JP4804332B2 - ベーキング装置及び基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、フォトリソグラフィーで被処理基板に加熱処理を施すベーキング装置、および基板上に塗布されたレジストに露光前の一連の処理を施す基板処理装置に関する。

半導体デバイスやフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造では、構成部材の多くがフォトリソグラフィーを用いて作成されている。一般に、フォトリソグラフィーのプロセスは、被処理基板（半導体ウエハ、ガラス基板等）上にレジストを塗布する塗布工程、フォトマスクのパターンをレジスト膜に転写する露光工程、およびレジスト膜の潜像パターンを現像化する現像工程の３つを基本工程とし、これら基本工程の前後または合間に補助工程として種々の熱処理を行っている。たとえば、塗布工程前には、基板から水分を取り除くための熱処理（脱水ベーク）が行われる。塗布工程と露光工程の間では、レジスト膜の残留溶剤を蒸発させるための熱処理（プリベーク）が行われる。現像工程後は、レジストパターンに残留している現像液や洗浄液を蒸発除去するための熱処理（ポストベーク）が行われる。

従来のベーキング装置は、概して、いわゆるホットプレートオーブンの構成を採っており、熱板の上に基板を載置して、上から蓋を被せてチャンバを形成し、チャンバ内で基板を加熱してレジスト膜から揮発した溶剤（一般にシンナー）を排気するようにしている。この種の処理装置は、外部の搬送ロボットと基板の受け渡しを行うために熱板の貫通孔から複数本のリフトピンを出没させて基板を上げ下げするリフトピン機構や、蓋を熱板の上に被せたり上方へ開けたりする蓋開閉機構を備えている。あるいは、上蓋を固定して一側壁に基板の搬入出口を設けるタイプのものは、該基板搬入出口を開閉するためのゲート機構を備えている（たとえば特許文献１，２参照）。
特開平８−３１３８５５号公報 特開平１１−２０４４２８号公報

しかしながら、従来のベーキング装置においては、基板の搬入出に費やす時間が多く、スループットが低いという問題がある。すなわち、枚葉方式で１回の熱処理を終えると、蓋開閉機構またはゲート機構が蓋またはゲートを開放する一方で、リフトピン機構がリフトピンを上昇させて基板を熱板の上方へ持ち上げる。直後に、外部の搬送ロボットが、当該処理済みの基板をリフトピンから受け取って、代わりに新規の未処理基板をリフトピンに渡す。この新規の基板がリフトピンに載った直後にリフトピン機構がリフトピンを降ろして基板を熱板の上に移載し、搬送ロボットが退避した後に蓋開閉機構またはゲート機構が蓋またはゲートを閉める。この一連の基板搬出／搬入動作に相当（たとえば数十秒程度）の時間を要している。さらに、蓋またはゲートを開けた際にチャンバ内の雰囲気が変わるとともに熱板の温度が下がり、蓋またはゲートを閉めてからチャンバ内の雰囲気や熱板の温度が基準状態または基準値まで回復するのにも相当（たとえば１０秒程度）の時間がかかる。したがって、装置一台のタクトタイムがたとえば６０秒であるとすると、その約半分（３０秒前後）を上記のような基板搬入出や雰囲気等の回復に費やしているのが現状である。このため、システム全体のタクトタイムが装置一台のタクトタイムよりも短い場合は、複数台のベーキング装置を一定の時間差で並列稼動させている。その場合、排気系もベーキング装置の台数に応じて複数台必要になる。

本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、スループットないしタクトの向上および装置構成の簡易化・低コスト化を実現できるベーキング装置および基板処理装置を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明のベーキング装置は、被処理基板を略水平な所定の搬送方向に平流しで搬送する搬送路と、前記搬送路の下方に熱源として配置される１個または複数個の遠赤外線ヒータと、前記搬送路の下に配置され、前記遠赤外線ヒータを落下物から保護するために前記遠赤外線ヒータの頭上を覆う保護カバーと、前記搬送路の下に配置され、前記遠赤外線ヒータより発せられた遠赤外線が前記搬送路上を移動する前記基板の裏面に照射するように、前記遠赤外線ヒータからの前記遠赤外線を前記搬送路側に反射させる第１の反射板とを有する。

上記の構成においては、搬送路上で基板を平流しで移動させながら、搬送路の下方に配置した遠赤外線ヒータにより放射される遠赤外線を基板の裏面に照射することによって、所望の熱処理を効率よく短時間で行うことかできる。そして、基板が遠赤外線ヒータの上方を通過する際に割れて落下しても、保護カバーにぶつかるだけで、遠赤外線ヒータに当たることはなく、遠赤外線ヒータの破損による故障を防止することができる。また、チャンバ、熱板、リフトピン機構、搬送ロボット等を不要とする熱処理装置であり、装置構成の大幅な簡易化・低コスト化を実現できる。

本発明の好適な一態様においては、遠赤外線ヒータとしてカーボンヒータを好適に使用することができる。

また、本発明の好適な一態様においては、搬送路の遠赤外線が基板の裏面に照射する区間の上方に略水平に配置される多孔板を有し、遠赤外線ヒータにより加熱される基板のおもて面から揮発する物質を多孔板を介して吸い込んで排気する排気部が設けられる。

また、好適な一態様として、搬送路上を移動する基板を予備加熱するために、遠赤外線ヒータよりも搬送方向上流側で搬送路の下または上に配置される１個または複数個の発熱ヒータが設けられる。あるいは、搬送路上を移動する基板を保温加熱するために、遠赤外線ヒータよりも搬送方向下流側で搬送路の下または上に配置される１個または複数個の発熱ヒータが設けられる。発熱ヒータとしてはシーズヒータを好適に用いることができる。

また、好適な一態様によれば、搬送路が一定のピッチで多数のコロを敷設してなり、第１の反射板で反射した遠赤外線がコロ間の隙間を通って搬送路上の基板の裏面に照射するように遠赤外線の光路が設定される。好ましくは、保護カバーの内側面に、遠赤外線ヒータより発せられた遠赤外線を第１の反射板に向けて反射する第２の反射板を設けてよい。

