JP4954642B2 - 現像処理装置及び現像処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、平流し方式で被処理基板に現像処理を施す現像処理装置および現像処理方法に関する。

フォトリソグラフィーにおいて、現像処理は、パターンの露光を終えた被処理基板上のレジスト膜を現像液に浸して、レジスト膜に潜像したパターン以外の部分を除去し、レジストパターンを形成する工程である。一般に、現像工程では、所要の現像時間が経過すると、基板上から現像液を取り去って、あるいは別の液と置換して現像反応を停止させるようにしている。

近年、ＦＰＤ（フラット・パネル・ディスプレイ）製造用のレジスト塗布現像処理システムは、たとえば特許文献１に開示されるように、被処理基板（たとえばガラス基板）の大型化に対応するため、コロや搬送ベルト等の搬送体を水平方向に敷設してなる搬送路上で基板を搬送しながら現像、リンス、乾燥等の一連の現像処理工程を行うようにした、いわゆる平流し式の現像処理装置を採用するものが増えてきている。

このような平流し方式の現像処理装置は、搬送路上で上流端の搬入部から下流端の搬出部まで１枚の被処理基板を一定の時間をかけて搬送し、搬送の途中で搬送路の上方または下方あるいは傍らに配置された複数の工程処理部（現像部、リンス部、乾燥部等）が搬送路上で移動中または一時停止中の基板に対して各段階の工程処理（現像処理、リンス処理、乾燥処理等）をそれぞれ施すようにしている。そして、パイプライン方式で、多数の基板をタクトタイムの時間間隔で搬入部より搬送路上に次々と搬入して、各工程処理部をタクトタイムの時間間隔で次々と通過させ、各工程処理部はタクトタイムの時間間隔で同一の処理を繰り返し、搬出部より処理済の基板を搬送路からタクトタイムの時間間隔で次々と搬出するようにしている。
特開２００３−８３６７５

一般に、上記のような平流し方式の現像処理装置は、インラインの塗布現像処理システムにおいて洗浄装置、レジスト塗布装置、露光装置、ベーキング装置等とタクトを合わせて動作するようになっており、それら他の処理装置と同様にスループット向上の面からタクトタイムの短縮化を求められ、特に現像時間の短縮化を求められている。また、リソグラフィ精度向上の要請から線幅均一性または膜減り均一性の改善も求められている。

本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、平流し方式において現像時間の短縮化や線幅均一性の向上を効率的に実現できる現像処理装置および現像処理方法を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明の第１の現像処理装置は、露光処理後の被処理基板をほぼ水平な搬送路上で搬送する間に前記基板に現像処理を施す現像処理装置であって、前記搬送路上の第１の位置または区間で前記基板を室温よりも高い設定温度まで加熱する加熱部と、前記搬送路上の前記第１の位置または区間よりも下流側の第２の位置または区間で前記加熱部により加熱された直後の前記基板上に現像液を供給する現像液供給部と、前記搬送路上の前記第２の位置または区間よりも下流側の第３の位置または区間で前記基板上から現像液を除去して現像を停止させる現像停止部とを有する。

また、本発明の第１の現像処理方法は、露光処理後の被処理基板をほぼ水平な搬送路上で搬送する間に前記基板に現像処理を施す現像処理方法であって、前記搬送路上の第１の位置または区間で前記基板を室温よりも高い設定温度まで加熱する工程と、前記搬送路上の前記第１の位置または区間よりも下流側の第２の位置または区間で前記加熱された直後の前記基板上に現像液を供給する工程と、前記搬送路上の前記第２の位置または区間よりも下流側の第３の位置または区間で前記基板上から現像液を除去して現像を停止させる工程とを有する。

上記第１の現像処理装置および現像処理方法においては、先ず加熱部により搬送路上の第１の位置または区間で基板を室温よりも高い設定温度まで加熱し、直後に設定温度の基板を現像部へ搬送して搬送路上の第２の位置または区間で現像液を基板上に供給する。そうすると、現像中に基板からの放熱で現像液が加熱され、現像液が活性化してその液膜の中で対流が起こり、レジスト膜の可溶部に対する現像新液の供給が促進され、ひいては可溶部の溶解が促進される。このように、平流しの現像方式において、搬送路上の基板に現像液を供給するのに先立ち、現像部の直ぐ上流に位置する加熱部で搬送路上の基板を適当な設定温度まで加熱することにより、現像部による現像処理に際しては基板上でレジストの溶解を促進して溶解速度または現像速度を向上させることができる。

本発明の好適な一態様によれば、上記第１の現像処理装置は、搬送路上の第３の位置または区間よりも下流側の第４の位置または区間で基板をリンスするリンス部と、搬送路上の第４の位置または区間よりも下流側の第５の位置または区間で基板を乾かす乾燥部とを更に有する。また、上記第１の現像処理方法は、搬送路上の第３の位置または区間よりも下流側の第４の位置または区間で基板を洗浄する工程と、搬送路上の第４の位置または区間よりも下流側の第５の位置または区間で基板を乾かす工程とを更に有する。

