JP3237522B2 - ウエハ周辺露光方法および装置 - Google Patents
ウエハ周辺露光方法および装置Info
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Description
ジストを現像工程で除去するために用いられるウエハ周
辺露光方法および装置に関し、さらに詳細には、ウエハ
周辺部の一部を階段状に露光し、他の部分を環状に露光
するウエハ周辺露光方法および装置に関するものであ
る。
しては、シリコンウエハ等の半導体ウエハ(以下、ウエ
ハという)の表面にフォトレジスト(以下レジストとい
う)を塗布して回路パターンを形成することが行われ
る。しかしながらウエハの周辺部はパターン形成領域と
してあまり利用されることはなく、レジストがポジ型レ
ジストの場合には、周辺部が露光されないため、現像後
も周辺部にレジストが残留する。この周辺部に残留した
レジストはウエハの搬送、保持の際に剥離等が発生し、
周辺機器、ウエハ表面を汚染させ歩留り低下を招く原因
となる。
像工程で除去するため、パターン形成領域における露光
工程とは別に、周辺部の不要レジストを除去するウエハ
周辺露光工程が行われる。上記ウエハ周辺部を露光する
方法として従来から次の方法が用いられていた。 (1) 露光光を出射する出射端(もしくはウエハ)をウエ
ハの面に対して平行に互いに直交する方向に移動させな
がら、ウエハ周辺部に露光光を照射して、図17(a)
に示すようにウエハ周辺部を階段状に露光する(以下、
この露光方法を階段状露光という)。 (2)レジストが塗布されたウエハを回転させながらウエ
ハ周辺部に露光光を照射し、図17(b)に示すように
ウエハの全周もしくは一部を環状に露光する(以下、こ
の露光方法を環状露光という)。
露光装置(ステッパー)を用いてウエハ上に回路パター
ンを逐次露光した場合の周辺露光に採用されることが多
い。すなわち、上記逐次露光においては、1チップ分の
回路パターンをウエハ上に複数形成するため、回路パタ
ーンが形成される露光領域の周辺部分の形状は階段状と
なり、この形状は露光パターンにより様々に変化する。
このため、ウエハ周辺部には階段状に未露光部分が生
じ、不要レジスト部分の形状は階段状となる。この不要
レジストは前記したように剥離等による歩留り低下の原
因となる。そこで、上記(1) のような方法でウエハ周辺
部を階段状に露光し、ウエハ上に未露光部分が生じない
ようにする。
光を併用し、図17(c)に示すように、一枚のウエハ
の周辺部の一部を階段状に露光し、他の部分を環状に露
光するウエハ周辺露光が要望されるようになってきてい
る。このような要望に答えるため、従来においては、例
えば特開平4−291938号公報に示されるようなウ
エハ周辺部を階段状に露光する露光装置と、例えば、特
開平2−1114号公報に示されるようなウエハ周辺部
を環状に露光する露光装置の2台の露光装置を用い、一
方の装置でウエハ周辺部の一部を例えば階段状に露光し
た後、ウエハを他方の装置まで搬送して、ウエハの周辺
部の残りの部分を環状に露光するといった2工程で周辺
部露光を行っていた。
うな問題点をもっていた。 (1)ウエハ周辺部を階段状に露光する露光装置と周辺
部を環状に露光する露光装置の2台の露光装置をそれぞ
れ用意する必要がある。よって、クリーンルームにおけ
る露光装置の専有床面積が増大する。 (2)ウエハを一方の露光装置に載置して、ウエハの載
置状態を検出し位置合わせを行って露光したのち、他方
の露光装置にウエハを搬送して再度ウエハの載置状態を
検出し位置合わせを行って露光する必要があり、作業工
程が増える。 (3)同一ステーションで、上記露光を行うには、ウエ
ハ周辺部を階段上に露光する露光装置を用いることが考
えられるが、この場合、以下のような問題が発生する。
例えば、特開平4−291938号公報にあるように、
上記露光装置は露光光を出射する出射端の位置のデータ
を2次元の直交座標データとして演算し、上記出射端の
位置制御を行っている。従って、ウエハ周辺部を環状に
露光するには、上記直交座標の分解能を高くする必要が
あるので、データ数が莫大になり、大容量メモリが必要
となる。さらに、高速処理可能なMPUを使用しないと
例えば特開平2−1114号公報にあるような露光装置
に比較してスループットが低下する。よって、装置自体
が高価になる。上記データの分解能を低くすれば、上記
問題点は解消される方向に向かうが、その代わり環状露
光部分の境界に微小な階段状形状が発生するので、この
境界部分からレジストの剥離が発生する。
してなされたものであって、本発明の第1の目的は、ウ
エハの載置状態の検出を2度行うことなく、ウエハ周辺
部の一部を階段状に露光し、他の部分を環状に露光する
ことができるウエハ周辺露光方法を提供することであ
る。本発明の第2の目的は、ウエハを2台の装置間で搬
送したり、ウエハの載置状態の検出を2度行うことな
く、一台の装置でウエハ周辺部の一部を階段状に露光
し、他の部分を環状に露光することができるウエハ周辺
露光装置を提供することである。本発明の第3の目的
は、一つの露光用光源を用いてウエハ周辺部の一部を階
段状に露光し、他の部分を環状に露光することができる
ウエハ周辺露光装置を提供することである。
ては、次のように解決する。 (1)周縁にオリエンテーションフラットまたはノッチ
等の形状上の特異点を有し、表面にフォトレジストが塗
布された半導体ウエハの周辺に露光光を照射して、半導
体ウエハ上のパターン形成領域以外の部分の不要レジス
トを露光するウエハ周辺露光方法であって、予め上記半
導体ウエハに設けられた第1、第2のアライメント・マ
ークの位置情報を記憶しておき、レジストが塗布された
上記ウエハを第1のステーションに位置している回転ス
テージにセットして上記ウエハの回転ステージ上の載置
状態と上記ウエハの特異点の位置を検出して記憶する。
次いで、上記検出し記憶されたウエハの載置状態とウエ
ハの特異点の位置と記憶しておいたアライメント・マー
クの位置情報に基づき、上記第1のアライメント・マー
クがアライメントユニットの視野内に入るように上記回
転ステージを移動/回転させ、アライメントユニットに
より上記ウエハ上に印された第1のアライメント・マー
クの位置を検出して記憶し、上記アライメント・マーク
の位置情報に基づき、第1、第2のアライメント・マー
クの距離に相当する量だけ回転ステージを移動させ、上
記第2のアライメント・マークがアライメントユニット
の視野内に入るようにし、アライメントユニットにより
上記ウエハ上に印された第2のアライメント・マークの
位置を検出して記憶する。さらに、上記検出し記憶され
たアライメント・マークの位置に基づき、第1の露光光
出射部からの露光光が上記ウエハ上の第1の露光開始位
置に照射されるように上記回転ステージを移動/回転さ
せ、上記回転ステージをウエハの面に対して平行に互い
に直交する方向に移動させながら上記第1の露光光出射
部からウエハの周辺部に露光光を照射してウエハ周辺部
の一部を階段状に露光する。次に、前記検出し記憶され
た上記ウエハの載置状態と上記ウエハの特異点の位置に
基づいて、上記回転ステージを第1のステーションから
第2のステーションに移動させるとともに回転させて、
