WO2023282205A1 - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

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WO2023282205A1
WO2023282205A1 PCT/JP2022/026485 JP2022026485W WO2023282205A1 WO 2023282205 A1 WO2023282205 A1 WO 2023282205A1 JP 2022026485 W JP2022026485 W JP 2022026485W WO 2023282205 A1 WO2023282205 A1 WO 2023282205A1
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exposure
optical system
pattern
moving body
exposure apparatus
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PCT/JP2022/026485
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加藤正紀
水野仁
水野恭志
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株式会社ニコン
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    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load

Definitions

  • a step-and-repeat projection exposure apparatus such as liquid crystal and organic EL display panels and semiconductor elements (integrated circuits, etc.
  • And-scan projection exposure apparatuses so-called scanning steppers (also called scanners)
  • This type of exposure apparatus projects and exposes a mask pattern for an electronic device onto a photosensitive layer coated on the surface of a substrate to be exposed (hereinafter simply referred to as a substrate) such as a glass substrate, semiconductor wafer, printed wiring board, or resin film. are doing.
  • a digital mirror device or the like in which a large number of micromirrors that are slightly displaced are regularly arranged can be used instead of the mask substrate.
  • a digital mirror device or the like in which a large number of micromirrors that are slightly displaced are regularly arranged.
  • illumination light obtained by mixing light from a laser diode (LD) with a wavelength of 375 nm and light from an LD with a wavelength of 405 nm in a multimode fiber bundle is sent to a digital mirror.
  • a device (DMD) is irradiated with light, and reflected light from each of a large number of tilt-controlled micromirrors is projected and exposed onto a substrate via an imaging optical system and a microlens array.
  • an exposure apparatus is an exposure apparatus that exposes an object to pattern light generated by a spatial light modulator according to drawing data, and irradiates the spatial light modulator with illumination light.
  • an illumination optical system a projection optical system that projects the pattern light onto the object; a first moving body that is disposed below the projection optical system and holds the object; a first driving unit that moves the first moving body in a first direction and a second direction that are orthogonal to each other within a predetermined plane; a second moving body that holds the spatial light modulator; a second drive unit for moving; a measurement unit for measuring measurement results including at least one of position information of the object and position information of the first moving body; and based on the measurement results obtained by the measurement unit.
  • a control unit that controls at least one of driving the second moving body and adjusting the projection optical system, and controls the exposure position of the pattern light.
  • FIG. 1 is a perspective view showing an overview of the external configuration of an exposure apparatus according to one embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram showing an arrangement example of a DMD projection area projected onto a substrate by each projection unit of a plurality of exposure modules.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the state of stitch exposure by each of the four specific projection areas in FIG.
  • FIG. 4 is an optical layout diagram of a specific configuration of two exposure modules arranged in the X direction (scanning exposure direction) viewed in the XZ plane.
  • FIG. 5A is a diagram schematically showing the DMD
  • FIG. 5B is a diagram showing the DMD when the power is OFF
  • FIG. FIG. 5D is a diagram for explaining the mirror in the OFF state.
  • FIGS. 6A and 6B are diagrams illustrating optical elements provided between the DMD and the first lens group of the projection unit.
  • FIG. 7 is a diagram showing a schematic configuration of an alignment device provided on a calibration reference portion attached to the edge of the substrate holder of the exposure apparatus.
  • FIG. 8 is a functional block diagram showing the functional configuration of the exposure control device.
  • FIG. 9 is a flow chart showing an outline of a procedure for exposing a substrate.
  • FIG. 10 is a diagram showing a case where patterns of four display panels are exposed on one substrate.
  • FIGS. 11A to 11C are diagrams showing examples of exposure results of the first exposure processing of the display panel.
  • a pattern exposure apparatus (hereinafter simply referred to as an exposure apparatus) according to one embodiment will be described with reference to the drawings.
  • FIG. 1 is a perspective view showing an overview of the external configuration of an exposure apparatus EX according to one embodiment.
  • the exposure apparatus EX is an apparatus that forms and projects, onto a substrate to be exposed, exposure light whose intensity distribution in space is dynamically modulated by a spatial light modulator (SLM).
  • SLM spatial light modulator
  • Examples of spatial light modulators include liquid crystal devices, digital micromirror devices (DMDs), magneto-optical spatial light modulators (MOSLMs), and the like.
  • the exposure apparatus EX according to this embodiment includes the DMD 10 as a spatial light modulator, but may include other spatial light modulators.
  • the exposure apparatus EX is a step-and-scan projection exposure apparatus (scanner) that exposes a rectangular glass substrate used in a display device (flat panel display) or the like. be.
  • the glass substrate is a flat panel display substrate P having at least one side length or diagonal length of 500 mm or more and a thickness of 1 mm or less.
  • the exposure device EX exposes a photosensitive layer (photoresist) formed on the surface of the substrate P with a constant thickness to a projected image of a pattern created by the DMD.
  • the substrate P unloaded from the exposure apparatus EX after exposure is sent to predetermined process steps (film formation step, etching step, plating step, etc.) after the development step.
  • the exposure apparatus EX includes a pedestal 2 placed on active vibration isolation units 1a, 1b, 1c, and 1d (1d is not shown), a platen 3 placed on the pedestal 2, and An XY stage 4A that can move two-dimensionally, a first driving section that moves the XY stage 4A, a substrate holder 4B (first moving body) that sucks and holds the substrate P on a plane on the XY stage 4A, and a substrate holder.
  • a stage device including laser length measurement interferometers (hereinafter simply referred to as interferometers) IFX and IFY1 to IFY4 for measuring the two-dimensional movement position of 4B (substrate P) is provided.
  • Such a stage apparatus is disclosed, for example, in US Patent Publication No. 2010/0018950 and US Patent Publication No. 2012/0057140.
  • the XY plane of the orthogonal coordinate system XYZ is set parallel to the flat surface of the surface plate 3 of the stage device, and the XY stage 4A is set to be translatable within the XY plane.
  • the direction parallel to the X-axis of the coordinate system XYZ is set as the scanning movement direction of the substrate P (XY stage 4A) during scanning exposure.
  • the movement position of the substrate P in the X-axis direction is sequentially measured by the interferometer IFX, and the movement position in the Y-axis direction is sequentially measured by at least one (preferably two) of the four interferometers IFY1 to IFY4. be.
  • the substrate holder 4B is configured to be slightly movable in the direction of the Z-axis perpendicular to the XY plane with respect to the XY stage 4A and to be slightly inclined in any direction with respect to the XY plane, and projected onto the surface of the substrate P. Focus adjustment and leveling (parallelism) adjustment with respect to the imaging plane of the pattern are actively performed. Further, the substrate holder 4B is configured to be slightly rotatable ( ⁇ z rotation) about an axis parallel to the Z axis in order to actively adjust the tilt of the substrate P within the XY plane.
  • the exposure apparatus EX further includes an optical surface plate 5 that holds a plurality of exposure (drawing) module groups MU(A), MU(B), and MU(C), and a main column that supports the optical surface plate 5 from the pedestal 2. 6a, 6b, 6c, 6d (6d is not shown).
  • Each of the plurality of exposure module groups MU(A), MU(B), and MU(C) is attached to the +Z direction side of the optical platen 5 .
  • Each of the plurality of exposure module groups MU(A), MU(B), and MU(C) is attached to the +Z direction side of the optical surface plate 5, and an illumination unit ILU that receives illumination light from the optical fiber unit FBU.
  • each of the exposure module groups MU(A), MU(B), and MU(C) serves as a light modulating section that reflects the illumination light from the illumination unit ILU in the -Z direction and makes it enter the projection unit PLU. of DMD 10.
  • MU(A), MU(B), and MU(C) serves as a light modulating section that reflects the illumination light from the illumination unit ILU in the -Z direction and makes it enter the projection unit PLU. of DMD 10.
  • a plurality of alignment systems (microscopes) ALG for detecting alignment marks formed at a plurality of predetermined positions on the substrate P are attached to the -Z direction side of the optical platen 5 of the exposure apparatus EX.
  • a calibration reference unit CU for calibration is provided at the -X direction end on the substrate holder 4B. Calibration is performed by confirming (calibrating) the relative positional relationship within the XY plane of each detection field of alignment system ALG, and by projecting each of exposure module groups MU(A), MU(B), and MU(C).
  • Confirmation of the baseline error between each projection position of the pattern image projected from the unit PLU and the position of each detection field of the alignment system ALG, and adjustment of the position and image quality of the pattern image projected from the projection unit PLU. Include at least one of the confirmations.
  • part of the exposure module groups MU(A), MU(B), and MU(C) are not shown in FIG. 1, in this embodiment, nine modules are arranged in the Y direction as an example. Although they are arranged at regular intervals, the number of modules may be less or more than nine. In FIG. 1, three rows of exposure modules are arranged in the X-axis direction, but the number of rows of exposure modules arranged in the X-axis direction may be two or less, or four or more. .
  • FIG. 2 is a diagram showing an arrangement example of the projection areas IAn of the DMD 10 projected onto the substrate P by the projection units PLU of the exposure module groups MU(A), MU(B), and MU(C).
  • the coordinate system XYZ is set the same as in FIG.
  • the exposure module group MU (A) in the first row, the exposure module group MU (B) in the second row, and the exposure module in the third row are spaced apart in the X direction (first direction).
  • Each group MU(C) is composed of nine modules arranged in the Y direction (second direction).
  • the exposure module group MU(A) consists of nine modules MU1 to MU9 arranged in the +Y direction
  • the exposure module group MU(B) consists of nine modules MU10 to MU18 arranged in the -Y direction
  • the exposure module group MU(C) is composed of nine modules MU19 to MU27 arranged in the +Y direction.
  • the modules MU1 to MU27 all have the same configuration, and when the exposure module group MU(A) and the exposure module group MU(B) face each other in the X direction, the exposure module group MU(B) and the exposure module group It has a back-to-back relationship with MU(C) in the X direction.
  • the center point of each of the projection areas IA1 to IA9 in the first row is located on a line k1 parallel to the Y axis
  • the center point of each of the projection areas IA10 to IA18 in the second row is on a line k2 parallel to the Y axis
  • the center point of each of the projection areas IA19 to IA27 in the third row is located on a line k3 parallel to the Y-axis.
  • the distance in the X direction between the lines k1 and k2 is set to the distance XL1
  • the distance in the X direction between the lines k2 and k3 is set to the distance XL2.
  • the connecting portion between the -Y direction end of the projection area IA9 and the +Y direction end of the projection area IA10 is OLa
  • the -Y direction end of the projection area IA10 and the +Y direction end of the projection area IA27 and OLb, and the joint portion between the +Y-direction end of the projection area IA8 and the -Y-direction end of the projection area IA27 is OLc.
  • the orthogonal coordinate system XYZ is set the same as in FIGS.
  • the coordinate system X'Y' in the projection areas IA8, IA9, IA10, IA27 (and all other projection areas IAn) is It is set to be inclined by an angle ⁇ k with respect to the X-axis and Y-axis (lines k1 to k3) of the orthogonal coordinate system XYZ. That is, the entire DMD 10 is tilted by an angle ⁇ k in the XY plane so that the two-dimensional array of many micromirrors of the DMD 10 is in the X'Y' coordinate system.
  • a circular area encompassing each of the projection areas IA8, IA9, IA10, IA27 (and all other projection areas IAn as well) in FIG. 3 represents the circular image field PLf' of the projection unit PLU.
  • the projection image of the micromirrors arranged obliquely (angle ⁇ k) at the end of the projection area IA10 in the ⁇ Y′ direction and the projection image of the micromirrors arranged obliquely (angle ⁇ k) at the end of the projection area IA27 in the +Y′ direction It is set so that the projected images of the aligned micromirrors overlap.
  • the projection image of the micromirrors arranged obliquely (angle ⁇ k) at the end of the projection area IA8 in the +Y′ direction and the oblique (angle ⁇ k) end of the projection area IA27 in the ⁇ Y′ direction ) are set so as to overlap the projection images of the micromirrors arranged in the plane.
  • FIG. 4 is an optical view of the specific configuration of the module MU18 in the exposure module group MU(B) and the module MU19 in the exposure module group MU(C) shown in FIGS. 1 and 2 in the XZ plane. It is a layout diagram.
  • the orthogonal coordinate system XYZ in FIG. 4 is set the same as the orthogonal coordinate system XYZ in FIGS.
  • the module MU18 is shifted in the +Y direction with respect to the module MU19 by a constant interval and is installed in a back-to-back relationship.
  • the optical fiber unit FBU shown in FIG. 1 is composed of 27 optical fiber bundles FB1 to FB27 corresponding to the 27 modules MU1 to MU27 shown in FIG.
  • the illumination unit ILU of the module MU18 functions as a mirror 100 that reflects the illumination light ILm traveling in the -Z direction from the output end of the optical fiber bundle FB18, a mirror 102 that reflects the illumination light ILm from the mirror 100 in the -Z direction, and a collimator lens.
  • Mirror 102, input lens system 104, optical integrator 108, condenser lens system 110, and tilt mirror 112 are arranged along optical axis AXc parallel to the Z axis.
  • the optical fiber bundle FB18 is configured by bundling one optical fiber line or a plurality of optical fiber lines.
  • the illumination light ILm emitted from the output end of the optical fiber bundle FB18 (each of the optical fiber lines) is set to a numerical aperture (NA, also called divergence angle) so as to enter the input lens system 104 at the subsequent stage without being vignetted.
  • NA numerical aperture
  • the position of the front focal point of the input lens system 104 is designed to be the same as the position of the output end of the optical fiber bundle FB18.
  • the position of the rear focal point of the input lens system 104 is such that the illumination light ILm from a single or a plurality of point light sources formed at the output end of the optical fiber bundle FB18 is superimposed on the incident surface side of the MFE lens 108A of the optical integrator 108. is set to let Therefore, the incident surface of the MFE lens 108A is Koehler-illuminated by the illumination light ILm from the exit end of the optical fiber bundle FB18.
  • the geometric center point in the XY plane of the output end of the optical fiber bundle FB18 is positioned on the optical axis AXc, and the principal ray ( center line) is parallel (or coaxial) with the optical axis AXc.
  • Illumination light ILm from input lens system 104 is attenuated by an arbitrary value in the range of 0% to 90% by illumination adjustment filter 106, and then passes through optical integrator 108 (MFE lens 108A, field lens, etc.). , enter the condenser lens system 110 .
  • the MFE lens 108A is a two-dimensional arrangement of a large number of rectangular microlenses of several tens of ⁇ m square. ) is set to be almost similar to Also, the position of the front focal point of the condenser lens system 110 is set to be substantially the same as the position of the exit surface of the MFE lens 108A.
  • each illumination light from a point light source formed on each exit side of a large number of microlenses of the MFE lens 108A is converted into a substantially parallel light beam by the condenser lens system 110, and after being reflected by the tilt mirror 112, , are superimposed on the DMD 10 to form a uniform illuminance distribution. Since a surface light source in which a large number of point light sources (condensing points) are two-dimensionally densely arranged is generated on the exit surface of the MFE lens 108A, the MFE lens 108A functions as a surface light source forming member.
  • the optical axis AXc passing through the condenser lens system 110 and parallel to the Z-axis is bent by the tilt mirror 112 and reaches the DMD 10.
  • AXb the neutral plane including the center point of each of the numerous micromirrors of DMD 10 is set parallel to the XY plane. Therefore, the angle formed by the normal to the neutral plane (parallel to the Z-axis) and the optical axis AXb is the incident angle ⁇ of the illumination light ILm with respect to the DMD 10 .
  • the DMD 10 is attached to the underside of a mount portion 10M fixed to the support column of the illumination unit ILU.
  • a fine movement stage (No. 2 moving body) 10S is provided in the mount section 10M.
