TW202314394A - 曝光裝置、曝光方法及電子元件的製造方法 - Google Patents

曝光裝置、曝光方法及電子元件的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202314394A
TW202314394A TW111124761A TW111124761A TW202314394A TW 202314394 A TW202314394 A TW 202314394A TW 111124761 A TW111124761 A TW 111124761A TW 111124761 A TW111124761 A TW 111124761A TW 202314394 A TW202314394 A TW 202314394A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
exposure
state
light modulator
spatial light
optical system
Prior art date
Application number
TW111124761A
Other languages
English (en)
Inventor
加藤正紀
水野仁
水野恭志
Original Assignee
日商尼康股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商尼康股份有限公司 filed Critical 日商尼康股份有限公司
Publication of TW202314394A publication Critical patent/TW202314394A/zh

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70283Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/02Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the intensity of light
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558Dose control, i.e. achievement of a desired dose
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • G03F7/70725Stages control

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本發明之曝光裝置具備:照明光學系統;空間光調變器,被來自照明光學系統之光所照明;投影光學系統,將自空間光調變器射出之光照射至曝光對象;載台,載置曝光對象,使曝光對象與投影光學系統於既定之掃描方向相對移動;及控制部,控制空間光調變器。空間光調變器具備複數個鏡面,該複數個鏡面可切換為:ON狀態,調整傾斜而能夠向投影光學系統射出光;及OFF狀態,不向投影光學系統射出光。控制部以將複數個鏡面切換第一狀態與第二狀態之方式控制空間光調變器。第一狀態與第二狀態係成為ON狀態之鏡面之至少一者互不相同,自第一狀態之空間光調變器射出之光與自第二狀態之空間光調變器射出之光形成形狀相同之曝光圖案。

Description

曝光裝置、曝光方法及電子元件的製造方法
本發明係關於曝光裝置、曝光方法及電子元件的製造方法。 本案主張基於2021年7月5日提出申請之日本特願2021-111770號的優先權,並將其內容引用至此。
以往,作為經由光學系統對基板照射照明光之曝光裝置,已知有如下曝光裝置:將利用空間光調變器調變之光通入投影光學系統,使由該光形成之像成像於塗佈在基板之光阻上並進行曝光(例如參照專利文獻1)。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2005-266779號公報
根據本發明之第一態樣,提供一種曝光裝置,其具備:照明光學系統;空間光調變器,被來自上述照明光學系統之光所照明;投影光學系統,將自上述空間光調變器射出之光照射至曝光對象;載台,載置曝光對象,使上述曝光對象與上述投影光學系統於既定之掃描方向相對移動;及控制部,控制空間光調變器,上述空間光調變器具有複數個鏡面,該複數個鏡面能夠切換為:ON狀態,調整傾斜而使光能夠向上述投影光學系統射出;及OFF狀態,使光不向上述投影光學系統射出,上述控制部以將上述複數個鏡面切換為第一狀態與第二狀態之方式控制上述空間光調變器,上述第一狀態與上述第二狀態係成為上述ON狀態之上述鏡面之至少一者互不相同,自上述第一狀態之上述空間光調變器射出之光與自上述第二狀態之上述空間光調變器射出之光形成相同形狀之曝光圖案。
