KR20030006829A - 반도체 웨이퍼 레벨링 장치 및 그것을 구비하는 노광 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명의 반도체 웨이퍼 레벨링 장치는 소정 폭(또는 지름)의 광 빔을 발생하는 발광부와, 2개의 광 빔 폭 변경부들을 구비한다. 제1의 광 빔 폭 변경부는, 웨이퍼 레벨 계측 동안에, 웨이퍼 상의 목표 노광 영역의 폭과 동일하게 발광부로부터 조사된 광 빔의 폭을 변경한다. 또한, 이 광 빔 폭 변경부는 목표 노광 영역으로 변경된 폭의 광 빔을 조사한다. 제2의 광 빔 폭 변경부는 발광부로부터 조사되는 광 빔 폭과 동일하게 목표 노광 영역으로부터 반사되는 광 빔의 폭을 변경한다. 본 발명의 레벨링 장치는 수광부를 더 구비한다. 수광부는 제2의 광 빔 폭 변경부로부터 조사되는 광 빔을 수광하여 목표 노광 영역의 레벨링 상태를 측정하기 위한 전기적인 신호들을 생성한다.

Description

반도체 웨이퍼 레벨링 장치 및 그것을 구비하는 노광 장치{SEMICONDUCTOR WAFER LEVELING APPARATUS AND EXPOSURE EQUIPMENT WITH THE SAME}

본 발명은 반도체 웨이퍼 제조 장치에 관한 것으로, 더 구체적으로는 웨이퍼 상의 목표 영역(예컨대, 칩 영역)을 레벨링(leveling) 하는 장치에 관한 것이다. 또, 본 발명은 반도체 웨이퍼 상의 목표 영역의 레벨링 상태를 측정하는 장치를 구비하는 반도체 웨이퍼 노광 장치에 관한 것이다.

하나의 반도체 웨이퍼를 가공해서 다수의 반도체 장치 칩들을 생산할 때, 일반적으로, 웨이퍼 상에 전기적인 회로 패턴들의 형성을 위해서 해당 웨이퍼는 여러번의 포토 공정들(photo processes)을 거치게 된다. 여기서, 포토 공정란 포토레지스트(photoresist) 등과 같은 감광물질(light-sensitive material)이 도포된 웨이퍼 표면에 광 등을 조사하는 노광 공정과 노광된 웨이퍼 표면 상의 감광물질을 현상하여 감광물질 패턴들을 형성하는 현상 공정을 포함하는 웨이퍼 가공 공정을 의미한다.

고집적 반도체 장치를 생산함에 있어, 매우 중요한 것들 중 하나가 회로 패턴들을 정확하게 그리고 미세하게 형성하는 것이다.

현재, 웨이퍼 노광 공정은 스테퍼(stepper) 또는 스캐너(scanner)라고 불리는 노광기(exposurer)에 의해 수행된다. 스테퍼 또는 스캐너는 레티클(reticle)의 특정 회로 패턴이 웨이퍼 표면 상에 반복적으로 투영되도록 한다. 스테퍼 또는 스캐너는 축소 투영 렌즈(reduction projection lens)를 구비하고 있는데, 이 렌즈는, 웨이퍼 노광 공정 동안에, 레티클 상의 특정 회로 패턴이 광학적으로 축소되어서 웨이퍼 표면 상으로 전달되도록 한다.

웨이퍼 노광 공정 동안에는 축소 투영 렌즈의 광축과 웨이퍼의 특정 표면이 상호 수직 상태를 이루도록 하여 미세한 레티클 패턴이 정확하게 웨이퍼의 표면 상에 투영될 수 있도록 해야 한다. 이와 같은 웨이퍼 노광 공정 동안에 레티클의 회로 패턴이 웨이퍼 상의 소정의 영역(주로, 칩 영역)의 표면 상에 노광될 때마다 그 노광 대상 영역(exposure field)의 표면이 축소 투영 렌즈의 광축과 수직이 되도록 하는 작업을 소위 '웨이퍼 레벨링' 또는 '칩 레벨링(chip leveling)'이라 부른다.

