに係るプロファイル線との対応付けを行うことができる。また、センサを利用しない方法として、例えば、保持台２０１の表面（上面）に、保持台２０１の基準点の位置を特定する構成を予め設けておき、基準ウエハを保持する前の保持台２０１において基準点の位置を特定しておく方法が挙げられる。具体的には、保持台２０１の基準点の位置を特定するための開口等を予め設けておき、基準ウエハを保持する前の保持台２０１を、表面撮像サブユニット３００等を用いて撮像する。これにより、基準ウエハを保持する前の保持台２０１の基準点がどこにあるかを特定することができるため、基準ウエハを載せて回転させた際の保持台２０１の回転位置に係る情報を保持することもできる。なお、保持台２０１の回転位置に係る情報を取得する方法は、上記の方法に限定されない。

上記のように、保持台２０１の回転位置に係る情報を取得する方法は限定されない。したがって、保持台２０１の回転位置に係る情報を取得する（Ｓ１４）タイミングも特に限定されず、例えば、基準ウエハを検査ユニットに搬送する（Ｓ１１）前としてもよいし、基準ウエハの端面の撮像（Ｓ１２）と同時に行ってもよい。

［ウエハ処理方法］
続いて、図２２を参照して、ウエハＷの処理方法について説明する。まず、コントローラ１０が基板処理システム１の各部を制御して、ウエハＷをキャリア１１から検査ユニットＵ３に搬送させ、ウエハＷの検査処理を行う（ステップＳ２１）。ウエハＷの検査処理の詳細については後述するが、ウエハＷの検査処理においてウエハＷの反り量が算出される。算出された当該反り量は、当該ウエハＷと対応づけて記憶部Ｍ２に記憶される。

次に、コントローラ１０は、基板処理システム１の各部を制御して、ウエハＷを液処理ユニットＵ１に搬送し、ウエハＷの表面Ｗａにレジスト膜Ｒを形成する（ステップＳ２２）。具体的には、コントローラ１０は、回転保持部２０を制御して、ウエハＷを保持部２２に保持させると共に、所定の回転数でウエハＷを回転させる。この状態で、コントローラ１０は、ポンプ３２、バルブ３３及びノズル３４（より詳しくはノズル３４を駆動する駆動部）を制御する。具体的には、コントローラ１０の制御により、ウエハＷの表面Ｗａに対して処理液Ｌ１（レジスト液）をノズル３４から吐出し、固化していない状態の塗布膜（未固化膜）をウエハＷの表面Ｗａ全体に形成する。

次に、コントローラ１０は、基板処理システム１の各部を制御して、未固化膜のうちウエハＷの周縁領域Ｗｄに位置する部分（未固化膜の周縁部）を除去する（いわゆる、エッジリンス処理をする）（ステップＳ２３）。具体的には、コントローラ１０は、回転保持部２０を制御して、ウエハＷを保持部２２に保持させると共に、所定の回転数（例えば１５００ｒｐｍ程度）でウエハＷを回転させる。この状態で、コントローラ１０は、ポンプ４２、バルブ４３及びノズル４４（より詳しくはノズル４４を駆動する駆動部）を制御する。具体的には、コントローラ１０の制御により、ウエハＷの表面Ｗａの周縁領域Ｗｄに対して処理液Ｌ２（有機溶剤であるシンナー）をノズル４４から吐出させ、未固化膜の周縁部を溶かす。

次に、コントローラ１０は、基板処理システム１の各部を制御して、ウエハＷを液処理ユニットＵ１から熱処理ユニットＵ２に搬送する。次に、コントローラ１０は、熱処理ユニットＵ２を制御して、ウエハＷと共に未固化膜を加熱し（いわゆるＰＡＢ）、未固化膜が固化した固化膜（レジスト膜Ｒ）を形成する（ステップＳ２４）。

ところで、ウエハＷの周縁に反りが存在すると、ウエハＷの回転に際してウエハＷの周縁の高さ位置が変動し得る。ウエハＷの周縁の高さ位置が変動すると、エッジリンス処理を行った際のレジスト膜Ｒの除去幅が変動し得る。除去幅とは、ウエハＷの表面Ｗａ側から見て、ウエハＷの径方向におけるウエハＷの周縁とレジスト膜Ｒの周縁との直線距離をいう。