根據本發明之第二態樣,提供一種使用上述曝光裝置對上述曝光對象進行曝光之曝光方法。
根據本發明之第三態樣,提供一種包括藉由上述曝光方法對上述曝光對象進行曝光之電子元件的製造方法。
以下,參照圖式對本發明之實施形態進行說明。本發明之以下之詳細說明僅為例示者,並不進行限定。圖式及以下之詳細說明之整體使用相同或同樣之參照符號。
[曝光裝置] 圖1係表示本實施形態之曝光裝置1之外觀構成之概要的圖。曝光裝置1係對曝光對象物照射調變光之裝置。於特定之實施形態中,曝光裝置1係以液晶顯示裝置(平面顯示器)等電子元件所使用之矩形(方型)之玻璃基板作為曝光對象物之步進掃描方式之投影曝光裝置、即所謂掃描器。曝光對象物即玻璃基板之至少一邊之長度、或對角長度為500 mm以上。曝光對象物即玻璃基板可為平面顯示器用之基板。經曝光裝置1曝光之曝光對象物(例如平面顯示器用之基板)藉由被顯影而提供於製品。於曝光對象物之表面形成光阻。 曝光裝置1之裝置本體例如與美國專利申請案公開第2008/0030702號說明書所揭示之裝置本體同樣地構成。
曝光裝置1具備基座11、防振台12、主柱13、載台14、光學定盤15、照明模組16、投影模組17(投影光學系統)、光源單元18、光纖19、光調變部20(圖1中未圖示)及控制部21。 以下,視需要使用三維正交座標系進行說明:以與將經光調變部20調變之光照射至曝光對象物之投影模組17之光軸方向平行之方向作為Z軸方向,以與Z軸正交之既定平面之方向作為X軸方向、Y軸方向。X軸方向與Y軸方向為互相正交(交叉)之方向。
基座11為曝光裝置1之基台,設置於防振台12上。基座11以能夠於X軸方向及Y軸方向移動之方式支持載置曝光對象物之載台14。
載台14支持曝光對象物。於掃描曝光中,載台14用以相對於經由投影模組17所投影之電路圖案之複數個部分像而高精度地定位曝光對象物。載台14於6個自由度方向(上述X軸、Y軸及Z軸方向以及相對於各自之軸之旋轉方向)驅動曝光對象物。
載台14在掃描曝光時於X軸方向移動,於變更曝光對象物上之曝光對象區域時於Y軸方向移動。另外,曝光對象物形成複數個曝光對象區域。載台14於掃描方向使曝光對象物與投影模組17相對移動。
曝光裝置1能夠於1件曝光對象物上對複數個曝光對象區域分別進行曝光。作為載台14之構成,並無特別限定,可使用如美國專利申請案公開第2012/0057140號說明書等所揭示之載台裝置。載台裝置為例如包含門型(Gantry Type)之二維粗動載台及相對於該二維粗動載台被微少驅動之微動載台的所謂粗微動構成之載台裝置。粗微動構成之載台裝置能夠藉由粗動載台使曝光對象物於水平面內之3個自由度方向移動,且能夠藉由微動載台使曝光對象物於6個自由度方向微動。
主柱13於載台14之上方(Z軸之正方向)支持光學定盤15。光學定盤15支持照明模組16、投影模組17及光調變部20。
圖2係表示照明模組16、投影模組17及光調變部20之構成之概要的圖。 照明模組16配置於光學定盤15之上方,經由光纖19連接於光源單元18。於本實施形態之一例中,照明模組16包含第一照明模組16A、第二照明模組16B、第三照明模組16C及第四照明模組16D。於以下說明中,於不對第一照明模組16A~第四照明模組16D加以區分之情形時,將該等總稱記載為照明模組16。
第一照明模組16A~第四照明模組16D分別將經由光纖19之自光源單元18射出之光導向第一光調變部20A、第二光調變部20B、第三光調變部20C及第四光調變部20D各者。照明模組16對光調變部20進行照明。
後段將進一步詳細說明,光調變部20係基於應轉印至曝光對象物之電路圖案被控制,將來自照明模組16之照明光進行調變。經光調變部20調變之調變光被導向投影模組17。第一光調變部20A~第四光調變部20D配置於XY平面上內互不相同之位置。於以下說明中,於不對第一光調變部20A~第四光調變部20D加以區分之情形時,將該等總稱記載為光調變部20。
投影模組17配置於光學定盤15之下方,將經空間光調變器201調變之調變光照射至載置於載台14上之曝光對象物。投影模組17使經光調變部20調變之光於曝光對象物上成像,對曝光對象物進行曝光。換言之,投影模組17將光調變部20上之圖案投影至曝光對象物。於本實施形態之一例中,投影模組17包括與上述第一照明模組16A~第四照明模組16D及第一光調變部20A~第四光調變部20D相對應之第一投影模組17A~第四投影模組17D。於以下說明中,於不對第一投影模組17A~第四投影模組17D加以區分之情形時,將該等總稱記載為投影模組17。
