TW202225853A - 周緣處理裝置、周緣處理方法及電腦可讀取記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

[課題] 本揭示係說明能夠精度佳地處理覆膜之周緣部分的周緣處理裝置、周緣處理方法及電腦可讀取記錄媒體。 [解決手段] 周緣處理裝置之一例係具備：攝像部，其係被構成攝像基板之周緣部而取得攝像畫像的攝像部，基板包含基準基板及處理基板；第1算出部，其係以基準基板之中心為基準算出在基準基板之攝像畫像中之基準基板的邏輯上之周緣位置；第2算出部，其係被構成根據基準基板之邏輯上之周緣位置，和處理基板之攝像畫像，算出在處理基板之攝像畫像中之處理基板之邏輯上之周緣位置；設定部，其係被構成根據處理基板之邏輯上之周緣位置，設定基板之周緣部之處理參數；及處理部，其係被構成根據處理參數而處理基板之周緣部。

Description

周緣處理裝置、周緣處理方法及電腦可讀取記錄媒體
本揭示係關於周緣處理裝置、周緣處理方法及電腦可讀取記錄媒體。
專利文獻1揭示周緣曝光裝置。該周緣曝光裝置係實行一面使基板一旋轉一面檢測基板之周緣位置之位移的處理，和一面使基板旋轉並且因應該位移使基板朝其徑向移動，一面使形成在基板之表面的光阻膜之周緣部分曝光的處理。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開平4-072614號公報
[發明所欲解決之課題]
本揭示係說明能夠精度佳地處理覆膜之周緣部分的周緣處理裝置、周緣處理方法及電腦可讀取記錄媒體。 [用以解決課題之手段]
周緣處理裝置之一例係具備：攝像部，其係被構成攝像基板之周緣部而取得攝像畫像的攝像部，基板包含基準基板及處理基板；第1算出部，其係以基準基板之中心為基準算出在基準基板之攝像畫像中之基準基板的邏輯上之周緣位置；第2算出部，其係被構成根據基準基板之邏輯上之周緣位置，和處理基板之攝像畫像，算出在處理基板之攝像畫像中之處理基板之邏輯上之周緣位置；設定部，其係被構成根據處理基板之邏輯上之周緣位置，設定基板之周緣部之處理參數；及處理部，其係被構成根據處理參數而處理基板之周緣部。 [發明之效果]
若藉由本揭示所涉及之周緣處理裝置、周緣處理方法及電腦可讀取的記錄媒體時，能夠精度佳地處理覆膜之周緣部分。
在以下之說明中，對具有相同要素或相同機能之要素，使用相同符號，省略重複說明。
[基板處理系統] 首先，參照圖1及圖2，針對基板處理系統1之構成予以說明。基板處理系統1具備塗佈顯像裝置2(周緣處理裝置)、曝光裝置3、控制器Ctr和操作部7。
曝光裝置3係被構成在與塗佈顯像裝置2之間收授基板W，進行被形成在基板W(基準基板、處理基板)之表面Wa(參照圖3)的光阻膜之曝光處理(圖案曝光)。即使曝光裝置3係例如藉由液浸曝光等之方法對光阻膜之曝光對象部分選擇性地照射能量線亦可。
塗佈顯像裝置2係被構成於曝光裝置3所致的曝光處理之前，在基板W之表面Wa形成光阻膜R2(參照圖3)等的覆膜R。塗佈顯像裝置2係被構成在曝光處理後進行光阻膜R2之顯像處理。
晶圓W即使呈圓板狀亦可，即使呈多角形等圓形以外的板狀亦可。即使基板W之一部分具有被切口的缺口部亦可。即使缺口部為例如溝槽(U字形、V字形等之溝)亦可，即使為直線狀延伸的直線部(所謂的定向平面)亦可。基板W即使為例如半導體基板(矽晶圓)、玻璃基板、遮罩基板、FPD(Flat Panel Display)基板其他之各種基板亦可。即使基板W之直徑為例如200mm~450mm程度亦可。基板W包含成為後續的基板處理之基準的基準基板W0之攝像畫像，和成為實際的處理對象之處理基板W1。
如圖1及圖2所示般，塗佈顯像裝置2具備載體區塊4、處理區塊5和介面區塊6。即使載體區塊4、處理區塊5及介面區塊6在例如水平方向排列一列亦可。
載體區塊4包含載體站12和搬入搬出部13。載體站12係以裝卸自如地支撐複數載體11(收容容器)。載體11係被構成在密封狀態下收容至少一個基板W(參照圖2)。載體11包含用以使基板W移出放入的開關門。
搬入搬出部13係位於載體站12及處理區塊5之間。搬入搬出部13包含複數開關門。在載體11被載置於載體站12上之狀態，藉由載體11之開關門和搬入搬出部13之開關門同時被開放，載體11內和搬入搬出部13內連通。搬入搬出部13係如圖2及圖3所示般，內置搬運臂A1。搬運臂A1係被構成從載體11取出基板W而交給處理區塊5，從處理區塊5接取基板W而返回至載體11內。
處理區塊5係如圖2所示般，包含處理模組PM1~PM3。
處理模組PM1係被構成在基板W之表面Wa上形成下層膜R1(覆膜)(參照圖3)。處理模組PM1係包含液處理單元U11、熱處理單元U12、檢查單元U13，和被構成將基板W搬運至該些的搬運臂A11。即使液處理單元U11被構成例如將下層膜形成用之塗佈液塗佈在基板W亦可。即使熱處理單元U12被構成例如進行用以使藉由液處理單元U11而被形成在基板W之塗佈膜硬化而成為下層膜R1的加熱處理亦可。作為下層膜，可舉出例如反射防止(SiARC)膜、SOG(Spin On Glass)膜、SOC(Spin On Carbon)膜、非晶碳膜等。即使檢查單元U13被構成例如檢查形成有下層膜R1之基板W之各面(表面Wa、端面Wb及周緣部Wc(參照圖3等)亦可。
處理模組PM2係被構成在下層膜R1上形成光阻膜R2。處理模組PM2係包含液處理單元U21、熱處理單元U22、檢查單元U23、周緣曝光單元U24(處理部)和被構成將基板W搬運至該些的搬運臂A12。即使液處理單元U21被構成例如將光阻膜形成用之塗佈液塗佈在基板W亦可。即使熱處理單元U22被構成例如進行用以使藉由液處理單元U21而被形成在基板W之塗佈膜硬化而成為光阻膜R2的加熱處理(PAB：Pre Applied Bake)亦可。即使檢查單元U23被構成例如檢查形成有光阻膜R2之基板W之各面(表面Wa、端面Wb及周緣部Wc(參照圖3等)亦可。即使周緣曝光單元U24係被構成使光阻膜R2之中被形成在基板W之周緣部Wc之部分曝光亦可。
處理模組PM3係被構成進行被曝光之光阻膜R2之顯像處理。處理模組PM3係包含液處理單元U31、熱處理單元U32、檢查單元U33，和被構成將基板W搬運至該些的搬運臂A13。即使液處理單元U31係被構成例如部分性地除去光阻膜R2而形成光阻圖案(無圖示)亦可。即使熱處理單元U32係被構成進例如進行顯像處理前之加熱處理(PEB：Post Exposure Bake)、顯像處理後之加熱處理(PB：Post Bake)等亦可。即使檢查單元U33被構成例如檢查形成光阻圖案之基板W之各面(表面Wa、端面Wb及周緣部Wc (參照圖3等)亦可。
處理區塊5係如圖2所示般，包含位於載體區塊4之附近的棚架單元14、位於介面區塊6之附近的棚架單元15。棚架單元14係被構成在仲介在搬入搬出部13和處理模組PM1~PM3之間之基板W的收授。棚架單元15係被構成在仲介在處理模組PM1~PM3和介面區塊6之間之基板W的收授。
介面區塊6係內置搬運臂A2，被配置在處理區塊5和曝光裝置3之間。搬運臂A2係被構成取出棚架單元15之基板W而交給曝光裝置3，從曝光裝置3接取基板W而返回至棚架單元15。
控制器Ctr係被構成部分性地或全體性地控制塗佈顯像裝置2。針對控制器Ctr之詳細於後敘述。即使控制器Ctr係被構成在與曝光裝置3之控制器之間接收發送訊號，藉由與曝光裝置3之控制器的協作，將基板處理系統1作為全體予以控制。
操作部7係受理操作員(作業員)所致的操作之輸入裝置。即使操作部7包含例如滑鼠、鍵盤、顯示操作用之操作畫面的顯示器亦可。操作部7之各要素係能夠通訊地被連接於控制器Ctr。即使藉由操作部7及控制器Ctr構成一個電腦裝置亦可。操作部7係將表示操作員所致的操作內容的輸入資訊輸出至控制器Ctr。
[液處理單元] 接著，參照圖3，針對液處理單元U11、U21、U31(處理部)進一步詳細地說明。因該些構成相同，故以下將該些總稱為「液處理單元U1」。液處理單元U1具備旋轉保持部20(保持部)、液供給部30、液供給部40(供給部)。
旋轉保持部20包含旋轉部21、轉軸22和保持部23。旋轉部21係根據來自控制器Ctr之動作訊號而動作，使轉軸22旋轉。即使旋轉部21為例如電動馬達等的動力源亦可。保持部23被設置在轉軸22之前端部。在保持部23上能夠載置基板W。保持部23係被構成例如藉由吸附等將被基板W保持略水平。即是，旋轉保持部20係在基板W之姿勢為略水平之狀態，以基板W繞相對於基板W之表面Wa呈垂直之中心軸(旋轉軸)旋轉。在圖3所示的例中，旋轉保持部20從上方觀看時係以特定的旋轉數使基板W繞逆時鐘地旋轉。
液供給部30係被構成對基板W之表面Wa供給處理液L1。在處理模組PM1中，處理液L1係用以形成下層膜R1的塗佈液。在處理模組PM2中，處理液L1係用以形成光阻膜R2的光阻液。在處理模組PM3中，處理液L1為顯像液。另外，即使光阻液含有的光阻材料為正型光阻材料亦可，即使為負型光阻材料亦可。正型光阻材料為圖案曝光部溶化，殘留圖案未曝光部(遮光部)的光阻材料。負型光阻材料為圖案未曝光部(遮光部)溶化，殘留圖案曝光部的光阻材料。
液供給部30包含液源31、泵浦32、閥體33、噴嘴34、配管35和驅動機構36。液源31係作為處理液L1之供給源而發揮機能。泵浦32係根據來自控制器10之動作訊號而動作，從液源31吸引處理液L1，經由配管35及閥體33而送出至噴嘴34。
