TW202305513A - 曝光裝置、元件製造方法及平板顯示器之製造方法 - Google Patents

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水野恭志
水野仁
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Abstract

本發明之曝光裝置包括：曝光單元，包括：包含複數個元件且根據曝光圖案而複數個元件被控制之空間光調變器、對空間光調變器進行照明之照明光學系統、以及將空間光調變器之像投影至基板上之投影光學系統；資料生成部，根據第2曝光圖案來生成控制複數個元件之控制資料；測量系統，於藉由曝光單元將第2曝光圖案曝光於基板上之前，對與第1曝光圖案一併曝光之標記進行測量；以及控制部，根據由測量系統所得之標記之測量結果，來控制投影光學系統、空間光調變器及資料生成部中之至少任一者，從而控制由投影光學系統所得之基板上之投影位置；並且曝光單元設置有複數個，將分割為複數個之第2曝光圖案分別曝光於上述基板上，控制部對每個曝光單元控制投影位置。

Description

曝光裝置、元件製造方法及平板顯示器之製造方法
本發明係關於一種曝光裝置、元件製造方法及平板顯示器之製造方法。 本申請案基於2021年4月9日提出申請之日本專利特願2021-066818號而主張優先權，且將其內容引用於本文中。
先前，作為經由光學系統來對基板照射照明光之曝光裝置，已知如下曝光裝置，其將利用空間光調變器來調變之光通過投影光學系統，使由該光所形成之像於塗佈於基板上之光阻劑上成像而曝光（例如參照專利文獻1）。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-108559號公報
本發明之一形態係一種曝光裝置，其係一邊使曝光有第1曝光圖案之基板於掃描方向移動，一邊重疊第2曝光圖案而進行曝光者，其包括：曝光單元，包括：包含複數個元件且根據曝光圖案而上述複數個元件被控制之空間光調變器、對上述空間光調變器進行照明之照明光學系統、以及將上述空間光調變器之像投影至上述基板之投影光學系統；資料生成部，根據上述第2曝光圖案來生成控制上述複數個元件之控制資料；測量系統，於藉由上述曝光單元而將上述第2曝光圖案曝光於上述基板上之前，對與上述第1曝光圖案一併曝光之標記進行測量；以及控制部，根據由上述測量系統所得之上述標記之測量結果，來控制上述投影光學系統、上述空間光調變器及上述資料生成部中之至少任一者，從而控制由上述投影光學系統所得之上述基板上之投影位置；並且上述曝光單元設置有複數個，將分割為複數個之上述第2曝光圖案分別曝光於上述基板上，上述控制部對每個上述曝光單元控制上述投影位置。
本發明之另一形態係一種曝光裝置，其係一邊使曝光有第1曝光圖案之基板於掃描方向移動，一邊重疊第2曝光圖案而進行曝光者，包括：曝光單元，包括：包含複數個元件且根據曝光圖案而上述複數個元件被控制之空間光調變器、對上述空間光調變器進行照明之照明光學系統、以及將上述空間光調變器之像投影至上述基板之投影光學系統；資料生成部，根據上述第2曝光圖案來生成控制上述複數個元件之控制資料；基板平台，將向上述第1曝光圖案之曝光方向與上述掃描方向交叉之方向搬送之基板加以保持；測量系統，於藉由上述曝光單元而將上述第2曝光圖案曝光於上述基板上之前，對與上述第1曝光圖案一併曝光之標記進行測量；以及驅動部，使上述基板平台相對於上述曝光單元而向上述掃描方向相對移動，根據由上述測量系統所得之上述標記之測量結果，將上述第2曝光圖案重疊於上述第1曝光圖案上而曝光。
本發明之另一形態包括：曝光單元，包括：包含複數個元件且根據曝光圖案而上述複數個元件被控制之空間光調變器、對上述空間光調變器進行照明之照明光學系統、以及將上述空間光調變器之像投影至上述基板之投影光學系統；資料生成部，根據上述曝光圖案來生成控制上述複數個元件之控制資料；以及接收部，接收與對曝光有上述曝光圖案之上述基板進行重疊曝光之曝光機有關之資訊；並且上述資料生成部基於上述資訊來修正上述控制資料。
本發明之一形態包括：使用上述曝光裝置，將上述基板進行曝光；以及將經曝光之上述基板進行顯影。
本發明之一形態包括：使用上述曝光裝置，將平板顯示器用之基板進行曝光；以及將經曝光之上述基板進行顯影。
以下，參照圖式，對實施方式進行詳細說明。圖1係表示本實施方式之曝光裝置之一例之立體圖。曝光裝置1係經由光學系統來對基板10照射照明光之裝置。曝光裝置1係將由空間光調變器75（參照圖2）所調變之光通過投影光學系統（後述投影模組7B）中，使由該光所得之像成像於感光材料（光阻劑）上而進行曝光者。基板10係於表面塗佈有例如光阻劑之顯示器用之玻璃基板。
如圖1所示，曝光裝置1包括：支持基板10之基板平台4、為對基板10曝光預定之曝光圖案而進行掃描曝光之曝光裝置本體2、以及用以將基板10搬送·載置於基板平台4上之基板交換部3。
此處，將於對基板10之掃描曝光時基板平台4所移動之方向以第1方向X1來表示。將與第1方向正交（交叉）之方向設為第2方向X2。又，將與第1方向X1及第2方向X2正交之方向設為第3方向X3。
基板平台4將俯視時為矩形之基板10加以保持。
如圖1及圖2所示，曝光裝置本體2包括：曝光單元20、光學定盤21、對準系統5、以及自動對焦系統23。曝光單元20內藏有上述空間光調變器75，係自光源61來供給光，且以預先設定之曝光圖案來照射光者。
曝光單元20係由利用柱22來固定之光學定盤21所支持。光學定盤21形成為平板狀，固定於門型之柱22之上部，該柱22係以於載置有基板平台4之向第1方向X1延伸之底板11上跨越之方式來設置。光學定盤21配置於底板11之第1方向X1之中央部分。
底板11經由複數個防振台111而設置於地板面。底板11係於第1方向X1上延伸之基盤，於上表面11a上搭載有後述之基板平台4。於底板11之上表面11a上，設置有沿著第1方向X1而引導基板平台4之引導件（圖示省略）。
柱22包括：於第2方向X2上延伸之一對橫架材221、以及自橫架材221之兩端向下方延伸而與底板11連結之腳部222。此外，對於腳部222，施加搭載於光學定盤21上之荷重，因此亦可於底板11與腳部222之連結部配置防振台（圖示省略）。於橫架材221之上表面，3個V槽形成於適當之位置。光學定盤21於一對橫架材221上，以使上表面21a朝向水平方向之狀態，經由3點之球而載置於上述V槽中。
於光學定盤21上，搭載有後述之照明・投影模組7、AF（auto-focus，自動對焦）系統23、第2對準系統5B。而且，於光學定盤21上，為了將曝光用光引導至基板10上，而設置有於厚度方向上貫穿之複數個第1貫穿孔21b（參照圖2）。光學定盤21之對於柱22之固定方法若為可確保剛性之方法，則可適當應用。
