CN103238113A - 光刻设备和器件制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种光刻设备和一种器件制造方法，具体地提供一种用于控制无掩模光刻设备的聚焦的系统，其中提供将可编程图案形成装置的图像投影到衬底上的投影系统。第一致动器系统配置成沿垂直于投影系统的光轴的方向移动投影系统的多个透镜中的至少一个。还设置辐射束扩束器，配置成将可编程图案形成装置的图像投影到所述透镜上。此外，提供第二致动器系统，配置成沿平行于投影系统的光轴的方向移动辐射束扩束器，以便控制投影到衬底上的图像的聚焦。

Description

光刻设备和器件制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2010年12月8日递交的美国临时申请61/420,965的优先权，其在此通过参考全文并入。
技术领域
本发明涉及光刻设备和用于制造器件的方法。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底或衬底的一部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)、平板显示器以及其他具有精细特征的装置或结构的制造中。在传统的光刻设备中，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案化装置用于生成与所述IC、平板显示器以及其他装置的单层相对应的电路图案。可以例如通过将图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上，而将该图案转移到衬底(例如，硅晶片或玻璃板)(或衬底的一部分)上。
除了电路图案，图案形成装置可以用于生成其他图案，例如滤色片图案或点的矩阵。除了传统的掩模，图案形成装置可以包括图案化阵列，该图案化阵列包括生成电路或其他可应用图案的可独立控制元件的阵列。与传统的基于掩模的系统相比，这种“无掩模”系统的优点在于图案可以更加迅速地且低成本地形成和/或改变。
因此，无掩模系统包括可编程图案形成装置(例如，空间光调制器、对比装置等)。可编程图案形成装置被编程(例如，通过电子的方式或光学方式)以通过使用可独立控制元件的阵列形成期望的图案化束。可编程图案形成装置的类型包括微反射镜阵列、液晶显示器(LCD)阵列、光栅光阀阵列、自发射对比装置的阵列等等。
发明内容
无掩模光刻设备可以设置有例如能够在衬底的目标部分上生成图案的光学柱。光学柱可以设置有：配置成发射束的自发射对比装置和配置成将所述束的至少一部分投影到目标部分上的投影系统。该设备可以设置有致动器，以相对于衬底移动光学柱或光学柱的一部分。由此，衬底可以相对于束移动。通过在移动期间切换“打开”自发射对比装置或“关闭”自发射对比装置，可以在衬底上生成图案。
在光刻过程中，确保投影到衬底上的图像被精确地聚焦是重要的。尤其地，在一些无掩模光刻布置中，在相同的临界尺寸的情况下，与基于掩模的系统相比，聚焦范围可能相对小。例如，在已知的无掩模系统中，多个透镜中的每一个用于将辐射斑投影到衬底上，由此导致相对小的聚焦范围。因此知道，提供一种系统以通过调节在垂直于投影系统的光轴的方向上衬底相对于投影系统的位置而调节聚焦。
然而，在某些应用中，对于在曝光场的整个宽度上将具有信号聚焦水平的情况来说，衬底可能不足够平。因此，在这种情况下，不能仅通过调整衬底在平行于投影系统的光轴的方向上相对于投影系统的位置来提供期望的聚焦控制。
因此，期望提供改进的聚焦系统。
根据本发明一个实施例，提供一种具有至少一个光学柱的光刻设备，包括：可编程图案形成装置，配置成提供多个辐射束；和投影系统，配置成将多个束投影到衬底上；其中所述投影系统包括多个透镜；和所述光学柱包括：第一致动器系统，配置成沿垂直于投影系统的光轴的方向移动所述多个透镜中的至少一个，以在衬底的目标部分之上使所述多个束进行扫描；辐射束扩束器，配置成将所述可编程图案形成装置的图像投影到所述至少一个透镜上；和第二致动器系统，配置成沿平行于投影系统的光轴的方向移动辐射束扩束器。
根据本发明一个实施例，提供一种器件制造方法，包括：使用至少一个光学柱在衬底的目标部分上形成图案，所述至少一个光学柱具有配置成提供多个辐射束的可编程图案形成装置和配置成将多个束投影到衬底的所述目标部分上的投影系统，所述投影系统包括多个透镜；
沿垂直于投影系统的光轴的方向移动所述多个透镜中的至少一个，以在衬底的目标部分之上使多个束进行扫描；
使用辐射束扩束器将可编程图案形成装置的图像投影到所述至少一个透镜上；和
控制辐射束扩束器在平行于投影系统的光轴的方向上的位置，以便调节衬底上形成的图像的聚焦。
附图说明
下面仅通过示例的方式，参考示意性附图对本发明的实施例进行描述，其中示意性附图中相应的附图标记表示相应的部件，在附图中：
图1示出根据本发明一个实施例的光刻设备的一部分；
图2示出根据本发明一个实施例的图1的光刻设备的一部分的俯视图；。
图3示出根据本发明一个实施例的光刻设备的一部分的高度示意透视图；
图4示出根据本发明一个实施例的通过图3所示的光刻设备投影到衬底上的多个投影的示意俯视图；和
图5示出根据本发明一个实施例的用于控制聚焦的系统的设置。
具体实施方式
图1示意地示出光刻设备的一部分的示意截面侧视图。在本实施例中，光刻设备具有在X-Y平面内基本上静止的可独立控制元件，如下面进一步描述的，但是这并不是必须的。光刻设备1包括用以保持衬底的衬底台2和用以在6个自由度上移动衬底台2的定位装置3。衬底可以是涂覆有抗蚀剂的衬底。在一个实施例中，衬底是晶片。在一个实施例中，衬底是多边形(例如，矩形)衬底。在一个实施例中，衬底是玻璃板。在一个实施例中，衬底是塑料衬底。在一个实施例中，衬底是箔片。在一个实施例中，光刻设备适于卷对卷制造(roll-to-roll manufacturing)。