스테퍼 또는 스캐너를 사용하여 웨이퍼에 대한 노광 공정을 진행하는 과정에서 또는 노광기의 점검/보수 과정에서 축소 투영 렌즈의 광축이 미소하게 변경되는 경우가 흔하게 발생한다. 특히, 웨이퍼 상의 각 노광 대상 영역들의 평면 조건들은 바로 이전의 막 형성 공정에서의 공정 편차 등에 의해 웨이퍼의 각 노광 대상 영역들의 위치 별로 각 영역 표면들의 평면 조건들이 서로 상이할 수 있다.

따라서, 웨이퍼 레벨링은 레티클 패턴이 하나의 웨이퍼의 노광 대상 지역(또는 목표 노광 영역)에 투영되기 직전에 반드시 수행되어야 한다.

전형적인 웨이퍼 레벨링 장치는 적어도 하나의 4-분할 광 센서(quadratnt light sensor)(통상 2개 이상의 4-분할 광 센서들)를 갖는 센서 어셈블리와 웨이퍼가 놓이는 스테이지를 포함한다.

웨이퍼 레벨링 동작 동안에는 하나의 광원으로부터 조사된 레이저 광이 스테이지 상의 웨이퍼의 특정 노광 영역으로부터 반사되어서 대응하는 4-분할 광 센서로 제공된다. 각 4-분할 광 센서는 웨이퍼 표면으로부터 반사된 광이 입사되는 면을 갖는데, 이 광 입사 면은 4개의 영역들로 분할된다. 4-분할 광 센서의 각 광 입사 면은 거기로 입사되는 광량에 비례하는 크기의 전기적 신호를 생성한다.

도 1 및 도2는 종래의 웨이퍼 노광 장치에서의 다양한 크기의 칩들이 형성되는 웨이퍼들 상의 각 노광 영역(또는 칩 영역)의 표면 레벨을 계측하는 경우들의 광학적 메커니즘을 보여주는 도면으로, 구체적으로, 도 1은 광 빔의 크기가 웨이퍼 상의 목표 노광 영역 보다 크기 때문에 광 빔이 목표 노광 영역의 주변 영역까지 조사되는 경우를 보여주는 도면이고, 도 2는 광 빔의 크기가 목표 노광 영역 보다 작기 때문에 광 빔이 목표 노광 영역의 일 부분에만 조사되는 경우를 보여주는 도면이다.

도 1 및 도 2에서, 참조번호 1은 발광부를 나타내고, 참조 번호 2는 반도체 웨이퍼를, 그리고 참조 번호 3은 수광부를 나타낸다. 통상적으로, 발광부(1)는 웨이퍼(2)의 표면에 대해 대략 45도의 각도로 광 빔을 조사할 수 있도록 설치된다. 또한, 수광부(3)도 웨이퍼(2)의 표면에 대해 대략 45도의 각도로 반사된 광 빔을 받아들일 수 있도록 설치된다.

또, 참조 번호 4는 발광부(1)로부터 생성되어서 웨이퍼(2)로 조사되는 레이저 광 빔을, 참조 번호 5는 웨이퍼(2) 상의 목표 노광 영역(예컨대, 칩 영역)을,참조 번호 6 및 6'은 웨이퍼(2)의 표면 상의 실제 노광 영역을, 그리고 참조 번호 7은 웨이퍼(2) 상의 실제 노광 영역(6 또는 6')으로부터 반사되는 광 빔을 나타내고 있다.

종래의 웨이퍼 노광 장치에서, 수광부(3)는 대개 4개의 광 입사 영역들로 분할된 광 입사면을 갖는 4-분할 광 센서로 구성된다. 이 수광부(3)는 웨이퍼(2)로부터 반사된 광 빔(7)을 자신의 4-분할 광 입사면을 통해 받아들여서 웨이퍼(2) 상의 목표 노광 영역(5)의 표면 레벨이 웨이퍼 노광 장치의 축소 투영 렌즈(도시되지 않음)의 광 축과 수직을 이루는 지의 여부를 결정하기 위한 전기 신호들을 발생한다.

수광부(3)인 4-분할 광 센서의 4개의 분할된 광 입사 영역들로 동일한 양의 광 빔들이 각각 입사될 때(즉, 반사광(7)의 중심과 수광부(3)의 4-분할된 광 입사면의 중심과 일치할 때) 웨이퍼의 해당 노광 영역의 레벨링이 정상적으로 행해진 것으로 판단되고, 그렇지 않은 경우에는 정확한 웨이퍼 레벨링이 행해지지 않은 것으로 판단된다.

