TW202208998A - 用於校正光刻系統的方法及設備 - Google Patents

用於校正光刻系統的方法及設備 Download PDF

Info

Publication number
TW202208998A
TW202208998A TW110113016A TW110113016A TW202208998A TW 202208998 A TW202208998 A TW 202208998A TW 110113016 A TW110113016 A TW 110113016A TW 110113016 A TW110113016 A TW 110113016A TW 202208998 A TW202208998 A TW 202208998A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
images
optical module
image
substrate
camera
Prior art date
Application number
TW110113016A
Other languages
English (en)
Inventor
鐘欽
桓宙 鄭
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商應用材料股份有限公司 filed Critical 美商應用材料股份有限公司
Publication of TW202208998A publication Critical patent/TW202208998A/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T1/00—General purpose image data processing
    • G06T1/0007—Image acquisition
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/10—Segmentation; Edge detection
    • G06T7/174—Segmentation; Edge detection involving the use of two or more images
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/10—Image acquisition modality
    • G06T2207/10052—Images from lightfield camera
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/20—Special algorithmic details
    • G06T2207/20016—Hierarchical, coarse-to-fine, multiscale or multiresolution image processing; Pyramid transform

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

本揭示內容的態樣涉及用於校正光刻系統的方法和設備。在一個實施方式中，一種操作光刻系統的方法，包含：使用光學模組將第一光束導向第一基板的反射面。方法包括將藉由至少一個物鏡收集的第一光束導向攝影機，並拍攝第一光束的複數個第一圖像。方法包含使用佈置在物鏡下方的照明源將第二光束以斜角導向第二基板的圖案化表面。方法包括將藉由至少一個物鏡收集的第二光束導向攝影機，並拍攝第二光束的複數個第二圖像。方法包含決定光學模組的尖端校正、傾斜校正和最佳垂直位置。