本発明の基板処理装置は、被処理基板上にレジストを塗布する塗布部と、前記塗布部でレジストを塗布された基板を略水平な所定の搬送方向に平流しで搬送する搬送路と、前記基板上のレジストの表面を乾燥させるために、前記搬送路の第１の区間に配置される乾燥部と、前記基板を遠赤外線で加熱するために、前記搬送路の前記第１の区間よりも下流側の第２の区間に配置される遠赤外線ヒータと、前記基板を所定温度まで冷却するために、前記搬送路の前記第２の区間よりも下流側の第３の区間に配置される冷却部とを有し、前記遠赤外線ヒータが前記搬送路の下に配置され、前記遠赤外線ヒータを落下物から保護するためにその頭上を覆う保護カバーが前記搬送路の下に配置され、前記遠赤外線ヒータより発せられた遠赤外線が前記搬送路上を移動する前記基板の裏面に照射するように、前記遠赤外線ヒータからの前記遠赤外線を前記搬送路側に反射させる反射板が前記搬送路の下に配置される。

上記の構成においては、１本の搬送路に沿って乾燥部、遠赤外線ヒータおよび冷却部が工程順に一列に設けられている。基板が搬送路上を下流側へ向って移動する間に、乾燥部の区間では平流し方式の乾燥処理が行われ、遠赤外線ヒータの区間では平流し方式の遠赤外線加熱処理が行われ、冷却部では平流し方式の冷却または基板温度一定化が行われる。つまり、基板が搬送路上を平流しの搬送で移動する間に乾燥、遠赤外線加熱および冷却の３つの処理工程が連続的に効率よく行われる。そして、遠赤外線ヒータが搬送路の下に配置され、遠赤外線ヒータを落下物から保護するためにその頭上を覆う保護カバーが搬送路の下に配置され、遠赤外線ヒータより発せられた遠赤外線が搬送路上を移動する基板の裏面に照射するように、遠赤外線ヒータからの遠赤外線を搬送路側に反射させる反射板が搬送路の下に配置される構成により、基板が遠赤外線ヒータの上方を通過する際に割れて落下しても、保護カバーにぶつかるだけで、遠赤外線ヒータに当たることはなく、遠赤外線ヒータの破損による故障を防止することができる。

本発明の好適な一態様において、乾燥部は、搬送路上を移動する基板に対して上方から乾燥した空気を吹き付ける乾燥空気噴射ノズルを有する。また、冷却部は、搬送路上を移動する基板に対して上方から温調した空気を吹き付ける温調空気噴射ノズルを有する。

また、好適な一態様によれば、基板上のレジストの表面を架橋させるために、搬送路上を移動する前記基板に上方から所定波長の紫外線を照射する紫外線照射部が設けられる。好ましくは、該紫外線照射部は、搬送路の上記第１の区間よりも上流側の位置に配置されてよい。基板上のレジストに所定波長の紫外線を照射することにより、樹脂を架橋させてレジスト表層部に変質層（固い層）を形成することができる。

本発明のベーキング装置および基板処理装置によれば、上記のような構成および作用により、スループットないしタクトの向上および装置構成の簡易化・低コスト化を実現することができる。

以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。

図１に、本発明のベーキング装置および基板処理装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえば矩形のガラス基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の一連の処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。

この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。

カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平な一方向（Ｙ方向）に４個まで並べて載置可能なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを１枚単位で保持できる搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。

プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、水平なシステム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。

より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４、洗浄プロセス部２６、第１の熱的処理部２８、塗布プロセス部３０および第２の熱的処理部３２が第１の平流し搬送路３４に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。

より詳細には、搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４はカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２から未処理の基板Ｇを受け取り、所定のタクトで第１の平流し搬送路３４に投入するように構成されている。洗浄プロセス部２６は、第１の平流し搬送路３４に沿って上流側から順にエキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）３６およびスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８を設けている。第１の熱的処理部２８は、上流側から順にアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０および冷却ユニット（ＣＯＬ）４２を設けている。塗布プロセス部３０は、上流側から順にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４および乾燥ユニット（ＣＤ）４６を設けている。第２の熱的処理部３２は、上流側から順にプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８および冷却ユニット（ＣＯＬ）５０を設けている。第２の熱的処理部３２の下流側隣に位置する第１の平流し搬送路３４の終点にはパスユニット（ＰＡＳＳ）５２が設けられている。第１の平流し搬送路３４上を平流しで搬送されてきた基板Ｇは、この終点のパスユニット（ＰＡＳＳ）５２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８へ渡されるようになっている。

一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、現像ユニット（ＤＥＶ）５４、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８、検査ユニット（ＡＰ）６０および搬出ユニット（ＯＵＴ−ＰＡＳＳ）６２が第２の平流し搬送路６４に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。ここで、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６および冷却ユニット（ＣＯＬ）５８は第３の熱的処理部６６を構成する。搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２は、第２の平流し搬送路６４から処理済の基板Ｇを１枚ずつ受け取って、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２に渡すように構成されている。

両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間６８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル７０が図示しない駆動機構によってプロセスライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。

インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、上記第１および第２の平流し搬送路３４，６４や隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置７２を有し、この搬送装置７２の周囲にロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４および周辺装置７６を配置している。ロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４は、基板Ｇを水平面内で回転させるステージであり、露光装置１２との受け渡しに際して長方形の基板Ｇの向きを変換するために用いられる。周辺装置７６は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）や周辺露光装置（ＥＥ）等を第２の平流し搬送路６４に接続している。

図２に、この塗布現像処理システムにおける１枚の基板Ｇに対する全工程の処理手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上のいずれか１つのカセットＣから基板Ｇを１枚取り出し、その取り出した基板Ｇをプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＡ側の搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４に搬入する（ステップＳ1）。搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４から基板Ｇは第１の平流し搬送路３４上に移載または投入される。

