JP2021131378A - 情報処理方法、情報処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】本開示は、基板の表面画像に基づいて、基板の表面の処理状態を高い信頼性で評価するのに有効な情報処理方法、情報処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を説明する。【解決手段】情報処理方法の一例は、対象基板の表面の変形因子の情報を得ることと、対象基板の表面画像を得ることと、表面の変形による画像変化を補償する補正係数を、表面の変形因子の情報に基づいて算出することと、補正係数を用いて対象基板の表面画像を補正して、対象基板の補正画像を生成することとを含んでいてもよい。【選択図】図２０

Description

本開示は、情報処理方法、情報処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。

特許文献１は、基板表面の撮像画像に基づいて、基板上に形成されている膜の膜厚を算出する装置を開示している。

特開２０１５−２１５１９３号公報

本開示は、基板の表面画像に基づいて、基板の表面の処理状態を高い信頼性で評価するのに有効な情報処理方法、情報処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を説明する。

情報処理方法の一例は、対象基板の表面の変形因子の情報を得ることと、対象基板の表面画像を得ることと、表面の変形による画像変化を補償する補正係数を、表面の変形因子の情報に基づいて算出することと、補正係数を用いて対象基板の表面画像を補正して、対象基板の補正画像を生成することとを含んでいてもよい。

本開示に係る情報処理方法、情報処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、基板の表面画像に基づいて、基板の表面の処理状態を高い信頼性で評価するのに有効である。

図１は、基板処理システムの一例を示す斜視図である。 図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。 図３は、処理モジュールの一例を示す上面図である。 図４は、検査ユニットの一例を上方から見た断面図である。 図５は、検査ユニットの一例を側方から見た断面図である。 図６は、検査ユニットの一例を示す斜視図である。 図７は、周縁撮像サブユニットの一例を前方から見た斜視図である。 図８は、周縁撮像サブユニットの一例を後方から見た斜視図である。 図９は、周縁撮像サブユニットの一例を示す上面図である。 図１０は、周縁撮像サブユニットの一例を示す側面図である。 図１１は、ミラー部材の一例を示す斜視図である。 図１２は、ミラー部材の一例を示す側面図である。 図１３（ａ）は照明モジュールからの光がミラー部材において反射する様子を説明するための図であり、図１３（ｂ）は基板からの光がミラー部材において反射する様子を説明するための図である。 図１４は、基板処理システムの主要部の一例を示すブロック図である。 図１５は、コントローラのハードウェア構成の一例を示す概略図である。 図１６は、反り係数を算出する手順の一例を説明するためのフローチャートである。 図１７（ａ）は上に凸の回転放物面形状を呈する基板を示す斜視図であり、図１７（ｂ）は下に凸の回転放物面形状を呈する基板を示す斜視図である。 図１８は、ドーム形状の基準基板の表面画像の一例を示す図である。 図１９は、基準基板のプロファイル線の一例を示すグラフである。 図２０は、基板の反りを補正する手順の一例を説明するためのフローチャートである。 図２１は、傾いた保持台及び基板を示す模式図である。 図２２は、検査ユニットの一例を上方から見た断面図である。 図２３は、係数モデルを算出する手順の一例を説明するためのフローチャートである。 図２４は、補正画像を生成する手順の一例を説明するためのフローチャートである。

以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

１．第１実施形態
［基板処理システム］
図１及び図２に示されるように、基板処理システム１は、塗布現像装置２（基板処理装置）と、露光装置３と、コントローラＣｔｒ（情報処理装置）とを備える。

露光装置３は、塗布現像装置２との間で基板Ｗを授受して、基板Ｗの表面Ｗａ（図４等参照）に形成されたレジスト膜（感光性被膜）の露光処理（パターン露光）を行うように構成されている。露光装置３は、例えば、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分に選択的にエネルギー線を照射してもよい。

エネルギー線は、例えば、電離放射線、非電離放射線などであってもよい。電離放射線は、原子又は分子を電離させるのに十分なエネルギーを有する放射線である。電離放射線は、例えば、極端紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet）、電子線、イオンビーム、Ｘ線、α線、β線、γ線、重粒子線、陽子線などであってもよい。非電離放射線は、原子又は分子を電離させるのに十分なエネルギーを有しない放射線である。非電離放射線は、例えば、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ_２エキシマレーザーなどであってもよい。

塗布現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、基板Ｗの表面Ｗａにレジスト膜を形成するように構成されている。塗布現像装置２は、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行うように構成されている。

基板Ｗは、円板状を呈してもよいし、多角形など円形以外の板状を呈していてもよい。基板Ｗは、一部が切り欠かれた切欠部を有していてもよい。切欠部は、例えば、ノッチ（Ｕ字形、Ｖ字形等の溝）であってもよいし、直線状に延びる直線部（いわゆる、オリエンテーション・フラット）であってもよい。基板Ｗは、例えば、半導体基板、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板その他の各種基板であってもよい。基板Ｗの直径は、例えば２００ｍｍ〜４５０ｍｍ程度であってもよい。

図１〜図３に示されるように、塗布現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インターフェースブロック６とを備える。キャリアブロック４、処理ブロック５及びインターフェースブロック６は、水平方向に並んでいる。

キャリアブロック４は、図１及び図３に示されるように、キャリアステーション１２と、搬入搬出部１３とを有する。キャリアステーション１２は、複数のキャリア１１を支持する。キャリア１１は、少なくとも一つの基板Ｗを密封状態で収容する。キャリア１１の側面１１ａには、基板Ｗを出し入れするための開閉扉（図示せず）が設けられている。キャリア１１は、側面１１ａが搬入搬出部１３側に面するように、キャリアステーション１２上に着脱自在に設置される。

搬入搬出部１３は、キャリアステーション１２及び処理ブロック５の間に位置している。搬入搬出部１３は、複数の開閉扉１３ａを有する。キャリアステーション１２上にキャリア１１が載置される際には、キャリア１１の開閉扉が開閉扉１３ａに面した状態とされる。開閉扉１３ａ及び側面１１ａの開閉扉を同時に開放することで、キャリア１１内と搬入搬出部１３内とが連通する。搬入搬出部１３は、搬送アームＡ１を内蔵している。搬送アームＡ１は、キャリア１１から基板Ｗを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５から基板Ｗを受け取ってキャリア１１内に戻すように構成されている。

処理ブロック５は、図１〜図３に示されるように、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４を含む。これらの処理モジュールは、例えば、床面側から処理モジュールＰＭ４、処理モジュールＰＭ１、処理モジュールＰＭ２、処理モジュールＰＭ３の順に並んでいてもよい。処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４は、図３に示されるように、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、検査ユニットＵ３とを含む。検査ユニットＵ３の詳細については後述する。

処理モジュールＰＭ１は、基板Ｗの表面上に下層膜を形成するように構成されており、ＢＣＴモジュールとも呼ばれる。処理モジュールＰＭ１は、図２及び図３に示されるように、各ユニットＵ１〜Ｕ３と、各ユニットＵ１〜Ｕ３に基板Ｗを搬送する搬送アームＡ２とを内蔵している。処理モジュールＰＭ１の液処理ユニットＵ１は、例えば、下層膜形成用の塗布液を基板Ｗに塗布するように構成されている。処理モジュールＰＭ１の熱処理ユニットＵ２は、例えば、液処理ユニットＵ１によって基板Ｗに形成された塗布膜を硬化させて下層膜とするための加熱処理を行うように構成されている。下層膜としては、例えば、反射防止（ＳｉＡＲＣ）膜が挙げられる。

処理モジュールＰＭ２は、下層膜上に中間膜（ハードマスク）を形成するように構成されており、ＨＭＣＴモジュールとも呼ばれる。処理モジュールＰＭ２は、図２及び図３に示されるように、各ユニットＵ１〜Ｕ３と、各ユニットＵ１〜Ｕ３に基板Ｗを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。処理モジュールＰＭ２の液処理ユニットＵ１は、例えば、中間膜形成用の塗布液を基板Ｗに塗布するように構成されている。処理モジュールＰＭ２の熱処理ユニットＵ２は、例えば、液処理ユニットＵ１によって基板Ｗに形成された塗布膜を硬化させて中間膜とするための加熱処理を行うように構成されている。中間膜としては、例えば、ＳＯＣ（Spin On Carbon）膜、アモルファスカーボン膜が挙げられる。

処理モジュールＰＭ３は、中間膜上に熱硬化性且つ感光性のレジスト膜を形成するように構成されており、ＣＯＴモジュールとも呼ばれる。処理モジュールＰＭ３は、図２及び図３に示されるように、各ユニットＵ１〜Ｕ３と、各ユニットＵ１〜Ｕ３に基板Ｗを搬送する搬送アームＡ４とを内蔵している。処理モジュールＰＭ３の液処理ユニットＵ１は、例えば、レジスト膜形成用の塗布液を基板Ｗに塗布するように構成されている。処理モジュールＰＭ３の熱処理ユニットＵ２は、例えば、液処理ユニットＵ１により基板Ｗに形成された塗布膜を硬化させてレジスト膜とするための加熱処理（ＰＡＢ：Pre Applied Bake）を行うように構成されている。