將由第一照明模組16A、第一光調變部20A、及第一投影模組17A所構成之單元稱為第一曝光模組。同樣地,將由第二照明模組16B、第二光調變部20B、及第二投影模組17B所構成之單元稱為第二曝光模組。各曝光模組設置於XY平面上互不相同之位置,可於載置於載台14之曝光對象物之不同位置將圖案曝光。載台14藉由相對於曝光模組向掃描方向即X軸方向相對移動,能夠對曝光對象物之整個面或曝光對象區域之整個面進行掃描曝光。
再者,亦將照明模組16稱為照明系統。照明模組16(照明系統)對光調變部20之下文所述之空間光調變器201(空間光調變元件)進行照明。 又,投影模組17亦稱為投影部。投影模組17(投影部)可為將光調變部20上之圖案之像等倍投影之等倍系統,亦可為放大系統或縮小系統。又,投影模組17較佳為由單一或2種玻璃材料(尤其是石英或螢石)所構成。
如圖1所示,光源單元18設置有一對(光源單元R18R、光源單元L18L)。作為光源單元18,可採用以干涉性較高之雷射作為光源之光源單元、使用如半導體雷射型之UV-LD之光源的光源單元、及利用中繼透鏡式之延遲器之光源單元。作為光源單元18所具備之光源18a,可列舉射出405 nm或365 nm等波長之燈或雷射二極體等。
曝光裝置1除了上述各部以外,還包括由干涉計或編碼器等所構成之位置計測部(未圖示),對載台14相對於光學定盤15之相對位置進行計測。曝光裝置1除了上述各部以外,還具備對載台14或載台14上之曝光對象物之Z軸方向之位置進行計測的AF(Auto Focus,自動對焦)部(未圖示)。進一步地,曝光裝置1包括對準部(未圖示),該對準部於對已曝光於曝光對象物上之圖案重疊其他圖案進行曝光時,對各圖案之相對位置進行計測。AF部及/或對準部可為經由投影模組17進行計測之TTL(Through the lens,經由透鏡(或稱為鏡後測光))之構成。
圖3係表示曝光模組之構成之概要的圖。以第一曝光模組為一例,對照明模組16、光調變部20及投影模組17之具體之構成之一例進行說明。
照明模組16具備模組擋板161、及照明光學系統162。模組擋板161切換是否將自光纖19供給之脈衝光導向照明光學系統162。
照明光學系統162藉由經由準直透鏡、複眼透鏡、聚光透鏡等,將自光纖19供給之脈衝光射出至光調變部20,而大致均勻地對光調變部20進行照明。複眼透鏡將入射至複眼透鏡之脈衝光進行波前區分,聚光透鏡使經波前區分之光重疊於光調變部上。再者,照明光學系統162亦可具備光積分棒代替複眼透鏡。
光調變部20具備遮罩。遮罩係空間光調變器(SLM:Spatial Light Modulator)。
光調變部20具備空間光調變器201與偏移光吸收板202。空間光調變器201為數位鏡元件(數位微鏡元件,DMD)。空間光調變器201能夠空間性地、且時間性地調變照明光。
圖4係表示本實施形態之空間光調變器201之構成之概要的圖。於圖4中,使用Xm軸-Ym軸-Zm軸之三維正交座標系進行說明。空間光調變器201具備於XmYm平面排列之複數個微鏡203(鏡面)。微鏡203構成空間光調變器201之元件(像素)。空間光調變器201能夠繞著Xm軸及Ym軸分別變更傾斜角。微鏡203例如如圖5所示,藉由繞著Ym軸傾斜而成為ON狀態,如圖6所示,藉由繞著Xm軸傾斜而成為OFF狀態。ON狀態之微鏡203將光向投影模組17射出。OFF狀態之微鏡203不向投影模組17射出光。
空間光調變器201藉由針對各微鏡203切換微鏡203之傾斜方向,而針對各元件控制將入射光反射之方向。作為一例,空間光調變器201之數位微鏡元件具有4 M pixel左右之像素數,能夠以10 kHz左右之週期切換微鏡203之ON狀態與OFF狀態。 空間光調變器201以既定時間為間隔分別控制複數個元件。於空間光調變器201為DMD之情形時,元件為微鏡203,既定時間間隔為切換微鏡203之ON狀態與OFF狀態之週期(例如週期10 kHz)。
返回圖3,偏移光吸收板202吸收自空間光調變器201之設為OFF狀態之元件射出(反射)之光(偏移光)。自空間光調變器201之設為ON狀態之元件射出之光被導向投影模組17。
投影模組17將自空間光調變器201之設為ON狀態之元件射出之光投影至曝光對象物上。投影模組17具備倍率調整部171及焦點調整部172。經空間光調變器201調變之光(調變光)入射至倍率調整部171。
倍率調整部171藉由於光軸方向驅動一部分透鏡,而對自空間光調變器201射出之調變光之焦點面163、即曝光對象物之表面上之圖像之倍率進行調整。