光刻设备1还包括多个可独立控制自发射对比装置4，配置成发射多个束。在一个实施例中，自发射对比装置4是辐射发射二极管，例如发光二极管(LED)、有机LED(OLED)、聚合物LED(PLED)或激光二极管(例如，固态激光二极管)。在一个实施例中，每个可单独控制元件4是蓝-紫激光二极管(例如，Sanyo model no.DL-3146-151)。这种二极管可以由例如Sanyo、Nichia、Osram以及Nitride等公司提供。在一个实施例中，二极管发射UV辐射，例如具有大约365nm或者大约405nm的波长。在一个实施例中，二极管可以提供选自0.5-200mW范围内的输出功率。在一个实施例中，激光二极管(裸管芯)的尺寸可以选自100-800微米范围。在一个实施例中，激光二极管具有选自0.5-5平方微米范围的发射面积。在一个实施例中，激光二极管具有选自5-44度范围的发散角。在一个实施例中，二极管具有用以提供大于或等于大约6.4×108W/(m2.sr)的总亮度的配置(例如，发射面积，发散角、输出功率等)。
自发射对比装置4布置在框架5上并且可以沿Y方向和/或X方向延伸。虽然示出一个框架5，但是光刻设备可以具有多个框架5，如图2所示。布置在框架5上的另一部件是透镜12。框架5和因此自发射对比装置4和透镜12在X-Y平面内是大体静止的。框架5、自发射对比装置4和透镜12可以通过致动器7沿Z方向移动。可选地或附加地，透镜12可以通过与该特定透镜相关的致动器沿Z方向被移动。可选地，每个透镜12可以设置有致动器。
自发射对比装置4可以配置成发射束，并且投影系统12、14以及18可以配置成将束投影到衬底的目标部分上。自发射对比装置4和投影系统形成光学柱。光刻设备1可以包括致动器(例如马达11)以相对于衬底移动光学柱或光学柱的一部分。可以用致动器转动框架8以及布置其上的场透镜14和成像透镜18。场透镜14和成像透镜18的组合形成可移动光学元件9。在使用时，框架8围绕其自身轴线10旋转，例如沿图2中箭头示出的方向旋转。通过使用例如马达11等致动器，框架8围绕轴线10旋转。此外，框架8可以通过马达7沿Z方向被移动，使得可移动光学元件9可以相对于衬底台2位移。
其内具有孔的孔结构13可以位于透镜12之上并且在透镜12与自发射对比装置4之间。孔结构13可以限制透镜12、相关的自发射对比装置4和/或相邻透镜12/自发射对比装置4的衍射效应。
可以通过旋转框架8并同时在衬底台2上光学柱之下移动衬底来使用所示的设备。当透镜12、14和18彼此大致对准时，自发射对比装置4可以发射束通过透镜12、14和18。通过移动透镜14和18，衬底上的束的图像在衬底的一部分上扫描。通过同时在衬底台2上光学柱之下移动衬底，衬底的经受自发射对比装置4的图像的部分也移动。通过在控制器的控制下高速地切换自发射对比装置4的“打开”和“关闭”(例如，当其处于“关闭”时没有输出或输出低于阈值，而当其处于“打开”时具有高于阈值的输出)，控制光学柱或光学柱的一部分的旋转，控制自发射对比装置4的强度，以及控制衬底的速度，在衬底上的抗蚀剂层中成像期望的图案。
图2示出图1中具有自发射对比装置4的光刻设备的示意俯视图。与图1中示出的光刻设备1类似，光刻设备1包括用以保持衬底17的衬底台2、用以在6个自由度上移动衬底台2的定位装置3以及对准/水平传感器19，所述对准/水平传感器19用以确定自发射对比装置4和衬底17之间的对准以及用以确定衬底17相对于自发射对比装置4的投影是否处于水平。如所示的，衬底17具有矩形形状，然而，也可以是或可选地是圆形衬底被处理。
自发射对比装置4布置在框架15上。自发射对比装置4可以是辐射发射二极管，例如激光二极管，例如蓝-紫色激光二极管。如图2所示，自发射对比装置4可以布置到在X-Y平面中延伸的阵列21中。
阵列21可以是伸长的线。在一个实施例中，阵列21可以是自发射对比装置4的一维阵列。在一个实施例中，阵列21可以是自发射对比装置4的二维阵列。可以提供旋转框架8，其可以沿箭头示出的方向旋转。
可以提供可以沿箭头示出的方向旋转的旋转框架8。旋转框架可以设置有透镜14、18(图1中示出)，以提供每一个自发射对比装置4的图像。设备可以设置有致动器，以相对于衬底旋转包括框架8和透镜14、18的光学柱。
图3示出在其周边处设置有透镜14、18的旋转框架8的高度示意的透视图。多个束，在本示例中是10个束，入射到透镜中的一个上并投影到通过衬底台2保持的衬底17的目标部分上。在一个实施例中，多个束沿直线布置。通过致动器(未示出)可旋转框架可以围绕轴线10旋转。作为旋转可旋转框架8的结果，束将入射到连续的透镜14、18(场透镜14和成像透镜19)上，并且，束在入射到每个连续的透镜时被偏转，从而沿衬底17的表面的一部分行进，将在图4中更详细地介绍。在一个实施例中，通过相应的源，即自发射对比装置，例如激光二极管(图3中未示出)产生每个束。在图3中示出的布置中，多个束被偏转并且通过分段的反射镜30集合在一起，以便减小束之间的距离，由此允许通过相同的透镜投影大量的束并实现下面讨论的分辨率的要求。
当可旋转框架旋转时，束入射到连续的透镜上，并且每一次一个透镜被多个束照射，束入射到透镜表面上的多个位置移动。因为多个束依赖于多个束在透镜上的入射位置被不同地投影(例如以不同的偏转)到衬底上，因此多个束(在到达衬底时)将随着随后的透镜的每次通过而作扫描移动。参照图4进一步解释这个原理。图4示出可旋转框架8的一部分的高度示意的俯视图。第一组束用B1表示，第二组束用B2表示，第三组束用B3表示。每组束投影通过可旋转框架8的相应的透镜组14、18。当可旋转框架8旋转时，束B1以扫描移动的方式投影到衬底17上，由此扫描区域A14。类似地，束B2扫描区域A24，束B3扫描区域A34。在可旋转框架8通过相应的致动器旋转的同时，衬底17和衬底台沿方向D移动，方向D可以沿如图2所示的X轴线，由此大体垂直于在区域A14、A24、A34内的束的扫描方向。由于通过第二致动器沿方向D的移动(例如，衬底台通过相应的衬底台马达的移动)，多个束在被可旋转框架8的连续的透镜投影时的连续扫描被投影使得彼此大体邻接，由此得出对应束B1的每个连续扫描的大体邻接区域A11、A12、A13、A14(区域A11、A12、A13是先前扫描的，区域A14当前正被扫描，如图4所示)、对应束B2的区域A21、A22、A23、A24(区域A21、A22、A23是先前扫描的，区域A24当前正被扫描，如图4所示)以及对应束B3的区域A31、A32、A33、A34(区域A31、A32、A33是先前扫描的，区域A34当前正被扫描，如图4所示)。因此，在旋转可旋转框架8的同时，衬底沿方向D的移动可以覆盖衬底表面的区域A1、A2以及A3。多个束通过相同透镜的投影允许在更短的时间帧内处理整个衬底(以可旋转框架8的相同转速条件下)，因为对于透镜的每次通过，多个束用每个透镜扫描衬底，由此允许对应连续的扫描在方向D上增加位移。换一个角度，对于给定的处理时间，当多个束经由相同的透镜投影到衬底上时可以减小可旋转框架的旋转速度，由此可以减小由于高的旋转速度带来的诸如可旋转框架的变形、磨损、振动、紊流等效应。在一个实施例中，多个束布置成与透镜14、18的旋转切线成一角度，如图4所示。在一个实施例中，多个束布置成使得每个束覆盖或邻接相邻的束的扫描路径。