噴嘴34係以吐出口朝向基板W之表面Wa之方式，被配置在基板W之上方。噴嘴34係被構成將從泵浦32被送出的處理液L1吐出至基板W之表面Wa。配管35係從上游側依序連接液源31、泵浦32、閥體33及噴嘴34。驅動機構36係被構成根據來自控制器Ctr之訊號而動作，使噴嘴34在水平方向及上下方向移動。
液供給部40係被構成對基板W之表面Wa供給處理液L2。在處理模組PM1中，處理液L2係用以除去下層膜R1之周緣部分的藥液(例如有機溶劑)。在處理模組PM2中，處理液L2係用以除去光阻膜R2之周緣部分的藥液(例如有機溶劑、顯像液)。在處理模組PM3中，處理液L2為沖洗液。
液供給部40包含液源41、泵浦42、閥體43、噴嘴44、配管45和驅動機構46。液源41係作為處理液L2之供給源而發揮機能。泵浦42係從液源41吸引處理液L2，經由配管45及閥體43而送出至噴嘴44。
噴嘴44係以吐出口朝向基板W之表面Wa之方式，被配置在基板W之上方。噴嘴44係被構成能夠將從泵浦42被送出的處理液L2吐出至基板W之表面Wa。配管45係從上游側依序連接液源41、泵浦42、閥體43及噴嘴44。驅動機構46係被構成根據來自控制器Ctr之動作訊號而動作，使噴嘴44在水平方向及上下方向移動。
即使驅動機構46係例如從上方觀看沿著在保持部23被保持略水平的基板W之徑向而使噴嘴44移動亦可。在此情況，在基板W之徑向中，處理液L2之著液位置變化。即是，處理液L2所致的覆膜之周緣部之除去寬度變化。其結果，周緣部被除去之後的覆膜之邊緣位置變化。
[檢查單元] 接著，參照圖4及圖5，針對檢查單元U13、U23、U33(攝像部)進一步予以詳細說明。因該些構成相同，故以下將該些總稱為「檢查單元U3」。檢查單元U3包含框體50、旋轉保持副單元60、表面攝像副單元70和周緣攝像副單元80。該些副單元被配置在框體50內。在框體50之中的一端壁，形成用以將基板W搬入至框體50之內部，再者，將基板W搬出至框體50之外部的搬入搬出口51。
旋轉保持副單元60包含保持台61、驅動機構62、63和導軌64。保持台61係藉由例如吸附等而將基板W保持略水平的吸附夾具。
驅動機構62係例如電動馬達，使保持台61旋轉驅動。即是，驅動機構62係使被保持於保持台61之基板W旋轉。即使驅動機構62包含用以檢測保持台61之旋轉位置(旋轉角度)的編碼器亦可。在此情況，可以進行表面攝像副單元70及周緣攝像副單元80所致的基板W之攝像位置，和基板W之旋轉位置的對應關聯。在基板W包含切口部之情況，可以根據表面攝像副單元70及周緣攝像副單元80而判別到的該缺口部和藉由編碼器而被檢測到的旋轉位置，特定基板W之姿勢。
驅動機構63係例如線性致動器，使保持台61沿著導軌64移動。即是，驅動機構63係在導軌64之一端和另一端側之間搬運被保持於保持台61的基板W。因此，被保持於保持台61之基板W能夠在搬入搬出口51附近的第1位置，和在周緣攝像副單元80附近之第2位置之間移動。導軌64係在框體50內線狀地(例如，直線狀)延伸。
表面攝像副單元70包含攝影機71和照明模組72。攝影機71包含透鏡，一個攝像元件(例如，CCD影像感測器、CMOS影像感測器等)。攝影機71係在水平方向與照明模組72相向。即是，攝影機71及照明模組72係沿著水平方向排列。即使攝影機71及照明模組72沿著導軌64之延伸方向而排列亦可。
照明模組72包含半鏡73和光源74。半鏡73係在相對於水平方向略傾斜45°的狀態下配置在框體50內。半鏡73位於導軌64之中間部分之上方。半鏡73呈矩形狀，從上方觀看，以與導軌64之延伸方向交叉之方式延伸。半鏡73之長度被設定為大於基板W之直徑。
光源74位於半鏡73之上方。從光源74被射出的光全體性地通過半鏡73而朝下方(導軌64側)被照射。通過半鏡73之光在位於半鏡73之下方的物體反射之後，再次在半鏡73反射，而通過攝影機71之透鏡，射入至攝影機71之攝像元件。即是，攝影機71係可以經由半鏡73而攝像存在於光源74之照射區域的物體。例如，在保持基板W之保持台61藉由驅動機構63而沿著導軌64移動之時，攝影機71可以攝像通過光源74之照射區域的基板W之表面Wa。藉由攝影機71被攝像的攝像畫像資料被發送至控制器Ctr。
周緣攝像副單元80包含攝影機81、照明模組82和鏡構件83。攝影機81包含透鏡、一個攝像元件(例如，CCD影像感測器、CMOS影像感測器等)。攝影機81係在水平方向與照明模組82相向。即是，攝影機81及照明模組82係沿著水平方向排列。
照明模組82係被配置在被保持於保持台61之基板W之上方。照明模組82包含光源84和半鏡85。半鏡85係如圖5所示般，在相對於水平方向傾斜略45°之狀態下被配置。鏡構件83係如圖4及圖5所示般，被配置在照明模組82之下方。鏡構件83包含藉由鋁區塊而構成的本體，和反射面。
鏡構件83之反射面係在被保持於保持台61之基板W位於第2位置之情況，與保持於保持台61之基板W之端面Wb和背面側之周緣部Wc相向。鏡構件83之反射面係對保持台61之旋轉軸傾斜。在鏡構件83之反射面施予鏡面加工。例如，即使在反射面，貼附鏡薄片亦可，即使施予鍍鋁亦可，即使蒸鍍鋁材料亦可。該反射面係朝向被保持於保持台61之基板W之徑向外方凹陷的彎曲面。
在照明模組82中，從光源84被射出的光全體性地通過半鏡85而朝下方被照射。通過半鏡85之光的一部分在基板W之表面Wa側之周緣部Wc反射。該反射光係不朝向鏡構件83之反射面，在半鏡85進一步反射之後，射入至攝影機81之攝影元件。
另一方面，通過半鏡85之光之其他的一部分在位於半鏡85之下方的鏡構件83之反射面反射。在被保持於保持台61之基板W位於第2位置之情況，在鏡構件83之反射面反射的反射光，主要在基板W之端面Wb反射。該反射光係在鏡構件83之反射面及半鏡85依序反射，而射入至攝影機81之攝像元件。
如此一來，來自基板W之周緣部Wd之反射光和來自基板W之端面Wb之反射光，經由彼此不同的光路徑而射入至攝影機81之攝像元件。即是，在被保持於保持台61之基板W位於第2位置之情況，攝影機81係被構成攝像基板W之表面Wa之周緣部Wc和基板W之端面Wb之雙方，生成表面Wa之周緣部Wc之攝像畫像和端面Wb之攝像畫像。藉由攝影機81被攝像到的攝像畫像資料被發送至控制器Ctr。
[周邊曝光單元] 接著，參照圖6~圖8，針對周緣曝光單元U24更詳細地予以說明。周緣曝光單元U24係如圖6所示般，包含框體90、旋轉保持副單元100(保持部)、曝光副單元110(周緣曝光部)和偏心檢測副單元120(檢測部)。該些副單元被配置在框體90內。在框體90之中的一端壁，形成用以將基板W搬入至框體90之內部，再者，將基板W搬出至框體90之外部的搬入搬出口91。
旋轉保持副單元100係如圖6~圖8所示般，包含保持台101、驅動機構102、103和導軌104。保持台101係藉由例如吸附等而將基板W保持略水平的吸附夾具。
驅動機構102係例如電動馬達，使保持台101旋轉驅動。即是，驅動機構102係使被保持於保持台101之基板W旋轉。即使驅動機構102包含用以檢測保持台101之旋轉位置的編碼器亦可。在此情況，可以進行曝光副單元110所致的基板W之曝光位置及偏心檢測副單元120所致的基板W之檢測位置，和基板W之旋轉位置的對應關聯。
驅動機構103係例如線性致動器，使保持台101沿著導軌104移動。即是，驅動機構103係在導軌104之一端和另一端側之間搬運被保持於保持台101的基板W。因此，被保持於保持台101之基板W能夠在搬入搬出口91附近的第1位置，和曝光副單元110附近之第2位置之間移動。導軌104係在框體90內線狀地(例如，直線狀)延伸。
曝光副單元110係如圖6及圖7所示般，位於旋轉保持副單元100之上方。曝光副單元110係如圖7所示般，包含光源111、光學系統112、遮罩113和驅動機構114。光源111係朝向下方(保持台701側)照射包含能夠曝光光阻膜R2之波長成分的能量線。即使光源111為例如超高壓UV燈、高壓UV燈、低壓UV燈、準分子燈等亦可。
光學系統112位於光源111之下方。光學系統112係藉由至少一個透鏡而構成。光學系統112係將來自光源111之光轉換成略平行光，而照射至遮罩113。遮罩113位於光學系統112之下方。在遮罩113形成用以調節曝光面積的開口113a。來自光學系統112之平行光係通過開口113a，被照射至被保持在保持台101之基板W之表面Wa之中的周緣部Wc。另外，當對周緣部分被曝光之光阻膜R2，在液處理單元U31被供給顯像液時，該周緣部分被除去。
驅動機構114被連接於遮罩113。驅動機構114係被構成根據來自控制器Ctr之動作訊號進行動作，使遮罩113在水平方向(例如從上方觀看在基板W之徑向)移動。遮罩113藉由驅動機構114水平移動，依此相對於基板W之周緣部Wc之曝光寬度變化。
偏心檢測副單元120係如圖8所示般，包含投光器121、光學系統122和受光器123。即使偏心檢測副單元120係在被保持在保持台101之基板W位於曝光副單元110附近之第2位置的狀態，被配置在基板W之周緣部Wc之附近亦可。例如，以被保持於保持台101之基板W之周緣部Wc位於投光器121及光學系統122，和受光器123之間之方式，在上下方向依序排列投光器121、光學系統122、基板W之周緣部Wc及受光器123。
投光器121係被構成朝向光學系統122及受光器123射出光。光學系統122係藉由至少一個透鏡而構成。光學系統122係將來自投光器121之光轉換成略平行光，而照射至受光器123。受光器123係例如CCD影像感測器，被構成將受光狀況輸出至控制器Ctr。因當基板W之周緣部Wc位於投光器121及光學系統122和受光器123之間時，來自投光器121之光被遮光，故控制器Ctr可以根據遮光之位置，檢測基板W之周緣位置。另外，即使從偏心檢測副單元120中之受光器123至基板W之光路徑長(攝影距離)，被設定成較從表面攝像副單元70中之攝影機71至基板W之光路徑長度(攝影距離)短亦可。