第2の出射部からの露光光が、ウエハ周辺部の未露光部
分における第2の露光開始位置に照射されるようにし
て、次いで、上記第2のステーションにおいて、回転ス
テージを回転させて、上記第2の露光開始位置から、上
記ウエハの未露光部分に露光光を照射して、上記ウエハ
の周辺部を環状に露光する。
またはノッチ等の形状上の特異点を有し、表面にフォト
レジストが塗布された半導体ウエハの周辺部を露光する
ウエハ周辺露光装置を、上記ウエハが載置され、上記ウ
エハを回転させる回転ステージと、上記回転ステージを
ウエハ面に対して平行に、かつ互いに直交する方向に移
動させるXYステージと、回転する回転ステージ上のウ
エハの周縁部の位置を検出するウエハ周辺位置検出手段
と、ウエハ上に印された第1、第2のアライメント・マ
ークの位置を検出するアライメントユニットから構成さ
れ、上記ウエハの中心と回転ステージの回転中心のズレ
量と、上記ウエハWの特異点の位置と上記ウエハに印さ
れたアライメント・マークを検出するセンサと、上記セ
ンサの出力に基づき、上記XYステージを駆動するとと
もに、回転ステージを回転させ、上記回転ステージの位
置と回転角を所定値に制御する制御手段と、上記XYス
テージにより互いに直交する方向に移動する回転ステー
ジ上の上記ウエハに露光光を照射して、ウエハの周辺部
を階段状に露光する第1のステーションに設けた第1の
露光光出射部と、上記ウエハのエッジ位置に追従してウ
エハ径方向に移動し、回転する回転ステージ上の上記ウ
エハに露光光を照射してウエハの周辺部を環状に露光す
る第2のステーションに設けた第2の露光光出射部とか
ら構成する。
な制御を行う。 (i) 上記第1、第2のアライメント・マークの位置情報
を記憶しておき、上記ウエハ周辺位置検出手段の出力に
基づき、 上記回転ステージに載置された上記ウエハの中
心と回転ステージの回転中心のズレ量とウエハの特異点
の位置を求めて記憶する。(ii) 上記検出し記憶されたズレ量と特異点の位置と記憶
しておいたアライメント・マークの位置情報に基づき、
上記第1のアライメント・マークがアライメントユニッ
トの視野内に入るように上記回転ステージを移動/回転
させ、上記アライメントユニットにより上記ウエハ上に
印された第1のアライメント・マークの位置を検出して
記憶する。(iii) 前記アライメント・マークの位置情報に基づき、
第1、第2のアライメント・マークの距離に相当する量
だけ回転ステージを移動させ、上記第2のアライメント
・マークがアライメントユニットの視野内に入るように
し、上記アライメントユニットにより上記ウエハ上に印
された第2のアライメント・マークの位置を検出して記
憶する。
マークの位置に基づき、第1の露光光出射部からの露光
光が上記ウエハ上の第1の露光開始位置に照射されるよ
うに上記回転ステージを移動/回転させ、上記第1の露
光光出射部からウエハの周辺部に露光光を照射してウエ
ハ周辺部の一部を階段状に露光する。 (v) 前記検出し記憶された上記ズレ量と上記ウエハの特
異点の位置に基づき、上記回転ステージを第1のステー
ションから第2のステーションに移動させるとともに回
転させて、第2の露光光出射部からの露光光が、ウエハ
周辺部の未露光部分における第2の露光開始位置に照射
されるようにし、上記第2のステーションにおいて、回
転ステージを回転させて、上記第2の露光開始位置か
ら、上記ウエハの未露光部分に露光光を照射して、上記
ウエハの周辺部を環状に露光する。
第1の露光光出射部と第2の露光光出射部に導く導光ユ
ニットを、光源部と、第1の導光ファイバと、第2の導
光ファイバと、上記第1の導光ファイバと第2の導光フ
ァイバの光入射端を所定の間隔で保持する保持部材と、
該保持部材を駆動する保持部材駆動機構から構成し、上
記第1の導光ファイバと第2の導光ファイバの光出射端
をそれぞれ上記第1の露光光出射部と、第2の露光光出
射部とに接続し、、上記制御手段は、上記第1の露光光
出射部から露光光を放出する場合には、上記光源部から
放出される光路中に上記第1の導光ファイバの光入射端
が位置するように保持部材駆動機構により上記保持部材
を駆動し、上記第2の露光光出射部から露光光を放出す
る場合には、上記光源部から放出される光路中に上記第
2の導光ファイバの光入射端が位置するように保持部材
駆動機構により上記保持部材を駆動する。
(1)のようにしてウエハ周辺部を露光するようにした
ので、ウエハの載置状態の検出を2度行うことなく、ウ
エハ周辺部の一部を階段状に露光し他の部分を環状に露
光することができる。このため、少ない作業工程で効率
的にウエハ周辺部露光を行うことができる。本発明の請
求項2の発明においては、上記(2)のように構成した
ので、ウエハ周辺部を階段状に露光する露光装置と周辺
部を環状に露光する露光装置の2台の露光装置をそれぞ
れ用意する必要がなく、また、ウエハを2台の装置間で
搬送したり、ウエハの載置状態の検出を2度行うことな
く、1台の装置でウエハ周辺部の階段状露光および環状
露光を行うことができる。さらに2つのステーションで
露光を行うので、同一ステーションで行う場合に比べ、
制御系が大がかりにならず、装置自体を安価に製作でき
る。本発明の請求項3の発明においては、上記(3)の
ように構成したので、露光用の光源部を一つにすること
ができ、装置を小型化することができ、また、コストを
削減することができる。
辺露光装置の概略構成を示す図である。同図において、
RSは回転ステージであり、回転ステージRS上にはウ
エハ搬送系WCVにより搬送されるウエハWが載置さ
れ、真空チャック等により固定される。
ント・マークを示す図であり、ウエハWは同図(a)
(b)に示すように、ウエハWの結晶方向を示すオリエ
ンテーションフラットOF(以下オリフラという)やノ
ッチNと称される周縁形状を有しており、回路パターン
は上記オリフラOFやノッチNを基準にして形成され
る。このため、ウエハWの周辺部を階段状に露光する際
にも、基本的には上記オリフラOFやノッチNを基準に
して露光が行われる。また、ウエハW上には、後述する
ように精密な位置合わせを行うためのアライメント・マ
ークWAM1,WAM2が印されている。なお、以下の
説明では、主として図2(a)に示すオリフラOFを有
するウエハWの周辺露光について説明するが、図2
(b)に示すウエハWについても同様に周辺露光を行う
ことができる。
回転させる回転駆動機構であり、回転駆動機構MはXY
方向(Xは例えば同図の左右方向、Yは例えば同図の前
後方向)に移動するXYステージXYS上に取り付けら
れており、XYステージXYSがXYステージ駆動機構
SDにより駆動されると、上記回転ステージRSは、上
記回転駆動機構MとともにXY方向に移動する。なお、
XYステージXYSとXYステージ駆動機構SDは一体
となっていてもよい。そして、回転ステージRSが同図
の実線位置にあるとき、すなわち第1のステーションに
あるとき、後述するように回転ステージRSをXY方向
に移動させながらウエハWに露光光を照射してウエハW
の周辺部を階段状に露光する。階段状露光が終了する
と、回転ステージRSを同図の点線位置に移動させ、第
2のステーションに配置し、回転ステージRSを回転さ
せながらウエハWに露光光を照射してウエハWの周辺部
を環状に露光する。