本発明の第２の現像処理装置は、露光処理後の被処理基板をほぼ水平な搬送路上で搬送する間に前記基板に現像処理を施す現像処理装置であって、前記搬送路上の第１の位置または区間で前記基板を室温よりも高い設定温度まで加熱する加熱部と、前記搬送路上の前記第１の位置または区間で前記加熱部により加熱された直後の前記基板上に現像液を供給する現像液供給部と、前記搬送路上の前記第１の位置または区間よりも下流側の第２の位置または区間で前記基板上から現像液を除去して現像を停止させる現像停止部とを有する。

また、本発明の第２の現像処理方法は、露光処理後の被処理基板をほぼ水平な搬送路上で搬送する間に前記基板に現像処理を施す現像処理方法であって、前記搬送路上の第１の位置または区間で前記基板を室温よりも高い設定温度まで加熱する工程と、前記搬送路上の前記第１の位置または区間で前記加熱された直後の前記基板上に現像液を供給する工程と、前記搬送路上の前記第１の位置または区間よりも下流側の第２の位置または区間で前記基板上から現像液を除去して現像を停止させる工程とを有する。

上記第２の現像処理装置および現像処理方法においては、搬送路上の第１の位置または区間で、基板上に現像液を供給して現像を実行する直前または実行中に、加熱部により基板を室温よりも高い設定温度まで加熱する。そうすると、現像中に、基板からの放熱で現像液が加熱され、現像液が活性化してその液膜の中で対流が起こり、レジスト膜の可溶部に対する現像新液の供給が促進され、ひいては可溶部の溶解が促進され、ひいては現像速度が向上する。

本発明の好適な一態様によれば、上記第２の現像処理装置は、搬送路上の第２の位置または区間よりも下流側の第３の位置または区間で基板をリンスするリンス部と、搬送路上の第３の位置または区間よりも下流側の第４の位置または区間で基板を乾かす乾燥部とを更に有する。また、上記第２の現像処理方法は、搬送路上の第２の位置または区間よりも下流側の第３の位置または区間で基板を洗浄する工程と、搬送路上の第３の位置または区間よりも下流側の第４の位置または区間で基板を乾かす工程とを更に有する。

本発明の好適な一態様によれば、加熱部が搬送路の下から基板の裏面に向けて熱を放射する放熱体を有する構成、あるいは加熱部が搬送路の上から基板のおもて面に向けて熱を放射する放熱体を有する構成が採られる。

本発明の現像処理方法においては、好適な一態様として、基板の面内に複数の基板ゾーンを設定し、各基板ゾーン毎に加熱の温度を独立に設定する。この場合、典型的には基板が矩形であり、好ましくは、少なくとも基板の四つのコーナーにそれぞれ独立した基板コーナーゾーンが設定される。ここで、基板コーナーゾーンより内側の中心部に基板中心ゾーンが設定されてよく、基板コーナーゾーンの加熱温度が基板中心ゾーンの加熱温度よりも高い温度に設定されてよい。

また、本発明の現像処理装置においては、好適な一態様として、放熱体がその放熱面を複数の放熱ゾーンに分割し、各放熱ゾーン毎に放熱温度を独立に制御可能とする。この場合、典型的には、基板が矩形であり、好ましくは、放熱体が少なくとも基板の４つのコーナー部にそれぞれ対応する４つの独立した放熱コーナーゾーンを有する。そして、放熱体が放熱コーナーゾーンより内側の中心部に位置する放熱中心ゾーンを有してよく、放熱コーナーゾーンの放熱温度が放熱中心ゾーンの放熱温度よりも高い温度に設定されてよい。

また、別の好適な一態様として、本発明の現像処理方法においては、加熱工程で基板の一部の領域のみを局所的に加熱してよく、基板の局所的に加熱される部分は基板の４つのコーナー部であってよい。

本発明の現像処理装置または現像処理方法によれば、上記のような構成および作用により、平流し方式において現像時間の短縮化や線幅均一性の向上を効率的に実現することができる。

以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。

図１に、本発明の現像処理装置および現像処理方法を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。

この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。

カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平方向たとえばＹ方向に４個まで並べて載置可能なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。

プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、システム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、洗浄プロセス部２４と、第１の熱的処理部２６と、塗布プロセス部２８と、第２の熱的処理部３０とを横一列に配置している。一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、第２の熱的処理部３０と、現像プロセス部３２と、脱色プロセス部３４と、第３の熱的処理部３６とを横一列に配置している。このライン形態では、第２の熱的処理部３０が、上流側のプロセスラインＡの最後尾に位置するとともに下流側のプロセスラインＢの先頭に位置しており、両ラインＡ，Ｂ間に跨っている。

両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間３８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル４０が図示しない駆動機構によってライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。

上流部のプロセスラインＡにおいて、洗浄プロセス部２４は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内のカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と隣接する場所にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１を配置している。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内の洗浄部は、ＬＣＤ基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でラインＡ方向に搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すようになっている。

洗浄プロセス部２４の下流側に隣接する第１の熱的処理部２６は、プロセスラインＡに沿って中心部に縦型の搬送機構４６を設け、その前後両側に複数のユニットを多段に積層配置している。たとえば、図２に示すように、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０、脱水ベーク用の加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）５０は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２側と基板Ｇの受け渡しを行うために用いられる。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０、冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）６６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）６０は、塗布プロセス部２８側と基板Ｇの受け渡しを行うためのものである。