即使偏心檢測副單元120係例如在圓周方向使角度從基準位置(例如缺口部之位置)每次變化1°的360個之測量位置中，分別檢測基板W之周緣位置亦可。在基板W相對於保持台101被偏心載置之情況，當基板W藉由旋轉保持副單元100 1旋轉之時，基板W之周緣位置變動。因此，控制器Ctr係可以根據基板W之周緣位置之變動，算出基板W相對於保持台101之偏心量。
[控制器之機能] 控制器Ctr係如圖9所示般，包含讀取部M1、記憶部M2、第1算出部M3、第2算出部M4、第3算出部M5作為機能模組。控制器Ctr係如圖9所示般，包含寬度算出部M6、設定部M7、動作控制部M8、偏心量算出部M9、第1調節部M10、第2調節部M11作為機能模組。該些機能模組只不過係為了方便將控制器Ctr之機能區隔複數模組而已，不一定意味著構成控制器Ctr之硬體被分成如此的模組。各機能模組並不限定於藉由程式之實行而被實現者，即使為藉由專用之電路(例如邏輯電路)或將此予以積體之積體電路(ASIC：Application Specific Integrated Circuit)而實現者亦可。
讀取部M1係被構成從電腦可讀取之記錄媒體RM讀取程式。記錄媒體RM係記錄用以使基板處理系統1內之各部動作的程式。作為記錄媒體RM，即使為例如半導體記憶體、光記錄碟片、磁性記錄碟片、光磁性記錄碟片亦可。
記憶部M2係被構成記憶各種資料。記憶部M2係記憶在例如讀取部M1從記錄媒體RM讀出的程式、覆膜R之周緣部分之時的各種資料等。記憶部M2係例如經由操作部7而從操作者被輸入的輸入資訊、從檢查單元U3被取得的各種的攝像畫像之資料、在偏心檢測副單元120中被檢測出的基板W之周緣位置之資料等。在從檢查單元U3所取得的各種攝像畫像包含基準基板W0之攝像畫像及處理基板W1之攝像畫像。
第1算出部M3係被構成算出基準基板W0之邏輯上之周緣位置Er1(參照圖10(a)所示的虛線。以下有簡稱為「周緣位置Er1」之情形。)。在此，「邏輯上之周緣位置」係與基板W之現實的周緣位置不同，係指基於基板W之半徑之設計尺寸d1的邏輯上之周緣的位置。即使基板W之半徑之設計尺寸d1為例如150mm亦可。基板W之現實的周緣位置有由於例如基板W本身之個體差，或基板W之周緣部Wc之加工時產生的誤差等，與設計尺寸d1不同之情況。因此，會在一基板W之現實的周緣位置，和其他基板W之現實之周緣位置產生偏差。對此，邏輯上之周緣位置為不受到如此之偏差之影響的假設性位置。
第1算出部M3係被構成以基準基板W0之中心為基準算出在基準基板W0之攝像畫像中之周緣位置Er1。周緣位置Er1係以例如來自畫像資料之原點O的畫素(像素)之座標表示。即使在基準基板W0之表面，形成參照標記RP(例如，圖案、刻度、記號等)(參照圖10(a))，作為用以識別來自基準基板W0之中心的距離的要素亦可。從基準基板W0之中心至參照標記RP之距離d2[mm]係事先被測量，為已知。
作為一例，即使第1算出部M3係被構成實行算出基準基板W0之攝像畫像中之參照標記RP之位置T1(畫素之作標)(參照圖10(b))的第1處理亦可。即使第1算出部M3係被構成實行算出基板W之半徑之設計尺寸d1，和參照標記RP之實際位置(距離d2)之差，作為在基準基板W0之攝像畫像中之大小T2(參照圖10(b))的第2處理亦可。第1算出部M3係被構成實行根據位置T1及大小T2，算出在基準基板W0之攝像畫像中之周緣位置Er1的第3處理亦可。第1算出部M3係將周緣位置Er1之算出結果輸出至第2算出部M4。
第2算出部M4係被構成根據周緣位置Er1、處理基板W1之攝像畫像，算出處理基板W1之邏輯上之周緣位置Er2(參照圖11所示的虛線，以下有簡稱為周緣位置Er2」之情形)。第2算出部M4係被構成算出在處理基板W1之攝像畫像中之周緣位置Er2。
作為一例，即使第2算出部M4被構成實行根據處理基板W1之攝像畫像，算出處理基板W1之現實的周緣位置Ew(以下參照圖11。有簡稱為「周緣位置Ew」之情形)的第4處理亦可。即使第2算出部M4係被構成實行根據周緣位置Ew，算出處理基板W1之偏心狀態的第5處理亦可。在第5處理中，即使算出處理基板W1之偏心量A及偏心角α作為該偏心狀態亦可。即使第2算出部M4係被構成實行考慮處理基板W1之偏心狀態，算出周緣位置Er2的第6處理亦可。周緣位置Er2、Ew以例如來自畫像資料之原點O的畫素(像素)之座標表示。第2算出部M4係將周緣位置Ew之算出結果輸出至寬度算出部M6。第2算出部M4係將偏心量A輸出至第1調節部M10。
第3算出部M5係被構成根據處理基板W1之攝像畫像，算出被形成在處理基板W1之表面Wa的覆膜(下層膜R1、光阻膜R2等)之邊緣位置Wf(參照圖11。以下有簡稱為「邊緣位置Wf」之情形。)。第3算出部M5係被構成算出在處理基板W1之攝像畫像中之邊緣位置Wf。
作為一例，即使第3算出部M5係被構成利用處理基板W1之攝像畫像之明暗差(對比度)，算出該攝像畫像上之邊緣位置Wf亦可。即使第3算出部M5在沿著基板W之圓周方向排列的複數測量位置，分別算出邊緣位置Wf亦可。例如，即使第3算出部M5係在圓周方向使角度離基準位置(例如，缺口部之位置)每次變化1°的360個的測量位置中，分別算出邊緣位置Wf亦可。即使第3算出部M5係使用被記憶於記憶部M2之檢查配方，根據處理基板W1之攝像畫像而算出邊緣位置Wf亦可。第3算出部M5係將邊緣位置Wf之算出結果輸出至寬度算出部M6。
寬度算出部M6係被構成根據周緣位置Er2和邊緣位置Wf之差量，算出處理基板W1之邏輯上之周緣和覆膜R之邊緣的寬度T3(差值)。寬度算出部M6係被構成因應在攝像畫像中之周緣位置Er2和邊緣位置Wf之間隔(像素數)，算出寬度T3亦可。即使寬度算出部M6係藉由寬度T3乘上每1像素的大小μ[mm/像素]，算出覆膜R之周緣部分的除去寬度Wcut[mm]亦可。寬度算出部M6係將被算出的除去寬度Wcut輸出至設定部M7。
另外，下層膜R1或光阻膜R2之周緣部分在液處理單元U11、U21被除去之情況，藉由寬度算出部M6被算出的除去寬度Wcut為下層膜R1或光阻膜R2藉由處理液L2被除去的大小。光阻膜R2之周緣部分在周緣曝光單元U24及液處理單元U31被除去之情況，藉由寬度算出部M6被算出的除去寬度Wcut之光阻膜R2之周緣部分係藉由周緣曝光及顯像被除去的大小。
設定部M7係被構成根據周緣位置Er2設定基板W之周緣部Wc之處理參數。即使處理參數包含例如在基板W之徑向中之噴嘴44之水平位置、從噴嘴44之基板W起算的高度位置等亦可。即使處理參數包含例如噴嘴44對基板W的角度、從噴嘴44被供給的處理液L2之吐出流量(供給量)、基板W之徑向中之遮罩113之水平位置等亦可。即使設定部M7係將設定的處理參數輸出至動作控制部M8亦可。即使設定部M7在設定新的處理參數之情況，覆寫之前的處理參數而使新的處理參數記憶於記憶部M2亦可。
作為一例，即使設定部M7係被構成根據從寬度算出部M6被輸出的除去寬度Wcut，設定處理參數亦可。作為一例，即使設定部M7係被構成藉由除去寬度Wcut，和被記憶於記憶部M2之特定目標值(例如，除去寬度之目標值)的比較，設定處理參數亦可。例如，即使設定部M7係以在下一個被處理的基板W中除去寬度Wcut和目標值之差變小之方式，設定各種處理參數亦可。
即使在除去寬度Wcut高於目標值之情況(除去寬度Wcut大於目標值之情況)，在後續的基板W之處理之時，例如在徑向外方設定噴嘴44之水平位置亦可，將噴嘴44之高度位置設定為較高亦可。即使在除去寬度Wcut高於目標值之情況，在後續的基板W之處理之時，例如以噴嘴44之前端朝向徑向外方之方式，縮小噴嘴44之角度來設定亦可，將來自噴嘴44之處理液L2之吐出流量設定為較小亦可。即使在除去寬度Wcut高於目標值之情況，於後續的基板W之處理之時，例如將遮罩113之水平位置設定在徑向外方亦可。
即使在除去寬度Wcut低於目標值之情況(除去寬度Wcut小於目標值之情況)，在後續的基板W之處理之時，例如在徑向內方設定噴嘴44之水平位置亦可，將噴嘴44之高度位置設定為較低亦可。即使在除去寬度Wcut低於目標值之情況，在後續的基板W之處理之時，例如以噴嘴44之角度相對於基板W之表面Wa接近於90°之方式設定該角度亦可，將來自噴嘴44之處理液L2之吐出流量設定為較大亦可。即使在除去寬度Wcut低於目標值之情況，於後續的基板W之處理之時，例如將遮罩113之水平位置設定在徑向內方亦可。
然而，如圖12(a)例示般，基板W之規格上，有基板W之周緣附近被倒角之情況。因此，當處理液L2被供給至該倒角部Wcf時，處理液L2容易從基板W之表面Wa被排出，有處理液L2所致的覆膜R之周緣部分之處理不被促進之虞。另外，倒角部Wcf之水平方向中之大小因應基板W會有不同。
圖12(b)係在倒角部Wcf之水平方向中之大小為0.3mm程度之情況，表示處理液L2所致的覆膜R之周緣部分之處理寬度之指定值Tg(目標值)，和覆膜R之周緣部分之實際的處理寬度之對應關係的曲線圖。另外，在此所稱的處理寬度係指從基板W之邏輯上之周緣位置起算的寬度。若藉由圖12(b)時，分別使指定值Tg變化成0.7mm、0.8mm、0.9mm、1.0mm、1.5mm而以處理液L2處理覆膜R之周緣部分的結果，實際之處理寬度為約0.67mm、約0.8mm、約0.91mm、約1.0mm、約1.50mm。即是，在指定值Tg為0.8mm以上之情況，雖然實際的處理寬也為與指定值Tg幾乎相同的值，但是在指定值Tg未達0.8mm之情況，實際的處理寬度小於指定值Tg。換言之，在指定值Tg未達0.8mm之情況，在指定值Tg和實際的處理寬度之間產生大的乖離。
