TW202305518A - 曝光裝置及檢查方法 - Google Patents

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TW202305518A TW111124199A TW111124199A TW202305518A TW 202305518 A TW202305518 A TW 202305518A TW 111124199 A TW111124199 A TW 111124199A TW 111124199 A TW111124199 A TW 111124199A TW 202305518 A TW202305518 A TW 202305518A
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加藤正紀
水野仁
水野恭志
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日商尼康股份有限公司
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Abstract

為檢查照明空間光調變器（10）是否有缺陷元件，本發明之曝光裝置（EX），係將與具有複數個元件（Ms）之空間光調變器（10）所生成之描繪資料對應之圖案光對物體（P）進行曝光，其具備：資料輸出部（310），係將該描繪資料輸出至該空間光調變器；照明光學系統（ILU），係對該空間光調變器照射照明光；第1移動體（4B），係保持該物體；投影光學系統（PLU），係將以該空間光調變器生成之該圖案光之像投影至該物體；檢測部（400），係檢測被投影之該圖案光之像；以及判定部（301），係根據該檢測部之檢測結果，判定該空間光調變器是否可生成與從該資料輸出部輸出之該描繪資料對應之圖案光。

Description

曝光裝置及檢査方法
本發明係關於曝光裝置及檢査方法。
一直以來，在製造由液晶或有機EL構成之顯示面板、半導體元件（積體電路等）等電子元件（微元件）之微影製程，係使用步進重複（step & repeat）方式之投影曝光裝置（所謂的步進機）、或步進掃描（step & scan）方式之投影曝光裝置（所謂的掃描步進機（亦稱掃描機））等。此種曝光裝置，係對玻璃基板、半導體晶圓、印刷配線基板、樹脂薄膜等之被曝光基板（以下，亦簡單稱為基板）表面塗布之感光層進行電子元件用光罩圖案之投影曝光。
由於固定的形成該光罩圖案之光罩基板之製作需要時間與經費，因此有一種取代光罩基板，而使用將微幅變位之多數個微反射鏡規則排列之數位微反射鏡元件（DMD）等空間光調變元件（可變光罩圖案生成器）的曝光裝置（例如，參照專利文獻1）。專利文獻1所揭示之曝光裝置，係將例如來自波長375nm之雷射二極體（LD）之光與來自波長405nm之LD之光以多模式光纖束加以混合之照明光照射於數位微反射鏡元件（DMD），並將來自經傾斜控制之多數個微反射鏡各個之反射光透過成像光學系統、微透鏡陣列投影曝光至基板。
當DMD產生缺陷元件時，由於有無法將所欲之圖案投影曝光至基板之虞，因此希望能特定出包含缺陷元件之DMD。 先行技術文獻
[專利文獻] 特開2019－23748號公報
揭示之第1態樣之曝光裝置，係將與具有複數個元件之空間光調變器所生成之描繪資料對應之圖案光對物體進行曝光，其具備：資料輸出部，係將該描繪資料輸出至該空間光調變器；照明光學系統，係對該空間光調變器照射照明光；第1移動體，係保持該物體；投影光學系統，係將以該空間光調變器生成之該圖案光之像投影至該物體；檢測部，係檢測被投影之該圖案光之像；以及判定部，係根據該檢測部之檢測結果，判定該空間光調變器是否可生成與從該資料輸出部輸出之該描繪資料對應之圖案光。
揭示之第2態樣之檢査方法，係檢查具備空間光調變器、照明光學系統及投影光學系統之曝光裝置之該空間光調變器，該空間光調變器具有生成與描繪資料對應之圖案光之複數個元件，該照明光學系統係對該空間光調變器照射照明光，該投影光學系統係將以該空間光調變器生成之該圖案光之像投影至第1移動體上載置之物體上，其包含：檢測被投影之該圖案光之像的動作；以及根據該圖案光之像之檢測結果，判定該空間光調變器是否有無法進行與該描繪資料對應之驅動之缺陷元件的動作。
揭示之第3態樣之檢査方法，係檢查具備空間光調變器、照明光學系統及投影光學系統之曝光裝置之該空間光調變器，該空間光調變器具有生成與描繪資料對應之圖案光之複數個元件，該照明光學系統係對該空間光調變器照射照明光，該投影光學系統係將以該空間光調變器生成之該圖案光之像投影至第1移動體上載置之物體上，其包含：將該像曝光至該物體的動作：以及使用測量裝置測量曝光出該像之該物體，據以判定該空間光調變器是否有無法進行與該描繪資料對應之驅動之缺陷元件的動作。
揭示之第4態樣之檢査方法，係檢查具備空間光調變器、照明光學系統及投影光學系統之曝光裝置之該空間光調變器，該空間光調變器具有生成與描繪資料對應之圖案光之複數個元件，該照明光學系統係對該空間光調變器照射照明光，該投影光學系統係將以該空間光調變器生成之該圖案光之像投影至第1移動體上載置之物體上，其包含：將該空間光調變器生成之該圖案光之像曝光至光致變色元件的動作；使用測量裝置測量被曝光出該圖案光之像之該光致變色元件，據以判定該空間光調變器是否有無法進行與該描繪資料對應之驅動之缺陷元件的動作。
揭示之第5之態樣之曝光裝置，係將與具有複數個元件之空間光調變器所生成之描繪資料對應之圖案光對物體進行曝光，其具備：照明光學系統，係對該空間光調變器照射照明光；第1移動體，係保持該物體；投影光學系統，係將以該空間光調變器生成之該圖案光之像投影至該物體；以及測量部，其取得該物體上之該圖案光之像之測量結果；該測量部，根據該測量結果，測量該空間光調變器是否有無法進行與該描繪資料對應之驅動的缺陷元件。
揭示之第6態樣之曝光裝置，係將與具有複數個元件之空間光調變器所生成之描繪資料對應之圖案光對物體進行曝光，其具備：照明光學系統，係對該空間光調變器照射照明光；第1移動體，係保持光致變色元件；投影光學系統，係將以該空間光調變器生成之該圖案光投影至該光致變色元件；以及測量部，其取得被投影該圖案光之像之該光致變色元件之測量結果；該測量部，根據該測量結果，判定該空間光調變器是否有無法進行與該描繪資料對應之驅動的缺陷元件。
又，後述實施形態之構成可適當的加以改良、或將至少一部分以其他構成物加以替換。再者，關於其配置中未特別限定之構成要件，不限於實施形態所揭示之配置，亦可配置在能達成其功能之位置。
參照圖式說明一實施形態之圖案曝光裝置（以下，僅簡單記載為曝光裝置）。
〔曝光裝置之整體構成〕 圖1係顯示一實施形態之曝光裝置EX之外觀構成之概要的立體圖。曝光裝置EX，係將以空間光調變元件（SLM：Spatial Light Modulator）將在空間內之強度分布以動態方式加以調變之曝光用光成像投影至被曝光基板的裝置。作為空間光調變器，例如有液晶元件、數位微反射鏡元件（DMD：Digital Micromirror Device）、磁光學空間光調變器（MOSLM：Magneto Optic Spatial Light Modulator）等。本實施形態之曝光裝置EX，作為空間光調變器係裝備DMD10，但亦可裝備其他空間光調變器。
特定實施形態中，曝光裝置EX係以用於顯示裝置（平面顯示器）等之矩形（方型）玻璃基板作為曝光對象物之步進掃描方式的投影曝光裝置（掃描機）。該玻璃基板，係至少一邊長度、或對角長度為500mm以上、厚度為1mm以下之平面顯示器用之基板P。曝光裝置EX，於基板P表面以固定厚度形成之感光層（光阻劑）曝光出以DMD製作之圖案之投影像。曝光後從曝光裝置EX被搬出之基板P，在顯影製程後被送至既定處理製程（成膜製程、蝕刻製程、鍍敷製程等）。