図２に示すように、搬送機構４６は、鉛直方向に延在するガイドレール６８に沿って昇降移動可能な昇降搬送体７０と、この昇降搬送体７０上でθ方向に回転または旋回可能な旋回搬送体７２と、この旋回搬送体７２上で基板Ｇを支持しながら前後方向に進退または伸縮可能な搬送アームまたはピンセット７４とを有している。昇降搬送体７０を昇降駆動するための駆動部７６が垂直ガイドレール６８の基端側に設けられ、旋回搬送体７２を旋回駆動するための駆動部７８が昇降搬送体７０に取り付けられ、搬送アーム７４を進退駆動するための駆動部８０が回転搬送体７２に取り付けられている。各駆動部７６，７８，８０はたとえば電気モータ等で構成されてよい。

上記のように構成された搬送機構４６は、高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部（ＴＢ）４４，４８の中の任意のユニットにアクセス可能であり、補助搬送空間３８側のシャトル４０とも基板Ｇを受け渡しできるようになっている。

第１の熱的処理部２６の下流側に隣接する塗布プロセス部２８は、図１に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４およびエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６をプロセスラインＡに沿って一列に配置している。図示省略するが、塗布プロセス部２８内には、これら３つのユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６に基板Ｇを工程順に１枚ずつ搬入・搬出するための搬送装置が設けられており、各ユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６内では基板１枚単位で各処理が行われるようになっている。

塗布プロセス部２８の下流側に隣接する第２の熱的処理部３０は、上記第１の熱的処理部２６と同様の構成を有しており、両プロセスラインＡ，Ｂの間に縦型の搬送機構９０を設け、プロセスラインＡ側（最後尾）に一方の多段ユニット部（ＴＢ）８８を設け、プロセスラインＢ側（先頭）に他方の多段ユニット部（ＴＢ）９２を設けている。

図示省略するが、たとえば、プロセスラインＡ側の多段ユニット部（ＴＢ）８８には、最下段に基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば３段積みに重ねられてよい。また、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２には、最下段に基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上に冷却ユニット（ＣＯＬ）がたとえば１段重ねられ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば２段積みに重ねられてよい。

第２の熱的処理部３０における搬送機構９０は、両多段ユニット部（ＴＢ）８８，９２のそれぞれのパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して塗布プロセス部２８および現像プロセス部３２と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０や後述するインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。

下流部のプロセスラインＢにおいて、現像プロセス部３２は、基板Ｇを水平姿勢で搬送しながら一連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユニット（ＤＥＶ）９４を含んでいる。

現像プロセス部３２の下流側には脱色プロセス部３４を挟んで第３の熱的処理部３６が配置される。脱色プロセス部３４は、基板Ｇの被処理面にｉ線（波長３６５ｎｍ）を照射して脱色処理を行うためのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６を備えている。

第３の熱的処理部３６は、上記第１の熱的処理部２６や第２の熱的処理部３０と同様の構成を有しており、プロセスラインＢに沿って縦型の搬送機構１００とその前後両側に一対の多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２を設けている。

図示省略するが、たとえば、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）９８には、最下段にパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）がたとえば３段積みに重ねられてよい。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）１０２には、最下段にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が置かれ、その上に基板受け渡しおよび冷却用のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）が１段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段積みに重ねられてよい。

第３の熱的処理部３６における搬送機構１００は、両多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２のパスユニット（ＰＡＳＳ）およびパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）を介してそれぞれｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６およびカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。

インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置１０４を有し、その周囲にバッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８および周辺装置１１０を配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６には定置型のバッファカセット（図示せず）が置かれる。エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置１１０は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよい。搬送装置１０４は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム１０４ａを有し、隣接する露光装置１２や各ユニット（ＢＵＦ）１０６、（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８、（ＴＩＴＬＥＲ／ＥＥ）１１０と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。

図３に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６の洗浄プロセス部２４のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１に搬入する（ステップＳ1）。

エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１内で基板Ｇは紫外線照射による乾式洗浄を施される（ステップＳ2）。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板Ｇは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２によって洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２へ移される。

スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２では、上記したように基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でプロセスラインＡ方向に平流しで搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の汚れを除去する（ステップＳ3）。そして、洗浄後も基板Ｇを平流しで搬送しながらリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。

スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で洗浄処理の済んだ基板Ｇは、第１の熱的処理部２６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）４４内のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０に搬入される。

第１の熱的処理部２６において、基板Ｇは搬送機構４６により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初にパスユニット（ＰＡＳＳ）５０から加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４の１つに移され、そこで脱水処理を受ける（ステップＳ4）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。しかる後、基板Ｇはアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６，６６の１つに移され、そこで疎水化処理を受ける（ステップＳ6）。この疎水化処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ7）。最後に、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）６０に移される。

このように、第１の熱的処理部２６内では、基板Ｇが、搬送機構４６を介して上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４と下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８との間で任意に行き来できるようになっている。なお、第２および第３の熱的処理部３０，３６でも同様の基板搬送動作を行えるようになっている。

第１の熱的処理部２６で上記のような一連の熱的または熱系の処理を受けた基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０から下流側隣の塗布プロセス部２８のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２へ移される。