第１の平流し搬送路３４に投入された基板Ｇは、最初に洗浄プロセス部２６においてエキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）３６およびスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８により紫外線洗浄処理およびスクラビング洗浄処理を順次施される（ステップＳ2，Ｓ3）。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８は、平流し搬送路３４上を水平に移動する基板Ｇに対して、ブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより基板表面から粒子状の汚れを除去し、その後にリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８における一連の洗浄処理を終えると、基板Ｇはそのまま第１の平流し搬送路３４を下って第１の熱的処理部２８を通過する。

第１の熱的処理部２８において、基板Ｇは、最初にアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０で蒸気状のＨＭＤＳを用いるアドヒージョン処理を施され、被処理面を疎水化される（ステップＳ4）。このアドヒージョン処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）４２で所定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。この後も、基板Ｇは第１の平流し搬送路３４を下って塗布プロセス部３０へ搬入される。

塗布プロセス部３０において、基板Ｇは最初にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４で平流しのままスリットノズルを用いるスピンレス法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の乾燥ユニット（ＣＤ）４６で常温の乾燥処理を受ける（ステップＳ6）。

塗布プロセス部３０を出た基板Ｇは、第１の平流し搬送路３４を下って第２の熱的処理部３２を通過する。第２の熱的処理部３２において、基板Ｇは、最初にプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８でレジスト塗布後の熱処理または露光前の熱処理としてプリベーキングを受ける（ステップＳ7）。このプリベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜中に残留していた溶剤（一般にシンナー）が蒸発して除去され、基板に対するレジスト膜の密着性が強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５０で所定の基板温度まで冷却される（ステップＳ8）。しかる後、基板Ｇは、第１の平流し搬送路３４の終点のパスユニット（ＰＡＳＳ）５２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８の搬送装置７２に引き取られる。

インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、ロータリステージ７４でたとえば９０度の方向変換を受けてから周辺装置７６の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ9）。

露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ9）、先ず周辺装置７６のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ10）。しかる後、基板Ｇは、搬送装置７２よりプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＢ側に敷設されている第２の平流し搬送路６４の現像ユニット（ＤＥＶ）５４の始点に搬入される。

こうして、基板Ｇは、今度は第２の平流し搬送路６４上をプロセスラインＢの下流側に向けて搬送される。最初の現像ユニット（ＤＥＶ）５４において、基板Ｇは、平流しで搬送される間に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される（ステップＳ11）。

現像ユニット（ＤＥＶ）５４で一連の現像処理を終えた基板Ｇは、そのまま第２の平流し搬送路６４に乗せられたまま第３の熱的処理部６６および検査ユニット（ＡＰ）６０を順次通過する。第３の熱的処理部６６において、基板Ｇは、最初にポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６で現像処理後の熱処理としてポストベーキングを受ける（ステップＳ12）。このポストベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜に残留していた現像液や洗浄液が蒸発して除去され、基板に対するレジストパターンの密着性が強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８で所定の基板温度に冷却される（ステップＳ13）。検査ユニット（ＡＰ）６０では、基板Ｇ上のレジストパターンについて非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる（ステップＳ14）。

搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２は、第２の平流し搬送路６４から全工程の処理を終えてきた基板Ｇを受け取って、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２へ渡す。カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２から受け取った処理済の基板Ｇをいずれか１つ（通常は元）のカセットＣに収容する（ステップＳ1）。

この塗布現像処理システム１０においては、たとえば塗布プロセス部３０および第２の熱的処理部３２に本発明を適用することができる。以下、図３〜図１０につき、本発明の好適な実施形態における塗布プロセス部３０および第２の熱的処理部３２の構成および作用を詳細に説明する。

図３は、この実施形態における塗布プロセス部３０の全体構成を示す平面図である。

図３において、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４は、第１の平流し搬送路３４（図１）の一部または一区間を構成する浮上式のステージ８０と、このステージ８０上で空中に浮いている基板Ｇをステージ長手方向（Ｘ方向）に搬送する基板搬送機構８２と、ステージ８０上を搬送される基板Ｇの上面にレジスト液を供給するレジストノズル８４と、塗布処理の合間にレジストノズル８４をリフレッシュするノズルリフレッシュ部８６とを有している。

ステージ８０の上面には所定のガス（たとえばエア）を上方に噴射する多数のガス噴射孔８８が設けられており、それらのガス噴射孔８８から噴射されるガスの圧力によって基板Ｇがステージ上面から一定の高さに浮上するように構成されている。

基板搬送機構８２は、ステージ８０を挟んでＸ方向に延びる一対のガイドレール９０Ａ，９０Ｂと、これらのガイドレール９０Ａ，９０Ｂに沿って往復移動可能なスライダ９２と、ステージ８０上で基板Ｇの両側端部を着脱可能に保持するようにスライダ９２に設けられた吸着パッド等の基板保持部材（図示せず）とを備えており、直進移動機構（図示せず）によりスライダ９２を搬送方向（Ｘ方向）に移動させることによって、ステージ８０上で基板Ｇの浮上搬送を行うように構成されている。

レジストノズル８４は、ステージ８０の上方を搬送方向（Ｘ方向）と直交する水平方向（Ｙ方向）に横断して延びる長尺形ノズルであり、所定の塗布位置でその直下を通過する基板Ｇの上面に対してスリット状の吐出口よりレジスト液を帯状に吐出するようになっている。また、レジストノズル８４は、このノズルを支持するノズル支持部材９４と一体にＸ方向に移動可能、かつＺ方向に昇降可能に構成されており、上記塗布位置とノズルリフレッシュ部８６との間で移動できるようになっている。

ノズルリフレッシュ部８６は、ステージ８０の上方の所定位置で支柱部材９６に保持されており、塗布処理のための下準備としてレジストノズル８４にレジスト液を吐出させるためのプライミング処理部９８と、レジストノズル８４のレジスト吐出口を乾燥防止の目的から溶剤蒸気の雰囲気中に保つためのノズルバス１００と、レジストノズル８４のレジスト吐出口近傍に付着したレジストを除去するためのノズル洗浄機構１０２とを備えている。