第1の露光用光源であり、紫外線を照射するランプ、集
光鏡、コンデンサレンズ、フィルタ、および、シャッタ
駆動機構SC1により駆動されるシャッタSH1等から
構成され、露光用光源LH1から放出される露光光は、
シャッタSH1が開いているとき、光ファイバLF1を
介して露光光出射部LO1に与えられる。そして、露光
光出射部LO1から放射される露光光によりウエハWは
後述するようにその周辺部が階段状に露光される。
例を示す図であり、露光光出射部LO1は同図(a)に
示すようにレンズL1、L2を備えており、光ファイバ
LF1から放射される光をレンズL1,L2により集光
してウエハW上に照射する。ここで、露光光出射部LO
1の照射領域の形状は、光ファイバLF1の端面形状の
相似形となる。図3(b)は上記露光光出射部LO1に
露光光を供給する光ファイバLF1の端面形状を示す図
であり、光ファイバLF1は同図に示すように、斜め4
5°の方向に配置されている。このため、露光光出射部
LO1の照射領域も同図(b)に示す形状となる。露光
光出射部LO1の照射領域を上記形状とすることによ
り、露光量が均一な階段状露光処理を行うことができる
と共に、一回の走査によって処理できる範囲を広くする
ことができ照射時間を短縮することができる(詳細につ
いては、先に出願した特願平6−259798号参
照)。
であり、アライメントユニットAUにより後述するよう
に、ウエハWの位置合わせを行う。図4はアライメント
ユニットAUの構成の一例を示す図であり、アライメン
トユニットAUは同図に示すように、非露光光を照射す
る非露光光照射装置LL1、ハーフミラーHM、レンズ
L3,L4、およびCCD等の受像素子IMSから構成
される。そして、非露光光照射装置LL1から照射され
る非露光光をハーフミラーHMを介してウエハW上に照
射し、その反射光をハーフミラーHM→レンズL4→レ
ンズL3を介して受像素子IMSで受像する。
あり、CCDラインセンサLSは、例えば図5に示すよ
うに、平行な非露光光を放射する光源LL2と、該光源
LL2から放射される光を受光するCCDアレイCLか
ら構成される。そして、上記光源LL2から放射される
光はウエハWのエッジ部で一部遮光され、エッジ部の外
側を通る光がCCDアレイCLにより受光される。すな
わち、CCDアレイCLのどのピクセルが光を検出した
かによりウエハWのエッジの位置を検出することができ
る。したがって、ウエハWを一回転させたときのCCD
アレイの出力変化を観測することにより、ウエハWのオ
リフラOFの位置(もしくはノッチNの位置)、およ
び、ウエハWの中心と回転ステージRSの回転中心との
ズレ量を検出することができる。なお、上記ズレ量の算
出は例えば特開平3−108315号公報に開示された
方法を使用することができる。
源と同様の構成を有する第2のステーションに設けられ
た第2の露光用光源であり、露光用光源LH2から放出
される露光光は、シャッタ駆動機構SC2により駆動さ
れるシャッタSH2が開いているとき、光ファイバLF
2を介して露光光出射部LO2に与えられる。そして、
露光光出射部LO2から放射される露光光によりウエハ
Wは後述するように、その周辺部が環状に露光される。
放射する光を受光する受光素子であり、発光素子R1と
受光素子R2によりウエハWのエッジ部を検出する。上
記露光光出射部LO2は、後述するように発光素子R1
と受光素子R2が取り付けられた移動体上に取り付けら
れており、該移動体が移動したとき一緒に移動する。上
記露光光出射部LO2、発光素子R1、受光素子R2で
露光ユニットU1を構成しており、露光ユニットU1は
露光ユニット駆動機構UD1により同図矢印方向に駆動
され、露光光出射部LO2から出射される露光光が常に
ウエハWの周辺部の所定の領域を照射するように制御さ
れる。
れる光量が露光ユニット駆動機構UD1にフィードバッ
クされ、露光ユニット駆動機構UD1は上記受光素子R
2により受光される光量が一定になるように、露光ユニ
ットU1の位置を制御する。これにより、ウエハWが回
転し、そのエッジ位置が変化しても、露光ユニットU1
はウエハWのエッジ位置に追従して同図矢印方向に移動
し、露光光出射部LO2は、常にウエハWのエッジに対
して所定の位置関係を維持する。なお、上記露光ユニッ
トU1の動作の詳細については例えば特開平2−111
4公報を参照されたい。Cntは制御装置であり、アラ
イメントユニットAU、CCDラインセンサLSの出力
が上記制御装置Cntに入力され、制御装置Cntは所
定のシーケンスで、シャッタ駆動機構SC1,SC2、
回転駆動機構M、XYステージ駆動機構SD、露光ユニ
ット駆動機構UD1を制御して、ウエハWの周辺露光を
行う。
の具体的構成を示す図であり、図6、図7は本実施例の
ウエハ周辺露光装置の全体構成を示している。また、図
8は第1のステーションにおいてウエハWの周辺部を段
階状に露光しているときの状態を示し、図9は第2のス
テーションにおいてウエハの周辺部を環状に露光してい
るときの状態を示しており、図1に示したものと同一の
ものには同一の符号が付されている。図6、図7におい
て、図6(a)は本実施例のウエハ周辺露光装置を側面
から見た図、(b)は正面から見た図、図7は上面から
見た図を示しており、図6、図7は回転ステージRSが
前記図1の点線位置にあるとき(ウエハの周辺を環状露
光しているとき)の状態を示している。
光出射部、AUはアライメントユニット、LSはCCD
ラインセンサであり、第1の露光光出射部LO1、アラ
イメントユニットAU、CCDラインセンサLSは図示
しない枠体に位置調整可能に取り付けられ、同図に示す
ように配置される。RSは回転ステージ、Mは回転ステ
ージを駆動する回転駆動機構、XYSはXYステージで
あり、回転駆動機構MはXYステージXYS上に取り付
けられており、図6(a)の左右方向および図6(b)
の左右方向に移動する。なお、同図中の二点鎖線はウエ
ハWが回転ステージRS上に載置されたときの状態を示
している。PEUは出射端LO2を備えた前記露光ユニ
ットU1を含む環状露光部であり、環状露光部PEUは
床部に固定されている。
Wの周辺部を階段状に露光する際の回転ステージRSと
第1の露光光出射部LO1等の位置関係を示す図であ
り、前記図1、図6〜図7に示したものと同一のものに
は同一の符号が付されている。ウエハの周辺部を階段状
に露光する際には、回転ステージRSの回転を停止し、
XYステージXYSによりウエハWをXY方向に移動さ
せながら露光光出射部LO1から露光光をウエハWの周
辺部に照射する。
る際の露光手順の一例を示す図である。図10に示すよ
うに、XYステージXYSによりウエハWをXY方向に
移動させ、まず、同図(a)に示す部分を露光する。つ
いで、ウエハWを90度回転させて、同様に、同図
(b)に示す部分を露光する。
Wの周辺部を環状に露光する際の回転ステージRSと環
状露光部PEUの位置関係を示す図である。同図におい
て、前記図1、図6〜図7に示したものと同一のものに
は同一の符号が付されており、同図には、環状露光部P
EUに設けられた露光ユニットU1の構造が示されてい
る。
前記した発光素子R1と受光素子R2が取り付けられウ
エハWの径方向に移動する第1の移動体S1と、前記第
2の露光光出射部LO2が取り付けられウエハWの径方