Description

用於校正光刻系統的方法及設備
本揭示內容的態樣涉及用於校正光刻系統的方法和設備。在一個示例中，為光刻系統的光學模組決定傾斜校正、尖端校正和垂直校正。
當由光刻系統投影的圖像平面不平行於基板和/或沒有聚焦時，會出現操作問題。例如，不平行和/或離焦的圖像平面會在基板上引起不正確的圖案和/或斑紋。光刻系統中的缺陷還會導致基板上的圖案錯誤和/或產生斑紋。
另外，使圖像平面聚焦和/或平行於基板可能困難、費時並消耗許多資源。
因此，需要一種方法和設備，方法和設備有助於將由光刻系統投影的圖像平面放置成與基板平行並聚焦。
本揭示內容的態樣涉及用於校正光刻系統的方法和設備。在一個示例中，為光刻系統的光學模組決定傾斜校正、尖端校正和垂直校正。
在一個實施方式中，一種操作光刻系統的方法，包含：使用光學模組的空間光調變器將第一光束導向第一基板的反射面。方法包含：收集從反射面反射出至少通過光學模組的物鏡的第一光束。方法包括：使用光學模組的分束器將至少通過物鏡收集的第一光束導向光學模組的攝影機。方法包含：使用攝影機拍攝被導向攝影機的第一光束的複數個第一圖像。方法包含使用佈置在物鏡下方的照明源將第二光束以斜角導向第二基板的圖案化表面。方法包含：收集至少通過物鏡散射離開圖案化表面的第二光束；以及使用分束器將至少通過物鏡收集的第二光束導向攝影機。方法包含：使用攝影機拍攝被導向攝影機的第二光束的複數個第二圖像。方法包含決定光學模組的尖端校正、傾斜校正和最佳垂直位置。
在一個實施方式中，一種非暫態性電腦可讀取媒體包括指令，指令在被執行時使光刻系統：使用光學模組的空間光調變器將第一光束導向第一基板的反射面。指令也使光刻系統收集從反射面反射出至少通過光學模組的物鏡的第一光束。指令也使光刻系統使用光學模組的分束器將至少通過物鏡收集的第一光束導向光學模組的攝影機。指令也使光刻系統使用攝影機拍攝被導向攝影機的第一光束的複數個第一圖像。指令也使光刻系統使用佈置在物鏡下方的照明源將第二光束以斜角導向第二基板的圖案化表面。指令也使光刻系統收集至少通過物鏡散射離開圖案化表面的第二光束。指令也使光刻系統使用分束器將至少通過物鏡收集的第二光束導向攝影機。指令也使光刻系統使用攝影機拍攝被導向攝影機的第二光束的複數個第二圖像。指令也使光刻系統決定光學模組的尖端校正、傾斜校正和最佳垂直位置。
在一個實施方式中，一種非暫態性電腦可讀取媒體包括指令，指令在被執行時使光刻系統：使用光學模組的空間光調變器將明場光束導向第一基板的反射面。指令也使光刻系統使用光學模組的攝影機拍攝從反射面反射離開的反射明場光束的複數個明場圖像。指令還使光刻系統將暗場光束導向第二基板的圖案化表面。指令還使光刻系統用攝影機拍攝散射離開圖案化表面上的散射暗場光束的複數個暗場圖像。指令也使光刻系統決定光學模組的尖端校正、傾斜校正和最佳垂直位置。
本揭示內容的態樣涉及用於校正光刻系統的方法和設備。在一個示例中，為光刻系統的光學模組決定傾斜校正、尖端校正和垂直校正。
圖1是根據一種實施方式的光刻系統100的示意性局部透視圖。光刻系統100包括基架110、板120、台130和處理設備160。基架110擱置在生產設施的地板上並支撐板120。被動空氣隔離器112位於基架110和板120之間。在一個可以與其他具體實施例結合的具體實施例中，板120是一塊整體的花崗岩，並且台130設置在板120上。基板140由台130支撐。在台130中形成複數個開口，以允許複數個升舉銷穿過其中延伸。升舉銷上升到延伸位置以接收基板140，諸如來自一個或多個轉移機械手（未示出）的基板。一個或多個轉移機械手被用於從台130裝載和卸載基板，諸如基板140。
基板140包括任何合適的材料，例如石英，以作為平面顯示器的一部分。基板140可以由其他材料製成。基板140具有形成在其上的光阻劑層。光阻劑層對輻射敏感。正性光阻劑包括光阻劑的部分，此部分當曝光於輻射時，分別可溶於在將圖案寫入光阻劑之後應用到光阻劑的光阻劑顯影劑。負性光阻劑包括光阻劑的部分，此部分當曝光於輻射時分別可不溶於在將圖案寫入光阻劑之後應用到光阻劑的光阻劑顯影劑。光阻劑的化學成分，決定了光阻劑是正性光阻劑還是負性光阻劑。光阻劑的實例包括但不限於重氮萘醌、酚醛樹脂、聚（甲基丙烯酸甲酯）、聚（甲基戊二醯亞胺）和/或SU-8中的至少一種。在使用光刻系統100的處理期間，在基板140的處理表面141上形成圖案以形成電子電路，諸如用於大面積平板顯示螢幕上的電子電路。
光刻系統100包括一對支座122和一對軌道124。此對支座122設置在板120上，並且板120和此對支座122是單件材料。此對軌道124由此對支座122支撐，並且台130沿著軌道124在X方向上移動。除了台130所示，光刻系統100可以包括一個或多個附加台。在可以與其他具體實施例結合的一個具體實施例中，一對軌道124是一對平行的磁通道。此對軌道124的每個軌道124是線性的。在可以與其他具體實施例結合的一個具體實施例中，一個或多個軌道124是非線性的。編碼器126耦合到台130，以便向控制器101提供位置資訊。
處理設備160包括支座162和處理單元164。支座162設置在板120上，並包括用於使台130通過處理單元164下方的開口166。處理單元164由支座162支撐。在一個具體實施例中，處理單元164是圖案產生器，圖案產生器被配置為在光刻處理中曝光光阻劑。在可以與其他具體實施例結合的一個具體實施例中，圖案產生器被配置為執行無掩模光刻處理。處理單元164包括複數個圖像投影設備200（在圖2和圖3中示出）。在可以與其他具體實施例組合的一個具體實施例中，處理單元164包括多達84個或更多的圖像投影設備。每個圖像投影設備設置在殼體165中。處理設備160可以用於進行無掩模直接圖案化。
在光刻系統100的操作期間，台130在X方向上從如圖1所示的裝載位置移動到處理位置。處理位置包含當台130經過處理單元164下方時台130的一個或多個位置。在作業期間，台130由複數個空氣軸承升降，並且台130沿著一對軌道124從裝載位置移動到處理位置。複數個垂直引導空氣軸承耦合到台130，並且定位在每個支座122的內壁128附近，以便穩定台130的運動。台130還藉由沿軌道150移動而在Y方向上移動，以處理及（或）索引基板140。台130能夠獨立操作，並且可以在一個方向上掃描基板140並在另一個方向上步進。
計量系統即時測量每個台130的X和Y橫向位置坐標，使得複數個圖像投影設備中的每一個可以精確地定位被寫入光阻劑覆蓋的基板中的圖案。計量系統還提供每個台130圍繞垂直或Z軸的角度位置的即時測量。角度位置測量可用於在使用伺服機構進行掃描的過程中將角度位置保持恆定。角度位置測量可以用於對由圖2和圖3所示的圖像投影設備200寫在基板140上的圖案的位置進行校正。在可以與其他具體實施例組合的一個具體實施例中，這些技術可以組合使用。