  • the fine movement stage 10S can be moved in the X direction and the Y direction by a fine movement stage driving section 10D (second driving section), and can rotate ⁇ z (Z axis). Therefore, by moving the fine movement stage 10S in the XY directions or rotating ⁇ z, the DMD 10 can be moved in the XY directions or rotated ⁇ z. Also, by using a displacement sensor (not shown), it is possible to perform feedback control on the amount of movement or the amount of rotation of the fine movement stage 10S.
  • FIG. 5A is a diagram schematically showing the DMD 10
  • FIG. 5B is a diagram showing the DMD 10 when the power is off
  • FIG. 5C is an explanation of mirrors in the ON state
  • FIG. 5D is a diagram for explaining the mirror in the OFF state.
  • mirrors in the ON state are indicated by hatching.
  • the DMD 10 has a plurality of micromirrors 10a whose reflection angle can be changed and controlled.
  • the DMD 10 is of a roll-and-pitch drive type in which the ON state and the OFF state are switched by tilting in the roll direction and tilting in the pitch direction of the micromirror 10a.
  • each micromirror 10a when the power is off, the reflecting surface of each micromirror 10a is set parallel to the X'Y' plane.
  • the arrangement pitch of the micromirrors 10a in the X' direction is Pdx ([mu]m), and the arrangement pitch in the Y' direction is Pdy ([mu]m).
  • Each micromirror 10a is turned on by tilting around the Y'-axis.
  • FIG. 5C shows a case where only the central micromirror 10a is in the ON state and the other micromirrors 10a are in the neutral state (neither ON nor OFF state).
  • Each micromirror 10a is turned off by tilting around the X' axis.
  • FIG. 5(D) shows a case where only the central micromirror 10a is in the OFF state and the other micromirrors 10a are in the neutral state.
  • the ON-state micromirror 10a is arranged from the X'Y' plane so that the illumination light applied to the ON-state micromirror 10a is reflected in the X direction of the XZ plane. It is driven to tilt at a predetermined angle. Further, the micromirror 10a in the OFF state is driven to be inclined at a predetermined angle from the X'Y' plane so that the illumination light irradiated to the micromirror 10a in the ON state is reflected in the Y direction in the YZ plane. .
  • the DMD 10 generates an exposure pattern by switching the ON state and OFF state of each micromirror 10a.
  • Illumination light reflected by the mirror in the OFF state is absorbed by a light absorber (not shown).
  • the DMD 10 has been described as an example of a spatial light modulator, the DMD 10 has been described as a reflective type that reflects laser light. A diffractive type may also be used.
  • a spatial light modulator can spatially and temporally modulate laser light.
  • the illumination light ILm irradiated to the ON-state micromirror 10a of the micromirrors 10a of the DMD 10 is reflected in the X direction in the XZ plane toward the projection unit PLU.
  • the illumination light ILm irradiated to the OFF-state micromirror 10a among the micromirrors 10a of the DMD 10 is reflected in the Y direction in the YZ plane so as not to face the projection unit PLU.
  • a movable shutter 114 for shielding reflected light from the DMD 10 during a non-exposure period is detachably provided in the optical path between the DMD 10 and the projection unit PLU.
  • the movable shutter 114 is rotated to an angular position retracted from the optical path during the exposure period, as illustrated on the module MU19 side, and inserted obliquely into the optical path during the non-exposure period, as illustrated on the module MU18 side. is rotated to the desired angular position.
  • a reflecting surface is formed on the DMD 10 side of the movable shutter 114 , and the light from the DMD 10 reflected there is applied to the light absorber 117 .
  • the light absorber 117 absorbs light energy in the ultraviolet wavelength range (wavelength of 400 nm or less) without re-reflection and converts it into heat energy. Therefore, the light absorber 117 is also provided with a heat dissipation mechanism (radiating fins or a cooling mechanism). Although not shown in FIG. 4, the reflected light from the micromirror 10a of the DMD 10, which is in the OFF state during the exposure period, is reflected in the Y direction ( 4) is absorbed by a similar light absorber (not shown in FIG. 4).
  • the projection unit PLU attached to the lower side of the optical surface plate 5 is a double-telecentric combination composed of a first lens group 116 and a second lens group 118 arranged along an optical axis AXa parallel to the Z axis. It is configured as an image projection lens system.
  • the first lens group 116 and the second lens group 118 are translated in the direction along the Z-axis (optical axis AXa) by a fine actuator with respect to a support column fixed to the lower side of the optical surface plate 5.
  • the projection magnification Mp is set to about 1/6, taking into account the tilt angle ⁇ k in the XY plane.
  • An imaging projection lens system consisting of lens groups 116 and 118 inverts/inverts the reduced image of the entire mirror surface of the DMD 10 and forms an image on a projection area IA18 (IAn) on the substrate P.
  • the first lens group 116 of the projection unit PLU can be finely moved in the direction of the optical axis AXa by an actuator in order to finely adjust the projection magnification Mp (about ⁇ several tens of ppm), and the second lens group 118 is for high-speed focus adjustment. Therefore, the actuator can be finely moved in the direction of the optical axis AXa. Further, a plurality of oblique incident light type focus sensors 120 are provided below the optical surface plate 5 in order to measure the positional change of the surface of the substrate P in the Z-axis direction with submicron accuracy.
  • the DMD 10 and the first lens group 116 are two deflection prisms 600a and 600b as shown in FIG. 6A or two prisms as shown in FIG. 6B.
  • Parallel plates 601a and 601b are provided.
  • the two deflection prisms 600a and 600b and the two parallel plates 601a and 601b will be referred to as optical elements OPE unless otherwise specified. Further, in the present embodiment, correcting the positional deviation is also referred to as image shifting.
  • the optical element OPE is provided between the DMD 10 and the first lens group 116 in this embodiment, it is not limited to this.
  • the optical element OPE may be provided between the first lens group 116 and the second lens group or between the projection unit PLU and the substrate P.
  • a projection optical system is configured by the projection unit PLU and the optical element OPE.
  • the projection area IAn must be tilted by the angle ⁇ k in the XY plane as described above with reference to FIG. (at least the optical path portion of the mirrors 102 to 112 along the optical axis AXc) are arranged so as to be inclined by an angle ⁇ k in the XY plane as a whole.
  • FIG. 7 is a diagram showing a schematic configuration of the alignment device 60 provided in the calibration reference unit CU attached to the end of the substrate holder 4B of the exposure apparatus EX.
  • the alignment device 60 includes a reference mark 60a, a two-dimensional imaging element 60e, and the like. Alignment device 60 is used to measure and calibrate the positions of various modules, and is also used to calibrate alignment system ALG.
  • the positions of the modules MU1 to MU27 are measured by projecting the DMD pattern for calibration onto the reference mark 60a of the alignment device 60 with the projection unit PLU, and measuring the relative position between the reference mark 60a and the DMD pattern.
  • alignment system ALG can be calibrated by measuring reference mark 60a of alignment device 60 with alignment system ALG. That is, the position of alignment system ALG can be determined by measuring reference mark 60a of alignment device 60 with alignment system ALG. Furthermore, using reference mark 60a, it is possible to determine the relative positions of alignment system ALG and modules MU1 to MU27.
  • Alignment system ALG can also measure the position of the alignment mark on substrate P placed on substrate holder 4B with reference to reference mark 60a of alignment device 60 .
  • FIG. 8 is a functional block diagram showing the functional configuration of the exposure control device 300 included in the exposure apparatus EX according to this embodiment.
  • the exposure control device 300 includes a drawing data storage unit 310 , a control data creation unit 301 , a correction data creation unit 302 , a drive control unit 304 and an exposure control unit 306 .
  • the drawing data storage unit 310 sends drawing data MD1 to MD27 for pattern exposure to the DMDs 10 of the 27 modules MU1 to MU27 shown in FIG.
  • the control data creation unit 301 creates first control data based on the alignment measurement result of the substrate P by the alignment system ALG, and outputs the first control data to the drive control unit 304 .
  • the driving amount of the fine movement stage 10S of each module MU1 to MU27 is defined based on the first control data.
  • the fine movement stage 10S driven by the fine movement stage driving section 10D is moved in the X and Y directions, or rotated in the ⁇ z direction. As a result, the projection image projected onto the substrate P can be image-shifted.
  • the driving amount of the projection unit PLU of each module MU1 to MU27 or the adjustment amount of the lens in the projection unit PLU is defined based on the first control data.
  • the projection unit PLU moves at least one lens group of the first lens group 116 or the second lens group 118 within the XY plane by an actuator or the like provided in the projection unit PLU.
  • the projection image projected onto the substrate P can be image-shifted. From the viewpoint of aberration, it is more preferable that the projection unit PLU moves the first lens group 116 and the second lens group 118 with the same amount of movement of the first lens group 116 and the second lens group 118 .
  • At least one lens provided in the first lens group 116 or the second lens group 118 is adjusted by an actuator or the like provided in the first lens group 116 or the second lens group 118. Move within the XY plane. As a result, the projection image projected onto the substrate P can be image-shifted.
  • the two deflection prisms 600a and 600b are driven based on the first control data.
  • the drive amount of 600b By controlling the distance between the two deflection prisms, the projection image projected onto the substrate P can be image-shifted.
  • the two deflection prisms 600a and 600b are arranged not only between the DMD 10 and the first lens group 116, but also between the first lens group 116 and the second lens group 118, between the second lens group 118 and the substrate P. can also be provided between
  • the two parallel plates 601a and 601b are driven based on the first control data.
  • the drive amount of 601b can be image-shifted by controlling the rotation amount for rotating the two parallel plates 601a and 601b by ⁇ z.
  • the two parallel plates 601a and 601b are placed not only between the DMD 10 and the first lens group 116, but also between the first lens group 116 and the second lens group 118, and between the second lens group 118 and the substrate P. can also be provided.
  • the reason for creating the first control data will be explained.
  • the substrate P is placed on the substrate holder 4B at a position deviated from the designed position.
  • the pattern generated based on the drawing data MDn will be exposed on the substrate P at a deviation from the designed position.
  • the positional displacement is determined. Rewriting the drawing data MDn according to the substrate P can be considered.
  • the drawing data MDn for the display panel has a large amount of data, it takes a long time (for example, 40 minutes) to rewrite, which may reduce the throughput. Further, if the amount of misalignment is smaller than the minimum line width (minimum pixel size) of the pattern projected onto the substrate P, the misalignment cannot be corrected even if the drawing data is changed. That is, it may be difficult to accurately correct by changing the drawing data.
  • the pattern projection position is shifted to correct the positional deviation of the substrate P from the design value.
  • the projection position of the pattern is shifted by controlling the driving of at least one of the fine movement stage 10S of the DMD 10, the optical system of the projection unit PLU, and the optical element OPE.
  • the fine movement stage 10S of the DMD 10 is rotated by ⁇ degrees and ⁇ z from the initial position, and the X position of the DMD 10 is changed.
  • the pattern can be projected to the design position.
  • the control data generating unit 301 considers the relationship between the modules MUn, Create data. It should be noted that the creation time of the first control data is, for example, about several seconds.
  • the correction data creation unit 302 creates correction data based on the calibration result and outputs it to the drive control unit 304 .
  • the correction data is the driving amount of the fine movement stage 10S of the DMD 10 and the projection unit PLU so as to correct the positional deviation of each component of the exposure apparatus EX (for example, the module MUn, the alignment system ALG, etc.). and data for correcting the drive amount of the optical system and the drive amount of the optical element OPE.
  • the correction data includes, for each of the modules MU1 to MU27, the offset value of the driving amount of the fine movement stage 10S of the DMD 10, the offset value of the driving amount of the optical system of the projection unit PLU, and the offset value of the driving amount of the optical element OPE. is defined.
  • the reason for creating the correction data will be explained.
  • the positions of the components of the exposure apparatus EX may shift, and calibration may be required between exposure processes.
  • calibration it is conceivable to redo configuration settings and rewrite drawing data so as to correct misalignment of each configuration.
  • the drive amount of the fine movement stage 10S of the DMD 10 is corrected so as to correct the positional deviation of each component of the exposure apparatus EX.
  • the correction data creation unit 302 thus creates correction data for correcting the drive amount of the fine movement stage 10S of the DMD 10, the drive amount of the optical system of the projection unit PLU, and the drive amount of the optical element OPE.
  • the drive control unit 304 generates second control data by correcting the first control data input from the control data creation unit 301 using the correction data input from the correction data creation unit 302 .
  • the drive control unit 304 generates the second control data by combining the first control data input from the control data generation unit 301 and the calibration result without generating the correction data in the correction data generation unit 302. Also good.
  • the drive control unit 304 controls the drive amount of the fine movement stage 10S of the DMD 10, the drive amount of the optical system of the projection unit PLU, and the optical elements included in the second control data.
  • Drive amount control data CD1 to CD27 are generated by correcting the drive amount of the OPE in real time, and sent to the modules MU1 to MU27.
  • the exposure control device 300 (driving control section 304) may control the first driving section that moves the XY stage 4A. Further, the exposure control device 300 (driving control section 304) may control the fine movement stage driving section 10D.
  • the exposure control device 300 (driving control unit 304) may also control a driving unit that drives the first lens group 116, the second lens group 118, and the optical element OPE provided in the projection optical system.
  • the substrate holder 4B may not move as designed (for example, it should move straight in the X direction, but it moves in a meandering manner).
  • the substrate holder 4B does not move as designed in this way (for example, when the position in the Y direction of the substrate holder 4B at a predetermined position in the X direction differs from the design value)
  • drawing data MDn The pattern based on is exposed on the substrate P with deviation from the designed position. At this time, it is difficult in terms of time to rewrite the drawing data so as to follow the positional deviation of the substrate holder 4B.
  • the misalignment cannot be corrected even if the drawing data is changed. That is, it may be difficult to accurately correct by changing the drawing data.
  • the drive control unit 304 controls the drive amount of the fine movement stage 10S of the DMD 10 and the drive of the optical system of the projection unit PLU, which are included in the second control data, based on the measurement results of the interferometers IFY1 to IFY4.
  • the modules MU1 to MU2 are controlled by drive amount control data (third control data) CD1 to CD27 obtained by correcting the amount and the drive amount of the optical element OPE in real time. This makes it possible to correct the positional deviation of the substrate P, the positional deviation of each component of the exposure apparatus EX, and the positional deviation of the substrate holder 4B during scanning exposure, and project and expose the pattern onto the substrate P as designed.
  • modules MU1-MU27 drive fine movement stage 10S of DMD 10, drive the optical system of projection unit PLU, and optical element It controls the driving of the OPE.
  • the exposure control unit (sequencer) 306 transmits the drawing data MD1 to MD27 from the drawing data storage unit 310 to the modules MU1 to MU27 in synchronization with the scanning exposure (moving position) of the substrate P, drive amount control data CD1 to CD27.
  • FIG. 9 shows an overview of the procedure when exposing the substrate P using the exposure apparatus EX for the first time, or when exposing the substrate P using the exposure apparatus EX that has not been used for a long time. It is a flow chart. In the following example, a case of scanning and exposing a pattern such as a display panel on the substrate P will be described.
  • step S11 initial calibration of the exposure apparatus EX is performed (step S11).
  • the settings of each component of the exposure apparatus EX are calibrated based on the measurement results obtained by the alignment system ALG and the like. For example, the positions of the modules MU1 to MU27, the initial positions and attitudes of the illumination units ILU, DMD10, and the projection unit PLU of the modules MU1 to MU27, and the inclination of the substrate holder 4B are corrected.
  • the substrate P is loaded into the main body of the exposure apparatus EX and placed on the substrate holder 4B (step S15).
  • step S17 alignment marks formed at a plurality of predetermined positions on the substrate P are measured by a plurality of alignment systems ALG (step S17).
  • control data generation unit 301 calculates the driving amount of the fine movement stage 10S of the DMD 10 and the driving amount of the optical system of the projection unit PLU so as to correct the positional deviation of the substrate P. , and the drive amount of the optical element OPE are created (step S19).