向に移動可能に上記第1の移動体S1上に取り付けられ
た第2の移動体S2と、上記移動体S1,S2をそれぞ
れ駆動する第1の駆動機構M1と第2の駆動機構M2か
ら構成されている。そして、第2の駆動機構M2により
第2の移動体を駆動し、第1の移動体S1に対する第2
の移動体S2の位置を所定値に保持させ、発光素子R
1、受光素子R2に対する露光光出射部LO2の相対位
置を設定する。この相対位置により、ウエハWの周辺部
の露光幅(ウエハ径方向の露光長)を定めることができ
る。また、第1の移動体S1に取り付けられた受光素子
R2の出力に基づき、前記したように露光ユニット駆動
機構UD1が、ウエハWのエッジに追従させて上記第1
の移動体S1の位置を制御する。
る際、回転ステージRSは同図に示す位置に停止してお
り、回転駆動機構Mにより回転ステージRSが回転し
て、ウエハWを回転させる。ウエハWが回転していると
き、露光ユニット駆動機構UD1は、受光素子R2の出
力に基づき、上記したように第1の移動体S1の位置を
制御し、第2の移動体S2上に設けられた露光光出射部
LO2から照射される露光光の照射位置をウエハWのエ
ッジに追従させる。これにより、ウエハWの周辺部は所
定の露光幅で露光される。
光装置の動作を説明する図であり、同図を参照しながら
本実施例におけるウエハ周辺露光について説明する。 (1)XYステージ駆動機構SDによりXYステージX
YSを駆動して、回転ステージRSを図11(a)に示
す位置に移動させ、前記図1に示したウエハ搬送系WC
Vにより搬送されたウエハWを受け取る。ウエハWは回
転ステージRSの所定位置に載置され、真空チャック等
により固定される。なお、上記搬送時のウエハWの位置
には若干のバラツキがあり、このバラツキによりウエハ
Wの中心と回転ステージRSの回転中心は必ずしも一致
せず、若干のズレが生ずる。
YステージXYSを駆動して、回転ステージRSを第1
のステーションにある図11(b)に示す位置に移動さ
せ、ウエハWを一回転させる。ウエハWの回転中、ウエ
ハWのエッジ位置がCCDラインセンサLSにより検出
される。CCDラインセンサLSにより求められたウエ
ハWのエッジ位置情報は図1に示した制御装置Cntに
送られ、制御装置Cntに設けられたメモリに記憶され
る。制御装置Cntは、上記メモリに記憶されたウエハ
Wのエッジ位置情報からウエハWの中心と回転ステージ
RSの回転中心のズレ量(以下、これを偏心量という)
を求めるとともに、ウエハWのオリフラOF(もしくは
ノッチN)の位置を求めて記憶する。
Fが図11に示すXY座標系のX軸と平行になるまで、
回転駆動機構Mを駆動して回転ステージRSを回転させ
る。なお、ウエハWにノッチが設けられている場合に
は、ノッチNとウエハWの中心を結ぶ直線がY軸と平行
になるまで回転ステージRSを回転させる。先に述べた
ようにウエハWの周辺部を階段状に露光する際は、上記
オリフラOFやノッチNを基準にして露光が行われる。
これはパターンがオリフラOFやノッチNに対して所定
の位置に形成されているためである。しかしながら、こ
のウエハ周辺露光工程の前工程であるパターン形成工程
の精度によっては、上記パターンの形成位置のオリフラ
OFやノッチNに対する位置関係に誤差が生ずる。よっ
て精度のよい階段状露光を実現するためには、図2に示
すパターンと所定の位置関係にあるアライメント・マー
クWAM1,WAM2を用いてアライメントを行う。
め制御装置Cnt内に記憶されているウエハW上のアラ
イメント・マークWAM1(前記図2参照)の位置情報
に基づき、回転ステージRSの移動量を求めて、XYス
テージ駆動機構SDにより回転ステージRSを移動さ
せ、図11(c)の実線で示すように、ウエハW上に印
されたアライメント・マークWAM1(前記図2参照)
がアライメントユニットAUの視野内に入るようにす
る。なお、先に述べたパターン形成位置の誤差は、アラ
イメント・マークが該視野から外れるほどには大きくな
いので、アライメント・マークWAM1をアライメント
ユニットAUの視野内に入れるための角度方向の補正
は、上記手順(3)においてすでになされていることに
なる。
光照射装置LL1(前記図4参照)から非露光光を放射
し、受像素子IMSでアライメント・マークWAM1の
位置座標を検出して記憶する。 (6)次に制御装置Cntは、XYステージ駆動機構S
Dにより回転ステージRSをアライメント・マークWA
M1とWAM2の距離に相当する量だけX方向に移動さ
せ、図11(c)の二点鎖線で示すように、ウエハW上
に印されたアライメント・マークWAM2がアライメン
トユニットAUの視野内に入るようにする。ついで、ア
ライメントユニットAUの非露光光照射装置LL1(前
記図4参照)から非露光光を放射し、受像素子IMSで
アライメント・マークWAM2の位置座標を検出して記
憶する。
クWAM1,WAM2の位置座標と記憶されている両ア
ライメント・マークの位置情報に基づき、制御装置Cn
tは回転ステージRSの回転量と移動量とを算出し、ウ
エハW上のアライメント・マークWA1,WA2が予め
設定された位置に位置するように回転ステージRSを回
転させるとともに、XYステージXYSを駆動して回転
ステージRSを移動させる。上記(5)〜(7)の操作
を、ウエハW上のアライメント・マークWAM1,WA
M2の実際の位置と、設定位置の差が所定値以内になる
まで繰り返し、差が所定値以内になったら上記非露光光
照射装置LL1からの非露光光の放射を停止する。上記
アライメントの手法としては、先に出願した特願平7−
276207号に示される手法を用いることができ、例
えば上記アライメント・マークWAM1,WAM2を結
ぶ線分とX軸方向の傾きθを求め、該傾きθが所定の値
以内になるように回転ステージRSを回転させて、移動
させている。
に基づき回転ステージRSの移動量を算出し、図12
(d)に示すように露光光出射部LO1からの出射光が
ウエハWの階段状露光開始位置を照射するように、回転
ステージRSを移動させる。 (9)露光用光源LH1のシャッタSH1(前記図1参
照)を開き、露光光出射部LO1から露光光をウエハW
の周辺部に照射し階段状露光を開始する。例えば、前記
図10に示したように、制御装置Cntに予め記憶され
ている階段状露光領域に沿って回転ステージRSをXY
方向に移動させ、ウエハWの周辺部を階段状に露光す
る。図12(e)は上記階段状露光を行っている状態を
示しているなお、XYステージXYSの移動領域が広い
場合、あるいは、階段状露光領域が狭い場合であって、
ウエハWを回転させずに露光できる場合には、必ずしも
前記したようにウエハWを90度毎回転させた後露光し
なくてもよい。
と、制御装置CntはXYステージ駆動機構SDにより
回転ステージRSを第1のステーションから第2のステ
ーションにある図12(f)に示す環状露光開始位置ま
で移動させるとともに、環状露光を行う露光光出射部L
O2からの出射光がウエハWの環状露光開始位置を照射
するように回転ステージRSを回転させる。制御装置C
ntには予め環状露光の開始位置(例えばオリフラOF
あるいはノッチN等の特異点から環状露光開始点までの
回転角等)が記憶されており、制御装置Cntは、上記
記憶された回転角を、前記(2)で求めた偏心量により