そこで、ステップＳ２３においては、コントローラ１０は、ステップＳ２１で算出されたウエハＷの周縁の反り量を記憶部Ｍ２から読み出し、当該反り量に基づいて、レジスト膜Ｒの周縁部に対するノズル４４による処理液Ｌ２の供給位置等を決定する。液処理ユニットＵ１の処理レシピにおいては、反りを有しないウエハＷを想定して除去幅の設定値が予め設定されている。したがって、コントローラ１０は、未固化膜の周縁部の実際の除去幅が所望の大きさとなるように、反り量に基づいて当該設定値を補正する。補正対象の設定値としては、例えば、ノズル４４の吐出口の位置、ノズル４４のウエハＷに対する移動速度、ノズル４４からの処理液Ｌ２の吐出流量等が挙げられる。

これにより、異なるウエハＷごとにノズル４４による処理液Ｌ２の供給位置等を変えつつ、ウエハＷの表面Ｗａの周縁領域Ｗｄに対して処理液Ｌ２（有機溶剤）をノズル４４から吐出させる。

次に、コントローラ１０が基板処理システム１の各部を制御して、ウエハＷを液処理ユニットＵ１から周縁露光ユニットＵ４に搬送させ、ウエハＷの周縁露光処理を行う（ステップＳ２５）。具体的には、コントローラ１０は、回転保持サブユニット７００を制御して、ウエハＷを保持台７０１に保持させると共に、所定の回転数（例えば３０ｒｐｍ程度）でウエハＷを回転させる。この状態で、コントローラ１０は、露光サブユニット８００を制御して、ウエハＷの表面Ｗａのうち周縁領域Ｗｄに位置するレジスト膜Ｒに対して所定のエネルギー線（紫外線）を光源８０１から照射させる。なお、保持台７０１の中心軸とウエハＷの中心軸とが一致していない場合には、ウエハＷは保持台７０１において偏心回転する。そのため、コントローラ１０は、アクチュエータ７０３を制御して、ウエハＷの偏心量に応じて保持台７０１をガイドレール７０４に沿って移動させてもよい。

なお、ウエハＷの周縁の反りが存在すると、ウエハＷの回転に際してウエハＷの周縁の高さ位置が変動し得る。ウエハＷの周縁の高さ位置が変動すると、ウエハＷの表面Ｗａのうち周縁領域Ｗｄにエネルギー線を照射させた際の露光量が不十分となり得る。

そこで、ステップＳ２５においては、コントローラ１０は、ステップＳ２１で算出されたウエハＷの周縁の反り量を記憶部Ｍ２から読み出し、当該反り量に基づいて、当該周縁領域Ｗｄに対する露光サブユニット８００の位置を決定する。周縁露光ユニットＵ４の処理レシピにおいては、反りを有しないウエハＷを想定して露光幅の設定値が予め設定されている。したがって、コントローラ１０は、レジスト膜Ｒの周縁部の実際の露光幅が所望の大きさとなるように、反り量に基づいて当該設定値を補正する。補正対象の設定値としては、例えば、ウエハＷの露光サブユニット８００に対する水平位置、ウエハＷの露光サブユニット８００に対する離間距離（光路長）等が挙げられる。

これにより、異なるウエハＷごとに、ウエハＷに対する露光サブユニット８００の位置を変えつつ、ウエハＷの表面Ｗａの周縁領域Ｗｄに対してエネルギー線が照射される。なお、一のウエハＷに対して周縁露光処理を行う際、ウエハＷの回転数は比較的低いので（例えば３０ｒｐｍ程度）、ウエハＷの周縁の座標に対する反り量に基づいてウエハＷに対する露光サブユニット８００の位置を決定してもよい。

次に、コントローラ１０が基板処理システム１の各部を制御して、ウエハＷを周縁露光ユニットＵ４から検査ユニットＵ３に搬送させ、ウエハＷの検査処理を行う（ステップＳ２６）。ここでのウエハＷの検査処理は、ステップＳ２１と同様であり、詳細については後述する。

次に、コントローラ１０が基板処理システム１の各部を制御して、ウエハＷを検査ユニットＵ３から露光装置３に搬送させ、ウエハＷの露光処理を行う（ステップＳ２７）。具体的には、露光装置３において、ウエハＷの表面Ｗａに形成されているレジスト膜Ｒに対して所定パターンで所定のエネルギー線が照射される。その後、単位処理ブロック１７における現像処理等を経て、ウエハＷの表面Ｗａにレジストパターンが形成される。