処理モジュールＰＭ４は、露光されたレジスト膜の現像処理を行うように構成されており、ＤＥＶモジュールとも呼ばれる。処理モジュールＰＭ４は、図２及び図３に示されるように、各ユニットＵ１〜Ｕ３と、各ユニットＵ１〜Ｕ３に基板Ｗを搬送する搬送アームＡ５とを内蔵している。処理モジュールＰＭ４は、各ユニットＵ１〜Ｕ３を経ずに基板Ｗを棚ユニット１４，１５間において直接搬送する搬送アームＡ６を内蔵している。処理モジュールＰＭ４の液処理ユニットＵ１は、例えば、レジスト膜を部分的に除去してレジストパターンを形成するように構成されている。処理モジュールＰＭ４の熱処理ユニットＵ２は、例えば、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等を行うように構成されている。

処理ブロック５は、図２及び図３に示されるように、キャリアブロック４側に位置する棚ユニット１４を含む。棚ユニット１４は、床面から処理モジュールＰＭ３にわたって設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニット１４の近傍には搬送アームＡ７が設けられている。搬送アームＡ７は、棚ユニット１４のセル同士の間で基板Ｗを昇降させる。

処理ブロック５は、インターフェースブロック６に位置する棚ユニット１５を含む。棚ユニット１５は床面から処理モジュールＰＭ４の上部にわたって設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

インターフェースブロック６は、搬送アームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。搬送アームＡ８は、棚ユニット１５の基板Ｗを取り出して露光装置３に渡し、露光装置３から基板Ｗを受け取って棚ユニット１５に戻すように構成されている。

コントローラＣｔｒは、塗布現像装置２を部分的又は全体的に制御するように構成されている。コントローラＣｔｒの詳細については後述する。コントローラＣｔｒは、露光装置３のコントローラとの間で信号を送受信して、露光装置３のコントローラとの連携により基板処理システム１を全体として制御するように構成されていてもよい。

［検査ユニットの構成］
続いて、図４〜図１３を参照して、検査ユニットＵ３についてさらに詳しく説明する。検査ユニットＵ３は、図４〜図６に示されるように、筐体１００と、回転保持ユニット２００（基板保持部）と、表面撮像ユニット３００と、周縁撮像ユニット４００とを含む。各ユニット２００〜４００は、筐体１００内に配置されている。図４及び図５に示されるように、筐体１００のうち一端壁には、基板Ｗを筐体１００の内部に搬入し、また、基板Ｗを筐体１００の外部に搬出するための搬入出口１０１が形成されている。

回転保持ユニット２００は、図５及び図６に示されるように、保持台２０１と、アクチュエータ２０２，２０３と、ガイドレール２０４とを含む。保持台２０１は、例えば、吸着等により基板Ｗを略水平に保持する吸着チャックである。保持台２０１（吸着チャック）の形状は特に限定されないが、例えば円形であってもよい。保持台２０１のサイズは、基板Ｗよりも小さくてもよい。保持台２０１が円形の場合、保持台２０１のサイズは、例えば直径が８０ｍｍ程度であってもよい。

アクチュエータ２０２は、例えば電動モータであり、保持台２０１を回転駆動する。アクチュエータ２０２は、保持台２０１に保持されている基板Ｗを回転させるように構成されている。アクチュエータ２０２は、保持台２０１の回転位置を検出するためのエンコーダを含んでいてもよい。この場合、各ユニット３００，４００による基板Ｗの各面の撮像位置と、回転位置との対応付けを行うことができる。基板Ｗが切欠部を有する場合には、各ユニット３００，４００によって判別された当該切欠部とエンコーダによって検出された回転位置とに基づいて、基板Ｗの姿勢を特定することができる。

アクチュエータ２０３は、例えばリニアアクチュエータであり、保持台２０１をガイドレール２０４に沿って移動させる。アクチュエータ２０３は、保持台２０１に保持されている基板Ｗをガイドレール２０４の一端側と他端側との間で搬送するように構成されている。そのため、保持台２０１に保持されている基板Ｗは、搬入出口１０１寄りの第１の位置と、周縁撮像ユニット４００寄りの第２の位置との間で移動可能である。ガイドレール２０４は、筐体１００内において線状（例えば、直線状、曲線状など）に延びている。

表面撮像ユニット３００は、図５及び図６に示されるように、カメラ３１０と、照明モジュール３２０とを含む。カメラ３１０及び照明モジュール３２０は、一組の撮像モジュールを構成している。カメラ３１０は、レンズと、一つの撮像素子（例えば、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサ等）とを含む。カメラ３１０は、照明モジュール３２０に対向している。

照明モジュール３２０は、ハーフミラー３２１と、光源３２２とを含む。ハーフミラー３２１は、水平方向に対して略４５°傾いた状態で、筐体１００内に配置されている。ハーフミラー３２１は、上方から見てガイドレール２０４の延在方向に交差するように、ガイドレール２０４の中間部分の上方に位置している。ハーフミラー３２１は、矩形状を呈している。ハーフミラー３２１の長さは、基板Ｗの直径よりも大きい。

光源３２２は、ハーフミラー３２１の上方に位置している。光源３２２は、ハーフミラー３２１よりも長い。光源３２２から出射された光は、ハーフミラー３２１を全体的に通過して下方（ガイドレール２０４側）に向けて照射される。ハーフミラー３２１を通過した光は、ハーフミラー３２１の下方に位置する物体で反射した後、ハーフミラー３２１で再び反射して、カメラ３１０のレンズを通過し、カメラ３１０の撮像素子に入射する。すなわち、カメラ３１０は、ハーフミラー３２１を介して、光源３２２の照射領域に存在する物体を撮像できる。例えば、基板Ｗを保持する保持台２０１がアクチュエータ２０３によってガイドレール２０４に沿って移動する際に、カメラ３１０は、光源３２２の照射領域を通過する基板Ｗの表面Ｗａを撮像できる。カメラ３１０によって撮像された撮像画像のデータは、コントローラＣｔｒに送信される。

周縁撮像ユニット４００は、図７〜図１０に示されるように、カメラ４１０と、照明モジュール４２０と、ミラー部材４３０とを含む。カメラ４１０、照明モジュール４２０及びミラー部材４３０は、一組の撮像モジュールを構成している。カメラ４１０は、レンズ４１１と、一つの撮像素子４１２（例えば、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサ等）とを含む。カメラ４１０は、照明モジュール４２０に対向している。

照明モジュール４２０は、図７〜図１０に示されるように、保持台２０１に保持された基板Ｗの上方に配置されている。照明モジュール４２０は、光源４２１と、光散乱部材４２２と、保持部材４２３とを含む。光源４２１は、例えば、複数のＬＥＤ点光源４２１ｂ（図１０参照）で構成されていてもよい。

保持部材４２３は、ハーフミラー４２４と、円柱レンズ４２５と、光拡散部材４２６と、焦点調節レンズ４２７とを内部に保持している。ハーフミラー４２４は、図８及び図１０に示されるように、水平方向に対して略４５°傾いた状態で、貫通孔４２３ａ及び交差孔４２３ｂの交差部分に配置されている。ハーフミラー４２４は、矩形状を呈している。

焦点調節レンズ４２７は、交差孔４２３ｂ内に配置されている。焦点調節レンズ４２７は、レンズ４１１との合成焦点距離を変化させる機能を有するレンズであれば特に限定されない。焦点調節レンズ４２７は、例えば、直方体形状を呈するレンズである。

ミラー部材４３０は、図７及び図１０に示されるように、照明モジュール４２０の下方に配置されている。ミラー部材４３０は、図７及び図１０〜図１２に示されるように、本体４３１と、反射面４３２とを含む。本体４３１は、アルミブロックによって構成されている。

反射面４３２は、図１２に示されるように、保持台２０１に保持された基板Ｗが筐体１００内の第２の位置にある場合、保持台２０１に保持された基板Ｗの端面Ｗｃと裏面Ｗｂの周縁領域Ｗｄとに対向する。反射面４３２は、保持台２０１の回転軸に対して傾斜している。反射面４３２には、鏡面加工が施されている。例えば、反射面４３２には、ミラーシートが貼り付けられていてもよいし、アルミめっきが施されていてもよいし、アルミ材料が蒸着されていてもよい。