圖2是根據一種實施方式的在明場照明操作期間在圖1所示的光刻系統100中使用的圖像投影設備200的立體示意圖。圖像投影設備200用作對應於圖1所示的光刻系統100中使用的每個殼體165的複數個圖像投影設備中的每個。圖像投影設備200包括光學模組201。光學模組201包括殼體202。
圖像投影設備200將複數個第一光束222指向第一基板240的反射面204。當第一光束222指向反射面204時，第一基板240可以在X方向和Y方向上移動。第一基板240包括鏡子。在一個可以與其他具體實施例結合的具體實施例中，反射面204是連續的平面。
使用光刻系統100對圖1所示的基板140進行圖案化。圖2所示的第一基板240用於校準光刻系統100，例如藉由調節圖像投影設備200的光學模組201。每個圖像投影設備200包括各自的馬達，以控制各自的光學模組201的傾斜位置、尖端位置和豎直位置。圖像投影設備200的數量可以基於基板140的尺寸和/或台130的速度（在圖1中示出）而變化。
光學模組201包括光源206、光圈208、透鏡210、反射鏡212、數位鏡裝置（DMD）214、光收集器216、攝影機218和投影透鏡220。光源206包括發光二極體（LED）或雷射。在一示例中，光源206包括寬頻LED。光源206能夠產生具有預定波長的光束。在可與其他具體實施例組合的一個具體實施例中，預定波長在藍色或近紫外（UV）範圍內，例如450nm或更小。反射鏡212包括球面鏡。攝影機218可以包括例如CCD攝影機和/或CMOS攝影機。
投影透鏡220包括諸如10X物鏡的物鏡。DMD 214包括複數個反射鏡，並且DMD 214的反射鏡的數量可以對應於投影圖像的解析度。
在操作期間，光源206發射具有預定波長（諸如藍色範圍內的波長）的第一光束222。使用反射鏡212將第一光束222反射到DMD 214。DMD 214的鏡可以被單獨地控制，並且DMD 214的複數個鏡中的每個鏡可以基於圖案數據被設置在「開」位置或「關」位置。可以使用控制器101將圖案數據提供給DMD 214。當第一光束222到達DMD 214的鏡時，處於「開」位置的反射鏡反射第一光束222，以將第一光束222引導通過分束器230並朝向投影透鏡220入射，以被投射到反射面204上。投影透鏡220將第一光束222引導至第一基板240的反射面204。位於「關」位置的鏡反射第一光束222以將第一光束222引導至光收集器216，而不是第一基板240的反射面204。
第一光束222從反射面204反射並作為反射的第一光束223被導向投影透鏡220。至少使用投影透鏡220會聚反射的第一光束223，並將第一光束223導向分束器230。反射的第一光束223從分束器230反射並被導向攝影機218。對分束器230進行定向，使得從DMD 214向分束器230投射的光束的至少一部分穿過分束器230並向投影透鏡220投射。對分束器230進行定向，使得從投影透鏡220向分束器230投射的光束的至少一部分被反射朝向攝影機218。
攝影機218拍攝投影到反射面204上的影像平面的複數個第一圖像。攝影機218拍攝的第一圖像包括從反射面204反射回來的反射的第一光束223。攝影機218將包括反射的第一光束223的複數個第一圖像發送到控制器101。
當第一光束222投射到反射面204上時，光學模組201垂直移動，並且攝影機218拍攝包括反射的第一光束223的第一圖像。在可以與其他具體實施例結合的一個具體實施例中，光學模組201沿著Z軸並且相對於第一基板240垂直向上和/或向下移動。在一示例中，光學模組201在複數個垂直位置上移動。在可以與其他具體實施例組合的一個具體實施例中，使用攝影機218拍攝的第一圖像對應於光學模組201的複數個垂直位置。在可以與其他具體實施例結合的一個具體實施例中，光學模組201設置在尖端位置和傾斜位置，同時光學模組201垂直移動並且攝影機218拍攝第一圖像。
投影透鏡220是作為明場照明源的第一照明源的一部分。明場照明源在投影透鏡220的視場內向反射面204投射第一光束223。
在使用第一基板240的光刻系統100的校準期間，第一基板240沒有被第一光束222圖案化。在可以與其他具體實施例組合的一個具體實施例中，第一基板240不包括在其上形成的光阻劑層。
在圖2所示的實施方式中，光學模組201包括作為明場照明源的一部分的空間光調制器（SLM）。在所示的實施方式中，SLM包括DMD 214。本揭示內容預期可以使用其他SLM及其相關方面代替光學模組201的一個或多個態樣（例如代替DMD 214和/或光源206）。在可以與其他具體實施例組合的一個具體實施例中，光學模組201包括microLED陣列、VCSEL陣列和/或LCD陣列，作為作為明場照明源的第一照明源的一部分。在一示例中，使用了microLED陣列、VCSEL陣列和/或LCD陣列，並且DMD 214、光源206、光圈208、透鏡210、鏡212和/或光收集器216中的一個或多個被省略。
圖3是根據一種實施方式的在暗場照明操作期間在圖1所示的光刻系統100中使用的圖像投影設備200的立體示意圖。
光學模組201包括佈置在投影透鏡220下方的照明源250。在可以與其他具體實施例組合的一個具體實施例中，照明源250耦合到投影透鏡220，並且圍繞投影透鏡220周向設置。
照明源250將複數個第二光束322指向第二基板340的圖案化表面304。第二光束322相對於圖案化表面304以傾斜角A1射向圖案化表面304。第二基板340與上述第一基板240不同。例如，使用光刻操作、沉積操作和/或蝕刻操作來將圖案化表面304圖案化。圖案化表面304包括形成在其上以散射第二光束322的複數個結構305。照明源250是第二照明源。照明源250包括暗場照明源，暗場照明源從佈置在投影透鏡220的視場之外的位置向圖案化表面304投射第二光束322。
圖3所示的第二基板340用於校準光刻系統100，例如藉由調節圖像投影設備200的光學模組201。
在一示例中，照明源250包括環和發射第二光束322的複數個光發射器，例如LED和/或雷射發射器。在一示例中，照明源250包括寬頻LED。光源250能夠產生具有預定波長的光束。在可與其他具體實施例組合的一個具體實施例中，預定波長在藍色或近紫外（UV）範圍內，例如450nm或更小。
在可以與其他具體實施例組合的一個具體實施例中，照明源250包括空間光調制器（SLM）。在一示例中，照明源250包括數位鏡裝置（DMD）、microLED陣列、VCSEL陣列和/或LCD陣列中的一個或多個。