在此，即使設定部M7係被構成在指定值Tg小於特定的臨界值Th1(例如，0.8mm)之情況，因應上述乖離量而補正來自噴嘴44之處理液L2之供給條件亦可。即使指定值Tg及臨界值Th1(第2臨界值)被記憶於記憶部M2亦可，即使例如為透過操作部7等而藉由操作員被輸入的值亦可。另外，即使藉由以複數指定值Tg(包含臨界值Th1以上之值及未達臨界值Th1之值)，處理覆膜R之周緣部分，事先算出乖離量，將所取得的乖離量記憶於記憶部M2亦可。
例如，即使設定部M7係在指定值Tg小於臨界值Th1之情況，以處理液L2朝基板W的著液位置成為基板W之中心側之方式，因應乖離量而補正噴嘴44之水平位置，設定補正後之噴嘴44之水平位置作為新的處理參數亦可。即使設定部M7係在指定值Tg小於臨界值Th1之情況，以噴嘴44接近於基板W之方式，因應乖離量補正噴嘴44之高度位置，設定補正後之噴嘴44之高度位置作為新的處理參數亦可。即使設定部M7係在指定值Tg小於臨界值Th1之情況，以處理液L2對基板W的供給角度接近於90°之方式，補正噴嘴44之角度，設定補正後的噴嘴44之角度作為新的處理參數亦可。即使設定部M7係以來自噴嘴44之處理液L2之吐出流量變大之方式，補正處理液L2之供給量(控制泵浦42之動作)，設定補正後之處理液L2之供給量作為新的處理參數亦可。
另外，有即使指定值Tg為臨界值Th1以上，指定值Tg和實際的處理寬度也不完全一致之情況。因此，即使設定部M7分別算出指定值Tg為臨界值Th1以上之情況的指定值Tg和實際之處理寬度的背離量Δd1，和指定值Tg未達臨界值Th1之情況的指定值Tg和實際之處理寬度的背離量Δd2亦可。即使設定部M7係藉由背離量Δd1及背離量Δd2之差量，算出倒角部Wcf之存在所致的實質的背離量ΔD亦可。即使設定部M7係根據實質的背離量ΔD補正來自噴嘴44之處理液L2的供給條件亦可。
動作控制部M8係被構成基於從設定部M7被輸出的處理參數，或被記憶於記憶部M2之各種處理參數(例如，針對基板處理用的配方)等，生成用以處理基板W的控制訊號。動作控制部M8係被構成對包含液處理單元U1、曝光副單元110之基板處理系統1之各部發送該控制訊號，控制該些動作。即使動作控制部M8係被構成在設定部M7中被判斷為除去寬度Wcut高於目標值之情況(被判斷為除去寬度Wcut大於目標值之情況)，生成用以對判斷對象之基板W進行廢棄或再處理的控制訊號亦可。
即使偏心量算出部M9係被構成從記憶部M2讀出在偏心檢測副單元120中被檢測到的基板W之周緣位置之資料，根據該周緣位置，算出被保持於保持台101之基板W之偏心狀態亦可。即使偏心量算出部M9係例如算出基板W之偏心量B及偏心角β，作為該偏心狀態亦可。即使偏心量B及偏心角β之算出方法與偏心量A及偏心角α之算出方法相同亦可。
第1調節部M10係被構成因應基板W之偏心狀態，調整基板W對保持部23或保持台101之載置位置。即使第1調節部M10係例如算出抵消從第2算出部M4被輸出的偏心量A之基板W的載置位置亦可。即使第1調節部M10係被構成例如生成用以在該載置位置將基板W從搬運臂A11、A12收授至保持部23或保持台101之控制訊號，將該訊號輸出至該些亦可。
即使在以液處理單元U11除去覆膜R之周緣部分的一基板W在檢查單元U13被檢查之情況，根據在檢查單元U13被取得的一基板W之攝像畫像，第2算出部M4算出偏心量A亦可。即使第1調節部M10生成用以一面抵消該偏心量A，一面將之後在液處理單元U11被處理的基板W(該一基板W或另外的基板W)從搬運臂A11收授至液處理單元U11之保持部23的控制訊號亦可。即使第1調節部M10係將該訊號輸出至搬運臂A11亦可。
即使在以液處理單元U21除去覆膜R之周緣部分的一基板W在檢查單元U23被檢查之情況，根據在檢查單元U23被取得的一基板W之攝像畫像，第2算出部M4算出偏心量A亦可。即使第1調節部M10生成用以一面抵消該偏心量A，一面將之後在液處理單元U21被處理的基板W(該一基板W或另外的基板W)從搬運臂A12收授至液處理單元U21之保持部23的控制訊號亦可。即使第1調節部M10係將該訊號輸出至搬運臂A12亦可。
即使在以液處理單元U24曝光覆膜R之周緣部分，以液處理單元U21除去覆膜R之周緣部分的一基板W，在檢查單元U23被攝像之情況，根據一基板W之該攝像畫像，第2算出部M4算出偏心量A亦可。即使第1調節部M10生成用以一面抵消該偏心量A，一面將之後在周緣曝光單元U24被處理的基板W(該一基板W或另外的基板W)從搬運臂A12收授至保持台101的控制訊號亦可。即使第1調節部M10係將該訊號輸出至搬運臂A12亦可。
作為其他例，即使第1調節部M10係算出抵消從邊偏心量算出部M9被輸出的偏心量B之基板W的載置位置亦可。具體而言，在偏心檢測副單元120檢測到基板W之周緣位置之情況，偏心量算出部M9算出該基板W之偏心量B亦可。即使第1調節部M10生成用以一面抵消該偏心量B，一面將之後在周緣曝光單元U24被處理的基板W(該一基板W或另外的基板W)從搬運臂A12收授至保持台101的控制訊號亦可。即使第1調節部M10係將該訊號輸出至搬運臂A12亦可。
然而，在基板W之偏心量B小於特定臨界值Th2(例如，0.5mm)之情況，可以藉由偏心檢測副單元120極高精度地檢測基板W之周緣位置。在此，在基板W之偏心量B小於臨界值Th2(第1臨界值)之情況，係如圖8例示般，基板W之周緣位於偏心檢測副單元120之光軸(通過光路徑之中心的假想軸)之附近。另一方面，有因光之衍射現象，使得在受光器123中之受光位置偏移，在被檢測的基板W之周緣位置產生誤差之情形。在此，基板W之偏心量為臨界值Th2以上之情況，基板W之周緣離偏心檢測副單元120之光軸朝外側偏移很大(參照圖13(a))，或離該光軸朝內側偏移很大之情況(參照圖13(b))。
在此，即使第1調節部M10被構成判斷基板W之偏心量B是否為臨界值Th2以上亦可。即使第1調節部M10係被構成在基板W之偏心量B為臨界值Th2以上之情況，因應偏心量B，調節基板W對保持台101之載置位置亦可。具體而言，即使在偏心檢測副單元120檢測到基板W之周緣位置之情況，偏心量算出部M9算出該基板W之偏心量B亦可。即使第1調節部M10係在判斷為偏心量B為臨界值Th2以上之情況，生成用以一面抵銷該偏心量B，一面將之後在周緣曝光單元U24被處理的基板W從搬運臂A12收授至保持台101的控制訊號亦可。即使第1調節部M10係將該訊號輸出至搬運臂A12亦可。
即使第2調節部M11係被構成因應基板W之偏心狀態，調節曝光副單元110對被載置於保持台101之基板W上之覆膜R之周緣部分所致的曝光位置亦可。即使第2調節部M11係生成例如以抵銷從偏心量算出部M9被輸出的偏心量B之方式，使保持台101沿著導軌104移動的控制訊號亦可。即使第2調節部M11係將該訊號輸出至驅動機構103亦可。依此，因應偏心量B，保持台101沿著導軌104在前後移動。因此，相對於覆膜R之周緣部分的曝光位置被調節，相對於覆膜R之周緣部分的曝光寬度成為一定。
[控制器之硬體] 控制器Ctr之硬體即使藉由例如一個或複數控制用之電腦構成亦可。控制器Ctr係如圖14所示般，包含電路C1作為硬體上之構成。即使電路C1係由電路要素(circuitry)構成亦可。即使電路C1包含處理器C2、記憶體C3、儲存器C4、驅動器C5和輸入輸出埠C6亦可。
處理器C2與記憶體C3及儲存器C4之至少一方協同作用而實行程式，實行經由輸入輸出埠C6之訊號的輸入輸出，依此構成上述各機能模組。記憶體C3及儲存器C4係作為記憶部M2而發揮機能。驅動器C5係分別驅動塗佈顯像裝置2之各種裝置的電路。輸入輸出埠C6係在驅動器C5和塗佈顯像裝置2之各種裝置(例如，液處理單元U1、檢查單元U3、周緣曝光單元U24、操作部7、搬運臂A11、A12等)之間，進行訊號的輸入輸出。
即使基板處理系統1具備一個控制器Ctr亦可，即使具備由複數之控制器Ctr構成之控制群(控制部)亦可。於基板處理系統1具備控制器群之情況，即使上述機能模組分別藉由一個控制器Ctr實現亦可，即使藉由2個以上之控制器Ctr之組合實現亦可。在控制器Ctr由複數電腦(電路C1)構成之情況下，上述機能模組分別藉由一個電腦(電路C1)實現亦可，即使藉由複數電腦(電路C1)之組合實現亦可。即使控制器Ctr具有複數處理器C2亦可。在此情況下，即使上述機能模組分別藉由一個處理器C2實現亦可，即使藉由兩個以上之處理器C2之組合實現亦可。
即使將基板處理系統1之控制器Ctr之機能之一部分設置在與基板處理系統1不同的裝置，並且經由網路與基板處理系統1連接，實現在本實施型態中之各種動作亦可。例如，若整合複數基板處理系統1之處理器C2、記憶體C3、儲存器C4之機能能夠由1個或複數另外裝置共同實現時，也能夠在遠端統一性地管理及控制複數基板處理系統1之資訊或動作。
[基板處理方法] 接著，參照圖15~圖17，針對包含處理被形成在基板W之表面Wa之覆膜R之周緣部分的方法(周緣處理方法)之基板處理方法予以說明。在以下中，作為基板處理方法之一例，說明使用基準基板W0之準備處理，和在處理基板W1中之下層膜R1之周緣處理，和在處理基板W1中之光阻膜R2之周緣處理。
