JP2003171525A - 電磁波感応材料、塗料および積層物品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 十分大きな複素屈折率の実数部ｎおよび／ま
たは虚数部ｋの変化を示す電磁波感応材料、それを用い
た塗料および積層物品を提供すること。 【解決手段】 電磁波に感応して４００ｎｍ〜１０００
ｎｍの波長域（波長域Ａ）の電磁波に対する複素屈折率
の実数部ｎおよび／または虚数部ｋが変化する電磁波感
応物質と、アミド構造含有樹脂とを少なくとも含有した
電磁波感応材料であって、該電磁波感応材料を１０ｎｍ
〜５０００ｎｍの範囲の任意の厚みの薄膜に成形した場
合において、ＫｒＦエキシマレーザー光を用いて５００
ｍＪ／ｃｍ²露光したとき、６００ｎｍの電磁波に対す
る該電磁波感応材料全体の前記ｎの変化が５×１０^-3以
上または前記ｋの変化が５×１０^-4以上であることを特
徴とする電磁波感応材料。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電磁波感応材料に関
するものである。特に、ＩＣまたはＬＳＩ等の半導体を
製造するための露光装置において使用される積層物品、
および該露光装置の組立時に使用される積層物品に好適
に使用される電磁波感応材料に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電磁波感応材料およびそれを用い
た半導体製造用の露光装置用の積層物品として多くの例
が知られている。例えば特開平２−５４０３号公報に
は、主として被照射面上の光量分布を測定するために用
いられるフォトクロミック材料を基材面上に塗布した積
層物品（ダミーウエハ）が記載されている。また例えば
特開平６−１５１２７７号公報には、誤差要因検出手段
として積層物品（フォトクロミックプレート）を装置内
に組み込んだ露光装置が記載されている。

【０００３】これらの露光装置用の積層物品はそれぞれ
に使用法が異なるが、これらに共通する使用法上の特徴
としては、ある波長域の電磁波（主として紫外光）を用
いて積層物品上に何らかの画像を形成し、前記波長域と
は異なる波長域の電磁波によりこの画像を検出すること
によって露光装置各部の各種状態（例えば各部の相対位
置、各部の絶対位置、光学系の焦点、照度分布等）の情
報を得ることである。またこのとき得られる情報に基づ
いて露光装置各部の各種状態を装置自体内で自動的にま
たは半自動的に補正することも行われている。これら半
導体製造用露光装置では露光用電磁波として主に水銀ラ
ンプのｉ線（３６５ｎｍ）やＫｒＦエキシマレーザー光
（２４８ｎｍ）が使用されている。

【０００４】従来の露光装置用の積層物品は、スピロピ
ラン系物質、スピロオキサジン系物質、クロメン系物
質、フルギド系物質およびジアリールエテン系物質など
のフォトクロミック物質と、アクリル樹脂、ポリスチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリエステル、エポキシ樹脂、シ
リコーン樹脂、ポリビニルブチラールおよびポリカーボ
ネートなどの樹脂からなる電磁波感応材料が使用されて
いる（特許第２６３２５８８号公報、特許第２６９０３
８１号公報、特許第２６９０３８３号公報など）。

【０００５】しかしながら従来の積層物品は、電磁波に
曝された際の複素屈折率の実数部ｎ（以下、単にｎと言
う。）および／または虚数部ｋ（以下単にｋと言う。）
の変化が十分大きくなく、結果として形成される画像が
低コントラストであるという問題があった。

【０００６】従来、電磁波感応材料のｎおよび／または
ｋの変化を改善するための方法は知られておらず、その
改善は困難であった。特に樹脂の種類がｎおよび／また
はｋの変化に及ぼす影響については明らかにはなってい
なかった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる課題を
解決し、十分大きなｎおよび／またはｋの変化を示す電
磁波感応材料、それを用いた塗料および積層物品を提供
することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに、本発明は下記の構成を有する。すなわち、〔１〕
電磁波に感応して４００ｎｍ〜１０００ｎｍの波長域
（波長域Ａ）の電磁波に対する複素屈折率の実数部ｎお
よび／または虚数部ｋが変化する電磁波感応物質と、ア
ミド構造含有樹脂とを少なくとも含有した電磁波感応材
料であって、該電磁波感応材料を１０ｎｍ〜５０００ｎ
ｍの範囲の任意の厚みの薄膜に成形した場合において、
ＫｒＦエキシマレーザー光を用いて５００ｍＪ／ｃｍ²
露光したとき、６００ｎｍの電磁波に対する該電磁波感
応材料全体の前記ｎの変化が５×１０^-3以上または前記
ｋの変化が５×１０^-4以上であることを特徴とする電磁
波感応材料、〔２〕前記アミド構造含有樹脂が、Ｎ−ビ
ニルラクタム系モノマー、アクリルアミド系モノマー、
メタクリルアミド系モノマーおよびＮ−ビニルカルボン
酸アミド系モノマーから選ばれた少なくとも１種のアミ
ド構造含有モノマーからなる重合体であることを特徴と
する前記〔１〕に記載の電磁波感応材料、〔３〕該電磁
波感応材料の前記ｎの変化および／または前記ｋの変化
が実質的に不可逆であることを特徴とする前記〔１〕に
記載の電磁波感応材料、〔４〕前記電磁波感応物質が、
電磁波によって化学構造が変化することにより、前記波
長域Ａの電磁波に対する前記ｎおよび／または前記ｋが
変化する物質であることを特徴とする前記〔３〕に記載
の電磁波感応材料、〔５〕前記電磁波感応物質が、電磁
波によってラジカルを発生する物質とラジカルによって
前記波長域Ａの電磁波に対する前記ｎおよび／または前
記ｋが変化する物質とを含有するものである前記〔３〕
に記載の電磁波感応材料、〔６〕前記電磁波感応物質
が、電磁波によって酸を発生する物質と酸によって前記
波長域Ａの電磁波に対する前記ｎおよび／または前記ｋ
が変化する物質とを含有するものである前記〔３〕に記
載の電磁波感応材料、〔７〕前記電磁波感応物質が、電
磁波によって塩基を発生する物質と塩基によって前記波
長域Ａの電磁波に対する前記ｎおよび／または前記ｋが
変化する物質とを含有するものである前記〔３〕に記載
の電磁波感応材料、〔８〕前記〔１〕〜〔７〕のいずれ
かに記載の電磁波感応材料を含む塗料、

〔９〕基材上に
前記〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の電磁波感応材料
を含んだ層を有する積層物品、〔１０〕基材がシリコン
ウエハである前記

〔９〕に記載の積層物品、である。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明において、波長域Ａとは４
００ｎｍ〜１０００ｎｍの波長域を表すものとする。

【００１０】本発明の電磁波感応材料は、電磁波に感応
して波長域Ａの電磁波に対する複素屈折率の実数部ｎお
よび／または虚数部ｋが変化する電磁波感応物質と、ア
ミド構造含有樹脂とを少なくとも含有した電磁波感応材
料であって、該電磁波感応材料を１０ｎｍ〜５０００ｎ
ｍの範囲の任意の厚みの薄膜に成形した場合において、
ＫｒＦエキシマレーザー光を用いて５００ｍＪ／ｃｍ²
露光したとき、６００ｎｍの電磁波に対する該電磁波感
応材料全体の前記ｎの変化が５×１０^-3以上または前記
ｋの変化が５×１０^-4以上であることを特徴とする。

【００１１】ここで、複素屈折率は次式（１）で表現さ
れる。

【００１２】 複素屈折率＝ｎ−ｉｋ （ここでｉは虚数単位） （１） このｎおよびｋの変化は例えば分光エリプソメトリー法
によって測定することが可能である。

【００１３】本発明の電磁波感応材料は、電磁波によっ
て感応され、波長域Ａの複素屈折率の実数部ｎ（以下単
にｎと言う。）および／または虚数部ｋ（以下単にｋと
言う。）が変化する。感応に用いる電磁波の波長域とし
ては、波長域Ａよりも短波長域であることが好ましく、
ｎおよび／またはｋの変化を効果的に引き起こすことが
できるという観点から１４０ｎｍ〜４００ｎｍの波長域
を用いることが好ましい。そのような電磁波の光源とし
て好ましい物は、水銀ランプのｉ線（３６５ｎｍ）、Ｋ
ｒＦエキシマレーザー光（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシ
マレーザー光（１９３ｎｍ）、Ｆ₂エキシマレーザー光
（１５７ｎｍ）などがある。

【００１４】本発明の電磁波感応材料は、前記電磁波の
照射により波長域Ａの電磁波に対するｎおよび／または
ｋが変化するため、該波長域Ａにスペクトルを有する光
源を用いて感応部を検知することが可能である。検知に
用いる波長として、より好ましくは、５００ｎｍ〜７０
０ｎｍである。かかる電磁波の光源として好ましくは、
太陽光、蛍光灯、Ｘｅランプ、タングステンランプ、ハ
ロゲンランプ、Ｈｅ−Ｎｅレーザーおよび半導体レーザ
ーを挙げることができる。好適な波長の電磁波を得るた
めに光源とフィルターを組み合わせて使用することも好
ましく行われる。