反射面４３２は、保持台２０１に保持された基板Ｗの端面Ｗｃから離れる側に向けて窪んだ湾曲面である。すなわち、ミラー部材４３０は、凹面鏡である。そのため、基板Ｗの端面Ｗｃが反射面４３２に写ると、その鏡像が実像よりも拡大する。反射面４３２の曲率半径は、例えば、１０ｍｍ〜３０ｍｍ程度であってもよい。反射面４３２の開き角θ（図１２参照）は、１００°〜１５０°程度であってもよい。なお、反射面４３２の開き角θとは、反射面４３２に外接する２つの平面がなす角をいう。

照明モジュール４２０においては、光源４２１から出射された光は、光散乱部材４２２で散乱され、円柱レンズ４２５で拡大され、さらに光拡散部材４２６で拡散された後、ハーフミラー４２４を全体的に通過して下方に向けて照射される。ハーフミラー４２４を通過した拡散光は、ハーフミラー４２４の下方に位置するミラー部材４３０の反射面４３２で反射する。保持台２０１に保持された基板Ｗが第２の位置にある場合、拡散光が反射面４３２で反射した反射光は、図１３（ａ）に示されるように、主として基板Ｗの端面Ｗｃと表面Ｗａの周縁領域Ｗｄとに照射される。

基板Ｗの表面Ｗａの周縁領域Ｗｄから反射した反射光は、ミラー部材４３０の反射面４３２には向かわずにハーフミラー４２４で再び反射して（図１３（ｂ）参照）、焦点調節レンズ４２７は通過せずにカメラ４１０のレンズ４１１を通過し、カメラ４１０の撮像素子４１２に入射する。一方、基板Ｗの端面Ｗｃから反射した反射光は、ミラー部材４３０の反射面４３２とハーフミラー４２４とで順次反射して、焦点調節レンズ４２７とカメラ４１０のレンズ４１１とを順次通過し、カメラ４１０の撮像素子４１２に入射する。したがって、基板Ｗの端面Ｗｃからカメラ４１０の撮像素子４１２に到達する光の光路長は、基板Ｗの表面Ｗａの周縁領域Ｗｄからカメラ４１０の撮像素子４１２に到達する光の光路長よりも長い。これらの光路の光路差は、例えば１ｍｍ〜１０ｍｍ程度であってもよい。このように、カメラ４１０の撮像素子４１２には、基板Ｗの表面Ｗａの周縁領域Ｗｄからの光と、基板Ｗの端面Ｗｃからの光との双方が入力される。すなわち、保持台２０１に保持された基板Ｗが筐体１００内の第２の位置にある場合、カメラ４１０は、基板Ｗの表面Ｗａの周縁領域Ｗｄと基板Ｗの端面Ｗｃとの双方を撮像できる。カメラ４１０によって撮像された撮像画像のデータは、コントローラＣｔｒに送信される。

［コントローラの構成］
コントローラＣｔｒは、基板Ｗの表面Ｗａの処理状態を表す情報として、基板Ｗの表面Ｗａの画像情報を取得するように検査ユニットＵ３を制御する。ここで、基板Ｗの表面Ｗａの画像情報は、基板Ｗの表面Ｗａの処理状態に応じて変化し得るので、基板Ｗの表面Ｗａの画像情報に基づくことで、基板Ｗの表面Ｗａの処理状態を把握することが可能である。しかしながら、基板Ｗの表面Ｗａの画像情報には、基板Ｗの表面Ｗａの変形も影響を及ぼし得る。そこで、コントローラＣｔｒは、対象基板の表面の変形因子の情報を得ることと、対象基板の表面画像を得ることと、表面の変形による画像変化を補償する補正係数を、表面の変形因子の情報に基づいて算出することと、補正係数を用いて対象基板の表面画像を補正して、対象基板の補正画像を生成することとを含む、情報処理方法を実行するように構成されている。

この情報処理方法によれば、表面の変形因子の情報に基づき補正係数を算出し、補正係数を用いて対象基板の表面画像を補正することで、対象基板の表面の変形による画像変化の影響を、対象基板の表面画像から容易に取り除くことができる。従って、基板の表面画像に基づいて、基板の表面の処理状態をより高い精度で評価するのに有効である。基板Ｗの表面Ｗａの変形は、表面Ｗａの歪み、及び表面Ｗａ全体の傾きを含む。基板Ｗの表面Ｗａの変形因子の具体例としては、基板Ｗの反り、保持台２０１の表面の凹凸に起因する基板Ｗの変形、保持台２０１の傾きに起因する基板Ｗの傾き等が挙げられる。

コントローラＣｔｒは、図１４に示されるように、機能モジュールとして、読取部Ｍ１と、記憶部Ｍ２と、処理部Ｍ３と、指示部Ｍ４とを有する。これらの機能モジュールは、コントローラＣｔｒの機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、コントローラＣｔｒを構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路（例えば論理回路）、又は、これを集積した集積回路（ＡＳＩＣ：Application Specific IntegratedCircuit）により実現されるものであってもよい。

読取部Ｍ１は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体ＲＭからプログラムを読み取る。記録媒体ＲＭは、塗布現像装置２の各部を動作させるためのプログラムを記録している。記録媒体ＲＭは、例えば、半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、光磁気記録ディスクであってもよい。

記憶部Ｍ２は、種々のデータを記憶する。記憶部Ｍ２は、例えば、読取部Ｍ１において記録媒体ＲＭから読み出したプログラム、カメラ３１０，４１０が撮像した基板Ｗの表面Ｗａの撮像画像（表面画像）の他、基板Ｗに関する各種の情報（詳しくは後述するが、例えば、反り量、反り係数、補正係数、補正画像など）、外部入力装置（図示せず）を介してオペレータから入力された設定データ等を記憶する。

処理部Ｍ３は、各種データを処理する。処理部Ｍ３は、例えば、記憶部Ｍ２に記憶されている各種データに基づいて、液処理ユニットＵ１、熱処理ユニットＵ２、保持台２０１、アクチュエータ２０３、カメラ３１０，４１０、光源３２２，４２１などを動作させるための動作信号を生成してもよい。処理部Ｍ３は、算出部Ｍ３１と、生成部Ｍ３２とを含む（詳しくは後述する）。

指示部Ｍ４は、処理部Ｍ３において生成された動作信号を各種装置に送信する。

コントローラＣｔｒのハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成される。コントローラＣｔｒは、ハードウェア上の構成として、例えば図１５に示される回路Ｃｔｒ１を有する。回路Ｃｔｒ１は、電気回路要素（circuitry）で構成されていてもよい。回路Ｃｔｒ１は、具体的には、プロセッサＣｔｒ２（算出部、生成部）と、メモリＣｔｒ３（記憶部）と、ストレージＣｔｒ４（記憶部）と、ドライバＣｔｒ５と、入出力ポートＣｔｒ６とを含む。

プロセッサＣｔｒ２は、メモリＣｔｒ３及びストレージＣｔｒ４の少なくとも一方と協働してプログラムを実行し、入出力ポートＣｔｒ６を介した信号の入出力を実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。メモリＣｔｒ３及びストレージＣｔｒ４は、記憶部Ｍ２として機能する。ドライバＣｔｒ５は、塗布現像装置２の各種装置をそれぞれ駆動する回路である。入出力ポートＣｔｒ６は、ドライバＣｔｒ５と塗布現像装置２の各種装置（例えば、液処理ユニットＵ１、熱処理ユニットＵ２、保持台２０１、アクチュエータ２０３、カメラ３１０，４１０、光源３２２，４２１など）との間で、信号の入出力を行う。

基板処理システム１は、一つのコントローラＣｔｒを備えていてもよいし、複数のコントローラＣｔｒで構成されるコントローラ群（制御部）を備えていてもよい。基板処理システム１がコントローラ群を備えている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコントローラＣｔｒによって実現されていてもよいし、２個以上のコントローラＣｔｒの組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラＣｔｒが複数のコンピュータ（回路Ｃｔｒ１）で構成されている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコンピュータ（回路Ｃｔｒ１）によって実現されていてもよいし、２つ以上のコンピュータ（回路Ｃｔｒ１）の組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラＣｔｒは、複数のプロセッサＣｔｒ２を有していてもよい。この場合、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのプロセッサＣｔｒ２によって実現されていてもよいし、２つ以上のプロセッサＣｔｒ２の組み合わせによって実現されていてもよい。

以下、上述した表面Ｗａの変形因子として、主として基板Ｗの反りに着目した場合のコントローラＣｔｒによる情報処理方法を例示する。この場合、上述したコントローラＣｔｒによる情報処理方法において、表面Ｗａの変形因子の情報を得ることは、対象基板の反り量を得ることを含み、表面Ｗａの変形因子の情報に基づいて補正係数を算出することは、反り量が既知である基準基板に基づく反り係数と、対象基板の反り量とに基づいて、補正係数を算出することを含む。以下、この情報処理方法を、反り係数の算出方法と、補正方法とに分けて詳述する。