[使用基準基板的準備處理] 參照圖10及圖15，針對使用基準基板W0的準備處理之一例予以說明。即使準備處理在覆膜R之周緣處理之前被實行亦可，即使與覆膜R之周緣處理並行實行亦可，即使在覆膜R之周緣處理之後被實行亦可。
首先，將基準基板W0搬運至檢查單元U3，如圖10(b)所示般，取得基準基板W0之周緣部Wc之攝像畫像(參照圖15之步驟S11)。該攝像畫像被記憶於記憶部M2。
接著，第1算出部M3係對被記憶於記憶部M2的該攝像畫像進行畫像處理，算出在該攝像畫像中之參照標記RP之位置T1[像素](參照圖15之步驟S12)。接著，第1算出部M3係算出屬於已知的值之基板W之半徑的設計尺寸d1，和屬於已知的值之參照標記RP之實際位置(距離d2)之差，作為在基準基板W0之攝像畫像中之大小T2(參照圖15之步驟S13)。例如，在攝像畫像中之每1像素的大小為μ[mm/像素]之情況，以下式1算出大小T2[像素]。另外，每1像素之大小係藉由在檢查單元U3中之光學系統零件之設定值、配置等設定的已知的值。
Figure 02_image001
接著，第1算出部M3係被構成根據位置T1及大小T2，算出在基準基板W0之攝像畫像中之周緣位置Er1[像素](參照圖15之步驟S14)。例如，周緣位置Er1係由下式2算出。依此，完成準備處理。周緣位置Er1係從第1算出部M3被輸出至第2算出部M4。另外，周緣位置Er1在圓周方向中之所有的測量位置(角度θ)為相同的值。
Figure 02_image003
[在處理基板中之下層膜之周緣處理] 參照圖11及圖16，針對在處理基板W1中之下層膜R1之周緣處理之一例予以說明。
首先，設定部M7係從記憶部M2讀出藉由操作員從操作部7被輸入的下層膜R1之處理寬度之指定值Tg及臨界值Th1，判斷指定值Tg是否小於臨界值Th1(參照圖16之步驟S21)。設定部M7係在判斷為指定值Tg小於臨界值Th1之情況(在圖16之步驟S21中為YES)之情況，因應背離值補正來自噴嘴44之處理液L2之供給條件，設定為新的處理參數(參照圖16之步驟S22)。之後，前進至後續的步驟S23。另一方面，設定部M7在判斷為指定值Tg小於臨界值Th1之情況(在圖16之步驟S21為NO)，不補正處理液L2之供給條件而前進至後續的步驟S23。
接著，在處理基板W1之表面Wa形成下層膜R1(參照圖16之步驟S23)。首先，第1調節部M10係控制搬運臂A11，而藉由搬運臂A11將處理基板W1搬運至液處理單元U11，使處理基板W1載置於保持部23。接著，根據處理參數，動作控制部M8控制液處理單元U11，而在處理基板W1之上方配置噴嘴34，從噴嘴34對處理基板W1之表面Wa吐出處理液L1。依此，無固化之狀態的下層膜R1被形成在處理基板W1之表面Wa。
接著，除去無固化之狀態的下層膜R1之周緣部分(參照圖16之步驟S24)。首先，動作控制部M8控制液處理單元U11，以特定旋轉數以處理基板W1旋轉。在該狀態，動作控制部M8控制液處理單元U11，使用補正後之處理參數或不經由補正而被記憶於記憶部M2之處理參數(處理液L2之供給條件)，從噴嘴44對下層膜R1之周緣部分供給處理液L2。即是，在依照處理參數設定噴嘴44之水平位置、噴嘴44之高度位置、噴嘴44之角度、來自噴嘴44之處理液L2之吐出流量等的狀態，從噴嘴44對下層膜R1之周緣部分供給處理液L2(有機溶劑)。依此，下層膜R1之周緣部分藉由處理液L2被除去。之後，處理基板W1係藉由搬運臂A11而被搬運至熱處理單元U12。藉由在熱處理單元U12中加熱處理基板W1，下層膜R1被固化。
接著，攝像固化之狀態的下層膜R1之周緣部分(參照圖16之步驟S25)。首先，控制器Ctr控制搬運臂A11而藉由搬運臂A11將處理基板W1搬運至檢查單元U13。接著，控制器Ctr控制檢查單元U13，取得圖11所示般的處理基板W1之周緣部Wc之攝像畫像。該攝像畫像被記憶於記憶部M2。
接著，第2算出部M4係根據周緣位置Er1、處理基板W1之攝像畫像，算出處理基板W1之邏輯上之周緣位置Er2(參照圖16之步驟S26)。首先，第2算出部M4係根據處理基板W1之周緣部Wc之攝像畫像，算出處理基板W1之現實的周緣位置Ew。即使第2算出部M4係例如針對處理基板W1之圓周方向中之複數測量位置(例如，每次1°的360點)之縱向之像素群之各者，算出在縱向相鄰的像素彼此之對比度，依此特定周緣位置Ew(θ)作為角度θ的函數亦可。即使第2算出部M4係在縱向之像素群中，檢測出對比度成為特定值以上的座標，特定該座標作為周緣位置Ew亦可。
接著，第2算出部M4係根據周緣位置Ew，算出處理基板W1之偏心狀態。第2算出部M4係算出處理基板W1之偏心量A及偏心角α作為該偏心狀態。偏心量A及偏心角α之算出方法可以利用眾知的方法，針對其一例以下予以說明。例如，針對0°、90°、180°及270°之4處，以下式3~式6分別算出周緣位置Er1和周緣位置Ew(θ)之差L0、L90、L180、L270。
Figure 02_image005
使用L0、L90、L180、L270，以下式7、8分別定義偏心參數t、u之情況，偏心量A及偏心角α可以由下式9、10算出。
Figure 02_image007
Figure 02_image009
Figure 02_image011
另外，即使第2算出部M4進一步考慮包含從0°偏移特定角度的位置，彼此以90°間隔間隔開的4處之測量位置的差量，而算出偏心量A及偏心角α亦可。
接著，第2算出部M4係考慮處理基板W1之偏心狀態，算出周緣位置Er2。例如，可以使用偏心量A及偏心角α，以下式11算出周緣位置Er2(θ)作為角度θ的函數。
Figure 02_image013
接著，第3算出部M5係根據處理基板W1之攝像畫像，算出被形成在處理基板W1之表面Wa的下層膜R1之邊緣位置Wf(參照圖16之步驟S27)。即使第3算出部M5係例如針對處理基板W1之圓周方向中之複數測量位置(例如，每次1°的360點)之縱向之像素群之各者，算出在縱向相鄰的像素彼此之對比度，依此特定邊緣位置Wf(θ)作為角度θ的函數亦可。即使第3算出部M5係例如在縱向之像素群中，檢測出對比度成為特定值以上的座標，特定該座標作為邊緣位置Wf亦可。
接著，寬度算出部M6係根據周緣位置Er2(θ)和邊緣位置Wf(θ)之差量，算出寬度T3(θ)作為角度θ的函數。即是，寬度T3(θ)可以由下式12算出。
Figure 02_image015
寬度算出部M6係藉由寬度T3(θ)乘上每1像素的大小μ[mm/像素]，算出下層膜R1之周緣部分的除去寬度Wcut(θ)[mm](參照圖16之步驟S28)。即是，除去寬度Wcut(θ)可以由下式13算出。該除去寬度Wcut(θ)係相當於從處理基板W1(θ)之邏輯上之周緣位置至下層膜R1(θ)之邊緣位置的大小。
Figure 02_image017
接著，設定部M7係根據周緣位置Er2，設定用以處理下層膜R1之周緣部分之新的處理參數(參照圖16之步驟S29)。設定部M7係以例如從寬度算出部M6被輸出的除去寬度Wcut(θ)，和處理基板W1之下層膜R1之周緣部分之除去寬度之目標值之差變小之方式，設定下一個被處理的處理基板W1中之處理參數。另外，即使根據新的處理參數，再次處理相同的處理基板W1亦可，即使處理另外的處理基板W1亦可。
接著，第1調節部M10係因應處理基板W1之偏心狀態，調節基板W對保持部23的載置位置(參照圖16之步驟S30)。即使第1調節部M10係例如以算出抵銷從第2算出部M4被輸出的偏心量A的處理基板W1之載置位置，使下一個被處理的處理基板W1在該載置位置被載置於保持部23之方式，控制搬運臂A11亦可。另外，即使根據該載置位置，相同的處理基板W1重新被載置於保持部23亦可，即使另外的處理基板W1被載置於保持部23亦可。若步驟S29之處理在步驟S26中算出偏心量A之後，即使在任何時候實行亦可。
藉由上述，在處理基板W1形成下層膜R1。再者，算出相對於下一個被處理的處理基板W1的新的處理參數，和相對於下一個被處理的處理基板W1之保持部23的新的載置位置。依此，在下一個被處理的處理基板W1中，下層膜R1之周緣部分更精度佳地被處理。
[在處理基板中之光阻膜之周緣處理] 參照圖11及圖17，針對在處理基板W1中之光阻膜R2之周緣處理之一例予以說明。
首先，在處理基板W1之表面Wa形成光阻膜R2(參照圖17之步驟S31)。例如，第1調節部M10係控制搬運臂A12，而藉由搬運臂A12將處理基板W1搬運至液處理單元U12，使處理基板W1載置於保持部23。接著，根據處理參數，動作控制部M8控制液處理單元U21，而在處理基板W1之上方配置噴嘴34，從噴嘴34對處理基板W1之表面Wa吐出處理液L1。依此，無固化之狀態的光阻膜R2被形成在處理基板W1之表面Wa。另外，即使光阻膜R2被形成在形成有下層膜R1之處理基板W1之表面Wa亦可。即是，圖17之步驟S31之後的處理即使係通過圖16之步驟S21~S29，在處理基板W1之表面Wa形成下層膜R1之後被進行亦可。
接著，控制部Ctr係控制搬運臂A12，而藉由搬運臂A12將處理基板W1搬運至周緣曝光單元U24，使處理基板W1載置於保持台101。接著，控制器Ctr係控制周緣曝光單元U24，一面使處理基板W1旋轉一次，一面藉由偏心檢測副單元120檢測處理基板W1之周緣位置。偏心量算出部M9係根據該周緣位置，算出被保持於保持台101之基板W之偏心狀態(偏心量B及偏心角β)(參照圖17之步驟S32)。即使偏心量B及偏心角β藉由與偏心量A及偏心角α相同的手法而被算出亦可。