曝光裝置EX，具備由載置在主動防震單元1a、1b、1c、1d（1d未圖示）上之台座2、載置在台座2上之平台3、能在平台3上2維移動之XY載台4A（第1驅動部）、在XY載台4A上將基板P（物體）吸附保持在平面上之基板保持具4B（第1移動體）、以及測量基板保持具4B（基板P）之2維移動位置之雷射測距干涉儀（以下，亦簡稱為干涉儀）IFX、IFY1～IFY4所構成的載台裝置。此種載台裝置，已揭露於例如美國專利公開第2010／0018950號說明書、美國專利公開第2012／0057140號說明書中。
圖1中，正交座標系統XYZ之XY面係設定為與載台裝置之平台3之平坦表面平行，XY載台4A係設定成能在XY面內並進移動。又，於本實施形態，與座標系統XYZ之X軸平行之方向係設定為掃描曝光時基板P（XY載台4A）之掃描移動方向。基板P之X軸方向之移動位置以干涉儀IFX逐次測量，Y軸方向之移動位置則以4個干涉儀IFY1～IFY4中之至少1個（較佳為2個）以上逐次測量。基板保持具4B，能相對XY載台4A在與XY面垂直之Z軸方向微幅移動、且能相對XY面於任意方向微幅傾斜，基板P之表面與被投影之圖案之成像面的焦點調整與校平（平行度）調整係主動進行。進一步的，基板保持具4B，為了主動調整基板P在XY面內之傾斜，能繞與Z軸平行之軸線微幅旋轉（θz旋轉）。
曝光裝置EX，進一步具備保持複數個曝光（描繪）模組群MU（A）、MU（B）、MU（C）之光學平台5、以及從台座2支承光學平台5之主機架6a、6b、6c、6d（6d未圖示）。複數個曝光模組群MU（A）、MU（B）、MU（C）之各個，係安裝在光學平台5之＋Z方向側。複數個曝光模組群MU（A）、MU（B）、MU（C）之各個，具有安裝在光學平台5之＋Z方向側、射入來自光纖單元FBU之照明光的照明單元ILU與安裝在光學平台5之－Z方向側、具有與Z軸平行之光軸的投影單元PLU。再者，曝光模組群MU（A）、MU（B）、MU（C）之各個，具備將來自照明單元ILU之照明光反射向－Z方向，使其射入投影單元PLU之作為光調變部的DMD10。由照明單元ILU、DMD10、投影單元PLU構成之曝光模組之詳細構成留待後敘。
在曝光裝置EX之光學平台5之－Z方向側，安裝有用以檢測形成在基板P上之既定複數個位置之對準標記的複數個對準系統（顯微鏡）ALG。為確認（校正）該對準系統ALG各個之檢測視野在XY面內之相對位置關係、確認（校正）從曝光模組群MU（A）、MU（B）、MU（C）各個之投影單元PLU投射之圖案像之各投影位置與對準系統ALG各個之檢測視野之位置的基準線誤差、或確認從投影單元PLU投射之圖案像之位置或像品質，在基板保持具4B上之－X方向端部設有校正用基準部CU。又，圖1中雖有一部分未圖示，但曝光模組群MU（A）、MU（B）、MU（C）之各個，於本實施形態中，例如係9個模組於Y軸方向以一定間隔排列，該模組數可以較9個少、亦可較9個多。此外，圖1中，雖係於X軸方向配置3列曝光模組，但於X軸方向配置之曝光模組之列數，可以是2列以下、亦可以是4列以上。
圖2係顯示以曝光模組群MU（A）、MU（B）、MU（C）各個之投影單元PLU在基板P上投射之DMD10之投影區域IAn之配置例的圖，正交座標系統XYZ係設定為與圖1相同。本實施形態中，於X軸方向分離配置之第1列曝光模組群MU（A）、第2列曝光模組群MU（B）、第3列曝光模組群MU（C）之各個，係以排列於Y軸方向之9個模組構成。曝光模組群MU（A）以配置於＋Y方向之9個模組MU1～MU9構成、曝光模組群MU（B）以配置於－Y方向之9個模組MU10～MU18構成、曝光模組群MU（C）以配置於＋Y方向之9個模組MU19～MU27構成。模組MU1～MU27全部為相同構成，在使曝光模組群MU（A）與曝光模組群MU（B）於X軸方向成相對向之關係時，曝光模組群MU（B）與曝光模組群MU（C）係於X軸方向成背對背之關係。
圖2中，由模組MU1～MU27之各個形成之投影區域IA1、IA2、IA3、…、IA27（設n為1～27，亦以IAn表示）之形狀，例如係以大致1：2之長寬比延伸於Y軸方向之長方形。本實施形態中，係隨著基板P之＋X方向掃描移動，以第1列投影區域IA1～IA9各個之－Y方向端部與第2列投影區域IA10～IA18各個之＋Y方向端部進行接續曝光。而第1列與第2列投影區域IA1～IA18之各個中未曝光之基板P上之區域，即以第3列投影區域IA19～IA27之各個接續曝光。第1列投影區域IA1～IA9各個之中心點位在與Y軸平行之線k1上，第2列投影區域IA10～IA18各個之中心點位在與Y軸平行之線k2上，第3列投影區域IA19～IA27各個之中心點位在與Y軸平行之線k3上。線k1與線k2之X軸方向間隔係設定為距離XL1，線k2與線k3之X軸方向間隔係設定為距離XL2。
此處，設投影區域IA9之－Y方向端部與投影區域IA10之＋Y方向端部之接續部為OLa、投影區域IA10之－Y方向端部與投影區域IA27之＋Y方向端部之接續部為OLb、投影區域IA8之＋Y方向端部與投影區域IA27之－Y方向端部之接續部為OLc時，於圖3說明其接續曝光之狀態。圖3中，正交座標系統XYZ係設定為與圖1、圖2相同，投影區域IA8、IA9、IA10、IA27（及其他所有之投影區域IAn）內之座標系統X’Y’，係設定為相對正交座標系統XYZ之X軸、Y軸（線k1～k3），傾斜角度θk。亦即，DMD10之整體在XY面內傾斜角度θk，以使DMD10之多數個微反射鏡之2維排列成為座標系統X’Y’。
圖3中包含投影區域IA8、IA9、IA10、IA27（及其他所有投影區域IAn亦同）之各個之圓形區域，係代表投影單元PLU之圓形像場PLf’。於接續部Ola，係設定為投影區域IA9之－Y’方向端部之斜向（角度θk）排列之微反射鏡之投影像與投影區域IA10之＋Y’方向端部之斜向（角度θk）排列之微反射鏡之投影像重疊。又，於接續部OLb，係設定為投影區域IA10之－Y’方向端部之斜向（角度θk）排列之微反射鏡之投影像與投影區域IA27之＋Y’方向端部之斜向（角度θk）排列之微反射鏡之投影像重疊。同樣的，於接續部OLc，係設定為投影區域IA8之＋Y’方向端部之斜向（角度θk）排列之微反射鏡之投影像與投影區域IA27之－Y’方向端部之斜向（角度θk）排列之微反射鏡之投影像重疊。
〔照明單元之構成〕 圖4係在XZ面內所見之圖1、圖2所示之曝光模組群MU（B）中之模組MU18、與曝光模組群MU（C）中之模組MU19之具體構成的光學配置圖。圖4之正交座標系統XYZ係設定為與圖1～圖3之正交座標系統XYZ相同。又，從圖2所示之各模組在XY面內之配置可清楚得知，模組MU18係相對模組MU19於＋Y方向錯開一定間隔，且以彼此背對背之關係設置。模組MU18內之各光學構件與模組MU19內之各光學構件，由於分別是相同材料具有相同構成，因此，此處主要針對模組MU18之光學構成詳細說明之。此外，圖1所示之光纖單元FBU，係對應圖2所示之27個模組MU1～MU27之各個，以27條光纖束FB1～FB27構成。
模組MU18之照明單元ILU，係由反射從光纖束FB18之射出端往－Z方向行進之照明光ILm的反射鏡100、將來自反射鏡100之照明光ILm反射向－Z方向的反射鏡102、作為準直透鏡而作用的輸入透鏡系統104、照度調整濾光鏡106、包含微複眼（MFE）透鏡及像場透鏡等的光學積分器108、聚光透鏡系統110、以及將來自聚光透鏡系統110之照明光ILm反射向DMD10的傾斜反射鏡112構成。反射鏡102、輸入透鏡系統104、光學積分器108、聚光透鏡系統110以及傾斜反射鏡112，係沿著與Z軸平行之光軸AXc配置。