［ウエハ検査方法］
続いて、図２３を参照して、ウエハＷ（被処理基板）の検査方法について詳しく説明する。まず、コントローラ１０が基板処理システム１の各部を制御して、ウエハＷを検査ユニットＵ３に搬送させる（ステップＳ３１）。次に、コントローラ１０が回転保持サブユニット２００を制御して、保持台２０１にウエハＷを保持させる。次に、コントローラ１０が回転保持サブユニット２００を制御して、第１の位置から第２の位置へと保持台２０１をガイドレール２０４に沿ってアクチュエータ２０３によって移動させる。このとき、コントローラ１０が表面撮像サブユニット３００を制御して、光源３２２をＯＮにさせつつ、カメラ３１０による撮像を行う（ステップＳ３２；ウエハＷの表面Ｗａの撮像工程）。こうして、ウエハＷの表面Ｗａ全面が撮像される。ウエハＷが第２の位置に到達し、カメラ３１０による撮像が完了すると、カメラ３１０による撮像画像のデータが記憶部Ｍ２に送信される。カメラ３１０による撮像完了時において、ウエハＷの周縁部は、照明モジュール４２０とミラー部材４３０との間に位置する。

次に、コントローラ１０が回転保持サブユニット２００を制御して、保持台２０１をアクチュエータ２０２によって回転させる。これにより、ウエハＷが回転する。この状態で、コントローラ１０が周縁撮像サブユニット４００を制御して、光源４２１をＯＮにさせつつ、カメラ４１０による撮像を行う（ステップＳ３２；ウエハＷの端面Ｗｃの撮像工程及びウエハＷの表面Ｗａのうち周縁領域Ｗｄの撮像工程）。こうして、ウエハＷの周縁全周にわたって、ウエハＷの端面Ｗｃと、ウエハＷの表面Ｗａのうち周縁領域Ｗｄとが撮像される。同時に、コントローラ１０が裏面撮像サブユニット５００を制御して、光源５２２をＯＮにさせつつ、カメラ５１０による撮像を行う（ステップＳ３２；ウエハＷの裏面Ｗｂの撮像工程）。こうして、ウエハＷの裏面Ｗｂが撮像される。ウエハＷが１回転してカメラ４１０，５１０カメラ３１０による撮像が完了すると、カメラ４１０，５１０による撮像画像のデータが記憶部Ｍ２に送信される。

なお、後の処理において、ウエハＷの端面Ｗｃの端面を撮像した撮像画像データから、ウエハのプロファイル線が算出される（後述のステップＳ３６）。このとき、基準ウエハと同様に、ウエハＷのプロファイル線に対応する保持台２０１の回転位置に係る情報を取得する必要がある。そのため、ウエハＷの端面Ｗｃを撮像する際に、保持台２０１の回転位置に係る情報を取得しておく。

保持台２０１の回転位置に係る情報としては、保持台２０１の基準点の位置を特定する情報が挙げられる。この点は、基準ウエハのプロファイル線に対応付けられる保持台２０１の回転位置に係る情報と同様である。ウエハＷを保持した保持台２０１を３６０度回転させてウエハＷの端面Ｗｃを撮像した際に、保持台２０１の基準点に対応する端面Ｗｃをいつ（撮像を始めてから何度回転させた段階で）撮像したか特定する。これにより、後述のプロファイル線に対応付けられる保持台２０１の回転位置に係る情報を取得することができる。

ウエハＷの端面Ｗｃの撮像を行う際の保持台２０１の回転位置に係る情報の取得方法（保持台２０１の基準点の位置を把握する方法）は限定されない。この点は、基準ウエハのプロファイル線の算出時と同様である。基準ウエハのプロファイル線の算出時と同じ手順で回転位置に係る情報を取得する構成とすることにより、基準点の位置の特定に係る処理の複雑化を防ぐことができる。

次に、コントローラ１０は、ステップＳ３２において撮像された撮像画像のデータを処理部Ｍ３において処理し、ウエハＷの欠陥を検出する（ステップＳ３３）。画像処理による欠陥検出は、公知の種々の手法を用いることができるが、例えばコントラスト差に基づいて欠陥を検出してもよい。コントローラ１０は、検出された欠陥の大きさ、形状、場所等に基づいて、欠陥の種類（例えば、割れ、欠け、傷、塗布膜の形成不良など）を処理部Ｍ３において判定する。

次に、コントローラ１０は、ステップＳ３３において検出された欠陥が許容範囲内か否かを処理部Ｍ３において判定する。判定の結果、許容できない欠陥がウエハＷに存在する場合には（ステップＳ３４でＮＯ）、当該ウエハＷに対して以降の処理を行わず、コントローラ１０が基板処理システム１の各部を制御して、当該ウエハＷをキャリア１１に返送する（ステップＳ３５）。そのため、当該ウエハＷに対しては、ステップＳ２６の露光処理が行われない（図２２及び図２３の「Ａ」印参照）。

