JP5689535B2 - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
本出願は、2010年12月8日に出願された米国特許仮出願第61/420,965号の利益を主張し、その全体が本明細書に援用される。
複数の放射ビームを提供するよう構成されているプログラマブルパターニングデバイスと、
複数のビームを基板に投影するよう構成されている投影系と、を備え、
前記投影系は、複数のレンズを備え、
前記光学コラムは、
前記複数のビームが前記基板の目標部分を走査するよう前記複数のレンズの少なくとも1つを前記投影系の光軸に垂直な方向に移動させるよう構成されている第1アクチュエータシステムと、
前記プログラマブルパターニングデバイスの像を前記少なくとも1つのレンズに投影するよう構成されている放射ビームエキスパンダと、
前記放射ビームエキスパンダを前記投影系の光軸に平行な方向に移動させるよう構成されている第2アクチュエータシステムと、を備えるリソグラフィ装置が提供される。
複数の放射ビームを提供するよう構成されているプログラマブルパターニングデバイスと、複数のビームを基板の目標部分に投影するよう構成されている投影系であって複数のレンズを備える投影系と、を有する少なくとも1つの光学コラムを使用して基板の目標部分にパターンを生成することと、
前記複数のビームが前記基板の目標部分を走査するよう前記複数のレンズの少なくとも1つを前記投影系の光軸に垂直な方向に移動させることと、
前記プログラマブルパターニングデバイスの像を前記少なくとも1つのレンズに投影する放射ビームエキスパンダを使用することと、
前記基板に形成される像のフォーカスを調整するために前記投影系の光軸に平行な方向において前記放射ビームエキスパンダの位置を制御することと、を備えるデバイス製造方法が提供される。
(1/B2)/(A2−1)
ここで、Aは放射ビームエキスパンダ40の倍率であり、Bは放射ビームエキスパンダがプログラマブルパターニングデバイスの像を投影するところのレンズ14から基板までの光学系の倍率、すなわち、視野レンズ14と結像レンズ18との結合の倍率である。
Claims (10)
- 少なくとも1つの光学コラムを有するリソグラフィ装置であって、
複数の放射ビームを提供するよう構成されているプログラマブルパターニングデバイスと、
複数のビームを基板に投影するよう構成されている投影系と、を備え、
前記投影系は、可動光学系を形成する少なくとも1つのレンズを含む複数のレンズを備え、
前記光学コラムは、
前記複数のビームが前記基板の目標部分を走査するよう前記可動光学系を前記投影系の光軸に垂直な方向に移動させるよう構成されている第1アクチュエータシステムと、
前記プログラマブルパターニングデバイスの像を前記少なくとも1つのレンズに投影するよう構成されている放射ビームエキスパンダと、
前記放射ビームエキスパンダを前記投影系の光軸に平行な方向に移動させるよう構成されている第2アクチュエータシステムと、を備え、
前記可動光学系は、前記放射ビームエキスパンダを介して前記少なくとも1つのレンズに投影される前記プログラマブルパターニングデバイスの像が、前記基板に投影されるように配設されており、
前記リソグラフィ装置は、前記少なくとも1つのレンズに投影される像の、前記投影系の光軸に平行な方向における位置を、前記第2アクチュエータシステムによって生じる前記放射ビームエキスパンダの移動により、前記基板の高さにて形成される像のフォーカスが調整されるように制御するよう構成されているリソグラフィ装置。 - 前記放射ビームエキスパンダは、軸方向に整列され固定間隔で配設された1組の正レンズを備える、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記放射ビームエキスパンダは、物体側テレセントリックかつ像側テレセントリックであるように構成されている、請求項1又は2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記放射ビームエキスパンダが前記プログラマブルパターニングデバイスの像を投影するレンズは視野レンズであり、
前記投影系は、結像レンズをさらに備え、前記視野レンズに投影される像が前記基板に投影されるよう配設されており、
前記視野レンズ及び前記結像レンズの位置は、互いに対して固定され、前記第1アクチュエータシステムにより移動可能である、請求項1から3のいずれかに記載のリソグラフィ装置。 - 前記視野レンズ及び前記結像レンズは回転可能フレームに搭載されており、前記回転可能フレームは前記投影系の光軸に平行な軸まわりに回転するよう構成されている、請求項4に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第2アクチュエータシステムは、前記投影系の光軸に平行な方向に前記放射ビームエキスパンダを移動させているとき前記投影系の光軸に垂直な方向における前記放射ビームエキスパンダの移動を妨げるように構成されている、請求項1から5のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 少なくとも前記第2アクチュエータシステムを制御するよう構成されているコントローラをさらに備え、
前記コントローラは、
前記基板でのフォーカス変位量に関する信号を受信し、
前記基板でのフォーカス変位量の予め定められた倍数に基づいて、前記信号を前記放射ビームエキスパンダの必要変位量に変換し、
前記放射ビームエキスパンダの必要変位量を生じさせるための信号を前記第2アクチュエータシステムに出力するよう構成されている、請求項1から6のいずれかに記載のリソグラフィ装置。 - 前記予め定められた倍数は、
(1/B2 )/(A2−1)であり、
ここで、Aは前記放射ビームエキスパンダの倍率であり、Bは前記放射ビームエキスパンダが前記プログラマブルパターニングデバイスの像を投影するところのレンズから前記基板までの光学系の倍率である、請求項7に記載のリソグラフィ装置。 - 請求項1から8のいずれかに記載され、第2の光学コラムを少なくとも有するリソグラフィ装置であって、
第2の複数の放射ビームを提供するよう構成されている第2のプログラマブルパターニングデバイスと、
第2の複数のビームを基板に投影するよう構成されている第2の投影系と、を備え、
前記第2の投影系は、第2の複数のレンズを備え、
前記第2の光学コラムは、
前記第2の複数のビームが前記基板の目標部分を走査するよう前記第2の投影系の前記複数のレンズの少なくとも1つを前記第2の投影系の光軸に垂直な方向に移動させるよう構成されている第3アクチュエータシステムと、
前記第2のプログラマブルパターニングデバイスの像を前記第2の投影系の前記少なくとも1つのレンズに投影するよう構成されている第2の放射ビームエキスパンダと、