焦點調整部172藉由於光軸方向驅動透鏡組整體,而以自空間光調變器201射出之調變光於藉由上文所述之AF部所計測之曝光對象物之表面進行成像之方式對成像位置、即焦點進行調整。
投影模組17僅將自空間光調變器201之設為ON狀態之元件射出之光之像投影至曝光對象物之表面。因此,投影模組17能夠將由空間光調變器201之ON元件所形成之圖案之像投影曝光至曝光對象物之表面。即,投影模組17能夠將經空間調變之調變光形成於曝光對象物之表面。又,空間光調變器201能夠如上文所述,以既定之週期(頻率)切換微鏡203之ON狀態與OFF狀態,因此投影模組17能夠將經時間調變之調變光形成於曝光對象物之表面。 即,曝光裝置1於任意曝光位置使實質之光瞳狀態發生變化而進行曝光。
於圖4至圖6所示之空間光調變器201中,Xm軸與X軸平行,Ym軸與Y軸平行。藉此,ON狀態之微鏡203(繞著Ym軸傾斜之微鏡203)相對於掃描方向即X軸方向傾斜。
亦將Ym軸稱為第一傾斜軸T1。於空間光調變器201中,複數個微鏡203分別繞著第一傾斜軸T1(Ym軸)旋轉,複數個微鏡203調整相對於各自之掃描方向之傾斜而成為ON狀態,藉此向投影模組17射出光。 另外,於空間光調變器201中,複數個微鏡203於掃描方向以直線狀排列,且複數個微鏡203亦於第一傾斜軸T1方向排列。
如圖2所示,控制部21例如由具有CPU等運算部與記憶部之電腦所構成。電腦依據執行曝光處理中運作之各部之控制的程式,對曝光裝置1之各部進行控制。控制部21例如對照明模組16、光調變部20、投影模組17及載台14之動作進行控制。
儲存部係使用記憶體等能夠進行電腦讀取之儲存媒體裝置所構成。儲存部儲存與曝光處理相關之各種資訊。儲存部例如儲存與曝光處理時之曝光圖案相關之資訊。儲存部例如儲存經由通訊部或輸入部輸入之資訊。通訊部係包括用以將曝光裝置連接於外部裝置之通訊介面所構成。輸入部係包括滑鼠或鍵盤、觸控面板等輸入裝置所構成。輸入部接收對曝光裝置之各種資訊之輸入。
[曝光方法] 載台14使曝光對象物相對於投影模組而於既定之掃描方向相對移動。藉此,由投影模組照射之光基於儲存於儲存部中之與曝光圖案相關之資訊對曝光對象物上進行掃描,而形成既定之曝光圖案。
圖7係表示空間光調變器201之構成之概要的圖。圖8係表示曝光對象物23上之曝光視野PI之圖。 如圖7所示,空間光調變器201具備於XmYm平面排列之複數個微鏡203(鏡面)。於圖7中,微鏡203排列為5×5之矩陣狀。
以下,有將空間光調變器201所具備之1個微鏡203稱為像素之情況。微鏡203例如藉由繞著Ym軸傾斜而成為ON狀態,藉由繞著Xm軸傾斜而成為OFF狀態。將成為ON狀態之微鏡203稱為「ON像素」。將成為OFF狀態之微鏡203稱為「OFF像素」。
於本實施形態之曝光裝置1中,空間光調變器201切換將既定之曝光圖案照射至曝光對象物23之第一狀態與第二狀態。
於第一狀態下,控制部21將複數個微鏡203中預定之1或複數個微鏡203設為ON狀態。於圖7中,構成第3列(自上起第3列)之5個微鏡203中,左起第2~4個微鏡203成為ON狀態。構成第3行(自左起第3行)之5個微鏡203中,上起第2~4個微鏡203成為ON狀態。成為ON狀態之合計5個微鏡203整體以十字形狀排列。將該等5個微鏡203稱為第一微鏡組205。
如圖8所示,曝光對象物23上之曝光視野PI(曝光圖案)成為與ON狀態之微鏡203相對應之十字形狀。曝光視野PI位於曝光對象物23之中央。
圖9係表示空間光調變器201之構成之概要的圖。圖10係表示曝光對象物23上之曝光視野PI之圖。 圖9所示之態樣為空間光調變器201之第二狀態,構成第3列(自上起第3列)之5個微鏡203中,左起第3~5個微鏡203成為ON狀態。構成第4行(自左起第4行)之5個微鏡203中,上起第2~4個微鏡203成為ON狀態。成為ON狀態之合計5個微鏡203整體以十字形狀排列。控制部21能夠切換第一狀態與第二狀態。
將成為ON狀態之5個微鏡203稱為第二微鏡組206。第二微鏡組206係與第一狀態下之第一微鏡組205(參照圖7)相同形狀,構成第二微鏡組206之微鏡203之一部分與構成第一微鏡組205之微鏡203不同。詳細而言,第二微鏡組206係由相對於第一微鏡組205向右錯開1個像素之位置之微鏡203所構成。即,於空間光調變器201之第一狀態與第二狀態下,成為ON狀態之微鏡之至少一個不同,但無論為第一狀態抑或第二狀態,均能夠形成形狀相同之曝光圖案。另外,形狀相同之曝光圖案亦包括倍率不同之曝光圖案、或經散焦之曝光圖案。例如,藉由調整投影模組17之倍率調整部171,而形成倍率不同之曝光圖案。例如,藉由調整投影模組17之焦點調整部172,而形成經散焦之曝光圖案。