補正し、補正された回転角に基づきウエハWの回転量を
算出し、ウエハWを回転させる。
する図である。同図において、Oは回転ステージRSの
回転中心、Pは回転中心OからオリフラOFに下ろした
垂線とオリフラOFとの交点、Qは露光開始位置であ
り、同図(a)はウエハW中心と回転ステージRSの回
転中心Oが一致している場合における線分OPと線分O
Qがなす角度θ1を示し、同図(b)はウエハW中心と
回転ステージRSの回転中心が一致していない場合にお
ける線分OPと線分OQの角度θ2を示している。同図
(a)(b)から明らかなように、ウエハWの中心と回
転ステージRSの回転中心がズレている場合には、点P
を基準とした露光開始位置Qまでの角度はθ2となり、
ウエハWの中心と回転中心が一致しているときの角度θ
1とは異なった値となる。このため、ウエハWの中心と
回転ステージRSの回転中心がズレている場合には、上
記のように偏心量に基づき上記角度差θ1−θ2を算出
し、ウエハWの回転量を補正する必要がある。なお、回
転ステージRSの第1のステーションから第2のステー
ションへの移動と回転は、別々に行ってもよいし、同時
に行ってもよい。同時に行う場合は、階段状露光から環
状露光へ移行するまでの時間を短縮できるので、スルー
プットが向上する。
2(前記図1参照)を開き、ウエハWを回転させなが
ら、露光光出射部LO2から露光光をウエハWの周辺部
に照射し環状露光を行う。その際、前記したように、露
光光出射部LO2はウエハWのエッジに追従してウエハ
Wの径方向に移動し、ウエハWの周辺部が一定の露光幅
で露光される。
源LH2のシャッタSH2を閉じ、XYステージ駆動機
構SDによりXYステージXYSを駆動して、回転ステ
ージRSを移動させて、前記図11(a)に示した位置
に戻す。そして、ウエハ搬送系WCVによりウエハWを
回転ステージRSから取り出して、次の工程に搬送す
る。なお、上記実施例では、ウエハWの全周を露光する
場合について説明したが、ウエハWの周辺部を環状露光
する際、シャッタSH2を開閉して、ウエハWの周辺部
の一部のみを露光するようにしてもよい。
る。本実施例は、一つの露光用光源LH1から供給され
る光を光ファイバLF1,LF2を介して選択的に露光
光出射部LO1,LO2に供給することにより、一つの
露光用光源LH1でウエハ周辺部の階段状露光と環状露
光とを行うようにしたものである。図14において、L
H1は露光用光源であり、露光用光源LH1は前記した
ようにシャッタSH1、シャッタ駆動機構SC1を備え
ている。BPは露光用光源LH1に取り付けられたベー
スプレート、FC1は例えばエアシリンダ等から構成さ
れるファイバ切換機構、MBは上記ベースプレートBP
に移動可能に取り付けられた移動板であり、移動板MB
はファイバ切換機構FC1により同図の上下方向に駆動
される。
B、ベースプレートBPで本実施例のファイバ切換ユニ
ットFCUを構成している。また、LF1,LF2は光
ファイバであり、光ファイバLF1,LF2の一端は上
記移動板MBに保持され、他端はそれぞれ露光光出射部
LO1,LO2に接続されている。なお、その他の構成
は前記図1と同じであり、上記ファイバ切換機構FC1
は前記図1に示した制御装置Cntにより制御される。
ットFCUの構成の一例を示す図であり、図14と同一
のものには同一の符号が付されている。図15に示すよ
うに、露光用光源LH1に取り付けられたベースプレー
トBPには穴h1が設けられており、露光用光源LH1
からの露光光は該穴h1を介して出射される。また、移
動板MBにはホルダH1,H2が取り付けられており、
光ファイバLF1,LF2の一端は上記ホルダH1,H
2に挿入され固定される。移動板MBは前記したファイ
バ切換機構FC1により同図の矢印方向に駆動される。
F1,LF2の取り付け構造を示す図であり、同図は、
図15における移動板MB、ホルダH1,H2の断面構
造を示している。同図に示すように、移動板MBには穴
h2,h3が設けられており、貫通孔を有するホルダH
1,H2が上記穴h2,h3の部分に取り付けられてい
る。そして、光ファイバLF1,LF2の端部は、ホル
ダH1,H2に挿入され、例えば止めネジB1,B2等
で固定される。
上記構成を備えており、ファイバ切換機構FC1により
移動板MBが駆動され、ベースプレートBPの穴h1と
移動板MBの設けられた穴h2が一致すると、露光用光
源LH1から放射される光は穴h1,h2を介して光フ
ァイバLF1に入射し、光ファイバLF2への入射光は
遮断される。また、移動板MBが駆動され、ベースプレ
ートBPの穴h1と穴h3が一致すると、露光用光源L
H1から放射される光は穴h1,h3を介して光ファイ
バLF2に入射し、光ファイバLF1への入射光は遮断
される。
使用したウエハ周辺露光は次のように行われる。なお、
ウエハWの位置合わせ、階段状露光、環状露光等の手順
は前記(1)〜(12)と同様であり、ここでは、主と
してファイバ切換ユニットFCUの動作について説明す
る。 (1)前記したように、露光するウエハWを回転ステー
ジRSに載置し、XYステージXYSを駆動して回転ス
テージRSを第1のステーションの階段状露光位置に移
動させる。 (2)移動板MBがファイバ切換機構FC1により駆動
され、移動板MBは、露光用光源LH1から放射される
露光光が光ファイバLF1(露光光出射部LO1に接続
されている)に入射する位置に移動する。 (3)ウエハWの位置合わせ後、露光用光源LH1のシ
ャッタSH1を開け、露光光出射部LO1から露光光を
照射し、ウエハWの周辺部を階段状に露光する。 (4)露光完了後、上記シャッタSH1を閉じ、露光光
出射部LO1からの露光光の照射を停止する。
転ステージRSを第2のステーションの環状露光位置に
移動させる。 (6)移動板MBがファイバ切換機構FC1により駆動
され、移動板MBは、露光用光源LH1から放射される
露光光が光ファイバLF2(露光光出射部LO2に接続
されている)に入射する位置に移動する。 (7)露光用光源LH1のシャッタSH1を開け、露光
光出射部LO2から露光光を照射し、ウエハWの周辺部
を環状に露光する。 (8)露光完了後、上記シャッタSH1を閉じ、露光光
出射部LO2からの露光光の照射を停止する。
了すると、回転ステージRSを元の位置に戻し、周辺露
光済のウエハWを回転ステージRSから回収し、次の工
程に搬送する。以上のように本実施例においては、ファ
イバ切換ユニットFCUを設けて、一つの露光用光源L
H1からの光を光ファイバLF1,LF2を介して露光
光出射部LO1,LO2に選択的に供給しているので、
一本の光ファイバを途中で分岐して2つの露光光出射部
LO1,LO2に供給する場合のように露光光出射部か
ら出射される露光光の照度が低下することがない。この
ため、ウエハ処理時間が長時間化することがなく、ま
た、露光用光源を大型化する必要もない。
以下の効果を得ることができる。 (1)予め上記半導体ウエハ上に印された第1、第2の
アライメント・マークの位置情報を記憶しておき、レジ
ストが塗布された上記ウエハを第1のステーションに位
置している回転ステージにセットして上記ウエハの回転
ステージ上の載置状態と上記ウエハの特異点の位置を検