基板平台4係用以相對於經由後述投影模組7B而投影之曝光圖案之複數個部分像，將基板10高精度地定位者。基板平台4係以6自由度（第1方向X1、第2方向X2、第3方向X3以及圍繞各軸X1、X2、X3而旋轉之θX1、θX2及θX3方向）來驅動。
如圖1及圖2所示，基板平台4形成為平板形狀，於上表面4a上，利用例如真空吸附等方法來吸附保持基板10。 基板平台4由底板11上之未圖示之引導件所引導，利用干涉儀53或編碼器來測量、控制基板平台4之位置，使其向第1方向X1或第2方向X2移動。此時之基板平台4之移動機構例如可採用線性馬達方式等，其利用空氣使基板平台4上浮，並且利用磁力使其移動。
基板平台4之移動路徑係以於曝光單元20之下方通過之方式來設定。即，基板平台4搬送至由曝光單元20所得之光之照射位置，以使其通過該照射位置之方式來構成。而且，於基板平台4通過曝光單元20之過程中，由曝光單元20形成之像之曝光圖案曝光於基板10上。
如圖1所示，於基板平台4之上表面4a上，交換基板10時所使用之複數個交換銷（圖示省略）係以可於上下方向（第3方向X3）出沒之方式來設置。該等交換銷於基板平台4之上表面4a中的配置基板10之區域中，於第1方向X1及第2方向X2上隔開預定之間隔而排列。若交換銷向上方突出，則成為於銷前端支持基板10之下表面之狀態。即，可藉由使交換銷出沒而使基板10上升、下降。交換銷之自上表面4a起之突出長度至少設定為後述交換臂3A之基板支持部31可於上升之基板10之下方進出之長度。
如圖1所示，基板交換部3將基板平台4上之曝光完畢之基板10向基板平台4之外方搬出，且將接下來所要曝光之基板10搬入至已將曝光完畢之基板10搬出之基板平台4上。基板交換部3包括用以將基板平台4上之基板10高速交換之交換臂3A。交換臂3A設置有：使基板10相對於基板平台4而搬入之搬入臂、以及使基板10搬出之搬出臂。交換臂3A於臂前端包括基板支持部31。交換臂3A配置於基板平台4之第2方向X2之側方，且以可於第1方向X1、第2方向X2及第3方向X3上移動之方式來設置。交換臂3A於第2方向X2上移動而使基板支持部31於基板10之下方進出，進而使其上升，藉此自下方支持基板10，進而於第2方向X2上向遠離基板平台4之方向移動，藉此可進行自基板平台4上取出基板10之動作。
基板10塗佈感光性之光阻劑而搬入至曝光裝置1內，藉由交換臂3A而載置於設置在基板平台4上之複數個上述交換銷上。然後，使交換銷下降，吸附於基板平台4上之基板固持器上而保持。
圖2係表示曝光單元20之構成之圖。 如圖2所示，曝光單元20包括：光源單元6（參照圖1）；以及照明・投影模組7，其用以使用空間光調變器75（後述），將光源單元6之光源61以及來自光源61之光進行曝光。
如圖1所示，光源單元6設置有一對。光源單元6可採用：將干涉性高之雷射作為光源61之光源單元、使用如半導體雷射型之UV-LD（ultraviolet - laser diode，紫外線-雷射二極體）般之光源61之光源單元、以及利用透鏡中繼式之減速器的光源單元。即，光源61設為射出405 nm或365 nm之波長之燈或雷射二極體。
如圖3所示，照明・投影模組7之光學系統包括：照明模組7A、投影模組7B、以及調變部7C。
照明模組7A與投影模組7B為一比一之關係，為相同數量。照明模組7A利用光纖71，將雷射光L取入至照明模組7A內，利用準直透鏡721、複眼透鏡723、以及主聚光透鏡724，對空間光調變器75大致均勻地照射雷射光L。
於照明模組7A中配置有模組快門73，其對於自光纖71中射出之雷射光L，可於照明模組7A以及投影模組7B之每一個中高速地打開/關閉。
照明模組7A係將自圖1所示之光源單元6之光源61輸出之雷射光L作為曝光用照明光而射入至空間光調變器75者。如上所述，照明模組7A包括：光纖71、準直透鏡721、照明楔722、複眼透鏡723、及主聚光透鏡724。光纖71例如使用石英之纖維。光源61之輸出光（雷射光L）由光纖71引導而射入至準直透鏡721。準直透鏡721將自光纖71射出而擴散之光轉換為平行光而射出。照明楔722調整自光纖71射出之光之強度（功率）。通過準直透鏡721之光通過複眼透鏡723、及主聚光透鏡724且由鏡子725反射，以預定之反射角度射入至空間光調變器75。此外，照明模組7A及光源單元6亦被認為係由兩者來對空間光調變元件75進行照明者，亦可將2個合併而表述為照明系統。
調變部7C係將照明光進行調變來製作圖案者，包括空間光調變器75及關閉光吸收板74。空間光調變器75採用數位鏡元件來作為一例。空間光調變元件75包括複數個元件（數位鏡元件中為鏡子）。空間光調變器75需要進行各個鏡子之驅動，因此較連續光而言，較佳為固定週期之脈衝發光、或可僅於預定之期間以脈衝之方式發光之光源。
如圖4所示，空間光調變器75係由可於第1方向X1、第2方向X2上移動之平台所保持，例如進行相對於基板平台4之目標值而言的偏差量之修正。
圖5A表示空間光調變器75之電源關閉之狀態。圖5B所示之空間光調變器75表示藉由使鏡子圍繞X2軸傾斜，而使來自照明模組7A之光朝向基板10反射之打開狀態。又，圖5C所示之空間光調變器75表示藉由使鏡子圍繞X1軸傾斜，而將來自照明模組7A之光設為關閉光L2，不向基板10而向關閉光吸收板74引導光之關閉狀態。如上所述，空間光調變子75可基於控制資料來對每個鏡子控制各個鏡子之打開狀態及關閉狀態，形成圖案。
如圖2所示，投影模組7B係由光學定盤21上所支持，配置於作為調變部7C之空間光調變器75之下方。如圖3所示，包括：倍率調整部76，對用以將空間光調變器75之1畫素以預定之大小來投影之倍率進行調整；以及焦距調整部77，對由透鏡之向第3方向X3之驅動所引起之焦距進行調整。投影模組7B係將圖案之像投影、曝光、形成於基板10上者。
於倍率調整部76，可對藉由驅動一部分透鏡而引起之倍率稍微修正。倍率調整部76包括倍率調整透鏡761，其將來自空間光調變器75之像例如自1/2倍縮小至1/10倍而投影至焦距調整部77上。此外，倍率調整部76之倍率調整並不限定於縮小，亦可為擴大。 焦距調整部77包括複數個聚焦透鏡771，其將倍率調整部76之像聚光為點狀而投影至作為焦點面之基板面10a上。
如圖2所示，投影模組7B於光學定盤21中沿著第1方向X1而設置有複數行。
如圖2所示，於光學定盤21上，關於第1方向X1而於夾持投影模組7B之兩側配置有自動對焦系統23（參照圖7）。不論基板10之掃描方向（第1方向X1）如何，自動對焦系統23均可於曝光處理之前先測量基板10之X3方向之位置。焦距調整部77基於自動對焦系統23之測量結果來驅動聚焦透鏡771，調整空間光調變元件75之圖案像之焦距。
如圖2所示，於光學定盤21上，於在第1方向X1上夾持投影模組7B之兩側配置有自動對焦系統23（參照圖7）。不論基板10之掃描方向（第1方向X1）如何，自動對焦系統23均可先行測量。