可以发现通过相同的透镜同时投影多个束的方案在放宽容差方面的另一效果。由于透镜的容差(定位、光学投影等)，连续区域A11、A12、A13、A14(和/或区域A21、A22、A23和A24和/或区域A31、A32、A33和A34)的位置会呈现出一定程度的相对于彼此定位不精确。因此，连续区域A11、A12、A13、A14之间需要一定程度的重叠。在例如一个束的10％重叠的情形中，则在单个束一次通过一个相同透镜的情形中处理速度将减小10％的相同倍数。在5个或更多个束一次投影通过一个相同的透镜的情形中，对于每个5个或更多个投影线，将提供10％的相同的重叠(类似地参考以上一个束的示例)，因而总的重叠减小大约5倍或更多，至2％或更小，由此对于总的处理速度具有明显更小的影响。类似地，投影至少10个束可以减小总的重叠大约10倍。因此，可以通过多个束同一时间通过相同透镜投影的特征来减小容差对衬底处理时间的影响。附加地或可选地，可以允许更多的重叠(因而允许更大的容差带)，因为假定多个束在同一时间通过相同的透镜投影，重叠对处理的影响低。
可选地或附加地通过相同透镜同一时间投影多个束，可以使用隔行技术，但是隔行技术要求透镜之间相比较更加严格的匹配。因此，同一时间通过多个透镜中的同一个透镜投影到衬底上的至少两个束具有相互的间隔，并且光刻设备可以布置成操作第二致动器以便相对于光学柱移动衬底，从而具有束的随后的投影将被投影到间隔中。
为了减小组中连续的束之间在方向D上的距离(由此，例如实现在方向D上的较高的分辨率)，多个束可以相对于方向D、相对于彼此对角地布置。通过在光学路径中设置分段反射镜30可以进一步减小该间隔，每一段用以反射束中的对应的一个束，这些段布置成以便相对于入射到反射镜上时多个束之间的间隔，减小在被反射镜反射时多个束之间的间隔。这种效果也可以通过多个光纤实现，多个束中的每一个入射到多个光纤中相应的一个上，这些光纤布置成沿光学路径相对于光纤上游的束之间的间隔减小光纤下游的束之间的间隔。
进一步，通过使用具有多个输入的集成的光导波回路可以实现这种效果，每个输入用于接收多个束中的相应的一个束。集成的光导波回路布置成沿光学路径相对于集成的光波导回路上游的束之间的间隔减小集成的光波导回路下游的束之间的间隔。
在本发明的一个实施例中，提供一种系统用于控制投影到衬底上的图像的聚焦。该布置可以设置成调节通过如上所述布置中的光学柱的一部分或全部所投影的图像的聚焦。
如图5所示，聚焦调节布置可以包括辐射束扩束器40，其布置成使得投影到场透镜14上的可编程图案形成装置4的图像(如上所述)经由辐射束扩束器40投影。场透镜14和成像透镜18，如上所述，布置成使得投影到场透镜14上的图像被投影到支撑在衬底台2上的衬底上。因此，通过调节被投影到场透镜14上的图像在平行于投影系统的光轴46的方向上的位置，可以调节形成在衬底水平面处的图像的聚焦。正如下面进一步讨论的，辐射束扩束器40被用于提供投影到场透镜14上的图像的位置的这种调节。
这可以是有利的，因为这意味着，可以在不相对于投影系统调节衬底位置的情况下执行聚焦调节。这可以使得能够对位于衬底上的照射场的整个宽度上的不同区域实现精确的独立的聚焦控制。例如，每个光学柱或其一部分具有在图像投影到衬底上的时候能够调节图像的聚焦的独立的能力。
此外，这种布置不需要调节场透镜14或成像透镜18在平行于投影系统的光轴46的方向上的位置。
如上所述，在场透镜14和成像透镜18布置成沿垂直于投影系统的光轴46的方向移动的布置中，这种控制可以是不同的。例如，如图5所示，与上述的布置一致，场透镜14和成像透镜18可以安装至通过第一致动器系统11驱动的旋转框架8。
辐射束扩束器40可以由一对轴向对准的正透镜41、42形成。透镜41、42可以相对于彼此固定地定位，例如通过使用刚性的支撑框架43。
在一个实施例中，辐射束扩束器40可以配置成使得它是物空间远心的和像空间远心的。应该理解，通过物空间远心，表示入射光瞳位于无限远，并且通过像空间远心，表示出射光瞳位于无限远。
第二致动器系统44可以设置并布置成以便控制辐射束扩束器40在平行于投影系统的光轴46的方向上的位置。
具体地，第二致动器系统44可以配置成作用在支撑框架43上以便调节第一和第二透镜41、42相对于场透镜14的位置，同时保持第一和第二透镜41、42的相对位置。
具体地，第二致动器系统44可以配置成以便确保辐射束扩束器40仅在平行于光轴46的方向上移动，并且使得在垂直于投影系统的光轴46的方向上基本上不存在辐射束扩束器40的移动。辐射束扩束器40在平行于投影系统的光轴46的方向上的移动用于调节可编程图案形成装置4被投影到场透镜14上的图像的位置。
可以设置控制器45，其适于控制第二致动器44，以便以适当的方式移动辐射束扩束器40，从而提供投影到衬底上的图像的期望的聚焦控制。具体地，辐射束扩束器40沿投影系统的光轴46的移动与衬底处随之发生的聚焦偏移成比例。因此，控制器可以存储对应系统的预定倍数并使用它将衬底处的期望的聚焦偏移转换为辐射束扩束器40的期望的移动。随后，控制器45可以控制第二致动器系统44以便提供期望的移动。
衬底水平面处的所需聚焦偏移可以例如通过衬底和/或衬底台2的位置的测量并且结合在图像将要投影所在的目标部分处的衬底上表面的变形的测量来确定。可以在衬底上的图案曝光之前绘图衬底上表面的变形和/或可以在图案就要被投影到衬底的该部分之前测量衬底每个部分的衬底上表面的变形。
将辐射束扩束器40的移动和衬底处的聚焦偏移相联系的倍数可以通过下面的公式确定：
(1/B2)/(A2-1)
其中A是辐射束扩束器40的放大率，B是基于透镜14的光学系统的放大率，辐射束扩束器将可编程图案形成装置的图像投影到透镜上，至衬底，即，场透镜14和成像透镜18的组合的放大率。
在示例性实施例中，场透镜14和成像透镜18的组合系统的放大率可以是1/15(即，缩小率)，并且辐射束扩束器40的放大率可以是2。因此，使用上述的公式，应该看到，对于在衬底水平面处的25μm聚焦偏移，辐射束扩束器所需的移动为1.875mm。