在操作期間，光源250發射具有預定波長（諸如藍色範圍內的波長）的第二光束322。第二光束322被引導到圖案化表面304。使用結構305使第二光束322散射，並且將第二光束322作為散射的第二光束323射向投影透鏡220。至少使用投影透鏡220會聚散射的第二光束323，並且第二光束323被導向分束器230。散射的第二光束323從分束器230反射並被引導向攝影機218。在可以與其他具體實施例組合的一個具體實施例中，使用暗場照明源投射的第二光束322的波長與使用明場照明源投射的第一光束222的波長大約相同。在一個示例中，第二光束322的波長與第一光束222的波長相差50nm以內。
攝影機218拍攝投影到圖案化表面304上的圖像平面的複數個第二圖像。攝影機218拍攝的第二圖像包括散射的第二光束323，散射的第二光束323散射離開圖案化表面304。攝影機218將包括散射的第二光束323的複數個第二圖像發送到控制器101。
在可以與其他具體實施例組合的一個具體實施例中，反射的第一光束223是反射的明場光束，而散射的第二光束323是散射的暗場光束。
當第二光束322投射到圖案化表面304上時，光學模組201垂直移動，並且攝影機218拍攝包括散射的第二光束323的第二圖像。在可以與其他具體實施例結合的一個具體實施例中，光學模組201沿著Z軸並且相對於第二基板340垂直向上和/或向下移動。在一示例中，光學模組201在複數個垂直位置上移動。在可以與其他具體實施例組合的一個具體實施例中，使用攝影機218拍攝的第二圖像對應於光學模組201的複數個垂直位置。在可以與其他具體實施例結合的一個具體實施例中，光學模組201設置在尖端位置和傾斜位置，同時光學模組201垂直移動並且攝影機218拍攝第二圖像。
在使用第二基板340的光刻系統100的校準期間，第二基板340沒有被第二光束322圖案化。
控制器101與光刻系統100的各態樣通信，並且被配置為控制光刻系統100的各態樣。在一個示例中，控制器101與光學模組201和相應的馬達、攝影機218、DMD 214、光源206和/或照明源250通信並被配置為控制光學模組201和相應的馬達、攝影機218、DMD 214、光源206和/或照明源250。在一示例中，控制器101被配置為調整光學模組205的傾斜位置、尖端位置和垂直位置。傾斜位置是光學模組205繞X軸的角度位置。尖端位置是光學模組205繞Y軸的角度位置。垂直位置是光學模組205沿著Z軸的橫向位置。在可以與其他具體實施例組合的一個具體實施例中，X軸、Y軸和Z軸中的每一個均延伸穿過相應光學模組205的中心。
控制器101從攝影機218接收包括反射的第一光束223的複數個第一圖像。第一圖像對應於光學模組205的複數個垂直位置。對於每個第一圖像，控制器101處理各個圖像的外部區域（例如，拐角區域）並分析每個外部區域的解析度。在一個示例中，被分析的第一圖像的角區域包括左上角區域、右上角區域、左下角區域和右下角區域。解析度指示由控制器101或攝影機218識別的各個拐角區域內的像素數目、對焦位準和/或各個拐角區域的發光區域的量。在可以與其他具體實施例組合的一個具體實施例中，像素對應於出現在相應的第一圖像的相應的拐角區域中的反射的第一光束223。在可以與其他具體實施例組合的一個具體實施例中，解析度指示在各個拐角區域內的光的測量光強度。針對每個第一圖像（例如，針對每個垂直位置）分析每個外部區域的解析度，並且為每個外部區域決定最佳的第一圖像。對於每個外部區域，最佳的第一圖像是第一圖像以及相應的垂直位置，在該位置上各個拐角區域具有最高的解析度。在一個示例中，最高解析度是具有最佳清晰度、最大的測得的光強度、由控制器101和/或攝影機218識別的最大的發光面積和/或最大的像素數量的最佳對焦位準。為左上角區域、右上角區域、左下角區域和右下角區域中的每一個決定最佳的第一圖像。
使用針對每個外部區域的最佳第一圖像，控制器101決定最佳明場傾斜、最佳明場尖端和最佳明場垂直位置。最佳明場垂直位置是藉由使用拐角區域的最佳第一圖像的相應垂直位置並計算相應垂直位置的平均值來決定的。第一圖像和第二圖像各自包括在圖像平面中沿著左側和右側延伸的第一圖像長度和沿著頂部和底部延伸的第二圖像長度。
如以下等式1所示，藉由計算第一明場差D1除以第一圖像長度L1的正弦來決定最佳明場傾斜（TiltBF ）。 TiltBF = sin（D1 / L1）（等式1）
在一個示例中，藉由從左上角的最佳第一圖像的對應垂直位置減去左下角的最佳第一圖像的對應垂直位置，來決定第一明場差D1。在一個示例中，藉由從右上角的最佳第一圖像的對應垂直位置減去右下角的最佳第一圖像的對應垂直位置，來決定第一明場差D1。
如下面的等式2所示，藉由計算第二明場差D2除以第二圖像長度L2的正弦值來決定最佳明場尖端（TipBF ）。 TipBF = sin（D2 / L2）（等式2）
在一個示例中，藉由從左上角的最佳第一圖像的對應垂直位置減去右上角的最佳第一圖像的對應垂直位置，來決定第二明場差D2。在一個示例中，藉由從左下角的最佳第一圖像的對應垂直位置減去右上角的最佳第一圖像的對應垂直位置，來決定第二明場差D2。
控制器101從攝影機218接收包括散射的第二光束323的複數個第二圖像。第二圖像對應於光學模組205的複數個垂直位置。對於每個第二圖像，控制器101處理各個圖像的外部區域（例如，拐角區域）並分析每個拐角區域的解析度。在一個示例中，被分析的第二圖像的拐角區域包括左上角區域、右上角區域、左下角區域和右下角區域。解析度指示由控制器101或攝影機218識別的各個拐角區域內的像素數目、對焦位準和/或各個拐角區域的發光區域的量。在可以與其他具體實施例組合的一個具體實施例中，像素對應於出現在相應的第二圖像的相應的外側區域中的散射的第二光束323。在可以與其他具體實施例組合的一個具體實施例中，解析度指示在各個拐角區域內的光的測量光強度。針對每個第二圖像（例如，針對每個垂直位置）分析每個外部區域的解析度，並且為每個外部區域決定最佳的第二圖像。對於每個外部區域，最佳的第二圖像是第二圖像以及相應的垂直位置，在該位置上各個外側區域具有最高的解析度。在一個示例中，最高解析度是具有最佳清晰度、最大的測得的光強度、由控制器101和/或攝影機218識別的最大的發光面積和/或最大的像素數量的最佳對焦位準。為左上角區域、右上角區域、左下角區域和右下角區域中的每一個決定最佳的第二圖像。
使用針對每個外部區域的最佳第二圖像，控制器101決定最佳暗場傾斜、最佳暗場尖端和最佳暗場垂直位置。最佳暗場垂直位置是藉由使用拐角區域的最佳第二圖像的相應垂直位置並計算相應垂直位置的平均值來決定的。
如以下等式3所示，藉由計算第一暗場差D3除以第一圖像長度L1的正弦來決定最佳暗場傾斜（TiltDF ）。 TiltDF = sin（D3 / L1）（等式3）