  • the driving amount control data CDn at this time is data (fourth control data) obtained by correcting the first control data in real time based on the measurement results of the interferometers IFY1 to IFY4 (that is, the position of the substrate holder 4B). be.
  • the substrate P is unloaded (step S23).
  • step S25 it is determined whether or not calibration is necessary (step S25). For example, when the number of substrates P subjected to scanning exposure processing reaches a predetermined number (for example, 10) after the previous calibration, it is determined that calibration is necessary. Alternatively, it is determined that calibration is necessary when a predetermined time has passed every day.
  • a predetermined number for example, 10
  • step S25/NO If calibration is unnecessary (step S25/NO), return to step S15. On the other hand, if calibration is required (step S25/YES), calibration is performed (step S27).
  • the correction data generation unit 302 determines the driving amount of the fine movement stage 10S of the DMD 10 and the driving of the optical system of the projection unit PLU so as to correct the positional deviation of each device of the exposure device EX. Correction data for correcting the amount and the driving amount of the optical element OPE are created (step S29).
  • a new substrate P is loaded into the main body of the exposure apparatus EX and placed on the substrate holder 4B (step S31).
  • step S33 alignment marks formed at a plurality of predetermined positions on the newly loaded substrate P are measured by a plurality of alignment systems ALG (step S33).
  • control data generation unit 301 calculates the driving amount of the fine movement stage 10S of the DMD 10 and the driving amount of the optical system of the projection unit PLU so as to correct the positional deviation of the substrate P. , and the driving amount of the optical element OPE are created (step S35).
  • the drive control unit 304 generates second control data by correcting the first control data created in step S35 with the correction data created in step S29 (step S37).
  • step S29 may be omitted, and the drive control unit 304 may create the second control data based on the first control data and the calibration result.
  • the driving amount control data CDn at this time is data (third control data) obtained by correcting the second control data in real time based on the measurement results of the interferometers IFY1 to IFY4 (that is, the position of the substrate holder 4B). be.
  • the substrate P is unloaded (step S41).
  • step S43 it is determined whether or not calibration is necessary. For example, when the number of substrates P subjected to scanning exposure processing reaches a predetermined number (for example, 10) after the previous calibration, it is determined that calibration is necessary.
  • a predetermined number for example, 10
  • step S43/NO If calibration is unnecessary (step S43/NO), return to step S31. On the other hand, if calibration is required (step S43/YES), calibration is performed (step S27).
  • step S21 the drive control unit 304 corrects the first control data in real time based on the measurement results of the interferometers IFY1 to IFY4 (that is, the position of the substrate holder 4B) to generate the drive amount control data CDn for each module. It can be sent to MUn.
  • a plurality of modules MU1 to MU1 each including a plurality of illumination units ILU for irradiating light and a plurality of projection units PLU for projecting patterns formed by the respective DMDs 10 onto the substrate P placed on the substrate holder 4B. and MU27.
  • the exposure apparatus EX further drives the DMD 10 of each of the modules MU1 to MU27 according to at least one of the state of the substrate P, the state of the substrate holder 4B, and the state of the exposure apparatus EX without changing the drawing data MDn.
  • the drive control unit 304 drives the DMD 10 and the projection unit PLU according to at least one of the state of the substrate P, the state of the substrate holder 4B, and the state of the exposure apparatus EX without changing the drawing data MDn.
  • the driving of the optical element OPE it is possible to expose a predetermined pattern on a predetermined position of the substrate P while suppressing a decrease in the throughput of the exposure apparatus EX. Further, when the amount of positional deviation is smaller than the minimum line width (minimum pixel dimension) of the pattern projected onto the substrate P, it is difficult to correct the positional deviation by rewriting the drawing data. In this embodiment, since the positional deviation is corrected by driving the DMD 10, driving the projection unit PLU, and driving the optical element OPE, the amount of positional deviation is smaller than the minimum line width of the pattern projected onto the substrate P. Even in this case, the positional deviation can be corrected. This improves exposure accuracy.
  • the exposure apparatus EX includes an alignment system ALG that measures the state of the substrate P with respect to the substrate holder 4B, and a pattern projected onto a predetermined position on the substrate P based on the measurement result of the alignment system ALG.
  • a control data creation unit that creates first control data for controlling the driving of at least one of the fine movement stage 10S of the DMD 10, the optical system of the projection unit PLU, and the optical element OPE.
  • the drive control unit 304 controls driving of the fine movement stage 10S of the DMD 10, driving of the optical system of the projection unit PLU, and driving of the optical element OPE.
  • the pattern can be exposed onto the substrate P by correcting the positional deviation from the design position of the substrate P without lowering the throughput. Further, even if the amount of positional deviation is smaller than the minimum line width of the pattern projected onto the substrate P, the positional deviation can be corrected.
  • the exposure apparatus EX includes a correction data creation unit 302 that creates correction data for correcting the first control data based on the calibration result, and the drive control unit 304 creates the first control data.
  • the driving of the fine movement stage 10S of the DMD 10, the driving of the optical system of the projection unit PLU, and the driving of the optical element OPE are controlled. Accordingly, the pattern can be exposed onto the substrate P by correcting the positional deviation of each component of the exposure apparatus EX without lowering the throughput. Further, even when the positional deviation amount of each component of the exposure apparatus EX is smaller than the minimum line width of the pattern projected onto the substrate P, the positional deviation can be corrected.
  • the exposure apparatus EX includes interferometers IFY1 to IFY4 for measuring position information of the substrate holder 4B with respect to the surface plate 3 or the optical surface plate 5.
  • the predetermined pattern can be exposed on the designed position of the substrate P without lowering the throughput. Further, even if the positional deviation amount of the substrate holder 4B is smaller than the minimum line width of the pattern projected onto the substrate P, the positional deviation can be corrected.
  • the exposure apparatus EX according to the above embodiment can also be used when exposing another pattern to the substrate P already exposed with a predetermined pattern.
  • a second pattern different from the first pattern may be exposed.
  • the substrate P is exposed with a first pattern using an exposure apparatus that uses a mask substrate
  • the substrate P is exposed with a second pattern using the exposure apparatus EX according to the present embodiment.
  • FIG. 10 is a diagram showing a case where patterns for four display panels are exposed on one substrate P.
  • FIG. 10 it is assumed that patterns of four display panels PNL1 to PNL4 are exposed on one substrate P by the first exposure process.
  • hatched portions indicate regions exposed in the first exposure process, and black circles in each region indicate alignment marks AM.
  • the dotted line indicates the cutting line for separating each panel, and the dashed-dotted line indicates the position where the display panel PNL2 and its alignment mark AM should have been exposed in the first exposure process.
  • the pattern of the display panel PNL2 is exposed with a large deviation from the design position compared to the other display panels PNL1, PNL3, and PNL4.
  • the drawing data in the second exposure process is rewritten so as to match the exposed area of the display panel PNL2 in the first exposure process, it takes a long time to rewrite the drawing data, resulting in a decrease in throughput. Resulting in.
  • the second pattern can be exposed so as to match the exposed area of the first pattern of the display panel PNL2 as follows.
  • control data creation unit 301 creates first control data so that the deviation from the design position of the exposed region of the first pattern on display panel PNL2 is corrected.
  • the drive control unit 304 controls the driving of the fine movement stage 10S of the DMD 10 of the modules MU1 to MU27 and the optical system of the projection unit PLU based on the first control data, so that the first pattern is exposed deviated from the designed position.
  • the second pattern can be exposed in the exposed areas of the first pattern.
  • the first control data corresponding to the positional deviation of the exposed area from the designed position is created for each area of the display panels PNL1 to PNL4.
  • the exposure apparatus EX can expose the second pattern so as to match the exposed area of the first pattern without lowering the throughput. can do.
  • the distance D1 between the exposure area of the display panel PNL1 and the exposure area of the display panel PNL2 is the distance of the fine movement stage 10S of the DMD 10 when the pattern exposure of the display panel PNL1 is completed.
  • the substrate holder 4B moves the distance D1 longer than the time required to change from the state, the state of the optical system of the projection unit PLU, and the state of the optical element OPE to the state for exposing the display panel PNL2. It is preferable that the time is set to be longer.
  • the state of the fine movement stage 10S refers to relative positional information of the DMD 10 with respect to the substrate holder 4B, the XY stage 4A, the optical platen 5, and the platen 3, the inclination angle in the ⁇ z-axis direction, and the like.
  • the state of the optical system of the projection unit PLU means the first lens group 116, the second lens group 118, the first lens group 116 and the second lens group 116 with respect to the substrate holder 4B, the XY stage 4A, the optical surface plate 5, and the surface plate 3. It refers to relative position information of each lens included in the lens group 118 and the like.
  • the state of the optical element OPE refers to relative positional information of the optical element OPE with respect to the substrate holder 4B, the XY stage 4A, the optical platen 5, and the platen 3, and the like. If the optical element OPE is a pair of deflection prisms, the state of the optical element OPE includes the distance between the pair of deflection prisms and the rotation angle of each deflection prism. If the optical element OPE is a pair of parallel plates, the state of the optical element OPE includes the interval between the pair of parallel plates and the rotation angle of each parallel plate. Therefore, the exposure apparatus EX according to the above embodiment can expose the display panel PNL1 and the display panel PNL2 in one scanning exposure.
  • the DMD 10 moves slightly when the pattern exposure of the display panel PNL1 is completed while the exposure apparatus EX moves the distance D1 after exposing the exposure area of the display panel PNL1. At least one of the state of the stage 10S, the state of the optical system of the projection unit PLU, and the state of the optical element OPE is changed to a state for exposing the display panel PNL2, and the exposure area of the display panel PNL2 is exposed.
  • the exposure control device 300 (drive control unit 304) provided in the exposure apparatus EX moves the XY stage 4A in the scanning direction (X-axis direction) to expose the exposure area of the display panel PNL1 of the substrate P, and then the display panel.
  • the exposure area of PNL2 is exposed, and the setting of the exposure apparatus EX is changed while the projection optical system advances the distance D1 between the exposure areas of the display panels PNL1 and PNL2.
  • the exposure control device 300 (drive control unit 304) provided in the exposure apparatus EX changes the settings of the exposure apparatus EX by controlling the driving of the fine movement stage 10S of the DMD 10 or the projection optical system.
  • the control unit provided in the exposure apparatus EX includes an XY stage 4A, a fine movement stage driving unit 10D that changes at least one of the position and orientation of the spatial light modulator 10, and a first lens group 116 provided in the projection optical system. , the second lens group 118, and a driving unit that drives the optical element OPE, the exposure area of the display panel PNL1 and the exposure area of the display panel PNL2 aligned in the scanning direction (X-axis direction) on the substrate P are projected optically.
  • the XY stage 4A is driven so as to move to the same side in the scanning direction (X-axis direction) with respect to the optical axis of the system, and the exposure area of the display panel PNL1 on the substrate P moving in the scanning direction (X-axis direction). and the exposure area of the display panel PNL2 (distance D) intersects the optical axis. drive at least one of
  • the state of the fine movement stage 10S of the DMD 10 the state of the optical system of the projection unit PLU, and the state of the optical element OPE are the states for exposing the display panel PNL2. Since exposure processing can be continued without waiting for , the throughput can be improved.
  • the positional deviation from the design value of the exposed area in the first exposure process of the display panel PNL2 drives the fine movement stage 10S of the DMD 10, the optical system of the projection unit PLU, and the optical element OPE. If the amount is such that it cannot be corrected even if the projection position of the pattern is shifted, the exposure process is not started, and the relevant information is displayed on the display device provided in the exposure apparatus EX to determine whether or not to continue the exposure process.
  • the operator of the device EX may be allowed to make the selection. Alternatively, the exposure apparatus EX may output a warning. Alternatively, the operator may be allowed to select whether to continue the exposure process, stop the exposure process, or expose the substrate P to a pattern that is known to be defective.
  • the exposure result (exposure shape) of the first exposure process of the display panel PNL1 is not a square like PNL1 in FIG. 10, but a barrel shape like FIG. It may have a pincushion shape.
  • fine movement stage 10S of DMD 10, the optical system of projection unit PLU, and optical element OPE are driven in real time during exposure of display panel PNL1 based on the measurement result of alignment mark AM of display panel PNL1 by alignment system ALG.
  • the projection position of the pattern can be corrected at each position on the display panel PNL1.
  • the shape of the display panel PNL1 is not limited to this. As shown in FIG. include.
  • such an exposure result is not limited to PNL1, and PLN2 to PLN4 may also have similar exposure results.
  • the exposure apparatus EX can expose the display panel PNL1 and the display panel PNL3 in one scanning exposure.
  • the alignment system ALG measures the alignment mark AM of the display panel PNL1 (first measurement) and the alignment mark AM of the display panel PNL3 (second measurement). and alignment measurement of the two display panels PNL1 and PLN3.
  • the exposure apparatus EX according to the above-described embodiment can expose the display panel PNL1 and the display panel PNL2 in one scanning exposure.
  • the distance D1 between the exposure area of the display panel PNL1 and the exposure area of the display panel PNL2 can be set larger than the exposure field of the exposure module. Also, if there is no problem with accuracy, the distance D1 may be set smaller than the exposure field of view of the exposure module.
  • the modules MU1 to MU4 are used to expose the PNL3, and the modules MU5 to MU9 are used to expose the PNL1.
  • the modules MU1 to MU4 drive the fine movement stage 10S of the DMD 10, the optical system of the projection unit PLU, and the optical element OPE in real time based on the measurement result of the second measurement while the display panel PNL3 is being exposed. Exposure is performed while correcting the projection position of the pattern.
  • the modules MU5 to MU9 drive the fine movement stage 10S of the DMD 10, the optical system of the projection unit PLU, and the optical element OPE in real time based on the measurement result of the first measurement while the display panel PNL1 is being exposed, thereby driving the pattern projection position. Exposure is performed while correcting the As a result, exposure can be performed while correcting a plurality of panels PNL1 and PLN3 in one scanning exposure.
  • the modules MU1 to MU4 expose the display panel PNL3 and the modules MU5 to MU9 expose the display panel PNL1.
  • the exposure module group MU(B) and the exposure module group MU(C) are the same as the exposure module group MU(A).
  • the distance D1 between the exposure area of the display panel PNL1 and the exposure area of the display panel PNL2 is short, and while the substrate holder 4B moves the distance D1, the fine movement stage 10S of the DMD 10 is driven and the projection unit PLU is moved.
  • the information is displayed on the display device of the exposure apparatus EX so that the operator of the exposure apparatus EX can decide whether to continue the exposure process.
  • the operator may be allowed to select whether to continue the exposure process, stop the exposure process, or expose the substrate P to a pattern that is known to be defective.
  • the drive control unit 304 controls the driving of the fine movement stage 10S of the DMD 10, the driving of the optical system of the projection unit PLU, and the driving of the optical element OPE. It is not limited.
  • the drive control unit 304 may control the drive of any one of the fine movement stage 10S of the DMD 10, the optical system of the projection unit PLU, and the optical element OPE.
  • the amount of misalignment measured by alignment system ALG, calibration, and interferometers IFY1 to IFY4 exceeds a prescribed amount predetermined by the operator, exposure, continuation of exposure, or realignment is performed. It is also possible to predetermine, for example, redo as recipe information (exposure conditions).
  • the drive control unit 304 corrects the first control data or the second control data based on the measurement results of the interferometers IFY1 to IFY4. No correction is required.
  • the drive control unit 304 controls the driving of the fine movement stage 10S of the DMD 10, the driving of the optical system of the projection unit PLU, and the driving of the optical element OPE based on the first control data or the second control data. do it.