光纖束FB18，係由1條光纖線或將複數條光纖線結束而構成。從光纖束FB18（光纖線之各個）之射出端照射之照明光ILm，係設定為不被後段之輸入透鏡系統104彈開而能順利射入之數值孔徑（NA，亦稱擴張角）。輸入透鏡系統104之前側焦點位置，設計上係設定為與光纖束FB18之射出端位置相同。進一步的，輸入透鏡系統104之後側焦點位置，係設定為能使來自形成在光纖束FB18之射出端之單一或複數個點光源之照明光ILm在光學積分器108之MFE透鏡108A之射入面側重疊。因此，MFE透鏡108A之射入面係被來自光纖束FB18之射出端之照明光ILm柯勒照明。又，於初期狀態下，係設光纖束FB18之射出端在XY面內之幾何學中心點位於光軸AXc上，來自光纖線之射出端之點光源之照明光ILm之主光線（中心線）與光軸AXc平行（或同軸）。
來自輸入透鏡系統104之照明光ILm，在被照度調整濾光鏡106以0％～90％範圍之任意值衰減照度後，通過光學積分器108（MFE透鏡108A、像場透鏡等），射入聚光透鏡系統110。MFE透鏡108A係將數十μm方形之矩形微透鏡以2維方式排列多數個之物，其整體形狀係設定為在XY面內與DMD10之反射鏡面整體之形狀（長寬比約為1：2）大致相似。又，聚光透鏡系統110之前側焦點位置，係設定為與MFE透鏡108A之射出面位置大致相同。因此，來自形成在MFE透鏡108A之多數個微透鏡之各射出側之點光源的照明光之各個，被聚光透鏡系統110轉換為大致平行之光束，於傾斜反射鏡112反射後，在DMD10上重疊而成為均勻的照度分布。由於在MFE透鏡108A之射出面，會生成由多數個點光源（聚光點）2維緊密排列之面光源，因此可發揮作為面光源化構件之功能。
在圖4所示之模組MU18內，通過聚光透鏡系統110與Z軸平行之光軸AXc，被傾斜反射鏡112彎折而到達DMD10，此處，將傾斜反射鏡112與DMD10間之光軸設為光軸AXb。本實施形態中，包含DMD10之多數個微反射鏡各個之中心點的中立面，係設定為與XY面平行。因此，該中立面之法線（與Z軸平行）與光軸AXb所夾之角度，即是對DMD10之照明光ILm之射入角θα。DMD10，係安裝在固設於照明單元ILU之支承柱的安裝座10M之下側。於安裝座10M，為進行DMD10之位置或姿勢之微調整，設有例如國際公開專利2006／120927號所揭示之將平行鏈接機構與可伸縮之壓電元件加以組合的微動載台。
［DMD之構成］ 圖5（A）係概略顯示DMD10的圖、圖5（B）係顯示電源為OFF時之DMD10的圖、圖5（C）係用以說明ON狀態之反射鏡的圖、圖5（D）係用以說明OFF狀態之反射鏡的圖。又，圖5（A）～圖5（D）中，ON狀態之反射鏡係以陰影線顯示。
DMD10，具有複數個可控制反射角變更之微反射鏡Ms。本實施形態中，DMD10，係可將ON狀態與OFF狀態以微反射鏡Ms之橫搖方向傾斜與縱搖方向傾斜來加以切換之橫搖與縱搖驅動方式者。
如圖5（B）所示，電源為off狀態時，各微反射鏡Ms之反射面係設定為與X’Y’面平行。雖然各微反射鏡Ms之X’方向排列節距設為Pdx（μm）、Y’方向之排列節距設為Pdy（μm），但實用上係設定為Pdx＝Pdy。
各微反射鏡Ms，繞Y’軸傾斜而為ON狀態。圖5（C），顯示了僅中央之微反射鏡Ms為ON狀態，其他微反射鏡Ms為中性狀態（非ON亦非OFF之狀態）之情形。又，各微反射鏡Ms，繞X’軸傾斜而為OFF狀態。圖5（D），顯示了僅中央之微反射鏡Ms為OFF狀態，其他微反射鏡Ms為中性狀態之情形。此外，為簡略起見而未圖示，但ON狀態之微反射鏡Ms，係被驅動為從X’Y’平面以既定角度傾斜，以使照射於ON狀態之微反射鏡Ms之照明光被反射向XZ平面之X軸方向。此外，OFF狀態之微反射鏡Ms，係被驅動為從X’Y’平面以既定角度傾斜，以將照射於OFF狀態之微反射鏡Ms之照明光反射向YZ面內之Y軸方向。DMD10，藉由切換各微反射鏡Ms之ON狀態及OFF狀態，生成曝光圖案。
被OFF狀態之反射鏡反射之照明光，被未圖示之光吸收體吸收。
此外，由於係作為空間光調變器之一例說明了DMD10，說明係反射雷射光之反射型，但空間光調變器亦可以是使雷射光穿透之穿透型，亦可以是使雷射光繞射之繞射型。空間光調變器可在空間上、且時間上對雷射光進行調變。
回到圖4，照射在DMD10之微反射鏡Ms中之ON狀態之微反射鏡Ms的照明光ILm，係以朝向投影單元PLU之方式反射向XZ面內之X軸方向。另一方面，照射在DMD10之微反射鏡Ms中之OFF狀態之微反射鏡Ms的照明光ILm，係以不朝向投影單元PLU之方式被反射向YZ面內之Y軸方向。
在從DMD10到投影單元PLU間之光路中，以可插脫之方式設有用以在非曝光期間中遮蔽來自DMD10之反射光的可動光閘114。可動光閘114，如模組MU19側之圖示，曝光期間中係旋動至從光路退避之角度位置，於非曝光期間中則係如模組MU18側之圖示，旋動至斜向插入光路中之角度位置。在可動光閘114之DMD10側形成有反射面，在該處反射之來自DMD10之光照射於光吸收體117。光吸收體117不會再反射紫外波長帶（400nm以下波長）之光能而是加以吸收轉換為熱能。因此，在光吸收體117亦設有散熱機構（散熱鰭片或冷卻機構）。此外，圖4中雖未圖示，來自曝光期間中成OFF狀態之DMD10之微反射鏡Ms之反射光，如以上所述，被相對DMD10與投影單元PLU間之光路於Y軸方向（與圖4之紙面正交之方向）設置之同樣的光吸收體（圖4中未圖示）吸收。
〔投影單元之構成〕 安裝在光學平台5下側之投影單元PLU，係構成為由沿著與Z軸平行之光軸AXa配置之第1透鏡系統116與第2透鏡系統118所構成之兩側遠心的成像投影透鏡系統。第1透鏡系統116與第2透鏡系統118，分別相對固設在光學平台5下側之支承柱，沿Z軸（光軸AXa）之方向藉由微動致動器並進移動。第1透鏡系統116與第2透鏡系統118形成之成像投影透鏡系統之投影倍率Mp，係由DMD10上之微反射鏡之排列節距Pd、與投影在基板P上之投影區域IAn（n＝1～27）內之圖案像之最小線寬（最小像素尺寸）Pg之關係決定。
舉一例而言，所需之最小線寬（最小像素尺寸）Pg為1μm、微反射鏡之排列節距Pdx、Pdy分別為5.4μm之情形時，同時考量先前之圖3所說明之投影區域IAn（DMD10）在XY面內之傾角θk，投影倍率Mp係設定為約1／6。由透鏡系統116、118構成之成像投影透鏡系統，使DMD10之反射鏡面整體之縮小像倒立／反轉後成像在基板P上之投影區域IA18（IAn）。
投影單元PLU之第1透鏡系統116，為進行投影倍率Mp之微調整（±數十ppm程度）而能藉由致動器於光軸AXa方向微動，第2透鏡系統118為進行焦點之高速調整而能藉由致動器於光軸AXa方向微動。進一步的，為了以次微米以下之精度測量基板P表面之Z軸方向位置變化，在光學平台5之下側設有複數個斜射入光式之焦點感測器120。複數個焦點感測器120，測量基板P整體之Z軸方向位置變化、與投影區域IAn（n＝1～27）之各個對應之基板P上之部分區域之Z軸方向位置變化、或基板P之部分的傾斜變化等。又，焦點感測器120較佳是能對應基板P之掃描曝光而在曝光前測量焦點位置。為此，由於掃描方向為＋X方向與－X方向，因此以在投影單元PLU之前後配置焦點感測器120較佳。
如以上之照明單元ILU與投影單元PLU，如先前之圖3所說明，由於在XY面內投影區域Ian須傾斜角度θk，因此圖4中之DMD10與照明單元ILU（至少沿光軸AXc之反射鏡102～反射鏡112之光路部分），係配置成整體在XY面內傾斜角度θk。
圖6係在XY面內以示意方式顯示DMD10與投影單元PLU在XY面內傾斜角度θk之狀態的圖。圖6中，正交座標系統XYZ與先前之圖1～圖4各個之座標系統XYZ相同，DMD10之微反射鏡Ms之排列座標系統X’Y’與圖3所示之座標系統X’Y’相同。內含DMD10之圓，係投影單元PLU物面側之像場PLf，光軸AXa位於其中心。另一方面，通過照明單元ILU之聚光透鏡系統110之光軸AXc被傾斜反射鏡112彎折之光軸AXb，在XY面內觀察時，係配置成從與X軸平行之線Lu傾斜角度θk。