在一個示例中，藉由從左上角的最佳第二圖像的對應垂直位置減去左下角的最佳第二圖像的對應垂直位置，來決定第一暗場差D3。在一個示例中，藉由從右下角的最佳第二圖像的對應垂直位置減去右上角的最佳第二圖像的對應垂直位置，來決定第一暗場差D3。
如下面的等式4所示，藉由計算第二暗場差D4除以第二圖像長度L2的正弦來決定最佳暗場尖端（TipDF ）。 TipDF = sin（D4 / L2）（等式4）
在一個示例中，藉由從左上角的最佳第二圖像的對應垂直位置減去右上角的最佳第二圖像的對應垂直位置，來決定第二暗場差D4。在一個示例中，藉由從左下角的最佳第二圖像的對應垂直位置減去右下角的最佳第二圖像的對應垂直位置，來決定第二暗場差D4。
在可以與其他具體實施例組合的一個具體實施例中，最佳的第一圖像是最佳的明場圖像，最佳的第二圖像是最佳的暗場圖像。
控制器101然後決定光學模組205的尖端校正、傾斜校正和最佳垂直位置。如下面的等式5所示，藉由將最佳明場傾斜度（TiltBF ）乘以2.0來決定傾斜度，並從最佳暗場傾斜度（TiltDF ）中減去傾斜值，即可決定傾斜度校正（X）： X = TiltDF –（2 * TiltBF ）（等式5）
如下面的等式6所示，藉由將最佳明場尖端（TipBF ）乘以2.0來決定尖端值，並從最佳暗場尖端（TipDF ）中減去尖端值，從而決定尖端校正（Y）。 ： Y = TipDF –（2 * TipBF ）（等式6）
如下面的等式7所示，藉由將最佳明場垂直位置（ZBF ）乘以係數2.0來決定垂直值，並從垂直值減去最佳暗場垂直位置（ZDF ），即可決定最佳垂直位置（ZL ）： ZL =（2 * ZBF ）– ZDF （等式7）
控制器101指示馬達使用傾斜校正（X）將光學模組205的傾斜位置（在拍攝第一圖像和第二圖像期間所使用的傾斜角度）調整為校正後的傾斜位置。校正後的傾斜位置是在將傾斜校正應用於傾斜位置之後光學模組205繞X軸的校正角度位置。
在可以與其他具體實施例組合的一個具體實施例中，傾斜校正（X）和尖端校正（Y）中的每個包括角度值，並且最佳垂直位置（ZL ）包括平移值。
控制器101指示馬達使用尖端校正（Y）將光學模組205的尖端位置（在拍攝第一圖像和第二圖像期間所使用的尖端位置）調整為校正後的尖端位置。校正後的尖端位置是在將尖端校正應用於尖端位置之後光學模組205繞Y軸的校正角度位置。
控制器101指示馬達使用最佳垂直位置（ZL ）將光學模組205的垂直位置調整為校正後的垂直位置。校正後的垂直位置大約等於沿Z軸的最佳垂直位置（ZL ）。
在調整到校正後的傾斜位置、校正後的尖端位置和校正後的垂直位置之後，光學模組205用於使用光刻操作對基板（例如，圖1所示的基板140）進行圖案化。
控制器101包括諸如中央處理單元（CPU）之類的處理器181、記憶體182以及用於處理器181的支援電路183。控制器180可以是可在工業環境中用於控制各種光刻系統組件和子處理器的任何形式的通用電腦中的一種。記憶體182存儲諸如電腦程式之類的軟體（源代碼或目標代碼），其可以被執行或調用以由本文所述的方式控制光刻系統100和/或光學模組205的整體操作。
控制器101包括非暫態性電腦可讀取媒體（例如記憶體182），非暫態性電腦可讀取媒體包括指令（例如軟體），指令在被執行時（例如由處理器181）使得本文所述的一個或多個操作得以執行。在可以與其他具體實施例組合的一個具體實施例中，指令在被執行時，導致進行針對圖1至圖6描述的一個或多個操作。在可以與其他具體實施例組合的一個具體實施例中，控制器101的非暫態性電腦可讀取媒體的指令在被執行時促使方法600的一個或多個操作被執行。在一示例中，指令使操作601-621中的一項或多項相對於光刻系統100和/或光學模組205和/或其態樣和/或組件進行。
本文描述的態樣有助於在與要圖案化的基板表面實質平行的圖像平面處向基板投射光（以在光刻操作期間圖案化基板）。本文描述的態樣還有助於在實質上在整個圖像平面上的焦點內的圖像平面處將光投射向基板。作為示例，將光學模組調整到校正後的尖端位置、校正後的傾斜位置和校正後的垂直位置有利於調整光學模組205，使得光學模組205的成像平面聚焦並且平行於投影圖像平面的正在圖案化的基板。本文所述的態樣有助於簡單、快速和有效地校準光學模組205的傾斜、尖端和垂直位置。作為示例，本文描述的態樣便於使用用於圖案化基板的相同光學模組205來簡單地校準光刻系統105的光學模組205。可以例如在10分鐘或更短的時間內快速進行校準。
使用尖端校正、傾斜校正和最佳垂直位置來校準光學模組205，還可以解決光學模組205中的結構缺陷，例如光學模組的透鏡上的斑紋。校準光學模組205還可以解決光學模組205中的位置缺陷，例如某些組件未對準。使用本文描述的態樣來校準光學模組205，還有助於在基板上具有減小的斑紋的情況下對基板進行有效且準確的圖案化，從而促進增加生產量、減少機器停機時間、減少生產時間以及減少操作成本。
圖4A是根據一種實施方式的由圖2和圖3所示的攝影機218拍攝的圖像400的示意性局部視圖。圖像400在圖像平面中包括第一圖像長度L1和第二圖像長度L2。圖像400可以是包括反射的第一光束223的複數個第一圖像中的一個的示例。圖像400可以是包括散射的第二光束323的複數個第二圖像之一的示例。圖像400包括複數個圖像特徵410（例如，像素）。在一個示例中，當分析第一圖像時，圖像特徵410對應於出現在相應圖像400內的反射的第一光束223。在一個示例中，當分析第二圖像時，圖像特徵410對應於出現在相應圖像400內的散射的第二光束323。
圖像400包括經過處理和分析的拐角區域412A-412D（左上角區域412A、右上角區域412B、左下角區域412C和右下角區域412D）。分析每個拐角區域412A-412D的解析度。在一個示例中，每個拐角區域412A-412D的解析度包括出現在相應拐角區域412A-412D內的圖像特徵410A-410D的數量（例如，像素）。在一個示例中，每個拐角區域412A-412D的解析度包括出現在各個拐角區域412A-412D內的光的測量光強度。
圖4B是根據一種實施方式的相應的第一圖像或第二圖像的分析解析度的圖450的示意圖。曲線圖450的Y軸表示各個第一圖像或第二圖像的各個拐角區域412A-412D的解析度。在一個示例中，解析度是出現在各個角區域412A-412D內的圖像特徵（例如，像素）的數量。在一個示例中，解析度是在各個拐角區域412A-412D內測得的光的光強度。曲線圖450的X軸表示各個第一圖像或第二圖像的圖像編號。X軸的圖像編號對應於光學模組205的相應垂直位置，攝影機218在該垂直位置上拍攝了圖像。針對每個拐角區域412A-412D映射跨第一圖像或第二圖像的解析度，並顯示在圖形450中。在曲線圖450中針對每個拐角區域412A-412D示出了峰460A-460D。每個相應拐角區域412A-412D的峰460A-460D對應於相應拐角區域412A-412D具有最高解析度的圖像編號（和相應的垂直位置）。圖像編號（和相應的垂直位置）指示每個相應拐角區域412A-412D的最佳第一圖像（如果分析了第一圖像）或最佳第二圖像（如果分析了第二圖像）。