基板Ｇはレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２でたとえばスピンコート法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４で減圧による乾燥処理を受け、次いで下流側隣のエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６で基板周縁部の余分（不要）なレジストを取り除かれる（ステップＳ8）。

上記のようなレジスト塗布処理を受けた基板Ｇは、エッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６から隣の第２の熱的処理部３０の上流側多段ユニット部（ＴＢ）８８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。

第２の熱的処理部３０内で、基板Ｇは、搬送機構９０により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでレジスト塗布後のベーキングを受ける（ステップＳ9）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ10）。しかる後、基板Ｇはインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８へ受け渡される。

インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８から周辺装置１１０の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ11）。

露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ11）、先ず周辺装置１１０のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ12）。しかる後、基板Ｇはエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８に戻される。インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１２との基板Ｇのやりとりは搬送装置１０４によって行われる。

プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６では、第２の熱的処理部３０において搬送機構９０がエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８より露光済の基板Ｇを受け取り、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して現像プロセス部３２へ受け渡す。

現像プロセス部３２では、該多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）から受け取った基板Ｇを現像ユニット（ＤＥＶ）９４に搬入する。現像ユニット（ＤＥＶ）９４において基板ＧはプロセスラインＢの下流に向って平流し方式で搬送され、その搬送中に現像、リンス、乾燥等の一連の現像処理工程が行われる（ステップＳ13）。

現像プロセス部３２で現像処理を受けた基板Ｇは下流側隣の脱色プロセス部３４へ搬入され、そこでｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ14）。脱色処理の済んだ基板Ｇは、第３の熱的処理部３６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）９８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。

第３の熱的処理部３６において、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでポストベーキングを受ける（ステップＳ15）。次いで、基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）１０２内のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に移され、そこで所定の基板温度に冷却される（ステップＳ16）。第３の熱的処理部３６における基板Ｇの搬送は搬送機構１００によって行われる。

カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、第３の熱的処理部３６のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）から塗布現像処理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板Ｇをいずれか１つのカセットＣに収容する（ステップＳ1）。

この塗布現像処理システム１０においては、現像プロセス部３２の現像ユニット（ＤＥＶ）９４に本発明を適用することができる。以下、図４〜図１６を参照して本発明を現像ユニット（ＤＥＶ）９４に適用した一実施形態を説明する。

図４に、本発明の一実施形態による現像ユニット（ＤＥＶ）９４内の全体構成を模式的に示す。

この現像ユニット（ＤＥＶ）９４は、図４に示すように、プロセスラインＢに沿って一定の水平方向（Ｘ方向）に延在する連続的な搬送路１２０を形成する複数たとえば８つのモジュールＭ₁〜Ｍ₈を一列に連続配置してなる。

これら８つのモジュールＭ₁〜Ｍ₈のうち、最上流端に位置する１番目のモジュールＭ₁には搬入部１２２が、２番目のモジュールＭ₂には加熱部１２４が、３番目および４番目のモジュールＭ₃，Ｍ₄には現像部１２６が、５番目および６番目のモジュールＭ₅，Ｍ₆には第１および第２リンス部１２８，１３０が、７番目のモジュールＭ₇には乾燥部１３２が、８番目のモジュールＭ₈には搬出部１３４がそれぞれ設けられている。

モジュールＭ₁の搬入部１２２は、隣の基板搬送機構（図示せず）から手渡される基板Ｇを複数本のリフトピン１３６で受け取って搬送路１２０上に移載するリフトピン昇降機構１３８を備えている。搬出部１３４も、基板Ｇを複数本のリフトピン１４０で持ち上げて隣の基板搬送機構（図示せず）へ手渡すリフトピン昇降機構１４２を備えている。これら搬入部１２２および搬出部１３４は、多段ユニット部（ＴＢ）９２，９８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）でそれぞれ構成されてもよい。

モジュールＭ₂の加熱部１２４は、搬送路１２０上の基板Ｇを室温よりも十分高い設定温度まで加熱するようになっている。加熱部１２４の構成および作用については後に詳しく説明する。

現像部１２６は、より詳細には、現像液供給部１４４と現像停止部１４６とからなり、現像液供給部１４４が上流側のモジュールＭ₃に、現像停止部１４６が下流側のモジュールＭ₄にそれぞれ設けられる。現像液供給部１４４は、基板Ｇに現像液を供給するように構成され、この例ではパドル現像を行うために搬送路１２０上の基板Ｇに向けて上方から現像液を吐出する長尺型の現像液ノズル１４８を１本または複数本備えている。現像停止部１４６は、基板Ｇ上から現像液を取り除いて現像を停止するように構成され、この例では、基板Ｇを搬送方向で後向きまたは前向きに傾斜させる基板傾斜機構１５０を備えており、この基板傾斜機構１５０により基板Ｇを水平姿勢から傾斜姿勢に変換して、基板Ｇ上から現像液を重力で流し落として現像停止を行うようにしている。

なお、現像液供給部１４４においては、現像液ノズル１４８を搬送路１２０の上で水平移動させる水平移動機構（図示せず）を設け、現像液ノズル１４８が搬送方向（Ｘ方向）またはその逆方向に水平移動しながら搬送路１２０上の基板Ｇに向けて現像液を吐出する液盛り方式も可能である。また、現像停止部１４６においては、現像停止を速やかに行うために、傾斜姿勢の基板Ｇ上に置換用のリンス液を供給するリンス液ノズル（図示せず）を設けてもよい。