〔藉由DMD之成像光路〕 其次，參照圖7，詳細說明由投影單元PLU（成像投影透鏡系統）形成之DMD10之微反射鏡Ms之成像狀態。圖7之正交座標系統X’Y’Z與先前之圖3、圖6所示之座標系統X’Y’Z相同，圖7中顯示從照明單元ILU之聚光透鏡系統110到基板P之光路。來自聚光透鏡系統110之照明光ILm，沿著光軸AXc前進，被傾斜反射鏡112全反射而沿著光軸AXb到達DMD10之反射鏡面。此處，設位於DMD10中心之微反射鏡Ms為Msc、位於周邊之微反射鏡Ms為Msa，該等微反射鏡Msc、Msa為ON狀態。
微反射鏡Ms為ON狀態時之傾斜角，相對X’Y’面（XY面），例如作為規格值為17.5°時，為了使來自微反射鏡Msc、Msa各個之反射光Sc、Sa之各主光線與投影單元PLU之光軸AXa平行，照射於DMD10之照明光ILm之射入角（光軸AXb距光軸AXa之角度）θα係設定為35.0°。從而，此場合，傾斜反射鏡112之反射面亦係相對X’Y’面（XY面）傾斜17.5°（＝θα／2）配置。來自微反射鏡Msc之反射光Sc之主光線Lc與光軸AXa為同軸，來自微反射鏡Msa之反射光Sa之主光線La與光軸AXa平行，反射光Sc、Sa伴隨既定數值孔徑（NA）射入投影單元PLU。
藉由反射光Sc，在基板P上，以投影單元PLU之投影倍率Mp縮小之微反射鏡Msc之縮小像ic會在光軸AXa之位置以遠心狀態成像。同樣的，藉由反射光Sa，在基板P上，以投影單元PLU之投影倍率Mp縮小之微反射鏡Msa之縮小像ia會在從縮小像ic於＋X’方向分離之位置以遠心狀態成像。舉一例而言，投影單元PLU之第1透鏡系統116以2個透鏡群G1、G2構成，第2透鏡系統118以3個透鏡群G3、G4、G5構成。在第2透鏡系統118之透鏡群G3與透鏡群G4之間設定射出光瞳（亦簡稱為光瞳）Ep。在該光瞳Ep之位置，形成照明光ILm之光源像（形成在MFE透鏡108A之射出面側之多數個點光源之集合），為科勒照明之構成。光瞳Ep亦被稱為投影單元PLU之開口，該開口之大小（直徑）為規定投影單元PLU之解析力的1個主要因素。
來自DMD10之ON狀態之微反射鏡Ms的正反射光，係設定為不會被光瞳Ep之最大口徑（直徑）遮蔽而能通過，藉由光瞳Ep之最大口徑與投影單元PLU（作為成像投影透鏡系統之透鏡群G1～G5）之後側（像側）焦點之距離，決定表示解析度R之式、R＝k1・（λ／NAi）中之像側（基板P側）數值孔徑NAi。又，投影單元PLU（透鏡群G1～G5）之物面（DMD10）側之數值孔徑NAo，係以投影倍率Mp之數值孔徑NAi之積表示，投影倍率Mp為1／6之情形時，為NAo＝NAi／6。
以上之圖7及圖4所示之照明單元ILU與投影單元PLU之構成中，連接於各模組MUn（n＝1～27）之光纖束FBn（n＝1～27）之射出端，係藉由輸入透鏡系統104設定為與光學積分器108之MFE透鏡108A之射出端側成光學共軛關係，MFE透鏡108A之射入端側，係藉由聚光透鏡系統110設定為與DMD10之反射鏡面（中立面）之中央成光學共軛關係。據此，照射在DMD10之反射鏡面整體之照明光ILm，即因光學積分器108之作用而成為均勻的照度分布（例如，±1％以內之強度不均）。又，MFE透鏡108A之射出端側與投影單元PLU之光瞳Ep之面，係藉由聚光透鏡系統110與投影單元PLU之透鏡群G1～G3設定為光學共軛關係。
［校正用基準部CU之構成］ 圖8係顯示設在曝光裝置EX之基板保持具4B上之端部所附設之校正用基準部CU之對準裝置60之概略構成的圖。對準裝置60，具備基準標記60a及二維攝影元件60e等。對準裝置60係使用於各種模組之位置測量及校正，亦用於對準系統ALG之校正。
各模組MU1～MU27之位置測量，係藉由將校正用圖案之像以投影單元PLU投影至對準裝置60之基準標記60a上，並測量基準標記60a與校正用圖案之像的相對位置來進行。
又，對準系統ALG之校正，亦可以對準系統ALG測量對準裝置60之基準標記60a來進行。亦即，可藉由以對準系統ALG測量對準裝置60之基準標記60a，據以求出對準系統ALG之位置。進一步的，亦可使用基準標記60a求出對準系統ALG與模組MU1～MU27之相對位置。
此外，對準系統ALG，亦可將載置在基板保持具4B上之基板P上之對準標記之位置，以對準裝置60之基準標記60a為基準加以測量。
［檢査部IU之構成］ 其次，說明檢査部IU之構成。圖9係從＋Z方向所見之基板保持具4B的圖。又，圖10係顯示設在基板保持具4B之＋X方向端部所設之檢査部IU之檢査裝置400a～400i之概略構成的圖。
本實施形態中，檢査部IU，係於X軸方向設在基板保持具4B之校正用基準部CU的相反側。
如圖9所示，在檢査部IU，複數個檢査裝置400a～400i配置在與基板P之掃描曝光方向（X軸方向）正交之方向（Y軸方向）。檢査裝置400a～400i，係用以檢查模組MU1～MU27之DMD10是否能生成與圖案資料（描繪資料）對應之圖案光的裝置。具體而言，係檢查DMD10是否有無法進行與描繪資料對應之驅動之缺陷元件（缺陷微反射鏡）的裝置。此處，所謂缺陷元件，係指例如DMD10之微反射鏡Ms固定在ON狀態或固定在OFF狀態，而無法進行與描繪資料對應之驅動的元件。
檢査裝置400a～400i，係以例如與曝光模組群MU（A）所具備之模組MU1～MU9對應之方式設置。亦即，以在Y軸方向相鄰之模組之中心間之節距P1與在Y軸方向相鄰之檢査裝置之中心間之節距P2相等之方式配置。又，以下說明中，在沒有特別需要區別之情形下，將檢査裝置400a～400i記載為檢査裝置400。又，亦可將檢査裝置400以和模組MU1～MU27對應之方式設置。亦即，可將27個檢査裝置400配置在檢査部IU。此外，檢査裝置400之數量不限於圖9所示之數，可以是8以下、亦可以是10以上。
如圖10（A）所示，包含將投影單元PLU所投影之圖案像加以放大成像的放大成像系統401、與拍攝被放大之像之由CCD或CMOS構成的攝影元件402。又，檢査裝置400，DMD10表面之既定位置之物體（微反射鏡Ms）、與在成像面IPo之DMD10之像、與在攝影元件402之DMD10之像，為共軛之關係。此外，如圖10（B）所示，檢査裝置400亦可具有直接拍攝投影單元PLU所投影之圖案像之由CCD或CMOS構成之攝影元件402。此情形時，攝影元件402係設置在與基板P或基板保持具4B同一平面內。
本實施形態中，如圖9所示，攝影元件402，係在XY平面內傾斜DMD10在XY平面內傾斜之角度（θk：參照圖6）。此外，亦可不在XY平面內傾斜配置攝影元件402。
此處，使用攝影元件調查DMD10是否有缺陷元件之情形時，可考慮使攝影元件之像素與DMD10之元件（微反射鏡）Ms以1對1對應。此情形時，可在使DMD10生成之圖案之像投影於攝影元件之各像素之狀態下，拍攝投影像，藉由影像處理等來確認拍攝影像內之各像素，來簡單的調查DMD10之對應元件是否有缺陷。
然而，於實際之曝光裝置，通常，DMD10所生成之圖案之像，係以投影單元PLU縮小後投影至基板P。例如，如上所述，DMD10所生成之圖案之像係以投影單元PLU縮小至例如約1／6。因此，在使攝影元件之像素與DMD10之元件以1對1對應之情形時，須將以投影單元PLU縮小投影之圖案之像，以放大成像系統401放大至縮小倍率之倒數倍。因此，將導致放大成像系統401大型化，進而使檢査裝置400大型化。此外，亦必須使用至少與DMD10之像素數相同像素數之攝影元件。