如上提到的，可以对光刻设备内每个光学柱分立地提供本发明的聚焦布置。因此，应该认识到，每个光学柱可以包括各自的辐射束扩束器40及其相关的致动器系统44，致动器系统布置用以沿平行于投影系统的光轴46的方向移动相应的辐射束扩束器40。
根据本发明一个实施例，在光学柱的一部分移动(在本示例中，可旋转框架8和透镜14、18的旋转)期间可以调制自发射对比装置(例如，激光二极管)的每一个的强度，以便将期望的图案照射到衬底上。要注意的是，所描述的光学柱的一部分(即框架8和透镜14、18)是可旋转的方案允许透镜14、18以高的精确度和高的移动再现性高速地移动。
在所述的实施例中，一对透镜14、18一起形成投影实体以将至少两个束投影到衬底上。应该理解，这种投影实体可以包括一个或多个透镜。因此，本发明的一个实施例可以以这种方式理解，即至少两个束通过来自可旋转框架的多个投影实体的投影实体中的相同的一个投影实体而被投影到衬底上，每个投影实体包括至少一个透镜并且布置成将至少两个束投影到衬底上。
根据器件制造方法，可以通过图案已经被投影到其上的衬底制造器件，例如显示器、集成电路或任何其他器件。
虽然在本文中详述了光刻设备用在制造ICs(集成电路)，但是应该理解到这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDs)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到，在这种替代应用的情况中，可以将这里使用的任何术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
在允许的情况下，术语“透镜”可以表示不同类型的光学构件中的任何一种或其组合，包括折射式的、衍射的、反射式的、磁性的、电磁的以及静电的光学构件。
上面的说明书是为了图示，而非限制。因此，本领域技术人员应该清楚，在不脱离权利要求的范围的情况下可以对本发明进行修改。

Claims (10)

1.一种具有至少一个光学柱的光刻设备，包括：
可编程图案形成装置，所述可编程图案形成装置配置成提供多个辐射束；和
投影系统，所述投影系统配置成将多个辐射束投影到所述衬底上；
其中所述投影系统包括多个透镜；和
所述光学柱包括：
第一致动器系统，所述第一致动器系统配置成沿垂直于所述投影系统的光轴的方向移动所述多个透镜中的至少一个透镜，以在所述衬底的目标部分之上使所述多个辐射束进行扫描；
辐射束扩束器，所述辐射束扩束器配置成将所述可编程图案形成装置的图像投影到所述至少一个透镜上；和
第二致动器系统，所述第二致动器系统配置成沿平行于所述投影系统的光轴的方向移动所述辐射束扩束器。
2.如权利要求1所述的光刻设备，其中所述辐射束扩束器包括以固定间隔布置的一对轴向地对准的正透镜。
3.如权利要求1或2所述的光刻设备，其中所述辐射束扩束器配置成是物空间远心的和像空间远心的。
4.如权利要求1-3中任一项所述的光刻设备，其中所述辐射束扩束器将所述可编程图案形成装置的图像投影到其上的所述至少一个透镜是场透镜；
所述投影系统还包括成像透镜，所述成像透镜布置成使得投影到所述场透镜上的图像被投影到所述衬底上；和
所述场透镜和所述成像透镜的位置相对于彼此是固定的并且可以通过所述第一致动器系统被移动。
5.如权利要求4所述的光刻设备，其中所述场透镜和所述成像透镜安装至可旋转框架；其中所述可旋转框架配置成围绕平行于所述投影系统的光轴的轴线旋转。
6.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中所述第二致动器系统配置成在沿平行于所述投影系统的光轴的所述方向移动所述辐射束扩束器的同时阻止所述辐射束扩束器在垂直于所述投影系统的光轴的方向上的移动。
7.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，还包括控制器，所述控制器配置成至少控制第二致动器系统；
其中，所述控制器配置成：
接收与所述衬底处的聚焦位移相关的信号；
基于所述衬底处的聚焦位移的预定倍数将所述信号转换为所述辐射束扩束器的所需位移；和
输出一信号给所述第二致动器系统以实现所述辐射束扩束器的所需移动。
8.如权利要求7所述光刻设备，其中所述预定倍数是B2/(A2-1)，其中A是所述辐射束扩束器的放大率，B是基于所述透镜的所述光学系统的放大率，其中所述辐射束扩束器将所述可编程图案形成装置的图像投影到所述透镜上至所述衬底。
9.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，至少具有第二光学柱，所述光刻设备包括：
第二可编程图案形成装置，所述第二可编程图案形成装置配置成提供第二多个辐射束；和
第二投影系统，所述第二投影系统配置成将所述第二多个辐射束投影到所述衬底上；
其中所述第二投影系统包括第二多个透镜；和
所述第二光学柱包括：
第三致动器系统，所述第三致动器系统配置成沿垂直于所述第二投影系统的光轴的方向移动所述第二投影系统的所述第二多个透镜中的至少一个透镜，以在所述衬底的目标部分之上使所述第二多个辐射束进行扫描；
第二辐射束扩束器，所述第二辐射束扩束器配置成将所述第二可编程图案形成装置的图像投影到所述第二投影系统的所述至少一个透镜上；和
第四致动器系统，所述第四致动器系统配置成沿平行于所述第二投影系统的光轴的方向移动所述第二辐射束扩束器。
10.一种器件制造方法，包括步骤：
使用至少一个光学柱在衬底的目标部分上生成图案，所述至少一个光学柱包括配置成提供多个辐射束的可编程图案形成装置和配置成将所述多个辐射束投影到所述衬底的所述目标部分上的投影系统，所述投影系统包括多个透镜；
沿垂直于所述投影系统的光轴的方向移动所述多个透镜中的至少一个透镜，以在所述衬底的目标部分之上使所述多个辐射束进行扫描；
使用辐射束扩束器将所述可编程图案形成装置的图像投影到所述至少一个透镜上；和