接著，第1調節部M10係判斷偏心量B是否為臨界值Th2以上(參照圖17之步驟S33)。第1調節部M10係以在判斷為偏心量B為臨界值Th2以上之情況(圖17之步驟S33中為YES)，算出抵銷偏心量B的處理基板W1之載置位置，使下一個被處理的處理基板W1在該載置位置載置於保持台101之方式，控制搬運臂A12(參照圖17之步驟S34)。另外，即使根據該載置位置，相同的處理基板W1重新被載置於保持部101亦可，即使另外的處理基板W1被載置於保持部101亦可。之後，前進至後續的步驟S35。另一方面，第1調節部M10係在判斷為偏心量B小於臨界值Th2之情況(在圖17之步驟S33中為NO)，不進行基於偏心量B的處理基板W1之載置位置的調節，前進至後續的步驟S35。
接著，曝光及除去無固化之狀態的光阻膜R2之周緣部分(參照圖17之步驟S35)。首先，動作控制部M8控制周緣曝光單元U24，一面使處理基板W1旋轉，一面使用被記憶於記憶部M2之處理參數，曝光光阻膜R2之周緣部分。此時，第2調節部M11係藉由因應偏心量B而沿著導軌104使保持台101在前後移動，以抵銷偏心量B之方式，調節相對於光阻膜R2之周緣部分的曝光位置。接著，處理基板W1藉由搬運臂A12被搬運至液處理單元U21，來自噴嘴44之處理液L2(顯像液)被供給至光阻膜R2。依此，光阻膜R2之中被曝光的周緣部分被除去。之後，處理基板W1係藉由搬運臂A12而被搬運至熱處理單元U22。藉由在熱處理單元U22中加熱處理基板W1，光阻膜R2被固化。
接著，攝像固化之狀態的光阻膜R2之周緣部分(參照圖17之步驟S36)。即使步驟S36之處理與步驟S25相同地被進行亦可。
接著，第2算出部M4係根據周緣位置Er1、處理基板W1之攝像畫像，算出處理基板W1之邏輯上之周緣位置Er2(參照圖17之步驟S37)。即使步驟S37之處理與步驟S26相同地被進行亦可。
接著，第3算出部M5係根據處理基板W1之攝像畫像，算出被形成在處理基板W1之表面Wa的光阻膜R2之邊緣位置Wf(參照圖17之步驟S38)。即使步驟S38之處理與步驟S27相同地被進行亦可。
接著，寬度算出部M6係算出光阻膜R2之周緣部分之除去寬度Wcut(θ)[mm](參照圖17之步驟S39)。即使步驟S39之處理與步驟S28相同地被進行亦可。
接著，設定部M7係根據周緣位置Er2，設定用以處理光阻膜R2之周緣部分之新的處理參數(參照圖17之步驟S40)。即使步驟S40之處理與步驟S39相同地被進行亦可。另外，即使根據新的處理參數，再次處理相同的處理基板W1亦可，即使處理另外的處理基板W1亦可。
藉由上述，在處理基板W1形成光阻膜R2。再者，算出相對於下一個被處理的處理基板W1的新的處理參數，和相對於下一個被處理的處理基板W1之保持台101的新的載置位置。依此，在下一個被處理的處理基板W1中，光阻膜R2之周緣部分更精度佳地被處理。
[作用] 然而，因在基板W之尺寸會存在製造上的誤差，故在基板W間，基板W之尺寸(直徑)存在偏差。例如，有基板W之現實的周緣位置Ew小於基板W之邏輯上之周緣位置Er2的情況(參照圖18(a)及圖18(d))，或在周緣位置Ew與周緣位置Er2略一致之情況(參照圖18(b)及圖18(e))，或周緣位置Ew大於周緣位置Er2之情況(參照圖18(c)及圖18(f))。
在此情況，以從基板W之周緣起的距離成為一定之方式，以基板W之周緣位置為基準，覆膜R之周緣部分被處理時，覆膜R之面積在每基板W會產生偏差。例如，如圖18(a)~(c)所示般，當以基板W之周緣為基準，覆膜R之周緣部分僅寬度a被除去時，相對於圖18(b)之覆膜R，圖18(a)之覆膜R之面積縮小，圖18(c)之覆膜R之面積變大。其結果，能夠從一片基板W製造的半導體製品之數量會在每基板W產生誤差。
對此，若藉由上述例時，以基板W之中心為基準，根據基板W之邏輯上之周緣位置Er2設定處理參數。因此，例如圖18(d)~(f)所示般，即使在基板W之尺寸產生偏差，亦在任何的基板W形成半徑b的覆膜R。因此，不受到基板W之徑向之大小的偏差的影響而以基板W之中心為基準，覆膜R之周緣部分被處理。因此，能夠精度佳地處理覆膜R之周緣部分。
若藉由上述例，第3算出部M5係利用處理基板W1之攝像畫像之明暗差(對比度)，算出該攝像畫像上之邊緣位置Wf。再者，設定部M7係根據從周緣位置Er2和邊緣位置Wf之作為差量的寬度T3取得的除去寬度Wcut，設定處理參數。因此，藉由使用根據被形成在處理基板W1之覆膜R之狀態而被設定的處理參數，能夠調節被形成在下一個基板W之覆膜R之邊緣位置Wf。
若藉由上述例時，設定部M7能藉由除去寬度Wcut，和被記憶於記憶部M2之特定的目標值之比較，設定處理參數。在此情況，能夠使被形成在下一個基板W的覆膜R之邊緣位置Wf接近於特定目標值。
若藉由上述例時，第1算出部M3係利用被設置在基準基板W0之參照標記RP，算出基準基板W0之邏輯上的周緣位置Er1。在此情況，即使在基準基板W0之攝像畫像不含基準基板W0之中心，亦能算出以中心為基準的基準基板W0之邏輯上之周緣位置Er1。
若藉由上述例時，第2算出部M4係考慮處理基板W1之偏心狀態，而算出處理基板W1之邏輯上之周緣位置Er2。因此，能取得減少或除去處理基板W1之偏心狀態後的周緣位置Er2。因此，能夠藉由使用周緣位置Er2被重新設定的處理參數，精度佳地處理覆膜R之周緣部分。
若藉由上述例時，第1調節部M10係被構成因應基板W之偏心狀態，調整基板W對保持部23或保持台101之載置位置。因此，調節基板W對保持部23或保持台101的載置位置，藉此減少或除去基板W之偏心狀態。因此，能夠精度佳地處理覆膜R之周緣部分。
若藉由上述例時，第1調節部M10係被構成在基板W之偏心量B為臨界值Th2以上之情況，能因應偏心量B，調節基板W對保持台101之載置位置。在此情況，雖然在基板W之載置位置之誤差大的狀況，進行該載置位置之調整，但是在誤差不太大之狀況，不進行該載置位置之調整。因此，因該載置位置之調整的頻率被抑制，故能夠謀求處理複數基板W之時的處理效率之提升。
若藉由上述例時，第2調節部M11能因應基板W之偏心狀態，調節曝光副單元110對被載置於保持台101之基板W上之覆膜R之周緣部分所致的曝光位置。在此情況，一面抵銷基板W之偏心狀態，一面進行對覆膜R之周緣部分的曝光。因此，因以均勻的寬度對覆膜R之周緣部分進行曝光，故能夠精度更佳地處理覆膜R之周緣部分。
若藉由上述例時，設定部M7在指定值Tg小於臨界值Th1之情況，能補正來自噴嘴44之處理液L2之供給條件。在此情況，排除基板W之倒角部Wcf所致的影響，沿著指定值Tg處理覆膜R之周緣部分。因此，能夠精度更佳地處理覆膜R之周緣部分。
若藉由上述例時，設定部M7能以來自噴嘴44之處理液L2之供給條件，補正噴嘴44之水平位置、噴嘴44之高度位置、噴嘴之角度或來自噴嘴44之處理液之供給量。在此情況，藉由控制與噴嘴44相關之各種之參數，能夠比較容易地補正來自噴嘴44之處理液L2之供給條件。
[變形例] 應理解成此次在本說明書中揭示的所有的點皆為例示，並非用以限制者。在不脫離申請專利範圍及其主旨之範圍，即使對上述例，進行各種省略、置換、變更等亦可。
(1)若藉由上述例時，藉由使用周緣曝光單元U24之周緣曝光及顯像，除去光阻膜R2之周緣部分。但是，即使與下層膜R1之周緣部分之除去相同，通過圖16之步驟S21~S30，對光阻膜R2之周緣部分供給處理液L2(有機溶劑)，藉此除去光阻膜R2之周緣部分亦可。
(2)即使使用基準基板W0補正遮罩113之偏心角δ亦可。首先，在基準基板W0之表面Wa形成光阻膜R2。接著，在遮罩113之全體與基準基板W0之表面Wa重疊之狀態，通過遮罩113而曝光光阻膜R2，並進行顯像。依此，如圖19所示的開口圖案Rp被形成在基準基板W0之表面Wa。
接著，藉由檢查單元U3攝像基準基板W0之表面Wa，取得攝像畫像。接著，例如控制器Ctr根據基準基板W0之表面Wa的攝像畫像，算出以連結基準基板W0之中心Ow和基準基板W0之缺口部的假想線，和連結基準基板W0之中心Ow和開口圖案Rp之中心Op的假想線規定的偏心角δ。
接著，即使控制器Ctr係算出抵銷所算出的偏心角δ的基板W之載置位置，以使之後被處理的處理基板W1在該載置位置載置於保持台101之方式控制搬運臂A12亦可。例如，即使控制器Ctr係以在使處理基板W1僅旋轉所算出的偏心角δ的量之後，使處理基板W1載置於保持台101之方式，控制搬運臂A12亦可。依此，以處理基板W1之缺口部位於連結基準基板W0之中心Ow和開口圖案Rp之中心Op的假想線上之方式，處理基板W1被載置於保持台101。
[其他之例] 例1.周緣處理裝置之一例係具備：攝像部，其係被構成攝像基板之周緣部而取得攝像畫像的攝像部，基板包含基準基板及處理基板；第1算出部，其係以基準基板之中心為基準算出在基準基板之攝像畫像中之基準基板的邏輯上之周緣位置； 第2算出部，其係被構成根據基準基板之邏輯上之周緣位置，和處理基板之攝像畫像，算出在處理基板之攝像畫像中之處理基板之邏輯上之周緣位置；設定部，其係被構成根據處理基板之邏輯上之周緣位置，設定基板之周緣部之處理參數；及處理部，其係被構成根據處理參數而處理基板之周緣部。在此情況，以基準基板之中心為基準，根據基準基板之邏輯上之周緣位置設定處理參數。因此，不受到基板之徑向之大小的偏差的影響而以基板之中心為基準，覆膜之周緣部分被處理。因此，能夠精度佳地處理覆膜之周緣部分。