因此，於本實施形態中，係以在攝影元件402之各像素IPX中，包含從DMD10之複數個元件Ms投影之圖案像之方式，設定放大成像系統401之放大倍率。
例如，如圖16所示，做成使攝影元件402之1像素IPX1（虛線）中包含DMD10之複數個元件（微反射鏡）Ms（實線）。以攝影元件402之1像素IPX1中包含2×2＝4個DMD10之元件Ms之方式，將DMD10分割為複數個區域（IPX1～IPX4）。此時，以在DMD10之4個元件Ms生成之圖案之像，能投影至攝影元件402之對應1像素IPX1之方式，放大所投影之圖案像。如此，由於能降低攝影元件402所需要之像素數（例如，使圖案像之1像素與攝影元件之像素1：1對應之情形時的1／4），因此能縮小攝影元件402之大小。又，由於能縮小放大成像系統401之放大倍率，因此能縮小放大成像系統401之尺寸。
又，攝影元件402之各像素中所含之DMD10之元件數，係由放大成像系統401之放大倍率、與投影至基板P上之圖案像之像素間最小節距、與攝影元件402之像素之排列節距的關係所決定。
［檢査控制裝置之構成］ 圖11係根據來自檢査裝置400之輸入，判定各模組MU1～MU27各個之DMD10是否存在缺陷元件、及特定出存在缺陷元件之DMD10之模組之檢査控制裝置300的功能方塊圖。
如圖11所示，檢査控制裝置300，具備檢査圖案輸出部310、判定部301及載台驅動部305。
檢査圖案輸出部310，將檢査用圖案資料ID1～ID27分別輸出至模組MU1～MU27。模組MU1～MU27各個之DMD10，根據檢査用圖案資料ID1～ID27生成圖案。
判定部301，根据從檢査裝置400a～400i輸入之資料，判定模組MU1～MU27各個之DMD10是否存在缺陷元件，並特定出存在缺陷元件之DMD10之模組。
載台驅動部305，驅動XY載台4A以使檢査對象之模組MU1～MU27位於檢査裝置400a～400i之上方。
[缺陷元件之檢測] 其次，說明檢査控制裝置300所實施之處理。圖12係顯示檢査控制裝置300所實施之處理之一例的流程圖。
於圖12之處理，首先，載台驅動部305驅動XY載台4A，使檢査裝置400a～400i分別位於MU1～MU9之下（步驟S11）。
其次，判定部301進行檢査處理（步驟S13）。圖13係顯示檢査處理之詳情的流程圖。圖13之處理係針對各模組MU1～MU9進行，以下，以模組MU1為例說明之。
於圖13之處理，首先，檢査圖案輸出部310將第1檢査圖案之圖案資料ID1輸出至模組MU1，模組MU1根據圖案資料ID1投影DMD10所生成之圖案（設為第1圖案）之像（步驟S131）。
圖14（A）係顯示DMD10不存在缺陷元件之情形時，投影至攝影元件402之第1檢査圖案之像的圖，圖14（B）係投影至圖14（A）中以虛線圍繞之攝影元件402之1個像素IPX1的第1檢査圖案之像的圖。第1檢査圖案，係使DMD10之微反射鏡Ms交互地成為ON狀態及OFF狀態而得之千鳥格紋的圖案。圖14（A）及圖14（B）中，塗黑處係顯示OFF狀態。
其次，判定部301，針對檢査裝置400a之攝影元件402之各像素IPX，測量被投影之第1圖案之照度（步驟S132）。將在步驟S132取得之照度設為第1照度。
其次，檢査圖案輸出部310將第2檢査圖案之圖案資料ID1輸出至模組MU1，模組MU1根據圖案資料ID1投影DMD10所生成之圖案（設為第2圖案）之像（步驟S133）。
圖14（C）係顯示在DMD10不存在缺陷元件之情形時投影至攝影元件402之第2檢査圖案之像的圖，圖14（D）係顯示投影至圖14（C）中以虛線圍繞之攝影元件402之1個像素IPX1的第2檢査圖案之像的圖。第2檢査圖案，係使DMD10之微反射鏡Ms之ON狀態及OFF狀態與第1檢査圖案相反而得之千鳥格紋之圖案。
其次，判定部301，針對檢査裝置400a之攝影元件402之各像素IPX，測量被投影之第2圖案之像之照度（步驟S134）。將在步驟S134取得之照度設為第2照度。此處，第1照度及第2照度包含攝影元件之輝度值或色調值。
其次，判定部301，比較第1照度與第2照度（步驟S135）。此處，第1檢査圖案中處於ON狀態之像素數與第2檢査圖案中處於ON狀態之像素數相等，第1檢査圖案中處於OFF狀態之像素數亦與第2檢査圖案中處於OFF狀態之像素數相等。因此，若與攝影元件402之各像素IPX對應之DMD10之各元件中不含缺陷元件的話，於攝影元件402之各像素IPX，第1照度與第2照度之差應大致為0。因此，判定部301，針對攝影元件402之各像素IPX，判定第1照度與第2照度之差是否在既定範圍內（例如，±1％以內）（步驟S136）。
於攝影元件402之所有像素IPX，第1照度與第2照度之差皆在既定範圍內之情形時（步驟S136／YES），判定部301即判定模組MU1之DMD10沒有缺陷元件（步驟S137）。
另一方面，於攝影元件402之任一像素IPX，第1照度與第2照度之差不在既定範圍內之情形時（步驟S136／NO），判定部301即判定模組MU1之DMD10有缺陷元件（步驟S138）。
判定部301，將判定結果儲存至例如非揮發性記憶體等之記憶部（未圖示）（步驟S139）。
圖13之處理，亦針對曝光模組群MU（A）中所含之其他模組MU2～MU9進行，模組MU1～MU9各個之DMD10是否有缺陷元件之判定結果被儲存至記憶部。
步驟S139結束後，回到圖12，判定部301判定是否存在尚未實施檢査之曝光模組（步驟S15）。例如，在曝光模組群MU（A）中所含之模組MU1～MU9之檢査結束之情形時，由於曝光模組群MU（B）及MU（C）之檢査尚未結束，因此步驟S15之判斷為YES。
步驟S15之判斷為YES之情形時，回到步驟S11。接著，載台驅動部305驅動XY載台4A，使檢査裝置400a～400i之各個位於曝光模組群MU（B）中所含之模組MU18～MU10之下方。
之後，對模組MU10～MU18實施上述檢査處理（步驟S13）。
當曝光模組群MU（B）之檢査結束時，由於曝光模組群MU（C）尚未被檢査（步驟S15／YES），因此回到步驟S11。載台驅動部305驅動XY載台4A，使檢査裝置400a～400i之各個位於曝光模組群MU（C）中所含之模組MU19～MU27之下方（步驟S11）。其次，進行曝光模組群MU（C）之檢査（步驟S13），當所有曝光模組群MU（A）～MU（C）之檢査結束後，步驟S15之判斷即為NO。
步驟S15之判斷為NO之情形時，判定部301輸出儲存在記憶部之判定結果（步驟S17），結束圖12之處理。此時，判定部301，可例如將判定結果顯示於液晶顯示器等之顯示裝置，或將判定結果以印表機印出。例如，判定部301，例如針對各模組MU1～MU27，輸出DMD10是否有缺陷元件。
又，在存在具有缺陷元件之DMD10之情形時，判定部301可根據曝光至基板P之圖案之配方（recipe）與有缺陷元件之DMD10之位置，算出有缺陷元件之DMD10對該圖案之曝光結果的影響度。於此情形，判定部301可以是輸出具備有缺陷元件之DMD10的模組與算出之影響度。又，判定部301亦可以是輸出影響度，並使操作員選擇是否持續進行曝光處理。例如，可使操作員選擇是否中止曝光處理、或使用沒有缺陷元件之正常的DMD10進行曝光處理、或因對曝光結果之影響少而持續進行曝光處理。此外，例如，判定部301可根據曝光至基板P之圖案之配方資訊與有缺陷元件之DMD10之位置，模擬曝光結果，並輸出該模擬結果。如此，操作員即能更簡單地進行是否持續曝光處理之判斷。又，亦可事先決定缺陷元件之數量等之閾值或影響掃描曝光圖案之缺陷元件數量之閾值，檢査後，根據所得之檢査結果進行是否持續曝光處理之選擇。
又，判定部301，亦可在攝影元件402之複數個像素IPX中，第1照度與第2照度之差為既定範圍外之情形時，判定DMD10包含缺陷元件之區域存在複數個，並輸出該結果。