モジュールＭ₅の第１リンス部１２８は、現像停止直後の基板Ｇに一次リンス処理用のリンス液を吹き付ける長尺型のリンス液ノズル１５２を搬送路１２０の上方および下方にそれぞれ１本または複数本備えている。モジュールＭ₆の第２リンス部１３０は、一次リンス処理後の基板Ｇに二次リンスまたは仕上げリンス処理用のリンス液を吹き付ける長尺型のリンス液ノズル１５４を搬送路１２０の上方および下方にそれぞれ１本または複数本備えている。

乾燥部１３２は、基板Ｇに付着しているリンス液を液切りするための長尺型の気体流吐出ノズルまたはエアーナイフ１５６を搬送路１２０の上方および下方にそれぞれ１本または複数本備えている。

また、現像部１２６および第１，第２リンス部１２８，１３０には、搬送路１２０の下に落ちた液を受け集めるためのパン１５８，１６０がそれぞれ設けられている。これらのパン１５８，１６０の底に設けられている排液口には排液管１６２，１６４がそれぞれ接続されている。現像部１２６側の排液管１６２は現像液循環再利用システム（図示せず）に通じている。リンス部１２８，１３０側の排液管１６４は廃液処理部（図示せず）に通じている。上記のように、現像部１２６の現像停止部１４６に置換用のリンス液ノズルを設ける場合は、現像液供給部１４４と現像停止部１４６に別々のパンを使用し、現像停止部１４６側のパンに落ちた液は廃液処理部（図示せず）に送るようにしてよい。

図５に、この現像ユニット（ＤＥＶ）９４における平流し搬送機構の構成を模式的に示す。搬送路１２０には、基板Ｇをほぼ水平に載置できる搬送ローラまたはコロ１６０が一定間隔でプロセスラインＢ（図１、図４）の方向に敷設されている。

この構成例では、搬送路１２０上のコロ１６０が、たとえば各モジュールＭ₁〜Ｍ₈毎に複数の区間に分割され、各区間毎に独立して駆動されるようになっている。より詳細には、各モジュールＭ_n（ｎ＝１〜８）の区間に属するコロ１６０は、個別の伝動機構１６２(n)を介して個別の搬送駆動部１６４(n)に駆動接続されている。各搬送駆動部１６４(n)は駆動源としてたとえば電気モータを有しており、電気モータの駆動力により伝動機構１６２(n)を介してコロ１６０を回転運動させ、搬送路１２０上で基板Ｇをコロ搬送によって水平移動させるようになっている。

搬送制御部１６６は、たとえばマイクロコンピュータからなり、搬送路１２０上の各部および全体の基板搬送動作を制御するために、全区間の搬送駆動部１６４(1)〜１６４(8)に個別の搬送制御信号を与える。搬送制御の精度を上げるために、好ましくは、搬送路１２０上の基板Ｇの位置を検出するための少なくとも１つのセンサ（図示せず）が設けられ、各センサの出力が搬送制御部１６６に接続されている。また、搬送制御部１６６は局所コントローラとして、ホストコンピュータ（図示せず）等とも接続されている。

次に、この現像ユニット（ＤＥＶ）９４における作用を説明する。基板搬入部１２２は、隣の基板搬送機構（図示せず）から基板Ｇを１枚単位で受け取って搬送路１２０に移載する。直後に、モジュールＭ₁，Ｍ₂における平流し搬送機構（図５）が作動して、基板Ｇを搬入部１２２から送り出す。そして、基板Ｇが加熱部１２４内の所定位置に着くと、そこで平流しの搬送をいったん停止する。加熱部１２４は、搬送路１２０上で停止している基板Ｇをその直下および／または直上から所定時間加熱して、基板Ｇの温度をそれまでの室温からそれよりも高い設定温度まで上げる。ここで、基板Ｇを加熱するのは、現像工程の直前に基板おもて面のレジスト膜を上記設定温度まで加温するためである。こうして、加熱部１２４で基板Ｇを設定温度まで加熱してから、現像部１２６へ向けて平流しの搬送を再開する。

現像部１２６においては、先ず現像液供給部１４４で長尺型の現像液供給ノズル１４８が搬送路１２０上の基板Ｇに現像液をパドル方式で液盛りする。この液盛りのために、搬送路１２０上で基板Ｇを下流側に一定速度で搬送しながら固定位置で現像液供給ノズル１４８が直下の基板Ｇに向けて現像液を帯状に吐出してもよく、あるいは静止状態または搬送中の基板Ｇに対してその上方で現像液供給ノズル１４８が搬送方向（Ｘ方向）またはその逆方向に水平移動しながら現像液を帯状に吐出してもよい。なお、現像液供給ノズル１４８より吐出する現像液の温度は、通常は常温または室温でよい。

現像液供給部１４４で上記のようにして現像液を液盛りされた基板Ｇはそのまま搬送路１２０に乗って現像停止部１４６に搬入される。そして、現像停止部１４６内の所定位置に着くと、基板傾斜機構１５０が作動して基板Ｇを搬送路１２０より上に持ち上げて基板Ｇを搬送方向でたとえば後ろ向きで（基板上面を後に向けて）基板Ｇを傾斜させる。この傾斜姿勢により、基板Ｇ上に盛られていた現像液の大部分が基板後方に流れ落ちてパン１５８に受け集められ、基板Ｇのおもて面では現像が停止する。