如圖2及圖6所示，對準系統5包括：設置於基板平台4上之第1對準系統5A（參照圖6）、以及設置於光學定盤21上之第2對準系統5B（參照圖2）。
如圖6所示，第1對準系統5A埋設於基板平台4之預定位置。第1對準系統5A對吸附於未圖示之固持器上之基板10相對於基板平台4之位置進行測量。第1對準系統5A配置於基板平台4之至少四角。於基板平台4上，於設置第1對準系統5A之四角之部位設置有於平台厚度方向上貫穿之貫穿孔42。
第1對準系統5A包括：透鏡511，配置於基板平台4之貫穿孔42內；如LED（Light Emitting Diode，發光二極體）般之光源513，配置於透鏡511之下方，將測量光朝向載置於基板平台4上之預定位置之基板10之對準標記12照射；以及測定部512，檢測於對準標記12上反射之光。
第1對準系統5A中，於在基板平台4上載置有基板10之情形時，可藉由測量基板10之例如四角之位置，測量X1方向位置、X2方向位置、旋轉量（θX3）、X1方向之縮小/擴大倍率、X2方向之縮小/擴大倍率、正交度之6個參數（位置資訊）而算出。 此外，作為基板平台4上之第1對準系統5A之配置，並非如上所述般限制為四角。例如，於由於基板10之非線形形狀等製程原因而發生之情形時，配置4個部位×4行等相當數量之第1對準系統5A。
第1對準系統5A為離軸之對準系統。第1對準系統5A係以進行攝像之CCD（Charge Coupled Device，電荷耦合元件）、或者CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金屬氧化物半導體）之畫素為基準來測量基板10之對準標記12。
又，如圖2所示，於基板平台4上包括：校正用測量系統52、測量基板平台4之位置之干涉儀53、及照度測量機54。校正用測量系統52、干涉儀53、及照度測量機54係於基板10之曝光中或曝光前，取得與曝光單元2之光有關之資訊的取得部。 校正用測量系統52用於各種複數個模組之位置之測量及校正。校正用測量系統52亦用於對配置於光學定盤21上之第2對準系統5B進行校正。
如上所述，於本實施方式之曝光裝置1中，藉由利用基板平台4內之第1對準系統5A來測量進行曝光之空間光調變器75中所生成之圖案之成像位置，能夠利用測量基板平台4之位置之干涉儀53以及對準系統5之圖像位置，來測量基板平台4中之第1對準系統5A相對於成像系統之位置。
又，如圖2所示，於光學定盤21上，於基板平台4之上方之位置配置有第2對準系統5B。 第2對準系統5B係對吸附於未圖示之固持器上之基板10相對於基板平台4之位置進行測量者。第2對準系統5B配置於在厚度方向上貫穿光學定盤21而設置之第2貫穿孔21c中。
第2對準系統5B包括：透鏡551，配置於光學定盤21之第2貫穿孔21c之下方；光感測器552，配置於透鏡551之上方，朝向載置於基板平台4上之預定位置之基板10之對準標記12照射測量光；以及測定部553，檢測於對準標記12上反射之光。 第2對準系統5B係與第1對準系統5A同樣，於在基板平台4上載置有基板10之情形時，可藉由測量與基板10有關之X1方向位置、X2方向位置、旋轉量（θX3）、X1方向之縮小/擴大倍率、X2方向之縮小/擴大倍率、正交度之6個參數（位置資訊）來算出。
光學定盤21係於第1方向X1上延伸而形成。第2對準系統5B係關於第1方向X1，與照明模組7分離而設置於光學定盤21上。基板平台4將基板10上之對準標記12向第2對準系統5B可測量之位置移動。藉由基板平台4之驅動，可測量配置於基板10上之對準標記12，因此可於基板10大致整個面上進行測量。
第1對準系統5A將基板10載置於基板平台4上，可測量與基板10有關之位置資訊。第1對準系統5A亦可關於第1方向X1，與照明模組7分離而設置於光學定盤21上。
其次，基於圖式，對將基板10進行曝光之方法進行說明。 首先，如圖1所示，若對曝光裝置1投入用以曝光之配方，則用以曝光之遮罩資料係自遮罩圖案伺服器中選擇。而且，如圖2所示，將遮罩資料分割為照明模組7A之數量，生成已分割之遮罩資料，存儲於設置在各模組中之記憶體中。此時，空間光調變器75例如以大致10 kHz左右之更新速率來更新4 Mpixel，因此記憶體高速存儲大容量之遮罩資料。模組係根據遮罩資料之準備（向記憶體之發送）來進行各種曝光準備。即，預先於曝光前載入所需之經登錄之空間光調變器75之圖案。
首先，曝光裝置1根據配方來進行照度（光之資訊）之測量、校正。例如，配置於基板平台4上之照度測量機54對自生成於空間光調變器75上之照度測量用圖案而來之光之照度進行測量。藉由對照明模組7A及投影模組7B進行測量，而利用配置於照明模組7A內之照明楔722，進行包括模組7A、7B間之差在內的照度之調整。藉此，可利用所測量之照度（光之狀態）來對照明模組7A進行修正。
其次，如圖2所示，利用校正用測量系統52來對配置於光學定盤21上之第2對準系統5B、與照明模組7A及投影模組7B之曝光位置進行測量。 即，校正用測量系統52對照明模組7A及投影模組7B之配置與顯微鏡之位置進行測量，算出該等照明模組7A及投影模組7B與顯微鏡之相對位置關係。又，設置於基板平台4上之第1對準系統5A之位置係藉由使用由投影模組7B所投影之空間光調變器75之曝光圖案來測量而算出。如上所述，算出第1對準系統5A及各模組7A、7B之曝光位置。
其次，如圖6所示，將用以曝光之基板10載置於基板平台4上。此時，藉由第1對準系統5A來對基板10之對準標記12進行觀察・測量。藉此，能夠基於照明模組7A及投影模組7B與顯微鏡之相對位置關係，來確認於基板10上之哪一位置配置有曝光圖案。基於該測量資訊，於後述之資料控制部生成修正資料。亦可使其於X1方向、X2方向、θX3方向上，移動至基板平台4相對於照明模組7A及投影模組7B之位置來修正。
藉由該動作，可知配方上應曝光之位置、與以現狀之基板10與投影模組7B之配置關係而曝光於基板10上之位置的偏移量。本實施方式中，為修正該偏移量，而修正曝光資料。此外，不僅利用曝光資料來修正，亦可使基板平台4自身移動而減小偏移量後，生成修正資料。於該情形時，利用資料來修正之量減少。亦可使空間光調變器75移動，來變更基板10上之曝光位置。可藉由資料修正以及使基板平台4移動來修正偏移量，亦可藉由資料修正以及使空間光調變器75移動來修正偏移量，亦可藉由資料修正、使基板平台4移動以及使空間光調變器75移動，來修正偏移量。
此外，曝光裝置1中，亦可於基板10上，以液晶電視等之面板單位來算出修正值，求出基板平台4之修正值。於如上所述，對基板10進行部分性修正之情形時，於照明模組7A及投影模組7B之每一個中修正值基本上不同，對照明模組7A及投影模組7B之每一個算出修正值，對所要曝光之數位曝光資料進行修正。
