JP6020344B2 - レジストパターン形成方法、塗布、現像装置、記憶媒体 - Google Patents
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Description
基板に化学増幅型のレジストを塗布する工程と、
次に前記基板のレジスト膜を露光してパターンの潜像を形成する工程と、
露光後のレジスト膜に、第1の加熱源から波長が2.5μm〜5μmの赤外線を選択的に照射する工程と、
続いて露光により生じたレジスト膜中の酸を拡散させるために、前記第1の加熱源とは異なる第2の加熱源により、前記基板を加熱する工程と、
然る後、基板に現像液を供給して前記レジスト膜にパターンを形成する工程と、
を備えたことを特徴とする。
また、本発明によれば、露光前のレジスト膜に第1の加熱源から波長が2.5μm〜5μmの赤外線を選択的に照射しているときに、第2の加熱源により基板を加熱して、レジスト膜を乾燥させる。それによって、後の評価試験で示すように、レジストパターンの側壁の荒れが抑えられる。これは、上記の波長の赤外線により、第2の加熱源に起因するレジスト膜の温度分布のばらつきが抑えられ、レジストの粒子の凝集が防がれたためであると考えられる。
本発明の第1の実施形態に係るレジストパターン形成方法を実行するための、塗布、現像装置1について説明する。図1、図2、図3は、夫々当該塗布、現像装置1の平面図、斜視図、概略縦断側面図である。この塗布、現像装置1は、キャリアブロックD1と、処理ブロックD2と、インターフェイスブロックD3と、を直線状に接続して構成されている。インターフェイスブロックD3にはさらに露光装置D4が接続されている。以降の説明では、ブロックD1〜D3の配列方向(図1中Y方向)を前後方向とする。キャリアブロックD1は、ウエハWを複数枚含むキャリアCを塗布、現像装置1に搬入出する役割を有し、キャリアCの載置台11と、開閉部12と、開閉部12を介してキャリアCからウエハWを搬送するための移載機構13とを備えている。
例えば露光装置D4は、所定のパターンに沿って開口部が形成されたマスクを介してウエハWのレジスト膜を露光する。
第2の実施形態では、第1の実施形態と同様の塗布、現像装置1が用いられるが、単位ブロックE3、E4の加熱モジュールとして、上記の加熱モジュール2が設けられる。また、例えば単位ブロックE5、E6の加熱モジュールとしては、上記のフィルタ36及び赤外線ランプ34が設けられていない加熱モジュール20により構成される。
(評価試験1)
上記の第1の実施形態で示した手順に従って、複数枚のウエハWに処理を行った。ウエハWごとに露光装置D4における露光ビームのエネルギー量であるDose量(mJ/cm2)を変更して処理を行い、レジストパターン54の線幅であるCD(nm)と、レジストパターン54の側壁の荒れの指標であるLWR:Line Width Roughness(nm)とについて測定した。前記Dose量は1mJ/cm2刻みで変更し、Dose量を夫々16.5mJ/cm2、17.5mJ/cm2、18.5mJ/cm2、19.5mJ/cm2、20.5mJ/cm2としたものを、評価試験1−1、1−2、1−3、1−4、1−5と記載する。前記LWRは、レジストパターン54の線幅の最大値−最小値であり、上記の図14に示すようにレジストパターン54が形成された場合、図中のL1とL2との差分である。このLWRの値が小さいほどレジストパターン54の側壁の荒れが抑えられており、好ましい。
続いて、評価試験2−1として上記の第2の実施形態と同様の手順で処理を行った。つまりPABを行う際にウエハWに赤外線を照射し、その後は赤外線の照射を行わずにウエハWにレジストパターン54を形成した。評価試験2−2として、評価試験2−1と同様の手順でPABを行い、レジストパターン54を形成したが、露光後は第1の実施形態と同様にウエハWに赤外線を照射すると共にウエハWを加熱することでPEBを行った。評価試験2−3として、評価試験1と同様に冷却プレート上のウエハWに赤外線を照射し、その後ウエハWを熱板25に載置してPEBを行い、ウエハWにレジストパターン54を形成した。この評価試験2−3では、PABを行う際に赤外線の照射を行っていない。また、この評価試験2−3において、前記赤外線の照射は評価試験2−2よりも長い時間、具体的には3分間行った。評価試験2−1〜2−3で形成されたレジストパターン54の断面を観察し、その高さを測定した。また、対照試験としてレジスト塗布後からPEBを行うまでにウエハWに赤外線を照射せずにレジストパターン54を形成した。この対照試験においても、評価試験2−1〜2−3と同様に、レジストパターン54の断面を観察し、その高さを測定した。
評価試験3として、第1の実施形態に沿って処理を行い、PEBを行うために加熱中のウエハWに赤外線を照射して、レジストパターンを形成した。ウエハWごとに赤外線の照射時間は40秒〜80秒の範囲で変更した。またこの評価試験3において、露光装置D4としてはArFを光源とする装置を用い、レジストに45nmのパターンを形成するように設定した。また、対照試験として露光後に赤外線を照射せずにウエハWに処理を行い、レジストパターンを形成した。PEBを行う際に熱板25にウエハWを載置する時間は、60秒とした。これら評価試験3と対照試験とにおいて、ウエハWの各所におけるレジストパターンのLWRを測定した。また、測定されたLWRについて、その平均を算出した。
従って、この評価試験3より、上記の第1の実施形態の手法でLWRを小さくすることができる、即ちレジストパターン54の荒れを抑えることができることが示された。
評価試験4として、第2の実施形態に沿って処理を行い、ウエハWにレジストパターン54を形成した。即ち、PABを行うときに2.5μm〜5μmの波長の赤外線をウエハWに照射した。露光後はウエハWに前記赤外線の照射を行っていない。この評価試験4では、ウエハWごとに赤外線の照射時間を50秒〜70秒の範囲で変更した。また、対照試験としてPABを行うときに前記赤外線の照射を行わないことを除いて、評価試験4と同様にウエハWにレジストパターンを形成した。つまり、この対照試験ではレジスト塗布からレジストパターンを形成するまでに、ウエハWに赤外線の照射を行っていない。この対照試験では、ウエハWの加熱時間は60秒とした。これら評価試験4−1〜4−3及び対照試験を行ったウエハWについて、レジストパターンのCDとLWRとを測定した。
評価試験5として、評価試験4と略同様の手順で処理を行った。評価試験4との差異として、第1の実施形態と同様に、PEBを行う際にもウエハWに上記の範囲の波長の赤外線を照射した。このPEB処理時の赤外線の照射時間は60秒に設定した。PABを行う際の赤外線の照射時間については、評価試験4と同様にウエハWごとに変更した。評価試験4と同様に、ウエハWごとにPAB時における赤外線の照射時間を50秒〜70秒の範囲で変更した。
評価試験6として、評価試験1と同様に、冷却プレートに載置した露光後のウエハWに赤外線を照射し、その後ウエハWを熱板25に移載してPEBを行い、レジストパターン54を形成した。ウエハWごとに前記赤外線の照射時間を80秒〜300秒の範囲で変更した。熱板25による加熱時間は60秒とした。評価試験3〜5と同様に、形成されたレジストパターンについて、ウエハWの各所におけるLWRを測定し、その平均値を算出した。また、このレジストパターンのCDを測定した。
評価試験7として、評価試験3と同様に露光後のウエハWについて、加熱中に上記の波長の赤外線を照射して、レジストパターン54を形成した。前記赤外線の照射時間については、ウエハWごとに、40秒〜70秒の範囲において10秒刻みで変更した。この評価試験7では、露光装置D4としてKrFを光源とする装置を用い、レジストとしては、EUV露光用に開発されたレジストを用いた。また、この評価試験7では、同じウエハWの異なる箇所に、Dose量を変えて露光処理を行った。形成されたレジストパターン54については、CDとLWRとを測定し、レジストパターン54のCDが目標とする値となるDose量(適正Dose量とする)を調べた。対照試験として、前記赤外線を照射しないことを除いて、評価試験7と同様にウエハWに処理を行って、レジストパターン54を形成した。そして、評価試験7と同じくCD、LWR及び適正Dose量を調べた。
1 塗布、現像装置
2 加熱モジュール
25 熱板
24 冷却プレート
34 赤外線ランプ
36 フィルタ
41 レジスト膜
51 露光領域
52 遮光領域
53 中間領域
Claims (13)
- 基板に化学増幅型のレジストを塗布する工程と、