この実施形態では、平流しの搬送路１２０上で、先ず加熱部１２４により基板Ｇを室温よりも十分高い設定温度まで加熱し、直後に現像部１２６で基板Ｇに現像液を供給して基板表面のレジスト膜を現像するので、レジスト膜の不要部分（可溶部分）と現像液との溶解反応を促進して溶解速度または現像速度を向上させ、これによって現像時間を短縮することができる。

上記のようにして現像部１２６で現像工程を終えた基板Ｇは、搬送路１２０に乗って第１および第２リンス部１２８，１３０に送られる。第１リンス部１２８では、リンス液ノズル１５２がそこを通過する基板Ｇに一次リンス処理用のリンス液たとえば純水を吹き付ける。第２リンス部１３０でも、リンス液ノズル１５４がそこを通過する基板Ｇに二次リンス処理用の新規なリンス液たとえば純水を吹き付ける。リンス処理で基板Ｇの下に落ちたリンス液は、搬送路１２０下のパン１６０に受け集められる。これら第１および第２リンス部１２８，１３０においても、リンス液ノズル１５２，１５４が搬送方向（Ｘ方向）またはその逆方向に水平移動しながら基板Ｇにリンス液を吹き掛ける構成や、リンス液を流し落とすために基板Ｇを傾斜させる機構を採用することができる。

第２リンス部１３０で上記のような仕上げのリンス処理を終えた基板Ｇは、搬送路１２０に乗って乾燥部１３２に送られる。乾燥部１３２では、エアーナイフ１５６がそこを通過する基板Ｇにナイフ状の鋭利なエアブローを当てることにより、基板Ｇに付着している液（主にリンス液）を基板後方へ払い落す（液切りする）。

上記のように、この実施形態によれば、搬送路１２０に沿って現像部１２６の直ぐ上流の位置または区間に加熱部１２４を設置し、現像部１２６による現像処理に先立って加熱部１２４で基板Ｇを室温よりも十分高い設定温度まで加熱するようにしたので、平流し方式の現像処理工程において最も支配的な工程時間である現像時間の短縮化を簡単かつ効率よく実現し、ひいては現像ユニット（ＤＥＶ）９４全体のタクトタイムの短縮化を図ることができる。

次に、図６〜図１６を参照して、この実施形態における現像ユニット（ＤＥＶ）９４の主要な特徴部分である加熱部１２４の構成および作用について説明する。

図６に、一実施例による加熱部１２４の構成を平面視で示す。この実施例の加熱部１２４は、モジュールＭ₂内に搬送路１２０の下から基板Ｇの裏面に向けて熱を放射する多数の長尺型放熱体（ヒータ）１７０を備えている。より詳細には、基板Ｇの幅方向（Ｙ方向）のサイズよりも大きな長さを有する１本の放熱体１７０が相隣接する２つのコロ１６０，１６０の間に割り込むようにして配置され、搬送方向（Ｘ方向）において基板Ｇの長さを超える範囲に亘って多数本の放熱体１７０が平行または並列に配置される。

図６には、モジュールＭ₂における平流し搬送機構の具体的な構成例も示されている。コロ１６０の両端部は、フレーム１７２に固定された左右一対の軸受１７４に回転可能に支持されている。搬送駆動部つまり電気モータ１６４(2)の回転駆動力を各コロ１６０に伝えるための伝動機構１６２(2)は、電気モータ１６４(2)の回転軸に無端ベルト１７６を介して接続された搬送方向（Ｘ方向）に延びる回転駆動シャフト１７８と、この回転駆動シャフト１７８と各コロ１６０とを作動結合する交差軸型のギア１８０とで構成されている。

図７に、放熱体１７０の具体的な構成例を示す。この放熱体１７０は、アルミニウムからなる放熱板１８２と、この放熱板１８２の裏面または背面に絶縁膜１８４を介して貼り付けられたＳＵＳ薄膜ヒータ１８６とで構成されている。搬送路１２０上の基板Ｇと各放熱板１８２との距離間隔またはギャップｇはたとえば３ｍｍ〜１０ｍｍに設定される。基板Ｇは、たとえばガラス板１８８のおもて面に多層の膜を有しており、最上層がレジスト膜１９０で、その下の層または下地膜が被エッチング膜１９２である。レジスト膜１９０はたとえばポジ型であり、光、電子、イオン等のエネルギー線を照射された部分（可溶部）１９０Ａとそのようなエネルギー線を照射されていない部分（非可溶部）１９０Ｂとが所定のパターンで混在している。

各放熱板１８２の薄膜ヒータ１８６はたとえば８０℃〜１３０℃の発熱温度で発熱し、その放射熱のエネルギーがギャップｇを介して直上の基板Ｇに与えられることにより、基板Ｇの全体が、特に基板おもて面のレジスト膜１９０が設定温度（たとえば５０℃〜９０℃）まで加熱される。基板Ｇが加熱部１２４から隣の現像部１２６へ移っても、まだ間もないので基板Ｇの温度は設定温度付近に維持される。