如圖10所示,曝光對象物23上之曝光視野PI(曝光圖案)成為與ON狀態之微鏡203相對應之十字形狀。圖10所示之曝光視野PI與圖8所示之曝光視野PI為相同形狀。根據自第一微鏡組205(參照圖7)向第二微鏡組206(參照圖9)之位置變更,使載台14向右方向移動,藉此可使曝光對象物23亦向右方向移動。藉此,能夠變更照射位置。又,根據位置自第一微鏡組205(參照圖7)向第二微鏡組206(參照圖9)之變更,使投影模組17內之光學構件移動,或使搭載有空間光調變器201之載台向X方向及/或Y方向移動,藉此能夠變更照射位置。即,能夠與第一狀態相同地將曝光對象物23中之曝光視野PI之位置設為中央。
空間光調變器201之第一狀態與第二狀態之切換時機並無特別限定。第一狀態與第二狀態之切換可於每次掃描曝光進行,亦可於預定之時機週期性地進行,亦可於曝光對象物23之曝光結束而開始下一曝光對象物之掃描曝光之間進行,亦可以更長之週期進行。
若微鏡203之ON狀態長時間持續,則可能發生微鏡203固定於該狀態之現象。若有固定於ON狀態之微鏡203,則有不必要地對曝光對象物23中之特定位置進行曝光之情形。即,本來應將微鏡203設為OFF狀態,但由於固定於ON狀態,故而有將不應曝光之位置曝光之情形。然而,於本實施形態中,藉由將空間光調變器201切換第一狀態與第二狀態進行曝光(參照圖8及圖10),而能夠抑制微鏡203長時間為ON狀態。藉此,能夠抑制微鏡203固定。
再者,於微鏡203固定之情形時,可能對曝光對象物23中之特定位置進行不必要之曝光,於該情形時,可藉由設置遮光構件(擋板),利用遮光構件遮擋來自微鏡203之光而抑制特定位置之不必要之曝光。遮光構件可以能夠遮擋自空間光調變器201射出之光之至少一部分之方式設置,亦可以能夠遮擋入射至空間光調變器201之光之至少一部分之方式設置。遮光構件可設置於光纖19與照明光學系統162之間、照明光學系統162內、照明光學系統162與空間光調變器201之間、投影模組17內、投影模組17與曝光對象物23之間之任一處。 又,於微鏡203固定之情形時,亦可使用曝光裝置1所具備之其他曝光模組對曝光對象物23進行掃描曝光。此時所使用之曝光模組較佳為於具有微鏡203固定之空間光調變器201之曝光模組之鄰近設置之曝光模組,亦可預先設定使用哪個曝光模組。藉此,例如可防止為了更換空間光調變器201而停止曝光裝置1之情況,而能夠持續曝光對象物23之曝光。
微鏡203亦可於曝光處理時以外之時間切換ON狀態與OFF狀態。ON狀態之時間與OFF狀態之時間之比率例如可為1:2~2:1,較佳為1:1。ON狀態與OFF狀態之切換可於曝光處理時以外之整段時間內連續進行,亦可僅於其中之既定期間進行。
微鏡203可於曝光處理時以外之時間維持為ON狀態與OFF狀態之間之中立狀態。中立狀態之維持可於曝光處理時以外之整段時間連續進行,亦可僅於其中之既定期間進行。 又,微鏡203亦可於曝光處理時以外之時間內進行和掃描曝光時之ON狀態與OFF狀態之切換為相反相位之ON狀態與OFF狀態之切換。即,於掃描曝光時一面切換微鏡203之ON狀態與OFF狀態一面進行曝光,於曝光處理時以外之時間內,可以進行將此時之ON狀態換為OFF狀態、且將OFF狀態換為ON狀態之切換之方式,使微鏡203運作。 藉由該等操作,不易發生微鏡203之固定。
於使用能夠調整鏡面之傾斜之空間光調變器之情形時,空間光調變器可藉由所施加之電壓進行鏡面之傾斜角度之校準。又,亦可計測來自鏡面之光之功率(照度),對其變動量進行校準。
如上所述,於相同微鏡203成為長時間ON狀態之情形時,容易發生微鏡203之固定。與此相對,於本實施形態之曝光裝置1中,能夠抑制將微鏡203設為長時間ON狀態,因此不易發生微鏡203之固定。藉此,可使微鏡203正常運作。因此,能夠實現良好之曝光處理。
於微鏡203成為長時間OFF狀態之情形時,亦容易發生微鏡203之固定,但於本實施形態之曝光裝置1中,亦能夠抑制將微鏡203設為長時間OFF狀態,因此不易發生微鏡203之固定。
於使用本實施形態之曝光裝置1之曝光方法中,於空間光調變器201之第一狀態與第二狀態下,成為ON狀態之微鏡203之一部分不同。因此,不易發生微鏡203之固定。藉此,能夠使微鏡203正常運作。因此,能夠實現良好之曝光處理。
本實施形態之曝光裝置1可具備成為同步用之基準之主時鐘(Master Clock)(產生主時鐘之振盪器)(未圖示)。於曝光裝置1中,例如載台14、照明模組16、投影模組17、光調變部20等元件能夠以主時鐘為基準被驅動。控制部21能夠以主時鐘為基準控制各元件之動作。藉由參照主時鐘,可個別地適當調整各元件之運作時機,並且適當地設定複數個元件之間之運作時機之關係。