其次，於基板平台4中，對曝光動作、以及製作修正資料之修正資料製作動作之兩動作進行說明。 如圖6所示，基板平台4使用基板交換部3之交換臂3A（參照圖1）而於基板平台4上載置基板10。然後，利用第1對準系統5A來對基板10之對準標記12進行測量。
曝光裝置1與包括記憶體之資料控制部連接而控制。資料控制部與曝光裝置1之各部位（對準系統5（5A、5B）、基板平台4、光學系統（照明模組7A、投影模組7B及調變部7C））連接，來進行測定值之收發或自資料控制部向曝光裝置1之控制動作之指令等。記憶體具有藉由測量而生成用以驅動空間光調變器75之數位曝光資料並進行修正之功能，存儲數位曝光資料之修正資料。資料控制部組入至個人電腦中。
其次，上述資料控制部中，算出數位曝光資料之修正值（修正資料）。而且，資料控制部中，將所獲得之修正資料存儲於記憶體中。然後，曝光裝置1基於所發送之基板10之修正資料及配方之資訊，對基板平台4上之基板10進行重疊曝光。
進行基板平台4中之資料修正之動作中，亦可於資料之修正中進行校準等。 資料控制部中，例如，將利用設置於曝光中之基板平台4上之照度測量器54或校正用測量系統52來測量之照度等光之資訊作為修正資料，可基於該修正資料來調整照明・投影模組7之照度。此時之光之資訊於基板平台4之資料修正開始前發送至照明・投影模組7。此外，亦可於在基板平台4上進行資料修正之中途，將上述光之資訊發送至照明・投影模組7。
又，曝光裝置1中，與複數個照明模組7A及投影模組7B之排列測量一併，先進行與曝光位置及資料修正有關之測量，然後進行照度測量、或設置於基板平台4上之移動鏡13之彎曲（真直度）修正等，藉此可於曝光動作中進行根據資料之修正值之算出以及修正資料之發送。如此一來，可發送考慮到基板10之對準或模組之排列的資料，而不會影響節拍。
如圖7所示，遮罩曝光機8係將形成於遮罩M（參照圖8）上之圖案曝光於基板10上之曝光裝置。遮罩曝光機8包括：照射光之光纖81、照明光學系統、支持遮罩M且使其移動之遮罩平台83、投影光學系統、以及支持基板且使其移動之基板平台84。 本實施方式中，第1次曝光（以下稱為第1曝光）係利用遮罩曝光機8來進行，第2次以後之曝光（以下稱為第2曝光）係利用使用空間光調變器75之曝光裝置1來進行。曝光裝置1一邊將已由遮罩曝光機8進行第1曝光之基板10支持於基板平台4上而移動，一邊對基板10進行成為第2曝光之重合曝光。
圖8表示遮罩曝光機8之掃描布局。符號85表示利用投影光學系統之第1曝光區域（參照圖7）。第1曝光區域85於俯視時為梯形之形狀。遮罩曝光機8將於第2方向X2上相鄰之第1曝光區域85之端部彼此相連，將基板10進行曝光。將該第1曝光區域85相連而曝光之基板10上之區域稱為第1相連區域。遮罩曝光機8由於遮罩之大小有限，故而掃描布局會受到制約。
如圖8所示，具體而言，遮罩曝光機8於使用基板10之1/4大小之遮罩之情形時，例如以將7個第1曝光區域85相連接，與基板10之1/4之區域成為相同程度之方式來配置。又，圖7所示之遮罩平台83亦設計為可支持基板10之1/4大小之遮罩M的大小。如上所述，根據遮罩M之大小或藉由1次曝光動作來曝光之基板10上之面積，來決定遮罩曝光機8內之構成，即，遮罩曝光機8受到制約。 遮罩曝光機8中，一邊反覆進行：使基板平台84及遮罩平台83相對於投影光學系統而向第1方向X1相對移動之掃描動作、以及相對於遮罩平台83而使基板平台84於第2方向X2方向或第1方向X1方向上相對移動之步進移動，一邊將基板整個面進行曝光。此外，遮罩M係設為基板10之1/4大小來說明，但並不限定於此，亦可採取1/6或1/8之大小。
本實施方式之曝光裝置1由於將藉由空間光調變器而形成之曝光圖案曝光於基板10上，故而與遮罩曝光機8不同，能夠不使用遮罩M而將基板10進行曝光。以後之說明中，由於不使用遮罩M，故而存在將曝光裝置1稱為無遮罩曝光機來進行說明之情形。
圖9A、圖9B表示無遮罩曝光機（曝光裝置1）之掃描布局。無遮罩曝光機中，不存在如上述遮罩曝光機8般之遮罩尺寸或裝置上之制約，可自由地配置布局。 例如，與如圖9B所示般以基板10之長邊與第2方向X2平行之方式載置於基板平台4上（縱向放置）之情形、如圖9A所示般以基板10之短邊與第2方向X2平行之方式載置於基板平台4上（橫向放置）之情形相比較，可縮短掃描長度，即，為對基板整個面進行曝光，基板平台84相對於曝光模組而移動之距離；亦可縮短為對基板整個面進行曝光而需要之時間。例如，於玻璃基板為第6代玻璃（1850 mm×1500 mm）之情形時，與在基板平台84上以橫向放置之方式來放置玻璃基板時之曝光時間相比，在基板平台84上以縱向放置之方式放置玻璃基板時之曝光時間成為1500/1850，能夠實現約23%之曝光時間之短縮。此外，符號86表示利用投影模組7B之第2曝光區域。 曝光機1將於第2方向X2上相鄰之第2曝光區域86之端部彼此相連，將基板10進行曝光。將使該第2曝光區域86相連而曝光之基板10上之區域稱為第2相連區域。
如圖10所示，基板10於第1方向X1及第2方向X2上分別分成2份，作為整體為4個之曝光區域來曝光。圖10所示之基板10中之紙面右半部分之布局（曝光區域）R1表示利用遮罩曝光機8之第1曝光之曝光結果，紙面左半部分之布局（曝光區域）R2表示利用曝光機1之第2曝光之曝光結果。
圖11A表示於基板10中之1個布局（曝光區域）R1、R2中，藉由利用遮罩曝光機8之第1曝光、以及利用曝光機1之第2曝光來進行重合曝光之結果。此時，遮罩曝光機8一邊使基板平台4及遮罩平台83相對於投影光學系統而向第1方向X1移動，一邊進行曝光。 曝光機1使基板平台4相對於曝光模組而向第1方向X1移動來進行曝光。即，圖11A係第1曝光時之利用遮罩曝光機8之曝光時之基板平台84之移動方向、與第2曝光時之利用曝光機1之曝光時之基板平台4之移動方向一致（平行）而將基板10進行曝光之結果。圖11A中，成為第1曝光時之基板10之移動方向與第2曝光時之基板10之移動方向無偏移（旋轉誤差）之曝光狀態。此處，相對於第1曝光之相連區域之寬度，將第2曝光之模組寬度設為1/2。
其次，關於在第2曝光時產生旋轉誤差之情形，即，相對於第1曝光時之基板10之移動方向，第2曝光時之基板10之移動方向旋轉偏移之情形，基於圖11B來進行說明。若於第1曝光及第2曝光中產生旋轉誤差，則於形成第1相連區域之方向及形成第2相連區域之方向上產生旋轉誤差，產生如波紋（干涉條紋）般之不均現象。該波紋現象係於第2曝光之第2曝光區域86小於第1曝光之第1曝光區域85，或第1相連區域之寬度窄於第2相連區域之寬度之情形時顯著產生。