例2.即使例1之裝置被構成進一步具備第3算出部，其係根據處理基板之攝像畫像，算出被形成在處理基板之表面的覆膜之邊緣位置，設定部係根據處理基板之邏輯上之周緣位置和覆膜之邊緣位置的差值而設定處理參數亦可。在此情況，藉由使用根據被形成在處理基板之覆膜之狀態而被設定的處理參數，能夠調節被形成在下一個基板之覆膜之邊緣位置。
例3.即使在例2之裝置中，設定部被構成根據差值和特定目標值，設定處理參數亦可。在此情況，能夠使被形成在下一個基板的覆膜之邊緣位置接近於特定目標值。
例4.即使在例1~例3中之任一的裝置中，第1算出部被構成實行：第1處理，其係算出事先被設定在基準基板，並且來自基準基板之中心的距離為已知之參照標記的基準基板之攝像畫像中之位置；第2處理，其係算出基板之半徑之設計尺寸，和參照標記之實際位置的差，作為基準基板之攝像畫像中之大小；及第3處理，其係根據在第1處理中所取得的位置及在第2處理中所取得的大小，算出基準基板之邏輯上的周緣位置亦可。在此情況，即使基準畫像之攝像畫像不包含基準基板之中心亦可，能夠算出以中心為基準的基準基板之邏輯上的周緣位置。
例5.即使在例1~例4中之任一的裝置中，即使第2算出部被構成實行：第4處理，其係根據處理基板之攝像畫像，算出處理基板之周緣位置；第5處理，其係根據處理基板之周緣位置，算出處理基板之偏心狀態；第6處理，其係考慮處理基板之偏心狀態，算出處理基板之邏輯上之周緣位置亦可。在此情況，取得減少或除去處理基板之偏心狀態後的處理基板之邏輯上之周緣位置。因此，能夠藉由使用該周緣位置被重新設定的處理參數，精度更佳地處理覆膜之周緣部分。
例6.即使在例1~例5中之任一的裝置中，進一步具備第1調節部亦可，該第1調節部係被構成因應被載置於處理部之保持部而被處理之基板的偏心狀態，調節基板朝保持部的載置位置。在此情況，藉由調節基板朝保持部的載置位置，減少或除去基板之偏心狀態。因此，能夠精度更佳地處理覆膜之周緣部分。
例7.即使在例6之裝置中，處理部被構成配置在被保持於保持部之基板的周緣部之附近，同時進一步包含檢測部，檢測基板相對於保持部之偏心量，第1調節部係於偏心量為特定第1臨界值以上之時，因應偏心量調節基板對保持部之載置位置亦可。然而，在基板之周緣部之附近配置檢測部之情況，雖然在基板之偏心量小於特定第1臨界值之情況，可以極高精度檢測基板之周緣位置，但是當基板之偏心量為該臨界值以上時，有誤差變大之情況。在此，如例7般，藉由在基板之偏心量成為該第1臨界值以上之時，調節基板對保持部之載置位置，在誤差大之狀況，進行該載置位置之調整，但是在誤差不太大之狀況不進行該載置位置之調整。因此，因該載置位置之調整的頻率被抑制，故能夠謀求處理複數基板之時的處理效率之提升。
例8.即使在例1~例7中之任一的裝置中，進一步具備第2調節部亦可，該第2調節部係被構成因應被載置於處理部之保持部而被處理之基板的偏心狀態，調節相對於被形成在基板之表面的覆膜之周緣部分的曝光位置。在此情況，一面抵銷基板之偏心狀態，一面進行對覆膜之周緣部分的曝光。因此，因以均勻的寬度對覆膜之周緣部分進行曝光，故能夠精度更佳地處理覆膜之周緣部分。
例9.即使在例1~例8中之任一裝置中，設定部被構成處理液所致的基板之周緣部之處理寬度之指定值小於特定第2臨界值之情況，補正處理液之供給條件，處理部進一步包含：保持部，其係被構成能夠旋轉地保持基板；和供給部，其係被構成根據供給條件，對基板之周緣部從噴嘴供給處理液亦可。然而，基板之規格上，有基板之周緣附近被倒角之情況。因此，當基板之倒角部被供給處理液時，處理液容易從基板之表面被排出，有不促進處理液所致的覆膜之周緣部分之處理之虞。對此，在例9中，在處理液所致之基板之周緣部之處理寬度之指定值小於第2臨界值之情況，補正來自噴嘴之處理液的供給條件。因此，排除基板之倒角部所致的影響，覆膜之周緣部分沿著目標值被處理。因此，能夠精度更佳地處理覆膜之周緣部分。
例10.即使在例9之裝置中，設定部被構成在處理液所致的基板之周緣部之處理寬度之指定值小於特定目標值之情況，以使處理液朝基板之著液位置成為基板之中心側之方式，補正噴嘴之水平位置，或以噴嘴接近於基板之方式，補正噴嘴之高度位置或，以處理液對基板的供給角度接近於90°之方式，補正噴嘴之角度，或以來自噴嘴之處理液之吐出流量變大之方式，補正處理液之供給量亦可。在此情況，藉由控制與噴嘴相關之各種之參數，能夠比較容易地補正來自噴嘴之處理液之供給條件。
例11.周緣處理方法之一例，包含攝像基板之周緣部而取得攝像畫像之步驟，基板包含基準基板及處理基板；以基準基板之中心為基準算出在基準基板之攝像畫像中之基準基板之邏輯上的周緣位置之步驟；根據基準基板之邏輯上之周緣位置，和處理基板之攝像畫像，算出在處理基板之攝像畫像中之處理基板之邏輯上之周緣位置之步驟；根據處理基板之邏輯上之周緣位置，設定基板之周緣部之處理參數之步驟；及根據處理參數而處理基板之周緣部之步驟。在此情況，得到與例1之裝置相同的作用效果。
例12.即使例11之方法進一步包含根據處理基板之攝像畫像，算出被形成在處理基板之表面的覆膜之邊緣位置之步驟；和設定處理參數之步驟係根據處理基板之邏輯上之周緣位置和覆膜之邊緣位置之差值而設定處理參數之步驟亦可。在此情況，得到與例2之裝置相同的作用效果。
例13.即使在例12之方法中，設定處理參數的步驟即使包含藉由差值和特定目標值之比較而設定處理參數亦可。在此情況，得到與例3之裝置相同的作用效果。
例14.即使在例11~例13中之任一方法中，算出基準基板之邏輯上之周緣位置之步驟包含：第1處理，其係算出事先被設定在基準基板，並且來自基準基板之中心的距離為已知之參照標記的基準基板之攝像畫像中之位置；第2處理，其係算出基板之半徑之設計尺寸，和參照標記之實際位置的差，作為基準基板之攝像畫像中之大小；及第3處理，其係根據在第1處理中所取得的位置及在第2處理中所取得的大小，算出基準基板之邏輯上的周緣位置亦可。在此情況，得到與例4之裝置相同的作用效果。
例15.即使在例11~例14中之任一方法中，算出處理基板之邏輯上之周緣位置之步驟包含：第4處理，其係根據處理基板之攝像畫像，算出處理基板之周緣位置； 第5處理，其係根據處理基板之周緣位置，算出處理基板之偏心狀態；第6處理，其係考慮處理基板之偏心狀態，算出處理基板之邏輯上之周緣位置亦可。在此情況，得到與例5之裝置相同的作用效果。
例16.即使在例11~例15中之任一方法中，進一步包含因應被載置於保持部而被處理之基板之偏心狀態，而調節基板朝保持部之載置位置之步驟亦可。在此情況，得到與例6之裝置相同的作用效果。
例17.，即使例16之方法中，對基板之周緣部進行處理之步驟進一步包含藉由被配置在被保持於保持部之基板之周緣部之附近的檢測部，檢測出基板對保持部的偏心量之步驟，調節基板朝保持部之載置位置，係於偏心量為特定第1臨界值以上之時，因應偏心量調節基板對保持部之載置位置亦可。在此情況，得到與例7之裝置相同的作用效果。
例18.即使在例11~例17中之任一方法中，進一步包含因應被載置於保持部而被處理之基板之偏心狀態，而調節相對形成於基板之表面的覆膜之周緣部分的曝光位置之步驟亦可。在此情況，得到與例8之裝置相同的作用效果。
例19.即使在例11~例18中之任一方法中，設定處理參數之步驟包含在處理液所致的基板之周緣部之處理寬度之指定值小於特定第2臨界值之情況，補正處理液之供給條件之步驟，處理基板之周緣部之步驟進一步包含對被構成能夠旋轉地保持基板之保持部而載置基板之步驟，和根據供給條件，從噴嘴對基板之周緣部供給處理液之步驟亦可。在此情況，得到與例9之裝置相同的作用效果。
例20.即使在例19之方法中，補正供給條件之步驟包含在處理液所致的基板之周緣部之處理寬度之指定值小於特定目標值之情況，以使處理液朝基板之著液位置成為基板之中心側之方式，補正噴嘴之水平位置，或以噴嘴接近於基板之方式補正噴嘴之高度位置，或以處理液對基板之供給角度接近於90°之方式補正噴嘴之角度，或以來自噴嘴之處理液之吐出流量變大之方式補正處理液之供給量的步驟亦可。在此情況，得到與例10之裝置相同的作用效果。
例21.即使電腦可讀取之記錄媒體之一例係記錄使周緣處理裝置實行例11~例20中之任一方法亦可。在此情況，得到與例1之裝置相同的作用效果。在本說明書中，即使電腦可讀取的記錄媒體包含非暫時的有形媒體(non-transitory computer recording medium)(例如，各種主記憶裝置或輔助記憶裝置)，或傳播訊號(transitory computer recording medium)(例如，可經由網路提供的資料訊號)亦可。
1:基板處理系統 2:塗佈顯像裝置(周緣處理裝置) 20:旋轉保持部(保持部) 40:液供給部(供給部) 44:噴嘴 100:旋轉保持副單元(保持部) 110:曝光副單元(周緣曝光部) 113:遮罩 120:偏心檢測副單元(檢測部) A11,A12:搬運臂 Ctr:控制器 Er1:基準基板之邏輯上的周緣位置 Er2:處理基板之邏輯上的周緣位置 L2:處理液 M3:第1算出部 M4:第2算出部 M5:第3算出部 M6:寬度算出部 M7:設定部 M10:第1調節部 M11:第2調節部 R:覆膜 R1:下層膜(覆膜) R2:光阻膜(覆膜) RP:參照標記 U1,U11,U21,U31:液處理單元(處理部) U24:周緣曝光單元(處理部) U3,U13,U23,U33:檢查單元(攝像部) W:基板 W0:基準基板 W1:處理基板 Wc:周緣部 Wf:覆膜之邊緣位置