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Abstract

露光装置のスループットを向上するために、描画データに応じた空間光変調器によって生成されるパターン光を物体に対して露光する露光装置であって、前記空間光変調器に照明光を照射する照明光学系と、前記物体に前記パターン光を投影する投影光学系と、前記投影光学系の下方に配置され、前記物体を保持する第１移動体と、前記投影光学系の光軸と直交する所定平面内で互いに直交する第１方向と第２方向とへ前記第１移動体を移動させる第１駆動部と、前記空間光変調器を保持する第２移動体と、前記第２移動体を移動させる第２駆動部と、前記物体の位置情報と、前記第１移動体の位置情報と、の少なくとも一つを計測結果として得る計測部と、前記計測部で得られた前記計測結果に基づいて前記第２移動体の駆動と、前記投影光学系の調整と、の少なくとも一方を制御し、前記パターン光の露光位置を制御する制御部と、を備える。　

Description

露光装置及びデバイス製造方法
　露光装置及びデバイス製造方法に関する。
　従来、液晶や有機ＥＬによる表示パネル、半導体素子（集積回路等）等の電子デバイス（マイクロデバイス）を製造するリソグラフィ工程では、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（いわゆるステッパ）、あるいはステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置（いわゆるスキャニング・ステッパ（スキャナとも呼ばれる））などが使用されている。この種の露光装置は、ガラス基板、半導体ウェハ、プリント配線基板、樹脂フィルム等の被露光基板（以下、単に基板とも呼ぶ）の表面に塗布された感光層に電子デバイス用のマスクパターンを投影露光している。
　そのマスクパターンを固定的に形成するマスク基板の作製には時間と経費を要する為、マスク基板の代わりに、微少変位するマイクロミラーの多数を規則的に配列したデジタル・ミラー・デバイス（ＤＭＤ）等の空間光変調素子（可変マスクパターン生成器）を使用した露光装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に開示された露光装置では、例えば、波長３７５ｎｍのレーザダイオード（ＬＤ）からの光と波長４０５ｎｍのＬＤからの光とをマルチモードのファイバーバンドルで混合した照明光を、デジタル・ミラー・デバイス（ＤＭＤ）に照射し、傾斜制御された多数のマイクロミラーの各々からの反射光を結像光学系、マイクロレンズアレーを介して基板に投影露光している。
　露光装置のスループットの向上が望まれている。
特開２０１９－２３７４８号公報
　開示の態様によれば、露光装置は、描画データに応じた空間光変調器によって生成されるパターン光を物体に対して露光する露光装置であって、前記空間光変調器に照明光を照射する照明光学系と、前記物体に前記パターン光を投影する投影光学系と、前記投影光学系の下方に配置され、前記物体を保持する第１移動体と、前記投影光学系の光軸と直交する所定平面内で互いに直交する第１方向と第２方向とへ前記第１移動体を移動させる第１駆動部と、前記空間光変調器を保持する第２移動体と、前記第２移動体を移動させる第２駆動部と、前記物体の位置情報と、前記第１移動体の位置情報の少なくとも一つを含む計測結果を計測する計測部と、前記計測部で得られた前記計測結果に基づいて前記第２移動体の駆動と、前記投影光学系の調整と、の少なくとも一方を制御し、前記パターン光の露光位置を制御する制御部と、を備える。
　なお、後述の実施形態の構成を適宜改良しても良く、また、少なくとも一部を他の構成物に代替させても良い。更に、その配置について特に限定のない構成要件は、実施形態で開示した配置に限らず、その機能を達成できる位置に配置することができる。
図１は、一実施形態に係る露光装置の外観構成の概要を示す斜視図である。 図２は、複数の露光モジュールの各々の投影ユニットによって基板上に投射されるＤＭＤの投影領域の配置例を示す図である。 図３は、図２において、特定の４つの投影領域の各々による継ぎ露光の状態を説明する図である。 図４は、Ｘ方向（走査露光方向）に並ぶ２つの露光モジュールの具体的な構成をＸＺ面内で見た光学配置図である。 図５（Ａ）は、ＤＭＤを概略的に示す図であり、図５（Ｂ）は、電源がＯＦＦの場合のＤＭＤを示す図であり、図５（Ｃ）は、ＯＮ状態のミラーについて説明するための図であり、図５（Ｄ）は、ＯＦＦ状態のミラーについて説明するための図である。 図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、ＤＭＤと投影ユニットの第１レンズ群との間に設けられる光学素子について説明する図である。 図７は、露光装置の基板ホルダ上の端部に付設された較正用基準部に設けられるアライメント装置の概略構成を示す図である。 図８は、露光制御装置の機能構成を示す機能ブロック図である。 図９は、基板に露光処理をする場合の手順の概要を示すフローチャートである。 図１０は、１枚の基板に４枚の表示パネルのパターンを露光する場合について示す図である。 図１１（Ａ）～図１１（Ｃ）は、表示パネルの１回目の露光処理による露光結果の例を示す図である。
　一実施形態に係るパターン露光装置（以下、単に露光装置と記載する）について、図面を参照して説明する。
〔露光装置の全体構成〕
　図１は、一実施形態に係る露光装置ＥＸの外観構成の概要を示す斜視図である。露光装置ＥＸは、空間光変調素子（ＳＬＭ：Spatial Light Modulator）によって、空間内での強度分布が動的に変調される露光光を被露光基板に結像投影する装置である。空間光変調器の例としては、液晶素子、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ：Digital Micromirror Device）、磁気光学空間光変調器（ＭＯＳＬＭ：Magneto Optic Spatial Light Modulator）等が挙げられる。本実施形態に係る露光装置ＥＸは、空間光変調器としてＤＭＤ１０を備えるが、他の空間光変調器を備えていてもよい。
　特定の実施形態において、露光装置ＥＸは、表示装置（フラットパネルディスプレイ）などに用いられる矩形（角型）のガラス基板を露光対象物とするステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置（スキャナ）である。そのガラス基板は、少なくとも一辺の長さ、または対角長が５００ｍｍ以上であり、厚さが１ｍｍ以下のフラットパネルディスプレイ用の基板Ｐとする。露光装置ＥＸは、基板Ｐの表面に一定の厚みで形成された感光層（フォトレジスト）にＤＭＤで作られるパターンの投影像を露光する。露光後に露光装置ＥＸから搬出される基板Ｐは、現像工程の後に所定のプロセス工程（成膜工程、エッチング工程、メッキ工程等）に送られる。
　露光装置ＥＸは、アクティブ防振ユニット１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ（１ｄは不図示）上に載置されたペデスタル２と、ペデスタル２上に載置された定盤３と、定盤３上で２次元に移動可能なＸＹステージ４Ａと、ＸＹステージ４Ａを移動させる第１駆動部と、ＸＹステージ４Ａ上で基板Ｐを平面上に吸着保持する基板ホルダ４Ｂ（第１移動体）と、基板ホルダ４Ｂ（基板Ｐ）の２次元の移動位置を計測するレーザ測長干渉計（以下、単に干渉計とも呼ぶ）ＩＦＸ、ＩＦＹ１～ＩＦＹ４とで構成されるステージ装置を備える。このようなステージ装置は、例えば、米国特許公開第２０１０／００１８９５０号明細書、米国特許公開第２０１２／００５７１４０号明細書に開示されている。
　図１において、直交座標系ＸＹＺのＸＹ面はステージ装置の定盤３の平坦な表面と平行に設定され、ＸＹステージ４ＡはＸＹ面内で並進移動可能に設定される。また、本実施の形態では、座標系ＸＹＺのＸ軸と平行な方向がスキャン露光時の基板Ｐ（ＸＹステージ４Ａ）の走査移動方向に設定される。基板ＰのＸ軸方向の移動位置は干渉計ＩＦＸで逐次計測され、Ｙ軸方向の移動位置は、４つの干渉計ＩＦＹ１～ＩＦＹ４の内の少なくとも１つ（好ましくは２つ）以上によって逐次計測される。基板ホルダ４Ｂは、ＸＹステージ４Ａに対して、ＸＹ面と垂直なＺ軸の方向に微少移動可能、且つＸＹ面に対して任意の方向に微少傾斜可能に構成され、基板Ｐの表面と投影されたパターンの結像面とのフォーカス調整とレベリング（平行度）調整とがアクティブに行われる。更に基板ホルダ４Ｂは、ＸＹ面内での基板Ｐの傾きをアクティブに調整する為に、Ｚ軸と平行な軸線の回りに微少回転（θｚ回転）可能に構成されている。
　露光装置ＥＸは、更に、複数の露光（描画）モジュール群ＭＵ（Ａ）、ＭＵ（Ｂ）、ＭＵ（Ｃ）を保持する光学定盤５と、光学定盤５をペデスタル２から支持するメインコラム６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ（６ｄは不図示）とを備える。複数の露光モジュール群ＭＵ（Ａ）、ＭＵ（Ｂ）、ＭＵ（Ｃ）の各々は、光学定盤５の＋Ｚ方向側に取り付けられている。複数の露光モジュール群ＭＵ（Ａ）、ＭＵ（Ｂ）、ＭＵ（Ｃ）の各々は、光学定盤５の＋Ｚ方向側に取り付けられて、光ファイバーユニットＦＢＵからの照明光を入射する照明ユニットＩＬＵと、光学定盤５の－Ｚ方向側に取り付けられてＺ軸と平行な光軸を有する投影ユニットＰＬＵとを有する。更に露光モジュール群ＭＵ（Ａ）、ＭＵ（Ｂ）、ＭＵ（Ｃ）の各々は、照明ユニットＩＬＵからの照明光を－Ｚ方向に向けて反射させて、投影ユニットＰＬＵに入射させる光変調部としてのＤＭＤ１０を備える。照明ユニットＩＬＵ、ＤＭＤ１０、投影ユニットＰＬＵによる露光モジュールの詳細な構成は後述する。
　露光装置ＥＸの光学定盤５の－Ｚ方向側には、基板Ｐ上の所定の複数位置に形成されたアライメントマークを検出する複数のアライメント系（顕微鏡）ＡＬＧが取り付けられている。また、基板ホルダ４Ｂ上の－Ｘ方向の端部には、キャリブレーション用の較正用基準部ＣＵが設けられている。キャリブレーションは、アライメント系ＡＬＧの各々の検出視野のＸＹ面内での相対的な位置関係の確認（較正）、露光モジュール群ＭＵ（Ａ）、ＭＵ（Ｂ）、ＭＵ（Ｃ）の各々の投影ユニットＰＬＵから投射されるパターン像の各投影位置とアライメント系ＡＬＧの各々の検出視野の位置とのベースライン誤差の確認（較正）、及び投影ユニットＰＬＵから投射されるパターン像の位置や像質の確認の少なくとも１つを含む。なお、図１では一部を不図示としたが、露光モジュール群ＭＵ（Ａ）、ＭＵ（Ｂ）、ＭＵ（Ｃ）の各々は、本実施の形態では、一例として９つのモジュールがＹ方向に一定間隔で並べられるが、そのモジュール数は９つよりも少なくてもよいし、多くてもよい。また、図１では、Ｘ軸方向に露光モジュールを３列配置しているが、Ｘ軸方向に配置する露光モジュールの列の数は、２列以下でもよいし、４列以上であってもよい。
　図２は、露光モジュール群ＭＵ（Ａ）、ＭＵ（Ｂ）、ＭＵ（Ｃ）の各々の投影ユニットＰＬＵによって基板Ｐ上に投射されるＤＭＤ１０の投影領域ＩＡｎの配置例を示す図であり、直交座標系ＸＹＺは図１と同じに設定される。本実施の形態では、Ｘ方向（第１方向）に離間して配置される１列目の露光モジュール群ＭＵ（Ａ）、２列目の露光モジュール群ＭＵ（Ｂ）、３列目の露光モジュール群ＭＵ（Ｃ）の各々は、Ｙ方向（第２方向）に並べられた９つのモジュールで構成される。露光モジュール群ＭＵ（Ａ）は、＋Ｙ方向に配置された９つのモジュールＭＵ１～ＭＵ９で構成され、露光モジュール群ＭＵ（Ｂ）は、－Ｙ方向に配置された９つのモジュールＭＵ１０～ＭＵ１８で構成され、露光モジュール群ＭＵ（Ｃ）は、＋Ｙ方向に配置された９つのモジュールＭＵ１９～ＭＵ２７で構成される。モジュールＭＵ１～ＭＵ２７は全て同じ構成であり、露光モジュール群ＭＵ（Ａ）と露光モジュール群ＭＵ（Ｂ）とをＸ方向に関して向かい合わせの関係としたとき、露光モジュール群ＭＵ（Ｂ）と露光モジュール群ＭＵ（Ｃ）とはＸ方向に関して背中合わせの関係になっている。
　図２において、モジュールＭＵ１～ＭＵ２７の各々による投影領域ＩＡ１、ＩＡ２、ＩＡ３、・・・、ＩＡ２７（ｎを１～２７として、ＩＡｎと表すこともある）の形状は、一例として、ほぼ１：２の縦横比を持ってＹ方向に延びた長方形になっている。本実施の形態では、基板Ｐの＋Ｘ方向の走査移動に伴って、１列目の投影領域ＩＡ１～ＩＡ９の各々の－Ｙ方向の端部と、２列目の投影領域ＩＡ１０～ＩＡ１８の各々の＋Ｙ方向の端部とで継ぎ露光が行われる。そして、１列目と２列目の投影領域ＩＡ１～ＩＡ１８の各々で露光されなかった基板Ｐ上の領域は、３列目の投影領域ＩＡ１９～ＩＡ２７の各々によって継ぎ露光される。１列目の投影領域ＩＡ１～ＩＡ９の各々の中心点はＹ軸と平行な線ｋ１上に位置し、２列目の投影領域ＩＡ１０～ＩＡ１８の各々の中心点はＹ軸と平行な線ｋ２上に位置し、３列目の投影領域ＩＡ１９～ＩＡ２７の各々の中心点はＹ軸と平行な線ｋ３上に位置する。線ｋ１と線ｋ２のＸ方向の間隔は距離ＸＬ１に設定され、線ｋ２と線ｋ３のＸ方向の間隔は距離ＸＬ２に設定される。
　ここで、投影領域ＩＡ９の－Ｙ方向の端部と投影領域ＩＡ１０の＋Ｙ方向の端部との継ぎ部をＯＬａ、投影領域ＩＡ１０の－Ｙ方向の端部と投影領域ＩＡ２７の＋Ｙ方向の端部との継ぎ部をＯＬｂ、そして投影領域ＩＡ８の＋Ｙ方向の端部と投影領域ＩＡ２７の－Ｙ方向の端部との継ぎ部をＯＬｃとしたとき、その継ぎ露光の状態を図３にて説明する。図３において、直交座標系ＸＹＺは図１、図２と同一に設定され、投影領域ＩＡ８、ＩＡ９、ＩＡ１０、ＩＡ２７（及び、他の全ての投影領域ＩＡｎ）内の座標系Ｘ’Ｙ’は、直交座標系ＸＹＺのＸ軸、Ｙ軸（線ｋ１～ｋ３）に対して、角度θｋだけ傾くように設定される。即ち、ＤＭＤ１０の多数のマイクロミラーの２次元の配列が座標系Ｘ’Ｙ’となるように、ＤＭＤ１０の全体がＸＹ面内で角度θｋだけ傾けられている。
　図３中の投影領域ＩＡ８、ＩＡ９、ＩＡ１０、ＩＡ２７（及び、他の全ての投影領域ＩＡｎも同じ）の各々を包含する円形の領域は、投影ユニットＰＬＵの円形イメージフィールドＰＬｆ’を表す。継ぎ部ＯＬａでは、投影領域ＩＡ９の－Ｙ’方向の端部の斜め（角度θｋ）に並ぶマイクロミラーの投影像と、投影領域ＩＡ１０の＋Ｙ’方向の端部の斜め（角度θｋ）に並ぶマイクロミラーの投影像とがオーバーラップするように設定される。また、継ぎ部ＯＬｂでは、投影領域ＩＡ１０の－Ｙ’方向の端部の斜め（角度θｋ）に並ぶマイクロミラーの投影像と、投影領域ＩＡ２７の＋Ｙ’方向の端部の斜め（角度θｋ）に並ぶマイクロミラーの投影像とがオーバーラップするように設定される。同様に、継ぎ部をＯＬｃでは、投影領域ＩＡ８の＋Ｙ’方向の端部の斜め（角度θｋ）に並ぶマイクロミラーの投影像と、投影領域ＩＡ２７の－Ｙ’方向の端部の斜め（角度θｋ）に並ぶマイクロミラーの投影像とがオーバーラップするように設定される。
〔照明ユニットの構成〕
　図４は、図１、図２に示した露光モジュール群ＭＵ（Ｂ）中のモジュールＭＵ１８と、露光モジュール群ＭＵ（Ｃ）中のモジュールＭＵ１９との具体的な構成をＸＺ面内で見た光学配置図である。図４の直交座標系ＸＹＺは図１～図３の直交座標系ＸＹＺと同じに設定される。また、図２に示した各モジュールのＸＹ面内での配置から明らかなように、モジュールＭＵ１８はモジュールＭＵ１９に対して＋Ｙ方向に一定間隔だけずらされると共に、互いに背中合わせの関係で設置されている。モジュールＭＵ１８内の各光学部材とモジュールＭＵ１９内の各光学部材は、それぞれ同じ材料で同じに構成されるので、ここでは主にモジュールＭＵ１８の光学構成について詳細に説明する。なお、図１に示した光ファイバーユニットＦＢＵは、図２に示した２７個のモジュールＭＵ１～ＭＵ２７の各々に対応して、２７本の光ファイバー束ＦＢ１～ＦＢ２７で構成される。