本實施方式中，如圖12所示，曝光機1使第2曝光時之基板10之移動方向相對於第1曝光時之基板10之移動方向而旋轉90°，將基板10進行曝光。即，曝光機1之相連部之方向係以於第1曝光時之掃描方向與第1方向X1平行之情形時，第2曝光時之掃描方向與第2方向X2平行之方式，將基板10配置於基板平台4上。第2曝光時之掃描方向與第1曝光時之掃描方向正交。即便基板10以縱向放置之方式、或者橫向放置之方式來搬送，基板平台84、4亦具有可支持之大小。例如，於玻璃基板為第6代玻璃（1850 mm×1500 mm）之情形時載置於基板平台84、4上時，基板平台84、4較佳為具有1850 mm×1850 mm之尺寸（或較其更大之尺寸）。基板平台84、4不論縱向放置，還是橫向放置，均可支持基板10。
圖13A表示藉由第1曝光及第2曝光，使掃描方向旋轉90°而進行重合曝光之布局，表示無旋轉誤差之曝光狀態，即，第1曝光之掃描方向與第2曝光之掃描方向正交而將基板10曝光之狀態。圖13B表示於第1曝光及第2曝光中使掃描方向自90°起稍微偏轉旋轉角度之狀態，即，於產生旋轉誤差之情形時，基板10被曝光之狀態。 如圖13A所示，藉由於第1曝光、及第2曝光中使掃描方向旋轉90°，而與如上所述之於第1曝光及第2曝光中使掃描方向一致而產生旋轉誤差之圖11B所示之布局相比，可減少如波紋般之不均現象。又，如圖13B所示，即便於第1曝光、及第2曝光中使掃描方向旋轉約90°，如波紋般之現狀亦減少。
此外，於如模組之相連部般產生由位置偏移所引起之反曲點之部位，急遽變化，或於相連部跨越之第1曝光與第2曝光之各模組之重合曝光之差增大。藉此，電特性亦變得不均，因此於第1曝光及第2曝光為相同方向之掃描之情形時，所產生之誤差僅為於第1曝光及第2曝光中所產生之模組之相連誤差之和。另一方面，於使第1曝光及第2曝光之掃描方向旋轉90°之情形時，只要考慮到第1曝光及第2曝光中分別產生之誤差即可，可藉由電性旋轉90°來減少曝光不均。
此外，本實施方式中，雖示出於第1曝光時，基板10以橫向放置之方式配置於基板平台84上而曝光之例，即，於第2曝光時，基板10以縱向放置之方式配置於基板平台4上而曝光之例，但並不限定於此。例如，亦可於第1曝光時，基板10以縱向放置之方式配置於基板平台84上而曝光，即，於第2曝光時，基板10以橫向放置之方式配置於基板平台4上，基板10藉由曝光裝置1而曝光。於該情形時，投影模組7B能夠以較圖13A、圖13B所示之數量更少之數量來滿足區域之邊。如圖3所示，曝光中未使用之投影模組7B藉由模組快門73來遮擋自光纖71射出之光。亦可不為模組快門73，而將空間光調變器75之每個元件全部設定為關閉狀態。或者，亦可於投影模組7B內另外設置快門機構，且設置遮擋自空間光調變器75朝向基板10之光的構件。光源單元6亦可僅於第2曝光所必需之模組中經由光纖71來引導照明光。
（第1實施例） 其次，作為第1實施例，對使第1曝光及第2曝光之掃描方向旋轉90°之情形時的利用曝光裝置1之對準動作進行說明。所謂對準動作，係於第2曝光之前進行，用以藉由經由對準標記12來測量第1曝光之位置，而將第2曝光之曝光位置與第1曝光之曝光位置重疊之動作。
如圖14所示，用於曝光之基板10示出於遮罩曝光機8中以橫向放置之方式載置於基板平台84上來曝光之一例。遮罩曝光機8於第1曝光時，於基板10上在長邊方向（第1方向X1）之兩端部10c，於短邊方向（第2方向X2）上隔開間隔而曝光複數個（此處為6個）之對準標記12。又，遮罩曝光機8於第2方向X2之兩端部10d，於第1方向X1之中心部亦曝光對準標記12。
進而，遮罩曝光機8中，亦可於4個布局之邊界部分，亦沿著其邊界線而將複數個對準標記12進行曝光。對準標記12係經由遮罩曝光機8之投影透鏡，將設置於遮罩上之對準標記於第1曝光時曝光於基板10上而形成者。對準標記12設置於可利用第2曝光中所使用之曝光裝置內之對準顯微鏡55來觀察之位置。 此外，於基板10上，為表示朝向而於曝光區域R上顯示「F」。即，「F」係以將基板10之長邊方向設為橫向（第1方向X1）之狀態來顯示。
圖14表示遮罩曝光機8所包括之對準顯微鏡55之配置。對準顯微鏡55沿著第2方向X2而隔開預定之間隔來配置，且設置於可對基板10上之對準標記12進行觀察/測量之位置。其原因在於，對於已利用遮罩曝光機8進行第1曝光之基板10，第2曝光亦利用相同之遮罩曝光裝置8、相同種類之遮罩曝光裝置8、或者對準顯微鏡55設置於相同位置之其他種類之遮罩曝光裝置8來進行曝光。
圖15表示如圖14所示般藉由遮罩曝光機8來進行第1曝光之基板10，以縱向放置之方式（使長邊方向朝向第2方向X2之朝向）載置於（無遮罩）曝光裝置1內之基板平台4上之狀態。 曝光裝置1包括對準顯微鏡56，其沿著掃描方向（第2方向X2）而隔開預定之間隔來排列有複數個（此處為6個）。對準顯微鏡56係以與遮罩曝光機8之對準顯微鏡55所配置之間隔不同之間隔，設置於曝光裝置1內。其原因在於，由於對已利用曝光機1進行第1曝光之基板10，第2曝光亦利用相同之曝光裝置1、相同種類之曝光裝置1、或者對準顯微鏡56設置於相同位置之其他種類之曝光裝置1來進行曝光，故而會以與對準顯微鏡55不同之配置間隔來設置對準顯微鏡56。對準顯微鏡56設置為無法觀察/測量對準標記12之配置。
對準顯微鏡56包括：第1顯微鏡56A（第3測量系統），以無法移動之狀態來固定位置；以及第2顯微鏡56B（第4測量系統），以可於縱向（第2方向X2）上以預定之移動距離來移動之方式設置。第1顯微鏡56A例如為所配置之6個中的除兩側以外之4個。第2顯微鏡56B為所配置之6個中的第2方向X2之兩側之2個。配置於第2方向X2之兩側之第2顯微鏡56B係以向可對以縱向放置之方式配置之基板10之對準標記12進行進行觀察之位置移動的方式，來控制第2方向X2之位置。第2顯微鏡56B係以關於第2方向X2，將與第1顯微鏡56A之間隔變更之方式來移動。藉此，對準顯微鏡56可對藉由第1曝光而曝光於基板10上之對準標記12進行觀察/測量。其結果為，曝光裝置1可以與藉由第1曝光而曝光之曝光區域重疊之方式，藉由第2曝光而將所需之圖案曝光於基板10上。
此外，本實施例中，排列於縱向（第2方向X2）上之6個對準顯微鏡56中僅第2方向X2之兩側之2個第2顯微鏡56B可移動，但並不限定於此。例如，亦可為如下構成：全部6個對準顯微鏡56以可於第2方向X2上移動之方式來設置，且各個對準顯微鏡56可變更第2方向X2之間隔。 圖15中，示出僅於曝光區域R之第2方向X2之兩端，藉由第1曝光來形成對準標記12之例，但與圖14所示之對準標記12同樣，於在曝光區域R之第1方向X1側亦形成有對準標記12之情形、或在曝光區域R之邊界區域形成有對準標記12之情形時，於對準顯微鏡56觀察/測量該等對準標記12時有用。此外，基準標記檢測部亦可設為能夠測量對準顯微鏡56之第2方向X2之移動距離。