図８に示すように、現像部１２６の現像液供給部１４４で基板Ｇ上に現像液Ｄが盛られると、基板Ｇからの放熱で現像液Ｄが加熱され、現像液Ｄが活性化してその液膜の中で対流が起こり、レジスト膜１９０の可溶部１９０Ａに対する現像新液の供給が促進され、ひいては可溶部１９０Ａの溶解が促進される。

このように、この実施例によれば、平流しの現像方式において、搬送路１２０上の基板Ｇに現像液を供給するに先立ち、現像部１２６の直ぐ上流に位置する加熱部１２４で搬送路１２０上の基板Ｇを適当な設定温度まで加熱することにより、現像部１２６による現像処理に際しては基板Ｇ上でレジストの溶解を促進して溶解速度または現像速度を向上させることができる。

この実施形態における加熱部１２４の別の実施例として、図９に示すように、搬送路１２０の上に放熱体（ヒータ）１９４を備える構成も可能である。この放熱体１９４は、コロ１６０と干渉せずに基板Ｇのおもて面全体に近接して放射熱を全面照射することができる。また、放熱体１９４を昇降可能に構成し、仮想線（一点鎖線）で示す退避位置と実線で示す加熱位置との間で放熱体１９４の位置を切り替えるようにしてもよい。

なお、図９の構成例では、搬送路１２０上の基板Ｇを下方の放熱体１７０からも加熱するようにしているので、基板Ｇを設定温度まで急速加熱することができる。もっとも、加熱部１２４において、下部放熱体１７０を省き、上部放熱体１９６だけを備える構成とすることも可能である。

別の実施例として、基板Ｇの全領域を複数のゾーンに分割し、各ゾーン毎に加熱温度を独立に設定・制御することも可能である。露光法によっては、均一な基板温度で現像を行うと、基板上で現像均一性がむしろ低下することもある。たとえば、ハーフトーン露光方式を採用するときは、基板の中心部で線幅が相対的に小さく、基板の周辺部、特にコーナー部で線幅が相対的に大きくなる傾向がある。

このようなアプリケーションに対処するために、この実施例は、たとえば図１０に示すように、基板Ｇの全域（特におもて面全域）を複数たとえば９つのゾーンＧ₁〜Ｇ₉に分割する。より詳細には、矩形の基板Ｇを枠状の基板周辺ゾーンＧ₂〜Ｇ₈とその内側の基板中心ゾーンＧ₁とに２分割し、さらに基板周辺ゾーンＧ₂〜Ｇ₈を四隅に位置する４つの基板コーナーゾーンＧ₃，Ｇ₅，Ｇ₇，Ｇ₉と四辺の中間部に位置する４つの基板サイドゾーンＧ₂，Ｇ₄，Ｇ₆，Ｇ₈とに８分割している。たとえば、上記のようなハーフトーン露光に対しては、基板中心ゾーンＧ₁の加熱温度を５０℃、基板コーナーゾーンＧ₃，Ｇ₅，Ｇ₇，Ｇ₉の加熱温度を８０℃、基板サイドゾーンＧ₂，Ｇ₄，Ｇ₆，Ｇ₈の加熱温度を６０℃にそれぞれ設定することができる。このように、基板Ｇの全面を複数のゾーンに分割してゾーン毎に加熱温度を個別または独立的に設定・制御することにより、基板面内の線幅均一性または膜減り均一性を改善することができる。

加熱部１２４においては、上記のような基板Ｇ側のゾーン分割に対応させて、放熱体の放熱面をゾーン分割する。たとえば、図１０に示すように、上部放熱体１９４の放熱面（下面）を基板Ｇのゾーン分割と同様のパターンで９つのゾーンＥ₁〜Ｅ₉に分割する。より詳細には、矩形放熱体１９４の放熱面（下面）を枠状の放熱周辺ゾーン（Ｅ₂〜Ｅ₉）とその内側の方熱中心ゾーンＥ₁とに２分割し、さらに放熱周辺ゾーン（Ｅ₂〜Ｅ₉）を四隅に位置する４つの放熱コーナーゾーン（Ｅ₃，Ｅ₅，Ｅ₇，Ｅ₉）と四辺の中間部に位置する４つの放熱サイドゾーン（Ｅ₂，Ｅ₄，Ｅ₆，Ｅ₈）とに８分割する。そして、これら９つの放熱ゾーンＥ₁〜Ｅ₉の放熱温度を独立に設定・制御できる構成とする。具体的には、各放熱ゾーンＥ₁〜Ｅ₉に個別の通電発熱体を設け、各通電発熱体を独立に通電発熱させ、通電発熱量を個別に制御する構成としてよい。

もっとも、基板の対称性から、通常は、放熱コーナーゾーン（Ｅ₃，Ｅ₅，Ｅ₇，Ｅ₉）を同一の温度に設定・制御し、放熱サイドゾーン（Ｅ₂，Ｅ₄，Ｅ₆，Ｅ₈）の放熱温度を同一の温度に設定・制御してよい。たとえば、上記のようなハーフトーン露光に対しては、放熱中心ゾーンＧ₁の放熱温度を８０℃、基板コーナーゾーンＧ₃，Ｇ₅，Ｇ₇，Ｇ₉の放熱温度を１２０℃、基板サイドゾーンＧ₂，Ｇ₄，Ｇ₆，Ｇ₈の放熱温度を１００℃にそれぞれ設定してよい。