　モジュールＭＵ１８の照明ユニットＩＬＵは、光ファイバー束ＦＢ１８の出射端から－Ｚ方向に進む照明光ＩＬｍを反射するミラー１００、ミラー１００からの照明光ＩＬｍを－Ｚ方向に反射するミラー１０２、コリメータレンズとして作用するインプットレンズ系１０４、照度調整フィルター１０６、マイクロ・フライ・アイ（ＭＦＥ）レンズやフィールドレンズ等を含むオプチカルインテグレータ１０８、コンデンサーレンズ系１１０、及び、コンデンサーレンズ系１１０からの照明光ＩＬｍをＤＭＤ１０に向けて反射する傾斜ミラー１１２とで構成される。ミラー１０２、インプットレンズ系１０４、オプチカルインテグレータ１０８、コンデンサーレンズ系１１０、並びに傾斜ミラー１１２は、Ｚ軸と平行な光軸ＡＸｃに沿って配置される。
　光ファイバー束ＦＢ１８は、１本の光ファイバー線、又は複数本の光ファイバー線を束ねて構成される。光ファイバー束ＦＢ１８（光ファイバー線の各々）の出射端から照射される照明光ＩＬｍは、後段のインプットレンズ系１０４でけられること無く入射するような開口数（ＮＡ、広がり角とも呼ぶ）に設定されている。インプットレンズ系１０４の前側焦点の位置は、設計上では光ファイバー束ＦＢ１８の出射端の位置と同じになるように設定される。さらに、インプットレンズ系１０４の後側焦点の位置は、光ファイバー束ＦＢ１８の出射端に形成される単一又は複数の点光源からの照明光ＩＬｍをオプチカルインテグレータ１０８のＭＦＥレンズ１０８Ａの入射面側で重畳させるように設定されている。従って、ＭＦＥレンズ１０８Ａの入射面は光ファイバー束ＦＢ１８の出射端からの照明光ＩＬｍによってケーラー照明される。なお、初期状態では、光ファイバー束ＦＢ１８の出射端のＸＹ面内での幾何学的な中心点が光軸ＡＸｃ上に位置し、光ファイバー線の出射端の点光源からの照明光ＩＬｍの主光線（中心線）は光軸ＡＸｃと平行（又は同軸）になっているものとする。
　インプットレンズ系１０４からの照明光ＩＬｍは、照度調整フィルター１０６で０％～９０％の範囲の任意の値で照度を減衰された後、オプチカルインテグレータ１０８（ＭＦＥレンズ１０８Ａ、フィールドレンズ等）を通って、コンデンサーレンズ系１１０に入射する。ＭＦＥレンズ１０８Ａは、数十μｍ角の矩形のマイクロレンズを２次元に多数配列したものであり、その全体の形状はＸＹ面内で、ＤＭＤ１０のミラー面全体の形状（縦横比が約１：２）とほぼ相似になるように設定される。また、コンデンサーレンズ系１１０の前側焦点の位置は、ＭＦＥレンズ１０８Ａの射出面の位置とほぼ同じになるように設定される。その為、ＭＦＥレンズ１０８Ａの多数のマイクロレンズの各射出側に形成される点光源からの照明光の各々は、コンデンサーレンズ系１１０によってほぼ平行な光束に変換され、傾斜ミラー１１２で反射された後、ＤＭＤ１０上で重畳されて均一な照度分布となる。ＭＦＥレンズ１０８Ａの射出面には、多数の点光源（集光点）が２次元的に密に配列した面光源が生成されることから、面光源化部材として機能する。
　図４に示すモジュールＭＵ１８内において、コンデンサーレンズ系１１０を通るＺ軸と平行な光軸ＡＸｃは、傾斜ミラー１１２で折り曲げられてＤＭＤ１０に至るが、傾斜ミラー１１２とＤＭＤ１０の間の光軸を光軸ＡＸｂとする。本実施の形態において、ＤＭＤ１０の多数のマイクロミラーの各々の中心点を含む中立面は、ＸＹ面と平行に設定されているものとする。従って、その中立面の法線（Ｚ軸と平行）と光軸ＡＸｂとの成す角度が、ＤＭＤ１０に対する照明光ＩＬｍの入射角θαとなる。ＤＭＤ１０は、照明ユニットＩＬＵの支持コラムに固設されたマウント部１０Ｍの下側に取り付けられる。マウント部１０Ｍには、ＤＭＤ１０の位置や姿勢を微調整する為に、例えば、国際公開特許２００６／１２０９２７号に開示されているようなパラレルリンク機構と伸縮可能なピエゾ素子を組み合わせた微動ステージ（第２移動体）１０Ｓが設けられる。微動ステージ１０Ｓは、微動ステージ駆動部１０Ｄ（第２駆動部）によりＸ方向、Ｙ方向に移動可能であり、θｚ（Ｚ軸）回転可能である。したがって、微動ステージ１０ＳがＸＹ方向に移動、あるいはθｚ回転をすることにより、ＤＭＤ１０をＸＹ方向に移動あるいはθｚ回転をさせることができる。また、変位センサ（不図示）を用いることにより微動ステージ１０Ｓの移動量あるいは回転量についてフィードバック制御を行うことができる。
［ＤＭＤの構成］
　図５（Ａ）は、ＤＭＤ１０を概略的に示す図であり、図５（Ｂ）は、電源がＯＦＦの場合のＤＭＤ１０を示す図であり、図５（Ｃ）は、ＯＮ状態のミラーについて説明するための図であり、図５（Ｄ）は、ＯＦＦ状態のミラーについて説明するための図である。なお、図５（Ａ）～図５（Ｄ）において、ＯＮ状態にあるミラーをハッチングで示している。
　ＤＭＤ１０は、反射角変更制御可能なマイクロミラー１０ａを複数有する。本実施形態において、ＤＭＤ１０は、ＯＮ状態とＯＦＦ状態とをマイクロミラー１０ａのロール方向傾斜とピッチ方向傾斜とで切り換えるロール＆ピッチ駆動方式のものとする。
　図５（Ｂ）に示すように、電源がオフの状態のとき、各マイクロミラー１０ａの反射面は、Ｘ’Ｙ’面と平行に設定される。各マイクロミラー１０ａのＸ’方向の配列ピッチをＰｄｘ（μｍ）、Ｙ’方向の配列ピッチをＰｄｙ（μｍ）とするが、実用上はＰｄｘ＝Ｐｄｙに設定される。
　各マイクロミラー１０ａは、Ｙ’軸周りに傾斜することでＯＮ状態となる。図５（Ｃ）では、中央のマイクロミラー１０ａのみをＯＮ状態とし、他のマイクロミラー１０ａはニュートラルな状態（ＯＮでもＯＦＦでもない状態）とした場合を示している。また、各マイクロミラー１０ａは、Ｘ’軸周りに傾斜することでＯＦＦ状態となる。図５（Ｄ）では、中央のマイクロミラー１０ａのみをＯＦＦ状態とし、他のマイクロミラー１０ａはニュートラルな状態とした場合を示している。なお、簡略化のため図示していないが、ＯＮ状態のマイクロミラー１０ａは、ＯＮ状態のマイクロミラー１０ａに照射された照明光がＸＺ平面のＸ方向に反射されるよう、Ｘ’Ｙ’平面から所定の角度傾くように駆動される。また、ＯＦＦ状態のマイクロミラー１０ａは、ＯＮ状態のマイクロミラー１０ａに照射された照明光がＹＺ面内のＹ方向に反射されるよう、Ｘ’Ｙ’平面から所定の角度傾くように駆動される。ＤＭＤ１０は、各マイクロミラー１０ａのＯＮ状態及びＯＦＦ状態を切り替えることで、露光パターンを生成する。
　ＯＦＦ状態のミラーによって反射された照明光は、不図示の光吸収体により吸収される。
　なお、ＤＭＤ１０を空間光変調器の一例として説明をしたため、レーザ光を反射する反射型として説明をしたが、空間光変調器は、レーザ光を透過する透過型でも良いし、レーザ光を回折する回折型でも良い。空間光変調器は、レーザ光を空間的に、且つ、時間的に変調することができる。
　図４に戻り、ＤＭＤ１０のマイクロミラー１０ａのうちのＯＮ状態のマイクロミラー１０ａに照射された照明光ＩＬｍは、投影ユニットＰＬＵに向かうようにＸＺ面内のＸ方向に反射される。一方、ＤＭＤ１０のマイクロミラー１０ａのうちのＯＦＦ状態のマイクロミラー１０ａに照射された照明光ＩＬｍは、投影ユニットＰＬＵに向かわないようにＹＺ面内のＹ方向に反射される。
　ＤＭＤ１０から投影ユニットＰＬＵの間の光路中には、非露光期間中にＤＭＤ１０からの反射光を遮蔽する為の可動シャッター１１４が挿脱可能に設けられている。可動シャッター１１４は、モジュールＭＵ１９側で図示したように、露光期間中は光路から退避する角度位置に回動され、非露光期間中はモジュールＭＵ１８側に図示したように、光路中に斜めに挿入される角度位置に回動される。可動シャッター１１４のＤＭＤ１０側には反射面が形成され、そこで反射されたＤＭＤ１０からの光は光吸収体１１７に照射される。光吸収体１１７は、紫外波長域（４００ｎｍ以下の波長）の光エネルギーを再反射させることなく吸収して熱エネルギーに変換する。その為、光吸収体１１７には放熱機構（放熱フィンや冷却機構）も設けられる。なお、図４では不図示ではあるが、露光期間中にＯＦＦ状態となるＤＭＤ１０のマイクロミラー１０ａからの反射光は、上述したように、ＤＭＤ１０と投影ユニットＰＬＵの間の光路に対してＹ方向（図４の紙面と直交した方向）に設置された同様の光吸収体（図４では不図示）によって吸収される。
〔投影ユニットの構成〕
　光学定盤５の下側に取り付けられた投影ユニットＰＬＵは、Ｚ軸と平行な光軸ＡＸａに沿って配置される第１レンズ群１１６と第２レンズ群１１８とで構成される両側テレセントリックな結像投影レンズ系として構成される。第１レンズ群１１６と第２レンズ群１１８は、それぞれ光学定盤５の下側に固設される支持コラムに対して、Ｚ軸（光軸ＡＸａ）に沿った方向に微動アクチュエータで並進移動するように構成される。第１レンズ群１１６と第２レンズ群１１８による結像投影レンズ系の投影倍率Ｍｐは、ＤＭＤ１０上のマイクロミラーの配列ピッチＰｄと、基板Ｐ上の投影領域ＩＡｎ（ｎ＝１～２７）内に投影されるパターンの最小線幅（最小画素寸法）Ｐｇとの関係で決められる。
　一例として、必要とされる最小線幅（最小画素寸法）Ｐｇが１μｍで、マイクロミラーの配列ピッチＰｄｘ及びＰｄｙがそれぞれ５．４μｍの場合、先の図３で説明した投影領域ＩＡｎ（ＤＭＤ１０）のＸＹ面内での傾き角θｋも考慮して、投影倍率Ｍｐは約１／６に設定される。レンズ群１１６、１１８による結像投影レンズ系は、ＤＭＤ１０のミラー面全体の縮小像を倒立／反転させて基板Ｐ上の投影領域ＩＡ１８（ＩＡｎ）に結像する。
　投影ユニットＰＬＵの第１レンズ群１１６は、投影倍率Ｍｐの微調整（±数十ｐｐｍ程度）する為にアクチュエータによって光軸ＡＸａ方向に微動可能とされ、第２レンズ群１１８はフォーカスの高速調整の為にアクチュエータによって光軸ＡＸａ方向に微動可能とされる。さらに、基板Ｐの表面のＺ軸方向の位置変化をサブミクロン以下の精度で計測する為に、光学定盤５の下側には、斜入射光式のフォーカスセンサー１２０が複数設けられている。複数のフォーカスセンサー１２０は、基板Ｐの全体的なＺ軸方向の位置変化、投影領域ＩＡｎ（ｎ＝１～２７）の各々に対応した基板Ｐ上の部分領域のＺ軸方向の位置変化、或いは基板Ｐの部分的な傾斜変化等を計測する。
　また、本実施形態において、ＤＭＤ１０と第１レンズ群１１６との間には、図６（Ａ）に示すような、２つの偏角プリズム６００ａ，６００ｂあるいは図６（Ｂ）に示すような、２枚の平行平板６０１ａ，６０１ｂが設けられている。以下、２つの偏角プリズム６００ａ，６００ｂと２枚の平行平板６０１ａ，６０１ｂとは特に限定がない限り光学素子ＯＰＥと呼ぶ。また、本実施形態では位置ずれを補正することを像シフトさせるとも言う。なお、本実施形態において、光学素子ＯＰＥは、ＤＭＤ１０と第１レンズ群１１６との間に設けられているが、これに限られるものではない。光学素子ＯＰＥは、第１レンズ群１１６と第２レンズ群との間、又は投影ユニットＰＬＵと基板Ｐとの間に設けられていてもよい。なお、投影ユニットＰＬＵと、光学素子ＯＰＥとによって、投影光学系が構成されている。
　以上のような照明ユニットＩＬＵと投影ユニットＰＬＵとは、先の図３で説明したように、ＸＹ面内で投影領域ＩＡｎが角度θｋだけ傾ける必要があるので、図４中のＤＭＤ１０と照明ユニットＩＬＵ（少なくとも光軸ＡＸｃに沿ったミラー１０２～ミラー１１２の光路部分）とが、全体的にＸＹ面内で角度θｋだけ傾くように配置されている。
［較正用基準部ＣＵの構成］
　図７は、露光装置ＥＸの基板ホルダ４Ｂ上の端部に付設された較正用基準部ＣＵに設けられるアライメント装置６０の概略構成を示す図である。アライメント装置６０は、基準マーク６０ａ、及び二次元撮像素子６０ｅ等を備える。アライメント装置６０は、各種モジュールの位置の計測及び較正のために使用され、アライメント系ＡＬＧの較正にも用いられる。
　各モジュールＭＵ１～ＭＵ２７の位置の計測は、較正用のＤＭＤパターンを投影ユニットＰＬＵでアライメント装置６０の基準マーク６０ａ上に投影し、基準マーク６０ａとＤＭＤパターンの相対位置を計測することで行われる。
　またアライメント系ＡＬＧの較正は、アライメント系ＡＬＧにて、アライメント装置６０の基準マーク６０ａを計測することで行うことができる。すなわち、アライメント系ＡＬＧにて、アライメント装置６０の基準マーク６０ａを計測することで、アライメント系ＡＬＧの位置を求めることができる。さらに、基準マーク６０ａを用いて、アライメント系ＡＬＧとモジュールＭＵ１～ＭＵ２７との相対位置を求めることが可能となる。
　また、アライメント系ＡＬＧは、基板ホルダ４Ｂ上に載置された基板Ｐ上のアライメントマークの位置を、アライメント装置６０の基準マーク６０ａを基準に計測することができる。
［露光制御装置の構成］
　上記構成を有する露光装置ＥＸにおいて行われる、走査露光処理を含む各種処理は、露光制御装置３００によって制御される。図８は、本実施形態に係る露光装置ＥＸが備える露光制御装置３００の機能構成を示す機能ブロック図である。
　露光制御装置３００は、描画データ記憶部３１０と、制御データ作成部３０１と、補正データ作成部３０２と、駆動制御部３０４と、露光制御部３０６と、を備える。
　描画データ記憶部３１０には、複数のモジュールＭＵｎ（ｎ＝１～２７）の各々で露光される表示パネル用のパターンの描画データが記憶されている。描画データ記憶部３１０は、図２に示した２７のモジュールＭＵ１～ＭＵ２７の各々のＤＭＤ１０に、パターン露光用の描画データＭＤ１～ＭＤ２７を送出する。モジュールＭＵｎ（ｎ＝１～２７）は、描画データＭＤｎに基づいてＤＭＤ１０のマイクロミラー１０ａを選択的に駆動して描画データＭＤｎに対応したパターンを生成し、基板Ｐに投影露光する。すなわち、描画データは、ＤＭＤ１０の各マイクロミラー１０ａのＯＮ状態とＯＦＦ状態とを切り換えさせるデータである。
　制御データ作成部３０１は、アライメント系ＡＬＧによる基板Ｐのアライメント計測結果に基づいて、第１制御データを作成し、駆動制御部３０４に出力する。第１制御データは、アライメント計測結果に基づいて基板Ｐの位置ずれを補正するように、各モジュールＭＵｎ（ｎ＝１～２７）が備えるＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓの駆動と、投影ユニットＰＬＵの光学系（第１レンズ群１１６及び第２レンズ群１１８）の駆動と、光学素子ＯＰＥの駆動と、を制御するためのデータである。
　より具体的には、ＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓを駆動させるときは、第１制御データに基づいて各モジュールＭＵ１～ＭＵ２７の微動ステージ１０Ｓの駆動量を定義する。微動ステージ駆動部１０Ｄによって駆動された微動ステージ１０ＳはＸ方向、Ｙ方向に移動され、あるいは、θｚ方向に回転される。その結果、基板Ｐに投影される投影像を像シフトさせることができる。