於本實施形態之曝光裝置1中,第二微鏡組206(參照圖9)係由相對於第一微鏡組205(參照圖7)向右滑動移動1個像素之位置之微鏡203所構成,但第二微鏡組相對於第一微鏡組之位置不限於此。第二微鏡組亦可為相對於第一微鏡組滑動移動2個像素以上之位置,滑動移動之方向不限於圖7及圖9之紙面右方向,亦可為左方向,亦可為上下方向。第二微鏡組亦可處於以第一微鏡組之中心為軸而旋轉位移之位置。第二微鏡組亦可為將第一微鏡組縮小或放大之形狀。第一微鏡組與第二微鏡組可為至少1個微鏡不同即可,亦可為全部微鏡不同。
如圖10所示,於上文所述之曝光方法中,控制部21根據自第一微鏡組205(參照圖7)向第二微鏡組206(參照圖9)之位置變更,藉由向載台14之右方向之移動,而使曝光對象物23向右移動。如上所述,藉由載台14之位置調整,能夠進行曝光對象物23上之曝光位置對準。 曝光對象物23上之曝光位置對準之方法並不限定於此。例如,控制部21亦可藉由調整空間光調變器201之位置來進行曝光對象物23上之曝光位置對準。控制部21亦可藉由投影模組17之投影位置之調整來進行曝光對象物23上之曝光位置對準。
曝光裝置1亦可由一個投影模組17(例如第一投影模組17A)與另一個投影模組17(例如第二投影模組17B)進行接續曝光。
(電子元件的製造方法) 曝光裝置1可使用上文所述之曝光方法製造液晶顯示裝置(平面顯示器)等電子元件。
再者,援引上述實施形態所引用之與曝光裝置等相關之全部美國專利申請案公開說明書及美國專利說明書之揭示作為本說明書之記載之一部分。
以上,已參照圖式對該發明之一實施形態進行了詳細說明,但具體之構成並不限於上述者,可於不脫離該發明之要旨之範圍內進行各種設計變更等。
1:曝光裝置 11:基座 12:防振台 13:主柱 14:載台 15:光學定盤 16:照明模組 161:模組擋板 162:照明光學系統 163:焦點面 16A:第一照明模組 16B:第二照明模組 16C:第三照明模組 16D:第四照明模組 17:投影模組(投影光學系統) 171:倍率調整部 172:焦點調整部 17A:第一投影模組 17B:第二投影模組 17C:第三投影模組 17D:第四投影模組 18:光源單元 18R:光源單元R 18L:光源單元L 18a:光源 19:光纖 20:光調變部 201:空間光調變器 202:偏移光吸收板 203:微鏡 205:第一微鏡組 206:第二微鏡組 20A:第一光調變部 20B:第二光調變部 20C:第三光調變部 20D:第四光調變部 21:控制部 23:曝光對象物 PI:曝光視野 T1:第一傾斜軸
[圖1]係表示本實施形態之曝光裝置之外觀構成之概要的圖。 [圖2]係表示照明模組及投影模組之構成之概要的圖。 [圖3]係表示照明模組之構成之概要的圖。 [圖4]係表示光調變部之構成之概要的圖。 [圖5]係表示光調變部之構成之概要的圖,表示紙面中央之鏡面之ON狀態的圖。 [圖6]係表示光調變部之構成之概要的圖,表示紙面中央之鏡面之OFF狀態的圖。 [圖7]係表示光調變部之構成之概要的圖。 [圖8]係表示曝光對象物上之曝光視野之圖。 [圖9]係表示光調變部之構成之概要的圖。 [圖10]係表示曝光對象物上之曝光視野之圖。
203:微鏡
206:第二微鏡組

Claims (16)

  1. 一種曝光裝置,其具備: 照明光學系統; 空間光調變器,被來自上述照明光學系統之光所照明; 投影光學系統,將自上述空間光調變器射出之光照射至曝光對象; 載台,載置上述曝光對象,使上述曝光對象與上述投影光學系統於既定之掃描方向相對移動;及 控制部,控制上述空間光調變器, 上述空間光調變器具有複數個鏡面,上述複數個鏡面能夠切換為:ON狀態,調整傾斜而使光能夠向上述投影光學系統射出;及OFF狀態,使光不向上述投影光學系統射出,上述控制部以將上述複數個鏡面切換為第一狀態與第二狀態之方式控制上述空間光調變器, 上述第一狀態與上述第二狀態係成為上述ON狀態之上述鏡面之至少一者互不相同, 自上述第一狀態之上述空間光調變器射出之光與自上述第二狀態之上述空間光調變器射出之光形成相同形狀之曝光圖案。
  2. 如請求項1之曝光裝置,其中上述控制部切換上述第一狀態與上述第二狀態,並且根據上述ON狀態之上述鏡面之位置之變更而調整上述載台之位置,藉此進行上述曝光對象上之曝光位置對準。
  3. 如請求項1之曝光裝置,其中上述控制部切換上述第一狀態與上述第二狀態,並且根據上述ON狀態之上述鏡面之位置之變更而調整上述空間光調變器之位置,藉此進行上述曝光對象上之曝光位置對準。