［反り係数の算出方法］
続いて、図１６を参照して、検査ユニットＵ３を用いて基準基板に基づいて反り係数を得る方法について説明する。

ここで、基準基板は、平坦であるか否かが既知である基板Ｗをいい、以下では符号「Ｗ_Ｓ」を付する。基準基板Ｗ_Ｓは、平坦な基準基板Ｗ_ＳＦと、非平坦な基準基板Ｗ_ＳＷとを含んでいてもよい。基準基板Ｗ_ＳＷは、図１７（ａ）に示されるような、上に凸の回転放物面形状を呈する基準基板Ｗ_Ｓ（周縁に向かうにつれて高さが低くなるように反ったドーム形状）と、図１７（ｂ）に示されるような、下に凸の回転放物面形状（周縁に向かうにつれて高さが高くなるように反ったボウル形状）を呈する基準基板Ｗ_Ｓとを含む。

基準基板Ｗ_Ｓの平坦度の評価指標としては、例えば、ＳＥＭＩ（Semiconductor Equipment and Materials International）規格で定義されるＧＢＩＲ（Global Backside Ideal Focal Plane Range）、ＳＦＱＲ（Site Frontside Least Squares Focal Plane Range）、ＳＢＩＲ（Site Backside Ideal Focal Plane Range）、ＲＯＡ（RollOff Amount）、ＥＳＦＱＲ（Site Frontside Least Squares FocalPlane Range）、ＺＤＤ（Z-height Double Differentiation）などが挙げられる。基準基板Ｗ_ＳＦは、例えば、ＳＦＱＲの最大値が１００ｎｍ程度の平坦度を有していてもよいし、ＳＦＱＲの最大値が４２ｎｍ程度の平坦度を有していてもよいし、ＳＦＱＲの最大値が３２ｎｍ程度の平坦度を有していてもよいし、ＳＦＱＲの最大値が１６ｎｍ程度の平坦度を有していてもよい。

まず、コントローラＣｔｒが塗布現像装置２の各部を制御して、基準基板Ｗ_Ｓを検査ユニットＵ３に搬送させる（ステップＳ１１）。次に、コントローラＣｔｒが回転保持ユニット２００を制御して、保持台２０１に基準基板Ｗ_Ｓを保持させる。次に、コントローラＣｔｒが回転保持ユニット２００を制御して、アクチュエータ２０３によって、保持台２０１を第１の位置から第２の位置へとガイドレール２０４に沿って移動させる。

このとき、コントローラＣｔｒが表面撮像ユニット３００を制御して、光源３２２をＯＮにさせつつ、カメラ３１０による撮像を行う（ステップＳ１２）。基準基板Ｗ_Ｓが第２の位置に到達し、カメラ３１０による撮像が完了すると、カメラ３１０によって撮像された撮像画像（表面画像）のデータが記憶部Ｍ２に送信される。カメラ３１０による撮像完了時において、基準基板Ｗ_Ｓは、照明モジュール４２０とミラー部材４３０との間に位置する。

ここで、図１８に、ドーム形状の基準基板Ｗ_ＳＷの表面画像の一例を示す。図１８に示されるように、基準基板Ｗ_ＳＷの反りの状態に応じて、表面画像の輝度値が変化する。以下では、表面画像の画素の任意座標（ｘ，ｙ）における輝度値をＩ（ｘ，ｙ）と表すことがある。

次に、コントローラＣｔｒが回転保持ユニット２００を制御して、保持台２０１をアクチュエータ２０２によって回転させる。これにより、基準基板Ｗ_Ｓが回転する。この状態で、コントローラＣｔｒが周縁撮像ユニット４００を制御して、光源４２１をＯＮにさせつつ、カメラ４１０による撮像を行う（ステップＳ１３）。こうして、基準基板Ｗ_Ｓの端面が撮像される。カメラ４１０によって得られた基準基板Ｗ_Ｓの端面の撮像画像（端面画像）は、記憶部Ｍ２に記憶される。

次に、算出部Ｍ３１は、ステップＳ１２で得られた端面画像に基づいて、基準基板Ｗ_Ｓのプロファイル線（反り量）を算出する（ステップＳ１４）。算出部Ｍ３１は、例えば、端面画像のコントラスト差に基づいて、基準基板Ｗ_Ｓの端面の上縁及び下縁を判別する。そして、算出部Ｍ３１は、当該上縁と下縁との中間位置を通る線をプロファイル線として算出する。こうして、基準基板Ｗ_Ｓの端面の形状が取得される。なお、一例として、基準基板Ｗ_Ｓのプロファイル線Ｐ０，Ｐ１，Ｐ２を図１９に示す。

プロファイル線Ｐ０は、基準基板Ｗ_ＳＦのプロファイル線の例である。プロファイル線Ｐ１，Ｐ２はそれぞれ、基準基板Ｗ_ＳＷのプロファイル線の例である。

プロファイル線Ｐ１は、ドーム形状の基準基板Ｗ_ＳＷ（図１７（ａ）参照）のプロファイル線の例である。基準基板Ｗ_Ｓの中央部を基準とした場合、ドーム形状の基準基板Ｗ_ＳＷの周縁の高さは、基準基板Ｗ_ＳＦの周縁の高さよりも低くなるので、プロファイル線Ｐ１は、プロファイル線Ｐ０を上回ることなくプロファイル線Ｐ０に沿って延びる傾向にある（同参照）。

プロファイル線Ｐ２は、ボウル形状の基準基板Ｗ_ＳＷ（図１７（ｂ）参照）のプロファイル線の例である。基準基板Ｗ_Ｓの中央部を基準とした場合、ボウル形状の基準基板Ｗ_ＳＷの周縁の高さは、基準基板Ｗ_ＳＦの周縁の高さよりも高くなるので、プロファイル線Ｐ２は、プロファイル線Ｐ０を下回ることなくプロファイル線Ｐ０に沿って延びる傾向にある（同参照）。

次に、算出部Ｍ３１は、基準基板Ｗ_ＳＦのプロファイル線Ｐ０と基準基板Ｗ_ＳＷのプロファイル線Ｐ１，Ｐ２とに基づいて、基準基板Ｗ_ＳＦに対する基準基板Ｗ_ＳＷの相対反り量（反り量）を算出する（ステップＳ１５）。例えば、基準基板Ｗ_ＳＷがドーム形状を呈している場合、算出部Ｍ３１は、基準基板Ｗ_ＳＷの所定の座標（角度）におけるプロファイル線Ｐ１の値から同じ座標における基準基板Ｗ_ＳＦのプロファイル線Ｐ０の値を減算して、相対反り量ΔＰ（μｍ）を算出してもよい。算出部Ｍ３１は、例えば、９０°の位置での相対反り量ΔＰを次の式により算出してもよい。
ΔＰ＝Ｐ１（９０°）−Ｐ０（９０°）
算出部Ｍ３１は、プロファイル線Ｐ１の平均値Ｐ１_Ｍと、プロファイル線Ｐ２の平均値Ｐ２_Ｍとの差分に基づいて、相対反り量ΔＰを算出してもよい。算出部Ｍ３１は、例えば、次の式により相対反り量ΔＰを算出してもよい。
ΔＰ＝Ｐ１_Ｍ−Ｐ２_Ｍ

次に、算出部Ｍ３１は、相対反り量ΔＰと、基準基板Ｗ_ＳＷの表面画像とに基づいて、反り係数Ａ（ｘ，ｙ）を算出する（ステップＳ１６）。算出部Ｍ３１は、例えば、相対反り量ΔＰと、基準基板Ｗ_ＳＷの表面画像の輝度値Ｉ_Ｗ（ｘ，ｙ）とから、基準基板Ｗ_ＳＷの反り１μｍあたりの輝度値の強度変動を各画素について求めて、当該強度変動を反り係数Ａ（ｘ，ｙ）として算出してもよい。

このとき、輝度値Ｉ_Ｗ（ｘ，ｙ）に代えて、基準基板Ｗ_ＳＦの表面画像の輝度値Ｉ_Ｆ（ｘ，ｙ）で輝度値Ｉ_Ｗ（ｘ，ｙ）を除算した標準化データＩ_Ｎ（ｘ，ｙ）を用いて、反り係数Ａ（ｘ，ｙ）を算出してもよい。算出部Ｍ３１は、例えば、次の式により反り係数Ａ（ｘ，ｙ）を算出してもよい。
Ａ（ｘ，ｙ）＝｜１−Ｉ_Ｎ（ｘ，ｙ）｜／｜ΔＰ｜

基準基板Ｗ_ＳＷの表面画像における中央部の輝度値を基準基板Ｗ_ＳＦの表面画像の輝度値と見なした見なし輝度値Ｉ_Ｆ’（ｘ，ｙ）により、標準化データＩ_Ｎ（ｘ，ｙ）を算出してもよい。見なし輝度値Ｉ_Ｆ’（ｘ，ｙ）は、例えば、基準基板Ｗ_ＳＷの表面画像において中央部のＹ方向に数十〜１００ピクセル程度並ぶ画素を平均化し、その値をＹ方向の全ての画素の輝度値に置き換える作業を、Ｘ方向の全ての画素に対して実施したものであってもよい。