　また、投影ユニットＰＬＵの光学系を調整させるときは、第１制御データに基づいて各モジュールＭＵ１～ＭＵ２７の投影ユニットＰＬＵの駆動量あるいは投影ユニットＰＬＵ内のレンズの調整量を定義する。投影ユニットＰＬＵを駆動させる場合は、投影ユニットＰＬＵは投影ユニットＰＬＵに備えられるアクチュエータ等によって、第１レンズ群１１６あるいは第２レンズ群１１８の少なくとも一つのレンズ群をＸＹ平面内で移動させる。その結果、基板Ｐに投影される投影像を像シフトさせることができる。また、収差の観点から、投影ユニットＰＬＵは、第１レンズ群１１６及び第２レンズ群１１８の移動量を同一にして第１レンズ群１１６及び第２レンズ群１１８を移動させることがより好ましい。投影ユニットＰＬＵ内のレンズを調整するときは、第１レンズ群１１６及び第２レンズ群１１８に備えられるアクチュエータ等によって、第１レンズ群１１６あるいは第２レンズ群１１８内に設けられる少なくとも一つのレンズをＸＹ平面内で移動させる。その結果、基板Ｐに投影される投影像を像シフトさせることができる。
　また、各モジュールＭＵ１～ＭＵ２７のＤＭＤ１０と第１レンズ群１１６との間に設けられた２つの偏角プリズム６００ａ，６００ｂを駆動させるときは、第１制御データに基づいて２つの偏角プリズム６００ａ，６００ｂの駆動量を定義する。２つの偏角プリズムの間隔を制御することにより、基板Ｐに投影される投影像を像シフトさせることができる。また、２つの偏角プリズム６００ａ，６００ｂは、ＤＭＤ１０と第１レンズ群１１６との間だけではなく、第１レンズ群１１６と第２レンズ群１１８との間、第２レンズ群１１８と基板Ｐとの間にも設けることができる。
　さらに、各モジュールＭＵ１～ＭＵ２７のＤＭＤ１０と第１レンズ群１１６との間に設けられた２枚の平行平板６０１ａ，６０１ｂを駆動させるときは、第１制御データに基づいて２枚の平行平板６０１ａ，６０１ｂの駆動量を定義する。２枚の平行平板６０１ａ，６０１ｂをθｚ回転させる回転量を制御することにより、基板Ｐに投影される投影像を像シフトさせることができる。２枚の平行平板６０１ａ，６０１ｂは、ＤＭＤ１０と第１レンズ群１１６との間だけではなく、第１レンズ群１１６と第２レンズ群１１８との間、第２レンズ群１１８と基板Ｐとの間にも設けることができる。
　ここで、第１制御データを作成する理由について説明する。例えば、基板Ｐが設計位置からずれた位置で基板ホルダ４Ｂに載置されたとする。この場合、そのまま走査露光を行うと、描画データＭＤｎに基づいて生成したパターンが設計上の位置からずれて基板Ｐに露光されてしまう。このように位置ずれして載置された基板Ｐの所定の位置（設計上の位置）にパターンを露光する方法として、例えば、アライメント系ＡＬＧによる基板Ｐのアライメント計測結果に基づいて、位置ずれした基板Ｐに合わせて描画データＭＤｎを書き換えることが考えられる。しかしながら、表示パネル用の描画データＭＤｎはデータ量が多いため、書き換えに長い時間（例えば、４０分）がかかり、スループットを低下させるおそれがある。また、位置ずれ量が、基板Ｐに投影されるパターンの最小線幅（最小画素寸法）よりも小さい場合、描画データを変更しても当該位置ずれを補正することはできない。すなわち、描画データの変更では、精度的に補正が難しい場合がある。
　そこで、本実施形態では、アライメント系ＡＬＧによる基板Ｐのアライメント計測結果に基づいて、描画データＭＤｎを書き換えるのではなく、パターンの投影位置をずらして基板Ｐの設計値からの位置ずれを補正する。具体的には、ＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓと、投影ユニットＰＬＵの光学系と、光学素子ＯＰＥの少なくともいずれか一つの駆動を制御することによって、パターンの投影位置をずらす。これにより、基板Ｐの設計値からの位置ずれが補正できる。
　例えば、基板ＰがＺ軸周りに設計値からα度ずれて（α度回転して）配置されている場合には、ＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓを初期位置からα度、θｚ回転させ、ＤＭＤ１０のＸ方向及びＹ方向の位置を調整することによって、パターンを設計位置に投影することができる。
　なお、本実施形態では、モジュールＭＵｎ（ｎ＝１～２７）は、Ｘ方向及びＹ方向に並べられているため、制御データ作成部３０１は、モジュールＭＵｎ間の関係も考慮して、第１制御データを作成する。なお、第１制御データの作成時間は、例えば、数秒程度となる。
　補正データ作成部３０２は、露光処理と露光処理との間に、キャリブレーションが行われた場合、キャリブレーション結果に基づいて、補正データを作成し、駆動制御部３０４に出力する。補正データは、キャリブレーション結果に基づいて、露光装置ＥＸの各構成（例えば、モジュールＭＵｎ、アライメント系ＡＬＧ等）の位置ずれを補正するように、ＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓの駆動量と、投影ユニットＰＬＵの光学系の駆動量と、光学素子ＯＰＥの駆動量を補正するためのデータである。例えば、補正データには、各モジュールＭＵ１～ＭＵ２７について、ＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓの駆動量のオフセット値と、投影ユニットＰＬＵの光学系の駆動量のオフセット値と、光学素子ＯＰＥの駆動量のオフセット値が定義されている。
　ここで、補正データを作成する理由について説明する。例えば、露光装置ＥＸにおいて露光処理を繰り返していると、露光装置ＥＸの各構成の位置がずれてきてしまい、露光処理と露光処理との間にキャリブレーションが必要となる場合がある。一般的に、キャリブレーションが必要な場合、構成の設定のやり直しや、各構成の位置ずれを補正するよう描画データの書き換えを行うことが考えられる。
　しかしながら、キャリブレーション結果に基づいて、露光装置ＥＸの各構成の設定をやり直しや、描画データの書き換えを行うと、時間がかかり、スループットを低下させるおそれがある。また、位置ずれ量が、基板Ｐに投影されるパターンの最小線幅（最小画素寸法）よりも小さい場合、描画データを変更しても当該位置ずれを補正することはできない。すなわち、描画データの変更では、精度的に補正が難しい場合がある。
　そこで、本実施形態では、露光処理と露光処理との間にキャリブレーションを行う場合、キャリブレーションの結果に基づいて露光装置ＥＸの各構成の設定をやり直しや、描画データの書き換えを行うのではなく、露光装置ＥＸの各構成の位置ずれを補正するようＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓの駆動量と投影ユニットＰＬＵの光学系の駆動量と光学素子ＯＰＥの駆動量を補正する。補正データ作成部３０２は、このように、ＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓの駆動量と投影ユニットＰＬＵの光学系の駆動量と光学素子ＯＰＥの駆動量を補正するための補正データを作成する。
　駆動制御部３０４は、制御データ作成部３０１から入力された第１制御データを補正データ作成部３０２から入力された補正データによって補正した第２制御データを生成する。
　また、駆動制御部３０４は、補正データ作成部３０２で補正データを作成せずとも、制御データ作成部３０１から入力された第１制御データとキャリブレーション結果を組み合わせて第２制御データを生成しても良い。
　また、駆動制御部３０４は、干渉計ＩＦＹ１～ＩＦＹ４の計測結果に基づいて、第２制御データに含まれるＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓの駆動量と、投影ユニットＰＬＵの光学系の駆動量と、光学素子ＯＰＥの駆動量と、をリアルタイムに補正した駆動量制御データＣＤ１～ＣＤ２７を作成し、モジュールＭＵ１～ＭＵ２７に送出する。露光制御装置３００（駆動制御部３０４）は、ＸＹステージ４Ａを移動させる第１駆動部を制御してもよい。また、露光制御装置３００（駆動制御部３０４）は、微動ステージ駆動部１０Ｄを制御してもよい。また、露光制御装置３００（駆動制御部３０４）は、投影光学系内に設けられた第１レンズ群１１６、第２レンズ群１１８、光学素子ＯＰＥを駆動する駆動部を制御してもよい。
　ここで、駆動制御部３０４が、第２制御データをリアルタイムに補正する理由について説明する。基板Ｐの走査露光中に、基板ホルダ４Ｂが設計通りに移動しない（例えば、Ｘ方向に直進するはずが、蛇行しながら進むなど）場合がある。このように基板ホルダ４Ｂが設計通りに移動していない場合（例えば、所定のＸ方向位置における基板ホルダ４ＢのＹ方向の位置が設計値と異なる場合）、そのまま走査露光を行うと、描画データＭＤｎに基づいたパターンが設計上の位置からずれて基板Ｐに露光されてしまう。このとき、基板ホルダ４Ｂの位置ずれに追従するように描画データを書き換えることは時間的に難しい。また、位置ずれ量が、基板Ｐに投影されるパターンの最小線幅（最小画素寸法）よりも小さい場合、描画データを変更しても当該位置ずれを補正することはできない。すなわち、描画データの変更では、精度的に補正が難しい場合がある。
　そこで、本実施形態では、駆動制御部３０４は、干渉計ＩＦＹ１～ＩＦＹ４の計測結果に基づいて、第２制御データに含まれるＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓの駆動量と、投影ユニットＰＬＵの光学系の駆動量と、光学素子ＯＰＥの駆動量と、をリアルタイムに補正した駆動量制御データ（第３制御データ）ＣＤ１～ＣＤ２７により、モジュールＭＵ１～ＭＵ２を制御する。これにより、基板Ｐの位置ずれ、露光装置ＥＸの各構成の位置ずれ、及び走査露光中の基板ホルダ４Ｂの位置ずれを補正でき、パターンを基板Ｐに設計値通りに投影露光することが出来る。
　モジュールＭＵ１～ＭＵ２７は、走査露光中、駆動制御部３０４から送出された駆動量制御データＣＤ１～ＣＤ２７に基づいて、ＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓの駆動と、投影ユニットＰＬＵの光学系の駆動と、光学素子ＯＰＥの駆動と、を制御する。
　露光制御部（シーケンサー）３０６は、基板Ｐの走査露光（移動位置）に同期して、描画データ記憶部３１０からの描画データＭＤ１～ＭＤ２７のモジュールＭＵ１～ＭＵ２７への送出と、駆動制御部３０４からの駆動量制御データＣＤ１～ＣＤ２７の送出とを制御する。
［露光処理手順概要］
　次に、本実施形態に係る露光装置ＥＸにおける露光処理手順の概要について、図９を参照して説明する。図９は、初めて露光装置ＥＸを使用して基板Ｐに露光処理をする場合、又は、長期間使用していない露光装置ＥＸを使用して基板Ｐに露光処理をする場合の手順の概要を示すフローチャートである。以下の例では、基板Ｐに表示パネル等のパターンを走査露光する場合について説明する。
　図９に示す手順では、まず、露光装置ＥＸの初期キャリブレーションが行われる（ステップＳ１１）。初期キャリブレーションでは、アライメント系ＡＬＧ等による計測結果に基づいて、露光装置ＥＸの各構成の設定が較正される。例えば、モジュールＭＵ１～ＭＵ２７の位置、モジュールＭＵ１～ＭＵ２７それぞれの照明ユニットＩＬＵ、ＤＭＤ１０、及び投影ユニットＰＬＵの初期位置や初期姿勢、基板ホルダ４Ｂの傾きなどが補正される。
　次に、複数のモジュールＭＵｎ（ｎ＝１～２７）の各々で露光される表示パネル用のパターンの描画データが描画データ記憶部３１０にロードされる（ステップＳ１３）。
　次に、露光装置ＥＸ本体部に基板Ｐが搬入され、基板ホルダ４Ｂ上に載置される（ステップＳ１５）。
　次に、基板Ｐ上の所定の複数位置に形成されたアライメントマークを複数のアライメント系ＡＬＧにて計測する（ステップＳ１７）。
　次に、アライメント系ＡＬＧによる計測結果に基づいて、制御データ作成部３０１が、基板Ｐの位置ずれを補正するようにＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓの駆動量と、投影ユニットＰＬＵの光学系の駆動量と、光学素子ＯＰＥの駆動量と、を規定した第１制御データを作成する（ステップＳ１９）。
　次に、モジュールＭＵｎ（ｎ＝１～２７）は、描画データＭＤｎと駆動量制御データＣＤｎと、に基づいて表示パネル等のパターンを基板Ｐ上に走査露光する（ステップＳ２１）。このときの駆動量制御データＣＤｎは、干渉計ＩＦＹ１～ＩＦＹ４の計測結果（すなわち、基板ホルダ４Ｂの位置）に基づいて第１制御データをリアルタイムに補正して得られるデータ（第４制御データ）である。
　走査露光処理が終了すると、基板Ｐが搬出される（ステップＳ２３）。
　次に、キャリブレーションが必要か否か判断される（ステップＳ２５）。例えば、前回のキャリブレーション後、走査露光処理した基板Ｐの数が所定枚数（例えば、１０枚）に達した場合キャリブレーションが必要と判断される。あるいは、毎日、所定の時刻を過ぎた場合に、キャリブレーションが必要と判断される。
　キャリブレーションが不要の場合（ステップＳ２５／ＮＯ）、ステップＳ１５に戻る。一方、キャリブレーションが必要な場合（ステップＳ２５／ＹＥＳ）、キャリブレーションが行われる（ステップＳ２７）。
　次に、補正データ作成部３０２は、ステップＳ２７におけるキャリブレーション結果に基づいて、露光装置ＥＸの各装置の位置ずれを補正するようＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓの駆動量や投影ユニットＰＬＵの光学系の駆動量や光学素子ＯＰＥの駆動量を補正するための補正データを作成する（ステップＳ２９）。
　次に、露光装置ＥＸ本体部に新たな基板Ｐが搬入され、基板ホルダ４Ｂ上に載置される（ステップＳ３１）。
　次に、新たに搬入された基板Ｐ上の所定の複数位置に形成されたアライメントマークを複数のアライメント系ＡＬＧにて計測する（ステップＳ３３）。
　次に、アライメント系ＡＬＧによる計測結果に基づいて、制御データ作成部３０１が、基板Ｐの位置ずれを補正するようにＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓの駆動量と、投影ユニットＰＬＵの光学系の駆動量と、光学素子ＯＰＥの駆動量と、を規定した第１制御データを作成する（ステップＳ３５）。
　次に、駆動制御部３０４は、ステップＳ３５で作成された第１制御データをステップＳ２９で作成した補正データによって補正した第２制御データを生成する（ステップＳ３７）。
　なお、ステップＳ２９を省略し、駆動制御部３０４は、第１制御データとキャリブレーション結果とに基づいて第２制御データを作成してもよい。
　次に、モジュールＭＵｎ（ｎ＝１～２７）は、描画データＭＤｎと駆動量制御データＣＤｎと、に基づいて表示パネル等のパターンを基板Ｐ上に走査露光する（ステップＳ３９）。このときの駆動量制御データＣＤｎは、干渉計ＩＦＹ１～ＩＦＹ４の計測結果（すなわち、基板ホルダ４Ｂの位置）に基づいて第２制御データをリアルタイムに補正して得られるデータ（第３制御データ）である。
　走査露光処理が終了すると、基板Ｐが搬出される（ステップＳ４１）。
　次に、キャリブレーションが必要か否か判断される（ステップＳ４３）。例えば、前回のキャリブレーション後、走査露光処理した基板Ｐの数が所定枚数（例えば、１０枚）に達した場合キャリブレーションが必要と判断される。
　キャリブレーションが不要の場合（ステップＳ４３／ＮＯ）、ステップＳ３１に戻る。一方、キャリブレーションが必要な場合（ステップＳ４３／ＹＥＳ）、キャリブレーションが行われる（ステップＳ２７）。