통상적으로, 반도체 제조 업체는 하나의 웨이퍼 노광 장치를 다양한 크기 또는 종류의 웨이퍼들의 가공을 위해 사용하고 있다. 특히, 웨이퍼 제조 공정 동안에 각 웨이퍼들 상에는 다양한 크기들의 반도체 칩들이 제조된다.

하지만, 종래 기술에서는 웨이퍼 레벨링을 측정하기 위해 항상 일정한 폭 또는 직경(W)의 광 빔 만이 사용되어 왔다.

따라서, 도 1에 도시된 바와 같이, 광 빔(4)이 특정 목표 노광 영역(5)의 주변 영역으로 조사될 정도로 목표 노광 영역(5)의 크기가 그 영역(5)으로 입사되는광 빔(4)의 크기에 비해 상대적으로 작은 경우의 웨이퍼 레벨링 결과는 목표 노광 영역(5) 만에 대한 웨이퍼 레벨링을 수행한 결과와는 상당한 차이가 있게 된다. 즉, 이 경우에는 부정확한 웨이퍼 레벨링이 행해진다.

그와 반대로, 도 2에 도시된 바와 같이, 목표 노광 영역(5)의 일 부분에만 광 빔이 조사될 정도로 목표 노광 영역(5)의 크기가 그 영역(5)으로 입사되는 광 빔(4)의 크기에 비해 상대적으로 큰 경우의 웨이퍼 레벨링도, 목표 노광 영역(5) 전체에 대한 웨이퍼 레벨링과는 상당한 차이가 생기게 되기 때문에, 웨이퍼 레벨링의 정확성이 떨어진다. 이와 같은 부정확한 웨이퍼 레벨링은 결국 제품 수율의 저하를 초래한다.

따라서, 본 발명의 주된 목적은 다양한 종류의 반도체 웨이퍼들의 표면 레벨들을 정확하게 측정할 수 있는 반도체 웨이퍼 레벨링 장치 및 그것을 구비하는 반도체 웨이퍼 노광 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 반도체 웨이퍼 상의 목표 노광 영역들(예컨대, 칩 영역들)의 정확한 레벨링을 수행하는 반도체 웨이퍼 레벨링 장치 및 그것을 구비하는 반도체 웨이퍼 노광 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 다양한 크기들의 노광 영역들을 갖는 웨이퍼 상의 각 노광 영역을 정확하게 레벨링 할 수 있는 반도체 웨이퍼 레벨링 장치 및 그것을 구비하는 반도체 웨이퍼 노광 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 반도체 웨이퍼로 입사되는 광 빔의 폭 또는 직경을 변경할 수 있는 반도체 웨이퍼 레벨링 장치 및 그것을 구비하는 반도체 웨이퍼 노광 장치를 제공하는 것이다.

도 1 및 도 2는 종래의 반도체 웨이퍼 레벨링 장치의 웨이퍼 표면 레벨을 계측하는 광학적 메커니즘들을 보여주는 도면으로, 도 1은 발광부로부터 조사되는 광 빔의 크기가 웨이퍼 상의 목표 노광 영역 보다 크기 때문에 광 빔이 목표 노광 영역의 주변 영역까지 조사되는 경우를 보여주는 도면이고, 도 2는 발광부로부터 조사되는 광 빔의 크기가 목표 노광 영역 보다 작기 때문에 광 빔이 목표 노광 영역의 일 부분에만 조사되는 경우를 보여주는 도면이며; 그리고

도 3 및 도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 레벨링 장치의 웨이퍼 표면 레벨을 계측하기 위한 광학적 메커니즘들을 보여주는 도면들로서, 도 3은 발광부로부터 조사되는 광 빔의 크기가 웨이퍼 상의 목표 노광 영역 보다 큰 경우에 목표 노광 영역에만 광 빔이 조사되도록 하기 위한 광학적 메커니즘을 나타내는 도면이고, 도 4는 발광부로부터 조사되는 광 빔의 크기가 목표 노광 영역 보다 작은 경우에 목표 노광 영역 전체에 광 빔이 조사되도록 하기 위한 광학적 메커니즘을 나타내는 도면이다.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1: 발광부2: 반도체 웨이퍼

3: 수광부4a, 4b, 7a, 7b: 광 빔

5: 목표 노광 영역6a, 6b: 실제 노광 영역

10a, 10b 오목 렌즈12a, 12b : 볼록 렌즈

상기한 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 레벨 계측 장치에서는 웨이퍼의 표면 레벨을 검출하는데 레이저 광 등의 광 빔이 사용된다.