前記第2の放射ビームエキスパンダを前記第2の投影系の光軸に平行な方向に移動させるよう構成されている第4アクチュエータシステムと、を備えるリソグラフィ装置。 - 複数の放射ビームを提供するよう構成されているプログラマブルパターニングデバイスと、複数のビームを基板の目標部分に投影するよう構成されている投影系であって可動光学系を形成する少なくとも1つのレンズを含む複数のレンズを備える投影系と、を有する少なくとも1つの光学コラムを使用して基板の目標部分にパターンを生成することと、
前記複数のビームが前記基板の目標部分を走査するよう前記可動光学系を前記投影系の光軸に垂直な方向に移動させることと、
前記プログラマブルパターニングデバイスの像を前記少なくとも1つのレンズに投影する放射ビームエキスパンダを使用することと、
前記放射ビームエキスパンダを介して前記少なくとも1つのレンズに投影される前記プログラマブルパターニングデバイスの像を前記基板に投影するよう前記可動光学系を使用することと、
前記基板に形成される像のフォーカスを調整するために前記投影系の光軸に平行な方向において前記放射ビームエキスパンダを移動させることにより前記少なくとも1つのレンズに投影される像の前記投影系の光軸に平行な方向における位置を制御することと、を備えるデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US42096510P | 2010-12-08 | 2010-12-08 | |
US61/420,965 | 2010-12-08 | ||
PCT/EP2011/070147 WO2012076300A1 (en) | 2010-12-08 | 2011-11-15 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013546186A JP2013546186A (ja) | 2013-12-26 |
JP5689535B2 true JP5689535B2 (ja) | 2015-03-25 |
Family
ID=44947113
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013541282A Expired - Fee Related JP5689535B2 (ja) | 2010-12-08 | 2011-11-15 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9316926B2 (ja) |
JP (1) | JP5689535B2 (ja) |
KR (1) | KR101501967B1 (ja) |
CN (1) | CN103238113B (ja) |
NL (1) | NL2007789A (ja) |
TW (1) | TWI448840B (ja) |
WO (1) | WO2012076300A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10897566B2 (en) | 2016-09-28 | 2021-01-19 | Kla-Tencor Corporation | Direct focusing with image binning in metrology tools |
CN112230425B (zh) * | 2020-12-08 | 2021-03-16 | 江西联创光电科技股份有限公司 | 一种半导体激光器扩束镜调整装置 |
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-
2011
- 2011-11-15 NL NL2007789A patent/NL2007789A/en not_active Application Discontinuation
- 2011-11-15 CN CN201180058558.XA patent/CN103238113B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-11-15 KR KR1020137015436A patent/KR101501967B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2011-11-15 WO PCT/EP2011/070147 patent/WO2012076300A1/en active Application Filing
- 2011-11-15 US US13/885,960 patent/US9316926B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-11-15 JP JP2013541282A patent/JP5689535B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-05 TW TW100144705A patent/TWI448840B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103238113A (zh) | 2013-08-07 |
CN103238113B (zh) | 2015-09-09 |
WO2012076300A1 (en) | 2012-06-14 |
TW201229687A (en) | 2012-07-16 |
US9316926B2 (en) | 2016-04-19 |
TWI448840B (zh) | 2014-08-11 |
US20130250267A1 (en) | 2013-09-26 |
KR101501967B1 (ko) | 2015-03-12 |
NL2007789A (en) | 2012-06-11 |
KR20130087041A (ko) | 2013-08-05 |
JP2013546186A (ja) | 2013-12-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140610 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140815 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150113 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150128 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5689535 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |