JP7124277B2 - 光処理装置及び基板処理装置 - Google Patents
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Description
前記LEDの発光強度の調整のみによって基板の表面の露光量が調整されるように構成された光処理装置において、
前記光照射ユニットから照射される光を基板の相対的移動領域から外すための光路変更部と、
前記基板が光の照射による処理を目的としないで光照射ユニットの下方側を相対的に移動するときには、前記光源部を発光させた状態で前記光路変更部により基板の表面に照射領域が形成されないように制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記光路変更部は、前記光源部を水平軸周りに回動させる回動部であることを特徴とする。
他の発明の光処理装置は、基板の搬入出を行う搬入出口が形成された筐体と、前記筐体内に設けられ、基板を載置する載置台と、前記載置台の上方に設けられ、基板の表面を露光するための光照射ユニットと、前記載置台と光照射ユニットとを前後方向に互いに相対的に移動させる移動機構と、を備え、
前記光照射ユニットは、LEDからなる光源部を発光させて、底部に形成された帯状の光の照射口を介して照射することにより、基板の左右方向の幅よりも広い領域に亘って伸びる帯状の照射領域を形成するように構成され、
前記LEDの発光強度の調整のみによって基板の表面の露光量が調整されるように構成された光処理装置において、
前記光照射ユニットから照射される光による照射領域が基板の相対的移動領域に形成されないようにするために前記光の照射口を遮蔽する遮蔽部材と、
前記遮蔽部材を前記光の照射口を塞ぐ位置と開放する位置との間で移動させる遮蔽部材駆動部と、
前記基板が光の照射による処理を目的としないで光照射ユニットの下方側を相対的に移動するときには、前記光源部を発光させた状態で前記遮蔽部材を前記光の照射口を塞ぐ位置に設定するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
インターフェイスブロックD4は、単位ブロックE1~E6に跨って上下に伸びるタワーT2、T3、T4を備えており、タワーT2とタワーT3に対してウエハWの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構であるインターフェイスアーム16と、タワーT2とタワーT4に対してウエハWの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構であるインターフェイスアーム17と、タワーT2と露光装置D5の間でウエハWの受け渡しを行うためのインターフェイスアーム18が設けられている。露光装置D5はパターンマスクを用いてウエハWの表面を露光する。タワーT2は、受け渡しモジュール、露光処理前の複数枚のウエハWを格納して滞留させるバッファモジュール、露光処理後の複数枚のウエハWを格納するバッファモジュール、及びウエハWの温度調整を行う温度調整モジュールなどが互いに積層されて構成されている。
次いで照度センサ64により各セルごとの照度の測定を行い、LED42の各セルごとに設定値通りの照度となっているかを判定し、LED制御部44により、当該LED42に供給する電流を調整することによりLED42の光強度を調整して照度が設定値の照度となるように調整される。
そしてLED光源群400の各セルは、対応するウエハWの分割領域を夫々露光したときに、ウエハWの表面全体で積算露光量が均一になるように設定されている。そのためウエハWを待機位置Bから受け渡し位置Aに移動させて露光することにより、ウエハWの表面全体が露光装置D5におけるパターン露光時の露光量と併せて、ウエハW全体の露光量が均一になる。そしてウエハWの露光処理が終了すると光照射ユニット4においては、シャッター45を閉じて待機する。さらにウエハWが受け渡し位置Aに戻ると、開閉板34aが開かれ、受け渡し位置AにあるウエハWが搬送アーム14に取り出され、現像装置に搬送される。ウエハWは、表面全体で積算露光量が均一になっているため、現像処理を行った時にウエハWの表面全体における線幅が揃う。そして既述のように加熱処理が行われた後、キャリアCに戻される。一括露光装置3においては、例えば後続の製品用のウエハWが搬入され、同様に光照射処理が行われる。
またシャッター45を設けず、LED光源群400を発光させたままにする場合には、図2に示す待機位置BからウエハWを搬出しなければならないが、既述の実施の形態では、同じ受け渡し位置AにてウエハWの搬入、搬出を行うことができる。このため図1に示すような塗布、現像装置に一括露光装置3を設置するにあたって、ウエハWの搬送領域に臨むように設ける一括露光装置3の搬入出口34が一か所となるため、塗布、現像装置内のモジュールの配置レイアウトが簡単になり、装置の大型化を避けることができる。
このような例としては、シャッター45の表面に凹凸加工を行った例が挙げられる。シャッター45の表面に凹凸面を設けた構成とすることで、LED光源群400から照射される光が散乱し、シャッター45で反射し、LED光源群400に向かって反射する光の照度を減衰することができ、LED光源群400に反射する光の照度が弱くなる。シャッター45のLED光源群400の光が照射される面に反射防止膜を形成してもよい。このようにシャッター45におけるLED光源群400の光が照射される照射面に、光を散乱または減衰させて、反射されてLED光源群400に戻る光の光強度を減衰させる凹凸面や反射防止膜などの光減衰部を設けることでLED光源群400に大きな照度の光が照射されることを防ぐことができる。
さらにウエハWを受け渡し位置Aから待機位置Bに露光を目的としないでウエハWをLED光源群400の下方を通過させた後、露光を目的として、受け渡し位置Aから待機位置Bとの間を複数回移動させてもよい。さらに載置台31の位置が固定され光照射ユニット4が前後方向に移動してウエハWに光を照射する構成でも良い。
さらに本発明は、ウエハWの移動領域に光を照射を行い、ウエハWを鉛直軸周りに回転させながら光の照射領域を通過させて、ウエハWの光処理を行う光照射装置であってもよい。さらにウエハWをLED光源群400の下方を露光を目的として、受け渡し位置Aから待機位置Bとの間を複数回移動させるにあたって、例えばウエハWを回転させて受け渡し位置Aと待機位置Bとの間を移動させて光処理を行い、次いでウエハWを回転させずに受け渡し位置Aと待機位置Bとの間を移動させて光処理を行ってもよい。
このような例について図3~7で示した一括露光装置3を用いた処理シーケンスについて図15を参照して説明する。この例では時刻t0にて、開閉板34aを開き、既に一括露光装置3にて光照射による処理が行われ、受け渡し位置Aに戻った、ウエハWが搬送アーム14により搬出され、次に処理すべきウエハWが受け渡し位置Aにある載置台31に受け渡される(処理済みウエハWと処理前ウエハWとの交換)。さらに搬送アーム14を一括露光装置3外に退避させ、時刻t1にて開閉板34aを閉じると共に、シャッター45を閉じる。次いでシャッター45を閉じた状態で載置台31を待機位置(アライメント位置)Bに前進させ(時刻t2~t3)、待機位置Bにて既述のようにウエハWの位置合わせ(アライメント)を行う。ウエハWの位置合わせ終了後の時刻t4においてシャッター45を開くと共に、ウエハWの回転を開始する。
これによりウエハWの表面全体が光照射されて露光される(時刻t6)。ウエハWが露光領域を通過した後、シャッター45を開いた状態で、ウエハWの回転を減速させてウエハWの回転を停止し、ウエハWを受け渡し位置Aに移動させる(時刻t7)。さらにシャッター45を開いた状態で開閉板34aを開き、光照射処理を終えたウエハWを搬出すると共に、後続の製品用ウエハWを載置台31に受け渡し、同様にウエハWに光照射処理を行う。
4 光照射ユニット
5 位置合わせ機構
6 照度検出部
7 回転軸
30 筐体
31 載置台
32 駆動部
33 ガイドレール
34 搬入出口
40 ケース体
42 LED
43 スリット
45 シャッター
47 シャッター駆動部
48 回転軸
49 ミラー部材
400 LED光源群
Claims (9)
- 基板の搬入出を行う搬入出口が形成された筐体と、前記筐体内に設けられ、基板を載置する載置台と、前記載置台の上方に設けられ、LEDからなる光源部を発光させて基板の左右方向の幅よりも広い領域に亘って伸びる帯状の照射領域を形成し、基板の表面を露光するための光照射ユニットと、前記載置台と光照射ユニットとを前後方向に互いに相対的に移動させる移動機構と、を備え、
前記LEDの発光強度の調整のみによって基板の表面の露光量が調整されるように構成された光処理装置において、
前記光照射ユニットから照射される光を基板の相対的移動領域から外すための光路変更部と、
前記基板が光の照射による処理を目的としないで光照射ユニットの下方側を相対的に移動するときには、前記光源部を発光させた状態で前記光路変更部により基板の表面に照射領域が形成されないように制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記光路変更部は、前記光源部を水平軸周りに回動させる回動部であることを特徴とする光処理装置。 - 基板の搬入出を行う搬入出口が形成された筐体と、前記筐体内に設けられ、基板を載置する載置台と、前記載置台の上方に設けられ、基板の表面を露光するための光照射ユニットと、前記載置台と光照射ユニットとを前後方向に互いに相対的に移動させる移動機構と、を備え、
前記光照射ユニットは、LEDからなる光源部を発光させて、底部に形成された帯状の光の照射口を介して照射することにより、基板の左右方向の幅よりも広い領域に亘って伸びる帯状の照射領域を形成するように構成され、
前記LEDの発光強度の調整のみによって基板の表面の露光量が調整されるように構成された光処理装置において、
前記光照射ユニットから照射される光による照射領域が基板の相対的移動領域に形成されないようにするために前記光の照射口を遮蔽する遮蔽部材と、
前記遮蔽部材を前記光の照射口を塞ぐ位置と開放する位置との間で移動させる遮蔽部材駆動部と、
前記基板が光の照射による処理を目的としないで光照射ユニットの下方側を相対的に移動するときには、前記光源部を発光させた状態で前記遮蔽部材を前記光の照射口を塞ぐ位置に設定するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする光処理装置。 - 前記遮蔽部材は、前記光の照射口を遮蔽したときに反射して光源部に到達する反射光の照度が前記光源部に悪影響を及ぼさない照度であることを特徴とする請求項2に記載の光処理装置。
- 前記遮蔽部材は、前記光の照射口を遮蔽したときに光源部の光が照射される照射面に凹凸が設けられていることを特徴とする請求項3に記載の光処理装置。
- 前記遮蔽部材は、前記光の照射口を遮蔽したときに光源部の光が照射される照射面に反射防止膜が設けられていることを特徴とする請求項3に記載の光処理装置。
- 前記遮蔽部材は、前記光の照射口を遮蔽したときに光源部の光が照射される照射面が、反射光が光源部の方向とは異なる角度に反射するように傾斜したことを特徴とする請求項2に記載の光処理装置。
- 前記載置台は、前記筐体内に前記搬入出口を介して基板が受け渡される受け渡し位置と基板が待機される待機位置との間で移動自在に構成され、
前記光照射ユニットは、前記載置台の移動領域における受け渡し位置と待機位置との間の上方に設けられ、
前記制御部は、載置台が前記受け渡し位置と待機位置との間で移動するときに光照射ユニットから基板に対して光を照射するステップと、前記基板が光の照射による処理を目的としないで光照射ユニットの下方側を移動するステップと、を実行するためのプログラムを備えていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の光処理装置。 - レジスト膜を形成した基板に対して、パターンマスクを用いてパターン露光を行った後にパターン露光領域を露光する装置であることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一項に記載の光処理装置。
- レジスト膜を形成した基板に対して処理を行う基板処理装置であって、請求項1ないし8のいずれか一項に記載の光処理装置を備えることを特徴とする基板処理装置。
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Citations (7)
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---|---|---|---|---|
JP2006053513A (ja) | 2004-07-16 | 2006-02-23 | Sharp Corp | 露光装置および露光方法 |
JP2006186291A (ja) | 2004-11-30 | 2006-07-13 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 直接露光装置および直接露光方法 |
JP2011023471A (ja) | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Seiko Instruments Inc | 半導体露光装置 |
JP2011028122A (ja) | 2009-07-28 | 2011-02-10 | Nsk Ltd | 露光装置及び露光方法 |
JP2011220963A (ja) | 2010-04-14 | 2011-11-04 | Ushio Inc | マイクロtas用基板の表面処理方法および装置並びにマイクロtas用基板の表面処理用マスク |
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Patent Citations (7)
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---|---|---|---|---|
JP2006053513A (ja) | 2004-07-16 | 2006-02-23 | Sharp Corp | 露光装置および露光方法 |
JP2006186291A (ja) | 2004-11-30 | 2006-07-13 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 直接露光装置および直接露光方法 |
JP2011023471A (ja) | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Seiko Instruments Inc | 半導体露光装置 |
JP2011028122A (ja) | 2009-07-28 | 2011-02-10 | Nsk Ltd | 露光装置及び露光方法 |
JP2011220963A (ja) | 2010-04-14 | 2011-11-04 | Ushio Inc | マイクロtas用基板の表面処理方法および装置並びにマイクロtas用基板の表面処理用マスク |
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