又，本實施例中，對準顯微鏡56中之第2顯微鏡56B可移動，但並不限定於如上所述般可移動。例如，對準顯微鏡56亦可更包括設置於可對由遮罩曝光機8所曝光之對準標記12進行測定之位置的顯微鏡。 又，曝光裝置1為了可於不移動對準顯微鏡56之情況下觀察對準標記12，亦可使保持基板10之基板平台4向第2方向X2移動。
又，本第1實施例中，雖設為利用遮罩曝光機8來進行第1曝光且利用曝光裝置1來進行第2曝光之方法，但並不限定於此。例如，亦可為利用遮罩曝光機8來進行第1曝光及第2曝光且利用無遮罩曝光機（曝光裝置1）來進行第3曝光之方法。 進而，並不限定於如第1實施例般，第1曝光為利用遮罩曝光機8之曝光之情況。亦可為第1曝光利用曝光裝置1者。
又，遮罩曝光機8亦可為不進行相連曝光之曝光機。於如上所述之情形時，亦無法利用無遮罩曝光機（曝光裝置1）之對準顯微鏡56來對由遮罩曝光機8所曝光之對準標記12進行觀察/測量。因此，並不限定於使對準顯微鏡56移動，例如亦可於無遮罩曝光機（曝光裝置1）中同時設置無遮罩曝光機用之對準顯微鏡56及遮罩曝光機8用之對準顯微鏡55，或使基板平台4移動而利用無遮罩曝光機之對準顯微鏡56來觀察/測量對準標記12。
又，利用遮罩曝光機8來曝光之圖案由於藉由利用複數個投影透鏡之相連曝光而將曝光區域整個面進行曝光，故而假設各投影透鏡之曝光開始位置偏移，則曝光區域之端部（始端、終端）之位置偏移。因此，無遮罩曝光機（曝光裝置1）對該端部偏移而曝光之曝光區域進行重疊曝光。無遮罩曝光機藉由在與遮罩曝光機8之掃描方向平行之方向，將（利用遮罩曝光機8來曝光圖案之）基板10進行曝光，則對於端部偏移而曝光之曝光區域亦可重疊而曝光。
無遮罩曝光機（曝光裝置1）利用對準顯微鏡56，來測量曝光區域之端部之偏移量。 作為測量方法之一（第1測量方法），有基於所測量之偏移量，將向空間光調變器75發送之圖案資料進行修正之方法。具體而言，對每個空間光調變器75，進行使圖案資料偏移至掃描方向之+側的修正或偏移至-側的修正。又，作為其他測量方法（第2測量方法），亦可設為如下測量方法：基於所測量之偏移量，對於每個曝光模組，使投影光學系統內之光學構件移動，對每個曝光模組調整基板10上之投影區域之（曝光開始）位置。作為進而其他之測量方法（第3測量方法），亦可設為如下測定方法：基於所測量之偏移量，對於每個曝光模組，使空間光調變器75移動，對每個曝光模組調整基板10上之投影區域之位置。此外，藉由採用上述第1測量方法、第2測量方法及第3測量方法中之至少1種測量方法，來對每個曝光模組調整曝光開始位置，藉此對於端部偏移而曝光之曝光區域，亦可重疊而曝光。
當利用對準顯微鏡55、56來觀察對準標記時，於遮罩曝光機8及無遮罩曝光機（曝光裝置1）中配置不同，因此無法觀察由無遮罩曝光機所曝光之對準標記12。因此，如第1實施例所記載，將對準顯微鏡56之一部分設為可動來測量。或者，亦可使基板平台向非掃描方向（與掃描方向交叉之方向）移動來觀察對準標記12。
其次，於本第1實施例以及後述第2實施例中，均於對由無遮罩曝光機（曝光裝置1）所曝光之曝光圖案進而進行重疊曝光之情形時，無遮罩曝光機接收所曝光之曝光機之種類之資訊（無遮罩曝光機、或者遮罩曝光機8之類別之資訊）。該資訊中亦可包括接下來進行曝光之曝光機之對準顯微鏡之配置資訊。於該情形時，於遮罩曝光機8及曝光裝置1中設置有接收上述曝光機之資訊之接收部。 無遮罩曝光機（曝光裝置1）係於接下來進行曝光之曝光機之對準顯微鏡56可觀察由無遮罩曝光機所曝光之對準標記12之位置，將對準標記12進行曝光。即，於資料生成部，基於對準顯微鏡56之配置資訊來修正圖案資料，於可利用對準顯微鏡56來觀察之基板10上之適當位置，可將對準標記12進行曝光。
此外，以進行重疊曝光之曝光裝置可為無遮罩曝光機及遮罩曝光機中之任一者之方式，無遮罩曝光機亦可將無遮罩曝光機用之對準標記及無遮罩曝光機用之對準標記分別曝光於基板上。於該情形時，亦對圖案資料進行修正而於適當位置將對準標記進行曝光。
（第2實施例） 第2實施例係作為曝光圖案，使第1曝光與第2曝光之掃描方向平行者。即，在與由遮罩曝光機8所曝光之掃描方向（此處為第1方向X1）相同之方向上掃描而進行重合曝光，形成重合曝光部。
如圖14所示，用於曝光之基板10示出以橫向放置之方式載置於基板平台84上而由遮罩曝光機8來進行曝光之一例。遮罩曝光機8係以與第1實施例相同之方式，於第1曝光時在基板10上，於長邊方向（第1方向X1）之兩端部10c，於短邊方向（第2方向X2）上隔開間隔而曝光複數（此處為6個）之對準標記12。對準標記12設置於第2曝光所使用之曝光裝置1內的可利用對準顯微鏡56進行觀察之位置。 此外，於基板10上，為表示朝向而於曝光區域R上顯示「F」。即，「F」係以將基板10之長邊方向設為橫向（第1方向X1）之狀態來顯示。
圖16表示如圖14所示般已利用遮罩曝光機8進行第1曝光之基板10以橫向放置之方式（使長邊方向朝向第1方向X1之方向）載置於（無遮罩）曝光裝置1內之基板平台4上之狀態。 曝光裝置1包括沿著掃描方向（第1方向X1）而隔開預定之間隔來排列有複數個（此處為6個）之對準顯微鏡56。對準顯微鏡56係以與遮罩曝光機8之對準顯微鏡55所配置之間隔相同之間隔來設置於曝光裝置1內。
第2實施例中，可向與由遮罩曝光機8所曝光之掃描方向相同之方向，利用包括空間光調變器75之曝光裝置1來掃描，進行重合曝光而形成重合曝光部。由於第2曝光中不存在遮罩之制約，故而可遍及基板10整體進行曝光。又，對於由預先經掃描曝光之第1曝光所形成之曝光圖案，可使進行重合曝光之情形時之相連區域一致，因此可與由第1曝光所形成之曝光圖案之相連區域一併，進行藉由第2曝光之重合曝光。即，藉由相對於基板10而設為同一方向，可進行藉由第1曝光之相連區域之修正，進而藉由使第1曝光時之掃描、由遮罩形成之圖案化區域相同，則藉由第2曝光之重合亦可正確進行。
此外，即便第1曝光與第2曝光之掃描方向平行，亦存在遮罩曝光機8之對準顯微鏡55之配置、與無遮罩曝光機（曝光裝置1）之對準顯微鏡56之配置不同之情形。此時，並不限定於使對準顯微鏡56移動，例如亦可於無遮罩曝光機（曝光裝置1）中同時設置無遮罩曝光機用之對準顯微鏡56及遮罩曝光機8用之對準顯微鏡55，或使基板平台4移動而由無遮罩曝光機之對準顯微鏡56來觀察/測量對準標記12。
以上，已對本發明之實施方式進行說明，但此處對本發明與上述實施方式之對應關係進行補充說明。
（1）上述實施方式中，曝光裝置1係一邊使曝光有第1曝光圖案之基板10向掃描方向移動，一邊將第2曝光圖案重疊而進行曝光者，其包括：曝光單元20，包括：包含複數個元件且根據曝光圖案而上述複數個元件被控制之空間光調變器75、對空間光調變器75進行照明之照明模組7A（照明光學系統）、以及將空間光調變器75之像投影至基板10上之投影模組7B（投影光學系統）；資料生成部，根據第2曝光圖案來生成控制複數個元件之控制資料；測量系統，於利用曝光單元20將第2曝光圖案曝光於基板10上之前，對與第1曝光圖案一併曝光之對準標記12進行測量；以及控制部，根據由測量系統所得之對準標記12之測量結果，來控制投影模組7B、空間光調變器75、以及資料生成部中之至少任一者，從而控制由投影模組7B所得之基板10上之投影位置。曝光單元20設置有複數個，將分割為複數個之第2曝光圖案分別曝光於基板10上，且控制部對每個曝光單元20控制投影位置。