【００１５】本発明の電磁波感応材料においては、アミ
ド構造含有樹脂を含有する。アミド構造含有樹脂とは、
樹脂の化学構造の一部に下記式（Ａ）または（Ｂ）で示
される原子団 で表されるアミド構造を含有する樹脂を言う。なお、該
アミド構造は、該樹脂を構成するポリマー分子鎖中、主
鎖にあっても良く、また、側鎖にあっても良いかかるの
樹脂を含有することで、電磁波感応材料の波長域Ａにお
けるｎおよび／またはｋの変化が改善される。かかるア
ミド構造含有樹脂の好ましい例としては、Ｎ−ビニルラ
クタム系モノマー、アクリルアミド系モノマー、メタク
リルアミド系モノマー、Ｎ−ビニルカルボン酸アミド系
モノマー、４−ビニル安息香酸アミド系モノマー、イタ
コン酸アミド系モノマー、クロトン酸アミド系モノマ
ー、マレイミド系モノマー、Ｎ−ビニルフタルイミド系
モノマー、４−アミノスチレンカルボン酸アミド系モノ
マーおよび桂皮酸アミド系モノマーなどの少なくとも１
種のアミド構造含有モノマーからなる重合体、ナイロン
などの各種ポリアミド樹脂、各種ポリイミド樹脂などを
挙げることができる。これらの中でもＮ−ビニルラクタ
ム系モノマー、アクリルアミド系モノマー、メタクリル
アミド系モノマーおよびＮ−ビニルカルボン酸アミド系
モノマーから選ばれた少なくとも１種のアミド構造含有
モノマーからなる重合体が特に好ましい。これらのモノ
マーの具体的な例としては、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ
−ビニルバレロラクタム、Ｎ−ビニルカプロラクタムな
どのＮ−ビニルラクタム系モノマー、アクリルアミド、
Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−エチルアクリルアミ
ド、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、
Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−プロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
イソプロピルアクリルアミド、 Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ブチ
ルアクリルアミド、Ｎ−アクリロイルモルホリン、Ｎ−
アクリロイルピペリジン、Ｎ−アクリロイルピロリジ
ン、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メトキシメチ
ルアクリルアミド、Ｎ−エトキシメチルアクリルアミ
ド、Ｎ−プロポキシメチルアクリルアミド、Ｎ−イソプ
ロポキシメチルアクリルアミド、Ｎ−ブトキシメチルア
クリルアミド、Ｎ−（２−メトキシエチル）アクリルア
ミド、Ｎ−（２−エトキシエチル）アクリルアミド、Ｎ
−（２−プロポキシエチル）アクリルアミド、Ｎ−（２
−イソプロポキシエチル）アクリルアミド、Ｎ−（２−
ブトキシエチル）アクリルアミドなどのアクリルアミド
系モノマー、 メタクリルアミド、Ｎ−メチルメタクリ
ルアミド、Ｎ−エチルメタクリルアミド、Ｎ−イソプロ
ピルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルメタクリルア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
−ｎ−プロピルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジイソプロ
ピルメタクリルアミド、 Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ブチルメタ
クリルアミド、Ｎ−アクリロイルモルホリン、Ｎ−アク
リロイルピペリジン、Ｎ−アクリロイルピロリジン、Ｎ
−メチロールメタクリルアミド、Ｎ−メトキシメチルメ
タクリルアミド、Ｎ−エトキシメチルメタクリルアミ
ド、Ｎ−プロポキシメチルメタクリルアミド、Ｎ−イソ
プロポキシメチルメタクリルアミド、Ｎ−ブトキシメチ
ルメタクリルアミド、Ｎ−（２−メトキシエチル）メタ
クリルアミド、Ｎ−（２−エトキシエチル）メタクリル
アミド、Ｎ−（２−プロポキシエチル）メタクリルアミ
ド、Ｎ−（２−イソプロポキシエチル）メタクリルアミ
ド、Ｎ−（２−ブトキシエチル）メタクリルアミドなど
のメタクリルアミド系モノマー、Ｎ−ビニルホルムアミ
ド、Ｎ−ビニルアセトアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−ビニル
アセトアミド、Ｎ−エチル−Ｎ−ビニルアセトアミド、
Ｎ−メチル−Ｎ−ビニルホルムアミド、Ｎ−エチル−Ｎ
−ビニルホルムアミドなどのＮ−ビニルカルボン酸アミ
ド系モノマーを挙げることができる。

【００１６】本発明において、アミド構造含有樹脂が、
少なくとも１種のアミド構造含有モノマーからなる重合
体である場合は、該重合体は１種類のアミド構造含有モ
ノマーから得られるものであっても、複数種類のアミド
構造含有モノマーから得られるものであってもよい。ま
た、少なくとも１種のアミド構造含有モノマーと１種類
以上のそれ以外のモノマーから得られるものであっても
よい。それ以外のモノマーとはメタクリル酸エステル系
モノマー、アクリル酸エステル系モノマー、スチレン系
モノマー、マレイン酸系モノマー、マレイミド系モノマ
ー、カルボン酸ビニルエステル系モノマー、オレフィン
系モノマーなどである。

【００１７】本発明において、アミド構造含有樹脂が、
少なくとも１種のアミド構造含有モノマーと１種類以上
のそれ以外のモノマーから得られるものである場合は、
アミド構造含有樹脂中のアミド構造含有モノマー単位の
比率は、２０重量％以上が好ましく、３０重量％がより
好ましく、５０重量％以上が最も好ましい。アミド構造
含有モノマー単位の比率が少なすぎると、形成される画
像のコントラストが低下する傾向があり好ましくない。

【００１８】また、本発明において、アミド構造含有樹
脂以外の樹脂を併用することも好ましく行われる。アミ
ド構造含有樹脂以外の樹脂を併用することにより、本発
明の電磁波感応材料の吸水率を下げることができ、吸水
に伴う体積変化などを低減することができる。アミド構
造含有樹脂以外の樹脂としては、ポリメタクリル酸エス
テル、ポリアクリル酸エステル、ポリスチレン、ポリカ
ルボン酸ビニル、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリ
アセタール、ポリカーボネート、ポリアセタール、ポリ
フェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィド、ポリ
スルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケト
ン、ポリエーテルエーテルケトンなどの各種樹脂が使用
できる。これらの中でもアミド構造含有樹脂との相溶性
に優れるポリスルホンおよびポリエーテルスルホンは特
に好ましい。

【００１９】アミド構造含有樹脂以外の樹脂を併用する
場合、アミド構造含有樹脂とアミド構造含有樹脂以外の
樹脂の比率は重量比で３／７以上が好ましく、５／５以
上が最も好ましい。

【００２０】本発明の電磁波感応材料は、該電磁波感応
材料を１０ｎｍ〜５０００ｎｍの範囲の任意の厚みの薄
膜に成形した場合に、ＫｒＦエキシマレーザー光を用い
て、５００ｍＪ／ｃｍ²露光したときの６００ｎｍの電
磁波に対してのｎの変化が５×１０^-3以上またはｋの変
化が５×１０^-4以上であることを特徴とするが、ｎの変
化が０．０１以上またはｋの変化が１×１０^-3以上であ
ることがより好ましく、ｎの変化が０．０２以上または
ｋの変化が５×１０^-3以上であることが最も好ましい。

【００２１】本発明の電磁波感応材料は電磁波によって
速やかに波長域Ａのｎおよび／またはｋの変化を起こす
ことが好ましい。ｎおよび／またはｋの変化は露光後３
分以内に観察可能になることが好ましく、１分以内がよ
り好ましく、１０秒以内がさらに好ましく、１秒以内が
最も好ましい。

【００２２】本発明の電磁波感応材料は、電磁波に感応
してｎおよび／またはｋが変化するが、その変化が実質
的に不可逆であるものが好適に使用される。

【００２３】そのような例としては、該電磁波感応材料
における電磁波感応物質が「電磁波によって、化学構造
が変化することにより、波長域Ａの電磁波に対するｎお
よび／またはｋが変化する物質」である場合、「電磁波
によってラジカルを発生する物質とラジカルによって波
長域Ａの電磁波に対するｎおよび／またはｋが変化する
物質とを含有するもの」である場合、「電磁波によって
酸を発生する物質と酸によって波長域Ａの電磁波に対す
るｎおよび／またはｋが変化する物質とを含有するも
の」である場合、および「電磁波によって塩基を発生す
る物質と塩基によって波長域Ａの電磁波に対するｎおよ
び／またはｋが変化する物質とを含有するもの」である
場合を挙げることができる。これらの電磁波感応物質は
アミド構造含有樹脂との組合せにおいて、特に高い画像
コントラストを与えるので、好ましい。

【００２４】以下に、より具体的に例を挙げて説明す
る。

【００２５】まず、電磁波感応物質が「電磁波によっ
て、化学構造が変化することにより、波長域Ａの電磁波
に対してｎおよび／またはｋが変化する物質」である場
合の例としては、各種の色素を挙げることができる。例
を挙げれば、ニトロ系色素、ニトロソ系色素、アゾ系色
素、スチルベン系色素、ジフェニルメタン系色素、トリ
フェニルメタン系色素、キサンテン系色素、アクリジン
系色素などのカルボニウム系色素、キノリン系色素、ポ
リメチン系色素、アゾメチン系色素などのメチン系色
素、チアゾール系色素、アジン系色素、オキサジン系色
素、チアジン系色素などのキノンイミン系色素、ラクト
ン系色素、アミノケトン系色素、ヒドロキシケトン系色
素、アントラキノン系色素、インジゴ系色素、チオイン
ジゴ系色素などのインジゴイド色素、フタロシアニン系
色素などである。かかる色素は電磁波によって構造が不
可逆的に変化しｎおよび／またはｋが変化する。