出して記憶し、上記検出し記憶されたウエハの載置状態
と特異点の位置と記憶しておいたアライメント・マーク
の位置情報に基づき、上記第1のアライメント・マーク
がアライメントユニットの視野内に入るように上記回転
ステージを移動/回転させ、アライメントユニットによ
り上記ウエハ上に印された第1のアライメント・マーク
の位置を検出して記憶し、 次いで、上記アライメント・
マークの位置情報に基づき、第1、第2のアライメント
・マークの距離に相当する量だけ回転ステージを移動さ
せ、上記第2のアライメント・マークがアライメントユ
ニットの視野内に入るようにし、アライメントユニット
により上記ウエハ上に印された第2のアライメント・マ
ークの位置を検出して記憶し、上記検出し記憶されたア
ライメント・マークの位置に基づき、第1の露光光出射
部からの露光光が上記ウエハ上の第1の露光開始位置に
照射されるように上記回転ステージを移動/回転させ、
上記回転ステージをウエハの面に対して平行に互いに直
交する方向に移動させながら上記第1の露光光出射部か
らウエハの周辺部に露光光を照射してウエハ周辺部の一
部を階段状に露光し、前記検出し記憶された上記ウエハ
の載置状態と上記ウエハの特異点の位置に基づき、上記
回転ステージを第1のステーションから第2のステーシ
ョンに移動させるとともに回転させて、第2の出射部か
らの露光光が、ウエハ周辺部の未露光部分における第2
の露光開始位置に照射されるようにし、次いで、上記第
2のステーションにおいて、回転ステージを回転させ
て、上記第2の露光開始位置から、上記ウエハの未露光
部分に露光光を照射して、上記ウエハの周辺部を環状に
露光するようにしたので、ウエハの載置状態の検出を2
度行うことなく、精度よくウエハ周辺部の一部を階段状
に露光し他の部分を環状に露光することができる。この
ため、少ない作業工程で効率的にウエハ周辺部露光を行
うことができる。ここで、回転ステージの第1のステー
ションから第2のステーションへの移動と、回転は、別
々に行ってもよいし、同時に行ってもよい。同時に行う
場合は階段上露光から環状露光へ移行するまでの時間を
短縮できるので、スループットが向上する。
またはノッチ等の形状上の特異点を有し、表面にフォト
レジストが塗布された半導体ウエハの周辺部を露光する
ウエハ周辺露光装置を、上記ウエハが載置され、上記ウ
エハを回転させる回転ステージと、上記回転ステージを
ウエハ面に対して平行に、かつ互いに直交する方向に移
動させるXYステージと、回転する回転ステージ上のウ
エハの周縁部の位置を検出するウエハ周辺位置検出手段
と、ウエハ上に印された第1、第2のアライメント・マ
ークの位置を検出するアライメントユニットから構成さ
れ、上記ウエハの中心と回転ステージの回転中心のズレ
量と、上記ウエハの特異点の位置と上記ウエハに印され
たアライメント・マークを検出するセンサと、上記セン
サの出力に基づき、上記XYステージを駆動するととも
に、回転ステージを回転させ、上記回転ステージの位置
と回転角を所定値に制御する制御手段と、上記XYステ
ージにより互いに直交する方向に移動する回転ステージ
上の上記ウエハに露光光を照射して、ウエハの周辺部を
階段状に露光する第1のステーションに設けた第1の露
光光出射部と、上記ウエハのエッジ位置に追従してウエ
ハ径方向に移動し、回転する回転ステージ上の上記ウエ
ハに露光光を照射してウエハの周辺部を環状に露光する
第2のステーションに設けた第2の露光光出射部とから
構成したので、ウエハ周辺部を階段状に露光する露光装
置と周辺部を環状に露光する露光装置の2台の露光装置
をそれぞれ用意することなく、1台の装置でウエハ周辺
部の階段状露光および環状露光を行うことができる。ま
た、2つのステーションで露光を行うので、同一のステ
ーションで行う場合に比べ、制御系が大がかりになら
ず、装置自体を安価に製作できる。
アライメント・マークの位置情報を記憶しておき、上記
ウエハ周辺位置検出手段の出力に基づき、上記回転ステ
ージに載置された上記ウエハの中心と回転ステージの回
転中心のズレ量とウエハの特異点の位置を求めて記憶
し、上記検出し記憶されたズレ量と特異点の位置と記憶
しておいたアライメント・マークの位置情報に基づき、
上記第1のアライメント・マークがアライメントユニッ
トの視野内に入るように上記回転ステージを移動/回転
させ、上記アライメントユニットにより上記ウエハ上に
印された第1のアライメント・マークの位置を検出して
記憶し、前記アライメント・マークの位置情報に基づ
き、第1、第2のアライメント・マークの距離に相当す
る量だけ回転ステージを移動させ、上記第2のアライメ
ント・マークがアライメントユニットの視野内に入るよ
うにし、上記アライメントユニットにより上記ウエハ上
に印された第2のアライメント・マークの位置を検出し
て記憶し、上記検出し記憶されたアライメント・マーク
の位置に基づき、第1の露光光出射部からの露光光が上
記ウエハ上の第1の露光開始位置に照射されるように上
記回転ステージを移動/回転させ、上記第1の露光光出
射部からウエハの周辺部に露光光を照射してウエハ周辺
部の一部を階段状に露光し、前記検出し記憶された上記
ズレ量と上記ウエハの特異点の位置に基づき、上記回転
ステージを第1のステーションから第2のステーション
に移動させるとともに回転させて、第2の露光光出射部
からの露光光が、ウエハ周辺部の未露光部分における第
2の露光開始位置に照射されるようにし、上記第2のス
テーションにおいて、回転ステージを回転させて、上記
第2の露光開始位置から、上記ウエハの未露光部分に露
光光を照射して、上記ウエハの周辺部を環状に露光する
ようにしたので、半導体ウエハのオリフラの向き、ノッ
チ位置に対し、露光パターンの形成位置がずれている場
合でも、精度よく効率的にウエハ周辺部の階段状露光お
よび環状露光を行うことができる。
てウエハ径方向に移動し回転する回転ステージ上の上記
ウエハに露光光を照射してウエハの周辺部を環状に露光
する第2の露光光出射部を設けたので、ウエハ中心と回
転ステージの回転中心がズレていても、ウエハの周辺部
を一定の露光幅で露光することができる。る。
第1の露光光出射部と第2の露光光出射部に導く導光ユ
ニットを、光源部と、第1の導光ファイバと、第2の導
光ファイバと、上記第1の導光ファイバと第2の導光フ
ァイバの光入射端を所定の間隔で保持する保持部材と、
該保持部材を駆動する保持部材駆動機構から構成し、上
記第1の導光ファイバと第2の導光ファイバの光出射端
をそれぞれ上記第1の露光光出射部と、第2の露光光出
射部とに接続し、上記制御手段が、上記第1の露光光出
射部から露光光を放出する場合には、上記光源部から放
出される光路中に上記第1の導光ファイバの光入射端が
位置するように保持部材駆動機構により上記保持部材を
駆動し、上記第2の露光光出射部から露光光を放出する
場合には、上記光源部から放出される光路中に上記第2
の導光ファイバの光入射端が位置するように保持部材駆
動機構により上記保持部材を駆動するように構成したの
で、露光用の光源部を一つにすることができ、装置を小
型化することができ、また、コストを削減することがで
きる。さらに、光源部からの光を切り換えて、露光光を
第1および第2の導光ファイバを介して第1、第2の露
光光出射部に供給しているので、光源部を2つ設けた場