ここで、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４における主な作用を説明する。 先ず、前段の第１の熱的処理部２８（図１）よりたとえばコロ搬送で送られてきた基板Ｇがステージ８０上の前端側に設定された搬入部に搬入され、そこで待機していたスライダ９２が基板Ｇを保持して受け取る。ステージ８０上で基板Ｇはガス噴射口８８より噴射されるガス（エア）の圧力を受けて略水平な姿勢で浮上状態を保つ。

そして、スライダ９２が基板を保持しながら乾燥ユニット（ＣＤ）４６側に向かって搬送方向（Ｘ方向）に移動し、基板Ｇがレジストノズル８４の下を通過する際に、レジストノズル８４が基板Ｇの上面に向けて液状のレジストＲを帯状に吐出することにより、基板Ｇ上に基板前端から後端に向って絨毯が敷かれるようにしてレジストＲの液膜が一面に形成される。こうしてレジスト液を塗布された基板Ｇは、その後もスライダ９２によりステージ８０上で浮上搬送され、ステージ８０の後端を越えて後述するコロ搬送路１０４に乗り移り、そこでスライダ９２による保持が解除される。コロ搬送路１０４に乗り移った基板Ｇはそこから先は、後述するようにコロ搬送路１０４上をコロ搬送で移動して後段の乾燥ユニット（ＣＤ）４６へ搬入される。

塗布処理の済んだ基板Ｇを上記のようにして乾燥ユニット（ＣＤ）４６側へ送り出した後、スライダ９２は次の基板Ｇを受け取るためにステージ８０の前端側の搬入部へ戻る。また、レジストノズル８４は、１回または複数回の塗布処理を終えると、塗布位置（レジスト液吐出位置）からノズルリフレッシュ部８６へ移動してそこでノズル洗浄やプライミング処理等のリフレッシュないし下準備をしてから、塗布位置に戻る。

図３に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４のステージ８０の延長線上（下流側）には、第１の平流し搬送路３４（図１）の一部または一区間を構成するコロ搬送路１０４が敷設されている。このコロ搬送路１０４は、基板Ｇを平流しで搬送するためのコロ１０６をプロセスラインＡの方向（Ｘ方向）に一定ピッチで敷設してなり、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８まで続いている。図３および図４に示すように、このコロ搬送路１０４に沿って塗布プロセス部３０の乾燥ユニット（ＣＤ）４６ならびに第２の熱的処理部３２のプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８および冷却ユニット（ＣＯＬ）５０が設けられている。各コロ１０６は、たとえば電気モータを駆動源とする搬送駆動部（図示せず）に歯車機構やベルト機構等の伝動機構を介して接続されている。

図５に、一実施形態における乾燥ユニット（ＣＤ）４６の構成を示す。この乾燥ユニット（ＣＤ）４６は、ユニット出口付近に配置される長尺形の乾燥空気噴射ノズル１１０と、このノズル１１０の下端付近の位置からコロ搬送路１０４の搬送面と一定の距離間隔（ギャップ）を隔てて搬送方向上流側へ水平に延びるガス案内（天井）板１１２と、このガス案内板１１２の他端（上流側端）に設けられたスリット状の排気用吸い込み口１１４とを有している。

乾燥空気噴射ノズル１１０は、搬送方向（Ｘ方向）と直交する水平方向（Ｙ方向）に延びるスリット状の吐出口を有しており、圧縮ガス供給源１１６および除湿器１１８よりエア供給管１２０を介して乾燥した常温・高圧の空気ＤＡを導入し、導入した高圧乾燥空気ＤＡをノズル内の多孔板１１０ａに通して該スリット状吐出口から均一な層流で噴き出すようになっている。

排気用吸い込み口１１４は、排気ポンプまたは排気ファンを有する排気装置１２２に排気管１２４を介して通じており、乾燥処理中にガス案内板１１２と基板Ｇ間のギャップに滞留または発生するガス（空気、溶媒蒸気等）を吸い込んで排気装置１２２へ送るようになっている。排気装置１２２に回収された排気ガスは溶剤再生部１２６に送られ、ここでフィルタリングや液化等の再生処理によりリサイクル用の溶剤（シンナー）が再生されるようになっている。

この実施形態は、乾燥ユニット（ＣＤ）４６の初段または前段にレジスト表面処理用のＵＶ照射ユニット（Ｘ−ＵＶ）１２８を配置している。このＵＶ照射ユニット（Ｘ−ＵＶ）１２８は、搬送路１０４の上方に配置したランプ室１３０内に１本または複数本の紫外線ランプ１３２を収容している。紫外線ランプ１３２は、たとえば誘電体バリア放電ランプからなり、後述するようなレジスト表面における変質層（固い層）の形成に好適な波長（たとえば１７２ｎｍ）の紫外線を直下の搬送路１０４上の基板Ｇに石英ガラス窓１３４を通して照射するようになっている。紫外線ランプ１３０の背後または上には横断面円弧状の凹面反射鏡１３６が設けられている。

ランプ室１３０内には、紫外線ランプ１３２をたとえば水冷方式で冷却する冷却ジャケット（図示せず）や、紫外線を吸収する（したがってランプ発光効率を悪化させる）酸素の室内への進入を防止するための不活性ガスたとえばＮ2ガスを導入しかつ充満させるガス流通機構（図示せず）等も設けられてよい。また、 ランプ室１３０の前後両側には、紫外線洗浄処理中に紫外線照射１３４の下面に沿って酸素または空気排除用の不活性ガスたとえばＮ2ガスを流すための不活性ガス噴射ノズル１３８および不活性ガス吸い込みポート１４０が設けられてよい。

ここで、図６を参照して、乾燥ユニット（ＣＤ）４６における作用を説明する。なお、図６において、レジストＲの下地膜１４２は、フォトリソグラフィーの被加工膜（回路パターン形成の対象となる膜）である。