如以上之詳細說明，根據本實施形態，曝光裝置EX，具備生成與描繪資料對應之圖案的DMD10、對DMD10照射照明光的照明單元ILU、將以DMD10生成之圖案之像縮小投影至載置在基板保持具4B上之基板P上的投影單元PLU、檢測被投影之圖案之像的檢査裝置400、以及根據檢査裝置400之檢測結果，判定DMD10是否有缺陷元件的判定部301。如此，即能在曝光裝置EX內，檢查DMD10是否有缺陷元件。
又，本實施形態中，判定部301，係根據使DMD10生成第1檢査圖案時投影之第1圖案之像之檢測結果，與使DMD10生成第2檢査圖案時投影之第2圖案之像之檢測結果，判定DMD10是否有缺陷元件。又，檢査裝置400係檢測第1圖案之像之照度、與第2圖案之像之照度。第1檢査圖案，係使DMD10之像素交互地成為ON狀態與OFF狀態而得之千鳥格紋之圖案，第2檢査圖案係使第1檢査圖案之ON狀態與前述OFF狀態反轉之千鳥格紋之圖案。如此，即使不檢查DMD10之各元件，亦能藉由照度之比較判定DMD10是否有缺陷元件。
又，本實施形態中，如圖16所示，檢査裝置400包含具有複數像素IPX的攝影元件402，以及在將DMD10之複數個元件Ms分割為複數個區域之情形時，可將在複數個區域之各個中生成之圖案之像，投影至攝影元件402之對應的像素IPX1～IPX4之方式，放大所投影之圖案之像的放大成像系統401。也就是說，攝影元件402之像素IPX1～IPX4之各個，係接收來自DMD10之複數個元件Ms之光。如此，與使用具有和DMD10各個之像素1：1對應之像素之攝影元件402來檢測DMD10之缺陷元件之情形相較，能在抑制檢査裝置400大型化之同時、判定DMD10是否有缺陷元件。
又，本實施形態中，曝光裝置EX具備分別包含DMD10、照明單元ILU及投影單元PLU，在與基板P之掃描曝光方向（X軸方向）正交之方向（Y軸方向）排列之複數個模組（例如，MU1～MU9），檢査裝置400，以和複數個模組MU1～MU9對應之方式，於Y軸方向排列複數個（檢査裝置400a～400i）。如此，與使用1個檢査裝置400檢査複數個模組MU1～MU9之情形相較，能以短時間進行檢査。
此外，上述實施形態中，與攝影元件402之1個像素IPX對應之DMD10之元件Ms，係設定為包含4×4＝16個元件（圖14）、或2×2＝4個元件（圖16），但不限於此。與攝影元件402之1個像素IPX對應之DMD10之元件Ms之數量，可以是5×5以上或是3×3，與攝影元件402之1個像素IPX對應之DMD10之元件Ms之數量，不僅是整數×整數之關係，亦可以是1.5×1.5等之情形。
又，上述實施形態中，亦可將檢査裝置400a～400i兼用為設在校正用基準部CU之對準裝置60。亦即，作為對準裝置60之二維攝影元件60e，可使用檢査裝置400之攝影元件402。
此外，上述實施形態中，雖有檢査裝置400大型化之可能性，但亦可使用具有與DMD10各個之元件Ms以1：1對應之像素IPX的攝影元件402，拍攝所投影之圖案像，根據拍攝影像來判斷DMD10是否有缺陷元件。又，在DMD10有缺陷元件之情形時，可根據拍攝影像來特定出缺陷元件之位置。
又，上述實施形態中，亦可取代使用檢査裝置400，而於基板P上曝光出測試圖案，以測量裝置（顯微鏡）測量已曝光出測試圖案之基板P，據以進行DMD10是否有缺陷元件之判定及有缺陷元件之DMD10之特定。再者，亦可對曝光至基板P上之測試圖案照射光，藉由測量繞射光來判定DMD10是否有缺陷元件。此外，亦可取代檢査裝置400而配置光致變色（photochromic）元件，於光致變色元件上曝光出測試圖案，並以對準系統ALG觀察、測量曝光結果，來特定出缺陷元件。又，在對基板上配置光致變色元件之物曝光出圖案之情形時，於已曝光完成之基板P之檢査步驟中所使用之檢査裝置可以是顯微鏡。
又，上述實施形態中，在將DMD10之複數個元件Ms分割為複數個區域之情形時，雖係使用放大成像系統401，來將複數個區域之各個中生成之圖案之像投影至攝影元件402之對應的像素IPX，但亦可如圖8（B）所示省略放大成像系統401。此情形時，攝影元件402，係以其受光面在Z軸方向與投影單元PLU之最佳焦點面（最佳成像面）為大致同一位置之方式，配置在基板保持具4B上。此時，係被投影單元PLU縮小之圖案像原封不動的被投影至攝影元件402。在此種情形下，亦可以攝影元件402整體來比較使DMD10生成第1檢査圖案時所投影之第1圖案之像之第1照度、與使DMD10生成第2檢査圖案時所投影之第2圖案之像之第2照度，並判定第1照度與第2照度之差是否在既定範圍內，據以判斷於DMD10是否存在缺陷元件。又，由於能省略放大成像系統401，因此能使檢査裝置400更為小型化。
又，上述實施形態中，亦可取代攝影元件402而使用照度感測器。
此外，於上述實施形態之圖13之處理，雖有特定DMD10是否有缺陷元件，但未特定缺陷元件之位置。缺陷元件之位置特定，可以下述方式進行。
圖15（A）係顯示與攝影元件402之1個像素IPX1對應之DMD10之區域中所含之元件（Ms）PX1～PX16的圖（第1狀態）。此處，係設圖15（A）所示之元件PX1～PX16中、例如元件PX6為缺陷元件。此情形時，以圖13說明之處理中，雖能知道與攝影元件402之像素IPX1對應之DMD10之區域內存在缺陷元件，但卻無法特定該區域中所含之元件PX1～PX16中，哪個像素是缺陷元件。
此情形時，例如藉由反覆比較對與像素IPX1對應之DMD10之區域中所含之4×4個元件PX1～PX16中之部分元件生成第1檢査圖案時所投影之第1圖案之像的第1照度、與生成第2檢査圖案時所投影之第2圖案之像的第2照度，即能特定缺陷元件。
關於缺陷元件之特定方法，進一步詳細說明之。例如，定義元件PX1～PX16中、包含於X軸方向及Y軸方向相鄰之複數個元件的區塊。各區塊中所含之元件，包含於在第1狀態下使用之1像素IPX1（第2狀態）。各區塊所含之元件數，較像素IPX1中所含之元件數少。此點，可藉由變化放大成像系統401之放大倍率，來改變同一像素在第1狀態與第2狀態下1像素IPX1中所含之元件而達成。
例如，如圖15（B）所示，定義包含元件PX1、PX2、PX5、PX6之區塊BLK1、包含元件PX2、PX3、PX6、PX7之區塊BLK2、包含元件PX3、PX4、PX7、PX8之區塊BLK3。又，定義包含元件PX5、PX6、PX9、PX10之區塊BLK4、包含元件PX6、PX7、PX10、PX11之區塊BLK5、包含元件PX7、PX8、PX11、PX12之區塊BLK6。進一步定義包含元件PX9、PX10、PX13、PX14之區塊BLK7、包含元件PX10、PX11、PX14、PX15之區塊BLK8、包含元件PX11、PX12、PX15、PX16之區塊BLK9。此外，圖15（A）及圖15（B）中、為便於觀察圖，係使元件彼此分離加以描繪。
其次，比較對區塊BLK1～BLK9之各個中所含之元件，生成第1檢査圖案時所投影之第1圖案之像的第1照度、與生成第2檢査圖案時所投影之第2圖案之像的第2照度，判定有無缺陷元件。圖15（B）之例中，由於區塊BLK1、區塊BLK2、區塊BLK4及區塊BLK5中包含缺陷元件PX6，因此判定區塊BLK1、區塊BLK2、區塊BLK4及區塊BLK5中存在缺陷元件。此時，區塊BLK1、區塊BLK2、區塊BLK4及區塊BLK5中共通之元件為元件PX6，因此可判定元件PX6為缺陷元件。
如以上所述，將與攝影元件402之1個像素對應之DMD10之區域中所含之複數個元件，分割為在X軸方向及Y軸方向相鄰之區塊中包含共通元件之複數個區塊，並藉由判定各區塊中有無缺陷元件，即使是在攝影元件之像素與DMD10之像素非1：1對應之情形時，亦能特定缺陷元件。