控制所述辐射束扩束器在平行于所述投影系统的光轴的方向上的位置，以便调节所述衬底上形成的图像的聚焦。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112230425A (zh) * 2020-12-08 2021-01-15 江西联创光电科技股份有限公司 一种半导体激光器扩束镜调整装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10897566B2 (en) 2016-09-28 2021-01-19 Kla-Tencor Corporation Direct focusing with image binning in metrology tools

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4796038A (en) * 1985-07-24 1989-01-03 Ateq Corporation Laser pattern generation apparatus
JP2000507749A (ja) * 1996-06-29 2000-06-20 ドイチェス ツェントルム フューア ルフト ウント ラウムファールト エー．ファウ． リソグラフィ露光装置およびリソグラフィ処理
US6133986A (en) * 1996-02-28 2000-10-17 Johnson; Kenneth C. Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy
TW201015244A (en) * 2008-09-22 2010-04-16 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method

Family Cites Families (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2631850C2 (de) 1976-07-15 1984-11-22 Agfa-Gevaert Ag, 5090 Leverkusen Verfahren sowie Vorrichtung zum zeilenweisen Belichten punktförmiger Flächenelemente eines lichtempfindlichen Aufzeichnungsträgers
JPS57152273A (en) 1981-03-13 1982-09-20 Ricoh Co Ltd Electronic photograph type printer
JPS58145916A (ja) 1982-02-24 1983-08-31 Hitachi Ltd デイスク型レンズ光走査器
US4447126A (en) 1982-07-02 1984-05-08 International Business Machines Corporation Uniformly intense imaging by close-packed lens array
US4520472A (en) 1983-02-07 1985-05-28 Rca Corporation Beam expansion and relay optics for laser diode array
US4525729A (en) 1983-04-04 1985-06-25 Polaroid Corporation Parallel LED exposure control system
US4780730A (en) 1986-04-11 1988-10-25 Itek Graphix Corp. Led-array image printer
KR920002820B1 (ko) 1987-05-27 1992-04-04 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 주사형 투영 노광장치
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
US4864216A (en) 1989-01-19 1989-09-05 Hewlett-Packard Company Light emitting diode array current power supply
GB8923709D0 (en) 1989-10-20 1989-12-06 Minnesota Mining & Mfg Production of images using an array of light emmiting diodes
US4952949A (en) 1989-11-28 1990-08-28 Hewlett-Packard Company LED printhead temperature compensation
US5296891A (en) 1990-05-02 1994-03-22 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Illumination device
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
US5216247A (en) 1992-02-07 1993-06-01 Ying Wang Optical scanning method with circular arc scanning traces
US5216534A (en) 1992-04-24 1993-06-01 E-Systems, Inc. Read-write head for an optical tape recorder
JPH06275936A (ja) 1993-03-23 1994-09-30 Oki Electric Ind Co Ltd 回路パターン形成方法
US5457488A (en) 1993-04-12 1995-10-10 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method and apparatus for controlling array of light-emitting elements
DE4315581A1 (de) 1993-05-11 1994-11-17 Fraunhofer Ges Forschung Laserdioden mit Kühlsystem