【００２６】次に電磁波感応物質が「電磁波によってラ
ジカルを発生する物質とラジカルによって波長域Ａの電
磁波に対するｎおよび／またはｋが変化する物質とを含
有するもの」である場合、について説明する。

【００２７】「電磁波によってラジカルを発生する物
質」の例としては、アセトフェノン構造を有する化合
物、ベンゾフェノン構造を有する化合物、メタロセン構
造を有する化合物、チオキサントン構造を有する化合
物、アントラキノン構造を有する化合物、アシルホスフ
ィンオキシド構造を有する化合物、パーオキシド化合
物、アゾ化合物などを挙げることができる。これらの具
体的な例としては、チバスペシャルティーケミカルズ社
の商品名でいうとＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４、ＤＡＲＯＣ
ＵＲ１１７３、ＩＲＧＡＣＵＲＥ２９５９、ＩＲＧＡＣ
ＵＲＥ１０００、ＩＲＧＡＣＵＲＥ５００、ＩＲＧＡＣ
ＵＲＥ１４９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ９０７、ＩＲＧＡＣＵ
ＲＥ３６９、ＣＧＩ１３００、ＩＲＧＡＣＵＲＥ６５
１、ＩＲＧＡＣＵＲＥ８１９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ１７０
０、ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８００、ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８
５０、ＤＡＲＯＣＵＲ４２６５、ＩＲＧＡＣＵＲＥ７８
４およびＩＲＧＡＣＵＲＥ２６１などであり、日本化薬
社の商品名でいうとＫＡＹＡＣＵＲＥＤＥＴＸ−Ｓ、Ｋ
ＡＹＡＣＵＲＥ ＣＴＸ、ＫＡＹＡＣＵＲＥ ＢＰ−１０
０、ＫＡＹＡＣＵＲＥ ＢＭＳ、ＫＡＹＡＣＵＲＥ ２−
ＥＡＱなどであり、その他ベンゾイルパーオキシドに代
表される有機パーオキシド化合物および２，２'−アゾ
ビス（イソブチロニトリル）に代表されるアゾ化合物も
好適である。

【００２８】また「ラジカルによって波長域Ａの電磁波
に対するｎおよび／またはｋが変化する物質」の例とし
ては、トリアリールメタン構造およびジアリールメタン
構造から選ばれた部分構造を含む化合物が好ましく、具
体例としてはトリス（４−ジメチルアミノフェニル）メ
タン、トリス（４−ジエチルアミノフェニル）メタン、
トリス（４−ジブチルアミノフェニル）メタン、トリス
（４−アミノフェニル）メタン、トリス（４−メトキシ
フェニル）メタン、トリス（４−エトキシフェニル）メ
タン、トリス（４−ブトキシフェニル）メタン、フェニ
ルビス（４−ジメチルアミノフェニル）メタン、４−ニ
トロフェニルビス（４−ジメチルアミノフェニル）メタ
ン、フェニルビス（４−メトキシフェニル）メタン、フ
ェニルビス（４−エトキシフェニル）メタン、フェニル
ビス（４−ブトキシフェニル）メタン、４−アミノ−
２，５−ジメチルフェニルビス（４−ジメチルアミノフ
ェニル）メタン、ビス（４−ジメチルアミノフェニル）
メタン、ビス（４−ジエチルアミノフェニル）メタン、
ビス（４−ジブチルアミノフェニル）メタン、ビス（４
−アミノフェニル）メタンなどを挙げることができる。

【００２９】「電磁波によってラジカルを発生する物
質」と「ラジカルによって波長域Ａの電磁波に対するｎ
および／またはｋが変化する物質」の含有比は、前者１
モルに対して後者０．０１〜１００モルが好ましく、
０．１〜１０モルがより好ましい。含有比がこの範囲を
外れるとｎおよび／またはｋの変化が小さく検出が困難
になる傾向がある。

【００３０】次に電磁波感応物質が「電磁波によって酸
を発生する物質と酸によって波長域Ａの電磁波に対する
ｎおよび／またはｋが変化する物質とを含有するもの」
である場合について説明する。

【００３１】「電磁波によって酸を発生する物質」の例
としては、例えば、オニウム塩、ハロゲン化有機化合
物、キノンジアジド化合物、α，α'−ビス（スルホニ
ル）ジアゾメタン系化合物、α−カルボニル−α'−ス
ルホニルジアゾメタン系化合物、スルホン化合物、有機
酸エステル化合物、有機酸アミド化合物、有機酸イミド
化合物などを挙げることができる。オニウム塩として
は、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ジフェニルヨー
ドニウムトリフレートなどのヨードニウム塩、トリフェ
ニルスルホニウムトリフレートなどのスルホニウム塩、
ホスホニウム塩、アルソニウム塩、オキソニウム塩など
が挙げられる。より具体的には、トリフェニルスルホニ
ウムクロライド、トリフェニルスルホニウムメタンスル
ホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタ
ンスルホネ−ト、トリフェニルスルホニウムパラトルエ
ンスルホネート、トリ（ｔ−ブチルフェニル）スルホニ
ウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルス
ルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスル
ホニウムヘキサフルオロアルセネート、トリフェニルス
ルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨ
ードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニ
ルヨ−ドニウムパラトルエンスルホネート、ジフェニル
ヨ−ドニウムテトラフルオロボレ−ト、ジフェニルヨ−
ドニウムヘキサフルオロアルセネ−ト、ジフェニルヨ−
ドニウムヘキサフルオロホスフェート、ジ（ｔ−ブチル
フェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、ジ（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフル
オロホスフェート、ベンゼンジアゾニウムパラトルエン
スルホネート、４−（ジ−ｎ−プロピルアミノ）−ベン
ゾニウムテトラフルオロボレート、４−ｐ−トリル−メ
ルカプト−２，５−ジエトキシ−ベンゼンジアゾニウム
ヘキサフルオロホスフェート、４−ｐ−トリル−メルカ
プト−２，５−ジエトキシ−ベンゼンジアゾニウムテト
ラフルオロボレート、ジフェニルアミン−４−ジアゾニ
ウムサルフェートなどを挙げることができる。ハロゲン
化有機化合物としては、ハロゲン含有オキサジアゾール
系化合物、ハロゲン含有トリアジン系化合物、ハロゲン
含有アセトフェノン系化合物、ハロゲン含有ベンゾフェ
ノン系化合物、ハロゲン含有スルホキサイド系化合物、
ハロゲン含有スルホン系化合物、ハロゲン含有チアゾー
ル系化合物、ハロゲン含有オキサゾール系化合物、ハロ
ゲン含有トリアゾール化合物、ハロゲン含有２−ピロン
系化合物、その他ハロゲン含有へテロ環状化合物、ハロ
ゲン含有脂肪族炭化水素化合物、ハロゲン含有芳香族炭
化水素化合物、スルフェニルハライド化合物などが挙げ
られる。より具体的には、トリス（２，３−ジブロモプ
ロピル）ホスフェート、トリス（２，３−ジブロモ−３
−クロロプロピル）ホスフェート、テトラブロモクロロ
ブタン、へキサクロロベンゼン、へキサブロモベンゼ
ン、へキサブロモシクロドデカン、へキサブロモシクロ
ドデセン、へキサブロモビフェニル、アリルトリブロモ
フェニルエーテル、テトラクロロビスフェノールＡ、テ
トラブロモビスフェノールＡ、テトラクロロビスフェノ
ールＡのビス（クロロエチル）エーテル、テトラブロモ
ビスフェノールＡのビス（ブロモエチル）エーテル、ビ
スフェノールＡのビス（２，３−ジクロロプロピル）エ
ーテル、ビスフェノールＡのビス（２，３−ジブロモプ
ロピル）エーテル、テトラクロロビスフェノールＡのビ
ス（２，３−ジクロロプロピル）エーテル、テトラブロ
モビスフェノールＡのビス（２，３−ジブロモプロピ
ル）エーテル、テトラクロロビスフェノールＳ、テトラ
ブロモビスフェノールＳ、テトラクロロビスフェノール
Ｓのビス（クロロエチル）エーテル、テトラブロモビス
フェノールＳのビス（ブロモエチル）エーテル、ビスフ
ェノールＳのビス（２，３−ジクロロプロピル）エーテ
ル、ビスフェノールＳのビス（２，３−ジブロモプロピ
ル）エーテル、トリス（２，３−ジブロモプロピル）イ
ソシアヌレート、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，
５−ジブロモフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−
（２−ヒドロキシエトキシ）−３，５−ジブロモフェニ
ル）プロパンなどのハロゲン系難然剤やジクロロジフェ
ニルトリクロロエタン、ペンタクロロフェノール、２，
４，６−トリクロロフェニル ４−ニトロフェニルエー
テル、２，４−ジクロロフェニル−３'−メトキシ−４'
−ニトロフェニルエーテル、２，４−ジクロロフェノキ
シ酢酸、４，５，６，７−テトラクロロフタリド、１，
１−ビス（４−クロロフェニル）エタノール、１，１−
ビス（４−クロロフェニル）−２，２，２−トリクロロ
エタノール、２，４，４'，５−テトラクロロジフェニ
ルスルフィド、２，４，４'，５−テトラクロロジフェ
ニルスルホンなどの有機クロロ系農薬などが例示され
る。キノンジアジド化合物の具体例としては、１，２−
ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，
２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステ
ル、２，１−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エ
ステル、２，１−ベンゾキノンジアジド−５−スルホン
酸エステルのようなキノンジアジド誘導体のスルホン酸
エステルや１，２−ベンゾキノン−２−ジアジド−４−
スルホン酸クロリド、１，２−ナフトキノン−２−ジア
ジド−４−スルホン酸クロリド、１，２−ナフトキノン
−２−ジアジド−５−スルホン酸クロリド、１，２−ナ
フトキノン−１−ジアジド−６−スルホン酸クロリド、
１，２ベンゾキノン−１−ジアジド−５−スルホン酸ク
ロリド等のキノンジアジド誘導体のスルホン酸クロリ
ド、１，２−ベンゾキノン−２−ジアジド−４−スルホ
ン酸ブロミド、１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−
４−スルホン酸ブロミド、１，２−ナフトキノン−２−
ジアジド−５−スルホン酸ブロミド、１，２−ナフトキ
ノン−１−ジアジド−６−スルホン酸ブロミド、１，２
ベンゾキノン−１−ジアジド−５−スルホン酸ブロミド
等のキノンジアジド誘導体のスルホン酸ブロミド、１，
２−ベンゾキノン−２−ジアジド−４−スルホン酸、
１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホン
酸、１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−スルホ
ン酸、１，２−ナフトキノン−１−ジアジド−６−スル
ホン酸、１，２ベンゾキノン−１−ジアジド−５−スル
ホン酸等のキノンジアジド誘導体のスルホン酸、１，２
−ベンゾキノン−２−ジアジド−４−スルホン酸ナトリ
ウム塩、１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−４−ス
ルホン酸ナトリウム塩、１，２−ナフトキノン−２−ジ
アジド−５−スルホン酸ナトリウム塩、１，２−ナフト
キノン−１−ジアジド−６−スルホン酸ナトリウム塩、
１，２ベンゾキノン−１−ジアジド−５−スルホン酸ナ
トリウム塩、１，２−ベンゾキノン−２−ジアジド−４
−スルホン酸カリウム塩、１，２−ナフトキノン−２−
ジアジド−４−スルホン酸カリウム塩、１，２−ナフト
キノン−２−ジアジド−５−スルホン酸カリウム塩、
１，２−ナフトキノン−１−ジアジド−６−スルホン酸
カリウム塩、１，２ベンゾキノン−１−ジアジド−５−
スルホン酸カリウム塩等のキノンジアジド誘導体のスル
ホン酸塩、などが挙げられる。α，α'−ビス（スルホ
ニル）ジアゾメタン系化合物としては、未置換、対称的
にまたは非対称的に置換されたアルキル基、アルケニル
基、アラルキル基、芳香族基、またはへテロ環状基を有
するα，α'−ビス（スルホニル）ジアゾメタンなどが
挙げられる。α−カルボニル−α−スルホニルジアゾメ
タン系化合物の具体例としては、未置換、対称的にまた
は非対称的に置換されたアルキル基、アルケニル基、ア
ラルキル基、芳香族基、またはへテロ環状基を有するα
−カルボニル−α−スルホニルジアゾメタンなどが挙げ
られる。スルホン化合物の具体例としては、未置換、対
称的にまたは非対称的に置換されたアルキル基、アルケ
ニル基、アラルキル基、芳香族基、またはへテロ環状基
を有するスルホン化合物、ジスルホン化合物などが挙げ
られる。有機酸エステルとしては、カルボン酸エステ
ル、スルホン酸エステル、リン酸エステルなどが挙げら
れ、有機酸アミドとしては、カルボン酸アミド、スルホ
ン酸アミド、リン酸アミドなどが挙げられ、有機酸イミ
ドとしては、カルボン酸イミド、スルホン酸イミド、リ
ン酸イミドなどが挙げられる。