次に前記基板のレジスト膜を露光してパターンの潜像を形成する工程と、
露光後のレジスト膜に、第1の加熱源から波長が2.5μm〜5μmの赤外線を選択的に照射する工程と、
続いて露光により生じたレジスト膜中の酸を拡散させるために、前記第1の加熱源とは異なる第2の加熱源により、前記基板を加熱する工程と、
然る後、基板に現像液を供給して前記レジスト膜にパターンを形成する工程と、
を備えたことを特徴とするレジストパターン形成方法。 - 前記第2の加熱源は、基板が載置される加熱プレートであることを特徴とする請求項1記載のレジストパターン形成方法。
- 前記基板を加熱する工程は、前記第2の加熱源とは異なる前記第1の加熱源により、前記赤外線を前記レジスト膜に照射する工程をさらに備えることを特徴とする請求項2記載のレジストパターン形成方法。
- 前記赤外線をレジスト膜に照射する工程は、基板を前記加熱プレートに搬送するために移動する移動部に載置された基板に対して行われることを特徴とする請求項2または3記載のレジストパターン形成方法。
- 前記第1の加熱源は、赤外線の照射部と、前記照射部から基板へ向かう赤外線の光路に位置する赤外線のフィルタと、により構成され、
前記第2の加熱源は、前記赤外線の照射部と、前記光路から外れた位置に移動した前記赤外線のフィルタと、により構成され、
前記光路に対して前記フィルタを相対的に移動させる工程を含むことを特徴とする請求項1記載のレジストパターン形成方法。 - 前記基板にレジストを塗布する工程を行った後、前記パターンの潜像を形成する工程を行う前において、
前記基板のレジスト膜に、第3の加熱源から波長が2.5μm〜5μmの赤外線を選択的に照射すると共に、前記レジスト膜を乾燥させるために、前記第3の加熱源とは異なる第4の加熱源により、前記赤外線が照射されている基板を加熱する膜乾燥工程が行われることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載のレジストパターン形成方法。 - 前記第4の加熱源は、基板が載置される加熱プレートであることを特徴とする請求項6記載のレジストパターン形成方法。
- 前記膜乾燥工程は、基板を前記加熱プレートに載置して前記加熱プレートにより加熱しながら前記レジスト膜に前記赤外線を照射する工程を含むことを特徴とする請求項7記載のレジストパターン形成方法。
- 前記膜乾燥工程に加えて、前記加熱プレートに搬送するために移動する移動部に載置された基板に対して前記レジスト膜に前記赤外線を照射する工程が行われることを特徴とする請求項7または8記載のレジストパターン形成方法。
- 基板に化学増幅型のレジストを塗布してレジスト膜を形成するためのレジスト塗布モジュールと、
露光されてパターンの潜像が形成された前記レジスト膜に、波長が2.5μm〜5μmの赤外線を選択的に照射する第1の加熱源を備える赤外線照射モジュールと、
前記第1の加熱源により赤外線が照射された基板を加熱し、露光により生じた酸を拡散させるための第1の加熱源とは異なる第2の加熱源を備えた露光後加熱モジュールと、
前記露光後加熱モジュールにて加熱された基板に現像液を供給して前記レジスト膜にパターンを形成するための現像モジュールと、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 前記赤外線照射モジュールと露光後加熱モジュールとは、共通のモジュールであることを特徴とする請求項10記載の塗布、現像装置。
- 前記パターンの潜像が形成される前のレジスト膜に、波長が2.5μm〜5μmの赤外線を選択的に照射する第3の加熱源と、露光前の前記レジスト膜を乾燥させるために前記赤外線が照射されている基板を加熱する、前記第3の加熱源とは異なる第4の加熱源と、を備えた露光前加熱モジュールが設けられることを特徴とする請求項10または11に記載の塗布、現像装置。
- レジストパターンの形成方法に用いられるプログラムを格納する記憶媒体であって、
前記プログラムは、請求項1ないし9のいずれか一項の方法を実行するようにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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