一方、判定の結果、ウエハＷに欠陥が存在しない場合又は許容可能な欠陥がウエハＷに存在する場合には（ステップＳ３４でＹＥＳ）、当該ウエハＷに対する処理を継続する。すなわち、コントローラ１０は、ステップＳ３２で得られたウエハＷの端面Ｗｃの撮像画像に基づいて、ウエハＷのプロファイル線を処理部Ｍ３において算出する（ステップＳ３６）。具体的には、コントローラ１０は、撮像画像からウエハＷの端面Ｗｃの上縁及び下縁を、例えばコントラスト差に基づいて判別する。そして、コントローラ１０は、当該上縁と下縁との中間位置を通る線をプロファイル線として、処理部Ｍ３において算出する。こうして、ウエハＷの端面Ｗｃの形状が取得される。ここで、基準ウエハのプロファイル線を算出する際と同様に、ウエハＷのプロファイル線に対する保持台２０１の回転位置に係る情報を取得する。上述したように、ウエハＷの端面Ｗｃを撮像する際に、保持台２０１の回転位置に係る情報を取得しておく。この情報を利用して、ウエハＷの端面Ｗｃのプロファイル線に対して、保持台２０１の回転位置に係る情報を対応付ける。

次に、コントローラ１０では、保持台２０１の回転位置に基づくプロファイル線の補正を行う（ステップＳ３７）。この際、基準ウエハのプロファイル線に対応付けられた回転位置に係る情報と、反り量の算出対象となるウエハＷのプロファイル線に対応付けられた回転位置に係る情報と、を用いる。

その後、コントローラ１０は、ステップＳ１３で予め取得したプロファイル線を用いてステップＳ３６で得られたプロファイル線を補正して、ウエハＷの反り量を処理部Ｍ３において算出する（ステップＳ３８）。具体的には、コントローラ１０は、処理部Ｍ３において、ウエハＷのプロファイル線から基準ウエハのプロファイル線を減算して、差分を求めることにより、ウエハＷの座標（角度）に対する反り量を算出する。ウエハＷのプロファイル線から基準ウエハのプロファイル線を減算した結果（差分）が反り量に対応する。

ステップＳ３７で行われる処理およびステップＳ３８で行われる処理について、さらに説明する。図２４では、撮像データから算出された基準ウエハのプロファイル線Ｐ０およびウエハＷのプロファイル線Ｐ１を示している。図２４において、横軸の角度とは、ウエハの端部の撮像を開始してからの保持台２０１の回転角を示している。また、図２４では、プロファイル線Ｐ０に対応する保持台２０１の回転位置に係る情報として、保持台２０１の基準点の位置Ｔ０を示している。基準ウエハのプロファイル線Ｐ０を取得した際には、保持台２０１の基準点の位置Ｔ０は、７０°付近であることが示されている。同様に、図２４では、プロファイル線Ｐ１に対応する保持台２０１の回転位置に係る情報として、保持台２０１の基準点の位置Ｔ１を示している。反り量の算出対象のウエハＷのプロファイル線Ｐ１を取得した際には、保持台２０１の基準点の位置Ｔ１は、３００°付近であることが示されている。このように、保持台２０１の基準点の位置はプロファイル線Ｐ０を取得した際とプロファイル線Ｐ１を取得した際とで異なっている。

図２４で示すプロファイル線Ｐ０およびプロファイル線Ｐ１は、いずれも、保持台２０１の傾きなどに由来する高さ位置の変動に関する成分を含んでいる。仮に、保持台２０１が水平ではなく若干の傾きを有している場合、保持台２０１上に載置されているウエハが平坦であるとしても、保持台２０１の傾斜による影響が含まれたプロファイル線が得られる。したがって、プロファイル線Ｐ０およびプロファイル線Ｐ１は、いずれも保持台２０１の回転位置に由来した傾斜を含んでいると考えられる。ただし、保持台２０１の基準点の位置はプロファイル線Ｐ０を取得した際とプロファイル線Ｐ１を取得した際とで異なっている。そのため、図２４に示す横軸の角度が同じであっても、プロファイル線Ｐ０とプロファイル線Ｐ１との間で保持台２０１の傾斜による影響が異なることになる。