合と同様の露光量・照度を得ることができ、処理時間が
長くなることがない。
成を示す図である。
す図である。
る。
ある。
る。
と正面図である。
である。
を示す図である。
示す図である。
手順の一例を示す図である。
を説明する図である。
を説明する図である。
る図である。
示す図である。
取り付け構造を示す図である。
る。
Claims (3)
- 【請求項1】 周縁に形状上の特異点を有し、表面にフ
ォトレジストが塗布された半導体ウエハの周辺に露光光
を照射して、半導体ウエハ上のパターン形成領域以外の
部分の不要レジストを露光するウエハ周辺露光方法であ
って、 予め上記半導体ウエハ上に印された第1、第2のアライ
メント・マークの位置情報を記憶しておき、 レジストが塗布された上記ウエハを第1のステーション
に位置している回転ステージにセットして上記ウエハの
回転ステージ上の載置状態と上記ウエハの特異点の位置
を検出して記憶し、 上記検出し記憶されたウエハの載置状態と特異点の位置
と記憶しておいたアライメント・マークの位置情報に基
づき、上記第1のアライメント・マークがアライメント
ユニットの視野内に入るように上記回転ステージを移動
/回転させ、アライメントユニットにより 上記ウエハ上に印された第
1のアライメント・マークの位置を検出して記憶し、 次いで、上記アライメント・マークの位置情報に基づ
き、第1、第2のアライメント・マークの距離に相当す
る量だけ回転ステージを移動させ、上記第2のアライメ
ント・マークがアライメントユニットの視野内に入るよ
うに し、アライメントユニットにより上記ウエハ上に印された第
2のアライメント・マークの位置を検出して記憶し、 上記検出し記憶されたアライメント・マークの位置に基
づき、第1の露光光出射部からの露光光が上記ウエハ上
の第1の露光開始位置に照射されるように上記回転ステ
ージを移動/回転させ、 上記回転ステージをウエハの面に対して平行に互いに直
交する方向に移動させながら上記第1の露光光出射部か
らウエハの周辺部に露光光を照射してウエハ周辺部の一
部を階段状に露光し、 前記検出し記憶された上記ウエハの載置状態と上記ウエ
ハの特異点の位置に基づき、上記回転ステージを第1の
ステーションから第2のステーションに移動させるとと
もに回転させて、第2の出射部からの露光光が、ウエハ
周辺部の未露光部分における第2の露光開始位置に照射
されるようにし、 次いで、上記第2のステーションにおいて、回転ステー
ジを回転させて、上記第2の露光開始位置から、上記ウ
エハの未露光部分に露光光を照射して、上記ウエハの周
辺部を環状に露光することを特徴とするウエハ周辺露光
方法。 - 【請求項2】 周縁に形状上の特異点を有し、表面にフ
ォトレジストが塗布された半導体ウエハの周辺部を露光
するウエハ周辺露光装置であって、 上記ウエハが載置され、上記ウエハを回転させる回転ス
テージと、 上記回転ステージをウエハ面に対して平行に、かつ互い
に直交する方向に移動させるXYステージと、回転する回転ステージ上のウエハの周縁部の位置を検出
するウエハ周辺位置検出手段と、ウエハ上に印された第
1、第2のアライメント・マークの位置を検出するアラ
イメントユニットから構成され、 上記ウエハの中心と回
転ステージの回転中心のズレ量と、上記ウエハの特異点
の位置と上記ウエハに印されたアライメント・マークを
検出するセンサと、 上記センサの出力に基づき、上記XYステージを駆動す
るとともに、回転ステージを回転させ、上記回転ステー
ジの位置と回転角を所定値に制御する制御手段と、 上記XYステージにより互いに直交する方向に移動する
回転ステージ上の上記ウエハに露光光を照射して、ウエ
ハの周辺部を階段状に露光する第1のステーションに設
けた第1の露光光出射部と、 上記ウエハのエッジ位置に追従してウエハ径方向に移動
し、回転する回転ステージ上の上記ウエハに露光光を照
射してウエハの周辺部を環状に露光する第2のステーシ
ョンに設けた第2の露光光出射部とを備え、上記制御手段は、 上記第1、第2のアライメント・マークの位置情報を記
憶しておき、 上記ウエハ周辺位置検出手段の出力に基づき、 上記回転
ステージに載置された上記ウエハの中心と回転ステージ
の回転中心のズレ量とウエハの特異点の位置を求めて記
憶し、 上記検出し記憶されたズレ量と特異点の位置と記憶して
おいたアライメント・マークの位置情報に基づき、上記
第1のアライメント・マークがアライメントユニットの
視野内に入るように上記回転ステージを移動/回転さ
せ、上記アライメントユニットにより 上記ウエハ上に印され
た第1のアライメント・マークの位置を検出して記憶
し、 前記アライメント・マークの位置情報に基づき、第1、
第2のアライメント・マークの距離に相当する量だけ回
転ステージを移動させ、上記第2のアライメント・マー
クがアライメントユニットの視野内に入るように し、 上記アライメントユニットにより上記ウエハ上に印され
た第2のアライメント・マークの位置を検出して記憶
し、 上記検出し記憶されたアライメント・マークの位置に基
づき、第1の露光光出射部からの露光光が上記ウエハ上
の第1の露光開始位置に照射されるように上記回転ステ
ージを移動/回転させ、 上記第1の露光光出射部からウエハの周辺部に露光光を
照射してウエハ周辺部の一部を階段状に露光し、 前記検出し記憶された上記ズレ量と上記ウエハの特異点
の位置に基づき、上記回転ステージを第1のステーショ
ンから第2のステーションに移動させるとともに回転さ
せて、第2の露光光出射部からの露光光が、ウエハ周辺
部の未露 光部分における第2の露光開始位置に照射され
るようにし、上記第2のステーションにおいて、回転ステージを回転
させて、上記第2の露光開始位置から、上記ウエハの未
露光部分に露光光を照射して、上記ウエハの周辺部を環
状に露光する ことを特徴とするウエハ周辺露光装置。 - 【請求項3】 露光光を上記第1の露光光出射部と第2
の露光光出射部に導く導光ユニットを、光源部と、第1
の導光ファイバと、第2の導光ファイバと、上記第1の
導光ファイバと第2の導光ファイバの光入射端を所定の
間隔で保持する保持部材と、該保持部材を駆動する保持
部材駆動機構から構成し、 上記第1の導光ファイバと第2の導光ファイバの光出射
端はそれぞれ上記第1の露光光出射部と、第2の露光光
出射部とに接続されており、上記制御手段は 、上記第1の露光光出射部から露光光を
放出する場合には、上記光源部から放出される光路中に
上記第1の導光ファイバの光入射端が位置するように保
持部材駆動機構により上記保持部材を駆動し、 上記第2の露光光出射部から露光光を放出する場合に
は、上記光源部から放出される光路中に上記第2の導光
ファイバの光入射端が位置するように保持部材駆動機構
により上記保持部材を駆動することを特徴とする請求項
2のウエハ周辺露光装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16144396A JP3237522B2 (ja) | 1996-02-05 | 1996-06-21 | ウエハ周辺露光方法および装置 |
TW085115888A TW326552B (en) | 1996-02-05 | 1996-12-23 | The exposure method and apparatus for wafer edge |