　このようにして、所定の枚数の表示パネルの製造が終わるまで、図９の処理が繰り返される。なお、ステップＳ２５～ステップＳ２９の処理を省略してもよい。この場合、ステップＳ３１以降の処理は行わず、ステップＳ２３の終了後、ステップＳ１５に戻ればよい。この場合、ステップＳ２１において、駆動制御部３０４は、第１制御データを干渉計ＩＦＹ１～ＩＦＹ４の計測結果（すなわち、基板ホルダ４Ｂの位置）に基づいてリアルタイムに補正した駆動量制御データＣＤｎを各モジュールＭＵｎに送出すればよい。
　以上、詳細に説明したように、本実施形態によれば、露光装置ＥＸは、基板ホルダ４Ｂと、描画データＭＤｎ（ｎ＝１～２７）に対応したパターンを生成するＤＭＤ１０と、ＤＭＤ１０それぞれに照明光を照射する複数の照明ユニットＩＬＵと、ＤＭＤ１０それぞれにより形成されるパターンを、基板ホルダ４Ｂ上に載置された基板Ｐ上に投影する複数の投影ユニットＰＬＵと、をそれぞれ含む複数のモジュールＭＵ１～ＭＵ２７と、を備える。露光装置ＥＸは、さらに、描画データＭＤｎを変更せずに、基板Ｐの状態、基板ホルダ４Ｂの状態、及び露光装置ＥＸの状態の少なくとも１つに応じて、モジュールＭＵ１～ＭＵ２７それぞれのＤＭＤ１０の駆動と、投影ユニットＰＬＵの駆動と、光学素子ＯＰＥの駆動と、を制御する駆動制御部３０４を備える。基板Ｐの状態、基板ホルダ４Ｂの状態、及び露光装置ＥＸの状態の少なくとも１つに応じて、基板Ｐの所定の位置に所定のパターンが露光されるように描画データＭＤｎを書き換える場合、描画データＭＤｎの書き換えに時間がかかり、露光装置ＥＸのスループットが低下する。駆動制御部３０４は、描画データＭＤｎを変更せずに、基板Ｐの状態、基板ホルダ４Ｂの状態、及び露光装置ＥＸの状態の少なくとも１つに応じてＤＭＤ１０の駆動と、投影ユニットＰＬＵの駆動と、光学素子ＯＰＥの駆動と、を制御するため、露光装置ＥＸのスループットの低下を抑制しつつ、基板Ｐの所定の位置に所定のパターンを露光することができる。また、位置ずれ量が基板Ｐに投影されるパターンの最小線幅（最小画素寸法）よりも小さい場合、描画データの書き換えでは位置ずれを補正することが難しい。本実施形態では、ＤＭＤ１０の駆動と、投影ユニットＰＬＵの駆動と、光学素子ＯＰＥの駆動と、により位置ずれを補正するので、位置ずれ量が基板Ｐに投影されるパターンの最小線幅よりも小さい場合でも、位置ずれを補正することができる。これにより、露光精度が向上する。
　また、本実施形態において、露光装置ＥＸは、基板ホルダ４Ｂに対する基板Ｐの状態を計測するアライメント系ＡＬＧと、アライメント系ＡＬＧによる計測結果に基づいて、パターンが基板Ｐの所定の位置に投影されるように、ＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓと、投影ユニットＰＬＵの光学系と、光学素子ＯＰＥと、の少なくとも一つの駆動を制御する第１制御データを作成する制御データ作成部と、を備る。そして、駆動制御部３０４は、第１の制御データに基づいて、ＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓの駆動と、投影ユニットＰＬＵの光学系の駆動と、光学素子ＯＰＥの駆動と、を制御する。これにより、スループットを低下させることなく、基板Ｐの設計位置からの位置ずれを補正して、パターンを基板Ｐに露光することができる。また、位置ずれ量が基板Ｐに投影されるパターンの最小線幅よりも小さい場合でも、位置ずれを補正することができる。
　また、本実施形態において、露光装置ＥＸは、キャリブレーション結果に基づいて、第１制御データを補正する補正データを作成する補正データ作成部３０２を備え、駆動制御部３０４は、第１制御データを補正データによって補正した第２制御データに基づいて、ＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓの駆動と、投影ユニットＰＬＵの光学系の駆動と、光学素子ＯＰＥの駆動と、を制御する。これにより、スループットを低下させることなく、露光装置ＥＸの各構成の位置ずれを補正して、パターンを基板Ｐに露光することができる。また、露光装置ＥＸの各構成の位置ずれ量が基板Ｐに投影されるパターンの最小線幅よりも小さい場合でも、位置ずれを補正することができる。
　また、本実施形態において、露光装置ＥＸは、定盤３あるいは光学定盤５に対する基板ホルダ４Ｂの位置情報を計測する干渉計ＩＦＹ１～ＩＦＹ４を備え、駆動制御部３０４は、干渉計ＩＦＹ１～ＩＦＹ４により計測された基板ホルダ４Ｂの位置情報に基づいて、第２制御データを補正した駆動量制御データＣＤｎ（ｎ＝１～２７）に基づいて、各モジュールＭＵｎのＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓの駆動と、投影ユニットＰＬＵの光学系の駆動と、光学素子ＯＰＥの駆動と、を制御する。これにより、走査露光期間中に、基板ホルダ４Ｂが設計値通りに移動していない場合でも、スループットを低下させることなく、所定のパターンを基板Ｐの設計上の位置に露光することができる。また、基板ホルダ４Ｂの位置ずれ量が基板Ｐに投影されるパターンの最小線幅よりも小さい場合でも、位置ずれを補正することができる。
（変形例）
　上記実施形態に係る露光装置ＥＸは、所定のパターンを露光済みの基板Ｐに対して、別のパターンを露光する場合にも使用することができる。
　フラットパネルディスプレイの製造では、基板Ｐに第１のパターンを露光した後に、第１のパターンと異なる第２のパターンを露光する場合がある。例えば、１回目ではマスク基板を使用する露光装置にて第１のパターンを基板Ｐに露光し、２回目に本実施形態にかかる露光装置ＥＸにて第２のパターンを基板Ｐに露光する。
　図１０は、１枚の基板Ｐに４枚の表示パネル用のパターンを露光する場合について示す図である。図１０の例では、１回目の露光処理によって、１枚の基板Ｐに４枚の表示パネルＰＮＬ１～ＰＮＬ４のパターンが露光されているものとする。図１０において、ハッチング部分は、１回目の露光処理で露光された領域を示し、各領域における黒丸はアライメントマークＡＭを示している。また、図１０において、点線は、各パネルを切り離すときの切断線を示し、一点鎖線は、１回目の露光処理で表示パネルＰＮＬ２及びそのアライメントマークＡＭが露光されるべきであった位置を示している。
　図１０の例では、表示パネルＰＮＬ２のパターンが、他の表示パネルＰＮＬ１、ＰＮＬ３、ＰＮＬ４と比較して設計位置から大きくずれて露光されている。このような場合、表示パネルＰＮＬ２の１回目の露光処理による露光済領域に合うように、２回目の露光処理の描画データを書き換えると、描画データの書き換えに長い時間がかかってしまい、スループットが低下してしまう。
　このような場合、上記実施形態に係る露光装置ＥＸによれば、以下のようにして表示パネルＰＮＬ２の第１のパターンの露光済領域に合うように、第２のパターンを露光することができる。
　まず、アライメント系ＡＬＧによって表示パネルＰＮＬ１～ＰＮＬ４の第１のパターンが実際に露光されている領域の位置を計測する。制御データ作成部３０１は、アライメント系ＡＬＧの計測結果に基づいて、表示パネルＰＮＬ２の第１のパターンの露光済領域の設計位置からのずれが補正されるように、第１制御データを作成する。駆動制御部３０４が、第１制御データに基づいてモジュールＭＵ１～ＭＵ２７のＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓ及び投影ユニットＰＬＵの光学系の駆動を制御することで、設計位置からずれて第１のパターンが露光された表示パネルＰＮＬ２について、第１のパターンの露光済領域に第２のパターンを露光することができる。
　すなわち、変形例では、表示パネルＰＮＬ１～ＰＮＬ４の領域ごとに、露光済領域の設計位置からの位置ずれに応じた第１制御データを作成しているともいえる。
　このように、第１のパターンを複数個露光済みの１枚の基板Ｐに対して、第１のパターンの露光済領域に第２のパターンを重ね合わせて露光しなければならない場合に、第１のパターンの露光済領域が設計位置からずれていたとしても、本実施形態に係る露光装置ＥＸでは、スループットを低下させることなく、第２のパターンを第１のパターンの露光済領域に合わせて露光することができる。
　なお、このとき、表示パネルＰＮＬ１の露光領域と表示パネルＰＮＬ２の露光領域との間の距離Ｄ１は、像シフトさせるために、表示パネルＰＮＬ１のパターンの露光を終了したときのＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓの状態と、投影ユニットＰＬＵの光学系の状態と、光学素子ＯＰＥの状態と、から表示パネルＰＮＬ２を露光するための状態に変更するまでに必要な時間よりも、基板ホルダ４Ｂが距離Ｄ１を移動する時間の方が長くなるように設定されていることが好ましい。ここで、微動ステージ１０Ｓの状態とは、基板ホルダ４ＢやＸＹステージ４Ａや光学定盤５や定盤３に対するＤＭＤ１０の相対位置情報やθｚ軸方向の傾き角度などを指す。また、投影ユニットＰＬＵの光学系の状態とは、基板ホルダ４ＢやＸＹステージ４Ａや光学定盤５や定盤３に対する第1レンズ群１１６、第２レンズ群１１８、第１レンズ群１１６と第２レンズ群１１８とに含まれる各レンズの相対位置情報などを指す。さらに、光学素子ＯＰＥの状態とは、基板ホルダ４ＢやＸＹステージ４Ａや光学定盤５や定盤３に対する光学素子ＯＰＥの相対位置情報などを指す。また、光学素子ＯＰＥが一対の偏角プリズムであれば、一対の偏角プリズムの間隔や、各偏角プリズムの回転角なども光学素子ＯＰＥの状態に含まれる。また、光学素子ＯＰＥが一対の平行平板であれば、一対の平行平板の間隔や、各平行平板の回転角なども光学素子ＯＰＥの状態に含まれる。したがって、上記実施形態に係る露光装置ＥＸは、一度の走査露光で表示パネルＰＮＬ１と表示パネルＰＮＬ２とを露光することができる。また、露光装置ＥＸは、一度の走査露光で露光する場合に、表示パネルＰＮＬ１の露光領域を露光した後、距離Ｄ１を進む間に、表示パネルＰＮＬ１のパターンの露光を終了したときのＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓの状態と、投影ユニットＰＬＵの光学系の状態と、光学素子ＯＰＥの状態の少なくとも一つを、表示パネルＰＮＬ２を露光するための状態に変更し、表示パネルＰＮＬ２の露光領域を露光する。
　露光装置ＥＸが備える露光制御装置３００（駆動制御部３０４）は、ＸＹステージ４Ａを走査方向（Ｘ軸方向）に移動させて、基板Ｐの表示パネルＰＮＬ１の露光領域を露光させた後、表示パネルＰＮＬ２の露光領域を露光させ、投影光学系が表示パネルＰＮＬ１の露光領域と表示パネルＰＮＬ２の露光領域との間の距離Ｄ１を進む間に露光装置ＥＸの設定を変更する。
　露光装置ＥＸが備える露光制御装置３００（駆動制御部３０４）は、ＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓ、または、投影光学系の駆動を制御することにより、露光装置ＥＸの設定を変更する。
　また、露光装置ＥＸが備える制御部は、ＸＹステージ４Ａと、空間光変調器１０の位置及び姿勢の少なくとも一方を変化させる微動ステージ駆動部１０Ｄと、投影光学系内に設けられ第１レンズ群１１６、第２レンズ群１１８、光学素子ＯＰＥを駆動する駆動部と、を制御し、基板Ｐ上で走査方向（Ｘ軸方向）に並ぶ表示パネルＰＮＬ１の露光領域と表示パネルＰＮＬ２の露光領域が投影光学系の光軸に対して走査方向（Ｘ軸方向）の同じ側に移動するようにＸＹステージ４Ａを駆動するとともに、走査方向（Ｘ軸方向）に移動する基板Ｐ上で表示パネルＰＮＬ１の露光領域と表示パネルＰＮＬ２の露光領域との間の領域（距離Ｄ）が前記光軸と交差する状態で微動ステージ駆動部１０Ｄと第１レンズ群１１６、第２レンズ群１１８、光学素子ＯＰＥを駆動する駆動部との少なくとも一方を駆動する。
　距離Ｄ１が上記のように設定されていれば、ＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓの状態と、投影ユニットＰＬＵの光学系の状態と、光学素子ＯＰＥの状態と、が表示パネルＰＮＬ２の露光を行うための状態となるのを待つことなく、露光処理を継続することができるため、スループットを向上できる。
　なお、例えば、表示パネルＰＮＬ２の１回目の露光処理による露光済領域の設計値からの位置ずれが、ＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓと、投影ユニットＰＬＵの光学系と、光学素子ＯＰＥと、を駆動してパターンの投影位置をずらしても補正できないほどの量である場合には、露光処理を開始せず、当該情報を露光装置ＥＸが備える表示装置に表示して、露光処理を続けるか否かを露光装置ＥＸのオペレータに選択させるようにしてもよい。または、露光装置ＥＸがワーニングを出力するようにしてもよい。または、オペレータが、露光処理を続けるか、露光処理を中止するか、基板Ｐに対して不良品であることがわかるようなパターンを露光するか、を選択できるようにしてもよい。
　また、表示パネルＰＮＬ１の１回目の露光処理による露光結果（露光形状）は、図１０のＰＮＬ１のような四角形ではなく、図１１（Ａ）のような樽型形状や図１１（Ｂ）のような糸巻き型形状となる場合がある。このような場合、表示パネルＰＮＬ１に２回目の露光を行う際、表示パネルＰＮＬ１の各位置において像シフトさせながら露光する必要がある。そこで、アライメント系ＡＬＧによる表示パネルＰＮＬ１のアライメントマークＡＭの計測結果に基づいて、表示パネルＰＮＬ１を露光中にリアルタイムでＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓと投影ユニットＰＬＵの光学系と光学素子ＯＰＥとを駆動させる。それにより、表示パネルＰＮＬ１の各位置においてパターンの投影位置を補正することができる。また、表示パネルＰＮＬ１の形状はこれに限られず、図１１（Ｃ）のようにＰＮＬ１の右側が樽型形状で、ＰＮＬ１の左側が糸巻き形状といったような、２つの形状を組み合わせたような場合も含む。さらに、このような露光結果はＰＮＬ１に限られず、ＰＬＮ２～４にも同様の露光結果となる場合がある。
　また、上記実施形態に係る露光装置ＥＸは、一度の走査露光で表示パネルＰＮＬ１と表示パネルＰＮＬ３とを露光することができる。表示パネルＰＮＬ１と表示パネルＰＮＬ３とを同時に露光するために、アライメント系ＡＬＧは、表示パネルＰＮＬ１のアライメントマークＡＭの計測（第１計測）と、表示パネルＰＮＬ３のアライメントマークＡＭの計測（第２計測）と、の２つの表示パネルＰＮＬ１，ＰＬＮ３のアライメント計測を行う。第１計測を行うことで、表示パネルＰＮＬ１の露光結果を計測でき、第２計測を行うことで表示パネルＰＮＬ３の露光結果を計測できる。また、上記実施形態に係る露光装置ＥＸは、一度の走査露光で表示パネルＰＮＬ１と表示パネルＰＮＬ２とを露光することができる。表示パネルＰＮＬ１の露光領域と表示パネルＰＮＬ２の露光領域との間の距離Ｄ１は、露光モジュールの露光視野より大きく設定することができる。また、精度に問題が無い場合は、距離Ｄ１は、露光モジュールの露光視野より小さく設定してもよい。