ここで、ステップＳ３７で示す保持台２０１の回転位置に基づく補正を行わずに、横軸の角度が同じデータ同士でウエハＷのプロファイル線から基準ウエハのプロファイル線の減算を行うとする。この場合、互いに異なる保持台２０１の回転位置での傾斜による影響が含まれたデータ同士の差分になるため、差分データにも保持台２０１の回転位置に応じた傾斜に係る成分が含まれることになる。

これに対して、ステップＳ３７で示す保持台２０１の回転位置に基づく補正を行う。具体的には、図２５に示すように、基準点の位置Ｔ０と基準点の位置Ｔ１とが横軸に沿って同じ角度となるように、プロファイル線Ｐ０を横軸方向に沿って移動させる。図２４及び図２５に示すプロファイル線はウエハ端面の１周分のプロファイル線であるため、横軸の０°と３６０°とが一致するとして、横軸方向に沿ってデータを移動（スライド）させる。その後、ステップＳ３８として、横軸の角度が同じデータ同士でウエハＷのプロファイル線から基準ウエハのプロファイル線の減算を行う。この場合、保持台２０１の回転位置に基づく補正を行った後のプロファイル線同士で減算を行うことになる。すなわち、保持台２０１の回転位置が同じ状態で取得されたデータ同士の差分を求めることになるため、差分データでは、保持台２０１の回転位置に応じた傾斜に係る成分は取り除かれることなる。したがって、減算後のウエハＷの座標（角度）に対する反り量には、保持台２０１の傾斜に由来する成分が含まれなくなる、もしくは、含まれていてもその量を大きく減らすことができる。

図２３に戻り、コントローラ１０は、ステップＳ３８で得られた反り量が許容範囲内か否かを処理部Ｍ３において判定する。反り量の許容範囲は、例えば、露光装置３のオーバーレイ（ＯＬ）制御における数値によって設定されてもよい。判定の結果、反り量が大きく許容できない場合には（ステップＳ３９でＮＯ）、コントローラ１０は、当該ウエハＷに対して露光処理を行わない旨の情報を当該ウエハＷと対応づけて記憶部Ｍ２に記憶させる（ステップＳ３９）。そのため、当該ウエハＷに対しては、ステップＳ２６の露光処理が行われない（図２２及び図２３の「Ａ」印参照）。

一方、判定の結果、反り量が小さく許容できる場合には、（ステップＳ３９でＹＥＳ）、コントローラ１０は検査処理を完了する。このとき、コントローラ１０が基板処理システム１の各部を制御して、ウエハＷを検査ユニットＵ３から露光装置３に搬送させる。

［作用］
本実施形態では、ステップＳ３８においてウエハＷの反り量を算出する際に、基準ウエハのプロファイル線Ｐ０を用いてウエハＷのプロファイル線Ｐ１を補正して、反り量を算出している。その際に、ステップＳ３７において保持台の回転位置に係る情報に基づく補正を行っている。そのため、保持台２０１の回転位置に応じた変位に係る成分が反り量に含まれることを防ぐことができるため、反り量をより精度良く算出することができる。

また、本実施形態では、保持台２０１の回転の基準となる基準点の位置を予め定めておき、基準ウエハまたはウエハＷを保持した保持台２０１を回転させた際の基準点がどこにあるか特定している。また、その結果に基づいて、第１の工程における保持台の基準点の位置と第３の工程における保持台の基準点の位置とが一致する条件で、形状データの差分を求める。このような構成とした場合、基準点の位置を利用して、第１の工程における保持台の回転位置と、第３の工程における保持台の回転位置とが一致する条件を速やかに見出すことができ、形状データの差分を求めることができる。したがって、より高い精度での反り量の算出を簡単に行うことができる。

また、本実施形態では、基準ウエハは平坦とされている。また、基準ウエハの形状データとして、基準ウエハの端面の中央を通るプロファイル線のデータが用いられ、被処理基板となるウエハＷの形状データとして、ウエハＷの端面の中央を通るプロファイル線のデータが用いられる。この場合、上記の２つのプロファイル線のデータを用いてウエハＷの反り量をより簡単に算出することができる。

［変形例］
次に、上記実施形態の変形例について説明する。上記実施形態では、基準ウエハおよび反り量の算出対象となるウエハのプロファイル線を算出した後、保持台の回転位置に係る情報に基づいて反り量の算出前に補正を行う場合について説明した。しかしながら、ウエハの端面の撮像を行う際の保持台の回転位置を予め定めておくことで、保持台の回転位置に係る情報に基づく補正を行わない構成としてもよい。