본 발명의 일 특징에 따르면, 반도체 웨이퍼 레벨 계측 장치는 소정 폭(또는 지름)의 광 빔을 발생하는 발광부와, 2개의 광 빔 폭 변경부들을 구비한다. 제1의 광 빔 폭 변경부는, 웨이퍼 레벨 계측 동안에, 웨이퍼 상의 목표 노광 영역의 폭과 동일하게 발광부로부터 조사된 광 빔의 폭을 변경한다. 또한, 이 변경부는 목표 노광 영역으로 변경된 폭의 광 빔을 조사한다. 제2의 광 빔 폭 변경부는 발광부로부터 조사되는 광 빔 폭과 동일하게 목표 노광 영역으로부터 반사되는 광 빔의 폭을 변경한다. 또, 본 발명의 장치는 수광부를 구비한다. 수광부는 제2의 광 빔 폭 변경부로부터 조사되는 광 빔을 수광하여 목표 노광 영역의 레벨링 상태를 측정하기 위한 전기적인 신호들을 생성한다.

한 실시예에서, 제1 및 제2의 광 빔 폭 변경부들 각각 상기 광 빔들의 광 경로 상에 나란히 정렬되는 볼록 렌즈 및 오목 렌즈를 구비한다. 제1의 광 빔 폭 변경부의 볼록 렌즈와 오목 렌즈 간의 거리는 발광부로부터의 상기 광 빔 폭과 상기 목표 노광 영역 폭에 의해 결정된다. 또, 제2의 광 빔 폭 변경부의 볼록 렌즈와 오목 렌즈 간의 거리는 목표 노광 영역으로부터 반사되는 광 빔의 폭과 수광부로 제공되는 광 빔의 폭에 의해 결정된다.

제1 및 제2의 광 빔 폭 변경부들 각각은 볼록 렌즈와 오목 렌즈 간의 거리를 자동으로 조절할 수 있는 렌즈 거리 조절 구조, 예컨대, 볼록 렌즈 및/또는 오목 렌즈의 이동을 위한 레일과, 상기 렌즈들이 레일 상에서 이동하도록 하는 스텝 모터 등을 구비하는 것이 바람직하다.

이상과 같은 본 발명의 반도체 웨이퍼 레벨 계측 장치가 반도체 웨이퍼를 가공하는 반도체 공정 장비(특히, 노광 장치)에 적용되면 웨이퍼 레벨링 상태의 정확한 계측을 달성할 수 있다. 따라서, 부정확한 웨이퍼 레벨링으로 인한 제품 수율의 저하를 방지할 수 있다.

다음에는 도면들을 참조하여 본 발명의 발람직한 실시예들에 대해 상세히 설명한다. 이후의 설명 및 도면들에서 동일하거나 유사한 구성요소들에는 동일하거나 유사한 참조번호들 및 부호들을 병기한다.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 레벨링 장치의 웨이퍼 표면 레벨을 계측하기 위한 광학적 메커니즘을 보여주는 도면으로서, 발광부로부터 조사되는 광 빔의 크기가 목표 노광 영역 보다 큰 경우에도 목표 노광 영역에만 정확하게 광 빔이 조사되도록 하기 위한 광학적 메커니즘을 나타내는 도면이다.

도 3을 참조하면, 반도체 웨이퍼 레벨링 장치는 소정 폭(또는 지름)(W1)의 광 빔(4a)을 발생하는 발광부(1)와, 웨이퍼(2)로부터 반사된 광 빔을 받아들여 전기적인 신호들을 발생하는 수광부(3)를 구비한다. 특히, 본 발명의 반도체 웨이퍼 레벨링 장치는 2개의 광 빔 폭 변경부들(14 및 16)을 구비한다.

제1의 광 빔 폭 변경부(14)는, 웨이퍼 레벨 계측 동안에, 발광부(1)로부터 입사되는 광 빔(4a)의 폭(W1)을 웨이퍼 상의 목표 노광 영역(5)의 폭(W2)과 동일한 폭(W3)으로 변경한다.