DE4315580A1 (de) 1993-05-11 1994-11-17 Fraunhofer Ges Forschung Anordnung aus Laserdioden und einem Kühlsystem sowie Verfahren zu deren Herstellung
ATE156739T1 (de) 1993-05-19 1997-08-15 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur materialbearbeitung mit diodenstrahlung
US5729331A (en) 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
US5481392A (en) 1993-12-21 1996-01-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Axial mirror scanner system and method
JPH07276706A (ja) 1994-03-04 1995-10-24 Xerox Corp ディジタルプリンタ及びｌｅｄプリントバーにおけるｌｅｄ画素非均一性補正方法
US5589973A (en) 1994-05-16 1996-12-31 Agfa Division, Bayer Corporation Optical enclosure for high speed rotating beam deflector
US5610754A (en) 1994-08-09 1997-03-11 Gheen; Gregory Method and apparatus for photolithography by rotational scanning
US5568320A (en) 1994-11-30 1996-10-22 Xerox Corporation Multiple row lens array alignable with multiple row image bar
IL115864A (en) 1995-11-02 1999-05-09 Orbotech Ltd Method and apparatus for delivering laser energy to an object
JP3318171B2 (ja) 1995-11-10 2002-08-26 株式会社リコー 発光ダイオードアレイおよび光書込装置
US5840451A (en) 1996-12-04 1998-11-24 Advanced Micro Devices, Inc. Individually controllable radiation sources for providing an image pattern in a photolithographic system
AU2048097A (en) 1997-01-29 1998-08-18 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
DE19813127A1 (de) 1997-03-27 1998-10-01 Fraunhofer Ges Forschung Laservorrichtung
DK0981895T3 (da) 1997-05-14 2002-05-27 Luescher Ursula System til belysning af trykplader og dettes anvendelse
US6137105A (en) 1998-06-02 2000-10-24 Science Applications International Corporation Multiple parallel source scanning device
US6268613B1 (en) 1999-03-02 2001-07-31 Phormax Corporation Multiple-head phosphor screen scanner
US6204875B1 (en) 1998-10-07 2001-03-20 Barco Graphics, Nv Method and apparatus for light modulation and exposure at high exposure levels with high resolution
CN1309017C (zh) 1998-11-18 2007-04-04 株式会社尼康 曝光方法和装置
JP3652537B2 (ja) 1998-12-25 2005-05-25 松下電器産業株式会社 レーザ加工方法及びその装置
DE50000497D1 (de) 1999-03-31 2002-10-17 Fraunhofer Ges Forschung Optische anordnung zur symmetrierung der strahlung von zweidimensionalen arrays von laserdioden
US6466352B1 (en) 1999-04-23 2002-10-15 Arie Shahar High-resolution reading and writing scan system for planar and cylindrical surfaces
US6310710B1 (en) 1999-04-23 2001-10-30 Arie Shahar High-resolution reading and writing using beams and lenses rotating at equal or double speed
US6531681B1 (en) 2000-03-27 2003-03-11 Ultratech Stepper, Inc. Apparatus having line source of radiant energy for exposing a substrate
SE518170C2 (sv) 2000-06-27 2002-09-03 Micronic Laser Systems Ab Flerstrålemönstergenerator och metod för skannande