【００３２】また「酸によって波長域Ａの電磁波に対す
るｎおよび／またはｋが変化する物質」の例としては、
ジアリールメタン系、チアジン系、スピロ系、ラクタム
系、フルオラン系などの色素前駆体（ロイコ体）が好ま
しく使用できる。特にフタリド構造、アザフタリドおよ
び式（ｅ１）

【００３３】

【化１】

【００３４】［式（ｅ１）中、点線は任意の元素への結
合を表す。］で表される構造から選ばれた部分構造を含
む化合物が好ましい。具体例を挙げると、３−ピロリジ
ノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、３−ジエチ
ルアミノ−７−（ｍ−トリフルオロメチルアニリノ）フ
ルオラン、３−（Ｎ−イソアミル−Ｎ−エチルアミノ）
−７−（ｏ−クロロアニリノ）フルオラン、３−（Ｎ−
エチル−ｐ−トルイジノ）−６−メチル−７−アニリノ
フルオラン、３−（Ｎ−エチル−Ｎ−２−テトラヒドロ
フルフリルアミノ）−６−メチル−７−アニリノフルオ
ラン、３−ジエチルアミノ−６−クロロ−７−アニリノ
フルオラン、３−ジ−ｎ−ブチルアミノ−６−メチル−
７−アニリノフルオラン、３−ジ−ｎ−アミルアミノ−
６−メチル−７−アニリノフルオラン、３−（Ｎ−イソ
アミル−Ｎ−エチルアミノ）−６−メチル−７−アニリ
ノフルオラン、３−（Ｎ−ｎ−ヘキシル−Ｎ−エチルア
ミノ）−６−メチル−７−アニリノフルオラン、３−
〔Ｎ−（３−エトキシプロピル）−Ｎ−エチルアミノ）
−６−メチル−７−アニリノフルオラン、３−〔Ｎ−
（３−エトキシプロピル）−Ｎ−メチルアミノ）−６−
メチル−７−アニリノフルオラン、３−ジエチルアミノ
−７−（２−クロロアニリノ）フルオラン、３−ジ−ｎ
−ブチルアミノ−７−（２−クロロアニリノ）フルオラ
ン、３−ジエチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフ
ルオラン、３−ジブチルアミノ−６−メチル−７−アニ
リノフルオラン、３−ジエチルアミノ−６−メチル−７
−（３−メチルアニリノ）フルオラン、３−ジエチルア
ミノ−６−メチル−７−（２，６−ジメチルアニリノ）
フルオラン、３−ジエチルアミノ−６−メチル−７−
（２，４−ジメチルアニリノ）フルオラン、２，４−ジ
メチル−６−（４−ジメチルアミノアニリノ）フルオラ
ン、および３−（Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ−メチルアミ
ノ）−６−メチル−７−アニリノフルオラン、３，６−
ビス（ジエチルアミノ）フルオラン−γ−アニリノラク
タム、３，６−ビス（ジエチルアミノ）フルオラン−γ
−（ｐ−ニトロ）アニリノラクタム、３，６−ビス（ジ
エチルアミノ）フルオラン−γ−（ｏ−クロロ）アニリ
ノラクタム、３−ジメチルアミノ−７−ブロモフルオラ
ン、３−ジエチルアミノフルオラン、３−ジエチルアミ
ノ−６−メチルフルオラン、３−ジエチルアミノ−７−
メチルフルオラン、３−ジエチルアミノ−７−クロロフ
ルオラン、３−ジエチルアミノ−７−ブロモフルオラ
ン、３−ジエチルアミノ−７，８−ベンゾフルオラン、
３−ジエチルアミノ−６，８−ジメチルフルオラン、３
−ジエチルアミノ−６−メチル−７−クロロフルオラ
ン、３−ジエチルアミノ−７−ｔｅｒｔ−ブチルフルオ
ラン、３−（Ｎ−エチル−Ｎ−トリルアミノ）−７−メ
チルフルオラン、３−（Ｎ−エチル−Ｎ−トリルアミ
ノ）−７−エチルフルオラン、３−（Ｎ−エチル−Ｎ−
イソブチルアミノ）−６−メチル−７−クロロフルオラ
ン、および３−（Ｎ−エチル−Ｎ−イソアミルアミノ）
−７，８−ベンゾフルオラン、３−シクロヘキシルアミ
ノ−６−クロロフルオラン、３−ジ−ｎ−ブチルアミノ
−６−メチル−７−ブロモフルオラン、３−ジ−ｎ−ブ
チルアミノ−７，８−ベンゾフルオラン、３−トリルア
ミノ−７−メチルフルオラン、３−トリルアミノ−７−
エチルフルオラン、２−（Ｎ−アセチルアニリノ）−３
−メチル−６−ジ−ｎ−ブチルアミノフルオラン、２−
（Ｎ−プロピオニルアニリノ）−３−メチル−６−ジ−
ｎ−ブチルアミノフルオラン、２−（Ｎ−ベンゾイルア
ニリノ）−３−メチル−６−ジ−ｎ−ブチルアミノフル
オラン、２−（Ｎ−カルボブトキシアニリノ）−３−メ
チル−６−ジ−ｎ−ブチルアミノフルオラン、２−（Ｎ
−ホルミルアニリノ）−３−メチル−６−ジ−ｎ−ブチ
ルアミノフルオラン、２−（Ｎ−ベンジルアニリノ）−
３−メチル−６−ジ−ｎ−ブチルアミノフルオラン、２
−（Ｎ−アリルアニリノ）−３−メチル−６−ジ−ｎ−
ブチルアミノフルオラン、および２−（Ｎ−メチルアニ
リノ）−３−メチル−６−ジ−ｎ−ブチルアミノフルオ
ラン、３，３−ビス（１−ｎ−ブチル−２−メチルイン
ドール−３−イル）フタリド、３，３−ビス（１−エチ
ル−２−メチルインドール−３−イル）フタリド、３，
３−ビス（１−ｎ−オクチル−２−メチルインドール−
３−イル）フタリド、７−（Ｎ−エチル−Ｎ−イソアミ
ルアミノ）−３−メチル−１−フェニルスピロ〔（１，
４−ジヒドロクロメノ〔２，３−ｃ〕ピラゾール）−
４，３'−フタリド〕、７−（Ｎ−エチル−Ｎ−イソア
ミルアミノ）−３−メチル−１−ｐ−メチルフェニルス
ピロ〔（１，４−ジヒドロクロメノ〔２，３−ｃ〕ピラ
ゾール）−４，３'−フタリド〕、７−（Ｎ−エチル−
Ｎ−ｎ−ヘキシルアミノ）−３−メチル−１−フェニル
スピロ〔（１，４−ジヒドロクロメノ〔２，３−ｃ〕ピ
ラゾール）−４，３'−フタリド〕、３，３−ビス（ｐ
−ジメチルアミノフェニル）−６−ジメチルアミノフタ
リド、３−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニ
ル）−３−（４−ジメチルアミノフェニル）−６−ジメ
チルアミノフタリド、３−（１−エチル−２−メチルイ
ンドール−３−イル）−３−（４−ジエチルアミノフェ
ニル）フタリド、３−（１−エチル−２−メチルインド
ール−３−イル）−３−（２−メチル−４−ジエチルア
ミノフェニル）−４−アザフタリド、３−（１−エチル
−２−メチルインドール−３−イル）−３−（２−エト
キシ−４−ジエチルアミノフェニル）−４−アザフタリ
ド、３−（１−エチル−２−メチルインドール−３−イ
ル）−３−（２−ｎ−ヘキシルオキシ−４−ジエチルア
ミノフェニル）−４−アザフタリド、および３−ジフェ
ニルアミノ−６−ジフェニルアミノフルオラン、３−
（Ｎ−エチル−Ｎ−ｎ−ヘキシルアミノ）−７−アニリ
ノフルオラン、３−ジエチルアミノ−７−ジベンジルア
ミノフルオラン、３，３−ビス（４−ジエチルアミノ−
２−エトキシフェニル）−４−アザフタリド、３−（Ｎ
−エチル−Ｎ−ｐ−トリルアミノ）−７−（Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−メチルアミノ）フルオラン、３−〔ｐ−（ｐ−
アニリノアニリノ）アニリノ〕−６−メチル−７−クロ
ロフルオラン、および３，６−ビス（ジメチルアミノ）
フルオレン−９−スピロ−３'−（６'−ジメチルアミ
ノ）フタリド、３，６−ジメトキシフルオラン、１−
（４−ｎ−ドデシルオキシ−３−メトキシフェニル）−
２−（２−キノリル）エチレン、３−［２，２−ビス
（１−エチル−２−メチルインドール−３−イル）ビニ
ル］−３−（４−ジエチルアミノフェニル）フタリド、
３，６，６'−トリス（ジメチルアミノ）スピロ［フル
オレン−９，３'−フタリド］、１，３，３−トリメチ
ルインドリン−２，２'−スピロ−６'−ニトロベンゾピ
ラン、１，３，３−トリメチルインドリン−２，２'−
スピロ−６'−ニトロ−８'−メトキシベンゾピラン、
１，３，３−トリメチルインドリン−２，２'−スピロ
−６'−クロロベンゾピラン、１，３，３−トリメチル
インドリン−２，２'−スピロ−６'−ブロモベンゾピラ
ン、ブロモクレゾールグリーン、ブロモクレゾールパー
プル、ブロモクロロフェノールブルー、ブロモフェノー
ルレッド、ブロモフェノールブルー、ブロモチモールブ
ルー、ピロカテコールバイオレット、ピロガロールレッ
ドなどであるが、これらに限定されるものではない。上
記の色素前駆体は単独で使用してもかまわないが、複数
種類を併用してもかまわない。