上記したように、上流側隣のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４でレジストＲを塗布された基板Ｇは、ステージ８０上の浮上搬送路からコロ搬送路１０４に乗り移る。コロ搬送路１０４上で基板Ｇは最初にＵＶ照射ユニット（Ｘ−ＵＶ）１２８の下を通過する。ここで、基板Ｇ上のレジストＲに上方から垂直に特定波長の紫外線ＵＶが照射され、この紫外線照射によって基板Ｇ上のレジストＲの表層で架橋反応が起こり、樹脂が高分子化する。こうして、図６に示すように、基板Ｇの前端から後端に向ってレジストＲの表面に薄く固い膜つまり変質層ＲＦが形成されていく。この種の変質層ＲＦは、バルクレジストの流動を抑制し、ひいてはレジストＲの表面に転写跡やムラが発生するのを抑制する働きがあり、現像処理の際の非溶解性を向上させる働きもある。

搬送路１０４上をコロ搬送で移動する基板Ｇは、ＵＶ照射ユニット（Ｘ−ＵＶ）１２８を通り抜けた直後に乾燥ユニット（ＣＤ）４６に入り、ここで上方の乾燥空気噴射ノズル１１０より乾燥空気ＤＡを帯状の層流（ダウンフロー）で吹き付けられる。このようにコロ搬送中の基板Ｇに上方から乾燥空気ＤＡの層流が当たることによって、基板Ｇ上のレジストＲに乾燥空気ＤＡの風圧が物理的な力として作用するとともに溶剤の蒸発を促し、図６に示すように、レジスト表面の変質層ＲＦが一段と成長する（厚くなる）。基板Ｇ上のレジストＲから蒸発した溶剤は、空気流に巻き込まれるようにしてガス案内板１１２の下を搬送方向と反対方向に流れて排気用吸い込み口１１４に吸い込まれる。

上記のように、この実施形態の乾燥ユニット（ＣＤ）４６は、前段のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４でレジスト塗布処理を受けてきた基板Ｇに対して、大気中で特定波長の紫外線ＵＶの照射および乾燥空気ＤＡの吹き付けを施すことにより、基板Ｇ上のレジストＲの表面全体に減圧乾燥を施した場合と同等の膜厚（たとえば約３０００Å）を有する変質層ＲＦを形成することができる。減圧乾燥装置が大掛かりな減圧チャンバや搬送ロボットを必要とするのに対して、この実施形態の乾燥ユニット（ＣＤ）４６は隣接する他のユニットと共通のコロ搬送路１０４の上にＵＶ照射ユニット（Ｘ−ＵＶ）１２８、乾燥空気噴射ノズル１１０および排気用吸い込み口１１４を配置する簡易な構成で済ませており、しかもスループットを格段に向上させている。

図７に、一実施形態におけるプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８の構成を示す。このプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８は、搬送路１０４に沿って２つの加熱区間を設定し、前半の加熱区間を予備加熱ゾーン１４４とし、後半の加熱区間を本加熱部または急速加熱ゾーン１４６としている。

予備加熱ゾーン１４４には、搬送路１０４に近接させて相隣接するコロ１０６とコロ１０６の間に予備加熱用のヒータとして平板状のシーズヒータ１４８が搬送方向に１段または多段に配置されている。各シーズヒータ１４８は、表面にたとえばセラミックコーティングを有しており、通電によりヒータ自身が発熱して、その高温の表面から放射する熱を搬送路１０４上の基板Ｇに与えるようになっている。

急速加熱ゾーン１４６には、コロ搬送路１０４の下方に急速加熱用のヒータとして管状のカーボンヒータ１５０が搬送方向に１段または多段に配置されている。各カーボンヒータ１５０は、石英管の中にたとえば棒状、ひも状またはコイル状のカーボンワイヤを組み込んだものであり、搬送方向（Ｘ方向）と直交する水平方向（Ｙ方向）に延びる向きにベース１５２に着脱可能に取り付けられ、通電により所定波長の遠赤外線を放射するようになっている。ベース１５２には、各カーボンヒータ１５０について、たとえば搬送方向下流側の前方に長尺平板状の反射板１５４が所定角度（たとえば４５度）の上向き傾斜姿勢で水平に取り付けられるとともに、搬送方向下流側の後方に断面円弧状の長尺保護カバー１５６が水平に取り付けられる。ここで、保護カバー１５６は金属または樹脂等の剛体からなり、その上端部はカーボンヒータ１５０の頭上を完全に覆う位置まで延びている。保護カバー１５６の内側には凹面の反射板１５８が形成または取付されてよい。平面反射板１５４は、相隣接するコロ１０６とコロ１０６の間（好ましくは中間位置）の直下に配置されてよい。

カーボンヒータ１５０で生成された遠赤外線ＩＲ_Fのうち正面に放射されたものは平面反射板１５４に直接入射し、背後に放射されたものは凹面反射板１５８で反射してから平面反射板１５４に入射する。そして、平面反射板１５４に入射した遠赤外線ＩＲ_Fは全て上方へ折り返され、相隣接するコロ１０６とコロ１０６の間を通って搬送路１０４上の基板Ｇの裏面に入射し、基板Ｇに熱エネルギーとして効率よく吸収される。

予備加熱ゾーン１４４および急速加熱ゾーン１４６には、搬送路１０４に沿ってその上方にたとえばグレイチングパネルからなる排気用の吸い込み天井板（多孔板）１６０が設けられている。この排気用吸い込み天井板１６０は、搬送路１０４の搬送面から所定距離のギャップを挟んで水平に配置されており、その背部にバッファ室１６２が形成されている。このバッファ室１６２は、排気管１６４を介して排気ポンプまたは排気ファン等を有する排気装置１６６に通じている。後述するように、搬送路１０４上の基板Ｇ（レジストＲ）から蒸発する溶剤は周囲の空気と一緒に排気用吸い込み天井板１６０の中へ吸い込まれ、排気装置１６６へ送られるようになっている。このプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８においても、排気装置１６６に溶剤再生部（図示せず）を付設してもよい。