圖5是根據一種實施方式的在校正光學模組205之後使用攝影機218拍攝的圖像550的分析解析度的曲線圖的示意圖。在使用傾斜校正將光學模組205的傾斜位置校正到經校正傾斜位置之後，並且在使用尖端校正將尖端位置校正到經校正尖端位置之後，拍攝在曲線圖550中映射的圖像。各個拐角區域512A-512D的解析度映射在圖形550中。與圖4B所示的拐角區域412A-412D相比，拐角區域512A-512D的解析度在圖像編號（以及對應的垂直位置）上更加對齊。各個拐角區域412A-412D的解析度的峰560A-560D被對準並出現在相同的圖像編號（以及對應的垂直位置，以促進準確的圖案形成和聚焦的平行圖像平面）。經過尖端和傾斜校正後，解析度的峰560A-560D也比圖4B中所示的峰值460A-460D高。曲線圖550是示例性的。
圖6是根據一種實施方式的操作光刻系統的方法600的示意圖。在操作601，方法600包括使用光學模組的數位鏡裝置將第一光束導向第一基板的反射面。操作603包括收集從第一基板的反射面反射出至少通過光學模組的物鏡的第一光束。操作605包括使用光學模組的分束器將至少通過物鏡收集的第一光束導向光學模組的攝影機。操作607包括使用攝影機拍攝被導向攝影機的第一光束的複數個第一圖像。操作609包括使用佈置在物鏡下方的照明源將第二光束以斜角導向第二基板的圖案化表面。操作611包括收集至少通過物鏡散射離開圖案化表面的第二光束。操作613包括使用分束器將至少通過物鏡收集的第二光束導向攝影機。操作615包括使用攝影機拍攝導向攝影機的第二光束的複數個第二圖像。
操作617包括決定光學模組的尖端校正、傾斜校正和最佳垂直位置。操作619包括使用尖端校正將光學模組的尖端位置調節到經校正尖端位置，以及使用傾斜校正將光學模組的傾斜位置調節到經校正傾斜位置。操作619還包括使用最佳垂直位置將光學模組的垂直位置調整為經校正垂直位置。
在可以與其他具體實施例組合的一個具體實施例中，第一光束是明場光束，第二光束是暗場光束。在可以與其他具體實施例組合的一個具體實施例中，第一圖像是明場圖像，第二圖像是暗場圖像。在可以與其他具體實施例組合的一個具體實施例中，物鏡是明場照明源的至少一部分，並且照明源是暗場照明源的至少一部分。在可以與其他具體實施例組合的一個具體實施例中，第一基板和第二基板是測試基板。
操作621包括使用光刻系統在光學模組被校正到經校正尖端位置、經校正傾斜位置和經校正垂直位置的情況下，對一個或多個生產基板進行圖案化。
本揭示內容的益處包括：快速且有效地校正光學模組的尖端位置、傾斜位置和垂直位置；簡單地校正光學模組、減少資源消耗；校正光學模組中的缺陷；將光投射到與基板平行的圖像平面上；將光投射到焦點對準的圖像平面上；準確地對基板進行圖案化；減少圖案化基材上的斑紋；生產量增加；減少生產時間；減少機器停機時間；並降低了運營成本。
本揭示內容的態樣的各態樣包括光刻系統100；光學模組205；攝影機218；第一基板240；第二基板340；第一光束223；反射的第一光束223；第二光束322；散射的第二光束323；控制器101；第一圖像；第二圖像；圖像400的拐角區域412A-412D；和方法600。預期可以將本文揭示的一個或多個態樣進行組合。此外，預期本文揭示的一個或多個態樣可以包括一些或全部前述益處。
雖然前述內容係關於本揭示內容的具體實施例，但可發想揭示內容的其他與進一步的具體實施例而不脫離前述內容的基本範圍。本揭示內容還思及到本文描述的具體實施例的一個或多個態樣可以代替所描述的一個或多個其他態樣。本揭示內容的範圍由所附申請專利範圍決定。
100:光刻系統 101:控制器 105:光刻系統 110:基架 112:被動空氣隔離器 120:板 122:支座 124:軌道 126:編碼器 128:內壁 130:台 140:基板 141:處理表面 150:軌道 160:處理設備 162:支座 164:處理單元 165:殼體 166:開口 180:控制器 181:處理器 182:記憶體 183:支援電路 200:圖像投影設備 201:光學模組 202:殼體 204:反射面 205:光學模組 206:光源 208:光圈 210:透鏡 212:反射鏡 214:數位鏡裝置（DMD） 216:光收集器 218:攝影機 220:投影透鏡 222:第一光束 223:第一光束 230:分束器 240:第一基板 250:照明源 304:圖案化表面 305:結構 322:第二光束 323:第二光束 340:第二基板 400:圖像 410:圖像特徵 450:圖 550:圖 600:方法 601:操作 603:操作 605:操作 607:操作 609:操作 611:操作 613:操作 615:操作 617:操作 619:操作 621:操作 410A:圖像特徵 412A:左上拐角區域 412B:右上拐角區域 412C:左下拐角區域 412D:右下拐角區域 460A–460D:峰 512A–512D:拐角區域 560A–560D:峰
可參考多個具體實施例以更特定地說明以上簡要總結的本揭示內容，以更詳細瞭解本揭示內容的上述特徵，附加圖式圖示說明了其中一些具體實施例。然而應注意到，附加圖式僅圖示說明本揭示內容的一般具體實施例，且因此不應被視為限制本揭示內容的範圍，因為揭示內容可允許其他等效的具體實施例。
圖1是根據一種實施方式的光刻系統的示意性局部透視圖。
圖2是根據一種實施方式的在明場照明操作期間在圖1所示的光刻系統中使用的圖像投影設備的立體示意圖。
圖3是根據一種實施方式的在暗場照明操作期間在圖1所示的光刻系統中使用的圖像投影設備的立體示意圖。
圖4A是根據一種實施方式的由圖2和圖3所示的攝影機拍攝的圖像的示意性局部視圖。
圖4B是根據一種實施方式的相應的第一圖像或第二圖像的分析解析度的圖的示意圖。
圖5是根據一種實施方式的在校正光學模組之後使用攝影機拍攝的圖像的分析解析度的曲線圖的示意圖。
圖6是根據一種實施方式的操作光刻系統的方法的示意圖。
為了協助瞭解，已儘可能使用相同的元件符號標定圖式中共有的相同元件。已思及到，揭示於一個具體實施例中的要素，可無需進一步的敘述即可被有益地併入其他具體實施例中。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
600:方法
601:操作
603:操作
605:操作
607:操作
609:操作
611:操作
613:操作
615:操作
617:操作
619:操作
621:操作