【００３５】「電磁波によって酸を発生する物質」と
「酸によって波長域Ａの電磁波に対するｎおよび／また
はｋが変化する物質」の含有比は、前者１モルに対して
後者０．０１〜１００モルが好ましく、０．１〜１０モ
ルがより好ましい。含有比がこの範囲を外れるとｎおよ
び／またはｋの変化が小さく検出が困難になる傾向があ
る。

【００３６】次に電磁波感応物質が「電磁波によって塩
基を発生する物質と塩基によって波長域Ａの電磁波に対
するｎおよび／またはｋが変化する物質とを含有するも
の」である場合について説明する。

【００３７】まず「電磁波によって塩基を発生する物
質」としては、例えば、（２−ニトロベンジル）オキシ
カルボニルシクロヘキシルアミン、（２、６−ジニトロ
ベンジル）オキシカルボニルシクロヘキシルアミン、
Ｎ，Ｎ'−ビス〔（２−ニトロベンジル）オキシカルボ
ニル〕１，６−ヘキサンジアミン、Ｎ，Ｎ'−ビス
〔（２，６−ジニトロベンジル）オキシカルボニル〕
１，６−ヘキサンジアミン等のニトロベンジルカルバメ
ート化合物類（ J. Am. Chem. Soc., Vol.113, No.11,
4303(1991)参照) 、Ｎ−〔〔１−（３，５−ジメトキシ
フェニル）−１−メチル−エトキシ〕カルボニル〕シク
ロヘキシルアミン、Ｎ−〔〔１−（３，５−ジメトキシ
フェニル）−１−メチル−エトキシ〕カルボニル〕ピリ
ジン等の光官能性ウレタン化合物類（J. Org. Chem., V
ol.55, No.23, 5919(1990)参照) フェニルグリオキシル
酸のアンモニウム塩、ｏ−ニトロベンゾイルカルバメイ
ト、コバルト(III）アルキルアミン錯体、水酸化亜鉛＋
ピコリン酸グアニジンおよびN-シクロヘキシルパラトル
エンスルホニルアミドなどのトシルアミド類などが挙げ
られる。

【００３８】次に「塩基によって波長域Ａの電磁波に対
するｎおよび／またはｋが変化する物質」としては、各
種色素、イソシアネート化合物、エポキシ化合物などを
挙げることができる。

【００３９】「電磁波によって塩基を発生する物質」と
「塩基によって波長域Ａの電磁波に対するｎおよび／ま
たはｋが変化する物質」の混合比は、前者１モルに対し
て後者０．０１〜１００モルが好ましく、０．１〜１０
モルがより好ましい。混合比がこの範囲を外れるとｎお
よび／またはｋの変化が小さく検出が困難になる傾向が
ある。

【００４０】本発明の電磁波感応材料は、電磁波に感応
してｎおよび／またはｋが変化するが、その変化が可逆
であり複数回繰り返して使用できるものであってもよ
い。本発明の電磁波感応材料がフォトクロミック物質を
含有する場合にはそのような効果が得られる。フォトク
ロミック物質については公知の物質が非常に多く存在す
る。公知物質については例えば、 G. H. Brown, "Techn
iques of Chemistry, Vol. III, PHOTOCHROMISM", Wile
y-Interscience (1971); H. Duerr and H. Bouas-Laule
nt, "Studies in Organic Chemistry 40, Photochromis
m, Molecules andSystems", Elsevier (1990); C. B. M
cArdle, "Applied Photochromic PolymerSystems", Bla
ckie (1992); 有機合成化学協会誌、４９巻５号（１９
９１）；日本化学会編、"季刊化学総説Ｎｏ．２８、有
機フォトクロミズムの化学"、学会出版センター（１９
９６）; Chemical Reviews, 100, 1685-1716(2000) 、
特開昭６３−６６１７８号公報、特開平３−１１０７４
号公報、特開平３−１１０７５号公報、特開平３−７６
７８４号公報、特開平３−１１５３８５号公報、特開平
３−１３３９８８号公報、特表平３−５０１６２５号公
報などに記載がある。フォトクロミック物質としてはス
ピロピラン系物質、スピロオキサジン系物質、クロメン
系物質、フルギド系物質およびジアリールエテン系物質
が好ましい。