図９に、プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８における基板温度特性を示す。基板Ｇは、搬送路１０４上をコロ搬送で移動しながら、前段の乾燥ユニット（ＣＤ）４６で上記のようなレジスト表面処理（レジストＲの表面に変質層ＲＦを形成する処理）受けてきてから、プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８に搬入される。

プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８に搬入されると、搬送路１０４上で基板Ｇは最初に予備加熱ゾーン１４４に入り、この区間を通過する間に下からシーズヒータ１４８の放射熱を受ける。これにより、図９に示すように、搬送路１０４上をコロ搬送で移動する間に基板Ｇの温度が常温Ｔ_nから比較的緩やかなレートで上昇し、予備加熱ゾーン１４４の終端付近で所定の予備加熱温度Ｔ_s（たとえば５０〜７０℃程度）に達する。次いで、基板Ｇはコロ搬送で急速加熱ゾーン１４６に入り、この区間を通過する間にカーボンヒータ１５０からの所定波長の遠赤外線ＩＲ_Fを基板裏面に受けて加熱される。かかる遠赤外線照射の加熱により、図９に示すように、基板Ｇの温度が高速に上昇し、急速加熱ゾーン１４６の終端付近で相当高い極大温度Ｔ_M（たとえば１８０〜２００℃程度）に達する。急速加熱ゾーン１４６を抜け出た後は、加熱から開放され、基板温度は単調に下がる。

このようなプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８における加熱、特に急速加熱ゾーン１４６における遠赤外線照射の急速加熱により、短時間の間に基板ＧからレジストＲ中の残留溶媒の大部分が蒸発してレジストＲの膜が薄く固くなり、基板Ｇとの密着性が高められる。

この実施形態におけるプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８の一変形例として、図８に示すように、前段に急速加熱ゾーン１４６を設け、後段に保温加熱ゾーン１６８を設ける加熱区間レイアウトも可能である。ここで、保温加熱ゾーン１６８は、上記予備加熱ゾーン１４４と同様にシーズヒータ１４８で構成することができる。

図１０に、図８の構成を有するプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８における基板温度特性を示す。この場合、搬送路１０４上で基板Ｇは最初に急速加熱ゾーン１４６に入り、この区間を通過する間にカーボンヒータ１５０からの所定波長の遠赤外線ＩＲ_Fを基板裏面に受けて加熱され、図１０に示すように、基板Ｇの温度が常温Ｔ_nから極大温度Ｔ_Mまで高速（一気）に上昇する。直後に、基板Ｇはシーズヒータ１４８からの放射熱を受けて基板温度を略一定に保ちながら保温加熱ゾーン１６８を通過する。保温加熱ゾーン１６８を抜け出た後は、加熱から開放され、基板Ｇの温度は下がる。

上記したように、この実施形態のプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８は、コロ搬送路１０４上で基板Ｇを移動させながら、コロ搬送路１０４の下方に配置したカーボンヒータ１５０により生成される所定波長の遠赤外線ＩＲ_Fを基板Ｇの裏面に照射することによって、プリベークの熱処理を短時間で行うようにしている。基板Ｇがカーボンヒータ１５０の上方を通過する際に割れて落下しても、保護カバー１５６にぶつかるだけで、カーボンヒータ１５０に当たることはない。カーボンヒータ１５０は、落下物による破損を一切免れて、長期間安定に稼動することができる。かかる構成のベーキング装置は、チャンバ、熱板、リフトピン機構、搬送ロボット等は全て不要であり、装置構成の大幅な簡易化・低コスト化を実現できる。

また、プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８は、前段のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４より一定のタクトで次々に送られてくる塗布処理済みの基板Ｇに一台で間断なくスムースに対応できるので、スループットの向上を図れるとともに、ベーキング装置の機差に起因する熱処理品質のばらつきが解消されるという利点もある。

この実施形態のプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８においては、急速加熱ゾーン１４６が主たる加熱部であり、補助的な予備加熱ゾーン１４４あるいは保温加熱ゾーン１６８を省く構成も可能である。その場合は、加熱温度制御の自由度は低下するが、全加熱区間または全加熱時間の一層の短縮化を図ることができる。なお、予備加熱ゾーン１４４あるいは保温加熱ゾーン１６８を設ける場合は、シーズヒータ１４８を搬送路１０４の上方に配置する構成も可能である。

急速加熱ゾーン１４６は、上記のように搬送路１０４の下方に配置して基板Ｇに下から照射する形態が好ましい。この場合、カーボンヒータ１５０より放射された遠赤外線ＩＲ_Fの一部が搬送路１０４のコロ１０６に入射すると、コロ１０６が暖められて、基板Ｇに熱的な影響を与えるおそれがある。この問題に対しては、図１１に示すように、コロ１０６の内部に流路を形成して、その流路に外の配管１７０を通じて冷却水または温調水ＣＷを供給することで、コロ１０６の温度を一定に保持することができる。あるいは、図１２に示すように、急速加熱ゾーン１４６の区間内に配置されているコロ１０６にその下半部を覆う断面円弧状の遮光または反射カバー１７２を取り付けて、遠赤外線ＩＲ_Fからコロ１０６を遮光する構成も可能である。