如上所述之構成之曝光裝置1中，利用資料生成部且根據第2曝光圖案來生成控制資料，利用測量系統來對與第1曝光圖案一併曝光之對準標記12進行測量，且利用控制部，根據由測量系統所得之對準標記12之測量結果，來控制投影模組7B、空間光調變器75及資料生成部中之至少一者，從而對每個曝光單元20控制由投影模組7B所得之基板10上之投影位置，將分割為複數個之第2曝光圖案分別曝光於基板10上，藉此能夠減少如波紋般之不均現象。
（2）又，上述實施方式中，控制部可控制資料生成部，基於測量結果來修正控制資料。
（3）又，上述實施方式中，控制部亦可相對於對空間光調變器75進行照明之照明模組7A（照明光學系統）之照明光，使空間光調變器75相對移動。
（4）又，上述實施方式中，控制部亦可使投影模組7B（投影光學系統）內之光學元件之一部分移動。
（5）又，上述實施方式中，能夠包括基板平台4，其可將向第1曝光圖案之曝光方向與掃描方向大致平行之方向搬送之基板10加以保持。
（6）又，上述實施方式中，曝光裝置1係一邊使曝光有第1曝光圖案之基板10向掃描方向移動，一邊將第2曝光圖案重疊而進行曝光者，其包括：曝光單元20，包括：包含複數個元件且根據曝光圖案而複數個元件被控制之空間光調變器75、對空間光調變器75進行照明之照明模組7A（照明光學系統）、以及將空間光調變器75之像投影至上述基板之投影模組7B（投影光學系統）；資料生成部，根據第2曝光圖案來生成控制複數個元件之控制資料；基板平台4，可將向第1曝光圖案之曝光方向與掃描方向交叉之方向搬送之基板10加以保持；測量系統，可於利用曝光單元20將第2曝光圖案曝光於基板10上之前，對與第1曝光圖案一併曝光之對準標記12進行測量；以及驅動部，使基板平台4相對於曝光單元20而向掃描方向相對移動，根據由測量系統所得之對準標記12之測量結果，將第2曝光圖案與第1曝光圖案重疊而曝光。
（7）又，上述實施方式中，曝光單元20設置有複數個，可將分割為複數個之第2曝光圖案分別曝光於基板10上。
根據如上所述之構成，可利用複數個曝光單元20之各自之空間光調變器75來進行分割曝光。於該情形時，可對每個投影模組7B進行對準及修正，可進行精度更高之曝光。
（8）又，上述實施方式中，測量系統在與掃描方向交叉之非掃描方向上隔開間隔而設置有複數個。測量系統包括：第1測量系統，可對向第1曝光圖案之曝光方向與掃描方向平行之方向搬送之基板10上之對準標記12進行測量；以及第2測量系統，可對向第1曝光圖案之曝光方向與掃描方向交叉之方向搬送之基板10上之對準標記12進行測量。
（9）又，上述實施方式中，包括接收部，其接收與對曝光有第2曝光圖案之基板10進行重疊曝光之曝光機有關之資訊。資料生成部可基於資訊來修正控制資料。
（10）又，上述實施方式中，資料生成部可基於與曝光機之對準顯微鏡之配置有關之資訊，而且，於對準顯微鏡可觀察之位置，以將對準標記12形成於基板10上之方式來修正控制資料。
（11）又，上述實施方式中，資料生成部可於能夠由測量系統及對準顯微鏡中之任一者來觀察之位置，以將對準標記12形成於基板10上之方式來修正控制料。
（12）又，上述實施方式中，測量系統包括關於與掃描方向交叉之非掃描方向而隔開預定間隔來設置之第3測量系統及第4測量系統，且第3測量系統與第4測量系統可變更預定間隔，而向可測量對準標記12之位置移動。
（13）又，上述實施方式中，包括：曝光單元20，包括：包含複數個元件且根據曝光圖案而複數個元件被控制之空間光調變器75、對空間光調變器75進行照明之照明模組7A（照明光學系統）、以及將空間光調變器75之像投影至基板10上之投影模組（投影光學系統）；資料生成部，根據曝光圖案來生成控制複數個元件之控制資料；以及接收部，接收與對曝光有曝光圖案之基板10進行重疊曝光之曝光機有關之資訊。資料生成部基於資訊來修正控制資料。
（14）又，上述實施方式中，包括：使用（1）～（13）中任一項所記載之曝光裝置1，將基板10進行曝光；以及將經曝光之基板10進行顯影。
根據如上所述之構成，藉由將使用曝光裝置1來曝光之基板10進行顯影，可製造減少如波紋般之不均現象的元件。
（15）又，上述實施方式中，包括：使用如請求項（1）～（13）中任一項所記載之曝光裝置1，將平板顯示器用之基板10進行曝光；以及將經曝光之基板10進行顯影。
根據如上所述之構成，可藉由將使用曝光裝置1來曝光之基板10進行顯影，而製造減少如波紋般之不均現象的平板顯示器。
以上，已參照圖式來對本發明之一實施方式進行詳細說明，但具體之構成並不限定於上述者，可於不脫離本發明之主旨之範圍內進行各種設計變更等。
1:曝光裝置 2:曝光裝置本體 3:基板交換部 3A:交換臂 4:基板平台 4a:上表面 5:對準系統 5A:第1對準系統 5B:第2對準系統 6:光源單元 7:照明・投影模組 7A:照明模組（照明光學系統） 7B:投影模組（投影光學系統） 7C:調變部 8:遮罩曝光機 10:基板 10a:基板面 10c、10d:兩端部 11:底板 11a:上表面 12:對準標記 20:曝光單元 21:光學定盤 21a:上表面 21b:第1貫穿孔 22:柱 23:自動對焦系統 31:基板支持部 42:貫穿孔 52:校正用測量系統 53:干涉儀 54:照度測量器 55、56:對準顯微鏡 56A:第1顯微鏡（第3測量系統） 56B:第2顯微鏡（第4測量系統） 61:光源 71:光纖 73:模組快門 74:關閉光吸收板 75:空間光調變器 76:倍率調整部 77:焦距調整部 81:光纖 83:遮罩平台 84:基板平台 85:第1曝光區域 86:第2曝光區域 111:防振台 221:橫架材 222:腳部 511:透鏡 512:測定部 513:光源 551:透鏡 552:光感測器 721:準直透鏡 722:照明楔 723:複眼透鏡 724:主聚光透鏡 725:鏡子 761:倍率調整透鏡 771:聚焦透鏡 L:雷射光 L2:關閉光 M:遮罩 R1、R2:布局（曝光區域） X1:第1方向 X2:第2方向 X3:第3方向