[圖1]為表示基板處理系統之一例的斜視圖。 [圖2]為示意性地表示圖1之基板處理系統之內部的側視圖。 [圖3]為示意地表示液處理單元之一例的側面。 [圖4]為示意地表示檢查單元之一例的上視圖。 [圖5]為示意地表示圖4之檢查單元的側視圖。 [圖6]為示意地表示周緣曝光單元之一例的側視圖。 [圖7]為示意地表示曝光副單元之一例的斜視圖。 [圖8]為示意地表示偏心檢測副單元之一例的側視圖。 [圖9]為表示基板處理系統之主要部分之一例的方塊圖。 [圖10(a)]為表示被形成在基準基板之表面的參照標記之一例的示意圖，[圖10(b)]為表示基準基板之周緣部之攝像畫像之一例的示意圖。 [圖11]為表示形成覆膜之處理基板之周緣部之攝像畫像之一例的示意圖。 [圖12(a)]為表示基板之周緣附近的放大圖，[圖12(b)]為表示覆膜之周緣部分之處理寬度之指定值，和覆膜之周緣部分藉由處理液實際被處理之處理寬度的對應關係之一例的曲線圖。 [圖13]為用以說明基板之周緣對偏心檢測副單元之光軸的偏差為大之狀況之一例的圖。 [圖14]為表示控制器之硬體構成之一例的概略圖。 [圖15]為用以說明使用基準基板之準備處理之一例的流程圖。 [圖16]為用以說明在處理基板中之下層膜之周緣處理之一例的流程圖。 [圖17]為用以說明在處理基板中之光阻膜之周緣處理之一例的流程圖。 [圖18(a)~圖18(c)]係用以說明在基板之尺寸偏差之情況，以基板之周緣為基準的覆膜之周緣處理之一例的圖。[圖18(d)~圖18(f)]係用以說明在基板之尺寸存在偏差之情況，以基板之中心為基準的覆膜之周緣處理之一例的圖。 [圖19]為用以說明遮罩之偏心角之補正處理的概略圖。
1:基板處理系統
7:操作部
100:旋轉保持副單元(保持部)
110:曝光副單元(周緣曝光部)
120:偏心檢測副單元(檢測部)
M1:讀取部
M2:記憶部
M3:第1算出部
M4:第2算出部
M5:第3算出部
M6:寬度算出部
M7:設定部
M8:動作控制部
M9:偏心量算出部
M10:第1調節部
M11:第2調節部
U1:液處理單元(處理部)
U24:周緣曝光單元(處理部)
U3:檢查單元(攝像部)
A11:搬運臂
A12:搬運臂
RM:記錄媒體

Claims (21)

  1. 一種周緣處理裝置，具備： 攝像部，其係被構成攝像基板之周緣部而取得攝像畫像的攝像部，上述基板包含基準基板及處理基板； 第1算出部，其係以上述基準基板之中心為基準算出在上述基準基板之攝像畫像中之上述基準基板的邏輯上之周緣位置； 第2算出部，其係被構成根據上述基準基板之邏輯上之周緣位置，和上述處理基板之攝像畫像，算出在上述處理基板之攝像畫像中之上述處理基板之邏輯上之周緣位置； 設定部，其係被構成根據上述處理基板之邏輯上之周緣位置，設定上述基板之周緣部之處理參數；及 處理部，其係被構成根據上述處理參數而處理上述基板之周緣部。
  2. 如請求項1之周緣處理裝置，其中 進一步具備： 第3算出部，其係根據上述處理基板之攝像畫像，算出被形成在上述處理基板之表面的覆膜之邊緣位置， 上述設定部係根據上述處理基板之邏輯上之周緣位置和上述覆膜之邊緣位置之差值而設定上述處理參數。
  3. 如請求項2之周緣處理裝置，其中 上述設定部係被構成藉由上述差值和特定目標值之比較，設定上述處理參數。
  4. 如請求項1之周緣處理裝置，其中 上述第1算出部係被構成實行： 第1處理，其係算出事先被設定在上述基準基板，並且來自上述基準基板之中心的距離為已知之參照標記的上述基準基板之攝像畫像中之位置； 第2處理，其係算出上述基板之半徑之設計尺寸，和上述參照標記之實際位置的差，作為上述基準基板之攝像畫像中之大小；及 第3處理，其係根據在上述第1處理中所取得的位置及在第2處理中所取得的大小，算出基準基板之邏輯上的周緣位置。
  5. 如請求項1至4中之任一項之周緣處理裝置，其中 上述第2算出部係被構成實行： 第4處理，其係根據上述處理基板之攝像畫像，算出上述處理基板之周緣位置； 第5處理，其係根據上述處理基板之周緣位置，算出上述處理基板之偏心狀態；及 第6處理，其係考慮上述處理基板之偏心狀態，算出上述處理基板之邏輯上之周緣位置。
  6. 如請求項5之周緣處理裝置，其中 進一步具備第1調節部，該第1調節部係被構成因應被載置於上述處理部之保持部而被處理的上述處理基板之偏心狀態，而調節上述基板朝上述保持部分的載置位置。
  7. 如請求項6之周緣處理裝置，其中 上述處理部係進一步包含檢測部，該檢測部係被配置在被保持於上述保持部之上述基板之周緣部之附近，同時檢測上述基板相對於上述保持部之偏心量， 上述第1調節部係被構成於上述偏心量為特定之第1臨界值以上時，因應上述偏心量調節上述基板對上述保持部之載置位置。
  8. 如請求項5之周緣處理裝置，其中 進一步具備第2調節部，該第2調節部係被構成因應被載置於上述處理部之保持部而被處理的上述處理基板之偏心狀態，而調節相對於被形成在上述基板之表面的覆膜之周緣部分的曝光位置。
  9. 如請求項1至4中之任一項之周緣處理裝置，其中 上述設定部係被構成在處理液所致的上述基板之周緣部之處理寬度之指定值小於特定之第2臨界值之情況，補正處理液之供給條件， 上述處理部係進一步包含： 保持部，其係被構成能夠旋轉地保持上述基板；和 供給部，其係被構成根據上述供給條件，從噴嘴對上述基板之周緣部供給處理液。
  10. 如請求項9之周緣處理裝置，其中 上述設定部係在處理液所致的上述基板之周緣部之處理寬度之指定值小於特定目標值之情況， 以使處理液朝上述基板之著液位置成為上述基板之中心側之方式，補正上述噴嘴之水平位置，或 以上述噴嘴接近於上述基板之方式補正上述噴嘴之高度位置，或 以處理液對上述基板之供給角度接近於90°之方式補正上述噴嘴之角度，或 以來自上述噴嘴之處理液之吐出流量變大之方式，補正處理液之供給量。
  11. 一種周緣處理方法，包含： 攝像基板之周緣部而取得攝像畫像之步驟，上述基板包含基準基板及處理基板； 以上述基準基板之中心為基準算出在上述基準基板之攝像畫像中之上述基準基板之邏輯上的周緣位置之步驟； 根據上述基準基板之邏輯上之周緣位置，和上述處理基板之攝像畫像，算出在上述處理基板之攝像畫像中之上述處理基板之邏輯上之周緣位置之步驟； 根據上述處理基板之邏輯上之周緣位置，設定上述基板之周緣部之處理參數之步驟；及 根據上述處理參數而處理上述基板之周緣部之步驟。
  12. 如請求項11之周緣處理方法，其中 進一步包含根據上述處理基板之攝像畫像，算出被形成在上述處理基板之表面的覆膜之邊緣位置的步驟， 設定上述處理參數之步驟包含根據上述處理基板之邏輯上之周緣位置和上述覆膜之邊緣位置之差值而設定上述處理參數之步驟。
  13. 如請求項12之周緣處理方法，其中 設定上述處理參數之步驟包含藉由上述差值和特定目標值之比較而設定上述處理參數之步驟。
  14. 如請求項11之周緣處理方法，其中 算出上述基準基板之邏輯上之周緣位置之步驟包含： 第1處理，其係算出事先被設定在上述基準基板，並且來自上述基準基板之中心的距離為已知之參照標記的上述基準基板之攝像畫像中之位置； 第2處理，其係算出上述基板之半徑之設計尺寸，和上述參照標記之實際位置的差，作為上述基準基板之攝像畫像中之大小；及 第3處理，其係根據在上述第1處理中所取得的位置及在上述第2處理中所取得的大小，算出上述基準基板之邏輯上的周緣位置。
  15. 如請求項11~14中之任一項之周緣處理方法，其中 算出上述基準基板之邏輯上之周緣位置之步驟包含： 第4處理，其係根據上述處理基板之攝像畫像，算出上述處理基板之周緣位置； 第5處理，其係根據上述處理基板之周緣位置，算出上述處理基板之偏心狀態；及 第6處理，其係考慮上述處理基板之偏心狀態，算出上述處理基板之邏輯上之周緣位置。
  16. 如請求項15之周緣處理方法，其中 進一步包含因應被載置於保持部被處理之上述處理基板之偏心狀態，調節上述基板朝上述保持部的載置位置之步驟。
  17. 如請求項16之周緣處理方法，其中 處理上述基板之周緣部之步驟進一步包含藉由被配置在被保持於上述保持部之上述基板之周緣部之附近的檢測部，檢測上述基板對上述保持部之偏心量之步驟， 調節上述基板朝上述保持部之載置位置之步驟係包含於上述偏心量為特定第1臨界值以上之時，因應上述偏心量調節上述基板對上述保持部之載置位置的步驟。
  18. 如請求項15之周緣處理方法，其中 進一步包含因應被載置於保持部而被處理之上述基板之偏心狀態，而調節相對於被形成在上述基板之表面的覆膜之周緣部分的曝光位置之步驟。
  19. 如請求項11~14中之任一項之周緣處理方法，其中 設定上述處理參數之步驟包含在處理液所致的上述基板之周緣部之處理寬度之指定值小於特定第2臨界值之情況，補正處理液之供給條件之步驟， 處理上述基板之周緣部之步驟進一步包含 對被構成能夠旋轉地保持上述基板之保持部，載置上述基板之步驟；和 根據上述供給條件，從噴嘴對上述基板之周緣部供給處理液之步驟。
  20. 如請求項19之周緣處理方法，其中 補正上述供給條件之步驟係包含在上述在處理液所致的上述基板之周緣部之處理寬度之指定值小於特定目標值之情況， 以使處理液朝上述基板之著液位置成為上述基板之中心側之方式，補正上述噴嘴之水平位置，或 以上述噴嘴接近於上述基板之方式補正上述噴嘴之高度位置，或 以處理液對上述基板之供給角度接近於90°之方式補正上述噴嘴之角度，或 以來自上述噴嘴之處理液之吐出流量變大之方式，補正處理液之供給量之步驟。
  21. 一種電腦可讀取記錄媒體，記錄有用以使周緣處理裝置實行如請求項11至14項中之任一項所記載之方法的程式。
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