又，在特定至DMD10中所含之缺陷元件之位置之情形時，判定部301可考慮缺陷元件之位置，判定缺陷元件對圖案曝光結果造成之影響，將之輸出。
上述實施形態係本發明之較佳實施例。然而，不限定於此，在不脫離本發明要旨之範圍內可實施各種變形。再者，於DMD10之缺陷元件之特定，亦可對被認為是缺陷元件之部分進行ON／OFF切換，以對準裝置60直接觀察DMD10之元件Ms。此情形時，最好是能以對準裝置60之像素較DMD10之元件Ms大之光學倍率進行觀察較佳。又，本實施例中，係以相鄰之元件Ms彼此為ON／OFF切換之千鳥格子圖案為例。除此之外，在如圖17（A）所示之攝影元件402之1像素IPX1內包含DMD10之4×4＝16個元件之情形時，可以是使4個元件Ms一起進行ON或OFF之千鳥格子圖案。又，檢査圖案亦不限於千鳥格子圖案，在如圖17（B）所示之攝影元件402之1像素IPX1內包含DMD10之4×4＝16個元件之情形時，第1檢査圖案及第2檢査圖案可以不是千鳥配置之圖案。雖然不是千鳥配置，但係透過第1檢査圖案或第2檢査圖案而使像素IPX1內之16個元件全部各1次曝光ON或OFF之狀態。藉由此種圖案之使用，即能特定缺陷元件。本發明之檢査圖案不限於此，在不脫離本發明之要旨範圍下可適當設計。
進一步的，缺陷元件之特定可如以下方式進行。設第1檢査圖案為使像素IPX內所含之特定的1個元件為ON狀態之圖案、第2檢査圖案為使像素IPX內所含之所有元件為OFF狀態之圖案，測量第1檢査圖案之檢査結果與第2檢査圖案之檢査結果之差。藉由對像素IPX內所含之所有元件進行此動作，即能特定出有無缺陷元件。
又，關於以上實施形態之說明，進一步揭示以下之附記。
（附記1）一種曝光裝置，具備：生成與描繪資料對應之圖案的空間光調變器、對該空間光調變器照射照明光的照明單元、將以該空間光調變器生成之該圖案之像縮小投影至載置在基板保持具上之基板上的投影單元、檢測所投影之該圖案之像的檢測部、以及根據該檢測部之檢測結果判定該空間光調變器是否有缺陷元件的判定部。
（附記2）如附記1之曝光裝置，該判定部，係根據使該空間光調變器生成第1檢査圖案時投影之第1圖案像之檢測結果、與使該空間光調變器生成第2檢査圖案時投影之第2圖案像之檢測結果，判定該空間光調變器是否有缺陷元件。
（附記3）如附記2之曝光裝置，該檢測部，係檢測該第1圖案像之照度與該第2圖案像之照度。
（附記4）如附記2或附記3之曝光裝置，該第1檢査圖案，係使該空間光調變器之元件交互地為ON狀態與OFF狀態而得之千鳥格紋的圖案，該第2檢査圖案，係使該第1檢査圖案之該ON狀態與該OFF狀態反轉之千鳥格紋的圖案。
（附記5）如附記1至附記4中任一附記之曝光裝置，其具備分別包含該空間光調變器、該照明單元及該投影單元，在與該基板之掃描曝光方向正交之方向排列的複數個模組，該檢測部係以和該複數個模組對應之方式，在與該掃描曝光方向正交之方向排列複數個。
（附記6）如附記1至附記5中任一附記之曝光裝置，該檢測部係設置在該基板保持具。
（附記7）如附記1至附記6中任一附記之曝光裝置，該檢測部，包含：具有複數個像素的攝影元件，以及在將該空間光調變器之複數個元件分割為複數個區域之情形時，以該複數個區域之各個中生成之圖案之像投影至該攝影元件之對應之像素之方式，放大所投影之該圖案之像的放大成像系統。
（附記8）如附記1至附記6中任一附記之曝光裝置，該檢測部具備不將所投影之該圖案之像放大而投影之攝影元件。
（附記9）如附記7或附記8之曝光裝置，該攝影元件係用於包含該空間光調變器、該照明單元及該投影單元之模組之位置測量。
（附記10）如附記7至附記9中任一附記之曝光裝置，該檢測部，具備測量所投影之該圖案之像之照度的照度感測器。
（附記11）一種檢査方法，係於具備生成與描繪資料對應之圖案的空間光調變器、對該空間光調變器照射照明光的照明單元、以及將以該空間光調變器生成之該圖案之像縮小投影至載置在基板保持具上之基板上的投影單元之曝光裝置中，檢查該空間光調變器之方法，其包含：檢測所投影之該圖案之像的動作，以及根據該圖案之像之檢測結果判定該空間光調變器是否有缺陷元件的動作。
（附記12）一種檢査方法，係於具備生成與描繪資料對應之圖案的空間光調變器、對該空間光調變器照射照明光的照明單元、以及將以該空間光調變器生成之該圖案之像投影至載置在基板保持具上之基板上的投影單元之曝光裝置中，檢查該空間光調變器之方法，其包含：將該空間光調變器生成之該圖案之像曝光至該基板的動作，以及使用測量裝置測量曝光出該圖案之像之該基板，據以判定該空間光調變器是否有缺陷元件的動作。
（附記13）一種檢査方法，係於具備生成與描繪資料對應之圖案的空間光調變器、對該空間光調變器照射照明光的照明單元、以及將以該空間光調變器生成之該圖案之像投影至載置在基板保持具上之基板上的投影單元之曝光裝置中，檢查該空間光調變器之方法，其包含：將該空間光調變器生成之該圖案之像曝光至光致變色元件的動作，以及使用測量裝置測量曝光出該圖案之像之該光致變色元件，據以判定該空間光調變器是否有缺陷元件。
1a～1c:主動防震單元 2:台座 3:平台 4A:XY載台 4B:基板保持具 5:光學平台 6a～6c:主機架 10:DMD 10M:安裝座 60:對準裝置 60a:基準標記 60e:二維攝影元件 100:反射鏡 102:反射鏡 104:輸入透鏡系統 106:照度調整濾光鏡 108:光學積分器 108A:MFE透鏡 110:聚光透鏡系統 112:傾斜反射鏡 114:可動光閘 116:第1透鏡系統 117:光吸收體 118:第2透鏡系統 300:檢査控制裝置 301:判定部 305:載台驅動部 310:檢查圖案輸出部 400、400a～400i:檢査裝置 401:放大成像系統 402:攝影元件 ALG:對準系統 AXa、AXb、AXc:光軸 BLK1～BLK9:區塊 CU:校正用基準部 Ep:光瞳 EX:曝光裝置 FB18:光纖束 FBU:光纖單元 G1～G5:透鏡群 ia、ic:縮小像 IA1～IA27:投影區域 ID1～ID27:檢査用圖案資料 ILm:照明光 ILU:照明單元 IFUY1～IFUY4:干涉儀 IFX:干涉儀 IPo:成像面 IPX1～IPX4:像素 IU:檢査部 k1～k3:線 KL2:線k2與線k3之間隔 La:反射光 Lu:線 Ms:微反射鏡 Msa、Msc:微反射鏡 MU1～MU27:模組 MU(A)～MU(C):曝光模組群 OLa、OLb、OLc:接續部 P1:節距 P:基板 Pdx、Pdy:排列節距 PLf’:圓形像場 PLU:投影單元 PX1～PX16:元件 Sa:主光線 XL1:線k1與線k2之間隔
[圖1]係顯示一實施形態之曝光裝置之外觀構成之概要的立體圖。 [圖2]係顯示以複數個曝光模組各個之投影單元投射至基板上之DMD之投影區域之配置例的圖。 [圖3]係說明圖2中，透過特定之4個投影區域之各個進行之接續曝光之狀態的圖。 [圖4]係在XZ面內所見之排列於X軸方向（掃描曝光方向）之2個曝光模組之具體構成的光學配置圖。 [圖5（A）]係概略顯示DMD的圖、[圖5（B）]係顯示電源為OFF時之DMD的圖、[圖5（C）]係用以說明ON狀態之反射鏡的圖、[圖5（D）]係用以說明OFF狀態之反射鏡的圖。 [圖6]係以示意方式顯示DMD與照明單元在XY面內傾斜角度θk之狀態的圖。 [圖7]係詳細說明以投影單元進行之DMD之微反射鏡之成像狀態的圖。 [圖8]係顯示設在校正用基準部之對準裝置之概略構成的圖，校正用基準部係附設在曝光裝置之基板保持具上之端部。 [圖9]係從＋Z方向所見之基板保持具的圖。 [圖10（A）]係顯示設在基板保持具端部所設之檢査部、包含放大成像系統之檢査裝置之概略構成的圖、[圖10（B）]係顯示設在基板保持具端部所設之檢査部、不包含放大成像系統之檢査裝置之概略構成的圖。 [圖11]係曝光裝置所具備之檢査控制裝置的功能方塊圖。 [圖12]係顯示檢査控制裝置實施之一處理例的流程圖。 [圖13]係顯示檢査處理之詳情的流程圖。 [圖14（A）]係顯示DMD中沒有缺陷元件時投影至攝影元件之第1檢査圖案之像的圖、[圖14（B）]係顯示圖14（A）中以虛線圍繞之投影至攝影元件之1個像素之第1檢査圖案的圖、[圖14（C）]係顯示DMD中沒有缺陷元件時投影至攝影元件之第2檢査圖案的圖、[圖14（D）]係顯示圖14（C）中以虛線圍繞之投影至攝影元件之1個像素之第2檢査圖案之像的圖。 [圖15（A）]係顯示與攝影元件之1個像素對應之DMD之區域中所含之複數個元件的圖、[圖15（B）]係說明將DMD之複數個元件區分為塊之情形的圖。 [圖16]係顯示與攝影元件之1個像素對應之DMD之複數個元件的圖。 [圖17（A）]係顯示DMD中沒有缺陷元件時投影至攝影元件之第1檢査圖案及第2檢査圖案之像之第1變形例的圖、[圖17（B）]係顯示DMD中沒有缺陷元件時投影之第1檢査圖案及第2檢査圖案之像之第2變形例的圖。