  4. 如請求項1之曝光裝置,其中上述控制部切換上述第一狀態與上述第二狀態,並且根據上述ON狀態之上述鏡面之位置之變更而調整上述投影光學系統之光之照射位置,藉此進行上述曝光對象上之曝光位置對準。
  5. 如請求項1至4中任一項之曝光裝置,其中上述控制部每進行一次掃描曝光即切換上述第一狀態與上述第二狀態。
  6. 如請求項1至4中任一項之曝光裝置,其中上述控制部於上述曝光對象之曝光結束至開始下一曝光對象之曝光之間切換上述第一狀態與上述第二狀態。
  7. 如請求項1至4中任一項之曝光裝置,其中上述控制部於預先設定之時機切換上述第一狀態與上述第二狀態。
  8. 如請求項1至7中任一項之曝光裝置,其中上述控制部於曝光處理時以外之時間切換上述複數個鏡面之上述ON狀態與上述OFF狀態。
  9. 如請求項8之曝光裝置,其中上述ON狀態之時間與上述OFF狀態之時間之時間比率為1:2~2:1。
  10. 如請求項8之曝光裝置,其中上述ON狀態與上述OFF狀態之切換和掃描曝光時所進行之上述ON狀態與上述OFF狀態之切換為相反相位。
  11. 如請求項1至7中任一項之曝光裝置,其中上述控制部於曝光處理時以外之時間將上述複數個鏡面維持為上述ON狀態與上述OFF狀態之間之中立狀態。
  12. 如請求項1至11中任一項之曝光裝置,其進一步具備:遮光構件,遮擋入射至上述空間光調變器之光之至少一部分。
  13. 如請求項1至12中任一項之曝光裝置,其進一步具備:遮光構件,遮擋自上述空間光調變器射出之光之至少一部分。
  14. 如請求項1至13中任一項之曝光裝置,其具備複數個上述投影光學系統。
  15. 一種曝光方法,其係使用如請求項1至14中任一項之曝光裝置將曝光對象進行曝光。
  16. 一種電子元件的製造方法,其包括藉由如請求項15之曝光方法將曝光對象進行曝光。
TW111124761A 2021-07-05 2022-07-01 曝光裝置、曝光方法及電子元件的製造方法 TW202314394A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-111770 2021-07-05
JP2021111770 2021-07-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202314394A true TW202314394A (zh) 2023-04-01

Family

ID=84800646

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111124761A TW202314394A (zh) 2021-07-05 2022-07-01 曝光裝置、曝光方法及電子元件的製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2023282212A1 (zh)
KR (1) KR20240019288A (zh)
CN (1) CN117546099A (zh)
TW (1) TW202314394A (zh)
WO (1) WO2023282212A1 (zh)

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000155377A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Noritsu Koki Co Ltd 写真焼付装置
JP4201178B2 (ja) * 2002-05-30 2008-12-24 大日本スクリーン製造株式会社 画像記録装置
JP2005266779A (ja) 2004-02-18 2005-09-29 Fuji Photo Film Co Ltd 露光装置及び方法
US7102733B2 (en) * 2004-08-13 2006-09-05 Asml Holding N.V. System and method to compensate for static and dynamic misalignments and deformations in a maskless lithography tool
JP4686753B2 (ja) * 2004-12-14 2011-05-25 独立行政法人産業技術総合研究所 露光方法及び露光装置
JP2007041281A (ja) * 2005-08-03 2007-02-15 Fujifilm Corp 黒色画像及びその製造方法、並びに遮光膜付き基板及び液晶表示素子