제1의 광 빔 폭 변경부(14)는 광 빔들(4a 및 4b)의 광 경로 상에 나란히 정렬되는 오목 렌즈(10a) 및 볼록 렌즈(12a)를 구비한다. 이 렌즈들(10a 12a) 간의 거리(d1)는 발광부(1)로부터 조사되는 광 빔(4a)의 폭(W1)과 목표 노광 영역(5)의 폭(W2)에 의해 결정된다.

제1의 광 빔 폭 변경부(14)는 오목 렌즈(10a)와 볼록 렌즈(12a) 간의 거리를 자동으로 조절할 수 있는 렌즈 거리 조절 구조를 구비하는 것이 바람직하다. 렌즈 거리 조절 구조는, 예를 들면, 오목 렌즈(10a) 및/또는 볼록 렌즈(12a)의 이동을 위한 레일과, 두 렌즈들(10a, 12a)이 상기 레일 상에서 이동하도록 하는 스텝 모터 등을 포함할 수 있다.

또한, 제1의 광 빔 폭 변경부(14)는 목표 노광 영역(5)으로 변경된 폭(W3)의 광 빔(4b)을 조사한다. 이로써, 광 빔(4a)이 목표 노광 영역(5)의 주변 영역으로 조사될 정도로 목표 노광 영역(5)의 크기가 광 빔(4a)의 크기에 비해 상대적으로 작다하더라도, 조절된 폭(W3)의 광 빔(4b)이 목표 노광 영역(5)에만 정확하게 조사된다. 즉, 목표 노광 영역(5)과 실제 노광 영역(6)은 동일한 크기(W2)를 갖는다. 따라서, 웨이퍼 레벨링의 정확도가 향상될 수 있다.

제2의 광 빔 폭 변경부(16)는 목표 노광 영역(5)으로부터 반사되는 광 빔(7a)의 폭(W3)을 발광부(1)로부터 조사된 광 빔(4a) 폭(W1)과 동일한 폭으로 변경하여 수광부(3)으로 제공한다.

제2의 광 빔 폭 변경부(16)는 반사된 광 빔들(7a 및 7b)의 광 경로 상에 나란히 정렬되는 오목 렌즈(10b) 및 볼록 렌즈(12b)를 구비한다. 이 렌즈들(10b, 12b) 간의 거리(d2)는 목표 노광 영역(5)로부터 반사되는 광 빔(7a)의 폭(W3)과 수광부(3)로 제공되는 광 빔(7b)의 폭(W1)에 의해 결정된다. 또, 제2의 광 빔 폭 변경부(16) 역시 레일과, 두 렌즈들(10b, 12b)이 레일 상에서 이동하도록 하는 스텝 모터 등을 포함하는 렌즈 거리 조절 구조를 갖는 것이 바람직하다.

수광부(3)는 제2의 광 빔 폭 변경부(16)로부터 조사되는 광 빔(7b)을 수광하여 목표 노광 영역(5)의 레벨링 상태를 측정하기 위한 전기적인 신호들을 생성한다.

이상과 같이, 본 발명에 따르면, 비록 발광부(1)로부터 조사되는 광 빔의 크기가 목표 노광 영역 보다 큰 경우에도 목표 노광 영역(5)에만 정확하게 조절된 폭의 광 빔(4b)이 조사될 수 있으므로 정확한 웨이퍼 레벨링이 가능해 진다.

도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 레벨링 장치의 웨이퍼 표면 레벨을 계측하기 위한 광학적 메커니즘을 보여주는 도면으로서, 발광부로부터 조사되는 광 빔의 크기가 목표 노광 영역 보다 작은 경우에도 전체의 목표 노광 영역에 광 빔이 조사되도록 하기 위한 광학적 메커니즘을 나타내는 도면이다.

도 4에 도시된 바와 같이, 발광부(1)로부터 조사되는 광 빔(4a)의 폭(W4)이 목표 노광 영역(5)의 폭(W5) 보다 작은 경우에도, 각 광 빔 폭 변경부(14 또는 16) 내의 오목 렌즈(10a 또는 10b)와 볼록 렌즈(12a 또는 12b) 간의 거리(d3 또는 d4)를 적절히 조절하는 것에 의해 목표 노광 영역(5) 전체에 정확하게 조절된 폭(W6)의 광 빔(4b)이 조사될 수 있다.