【００４１】本発明の電磁波感応材料において、前記ア
ミド構造含有樹脂の含有割合は１０重量％〜９９．９重
量％が適当であり、３０重量％〜９９重量％がより適当
である。また前記電磁波感応物質、すなわち例えば、
「電磁波によって、化学構造が変化することにより、波
長域Ａの電磁波に対するｎおよび／またはｋが変化する
物質」、「電磁波によってラジカルを発生する物質とラ
ジカルによって波長域Ａの電磁波に対するｎおよび／ま
たはｋが変化する物質とを含有するもの」、「電磁波に
よって酸を発生する物質と酸によって波長域Ａの電磁波
に対するｎおよび／またはｋが変化する物質とを含有す
るもの」、「電磁波によって塩基を発生する物質と塩基
によって波長域Ａの電磁波に対するｎおよび／またはｋ
が変化する物質とを含有するもの」、「フォトクロミッ
ク物質」などの含有割合は、０．１重量％〜９０重量％
が好ましく、１重量％〜７０重量％がより好ましい。電
磁波感応物質の割合がこの範囲よりも少ない場合は十分
なｎおよび／またはｋの変化が得られにくい傾向があ
り、この範囲よりも多い場合は製造コストが高くなる傾
向がある。

【００４２】本発明の電磁波感応材料中に、上記の電磁
波感応物質やアミド構造含有樹脂以外に他の成分が含ま
れていてもよい。他の成分とは、例えば耐光性向上、ｎ
および／もしくはｋの変化促進ならびに／または画像の
熱安定性向上を目的とし、ニッケル塩に代表される一重
項酸素クエンチャー、ヒンダードフェノール誘導体、ニ
トロキシラジカル誘導体、ヒンダードアミン誘導体で代
表される酸化防止剤、紫外線吸収剤および三重項消光剤
などの光安定剤、光増感剤等、フェノール誘導体、ビス
フェノールＡ誘導体、および各種可塑剤である。

【００４３】本発明の電磁波感応材料は溶媒に溶かして
溶液とすることによって塗料として用いることができ
る。該塗料は積層物品の製造に好適である。

【００４４】該塗料の溶媒としては、電磁波感応材料の
構成材料を溶解可能なものであればよく特に限定されな
いが、好適な例としては、水、メチルアルコール、エチ
ルアルコール、ノルマルプロピルアルコール、イソプロ
ピルアルコール、ノルマルブチルアルコール、イソブチ
ルアルコール、ヘキサノール、オクタノール、デカノー
ル、エチレングリコール、ジエチレングリコール等のア
ルコール系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブ、イソプロピルセロソルブ、ブチルセロソルブ、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエ
ーテル系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸ペンチ
ル、酢酸イソペンチル、乳酸エチル、安息香酸メチル、
二酢酸エチレングリコール、酢酸２−エトキシエチル、
酢酸プロピレングリコールメチルエーテル、γ−ブチロ
ラクトン等のエステル系溶媒、ノルマルヘキサン、ノル
マルヘプタン、ノルマルオクタン、ドデカン等の脂肪族
炭化水素系溶媒、シクロへキサン、メチルシクロへキサ
ン、テトラリン等の脂環族炭化水素系溶媒、アセトン、
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロ
ヘキサノン等のケトン系溶媒、トリクロロエチレン、ジ
クロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、クロロベン
ゼン、フレオン等のハロゲン系溶媒、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、ジエチルエーテル、エチレングリコー
ルジメチルエーテル、エチレングリコールジブチルエー
テル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチ
レングリコールジブチルエーテル等のエーテル系溶媒、
ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶
媒、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド等の非プロトン性極性溶媒、等を挙げることがで
き、これらは単独あるいは混合して使用することができ
る。

【００４５】該塗料中の固形分濃度は、適用する塗布方
法、塗布条件等により異なるが、一般には１重量％〜７
０重量％の範囲が好ましい。

【００４６】該塗料の塗布は、通常行われている浸漬
法、液除去法、噴霧法、スピンコート法、バーコート
法、ローラーコート法、フローコート法、ダイコート
法、オフセット印刷法、スクリーン印刷法等いずれの方
法によっても可能であるが、薄い塗布膜を精度良く得る
という観点からはスピンコート法が最も好ましい。

【００４７】基材上に本発明の電磁波感応材料からなる
層を形成することによって、積層物品を得ることができ
る。

【００４８】該積層物品において、基材を形成する材料
の例を挙げればシリコン、鉄、ステンレス鋼、アルミニ
ウムなどの各種金属、石英、ガラス、酸化アルミニウ
ム、チッ化ケイ素などの各種無機材料、ポリエチレン樹
脂、ポリプロピレン樹脂などのオレフィン系樹脂、スチ
レン系樹脂、ポリエステル系樹脂、塩化ビニリデン樹
脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニルアル
コール樹脂などのビニル系樹脂、ナイロン樹脂、アラミ
ド樹脂などのポリアミド系樹脂、ポリメタクリル酸エス
テル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂などのアクリル系
樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ジエチレングリコール
ビスアリルカーボネート系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポ
リフェニレンスルフィド系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレ
タン系樹脂、ポリエーテルケトン系樹脂、ポリエーテル
エーテルケトン系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、
ポリアセタール系樹脂、ポリフェニレンオキシド系樹脂
などの各種樹脂が挙げられる。

【００４９】これらの中で、高純度でアルカリ金属、ア
ルカリ土類金属等のイオンを含まず、しかもコントラス
ト向上に必要な高反射率を有するものが入手しやすいと
いう点でシリコンが最も好ましい。

【００５０】また、基材表面に金属、金属酸化物、金属
チッ化物等からなる無機薄膜が設けられてもよい。特に
基材表面にＡｌ等の金属を主成分とする金属薄膜が設け
られれば、基材の光線反射率が向上し、積層物品に形成
される画像のコントラストが向上する。

【００５１】基材の形状としては、厚さ０．１ｍｍ〜１
０ｍｍ、より好ましくは厚さ０．３ｍｍ〜３ｍｍの平滑
な板が好ましい。

【００５２】従って、基材としては、シリコンウェハが
最も好ましい。シリコンウェハーには市販のシリコンウ
エハをそのまま基材として用いることが好ましいが、中
でもＴＴＶ（Ｔｏｔａｌ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒｉ
ａｔｉｏｎ）、ＬＴＶ（Ｌｏｃａｌ Ｔｈｉｃｋｎｅｓ
ｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）等によって示される平面度に
優れる、高精度加工シリコンウエハが最も好ましい。

【００５３】半導体製造時に用いるフォトレジスト材料
を塗布したシリコンウエハのかわりに、本発明の積層物
品を露光装置にセットして露光装置各部の各種状態に関
する情報を検出する場合には、基材は円形または略円形
が好ましく、各種シリコンウエハの規格に合わせた形状
がより好ましい。

【００５４】本発明の積層物品を露光装置内に組み込ん
で露光装置各部の各種状態に関する情報を検出する場合
は、基材の形状は、一般には、円形、略円形、多角形お
よび略多角形から選ばれた形状が好ましく、特に三角形
または略三角形のものが好ましく用いられる。かかる形
状の基材は、市販のシリコンウエハ、金属板、石英板、
ガラス板等をダイヤモンドカッターなどを用いてカット
して得ることができる。

【００５５】本発明の積層物品は、電磁波感応材料から
なる塗料を基材上に塗布することにより設けられる。

【００５６】電磁波感応材料からなる層の膜厚は、電磁
波感応材料の特性、露光装置の光照射部の特性および画
像検出部の特性等によって決定されるべきものである
が、通常は０．０１μｍ〜１０μｍの範囲で好ましく使
用される。

【００５７】本発明の積層物品において電磁波感応材料
からなる層に含まれるＮａ、Ｋ、Ｆｅ、Ｃａ含有量は、
半導体製造用のクリーンルームの汚染を防止し、半導体
製造の収率の低下を防ぐ意味から、１．０ｐｐｍ以下で
あることが好ましい。さらに好ましくは、０．１ｐｐｍ
以下である。

【００５８】本発明の積層物品において電磁波感応材料
からなる層に含まれる粒径０．５μｍ以上の異物の数は
１０個／ｃｍ²以下であることが好ましく、１個／ｃｍ²
以下であることがより好ましい。粒径０．５μｍ以上の
異物の数がこれよりも多い場合は、電磁波感応材料から
なる層を形成する際のコーティングのムラや表面欠陥の
原因になり、画像の検出精度が低下するため好ましくな
い。

【００５９】本発明の積層物品は、電磁波感応材料から
なる層の上に保護層を有していてもよい。保護層として
は、高い表面硬度を有する層や酸素を遮断する層が好ま
しい。高表面硬度を有する層が設けられた場合には表面
に傷がつきにくくなる。その結果、付着した埃、ごみ、
汚れなどを傷をつけずに拭き取ることが可能となる。ま
た酸素を遮断する層が設けられた場合には、積層物品の
耐久性が向上し使用可能な回数が増える。

【００６０】高い表面硬度を有する層としては、メラミ
ン系樹脂、エポキシ系樹脂、ジエチレングリコールビス
アリルカーボネート系樹脂、ジビニルベンゼン系樹脂、
オルガノポリシロキサン系硬化物、金属、金属酸化物、
金属チッ化物などからなる層が挙げられ、硬度および形
成のしやすさの点でオルガノポリシロキサン系硬化物、
金属、金属酸化物および金属チッ化物からなる層が好ま
しい。

【００６１】酸素を遮断する層を構成する材料は、酸素
透過率が１０×１０^-11 (cm²/sec)[mLO₂/(mL・hPa)]以下
のものが好ましく、具体例としては、ポリビニルアルコ
ール系樹脂、ポリ酢酸ビニルの部分鹸化樹脂、セルロー
ス系樹脂、ポリアクリロニトリル系樹脂、ポリ塩化ビニ
リデン系樹脂、ナイロン系樹脂、金属、金属酸化物およ
び金属チッ化物などを挙げることができる。