［補正方法］
続いて、図２０を参照して、検査ユニットＵ３を用いて、製品用の基板Ｗ（以下、基板Ｗ_Ｐと称する。）の反りが撮像画像に及ぼす影響を補正する方法について説明する。

まず、コントローラＣｔｒが塗布現像装置２の各部を制御して、基板Ｗ_Ｐを検査ユニットＵ３に搬送させる（ステップＳ２１）。次に、コントローラＣｔｒが回転保持ユニット２００を制御して、保持台２０１に基板Ｗを保持させる。次に、コントローラＣｔｒが回転保持ユニット２００を制御して、アクチュエータ２０３によって、保持台２０１を第１の位置から第２の位置へとガイドレール２０４に沿って移動させる。

このとき、コントローラＣｔｒが表面撮像ユニット３００を制御して、光源３２２をＯＮにさせつつ、カメラ３１０による撮像を行う（ステップＳ２２）。基板Ｗ_Ｐが第２の位置に到達し、カメラ３１０による撮像が完了すると、カメラ３１０によって撮像された基板Ｗ_Ｐの表面の撮像画像（表面画像）のデータが記憶部Ｍ２に送信される。カメラ３１０による撮像完了時において、基板Ｗ_Ｐは、照明モジュール４２０とミラー部材４３０との間に位置する。

次に、コントローラＣｔｒが回転保持ユニット２００を制御して、保持台２０１をアクチュエータ２０２によって回転させる。これにより、基板Ｗ_Ｐが回転する。この状態で、コントローラＣｔｒが周縁撮像ユニット４００を制御して、光源４２１をＯＮにさせつつ、カメラ４１０による撮像を行う（ステップＳ２３）。こうして、基板Ｗ_Ｐの端面が撮像される。カメラ４１０によって得られた基板Ｗ_Ｐの端面の撮像画像（端面画像）は、記憶部Ｍ２に記憶される。

次に、算出部Ｍ３１は、ステップＳ１２で得られた端面画像に基づいて、基板Ｗ_Ｐのプロファイル線（反り量）を算出する（ステップＳ２４）。算出部Ｍ３１は、例えば、端面画像のコントラスト差に基づいて、基板Ｗ_Ｐの端面の上縁及び下縁を判別する。そして、算出部Ｍ３１は、当該上縁と下縁との中間位置を通る線をプロファイル線ＰＸとして算出する。こうして、基板Ｗ_Ｐの端面の形状が取得される。

次に、算出部Ｍ３１は、基準基板Ｗ_ＳＦのプロファイル線Ｐ０と基板Ｗ_Ｐのプロファイル線ＰＸとに基づいて、基準基板Ｗ_ＳＦに対する基板Ｗ_Ｐの相対反り量（反り量）を算出する（ステップＳ２５）。例えば、算出部Ｍ３１は、基準基板Ｗ_ＳＦの所定の座標（角度）におけるプロファイル線Ｐ１の値から同じ座標における基板Ｗ_Ｐのプロファイル線ＰＸの値を減算して、相対反り量ΔＱ（μｍ）を算出してもよい。算出部Ｍ３１は、例えば、９０°の位置での相対反り量ΔＱを次の式により算出してもよい。
ΔＱ＝ＰＸ（９０°）−Ｐ０（９０°）

次に、算出部Ｍ３１は、相対反り量Ｑと、ステップＳ１６で算出した反り係数Ａ（ｘ，ｙ）とに基づいて、補正係数Ｂ（ｘ，ｙ）を算出する（ステップＳ２６）。算出部Ｍ３１は、例えば、次の式により補正係数Ｂ（ｘ，ｙ）を算出してもよい。
Ｂ（ｘ，ｙ）＝Ａ（ｘ，ｙ）×ΔＱ＋１

次に、生成部Ｍ３２は、基板Ｗ_Ｐの表面画像の輝度値Ｉ（ｘ，ｙ）と、ステップＳ２６で算出した補正係数Ｂ（ｘ，ｙ）とに基づいて、基板Ｗ_Ｐの表面画像から反りの影響を除いた補正画像の輝度値Ｊ（ｘ，ｙ）を算出する。生成部Ｍ３２は、例えば、輝度値Ｉ（ｘ，ｙ）を補正係数Ｂ（ｘ，ｙ）で除算することにより、輝度値Ｊ（ｘ，ｙ）を算出してもよい。これにより、基板Ｗ_Ｐの反りによる影響が補正された補正画像が生成される（ステップＳ２７）。

［作用］
以上の例によれば、補正係数Ｂ（ｘ，ｙ）は、反り量が既知である基準基板Ｗ_Ｓに基づく反り係数Ａ（ｘ，ｙ）と、当該補正係数Ｂ（ｘ，ｙ）を算出しようとする基板Ｗ_Ｐそれ自身に由来する相対反り量ΔＱとから得られる。そのため、基板Ｗ_Ｐの表面画像が、自己のパラメータを含む相対反り量ΔＱに基づいて適切に補正される。したがって、基板Ｗ_Ｐに反りがある場合であっても、その反りの影響が補正された補正画像を精度よく得ることが可能となる。

以上の例によれば、反り係数Ａ（ｘ，ｙ）は、基準基板Ｗ_ＳＷの表面画像の各画素のそれぞれについて算出されうる。この場合、補正係数Ｂ（ｘ，ｙ）も、基板Ｗ_Ｐの表面画像の各画素にそれぞれ応じた値となる。そのため、反り係数Ａ（ｘ，ｙ）を用いることで、基板Ｗ_Ｐの表面画像の各画素のそれぞれに応じた補正係数Ｂ（ｘ，ｙ）をより簡単に算出することが可能となる。また、基板Ｗ_Ｐに反りがある場合であっても、補正係数Ｂ（ｘ，ｙ）を用いることで、その反りの影響をより効果的に補正することが可能となる。

以上の例によれば、反り係数Ａ（ｘ，ｙ）は、基準基板Ｗ_ＳＷの表面画像の輝度値Ｉ_Ｗ（ｘ，ｙ）に基づいて、基準基板Ｗ_ＳＷの表面画像の各画素のそれぞれについて算出されうる。この場合、反り係数Ａ（ｘ，ｙ）から得られる補正係数Ｂ（ｘ，ｙ）を用いて、基板Ｗ_Ｐの表面画像における各画素の輝度値をそれぞれ補正することで、補正画像が生成される。そのため、輝度値の計算という簡単な手法で、反り係数Ａ（ｘ，ｙ）及び補正画像を得ることが可能となる。

以上の例によれば、標準化データＩ_Ｎ（ｘ，ｙ）を用いて反り係数Ａ（ｘ，ｙ）が算出されうる。この場合、当該反り係数Ａ（ｘ，ｙ）を用いて、後続の計算をより簡単に行うことが可能となる。

以上の例によれば、基準基板Ｗ_ＳＷの反り量は、基準基板Ｗ_ＳＦのプロファイル線Ｐ０と基準基板Ｗ_ＳＷのプロファイル線Ｐ１，Ｐ２とに基づく相対反り量ΔＰとして算出されうる。この場合、基準基板Ｗ_ＳＦの自重による反りの影響が除去される。そのため、精度の高い反り係数Ａ（ｘ，ｙ）を算出することが可能となる。

以上の例によれば、基板Ｗ_Ｐの反り量は、基準基板Ｗ_ＳＦのプロファイル線Ｐ０と基板Ｗ_Ｐのプロファイル線ＰＸとに基づく相対反り量ΔＱとして算出されうる。この場合、基板Ｗ_Ｐの自重による反りの影響が除去される。そのため、精度の高い補正係数Ｂ（ｘ，ｙ）を算出することが可能となる。したがって、基板Ｗ_Ｐに反りがある場合であっても、その反りの影響をさらに効果的に補正することが可能となる。

ところで、一般に、基板Ｗの表面画像は、基板Ｗの反り量に応じて各画素の色情報が変化する。そのため、以上の例のように、基準基板Ｗ_ＳＷの反り量と、基準基板Ｗ_ＳＷの表面画像との対応関係に基づいて反り係数Ａ（ｘ，ｙ）をモデル化することにより、反り係数Ａ（ｘ，ｙ）と、基板Ｗ_Ｐの反り量との関係性から、基板Ｗ_Ｐの表面画像の補正係数を簡易且つ直接的に算出することが可能となる。

以上の例によれば、基準基板Ｗ_Ｓの反り量の測定と、基準基板Ｗ_Ｓの表面の撮像とは、同じ筐体１００内で行われる。同様に基板Ｗ_Ｐの反り量の測定と、基板Ｗ_Ｐの表面の撮像とは、同じ筐体１００内で行われる。そのため、基板Ｗ_Ｐ又は基準基板Ｗ_Ｓの搬送が最小限となるので、反り係数Ａ（ｘ，ｙ）又は補正画像の取得の高速化を図ることが可能となる。