Claims (20)

  1. 一種操作一光刻系統的方法，包括以下步驟： 使用一光學模組的一空間光調變器將第一光束導向一第一基板的一反射面； 收集從該反射面反射出至少通過該光學模組的一物鏡的該等第一光束； 使用該光學模組的一分束器將至少通過該物鏡收集的該等第一光束導向該光學模組的一攝影機； 使用該攝影機拍攝被導向該攝影機的該等第一光束的複數個第一圖像； 使用佈置在該物鏡下方的一照明源將第二光束以一斜角導向一第二基板的一圖案化表面； 收集至少通過該物鏡散射離開該圖案化表面的該等第二光束； 使用該分束器將至少通過該物鏡收集的該等第二光束導向該攝影機； 使用該攝影機拍攝導向該攝影機的該等第二光束的複數個第二圖像；以及 決定該光學模組的一尖端校正、一傾斜校正和一最佳垂直位置。
  2. 如請求項1所述的方法，其中在相對於該第一基板垂直地移動該光學模組的同時拍攝該複數個第一圖像，該複數個第一圖像對應於該光學模組的複數個垂直位置。
  3. 如請求項2所述的方法，其中在相對於該第二基板垂直地移動該光學模組的同時拍攝該複數個第二圖像，該複數個第二圖像對應於該光學模組的複數個垂直位置。
  4. 如請求項1所述的方法，其中該第一基板包括一鏡，並且該第二基板的該圖案化表面包括形成在其上的複數個結構，以將該等第二光束散射離開該第二基板。
  5. 如請求項1所述的方法，其中該決定該尖端校正、該傾斜校正和該最佳垂直位置之步驟包括以下步驟：處理該複數個第一圖像的外部區域和該複數個第二圖像的外部區域，其中該處理步驟包括以下步驟： 分析該複數個第一圖像的每個外部區域的一解析度；和 決定該複數個第一圖像的每個外部區域的一最佳第一圖像，該最佳第一圖像包括該複數個第一圖像的各個外部區域的該最高解析度。
  6. 如請求項5所述之方法，其中該處理步驟進一步包含以下步驟： 分析該複數個第二圖像的每個外部區域的一解析度；和 決定該複數個第二圖像的每個外部區域的一最佳第二圖像，該最佳第二圖像包括該複數個第二圖像的各個外部區域的該最高解析度。
  7. 如請求項6所述的方法，其中該複數個第一圖像的該等外部區域是拐角區域，並且該複數個第二圖像的該等外部區域是拐角區域。
  8. 如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 使用該尖端校正來調節該光學模組的一尖端位置； 使用該傾斜校正來調整該光學模組的一傾斜位置；和 使用該最佳垂直位置調整該光學模組的一垂直位置。
  9. 一種非暫態性電腦可讀取媒體，該非暫態性電腦可讀取媒體包括指令，該等指令在被執行時使一光刻系統執行以下操作： 使用一光學模組的一空間光調變器將第一光束導向一第一基板的一反射面； 收集從該反射面反射出至少通過該光學模組的一物鏡的該等第一光束； 使用該光學模組的一分束器將至少通過該物鏡收集的該等第一光束導向該光學模組的一攝影機； 使用該攝影機拍攝被導向該攝影機的該等第一光束的複數個第一圖像； 使用佈置在該物鏡下方的一照明源將第二光束以一斜角導向一第二基板的一圖案化表面； 收集至少通過該物鏡散射離開該圖案化表面的該等第二光束； 使用該分束器將至少通過該物鏡收集的該等第二光束導向該攝影機； 使用該攝影機拍攝導向該攝影機的該等第二光束的複數個第二圖像；以及 決定該光學模組的一尖端校正、一傾斜校正和一最佳垂直位置。
  10. 如請求項9所述的非暫態性電腦可讀取媒體，其中在相對於該第一基板垂直地移動該光學模組的同時拍攝該複數個第一圖像，該複數個第一圖像對應於該光學模組的複數個垂直位置。
  11. 如請求項10所述的非暫態性電腦可讀取媒體，其中在相對於該第二基板垂直地移動該光學模組的同時拍攝該複數個第二圖像，該複數個第二圖像對應於該光學模組的複數個垂直位置。
  12. 如請求項9所述的非暫態性電腦可讀取媒體，其中該第一基板包括一鏡，並且該第二基板的該圖案化表面包括形成在其上的複數個結構，以將該等第二光束散射離開該第二基板。
  13. 如請求項9所述的非暫態性電腦可讀取媒體，其中該決定該尖端校正、該傾斜校正和該最佳垂直位置之步驟包括以下步驟：處理該複數個第一圖像的外部區域和該複數個第二圖像的外部區域，其中該處理步驟包括以下步驟： 分析該複數個第一圖像的每個外部區域的一解析度；和 決定該複數個第一圖像的每個外部區域的一最佳第一圖像，該最佳第一圖像包括該複數個第一圖像的各個外部區域的該最高解析度。
  14. 如請求項13所述之非暫態性電腦可讀取媒體，其中該處理步驟進一步包含以下步驟： 分析該複數個第二圖像的每個外部區域的一解析度；和 決定該複數個第二圖像的每個外部區域的一最佳第二圖像，該最佳第二圖像包括該複數個第二圖像的各個外部區域的該最高解析度。
  15. 如請求項14所述的非暫態性電腦可讀取媒體，其中該複數個第一圖像的該等外部區域是拐角區域，並且該複數個第二圖像的該等外部區域是拐角區域。
  16. 如請求項9所述的非暫態性電腦可讀取媒體，其中該等指令在被執行時還使該光刻系統： 使用該尖端校正來調節該光學模組的一尖端位置； 使用該傾斜校正來調整該光學模組的一傾斜位置；和 使用該最佳垂直位置調整該光學模組的一垂直位置。
  17. 一種非暫態性電腦可讀取媒體，該非暫態性電腦可讀取媒體包括指令，該等指令在被執行時使一光刻系統執行以下操作： 使用一光學模組的一空間光調變器將明場光束導向一第一基板的一反射面； 使用該光學模組的一攝影機拍攝從該反射面反射離開的反射明場光束的複數個明場圖像； 將暗場光束導向一第二基板的一圖案化表面； 用該攝影機拍攝散射離開該圖案化表面上的散射暗場光束的複數個暗場圖像；和 決定該光學模組的一尖端校正、一傾斜校正和一最佳垂直位置。
  18. 如請求項17所述的非暫態性電腦可讀取媒體，其中該決定該尖端校正、該傾斜校正和該最佳垂直位置之步驟包括以下步驟：處理該複數個明場圖像的外部區域和該複數個暗場圖像的外部區域，其中該處理步驟包括以下步驟： 分析該複數個明場圖像的每個外部區域的一解析度；和 決定該複數個明場圖像的每個外部區域的一最佳明場圖像，該最佳明場圖像包括該複數個明場圖像的各個外部區域的該最高解析度。
  19. 如請求項18所述之非暫態性電腦可讀取媒體，其中該處理步驟進一步包含以下步驟： 分析該複數個暗場圖像的每個外部區域的一解析度；和 決定該複數個暗場圖像的每個外部區域的一最佳暗場圖像，該最佳暗場圖像包括該複數個暗場圖像的各個外部區域的該最高解析度。
  20. 如請求項19所述的非暫態性電腦可讀取媒體，其中該複數個明場圖像的該等外部區域是拐角區域，並且該複數個暗場圖像的該等外部區域是拐角區域。
TW110113016A 2020-04-20 2021-04-12 用於校正光刻系統的方法及設備 TW202208998A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
WOPCT/US20/28911 2020-04-20
PCT/US2020/028911 WO2021216032A1 (en) 2020-04-20 2020-04-20 Methods and apparatus for correcting lithography systems