【００６２】金属、金属酸化物および金属チッ化物は、
高表面硬度を有する層の材料としても、酸素を遮断する
層の材料としても好適である。金属、金属酸化物および
金属チッ化物は、真空蒸着法、イオンプレーティング
法、スパッタリング法などに代表されるＰｈｙｓｉｃａ
ｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法を用いて製膜す
ることができる。酸素を遮断する層として設ける場合に
は、より酸素透過率の小さな膜が得られることから、ス
パッタリング法を用いて製膜することが好ましい。

【００６３】本発明における保護層の膜厚は０．０１μ
ｍ〜２μｍであることが好ましい。０．０１μｍ以下の
場合には目的の保護効果が得られにくく、また、２μｍ
以上の場合には電磁波の干渉の影響で正確な画像記録が
行いにくいため好ましくない。

【００６４】本発明において積層物品への画像形成は、
電磁波感応材料のｎおよび／またはｋの変化を引き起こ
すことができる電磁波を照射することによって行われ
る。その場合の電磁波の波長域としては、前述したとお
りｎおよび／またはｋの変化を効果的に引き起こすこと
ができるという観点から１４０ｎｍ〜４００ｎｍの波長
域を用いることが好ましい。そのような電磁波の光源と
して好ましい物は、水銀ランプのｉ線（３６５ｎｍ）、
ＫｒＦエキシマレーザー光（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキ
シマレーザー光（１９３ｎｍ）、Ｆ₂エキシマレーザー
光（１５７ｎｍ）などがある。

【００６５】また露光量は使用される前記電磁波感応物
質の種類、膜厚および装置の特性等によって決定される
べきものであるが、通常は１〜１０００ｍＪ／ｃｍ²の
範囲であることが好ましい。露光量がこの範囲より少な
い場合は電磁波感応材料のｎおよび／またはｋの変化が
小さくなり、また露光量がこの範囲より多い場合は露光
時間が長くなり工程管理上好ましくない。

【００６６】積層物品に形成した画像の検出は、波長域
Ａの電磁波によって行われる。波長域Ａの電磁波として
は波長が４００ｎｍ〜１０００ｎｍの電磁波が好まし
く、５００ｎｍ〜７００ｎｍの電磁波がより好ましい。
このような電磁波の光源として好適な例としては、Ｘｅ
ランプ、タングステンランプ、ハロゲンランプ、Ｈｅ−
Ｎｅレーザーおよび半導体レーザーを挙げることができ
る。好適な波長の電磁波を得るために光源とフィルター
を組み合わせて使用することも好ましく行われる。

【００６７】本発明の積層物品は、半導体製造用の露光
装置に好適に用いられ、電磁波を用いて積層物品上に何
らかの画像を形成し、波長域Ａの電磁波によりこの画像
を検出することによって露光装置各部の各種状態（例え
ば各部の相対位置、各部の絶対位置、光学系の焦点、照
度分布等）の情報を得ることができる。またこのとき得
られる情報に基づいて露光装置各部の各種状態を装置自
体内で自動的にまたは半自動的に補正することもでき
る。さらには本発明の積層物品によって得られる情報を
利用すれば半導体製造用の露光装置の組立の一部を全自
動的または半自動的に行うことも可能になる。

【００６８】

【実施例】以下に本発明を実施例を挙げて説明するが、
本発明はこれらに限定されるものではない。

【００６９】〔実施例１〕ポリビニルピロリドンＫ３０
（東京化成工業製、３０ｇ）、Ｎ−メチルピロリドン
（１２０ｇ）、トリス（４−ジメチルアミノフェニル）
メタン（東京化成工業製、１．５ｇ）および光ラジカル
発生剤“ＫＡＹＡＣＵＲＥ ＢＭＳ”（日本化薬、２．
０ｇ）を加え、５０℃で溶解するまで撹拌した。溶液を
ポリテトラフルオロエチレンフィルター（アドバンテッ
ク東洋製、孔径０．２μｍ）により濾過して電磁波感応
材料からなる塗料を得た。

【００７０】この塗料を、大日本スクリーン製造製スピ
ンコーターＳＫＷ−６３６を使用して６インチシリコン
ウエハ上に塗布し１００℃で３分間ベークして積層物品
を得た。電磁波感応材料層の膜厚は１０００ｎｍであっ
た。

【００７１】得られた積層物品の波長６００ｎｍの電磁
波に対するｎおよびｋの値を分光エリプソメトリー法
（ニコン製位相差測定装置ＮＰＤＭ−１０００）によっ
て測定した。次にキヤノン製ＦＰＡ-３０００ＥＸ５型
ステッパーによりＫｒＦエキシマレーザー光を５００ｍ
Ｊ／ｃｍ²露光し、波長６００ｎｍの電磁波に対するｎ
およびｋの値を分光エリプソメトリー法（ニコン製位相
差測定装置ＮＰＤＭ−１０００）によって測定した。ｎ
の変化は０．００３、ｋの変化は０．０１０であった。
該積層物品は目視でも高いコントラストの画像を形成す
ることが確認できた。結果を表１に示す。

【００７２】〔実施例２〕ポリビニルピロリドンＫ３０
（東京化成工業製、２７ｇ）、ポリスルホン“ユーデ
ル”Ｐ−３５００（テイジンアモコエンジニアリングプ
ラスチック、３ｇ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
（１２０ｇ）、トリス（４−ジメチルアミノフェニル）
メタン（東京化成工業製、１．５ｇ）および光ラジカル
発生剤“ＫＡＹＡＣＵＲＥ ＢＭＳ”（日本化薬、２．
０ｇ）を加え、５０℃で溶解するまで撹拌した。溶液を
ポリテトラフルオロエチレンフィルター（アドバンテッ
ク東洋製、孔径０．２μｍ）により濾過して電磁波感応
材料からなる塗料を得た。

【００７３】この塗料を、実施例１と同様に電磁波感応
材料層の膜厚は１０００ｎｍとなるようにコーティング
およびベークを行って積層物品を得た。

【００７４】得られた積層物品に、実施例１と同様にし
てＫｒＦエキシマレーザー光を露光しｎとｋの変化を測
定した。ｎの変化およびｋの変化を表１に示した。得ら
れた積層物品は目視でも高いコントラストの画像を形成
することが確認できた。

【００７５】〔実施例３〕ポリビニルピロリドンＫ３０
（東京化成工業製、３０ｇ）、Ｎ−メチルピロリドン
（１２０ｇ）、３，３−ビス（ｐ−ジメチルアミノフェ
ニル）−６−ジメチルアミノフタリド（東京化成工業
製、１．５ｇ）およびジ（ｔ−ブチルフェニル）ヨード
ニウムヘキサフルオロホスフェート（山本化成製、１．
５ｇ）を加え、５０℃で溶解するまで撹拌した。溶液を
ポリテトラフルオロエチレンフィルター（アドバンテッ
ク東洋製、孔径０．２μｍ）により濾過して電磁波感応
材料からなる塗料を得た。

【００７６】この塗料を、実施例１と同様に電磁波感応
材料層の膜厚は１０００ｎｍとなるようにコーティング
およびベークを行って積層物品を得た。

【００７７】得られた積層物品に、実施例１と同様にし
てＫｒＦエキシマレーザー光を露光しｎとｋの変化を測
定した。ｎの変化およびｋの変化を表１に示した。得ら
れた積層物品は目視でも高いコントラストの画像を形成
することが確認できた。

【００７８】〔実施例４〕Ｎ−メチルピロリドン中でア
ゾビスイソブチロニトリルを開始剤として通常のラジカ
ル重合法によりＮ，Ｎ−ジメチルアクリルアミドを重合
し、ポリ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド）の２０％
Ｎ−メチルピロリドン溶液を得た。この溶液（１５０
ｇ）にトリス（４−ジメチルアミノフェニル）メタン
（東京化成工業製、１．５ｇ）および光ラジカル発生剤
“ＫＡＹＡＣＵＲＥ ＢＭＳ”（日本化薬製、２．０
ｇ）を加え、５０℃で溶解するまで撹拌した。溶液をポ
リテトラフルオロエチレンフィルター（アドバンテック
東洋製、孔径０．２μｍ）により濾過して電磁波感応材
料からなる塗料を得た。

【００７９】この塗料を、実施例１と同様に電磁波感応
材料層の膜厚は１０００ｎｍとなるようにコーティング
およびベークを行って積層物品を得た。

【００８０】得られた積層物品に、実施例１と同様にし
てＫｒＦエキシマレーザー光を露光しｎとｋの変化を測
定した。ｎの変化およびｋの変化を表１に示した。得ら
れた積層物品は目視でも高いコントラストの画像を形成
することが確認できた。

【００８１】〔実施例５〕Ｎ−メチルピロリドン中でア
ゾビスイソブチロニトリルを開始剤として通常のラジカ
ル重合法によりＮ−ビニルアセトアミド（昭和電工製）
を重合し、ポリ（Ｎ−ビニルアセトアミド）の２０％Ｎ
−メチルピロリドン溶液を得た。この溶液（１５０ｇ）
にトリス（４−ジメチルアミノフェニル）メタン（東京
化成工業製、１．５ｇ）および光ラジカル発生剤“ＫＡ
ＹＡＣＵＲＥ ＢＭＳ”（日本化薬製、２．０ｇ）を加
え、５０℃で溶解するまで撹拌した。溶液をポリテトラ
フルオロエチレンフィルター（アドバンテック東洋製、
孔径０．２μｍ）により濾過して電磁波感応材料からな
る塗料を得た。