1a~1c:主動防震單元
2:台座
3:平台
4A:XY載台
4B:基板保持具
5:光學平台
6a~6c:主機架
10:DMD
ALG:對準系統
CU:校正用基準部
EX:曝光裝置
FBU:光纖單元
ILU:照明單元
IFY1~IFY4:干涉儀
IFX:干涉儀
IU:檢査部
MU(A)~MU(C):曝光模組群
P:基板
PLU:投影單元

Claims (21)

  1. 一種曝光裝置，係將與具有複數個元件之空間光調變器所生成之描繪資料對應之圖案光對物體進行曝光，其具備： 資料輸出部，係將該描繪資料輸出至該空間光調變器； 照明光學系統，係對該空間光調變器照射照明光； 第1移動體，係保持該物體； 投影光學系統，係將以該空間光調變器生成之該圖案光之像投影至該物體； 檢測部，係檢測被投影之該圖案光之像；以及 判定部，係根據該檢測部之檢測結果，判定該空間光調變器是否可生成與從該資料輸出部輸出之該描繪資料對應之圖案光。
  2. 如請求項1所述之曝光裝置，其中，該判定部係根據該檢測結果，判定該空間光調變器是否有無法進行與從該資料輸出部輸出之該描繪資料對應之驅動的缺陷元件。
  3. 如請求項2所述之曝光裝置，其中，該判定部係根據使該空間光調變器生成第1檢査圖案時投影至該複數個元件之至少一部分之第1圖案像的檢測結果、與使該空間光調變器生成第2檢査圖案時投影至該複數個元件之至少一部分之第2圖案像的檢測結果，判定該缺陷元件之有無。
  4. 如請求項3所述之曝光裝置，其中，該檢測部係檢測該第1圖案像之照度與該第2圖案像之照度。
  5. 如請求項3或4所述之曝光裝置，其中，該第1檢査圖案係使該複數個元件之至少一部分交互的成ON狀態與OFF狀態所得之圖案； 該第2檢査圖案係使該第1檢査圖案之該ON狀態與該OFF狀態反轉所得之圖案。
  6. 如請求項5所述之曝光裝置，其中，該第1檢査圖案係千鳥格紋之圖案； 該第2檢査圖案係千鳥格紋之圖案。
  7. 如請求項1至6中任一項所述之曝光裝置，其具備分別包含該空間光調變器、該照明光學系統及該投影光學系統，排列在與該物體之掃描曝光方向正交之方向的複數個模組； 該檢測部，係以和該複數個模組對應之方式，在與該掃描曝光方向正交之方向排列複數個。
  8. 如請求項1至7中任一項所述之曝光裝置，其中，該檢測部係與該第1移動體並進移動。
  9. 如請求項8所述之曝光裝置，其中，該檢測部係設於該第1移動體。
  10. 如請求項1至9中任一項所述之曝光裝置，其中，該檢測部具有攝影元件，該攝影元件具有複數個像素，用以拍攝從該空間光調變器投影之該圖案光之像。
  11. 如請求項10所述之曝光裝置，其中，該攝影元件設置在與該物體大致同一平面內。
  12. 如請求項10所述之曝光裝置，其中，該檢測部在該攝影元件之上部具有檢測光學系統； 該檢測光學系統，係使成像在與該物體大致同一平面內之該像放大後之放大像成像於該攝影元件。
  13. 如請求項12所述之曝光裝置，其中，該檢測光學系統係以該攝影元件之1像素內包含2個以上該元件之方式，將該圖案光成像於該攝影元件； 該判定部根據該1像素內所含之該元件之檢測結果，判定是否能生成與該描繪資料對應之圖案光。
  14. 如請求項13所述之曝光裝置，其中，該檢測光學系統係以該攝影元件之該1像素內包含2個以上該元件之方式將該圖案光成像於該攝影元件的第1狀態、與該1像素內所含之該元件較該第1狀態少的第2狀態，將該圖案光成像於該攝影元件； 該判定部根據在該第1狀態下測量之檢測結果的第1結果、與在該第2狀態下測量之檢測結果的第2結果，判定該空間光調變器是否有無法進行與從該資料輸出部輸出之該描繪資料對應之驅動的缺陷元件。
  15. 如請求項14所述之曝光裝置，其具備具有該空間光調變器、該照明光學系統及該投影光學系統之模組部； 該檢測部除該缺陷元件之檢測外，亦用於該模組部之位置測量。
  16. 如請求項1至15中任一項所述之曝光裝置，其中，該檢測部具備測量被投影之該圖案光之像之照度的照度感測器。
  17. 一種檢査方法，係檢查具備空間光調變器、照明光學系統及投影光學系統之曝光裝置之該空間光調變器，該空間光調變器具有生成與描繪資料對應之圖案光之複數個元件，該照明光學系統係對該空間光調變器照射照明光，該投影光學系統係將以該空間光調變器生成之該圖案光之像投影至第1移動體上載置之物體上，其包含： 檢測被投影之該圖案光之像的動作；以及 根據該圖案光之像之檢測結果，判定該空間光調變器是否有無法進行與該描繪資料對應之驅動之缺陷元件的動作。
  18. 一種檢査方法，係檢查具備空間光調變器、照明光學系統及投影光學系統之曝光裝置之該空間光調變器，該空間光調變器具有生成與描繪資料對應之圖案光之複數個元件，該照明光學系統係對該空間光調變器照射照明光，該投影光學系統係將以該空間光調變器生成之該圖案光之像投影至第1移動體上載置之物體上，其包含： 將該像曝光至該物體的動作：以及 使用測量裝置測量曝光出該像之該物體，據以判定該空間光調變器是否有無法進行與該描繪資料對應之驅動之缺陷元件的動作。
  19. 一種檢査方法，係檢查具備空間光調變器、照明光學系統及投影光學系統之曝光裝置之該空間光調變器，該空間光調變器具有生成與描繪資料對應之圖案光之複數個元件，該照明光學系統係對該空間光調變器照射照明光，該投影光學系統係將以該空間光調變器生成之該圖案光之像投影至第1移動體上載置之物體上，其包含： 將該空間光調變器生成之該圖案光之像曝光至光致變色元件的動作； 使用測量裝置測量被曝光出該圖案光之像之該光致變色元件，據以判定該空間光調變器是否有無法進行與該描繪資料對應之驅動之缺陷元件的動作。
  20. 一種曝光裝置，係將與具有複數個元件之空間光調變器所生成之描繪資料對應之圖案光對物體進行曝光，其具備： 照明光學系統，係對該空間光調變器照射照明光； 第1移動體，係保持該物體； 投影光學系統，係將以該空間光調變器生成之該圖案光之像投影至該物體；以及 測量部，其取得該物體上之該圖案光之像之測量結果； 該測量部，根據該測量結果，測量該空間光調變器是否有無法進行與該描繪資料對應之驅動的缺陷元件。
  21. 一種曝光裝置，係將與具有複數個元件之空間光調變器所生成之描繪資料對應之圖案光對物體進行曝光，其具備： 照明光學系統，係對該空間光調變器照射照明光； 第1移動體，係保持光致變色元件； 投影光學系統，係將以該空間光調變器生成之該圖案光投影至該光致變色元件；以及 測量部，其取得被投影該圖案光之像之該光致變色元件之測量結果； 該測量部，根據該測量結果，判定該空間光調變器是否有無法進行與該描繪資料對應之驅動的缺陷元件。
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