上記実施形態では、基準ウエハのプロファイル線を取得する際と、反り量の算出対象となるウエハのプロファイル線を取得する際と、で、保持台２０１の回転位置が異なるため、回転位置に係る情報に基づいた補正を行っている。これに対して、基準ウエハのプロファイル線を取得する際と、反り量の算出対象となるウエハのプロファイル線を取得する際と、で保持台２０１の回転位置を同じとする。この結果、回転位置に係る情報に基づく補正を行わなくても、保持台２０１の回転位置が同じ状態で取得されたデータ同士の差分を求めることができる。そのため、差分データでは、保持台２０１の回転位置に応じた傾斜に係る成分は取り除かれることなる。したがって、減算後のウエハＷの座標（角度）に対する反り量には、保持台２０１の傾斜に由来する成分が含まれなくなる、もしくは、含まれていてもその量を大きく減らすことができる。

具体的な手順を図２６に示す。まず、コントローラ１０が基板処理システム１の各部を制御して、保持台２０１の回転位置を予め指定した位置にセットする（ステップＳ５１）。指定した位置へセットする方法として、例えば、基準点が所定の配置になるように保持台２０１を回転させるという方法が挙げられるが、所定の回転位置へセットする方法は特に限定されない。

次に、コントローラ１０が基板処理システム１の各部を制御して、撮像対象のウエハを検査ユニットＵ３に搬送させる（ステップＳ５２）。次に、コントローラ１０が回転保持サブユニット２００を制御して、保持台２０１にウエハを保持させる。次に、コントローラ１０が回転保持サブユニット２００を制御して、第１の位置から第２の位置へと保持台２０１をガイドレール２０４に沿ってアクチュエータ２０３によって移動させる。これにより、基準ウエハの周縁部が、照明モジュール４２０とミラー部材４３０との間に位置する。

次に、コントローラ１０が回転保持サブユニット２００を制御して、保持台２０１をアクチュエータ２０２によって回転させる。これにより、保持台２０１に支持されたウエハが回転する。この状態で、コントローラ１０が周縁撮像サブユニット４００を制御して、光源４２１をＯＮにさせつつ、カメラ４１０による撮像を行う（ステップＳ５３）。こうして、基準ウエハの周縁全周にわたって基準ウエハの端面が撮像される。

その後、ステップＳ５３で得られた基準ウエハの端面の撮像画像に基づいて、ウエハのプロファイル線を処理部Ｍ３において算出する（ステップＳ５４）。具体的には、コントローラ１０は、撮像画像から基準ウエハの端面の上縁及び下縁を、例えばコントラスト差に基づいて処理部Ｍ３において判別する。そして、コントローラ１０は、当該上縁と下縁との中間位置を通る線をプロファイル線として、処理部Ｍ３において算出する。こうして、ウエハの端面の形状が取得される。

図２６に示す一連の手順は、基準ウエハに係るプロファイル線の取得時、および、反り量算出対象となるウエハＷに係るプロファイル線の取得時の両方に用いることができる。

上記の変形例では、基準ウエハを保持する直前の保持台２０１の回転位置と、ウエハＷを保持する直前の保持台２０１の回転位置と、を一致させている。そのため、プロファイル線の差分から反り量を算出する際に、上記実施形態で説明した回転位置に基づく補正等を行わなくても、保持台２０１の回転位置が一致する条件を作ることができる。したがって、より高い精度での反り量の算出を簡単に行うことができる。また、この変形例に係る制御は、コントローラ１０におけるソフトウェアの実装が容易であるため、設計変更が容易である。

［他の実施形態］
以上、本開示に係る実施形態について詳細に説明したが、本発明の要旨の範囲内で種々の変形を上記の実施形態に加えてもよい。例えば、反射面４３２は、保持台２０１の回転軸に対して傾斜すると共に保持台２０１に保持されたウエハＷの端面Ｗｃと裏面Ｗｂの周縁領域Ｗｄとに対向していればよく、湾曲面以外の他の形状（例えば、平坦面）を呈していてもよい。

周縁撮像サブユニット４００は、焦点調節レンズ４２７を含んでいなくてもよい。また、周縁撮像サブユニット４００は、光散乱部材４２２、円柱レンズ４２５及び光拡散部材４２６のいずれかを含んでいなくてもよい。