US7453486B2 (en) 2000-12-13 2008-11-18 Orbotech Ltd Pulse light pattern writer
US20020115021A1 (en) 2001-02-01 2002-08-22 Advanced Micro Devices, Inc. Configurable patterning device and a method of making integrated circuits using such a device
US20020126479A1 (en) 2001-03-08 2002-09-12 Ball Semiconductor, Inc. High power incoherent light source with laser array
US20020171047A1 (en) 2001-03-28 2002-11-21 Chan Kin Foeng Integrated laser diode array and applications
GB2395799B (en) 2001-07-27 2005-06-15 Tesa Scribos Gmbh Lithograph having a moving cylindrical lens system
US20030043582A1 (en) 2001-08-29 2003-03-06 Ball Semiconductor, Inc. Delivery mechanism for a laser diode array
US20030091277A1 (en) 2001-11-15 2003-05-15 Wenhui Mei Flattened laser scanning system
JP2003178954A (ja) * 2001-12-12 2003-06-27 Canon Inc 露光装置及びデバイスの製造方法
JP2003220484A (ja) 2002-01-23 2003-08-05 Fine Device:Kk レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP4016179B2 (ja) * 2002-02-28 2007-12-05 ソニー株式会社 露光装置及び収束レンズの制御方法
GB2389457B (en) 2002-06-07 2006-07-26 Microsaic Systems Ltd Microengineered optical scanner
WO2004013692A2 (en) 2002-08-02 2004-02-12 Massachusetts Institute Of Technology System and method for maskless lithography using an array of sources and an array of focusing elements
US20050042390A1 (en) 2003-01-09 2005-02-24 Siegel Stephen B. Rotary UV curing method and apparatus
US7175712B2 (en) 2003-01-09 2007-02-13 Con-Trol-Cure, Inc. Light emitting apparatus and method for curing inks, coatings and adhesives
JP2004327660A (ja) * 2003-04-24 2004-11-18 Nikon Corp 走査型投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2005024584A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Nikon Corp 走査型投影露光装置及び露光方法
WO2005006082A1 (fr) 2003-07-15 2005-01-20 Natalia Viktorovna Ivanova Procedes de formation d'images et dispositifs associes
JP2005114922A (ja) 2003-10-06 2005-04-28 Canon Inc 照明光学系及びそれを用いた露光装置
US6967711B2 (en) 2004-03-09 2005-11-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060108508A1 (en) 2004-03-12 2006-05-25 Najeeb Khalid Method and apparatus for high speed imaging
WO2006002668A1 (de) 2004-06-30 2006-01-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Leuchtdiodenmatrix und verfahren zum herstellen einer leuchtdiodenmatrix
US7116404B2 (en) 2004-06-30 2006-10-03 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1825332A1 (en) 2004-12-14 2007-08-29 Radove GmbH Process and apparatus for the production of collimated uv rays for photolithographic transfer
WO2006069340A2 (en) 2004-12-21 2006-06-29 Carnegie Mellon University Lithography and associated methods, devices, and systems
JP4858439B2 (ja) 2005-01-25 2012-01-18 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法