図１３に、一実施形態における冷却ユニット（ＣＯＬ）５０の構成を示す。この冷却ユニット（ＣＯＬ）５０は、搬送路１０４に沿ってその上方に一定間隔で配置される１本または複数本（図示の例は３本）の冷却ガスノズル１７４Ａ，１７４Ｂ，１７４Ｃを有している。各冷却ガスノズル１７４Ａ，１７４Ｂ，１７４Ｃは、搬送路１０４の幅方向（Ｙ方向）に延びるスリット状の吐出口を有しており、圧縮ガス供給源１７６よりエア供給管１７８Ａ，１７８Ｂ，１７８Ｃを介して高圧の温調した空気（冷却ガス）ＤＪ_A，ＤＪ_B，ＤＪ_Cを導入し、導入した高圧空気ＤＪ_A，ＤＪ_B，ＤＪ_Cをノズル内の多孔板１７４ａ，１７４ｂ，１７４ｃに通して該スリット状吐出口から均一な層流で噴き出すようになっている。各エア供給管１７８Ａ，１７８Ｂ，１７８Ｃの途中には、流量調整器１８０Ａ，１８０Ｂ，１８０Ｃおよび温調器１８２Ａ，１８２Ｂ，１８２Ｃが設けられており、各温調空気ＤＪ_A，ＤＪ_B，ＤＪ_Cの流量（吐出圧力）および温度を個別に制御できるようになっている。

上流側隣のプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８で上記のようなプリベーキングの熱処理を受けた基板Ｇはそのまま搬送路１０４上をコロ搬送で移動して冷却ユニット（ＣＯＬ）５０に入ってくる。冷却ユニット（ＣＯＬ）５０では、直下を通過する搬送路１０４上の基板Ｇに対して、最初に第１の冷却ガスノズル１７４Ａが第１設定温度の温調空気ＤＪ_Aを吹きかけ、その後に第２の冷却ガスノズル１７４Ｂが第２設定温度の温調空気ＤＪ_Bを吹きかけ、最後に第３の冷却ガスノズル１７４Ｃが第３設定温度の温調空気ＤＪ_Cを吹きかける。通常、温調空気ＤＪ_A，ＤＪ_B，ＤＪ_Cの設定温度は後段にいくほど段階的に低くなるように選ばれる。

こうして、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）５０で所定温度まで冷却される。冷却ユニット（ＣＯＬ）５０を抜け出ると、基板Ｇはそのまま搬送路１０４上をコロ搬送で移動してインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８へ送られ、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８から露光装置１２へ搬入される（図１、図２）。

なお、図１３に示すように、この冷却ユニット（ＣＯＬ）５０内にレジスト表面処理用の紫外線照射ユニット（Ｘ−ＵＶ）１２８を配置する構成も可能である。上記のように、基板Ｇ上のレジストＲに特定波長の紫外線を照射することで、レジストＲの表層部に変質層（固い層）ＲＦを形成することができる（図６）。かかる変質層ＲＦは、乾燥処理やプリベーキング処理の中で転写跡やムラの発生を効果的に抑制するだけでなく、現像処理時の非溶解性を向上させる働きを有している。後者の作用効果（非溶解性）を得る目的で、乾燥ユニット（ＣＤ）４６内、プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８内あるいは冷却ユニット（ＣＯＬ）５０内に紫外線照射ユニット（Ｘ−ＵＶ）１２８を配置することも可能である。

この実施形態の冷却ユニット（ＣＯＬ）４６においても、隣接する他のユニットと共通のコロ搬送路１０４の上に１本または複数本の冷却ガスノズル１７４を配置するだけの簡易な構成で済ませており、しかもプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８より一定のタクトで次々に送られてくる熱処理直後の基板Ｇに一台で間断なくスムースに対応できるので、スループットの向上を図れる。

上記のように、この実施形態においては、乾燥ユニット（ＣＤ）５０、プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８および冷却ユニット（ＣＯＬ）５０の各処理ユニットが１本の搬送路１０４に沿って工程順に一列に設けられている。基板Ｇが搬送路１０４上を一定速度のコロ搬送で下流側へ向って移動する間に、乾燥ユニット（ＣＤ）４２では平流し方式の乾燥処理が行われ、プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８では平流し方式のプリベーキング処理が行われ、冷却ユニット（ＣＯＬ）５０では平流し方式の冷却または基板温度一定化が行われる。つまり、プロセスラインＡの方向に基板Ｇが搬送路１０４上を平流しのコロ搬送で移動する間に乾燥（ＣＤ）、プリベーキング（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）および基板温度一定化（ＣＯＬ）の３つの処理工程が連続的に効率よく行われる。

各処理ユニット４６，４８，５０内およびユニット間で基板Ｇを個別に搬送ないし移載する搬送ロボットや移載機構は用いられておらず、ユニット筐体の一部を開閉する開閉機構等も用いられていない。このため、各ユニット内および隣接するユニット間でパーティクルが発生したり基板に付着するおそれは少ない。

また、搬送路１０４の途中で基板Ｇを何らかの処理や搬送のために停止させる場面もなく、プロセスラインの上流側から一定のタクトで次々に送られてくる基板Ｇに処理ユニット４６，４８，５０が各々一台で間断なくスムースに対応する。つまり、処理ユニット４６，４８，５０の各一台分のタクトがシステム全体のタクトに一致する関係にあり、同機種のユニットを複数台用いて並列稼動させる必要はない。このことにより、処理部におけるハードウェアや搬送ソフトウェアのコスト低減を図れるだけでなく、処理ユニットの機差に起因する処理品質のばらつきも解消される。

以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種々の変形・変更を行うことができる。たとえば、コロ搬送路１０４をベルト搬送路あるいは浮上式搬送路等の他の平流し搬送路に置き換えることができる。各ユニットにおける上記ノズルやヒータ等のツールの構成・型式も一例であり、同様の機能を有する他のツールで代用することも可能である。

上記した実施形態は乾燥ユニット（ＣＤ）４６、プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８および冷却ユニット（ＣＯＬ）５０に係るものであったが、本発明は他のベーキングユニットや冷却ユニットにも適用可能である。たとえば、上記実施形態の塗布現像処理システム（図１）においては、第１の熱的処理部２８のアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０および冷却ユニット（ＣＯＬ）４２、あるいは第３の熱的処理部６６のポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６および冷却ユニット（ＣＯＬ）５８等にも本発明を適用するこができる。