検査ユニットＵ３は、棚ユニットＵ１０，Ｕ１１に配置されていてもよい。例えば、検査ユニットＵ３は、棚ユニットＵ１０，Ｕ１１のうち単位処理ブロック１４～１７に対応して位置するセル内に設けられていてもよい。この場合、ウエハＷは、アームＡ１～Ａ８によって搬送される過程で検査ユニットＵ３に直接受け渡される。

ウエハＷの反り量を算出するにあたり、ウエハＷの端面Ｗｃと表面Ｗａの周縁領域Ｗｄとの双方を撮像可能な周縁撮像サブユニット４００を用いず、ウエハＷの端面Ｗｃのみを撮像可能な撮像モジュールを用いてもよい。ウエハＷの表面Ｗａ、裏面Ｗｂ、端面Ｗｃ及び表面Ｗａの周縁領域Ｗｄがそれぞれ異なるカメラによって別々に撮像されてもよい。ウエハＷの表面Ｗａ、裏面Ｗｂ、端面Ｗｃ及び表面Ｗａの周縁領域Ｗｄのうち少なくとも２つ以上の箇所が１つのカメラで同時に撮像されてもよい。

ステップＳ２４の加熱処理の前後において、同じ検査ユニットＵ３でウエハ検査処理を実施してもよいし、異なる検査ユニットＵ３でウエハ検査処理を実施してもよい。

ステップＳ２５におけるウエハＷの検査処理は、ステップＳ２４の周縁露光処理の後ではなく、ステップＳ２２における熱処理ユニットＵ２での加熱処理（いわゆるＰＡＢ）の後で且つステップＳ２６における露光処理前に行ってもよい。

また、検査ユニットＵ３によるウエハ検査処理（再検査処理）のタイミングは適宜変更できる。例えば、ステップＳ２４での加熱処理とステップＳ２５での周縁露光処理との間において、検査ユニットＵ３でウエハ検査処理（再検査処理：ステップＳ２８）を実施してもよい。この場合、ステップＳ２５の周縁露光処理では、ステップＳ２８のウエハ検査処理において算出された反り量に基づいて露光幅を決定してもよい。

また、ステップＳ２３のエッジリンス処理を行わずに、後続のステップＳ２４～Ｓ２７を行ってもよい。図示はしていないが、ステップＳ２４で加熱処理をした後にステップＳ２５の周縁露光処理を行わずに、後続のステップＳ２６，Ｓ２７を行ってもよい。

検査ユニットＵ３におけるウエハ検査処理（ステップＳ２１）で算出された反り量を、後続の熱処理ユニットＵ２における加熱処理（ステップＳ２４）に利用してもよい。例えば、ウエハＷを熱処理ユニットＵ２の熱板に対して吸引させるか否かの判断、吸引量、吸引位置、吸引圧力、吸引のタイミング等を、反り量に基づいて制御するようにしてもよい。

以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。

１…基板処理システム、２…塗布現像装置（基板検査装置）、１０…コントローラ（基板検査装置）、１１ｂ…記録媒体、１４～１７…単位処理ブロック、３０…液供給部、４０…液供給部、２００，７００…回転保持サブユニット（回転保持部）、２０１，７０１…保持台、３００…表面撮像サブユニット、４００…周縁撮像サブユニット（基板撮像装置）、５００…裏面撮像サブユニット、８００…露光サブユニット（照射部）、３１０、４１０、５１０…カメラ、４１１、５１１…レンズ、４１２、５１２…撮像素子、３２０、４２０、５２０…照明モジュール（照明部）、３２２、４２１、５２２…光源、４２２…光散乱部材、４２５…円柱レンズ、４２６…光拡散部材、４２７…焦点調節レンズ、４３０…ミラー部材、４３２…反射面、Ｍ２…記憶部、Ｍ３…処理部、Ｐ０～Ｐ３…プロファイル線、Ｑ１～Ｑ３…反り量、Ｒ…レジスト膜（塗布膜）、ＲＭ…記録媒体、ＲＷ…除去幅、Ｕ１…液処理ユニット、Ｕ２…熱処理ユニット（加熱部）、Ｕ３…検査ユニット、Ｕ４…周縁露光ユニット、Ｗ…ウエハ（基板）、Ｗａ…表面、Ｗｂ…裏面、Ｗｃ…端面、Ｗｄ…周縁領域。

Claims (7)