［変形例］
本明細書における開示はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。特許請求の範囲及びその要旨を逸脱しない範囲において、以上の例に対して種々の省略、置換、変更などが行われてもよい。

（１）反射面４３２は、湾曲面以外の他の形状（例えば、平坦面）を呈していてもよい。

（２）周縁撮像ユニット４００は、焦点調節レンズ４２７を含んでいなくてもよい。

（３）周縁撮像ユニット４００は、光散乱部材４２２、円柱レンズ４２５及び光拡散部材４２６のいずれかを含んでいなくてもよい。

（４）検査ユニットＵ３は、棚ユニット１４，１５に配置されていてもよい。

（５）基準基板Ｗ_Ｓ又は基板Ｗ_Ｐの反り量（相対反り量ΔＰ，ΔＱ）を算出するにあたり、基準基板Ｗ_Ｓ又は基板Ｗ_Ｐの端面Ｗｃのみを撮像可能な撮像モジュールを用いてもよい。

（６）保持台２０１によって回転される基板Ｗは、偏心回転したり、中心軸が傾いた状態で回転することがある。保持台２０１の回転軸自体の軸振れ、保持台２０１の機械的な組み付け公差による振れ、保持台２０１の吸着面における公差による振れなどが存在することがあるためである。その結果、基板Ｗの周縁が上下に振れることがある。そこで、調整用の基板Ｗ（以下、基板Ｗ_Ａと称する。）を用いて、保持台２０１による回転ぶれの影響を抑制することにより、基板Ｗの反りをより高精度に補正してもよい。

例えば、反り係数の算出前に、保持台２０１に対する基板Ｗ_Ａの角度を変えつつ、基板Ｗ_Ａの反り量（プロファイル線）を複数取得してもよい。取得された当該プロファイル線には、回転保持ユニット２００による基板Ｗ_Ａの回転ぶれの成分と、基板Ｗ_Ａの反りの成分が含まれる。そこで、基板Ｗ_Ａの複数のプロファイル線に基づいて、保持台２０１による回転ぶれの成分（保持台２０１の傾き成分）を算出してもよい。

（７）基準基板Ｗ_ＳＷの異なる２つの領域（例えば、上半分領域及び下半分領域）についての反り量（第１の反り量及び第２の反り量）を、それぞれ取得してもよい。基準基板Ｗ_ＳＷの一方の領域に対する第１の反り係数を、第１の反り量と、当該一方の領域の表面画像とに基づいて算出してもよい。基準基板Ｗ_ＳＷの他方の領域に対する第２の反り係数を、第２の反り量と、当該他方の領域の表面画像とに基づいて算出してもよい。

基準基板Ｗ_ＳＷの異なる２つの領域に対応するように設定された基板Ｗ_Ｐの異なる２つの領域（例えば、上半分領域及び下半分領域）についての反り量（第３の反り量及び第４の反り量）を、それぞれ取得してもよい。基板Ｗ_Ｐの一方の領域に対する第１の補正係数を、第３の反り量と、第１の反り係数とに基づいて算出してもよい。基板Ｗ_Ｐの他方の領域に対する第２の補正係数を、第４の反り量と、第２の反り係数とに基づいて算出してもよい。

基板Ｗ_Ｐの一方の領域に対する第１の補正画像を、第１の補正係数を用いて生成してもよい。基板Ｗ_Ｐの他方の領域に対する第２の補正画像を、第２の補正係数を用いて生成してもよい。これらの第１の補正画像及び第２の補正画像を合成して、基板Ｗ_Ｐの全体の補正画像を生成してもよい。以上によれば、基準基板Ｗ_ＳＷの一方の領域の反り量と基準基板Ｗ_ＳＷの他方の領域の反り量とが異なっている場合や、基板Ｗ_Ｐの一方の領域の反り量と基板Ｗ_Ｐの他方の領域の反り量とが異なっている場合でも、基板Ｗ_Ｐの補正画像を精度よく得ることが可能となる。

（８）反り係数、補正係数などの計算は、各画素に含まれる色情報（色相、彩度、明度など）に基づいて行われてもよい。

（９）キャリアから搬送されてくる最初の１枚目の基板Ｗ_Ｐに対してのみ補正係数Ｂ（ｘ，ｙ）を算出してもよい。この場合、２枚目以降の基板Ｗ_Ｐの表面画像の輝度値Ｉ（ｘ，ｙ）と、１枚目の基板Ｗ_Ｐから得られた補正係数Ｂ（ｘ，ｙ）とに基づいて、補正画像を精製してもよい。

（１０）複数の基板Ｗ_Ｐの表面画像の輝度値Ｉ（ｘ，ｙ）を取得する処理（ステップＳ２２）と、当該複数の基板Ｗ_Ｐのうち少なくとも一つから補正係数Ｂ（ｘ，ｙ）を算出する処理（ステップＳ２３〜Ｓ２６）とが、別のタイミングで実行されてもよい。例えば、複数の基板Ｗ_Ｐの表面画像の輝度値Ｉ（ｘ，ｙ）を取得する処理（ステップＳ２２）が完了した後に、当該複数の基板Ｗ_Ｐのうち少なくとも一つから補正係数Ｂ（ｘ，ｙ）を算出する処理（ステップＳ２３〜Ｓ２６）が実行されてもよい。当該補正係数Ｂ（ｘ，ｙ）を用いて、既に取得されている複数の基板Ｗ_Ｐの表面画像の輝度値Ｉ（ｘ，ｙ）を一括して補正してもよい（補正のバッチ処理）。

（１１）上記の反り係数の算出処理又は補正処理は、塗布現像装置２から独立した検査ユニットＵ３によって実行されてもよい。

［他の例］
例１．情報処理方法の一例は、対象基板の反り量を得ることと、対象基板の表面画像を得ることと、反り量が既知である基準基板に基づいて生成された反り係数と、対象基板の反り量とに基づいて、対象基板の表面画像の補正係数を算出することと、補正係数を用いて対象基板の表面画像を補正して、対象基板の補正画像を生成することとを含んでいてもよい。この場合、補正係数は、反り量が既知である基準基板に由来する反り係数と、当該補正係数を算出しようとする対象基板それ自身に由来する反り量とから得られる。そのため、対象基板の表面画像が、自己のパラメータに由来する反り量に基づいて適切に補正される。したがって、対象基板に反りがある場合であっても、その反りの影響が補正された補正画像を精度よく得ることが可能となる。

例２．例１の方法において、補正係数を算出することは、対象基板の表面画像の各画素のそれぞれに応じた補正係数を算出することを含んでいてもよい。この場合、対象基板の表面画像が画素ごとに補正される。そのため、対象基板に反りがある場合であっても、その反りの影響をより効果的に補正することが可能となる。

例３．例１又は例２の方法において、補正画像を生成することは、補正係数を用いて対象基板の表面画像における各画素の輝度値をそれぞれ補正することにより、補正画像を生成することを含んでいてもよい。この場合、輝度値の計算という簡単な手法で補正画像を得ることが可能となる。

例４．例１〜例３のいずれかの方法において、対象基板の反り量を得ることは、略平坦な基準基板の端面におけるプロファイル線のデータ及び対象基板の端面におけるプロファイル線のデータに基づいて対象基板の反り量を算出することを含んでいてもよい。この場合、対象基板の自重による反りの影響が除去される。そのため、対象基板に反りがある場合であっても、その反りの影響をさらに効果的に補正することが可能となる。

例５．例１〜例４のいずれかの方法は、基準基板の反り量を得ることと、基準基板の表面画像を得ることと、基準基板の反り量と、基準基板の表面画像とに基づいて、反り係数を算出することとをさらに含んでいてもよい。この場合、反り係数は、基準基板の反り量と、基準基板の表面画像との対応関係によってモデル化される。一般的に、基板の表面画像は、基板の反り量に応じて各画素の色情報が変化するので、例５において規定される反り係数と、対象基板の反り量との関係性から、対象基板の表面画像の補正係数を簡易且つ直接的に算出することが可能となる。

例６．例５の方法において、反り係数を算出することは、基準基板の表面画像の各画素のそれぞれについて反り係数を算出することを含んでいてもよい。この場合、基準基板の表面画像の各画素に対応する反り係数を用いることにより、対象基板の表面画像の各画素のそれぞれに応じた補正係数をより簡単に算出することが可能となる。

例７．例６の方法において、反り係数を算出することは、基準基板の反り量と、基準基板の表面画像における各画素の輝度値とに基づいて、基準基板の表面画像の各画素のそれぞれについて反り係数を算出することを含んでいてもよい。この場合、輝度値の計算という簡単な手法で反り係数を得ることが可能となる。