本発明における被処理基板はＬＣＤ用のガラス基板に限るものではなく、他のフラットパネルディスプレイ用基板や、半導体ウエハ、ＣＤ基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。減圧乾燥処理対象の塗布液もレジスト液に限らず、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の処理液も可能である。

本発明の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。 上記塗布現像処理システムにおける処理手順を示すフローチャートである。 実施形態における塗布プロセス部の全体構成を示す平面図である。 実施形態におけるプリベークユニットおよび冷却ユニットの配置構成を示す平面図である。 実施形態における乾燥ユニットの構成を示す。 実施形態における乾燥ユニットの作用を説明するための基板断面図である。 実施形態におけるプリベークユニットの構成を示す。 実施形態におけるプリベークユニットの作用を説明するための基板温度特性図である。 実施形態のおけるプリベークユニットの一変形例の構成を示す。 図９の変形例におけるプリベークユニットの作用を説明するための基板温度特性図である。 実施形態におけるプリベークユニットにおけるコロ温調機構の一例を示す略斜視図である。 実施形態におけるプリベークユニットにおける紫外線遮光機構の一例を示す略斜視図である。 実施形態における冷却ユニットの構成を示す。

符号の説明

１０ 塗布現像処理システム
３０ 塗布プロセス部
３２ 第２の熱的処理部
４４ レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）
４６ 乾燥ユニット（ＣＤ）
４８ プリベーキングユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）
５０ 冷却ユニット（ＣＤ）
１０４ コロ搬送路
１０６ コロ
１１０ 乾燥空気噴射ノズル
１１４ 排気用吸い込み口
１２８ 紫外線照射ユニット（Ｘ−ＵＶ）
１４４ 予備加熱ゾーン
１４６ 急速加熱ゾ―ン
１４８ シーズヒータ
１５０ カーボンヒータ
１５４ 平面反射板
１５６ 保護カバー
１５８ 凹面反射板
１６０ 排気用吸い込み天井板
１６８ 保温加熱ゾーン
１７４Ａ，１７４Ｂ，１７４Ｃ 冷却ガスノズル

Claims (13)

1. 被処理基板を略水平な所定の搬送方向に平流しで搬送する搬送路と、
   前記搬送路の下方に熱源として配置される１個または複数個の遠赤外線ヒータと、
   前記搬送路の下に配置され、前記遠赤外線ヒータを落下物から保護するために前記遠赤外線ヒータの頭上を覆う保護カバーと、
   前記搬送路の下に配置され、前記遠赤外線ヒータより発せられた遠赤外線が前記搬送路上を移動する前記基板の裏面に照射するように、前記遠赤外線ヒータからの前記遠赤外線を前記搬送路側に反射させる第１の反射板と
   を有するベーキング装置。
2. 前記遠赤外線ヒータがカーボンヒータである、請求項１に記載のベーキング装置。
3. 前記搬送路の前記遠赤外線が前記基板の裏面に照射する区間の上方に略水平に配置される多孔板を有し、前記遠赤外線ヒータにより加熱される前記基板のおもて面から揮発する物質を前記多孔板を介して吸い込んで排気する排気部を有する、請求項１または請求項２に記載のベーキング装置。
4. 前記搬送路上を移動する前記基板を予備加熱するために、前記遠赤外線ヒータよりも搬送方向上流側で前記搬送路の下または上に配置される１個または複数個の発熱ヒータを有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載のベーキング装置。
5. 前記搬送路上を移動する前記基板を保温加熱するために、前記遠赤外線ヒータよりも搬送方向下流側で前記搬送路の下または上に配置される１個または複数個の発熱ヒータを有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載のベーキング装置。
6. 前記発熱ヒータはシーズヒータである、請求項４または請求項５に記載のベーキング装置。
7. 前記搬送路が一定のピッチで多数のコロを敷設してなり、
   前記第１の反射板で反射した前記遠赤外線が前記コロ間の隙間を通って前記搬送路上の前記基板の裏面に照射するように前記遠赤外線の光路が設定される、請求項１〜６のいずれか一項に記載のベーキング装置。
8. 前記保護カバーの内側面に、前記遠赤外線ヒータより発せられた遠赤外線を前記第１の反射板に向けて反射する第２の反射板を設ける、請求項１〜７のいずれか一項に記載のベーキング装置。
9. 被処理基板上にレジストを塗布する塗布部と、
   前記塗布部でレジストを塗布された基板を略水平な所定の搬送方向に平流しで搬送する搬送路と、
   前記基板上のレジストの表面を乾燥させるために、前記搬送路の第１の区間に配置される乾燥部と、
   前記基板を遠赤外線で加熱するために、前記搬送路の前記第１の区間よりも下流側の第２の区間に配置される遠赤外線ヒータと、
   前記基板を所定温度まで冷却するために、前記搬送路の前記第２の区間よりも下流側の第３の区間に配置される冷却部と
   を有し、
   前記遠赤外線ヒータが前記搬送路の下に配置され、
   前記遠赤外線ヒータを落下物から保護するためにその頭上を覆う保護カバーが前記搬送路の下に配置され、
   前記遠赤外線ヒータより発せられた遠赤外線が前記搬送路上を移動する前記基板の裏面に照射するように、前記遠赤外線ヒータからの前記遠赤外線を前記搬送路側に反射させる反射板が前記搬送路の下に配置される、
   基板処理装置。
10. 前記乾燥部が、前記搬送路上を移動する前記基板に対して上方から乾燥した空気を吹き付ける乾燥空気噴射ノズルを有する、請求項９に記載の基板処理装置。
11. 前記冷却部が、前記搬送路上を移動する前記基板に対して上方から温調した空気を吹き付ける温調空気噴射ノズルを有する、請求項９または請求項１０に記載の基板処理装置。
12. 前記基板上のレジストの表層部分を架橋させるために、前記搬送路上を移動する前記基板に上方から所定波長の紫外線を照射する紫外線照射部を有する、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
13. 前記紫外線照射部が、前記搬送路の前記第１の区間よりも上流側の位置に配置される、請求項１２に記載の基板処理装置。

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