1. 反り量が既知である基準基板を保持する保持台を回転し、当該基準基板の周縁全周にわたって前記基準基板の端面をカメラによって撮像する第１の工程と、
   前記第１の工程で得られた撮像画像を画像処理して、前記基準基板の端面の形状データを前記基準基板の周縁全周にわたって取得する第２の工程と、
   前記第２の工程で取得された形状データに対する前記保持台の回転位置に係る情報を取得する第３の工程と、
   被処理基板を保持する前記保持台を回転し、当該被処理基板の周縁全周にわたって前記被処理基板の端面をカメラによって撮像する第４の工程と、
   前記第４の工程で得られた撮像画像を画像処理して、前記被処理基板の端面の形状データを前記被処理基板の周縁全周にわたって取得する第５の工程と、
   前記第５の工程で取得された形状データに対する前記保持台の回転位置に係る情報を取得する第６の工程と、
   前記第６の工程で得られた前記保持台の回転位置に係る情報が前記第３の工程で得られた前記保持台の回転位置に係る情報と一致するように、前記第５の工程で取得された前記被処理基板の端面の形状データを補正する第７の工程と、
   前記第２の工程で取得された形状データと前記第５の工程で取得された形状データとの差分を求めることで、前記被処理基板の反り量を算出する第８の工程と、を含む、基板検査方法。
2. 前記保持台は、前記保持台の回転の基準となる基準点を有し、
   前記第１の工程において、前記保持台を回転した際の前記基準点の位置を特定する情報を取得し、
   前記第４の工程において、前記保持台を回転した際の前記基準点の位置を特定する情報を取得し、
   前記第８の工程において、前記第１の工程で前記保持台を回転した際の前記基準点の位置を特定する情報を前記第２の工程で取得された形状データに対応付けるとともに、前記第４の工程で前記保持台を回転した際の前記基準点の位置を特定する情報を前記第５の工程で取得された形状データに対して前記保持台の回転位置に係る情報を対応付け、前記第１の工程における前記保持台の前記基準点の位置と、前記第４の工程における前記保持台の前記基準点の位置と、が一致する条件で、前記第２の工程で取得された形状データと前記第５の工程で取得された形状データとの差分を求める、請求項１に記載の基板検査方法。
3. 前記第１の工程における前記基準基板を保持する直前の前記保持台の回転位置と、前記第４の工程における前記被処理基板を保持する直前の前記保持台の回転位置と、を一致させるとともに、
   前記第８の工程において、前記第２の工程で取得された形状データと前記第５の工程で取得された形状データとの差分を求める、請求項１に記載の基板検査方法。
4. 前記基準基板は平坦であり、
   前記第２の工程で取得される形状データは、前記基準基板の端面の中央を通る第１のプロファイル線のデータであり、
   前記第５の工程で取得される形状データは、前記被処理基板の端面の中央を通る第２のプロファイル線のデータである、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板検査方法。
5. 被処理基板を保持して回転させるように構成された保持台と、カメラとを制御する制御部を備え、
   前記制御部は、
   反り量が既知である基準基板を保持する保持台を回転し、当該基準基板の周縁全周にわたって前記基準基板の端面をカメラによって撮像する第１の処理と、
   前記第１の処理で得られた撮像画像を画像処理して、前記基準基板の端面の形状データを前記基準基板の周縁全周にわたって取得する第２の処理と、
   前記第２の処理で取得された形状データに対する前記保持台の回転位置に係る情報を取得する第３の処理と、
   被処理基板を保持する前記保持台を回転し、当該被処理基板の周縁全周にわたって前記被処理基板の端面をカメラによって撮像する第４の処理と、
   前記第４の処理で得られた撮像画像を画像処理して、前記被処理基板の端面の形状データを前記被処理基板の周縁全周にわたって取得する第５の処理と、
   前記第５の処理で取得された形状データに対する前記保持台の回転位置に係る情報を取得する第６の処理と、
   前記第６の処理で得られた前記保持台の回転位置に係る情報が前記第３の処理で得られた前記保持台の回転位置に係る情報と一致するように、前記第５の処理で取得された前記被処理基板の端面の形状データを補正する第７の処理と、
   前記第２の処理で取得された形状データと前記第５の処理で取得された形状データとの差分を求めることで、前記被処理基板の反り量を算出する第８の処理と、を実行する、基板検査装置。
6. 前記カメラは、基板表面を撮像するカメラと、基板端面を撮像するカメラと、を含み、
   前記保持台の表面には、前記保持台の基準点の位置を特定するための開口が設けられており、
   前記第３の処理において、前記保持台の回転位置に係る情報を、前記基板表面を撮像するカメラによって前記開口を撮像することによって取得する、請求項５に記載の基板検査装置。
7. 請求項１～４のいずれか一項に記載の基板検査方法を基板検査装置に実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。

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