　さらに、露光モジュール群ＭＵ（Ａ）では、モジュールＭＵ１～ＭＵ４を使ってＰＮＬ３を露光し、モジュールＭＵ５～ＭＵ９を使ってＰＮＬ１を露光する。この時、モジュールＭＵ１～ＭＵ４は、表示パネルＰＮＬ３を露光中に、第２計測の計測結果に基づいて、リアルタイムでＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓと投影ユニットＰＬＵの光学系と光学素子ＯＰＥとを駆動させてパターンの投影位置を補正しながら露光を行う。モジュールＭＵ５～ＭＵ９は、表示パネルＰＮＬ１を露光中に、第１計測の計測結果に基づいてリアルタイムでＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓと投影ユニットＰＬＵの光学系と光学素子ＯＰＥとを駆動させてパターンの投影位置を補正しながら露光を行う。これにより、一度の走査露光で複数のパネルＰＮＬ１とＰＬＮ３とを補正しながら露光を行うことができる。
　ここで、モジュールＭＵ１～ＭＵ４が表示パネルＰＮＬ３を露光し、モジュールＭＵ５～ＭＵ９が表示パネルＰＮＬ１を露光するとしたが、適宜設定されるものとする。また、露光モジュール群ＭＵ（Ｂ）、露光モジュール群ＭＵ（Ｃ）についても、露光モジュール群ＭＵ（Ａ）と同様である。
　また、例えば、表示パネルＰＮＬ１の露光領域と表示パネルＰＮＬ２の露光領域との間の距離Ｄ１が短く、基板ホルダ４Ｂが距離Ｄ１を移動する間に、ＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓの駆動、投影ユニットＰＬＵの光学系の駆動、又は光学素子ＯＰＥの駆動が間に合わない場合にも、当該情報を露光装置ＥＸが備える表示装置に表示して、露光処理を続けるか否かを露光装置ＥＸのオペレータに選択させるようにしてもよい。または、オペレータが、露光処理を続けるか、露光処理を中止するか、基板Ｐに対して不良品であることがわかるようなパターンを露光するか、を選択できるようにしてもよい。
　なお、上記実施形態及び変形例において、駆動制御部３０４は、ＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓの駆動と、投影ユニットＰＬＵの光学系の駆動と、光学素子ＯＰＥの駆動と、を制御するとしたが、これに限られるものではない。駆動制御部３０４は、ＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓと、投影ユニットＰＬＵの光学系と、光学素子ＯＰＥと、のいずれか一つの駆動を制御すればよい。なお、アライメント系ＡＬＧ、キャリブレーション、干渉計ＩＦＹ１～ＩＦＹ４で計測された位置ずれ量が、オペレータが事前に定めた規定量を超えたときに、露光するか、露光を継続するか、アライメントを再度し直す等をレシピ情報（露光条件）としてあらかじめ決めておいてもよい。
　また、上記実施形態では、駆動制御部３０４は、第１制御データ又は第２制御データを干渉計ＩＦＹ１～ＩＦＹ４の計測結果に基づいて補正していたが、干渉計ＩＦＹ１～ＩＦＹ４の計測結果に基づく補正を行わなくてもよい。この場合、駆動制御部３０４は、第１制御データ又は第２制御データに基づいて、ＤＭＤ１０の微動ステージ１０Ｓの駆動と、投影ユニットＰＬＵの光学系の駆動と、光学素子ＯＰＥの駆動と、を制御すればよい。
　上述した実施形態は本発明の好適な実施の例である。但し、これに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施可能である。
４Ｂ　基板ホルダ
１０　ＤＭＤ
１０ａ　マイクロミラー
１０Ｓ　微動ステージ
１１６　第１レンズ群
１１８　第２レンズ群
３００　露光制御装置
３０１　制御データ作成部
３０２　補正データ作成部
３０４　駆動制御部
ＡＬＧ　アライメント系
ＥＸ　露光装置
ＩＦＹ１～ＩＦＹ４　干渉計
ＭＵ１～ＭＵ２７　モジュール
Ｐ　基板
ＰＬＵ　投影ユニット
　

Claims (16)

  1. 　描画データに応じた空間光変調器によって生成されるパターン光を物体に対して露光する露光装置であって、
    　前記空間光変調器に照明光を照射する照明光学系と、
    　前記物体に前記パターン光を投影する投影光学系と、
    　前記投影光学系の下方に配置され、前記物体を保持する第１移動体と、
    　前記投影光学系の光軸と直交する所定平面内で互いに直交する第１方向と第２方向とへ前記第１移動体を移動させる第１駆動部と、
    　前記空間光変調器を保持する第２移動体と、
    　前記第２移動体を移動させる第２駆動部と、
    　前記物体の位置情報と、前記第１移動体の位置情報と、の少なくとも一つを含む計測結果を得る計測部と、
    　前記計測部で得られた前記計測結果に基づいて前記第２移動体の駆動と、前記投影光学系の調整と、の少なくとも一方を制御し、前記パターン光の露光位置を制御する制御部と、
    を備える、露光装置。
  2. 　前記投影光学系は一対の光学素子を有し、
    　前記制御部は、前記計測結果に基づいて、前記一対の光学素子の駆動を制御する、請求項１に記載の露光装置。
  3. 　前記投影光学系は、第１のレンズ群と第２のレンズ群とを有し、
    　前記制御部は、前記第１のレンズ群と前記第２のレンズ群との少なくとも一方を調整する、
    請求項１または請求項２に記載の露光装置。
  4. 　前記投影光学系は、第１のレンズ群と第２のレンズ群とを有し、
    　前記制御部は、前記第１のレンズ群または前記第２のレンズ群の少なくとも一方を前記光軸方向に駆動する、請求項１または請求項２に記載の露光装置。
  5. 　前記一対の光学素子は、第１偏角プリズムと第２偏角プリズムとを有し、
    　前記制御部は、前記第１偏角プリズムと前記第２偏角プリズムとの間隔を調整し、前記パターン光の露光位置を制御する、
    請求項２に記載の露光装置。
  6. 　前記一対の光学素子は、第１平行平板と第２平行平板とを有し、
    　前記制御部は、前記第１平行平板と前記第２平行平板との少なくとも一方を移動あるいは回転させて、前記パターン光の露光位置を制御する、
    請求項２に記載の露光装置。
  7. 　前記照明光学系と、前記投影光学系と、前記空間光変調器と、前記第２移動体と、前記第２駆動部とを有するモジュール部を複数有する、
    請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の露光装置。
  8. 　前記物体は、前記物体上に露光された第１のパターンを有する第１領域と第２領域とを有し、
    　前記描画データは、前記第１領域と前記第２領域に、前記第１のパターンと異なる第２のパターンを形成するためのデータであり、
    　前記計測部は、前記第１移動体に対する前記第１領域の相対位置情報である第１情報と前記第１移動体に対する前記第２領域の相対位置情報である第２情報とを計測し、
    　前記第１情報と前記第２情報とに基づいて、前記第１領域と前記第２領域とに前記第２のパターンを露光する際の前記第２移動体の駆動と、前記第１領域と前記第２領域とに前記第２のパターンを露光する際の前記投影光学系の調整と、の少なくとも一つを制御する第１制御データを作成する第１作成部を備える、
    請求項１に記載の露光装置。
  9. 　前記第１領域と前記第２領域とは、前記物体の前記第１方向において距離を隔てて設けられ、
    　前記制御部は、前記第１領域と前記第２領域との間の前記距離を移動している間に、前記第１領域の露光終了時における前記第２移動体の状態から前記第２領域の露光開始時における前記第２移動体の状態に変更するため前記第２駆動部を制御し、前記第１領域の露光終了時における前記投影光学系の状態から前記第２領域の露光開始時における前記投影光学系の状態に変更するために前記投影光学系の調整を制御する、
    請求項８に記載の露光装置。
  10. 　前記第１のパターンは、マスク基板を用いて露光されたパターンである、
    請求項８または請求項９に記載の露光装置。
  11. 　空間光変調器に照明光を照射する照明光学系と、前記空間光変調器により生成されたパターン光を、第１移動体に載置された物体上に投影する光学素子を有する投影光学系と、を備える露光装置を用いたデバイス製造方法であって、
    　計測部によって、前記物体の位置情報と、前記第１移動体の位置情報との少なくとも一つを含む計測結果を得ることと、
    　制御部によって、前記計測部で得られた前記計測結果に基づいて前記空間光変調器を保持する第２移動体の駆動もしくは前記投影光学系の調整との少なくとも一方を制御することと、を含むデバイス製造方法。
  12. 　第１パターンが露光された第１領域を有する物体に空間光変調器によって生成される第２パターン光を露光する露光装置であって、
    　前記空間光変調器に照明光を照射する照明光学系と、
    　前記物体に前記第２パターン光を投影する投影光学系と、
    　前記投影光学系の下方に配置され、前記物体を保持する第１移動体と、
    　前記投影光学系の光軸と直交する方向とへ前記第１移動体を移動させる第１駆動部と、
    　前記空間光変調器を保持する第２移動体と、
    　前記第２移動体を移動させる第２駆動部と、
    　前記第１領域の前記第１パターンの露光結果を計測し、計測結果を取得する計測部と、
    　前記計測結果に基づいて前記第２移動体の駆動と、前記投影光学系の調整との少なくとも一方の駆動を制御し、前記第１領域を露光中に前記第２パターン光の露光位置を制御する制御部と、
    を備える露光装置。
  13. 　第１パターンが露光された第１領域と第２領域とを有する物体に空間光変調器によって生成される第２パターン光を露光する露光装置であって、
    　前記空間光変調器に照明光を照射する照明光学系と、
    　前記物体に前記第２パターン光を投影する投影光学系と、
    　前記投影光学系の下方に配置され、前記物体を保持する第１移動体と、
    　前記投影光学系の光軸と直交する方向とへ前記第１移動体を移動させる第１駆動部と、
    　前記空間光変調器を保持する第２移動体と、
    前記第２移動体を移動させる第２駆動部と、
    前記第１領域の前記第１パターンの露光結果を計測した第１計測結果と、前記第２領域の前記第１パターンの露光結果を計測した第２計測結果と、を取得する計測部と、
    　前記第１計測結果と前記第２計測結果とに基づいて前記第２移動体の駆動と、前記投影光学系の調整との少なくとも一方を制御し、前記第１領域と前記第２領域とを露光中に前記第２パターン光の露光位置を制御する制御部と、
    を備える露光装置。
  14. 　前記第１移動体は、露光中に前記光軸と直交する第１方向に移動され、
    　前記第１領域と前記第２領域とは前記第１方向に沿って配置される、
    請求項１３に記載の露光装置。
  15. 　露光対象を走査方向に移動させるステージと、
    　空間光変調器と、
    　前記空間光変調器を照明する照明光学系と、
    　前記空間光変調器のミラーで反射される光を前記露光対象に照射する投影光学系と、
    　制御部と、を備える露光装置であって、
    　前記制御部は、前記ステージを前記走査方向に移動させて、前記露光対象の第１の領域を露光させた後、第２の領域を露光させ、前記投影光学系が前記第１の領域と前記第２の領域との間の距離を進む間に前記露光装置の設定を変更する、
    露光装置。
  16. 　走査方向に基板を移動させながら、空間光変調器を介した光により前記基板を走査露光する露光装置であって、
    　前記基板を保持して前記走査方向に移動するステージと、
    　前記空間光変調器の位置及び姿勢の少なくとも一方を変化させる第１駆動部と、
    　前記空間光変調器を介した光を前記基板上に投影する投影光学系と、
    　前記投影光学系内に設けられ光学素子を駆動する第２駆動部と、
    　前記ステージ、前記第１駆動部及び前記第２駆動部を制御する制御部と、
    を備え、
    　前記制御部は、前記基板上で前記走査方向に並ぶ第１領域及び第２領域が前記投影光学系の光軸に対して前記走査方向の同じ側に移動するように前記ステージを駆動するとともに、前記走査方向に移動する前記基板上で前記第１領域と前記第２領域との間の領域が前記光軸と交差する状態で前記第１駆動部と前記第２駆動部との少なくとも一方を駆動する、
    露光装置。
    　
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002050558A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Canon Inc 投影露光装置及びデバイス製造方法
JP2004056080A (ja) * 2002-05-30 2004-02-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 画像記録装置
JP2008182115A (ja) * 2007-01-25 2008-08-07 Nikon Corp 露光方法及び露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法
JP2010533310A (ja) * 2007-07-10 2010-10-21 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド マスクレス露光方法
JP2013012639A (ja) * 2011-06-30 2013-01-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd パターン描画装置およびパターン描画方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6652618B2 (ja) 2018-10-11 2020-02-26 株式会社アドテックエンジニアリング 照度割合変更方法及び露光方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002050558A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Canon Inc 投影露光装置及びデバイス製造方法
JP2004056080A (ja) * 2002-05-30 2004-02-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 画像記録装置
JP2008182115A (ja) * 2007-01-25 2008-08-07 Nikon Corp 露光方法及び露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法
JP2010533310A (ja) * 2007-07-10 2010-10-21 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド マスクレス露光方法
JP2013012639A (ja) * 2011-06-30 2013-01-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd パターン描画装置およびパターン描画方法

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