이와 같이, 본 발명에 따르면, 비록 발광부로부터 조사되는 광 빔의 크기가 목표 노광 영역 보다 작은 경우에도 역시 목표 노광 영역에 정확하게 광 빔이 조사될 수 있으므로 정확한 웨이퍼 레벨링이 가능해 진다는 것을 잘 이해할 수 있을 것이다.

이상과 같은 본 발명의 반도체 웨이퍼 레벨 계측 장치가 반도체 웨이퍼를 가공하는 반도체 공정 장비에 적용되면 웨이퍼 레벨링 상태의 정확한 계측을 달성할 수 있다. 따라서, 부정확한 웨이퍼 레벨링 또는 디포커싱(defocusing)으로 인한 제품 수율의 저하를 방지할 수 있다.

Claims (8)

1. 소정 폭의 광 빔을 발생하는 발광부;

   웨이퍼 상의 목표 노광 영역의 폭과 동일하게 상기 광 빔의 상기 폭을 변경하는 그리고 상기 목표 노광 영역으로 상기 변경된 폭의 상기 광 빔을 조사하는 제1의 광 빔 폭 변경부;

   상기 발광부로부터의 상기 광 빔 폭과 동일하게 상기 목표 노광 영역으로부터 반사된 광 빔의 폭을 변경하는 제2의 광 빔 폭 변경부; 그리고

   상기 제2의 광 빔 폭 변경부로부터의 상기 광 빔을 수광하여 상기 목표 노광 영역의 레벨링 상태를 측정하기 위한 전기적인 신호들을 생성하는 수광부를 포함하는 반도체 웨이퍼 레벨링 장치.
2. 제1항에 있어서,

   상기 제1 및 제2의 광 빔 폭 변경부들 각각은 상기 광 빔들의 광 경로 상에 나란히 정렬되는 볼록 렌즈 및 오목 렌즈를 포함하는 반도체 웨이퍼 레벨링 장치.
3. 제2항에 있어서,

   상기 제1의 광 빔 폭 변경부의 상기 볼록 렌즈와 상기 오목 렌즈 간의 거리는 상기 발광부로부터의 상기 광 빔 폭과 상기 목표 노광 영역 폭에 의해 결정되는 반도체 웨이퍼 레벨링 장치.
4. 제2항에 있어서,

   상기 제2의 광 빔 폭 변경부의 상기 볼록 렌즈와 상기 오목 렌즈 간의 거리는 목표 노광 영역으로부터 반사되는 광 빔의 폭과 수광부로 제공되는 광 빔의 폭에 의해 결정되는 반도체 웨이퍼 레벨링 장치.
5. 제3항 또는 제4항에 있어서,

   상기 제1 또는 제2의 광 빔 폭 변경부의 상기 볼록 렌즈와 상기 오목 렌즈 간의 거리는 모터에 의해서 자동으로 조절되는 반도체 웨이퍼 레벨링 장치.
6. 제1항에 있어서,

   상기 광 빔은 레이저 광 빔인 반도체 웨이퍼 레벨링 장치.
7. 소정 폭의 광 빔을 발생하는 발광부;

   웨이퍼 상의 목표 노광 영역의 폭과 동일하게 상기 광 빔의 상기 폭을 변경하는 그리고 상기 목표 노광 영역으로 상기 변경된 폭의 상기 광 빔을 조사하는 제1의 광 빔 폭 변경부;

   상기 발광부로부터의 상기 광 빔 폭과 동일하게 상기 목표 노광 영역으로부터 반사된 광 빔의 폭을 변경하는 제2의 광 빔 폭 변경부; 그리고

   상기 제2의 광 빔 폭 변경부로부터의 상기 광 빔을 수광하여 상기 목표 노광영역의 레벨링 상태를 측정하기 위한 전기적인 신호들을 생성하는 수광부를 포함하는 반도체 웨이퍼 노광 장치.
8. 제7항에 있어서,

   상기 제1 및 제2의 광 빔 폭 변경부들 각각은 상기 광 빔들의 광 경로 상에 나란히 정렬되는 볼록 렌즈 및 오목 렌즈를 포함하는 반도체 웨이퍼 노광 장치.