EP97101723A EP0788032B1 (en) | 1996-02-05 | 1997-02-04 | Process for exposing a peripheral area of a wafer and a device for executing the process |
DE69702272T DE69702272T2 (de) | 1996-02-05 | 1997-02-04 | Verfahren zum Belichten der Randbereiche eines Halbleiterwafers, und Gerät zur Ausführung des Verfahrens |
US08/794,829 US5929976A (en) | 1996-02-05 | 1997-02-05 | Process for exposing a peripheral area of a wafer and a device for executing the process |
KR1019970003597A KR100434826B1 (ko) | 1996-02-05 | 1997-02-05 | 웨이퍼주변노광방법및장치 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8-18625 | 1996-02-05 | ||
JP1862596 | 1996-02-05 | ||
JP16144396A JP3237522B2 (ja) | 1996-02-05 | 1996-06-21 | ウエハ周辺露光方法および装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09275073A JPH09275073A (ja) | 1997-10-21 |
JP3237522B2 true JP3237522B2 (ja) | 2001-12-10 |
Family
ID=26355329
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16144396A Expired - Fee Related JP3237522B2 (ja) | 1996-02-05 | 1996-06-21 | ウエハ周辺露光方法および装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5929976A (ja) |
EP (1) | EP0788032B1 (ja) |
JP (1) | JP3237522B2 (ja) |
KR (1) | KR100434826B1 (ja) |
DE (1) | DE69702272T2 (ja) |
TW (1) | TW326552B (ja) |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1244018C (zh) * | 1996-11-28 | 2006-03-01 | 株式会社尼康 | 曝光方法和曝光装置 |
JPH10209039A (ja) | 1997-01-27 | 1998-08-07 | Nikon Corp | 投影露光方法及び投影露光装置 |
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EP1256848A3 (en) * | 2001-05-08 | 2003-01-02 | ASML Netherlands B.V. | Optical exposure method and lithographic projection apparatus |
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JPH0795516B2 (ja) | 1988-01-29 | 1995-10-11 | ウシオ電機株式会社 | ウエハ周辺露光方法及び装置 |
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-
1996
- 1996-06-21 JP JP16144396A patent/JP3237522B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-23 TW TW085115888A patent/TW326552B/zh active
-
1997
- 1997-02-04 DE DE69702272T patent/DE69702272T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-02-04 EP EP97101723A patent/EP0788032B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-02-05 KR KR1019970003597A patent/KR100434826B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-02-05 US US08/794,829 patent/US5929976A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0788032B1 (en) | 2000-06-14 |
DE69702272T2 (de) | 2000-12-21 |
TW326552B (en) | 1998-02-11 |
EP0788032A1 (en) | 1997-08-06 |
KR970063424A (ko) | 1997-09-12 |
US5929976A (en) | 1999-07-27 |
KR100434826B1 (ko) | 2004-09-13 |
DE69702272D1 (de) | 2000-07-20 |
JPH09275073A (ja) | 1997-10-21 |
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JPH0410208B2 (ja) | ||
JP2003273005A (ja) | 露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071005 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081005 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081005 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091005 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091005 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101005 Year of fee payment: 9 |
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