[圖1]係表示實施方式之曝光裝置之構成之立體圖。 [圖2]係表示曝光裝置之概略構成之側視圖。 [圖3]係表示曝光裝置之照明・投影模組之概略構成之側視圖。 [圖4]係表示空間光調變元件之打開/關閉動作之立體圖。 [圖5A]係表示空間光調變元件之動作之圖，且為電源關閉狀態之圖。 [圖5B]係表示空間光調變元件之動作之圖，且為空間光調變元件之打開狀態之圖。 [圖5C]係表示空間光調變元件之動作之圖，且為空間光調變元件之關閉狀態之圖。 [圖6]係表示設置於基板平台上之第1對準系統之概略構成之側視圖。 [圖7]係表示遮罩曝光機之概略構成之立體圖。 [圖8]表示遮罩曝光機之掃描布局之圖。 [圖9A]係表示曝光裝置中之模組區域之圖。 [圖9B]係表示曝光裝置中之模組區域之圖。 [圖10]係表示由遮罩曝光機及曝光裝置所得之基板之曝光狀態的俯視圖。 [圖11A]係於圖10中使第1曝光與第2曝光於相同方向上重合而進行曝光之布局，且為未產生旋轉誤差之圖。 [圖11B]係於圖10中使第1曝光與第2曝光於相同方向上重合而進行曝光之布局，且為產生旋轉誤差之圖。 [圖12]係使利用曝光裝置之基板旋轉來表示曝光狀態之俯視圖。 [圖13A]係於圖12中使第1曝光與第2曝光於相同方向上重合而進行曝光之布局，且為未產生旋轉誤差之圖。 [圖13B]係於圖12中使第1曝光與第2曝光於相同方向上重合而進行曝光之布局，且為產生旋轉誤差之圖。 [圖14]係表示第1實施例之遮罩曝光時之對準顯微鏡之位置之俯視圖。 [圖15]係表示第1實施例之重合曝光時之對準顯微鏡之位置之俯視圖。 [圖16]係表示第2實施例之重合曝光時之對準顯微鏡之位置之俯視圖。
1:曝光裝置
2:曝光裝置本體
4:基板平台
4a:上表面
5:對準系統
5B:第2對準系統
7:照明‧投影模組
7A:照明模組(照明光學系統)
7B:投影模組(投影光學系統)
10:基板
20:曝光單元
21:光學定盤
21b:第1貫穿孔
22:柱
23:自動對焦系統
52:校正用測量系統
53:干涉儀
54:照度測量器
71:光纖
75:空間光調變器
76:倍率調整部
77:焦距調整部
221:橫架材
551:透鏡
552:光感測器
721:準直透鏡
723:複眼透鏡
724:主聚光透鏡
725:鏡子
X1:第1方向
X2:第2方向
X3:第3方向

Claims (15)

  1. 一種曝光裝置，其係一邊使曝光有第1曝光圖案之基板於掃描方向移動，一邊重疊第2曝光圖案而進行曝光者，其包括： 曝光單元，包括：包含複數個元件且根據曝光圖案而上述複數個元件被控制之空間光調變器、對上述空間光調變器進行照明之照明光學系統、以及將上述空間光調變器之像投影至上述基板之投影光學系統； 資料生成部，根據上述第2曝光圖案來生成控制上述複數個元件之控制資料； 測量系統，於藉由上述曝光單元而將上述第2曝光圖案曝光於上述基板上之前，對與上述第1曝光圖案一併曝光之標記進行測量；以及 控制部，根據由上述測量系統所得之上述標記之測量結果，來控制上述投影光學系統、上述空間光調變器及上述資料生成部中之至少任一者，從而控制由上述投影光學系統所得之上述基板上之投影位置；並且 上述曝光單元設置有複數個，將分割為複數個之上述第2曝光圖案分別曝光於上述基板上， 上述控制部對於每個上述曝光單元控制上述投影位置。
  2. 如請求項1之曝光裝置，其中， 上述控制部控制上述資料生成部，基於上述測量結果來修正上述控制資料。
  3. 如請求項1或2之曝光裝置，其中， 上述控制部相對於對上述空間光調變器進行照明之上述照明光學系統之照明光，使上述空間光調變器相對移動。
  4. 如請求項1至3中任一項之曝光裝置，其中， 上述控制部使上述投影光學系統內之光學元件之一部分移動。
  5. 如請求項1至4中任一項之曝光裝置，其包括基板平台，可將向上述第1曝光圖案之曝光方向與上述掃描方向成為大致平行之方向搬送之基板加以保持。
  6. 一種曝光裝置，其係一邊使曝光有第1曝光圖案之基板於掃描方向移動，一邊重疊第2曝光圖案而進行曝光者，其包括： 曝光單元，包括：包含複數個元件且根據曝光圖案而上述複數個元件被控制之空間光調變器、對上述空間光調變器進行照明之照明光學系統、以及將上述空間光調變器之像投影至上述基板之投影光學系統； 資料生成部，根據上述第2曝光圖案來生成控制上述複數個元件之控制資料； 基板平台，將向上述第1曝光圖案之曝光方向與上述掃描方向交叉之方向搬送之基板加以保持； 測量系統，於藉由上述曝光單元而將上述第2曝光圖案曝光於上述基板上之前，對與上述第1曝光圖案一併曝光之標記進行測量；以及 驅動部，使上述基板平台相對於上述曝光單元而向上述掃描方向相對移動，根據由上述測量系統所得之上述標記之測量結果，將上述第2曝光圖案重疊於上述第1曝光圖案而進行曝光。
  7. 如請求項6之曝光裝置，其中， 上述曝光單元設置有複數個，將分割為複數個之上述第2曝光圖案分別曝光於上述基板上。
  8. 如請求項6或7之曝光裝置，其中， 上述測量系統在與上述掃描方向交叉之非掃描方向上隔開間隔而設置複數個，並且 上述測量系統包括：第1測量系統，可對向上述第1曝光圖案之曝光方向與上述掃描方向平行之方向搬送之上述基板上之上述標記進行測量；以及第2測量系統，可對向上述第1曝光圖案之曝光方向與上述掃描方向交叉之方向搬送之上述基板上之上述標記進行測量。
  9. 如請求項1至8中任一項之曝光裝置，其包括接收部，接收與對曝光有上述第2曝光圖案之上述基板進行重疊曝光之曝光機有關之資訊；並且 上述資料生成部基於上述資訊來修正上述控制資料。
  10. 如請求項9之曝光裝置，其中， 上述資料生成部基於與上述曝光機之對準顯微鏡之配置有關之上述資訊，以於上述對準顯微鏡可觀察之位置，將對準標記形成於上述基板上之方式來修正上述控制資料。
  11. 如請求項10之曝光裝置，其中， 上述資料生成部係以於可利用上述測量系統及上述對準顯微鏡中之任一者來觀察之位置，將對準標記形成於基板上之方式來修正上述控制資料。
  12. 如請求項1至11中任一項之曝光裝置，其中， 上述測量系統包括於與上述掃描方向交叉之非掃描方向隔開預定間隔而設置之第3測量系統及第4測量系統；並且 上述第3測量系統與上述第4測量系統可變更上述預定間隔，而向可測量上述標記之位置移動。
  13. 一種曝光裝置，包括： 曝光單元，包括：包含複數個元件且根據曝光圖案而上述複數個元件被控制之空間光調變器、對上述空間光調變器進行照明之照明光學系統、以及將上述空間光調變器之像投影至上述基板之投影光學系統； 資料生成部，根據上述曝光圖案來生成控制上述複數個元件之控制資料；以及 接收部，接收與對曝光有上述曝光圖案之上述基板進行重疊曝光之曝光機有關之資訊；並且 上述資料生成部基於上述資訊來修正上述控制資料。
  14. 一種元件製造方法，包括： 使用如請求項1至13中任一項之曝光裝置，將上述基板進行曝光；以及 將經曝光之上述基板進行顯影。
  15. 一種平板顯示器之製造方法，包括： 使用如請求項1至13中任一項之曝光裝置，將平板顯示器用之基板進行曝光；以及 將經曝光之上述基板進行顯影。
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