【００８２】この塗料を、実施例１と同様に電磁波感応
材料層の膜厚は１０００ｎｍとなるようにコーティング
およびベークを行って積層物品を得た。

【００８３】得られた積層物品に、実施例１と同様にし
てＫｒＦエキシマレーザー光を露光しｎとｋの変化を測
定した。ｎの変化およびｋの変化を表１に示した。得ら
れた積層物品は目視でも高いコントラストの画像を形成
することが確認できた。

【００８４】〔実施例６〕ポリビニルピロリドンＫ３０
（東京化成工業製、３０ｇ）、Ｎ−メチルピロリドン
（１２０ｇ）、β−カロチン（シグマアルドリッチジャ
パン製、１．５ｇ）を加え、室温で溶解するまで撹拌し
た。溶液をポリテトラフルオロエチレンフィルター（ア
ドバンテック東洋製、孔径０．２μｍ）により濾過して
電磁波感応材料からなる塗料を得た。

【００８５】この塗料を、実施例１と同様に電磁波感応
材料層の膜厚は１０００ｎｍとなるようにコーティング
およびベークを行って積層物品を得た。

【００８６】得られた積層物品に、実施例１と同様にし
てＫｒＦエキシマレーザー光を露光しｎとｋの変化を測
定した。ｎの変化およびｋの変化を表１に示した。得ら
れた積層物品は目視でも高いコントラストの画像を形成
することが確認できた。

【００８７】〔実施例７〕ポリビニルピロリドンＫ３０
（東京化成工業製、３０ｇ）、Ｎ−メチルピロリドン
（１２０ｇ）、ブロモチモールブルー（シグマアルドリ
ッチジャパン製、１．５ｇ）および（２、６−ジニトロ
ベンジル）オキシカルボニルシクロヘキシルアミン（J.
Am. Chem. Soc., Vol.113, No.11, 4303(1991)に従っ
て合成、１．５ｇ)を加え、５０℃で溶解するまで撹拌
した。溶液をポリテトラフルオロエチレンフィルター
（アドバンテック東洋製、孔径０．２μｍ）により濾過
して電磁波感応材料からなる塗料を得た。

【００８８】この塗料を、実施例１と同様に電磁波感応
材料層の膜厚は１０００ｎｍとなるようにコーティング
およびベークを行って積層物品を得た。

【００８９】得られた積層物品に、実施例１と同様にし
てＫｒＦエキシマレーザー光を露光しｎとｋの変化を測
定した。ｎの変化およびｋの変化を表１に示した。得ら
れた積層物品は目視でも高いコントラストの画像を形成
することが確認できた。

【００９０】〔実施例８〕ポリビニルピロリドンＫ３０
（東京化成工業製、３０ｇ）、Ｎ−メチルピロリドン
（１２０ｇ）、フェニルビス（４−ジメチルアミノフェ
ニル）メタン（東京化成工業製、１．５ｇ）および光ラ
ジカル発生剤“ＫＡＹＡＣＵＲＥ ＢＭＳ”（日本化
薬、２．０ｇ）を加え、５０℃で溶解するまで撹拌し
た。溶液をポリテトラフルオロエチレンフィルター（ア
ドバンテック東洋製、孔径０．２μｍ）により濾過して
電磁波感応材料からなる塗料を得た。

【００９１】この塗料を、実施例１と同様に電磁波感応
材料層の膜厚は１０００ｎｍとなるようにコーティング
およびベークを行って積層物品を得た。

【００９２】得られた積層物品に、実施例１と同様にし
てＫｒＦエキシマレーザー光を露光しｎとｋの変化を測
定した。ｎの変化およびｋの変化を表１に示した。得ら
れた積層物品は目視でも高いコントラストの画像を形成
することが確認できた。

【００９３】〔比較例１〕ポリビニルピロリドンＫ３０
（東京化成工業製、３０ｇ）のかわりに、ポリメチルメ
タクリレート（和光純薬工業製、３０ｇ）を使用した以
外は実施例１と同様に行い、電磁波感応材料からなる塗
料を得た。

【００９４】この塗料を、実施例１と同様にコーティン
グおよびベークを行って積層物品を得た。電磁波感応材
料層の膜厚は１０００ｎｍであった。

【００９５】得られた積層物品に、実施例１と同様にし
てＫｒＦエキシマレーザー光を露光しｎとｋの変化を測
定した。ｎの変化は０．００１以下、ｋの変化は１×１
０^-4以下であった。該積層物品は目視でも非常にコント
ラストの低い画像しか確認できなかった。

【００９６】〔比較例２〕ポリビニルピロリドンＫ３０
（東京化成工業製、３０ｇ）のかわりに、ポリメチルメ
タクリレート（和光純薬工業製、３０ｇ）を使用した以
外は実施例３と同様に行い、電磁波感応材料からなる塗
料を得た。

【００９７】この塗料を、実施例１と同様にコーティン
グおよびベークを行って積層物品を得た。電磁波感応材
料層の膜厚は１０００ｎｍであった。

【００９８】得られた積層物品に、実施例１と同様にし
てＫｒＦエキシマレーザー光を露光しｎとｋの変化を測
定した。ｎの変化は０．００１以下、ｋの変化は１×１
０^-4以下であった。該積層物品は目視でも非常にコント
ラストの低い画像しか確認できなかった。

【００９９】

【表１】

【０１００】

【発明の効果】本発明によれば、十分大きなｎおよび／
またはｋの変化を示す電磁波感応材料、それを用いた塗
料および積層物品が得られる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｍ Ｆターム(参考） 4J002 BC121 BG131 BH021 BJ001 CL011 EB026 EB046 EB126 EB136 EE036 EE056 EJ056 EK006 EN066 EN116 EQ016 EQ036 ER026 ES006 EU016 EU026 EU126 EU186 EU196 EU226 EV266 EV296 EV326 EW046 EW056 EW146 EW176 EY016 FD096 FD130 GF00 GH01 4J038 CG171 CG181 JA01 JA07 JA32 JA66 JB01 JB16 JC12 JC13 JC17 JC24 KA06 KA08 PB09 PB10 PC02 5F046 AA28 DD03

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】電磁波に感応して４００ｎｍ〜１０００ｎ
   ｍの波長域（波長域Ａ）の電磁波に対する複素屈折率の
   実数部ｎおよび／または虚数部ｋが変化する電磁波感応
   物質と、アミド構造含有樹脂とを少なくとも含有した電
   磁波感応材料であって、該電磁波感応材料を１０ｎｍ〜
   ５０００ｎｍの範囲の任意の厚みの薄膜に成形した場合
   において、ＫｒＦエキシマレーザー光を用いて５００ｍ
   Ｊ／ｃｍ ²露光したとき、６００ｎｍの電磁波に対する
   該電磁波感応材料全体の前記ｎの変化が５×１０^-3以上
   または前記ｋの変化が５×１０^-4以上であることを特徴
   とする電磁波感応材料。
2. 【請求項２】前記アミド構造含有樹脂が、Ｎ−ビニルラ
   クタム系モノマー、アクリルアミド系モノマー、メタク
   リルアミド系モノマーおよびＮ−ビニルカルボン酸アミ
   ド系モノマーから選ばれた少なくとも１種のアミド構造
   含有モノマーからなる重合体であることを特徴とする請
   求項１に記載の電磁波感応材料。
3. 【請求項３】 該電磁波感応材料の前記ｎの変化および
   ／または前記ｋの変化が実質的に不可逆であることを特
   徴とする請求項１に記載の電磁波感応材料。
4. 【請求項４】 前記電磁波感応物質が、電磁波によって
   化学構造が変化することにより、前記波長域Ａの電磁波
   に対する前記ｎおよび／または前記ｋが変化する物質で
   あることを特徴とする請求項３に記載の電磁波感応材
   料。
5. 【請求項５】 前記電磁波感応物質が、電磁波によって
   ラジカルを発生する物質とラジカルによって前記波長域
   Ａの電磁波に対する前記ｎおよび／または前記ｋが変化
   する物質とを含有するものである請求項３に記載の電磁
   波感応材料。
6. 【請求項６】 前記電磁波感応物質が、電磁波によって
   酸を発生する物質と酸によって前記波長域Ａの電磁波に
   対する前記ｎおよび／または前記ｋが変化する物質とを
   含有するものである請求項３に記載の電磁波感応材料。
7. 【請求項７】 前記電磁波感応物質が、電磁波によって
   塩基を発生する物質と塩基によって前記波長域Ａの電磁
   波に対する前記ｎおよび／または前記ｋが変化する物質
   とを含有するものである請求項３に記載の電磁波感応材
   料。
8. 【請求項８】 請求項１〜７のいずれかに記載の電磁波
   感応材料を含む塗料。
9. 【請求項９】 基材上に請求項１〜７のいずれかに記載
   の電磁波感応材料を含んだ層を有する積層物品。
10. 【請求項１０】 基材がシリコンウエハである請求項９
    に記載の積層物品。