US8163580B2 (en) 2005-08-10 2012-04-24 Philips Lumileds Lighting Company Llc Multiple die LED and lens optical system
WO2007050022A2 (en) 2005-10-26 2007-05-03 Micronic Laser Systems Ab Writing apparatuses and methods
JPWO2007058188A1 (ja) 2005-11-15 2009-04-30 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
WO2007098935A2 (en) 2006-02-28 2007-09-07 Micronic Laser Systems Ab Platforms, apparatuses, systems and methods for processing and analyzing substrates
US9001028B2 (en) 2006-08-19 2015-04-07 David James Baker Projector pen
DK1892576T3 (da) 2006-08-25 2013-09-16 Luescher Technologies Ag Eksponeringsindretning til at fremstille serigrafiskabeloner
DE102006059818B4 (de) 2006-12-11 2017-09-14 Kleo Ag Belichtungsanlage
WO2008099706A1 (ja) * 2007-02-16 2008-08-21 Sanyo Electric Co., Ltd. 光ピックアップ装置
JP4473297B2 (ja) 2007-09-20 2010-06-02 日立ビアメカニクス株式会社 レーザ直描装置
US8130623B2 (en) 2008-05-23 2012-03-06 Panasonic Corporation Optical information recording and/or reproducing apparatus, optical information recording and/or reproducing method, optical information recording medium, and solid immersion lens
JP2010027755A (ja) * 2008-07-17 2010-02-04 Panasonic Corp パターン形成方法
CN102362226B (zh) 2008-12-05 2014-11-05 麦克罗尼克迈达塔有限责任公司 用于在工件上写入或读取图像的旋转臂
US20100265557A1 (en) 2009-04-21 2010-10-21 Jesper Sallander Optical Systems Configured to Generate More Closely Spaced Light Beams and Pattern Generators Including the Same
JP2010278335A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ素子及びこれを用いた光ピックアップ装置
EP2267534A1 (en) 2009-06-22 2010-12-29 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Illumination system
US8467117B2 (en) 2009-09-01 2013-06-18 Micronic Mydata AB Pattern generation systems and high bandwidth focus control system with suppressed reaction forces and noise
US8506559B2 (en) 2009-11-16 2013-08-13 Alcon Lensx, Inc. Variable stage optical system for ophthalmic surgical laser
JP5603957B2 (ja) 2010-02-23 2014-10-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
WO2011104171A1 (en) 2010-02-23 2011-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4796038A (en) * 1985-07-24 1989-01-03 Ateq Corporation Laser pattern generation apparatus
US6133986A (en) * 1996-02-28 2000-10-17 Johnson; Kenneth C. Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy
JP2000507749A (ja) * 1996-06-29 2000-06-20 ドイチェス ツェントルム フューア ルフト ウント ラウムファールト エー．ファウ． リソグラフィ露光装置およびリソグラフィ処理
TW201015244A (en) * 2008-09-22 2010-04-16 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112230425A (zh) * 2020-12-08 2021-01-15 江西联创光电科技股份有限公司 一种半导体激光器扩束镜调整装置
CN112230425B (zh) * 2020-12-08 2021-03-16 江西联创光电科技股份有限公司 一种半导体激光器扩束镜调整装置

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