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202208998A true TW202208998A (zh) 2022-03-01

Family

ID=78269790

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110113016A TW202208998A (zh) 2020-04-20 2021-04-12 用於校正光刻系統的方法及設備

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230144586A1 (zh)
CN (1) CN115516378A (zh)
TW (1) TW202208998A (zh)
WO (1) WO2021216032A1 (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9025136B2 (en) * 2008-09-23 2015-05-05 Applied Materials, Inc. System and method for manufacturing three dimensional integrated circuits
KR101678070B1 (ko) * 2009-12-24 2016-11-22 삼성전자 주식회사 마스크리스 노광장치 및 그 제어방법
US9223227B2 (en) * 2011-02-11 2015-12-29 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus and method, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
US9645496B2 (en) * 2014-08-08 2017-05-09 David A. Markle Maskless digital lithography systems and methods with image motion compensation
US10503076B1 (en) * 2018-08-29 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Reserving spatial light modulator sections to address field non-uniformities

Also Published As

Publication number Publication date
US20230144586A1 (en) 2023-05-11
WO2021216032A1 (en) 2021-10-28
CN115516378A (zh) 2022-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8945954B2 (en) Inspection method, inspection apparatus, exposure control method, exposure system, and semiconductor device
JP3634068B2 (ja) 露光方法及び装置
US5914774A (en) Projection exposure apparatus with function to measure imaging characteristics of projection optical system
JP3211491B2 (ja) 投影露光装置及びそれを用いた半導体製造方法並びに装置
JP3880155B2 (ja) 位置決め方法及び位置決め装置
US10409172B2 (en) Digital photolithography using compact eye module layout
CN111279269B (zh) 用于衍射受限光学系统的透镜像差的经验检测
CN109075185B (zh) 微led阵列作为照射源
US10908507B2 (en) Micro LED array illumination source
TW202208998A (zh) 用於校正光刻系統的方法及設備
JPH09236425A (ja) 面位置検出方法
JP2012190945A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
CN108333880B (zh) 光刻曝光装置及其焦面测量装置和方法
JPH104055A (ja) 自動焦点合わせ装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2024062787A (ja) 露光装置および物品製造方法
JP3211281B2 (ja) 露光装置及び露光方法
JP2001015409A (ja) 露光装置
JP2022162408A (ja) 異物検査装置、露光装置、および物品製造方法
TW202305518A (zh) 曝光裝置及檢查方法
JP2022100674A (ja) 描画装置および描画方法
KR20030006829A (ko) 반도체 웨이퍼 레벨링 장치 및 그것을 구비하는 노광 장치
KR20060072373A (ko) 오버레이 계측설비
JPH09320926A (ja) 露光方法
JPH06204120A (ja) 焦点位置検出装置および焦点位置検出方法
JP2002237452A (ja) 投影露光方法及び装置、デバイス製造方法、並びに該方法により製造されたデバイス