例８．例７の方法において、反り係数を算出することは、基準基板の表面画像の中央領域における輝度値によって当該表面画像の各画素の輝度値が標準化された標準化データを生成することと、基準基板の反り量と標準化データとに基づいて、反り係数を算出することとを含んでいてもよい。この場合、当該反り係数を用いて、後続の計算をより簡単に行うことが可能となる。

例９．例５〜例８のいずれかの方法において、基準基板の反り量を得ることは、略平坦な基準基板の端面におけるプロファイル線のデータ及び非平坦な基準基板の端面におけるプロファイル線のデータに基づいて基準基板の反り量を算出することを含んでいてもよい。この場合、基準基板の自重による反りの影響が除去される。そのため、精度の高い反り係数を算出することが可能となる。

例１０．例９の方法において、非平坦な基準基板は、上に凸の回転放物面形状を呈する基準基板、又は、下に凸の回転放物面形状を呈する基準基板であってもよい。

例１１．例５〜例１０のいずれかの方法は、基準基板の異なる２つの領域の反り量をそれぞれ得ることと、２つの領域の反り量と、基準基板の表面画像とに基づいて、２つの領域のそれぞれについて反り係数を算出することとをさらに含んでいてもよい。この場合、基準基板の一方の領域の反り量と基準基板の他方の領域の反り量とが異なっていても、対象基板の補正画像を精度よく得ることが可能となる。

例１２．例１〜例１１のいずれかの方法は、基板保持部に対する調整用基板の角度を変えて得られた、調整用基板の２通りの反り量に基づいて、基板保持部の傾き成分を算出することをさらに含んでいてもよい。この場合、基板を保持する基板保持部の傾きの影響を基板の反り量から除去することが可能となる。

例１３．例１〜例１２のいずれかの方法において、対象基板の反り量の測定と、対象基板の表面の撮像とは、同じ筐体内で行われてもよい。この場合、対象基板の搬送が最小限となるので、補正画像の取得の高速化を図ることが可能となる。

例１４．情報処理装置の一例は、反り量が既知である基準基板に基づいて生成された反り係数と、対象基板の反り量と、対象基板の表面画像とを記憶するように構成された記憶部と、反り係数と、対象基板の反り量とに基づいて、対象基板の表面画像の補正係数を算出するように構成された算出部と、補正係数を用いて対象基板の表面画像を補正して、対象基板の補正画像を生成するように構成された生成部とを備えていてもよい。この場合、例１と同様の作用効果が得られる。

例１５．コンピュータ読み取り可能な記録媒体は、例１〜例１３のいずれかの方法を情報処理装置に実行させるためのプログラムを記録していてもよい。この場合、例１の方法と同様の作用効果が得られる。本明細書において、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体は、一時的でない有形の媒体（non-transitorycomputer recording medium）（例えば、各種の主記憶装置又は補助記憶装置）や、伝播信号（transitorycomputer recording medium）（例えば、ネットワークを介して提供可能なデータ信号）を含んでいてもよい。

２．第２実施形態
上述の第１実施形態においては、上述した表面Ｗａの変形因子として、主として基板Ｗの反りに着目した場合のコントローラＣｔｒによる情報処理方法を例示した。第２実施形態においては、上述した表面Ｗａの変形因子として、主として保持台２０１の表面の凹凸に起因する基板Ｗの変形、及び保持台２０１の傾きに起因する基板Ｗの傾き（図２１参照）に着目した場合の構成を例示する。

［基板処理システム］
同一の保持台２０１が用いられる限り、保持台２０１の表面の凹凸は、基板Ｗの形状に対し高い再現性で影響を及ぼすものと考えられる。しかしながら、上述したように保持台２０１は回転可能である。このため、保持台２０１に関する変形因子が基板Ｗの表面Ｗａの画像情報に及ぼす影響、及び保持台２０１が基板Ｗの形状に及ぼす影響は、保持台２０１の回転角度によって変わり得る。そこで、第２実施形態においては、表面撮像ユニット３００が取得する画像内における保持台２０１の傾きを把握する必要がある。このため、第２実施形態においては、図２２に示すように、保持台２０１に、指標２１１が設けられている（検査ユニットＵ３は指標２１１を更に有する）。指標２１１の具体例としては、指標穴等が挙げられる。

保持台２０１に関する変形因子に着目する場合、コントローラＣｔｒによる情報処理方法において、対象基板の表面画像を得ることは、回転可能な保持台２０１に保持された対象基板の表面画像を得ることを含み、表面の変形因子の情報を得ることは、対象基板の表面画像を得る際における保持台２０１の回転角度情報を得ることを含み、表面Ｗａの変形因子の情報に基づいて補正係数を算出することは、保持台２０１の回転角度情報に基づいて補正係数を算出することを含む。

表面Ｗａの変形因子の情報に基づいて補正係数を算出することは、保持台２０１の回転角度と補正係数との関係を表す係数モデルと、保持台２０１の回転角度情報とに基づいて補正係数を算出することを含んでもよい。

以下、この情報処理方法を、係数モデルの算出方法と、補正画像の生成方法とに分けて詳述する。

［係数モデルの算出方法］
図２３に示すように、まず、コントローラＣｔｒが回転保持ユニット２００を制御して、アクチュエータ２０３によって、保持台２０１を第１の位置から第２の位置へとガイドレール２０４に沿って移動させる。このとき、コントローラＣｔｒが表面撮像ユニット３００を制御して、光源３２２をＯＮにさせつつ、カメラ３１０による撮像を行う（ステップＳ３１）。保持台２０１が第２の位置に到達し、カメラ３１０による撮像が完了すると、カメラ３１０によって撮像された撮像画像（チャック表面画像）のデータが記憶部Ｍ２に送信される。

次に、算出部Ｍ３１が、回転保持ユニット２００から、保持台２０１の回転角度情報を取得する（ステップＳ３２）。一例として、回転保持ユニット２００は、アクチュエータ２０２の回転角度センサ（例えばロータリーエンコーダ）による保持台２０１の回転角度の検出値を、記憶部Ｍ２に送信する。算出部Ｍ３１は、回転角度センサによる保持台２０１の回転角度の検出値を、記憶部Ｍ２から取得する。以下、回転角度センサによる保持台２０１の回転角度の検出値を「センサ角度」という。

次に、算出部Ｍ３１は、ステップＳ３１において取得されたチャック表面画像における指標２１１の位置に基づいて、チャック表面画像内における保持台２０１の回転角度を算出する。以下、チャック表面画像内における保持台２０１の回転角度を「画像内チャック角度」という。算出部Ｍ３１は、センサ角度を画像内チャック角度に換算するための角度換算値を算出し、記憶部Ｍ２に記憶させる（ステップＳ３３）。

次に、コントローラＣｔｒが塗布現像装置２の各部を制御して、基準基板Ｗ_Ｓを検査ユニットＵ３に搬送させる（ステップＳ３４）。次に、コントローラＣｔｒが回転保持ユニット２００を制御して、保持台２０１に基準基板Ｗ_Ｓを保持させる。

次に、コントローラＣｔｒは、アクチュエータ２０２により保持台２０１を基準基板Ｗ_Ｓと共に回転させ、複数の回転角度ごとに基準基板Ｗ_Ｓの表面画像を表面撮像ユニット３００に取得させる。以下、これにより取得される複数の表面画像のそれぞれを、「基準画像」という。

一例として、コントローラＣｔｒは、複数の回転角度ごとに、アクチュエータ２０３によって、保持台２０１を第１の位置から第２の位置へとガイドレール２０４に沿って移動させる。このとき、コントローラＣｔｒが表面撮像ユニット３００を制御して、光源３２２をＯＮにさせつつ、カメラ３１０による撮像を行う。基準基板Ｗ_Ｓが第２の位置に到達し、カメラ３１０による撮像が完了すると、カメラ３１０によって撮像された基準画像のデータが記憶部Ｍ２に送信される（ステップＳ３５）。

ステップＳ３５において複数の回転角度ごとの撮像およびそのデータの蓄積が完了したあと、算出部Ｍ３１は、全ての基準画像に基づいて、保持台２０１の回転角度（例えば上記画像内チャック角度）と、補正係数との関係を表す係数モデルを生成し、記憶部Ｍ２に記憶させる。例えばコントローラＣｔｒは、全ての基準画像ごとに、基準画像内の画素ごとに、保持台２０１の回転角度（例えば上記画像内チャック角度）と、画素値（例えば輝度値、又は色情報）との関係を表す角度−係数関数を生成する（ステップＳ３８）。画素ごとに生成される複数の角度−係数関数の集合が、係数モデルの一例に相当する。また、保持台２０１の回転角度と、角度−係数関数とに基づいて導出される画素ごとの画素値が、補正係数の一例に相当する。以下、この画素値を「補正画素値」という。以上で係数モデルの生成が完了する。