US20090103053A1 (en) * 2007-10-02 2009-04-23 Hirotoshi Ichikawa Projection apparatus comprising spatial light modulator
DE102013213842A1 (de) * 2013-07-16 2015-01-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement
US9477161B2 (en) * 2014-02-21 2016-10-25 Palo Alto Research Center Incorporated Method and system to operate arrays of reflective elements for extended lifetime operation in use with high intensity power light sources
CN112015032B (zh) * 2019-05-29 2021-12-28 中强光电股份有限公司 微型投影机及微型投影机控制方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023282212A1 (ja) 2023-01-12
KR20240019288A (ko) 2024-02-14
JPWO2023282212A1 (zh) 2023-01-12
CN117546099A (zh) 2024-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4597675B2 (ja) 連続直接書込み光リソグラフィ
JPWO2009078434A1 (ja) 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP7337877B2 (ja) 非ブレーズドdmdを伴う解像度強化型のデジタルリソグラフィ
TW202314394A (zh) 曝光裝置、曝光方法及電子元件的製造方法
JPH11212266A (ja) 走査型露光装置
WO2023282209A1 (ja) 露光装置、露光方法および電子デバイスの製造方法
WO2023282210A1 (ja) 露光装置、露光方法およびフラットパネルディスプレイの製造方法、ならびに露光データ作成方法
KR101817875B1 (ko) 노광장치
US20240103379A1 (en) Exposure apparatus, exposure method, and flat panel display manufacturing method
WO2023127499A1 (ja) 露光装置
JP2006318954A (ja) 露光装置及び露光方法
WO2023282205A1 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP2022065197A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
WO2022215690A1 (ja) 露光装置、デバイス製造方法およびフラットパネルディスプレイの製造方法
JP2010118383A (ja) 照明装置、露光装置、及びデバイス製造方法
WO2022215692A1 (ja) 露光装置、デバイス製造方法、フラットパネルディスプレイの製造方法および露光方法
JP2009032749A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
US20240126178A1 (en) Exposure apparatus, control method, and device manufacturing method
KR20240019240A (ko) 노광 장치, 디바이스 제조 방법 및 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법
JP2021124548A (ja) パターン露光装置及びパターン露光方法
JP2012146701A (ja) 露光方法及び露光装置
JP2012109398A (ja) 露光条件の管理方法、露光装置及び基板
JP2012146702A (ja) 露光方法及び露光装置
JP2012137669A (ja) 露光装置及び露光方法