［補正画像の生成方法］
図２４に示すように、コントローラＣｔｒが塗布現像装置２の各部を制御して、基板Ｗ_Ｐを検査ユニットＵ３に搬送させる（ステップＳ４１）。次に、コントローラＣｔｒが回転保持ユニット２００を制御して、保持台２０１に基板Ｗ_Ｐを保持させる。

次に、算出部Ｍ３１が、上記回転角度センサによる保持台２０１の回転角度の検出値（上記センサ角度）を、記憶部Ｍ２から取得し、記憶部Ｍ２が記憶する角度換算値とセンサ角度とに基づいて、上記画像内チャック角度を算出する（ステップＳ４２）。

次に、コントローラＣｔｒが回転保持ユニット２００を制御して、アクチュエータ２０３によって、保持台２０１を第１の位置から第２の位置へとガイドレール２０４に沿って移動させる。このとき、コントローラＣｔｒが表面撮像ユニット３００を制御して、光源３２２をＯＮにさせつつ、カメラ３１０による撮像を行う（ステップＳ４３）。基板Ｗ_Ｐが第２の位置に到達し、カメラ３１０による撮像が完了すると、カメラ３１０によって撮像された撮像画像（表面画像）のデータが記憶部Ｍ２に送信される。

次に、算出部Ｍ３１は、ステップＳ４２で算出した画像内チャック角度と、記憶部Ｍ２が記憶する係数モデルとに基づいて、補正係数を算出する（ステップＳ４４）。例えば算出部Ｍ３１は、表面画像の画素ごとに、角度−係数関数と、画像内チャック角度とに基づいて補正画素値を算出する。

次に、生成部Ｍ３２は、基板Ｗ_Ｐの表面画像と、ステップＳ４２で算出した補正係数とに基づいて、基板Ｗ_Ｐの表面画像から、保持台２０１に関する変形因子の影響を除いた補正画像を生成する。例えば生成部Ｍ３２は、基板Ｗ_Ｐの表面画像の各画素の画素値から、補正画素値を減算する。これにより、保持台２０１に関する変形因子の影響を除いた補正画像が生成される（ステップＳ４５）。

［作用］
以上の例によれば、保持台２０１の姿勢が表面Ｗａに及ぼす影響をも加味した補正係数を用いることで、対象基板の表面Ｗａの変形による画像変化の影響を、より確実に対象基板の表面画像から取り除くことができる。従って、基板Ｗの表面画像に基づいて、基板Ｗの表面状態をより高い精度で評価するのに有効である。

以上の例によれば、補正係数と保持台２０１の回転角度との関係を表す係数モデルを用いることで、補正係数をより簡単且つ適切に算出することができる。

以上においては、保持台２０１の表面の凹凸に起因する基板Ｗの変形と、保持台２０１の傾きに起因する基板Ｗの傾きとの両方を考慮した場合の係数モデルの生成方法を例示したが、いずれか一方のみを考慮して係数モデルを生成してもよい。例えば、保持台２０１の傾きが無視できる程度に小さい場合、保持台２０１の表面の凹凸に起因する基板Ｗの変形のみを考慮して係数モデルを生成してもよい。

基板Ｗの反り量に着目した第１実施形態の情報処理方法と、保持台２０１に関する変形因子に着目した第２実施形態の情報処理方法とを組み合わせてもよい。

１…基板処理システム、２…塗布現像装置、１００…筐体、２００…回転保持ユニット（基板保持部）、３００…表面撮像ユニット、４００…周縁撮像ユニット、Ｃｔｒ…コントローラ（情報処理装置）、Ｃｔｒ２…プロセッサ（算出部、生成部）、Ｃｔｒ３…メモリ（記憶部）、Ｃｔｒ４…ストレージ（記憶部）、Ｍ２…記憶部、Ｍ３…処理部、Ｍ３１…算出部、Ｍ３２…生成部、ＲＭ…記録媒体、Ｕ３…検査ユニット、Ｗ，Ｗ_Ａ，Ｗ_Ｐ…基板、Ｗ_Ｓ，Ｗ_ＳＦ，Ｗ_ＳＷ…基準基板、Ｗａ…表面。

Claims (18)

1. 対象基板の表面の変形因子の情報を得ることと、
   前記対象基板の表面画像を得ることと、
   前記表面の変形による画像変化を補償する補正係数を、前記表面の変形因子の情報に基づいて算出することと、
   前記補正係数を用いて前記対象基板の表面画像を補正して、前記対象基板の補正画像を生成することとを含む、情報処理方法。
2. 前記表面の変形因子の情報を得ることは、前記対象基板の反り量を得ることを含み、
   前記表面の変形因子の情報に基づいて前記補正係数を算出することは、反り量が既知である基準基板に基づく反り係数と、前記対象基板の反り量とに基づいて、前記補正係数を算出することを含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記補正係数を算出することは、前記対象基板の表面画像の各画素のそれぞれに応じた前記補正係数を算出することを含む、請求項２に記載の方法。
4. 前記補正画像を生成することは、前記補正係数を用いて前記対象基板の表面画像における各画素の輝度値をそれぞれ補正することにより、前記補正画像を生成することを含む、請求項２又は３に記載の方法。
5. 前記対象基板の反り量を得ることは、略平坦な基準基板の端面におけるプロファイル線のデータ及び前記対象基板の端面におけるプロファイル線のデータに基づいて前記対象基板の反り量を算出することを含む、請求項２〜４のいずれか一項に記載の方法。
6. 前記基準基板の反り量を得ることと、
   前記基準基板の表面画像を得ることと、
   前記基準基板の反り量と、前記基準基板の表面画像とに基づいて、前記反り係数を算出することとをさらに含む、請求項２〜５のいずれか一項に記載の方法。
7. 前記反り係数を算出することは、前記基準基板の表面画像の各画素のそれぞれについて前記反り係数を算出することを含む、請求項６に記載の方法。
8. 前記反り係数を算出することは、前記基準基板の反り量と、前記基準基板の表面画像における各画素の輝度値とに基づいて、前記基準基板の表面画像の各画素のそれぞれについて前記反り係数を算出することを含む、請求項７に記載の方法。
9. 前記反り係数を算出することは、
   前記基準基板の表面画像の中央領域における輝度値によって当該表面画像の各画素の輝度値が標準化された標準化データを生成することと、
   前記基準基板の反り量と前記標準化データとに基づいて、前記反り係数を算出することとを含む、請求項８に記載の方法。
10. 前記基準基板の反り量を得ることは、略平坦な基準基板の端面におけるプロファイル線のデータ及び非平坦な基準基板の端面におけるプロファイル線のデータに基づいて前記基準基板の反り量を算出することを含む、請求項６〜９のいずれか一項に記載の方法。
11. 前記非平坦な基準基板は、上に凸の回転放物面形状を呈する基準基板、又は、下に凸の回転放物面形状を呈する基準基板である、請求項１０に記載の方法。
12. 前記基準基板の異なる２つの領域の反り量をそれぞれ得ることと、
    前記２つの領域の反り量と、前記基準基板の表面画像とに基づいて、前記２つの領域のそれぞれについて前記反り係数を算出することとをさらに含む、請求項６〜１１のいずれか一項に記載の方法。
13. 基板保持部に対する調整用基板の角度を変えて得られた、前記調整用基板の２通りの反り量に基づいて、前記基板保持部の傾き成分を算出することをさらに含む、請求項２〜１２のいずれか一項に記載の方法。
14. 前記対象基板の反り量の測定と、前記対象基板の表面の撮像とは、同じ筐体内で行われる、請求項２〜１３のいずれか一項に記載の方法。
15. 前記対象基板の表面画像を得ることは、回転可能なチャックに保持された前記対象基板の表面画像を得ることを含み、
    前記表面の変形因子の情報を得ることは、前記対象基板の表面画像を得る際における前記チャックの回転角度情報を得ることを含み、
    前記表面の変形因子の情報に基づいて前記補正係数を算出することは、前記チャックの回転角度情報に基づいて前記補正係数を算出することを含む、請求項１〜１４のいずれか一項記載の方法。
16. 前記表面の変形因子の情報に基づいて前記補正係数を算出することは、前記チャックの回転角度と前記補正係数との関係を表す係数モデルと、前記チャックの回転角度情報とに基づいて前記補正係数を算出することを含む、請求項１５記載の方法。
17. 対象基板の表面の変形因子の情報と、前記対象基板の表面画像とを記憶するように構成された記憶部と、
    前記表面の変形による画像変化を補償する補正係数を、前記表面の変形因子の情報に基づいて算出するように構成された算出部と、
    前記補正係数を用いて前記対象基板の表面画像を補正して、前記対象基板の補正画像を生成するように構成された生成部とを備える、情報処理装置。
18. 請求項１〜１６のいずれか一項に記載の情報処理方法を情報処理装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。

Images