別の実施例として、基板Ｇの一部の領域のみ、典型的には四隅のみを局所的に加熱する方式も可能である。この場合、加熱部１２４は、たとえば図１１に示すように、所定の加熱位置に位置決めされる基板Ｇの四隅の直下の搬送路１２０つまりコロ１６０に小片サイズ（基板Ｇのコーナー部に対応するサイズ）の放熱体１９６を配置する構成としてよい。より詳細には、たとえば図１２に示すように、コロ１６０の一部を小径部１６０ａに形成して、その小径部１６０ａに放熱体１９６を配置する。ここで、放熱体１９６の上面がコロ１６０の大径部の頂面よりも幾らか（放熱ギャップｇだけ）低くなるように高さを設定し、かつ放熱体１９６の下面がコロ１６０の小径部１６０ａに当たらないように、コロ１６０から独立した支持部材１９８に放熱体１９６を取り付けてよい。また、この実施例では、基板Ｇのコーナーゾーン以外の部分への熱の転写を防止ないし低減するために、図１１にライン１９７で模式的に示すように、放熱体１９６を取り付けていないコロ１６０をたとえば温調水等で温調するのが好ましい。

更に別の実施例として、図１３に示すように、放熱体２００を基板Ｇのコーナー部に相当するサイズで断面コ字状に形成するとともに、搬送路１２０の外（サイド）に設定された退避位置と搬送路１２０内で基板Ｇのコーナー部に掛かる往動位置との間で一定方向（Ｙ方向）に水平移動可能に構成してもよい。この場合、放熱体２００の上下内側面（対向面）を放熱面とし、１個の放熱体２００で基板Ｇのコーナー部を上下から加熱することができる。

上記した実施例は、加熱部１２４において、基板Ｇを搬送路１２０上で静止させた状態で加熱するようにした。しかし、別の実施例として、基板Ｇを搬送路１２０上で搬送方向に移動させながら加熱する方式も可能である。

この移動加熱方式は、搬送路１２０上の基板Ｇを加熱するための放熱体を基板Ｇに追従して水平移動するように構成する。たとえば、図１４に示すように、基板Ｇの四隅を局所的に加熱するための４個の上部放熱体２０２を共通のフレーム２０４に固定し、このフレーム２０４を図示しないフレーム水平移動機構により基板Ｇに追従するように、基板Ｇと同速度で搬送方向（Ｘ方向）に水平移動させるようにしてよい。なお、該フレーム水平移動機構は、たとえば原動機、この原動機の回転駆動力をフレーム２０４の直線駆動に変換ないし伝達する伝動機構およびフレーム２０４を搬送方向（Ｘ方向）に案内するガイドレールなどを含んでよい。

図１５に、この移動加熱方式において、基板Ｇの四隅を局所的に加熱するための上部放熱体２０２を２個で済ます実施例の構成を示す。図１６につき、この実施例の作用を説明する。

図１６の（ａ）、（ｂ）に示すように、搬送路１２０（図示省略）上で基板Ｇが上流側から下流側の現像液ノズル１４８に向かって移動する時、放熱体２０２は基板Ｇの前部コーナーゾーンと向かい合ってこのゾーンを局所的に加熱しながら基板Ｇと並走する。こうして、図１６の（ｃ）に示すように基板Ｇの前端が現像液ノズル１４８の近くに来る頃には、基板Ｇの前部コーナーゾーンの温度が設定温度に達しているようにする。そして、図１６の（ｄ）に示すように、放熱体２０２を搬送方向と逆方向に基板Ｇの後部コーナーゾーンまで高速度で一気に移動させ、その後はこのゾーンを局所的に加熱しながら搬送方向に基板Ｇと並走させる。一方、基板Ｇの前端は現像液ノズル１４８の直下に差し掛かり、現像液Ｄの供給が開始される。

こうして、図１６の（ｅ）に示すように、基板Ｇに対して、基板前端から後部に向かう現像液の液盛りスキャニングと基板後部コーナーゾーンに対する局所加熱とが同時と行われる。そして、図１６の（ｆ）に示すように基板Ｇの後部コーナーゾーンが現像液ノズル１４８の近くに来る頃には、後部コーナーゾーンの温度が設定温度に達しているようにする。そして、図１６の（ｇ）に示すように、放熱体２０２を搬送方向と逆方向に後続の基板Ｇの前部コーナーゾーンまで高速度で一気に移動させ、その後はこのゾーンを局所的に加熱しながら搬送方向に基板Ｇと並走させる。以後、上記と同様の動作を繰り返す。

以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種々の変形・変更を行うことができる。

たとえば、上記した実施形態では、平流しの搬送路１２０に沿って加熱部１２４を現像部１２６の上流側のモジュールＭ₂に設けた。しかしながら、図示省略するが、容易に理解されるように、上記実施形態と同様の構成（特に図６、図１１の構成）を有する加熱部１２４を現像部１２６と同じモジュール（Ｍ₂，Ｍ₃）内に設けることもできる。その場合、現像部１２６内の最上流側の位置に加熱部１２４を設けるのが好ましい。

上記実施形態における放熱体の構成（図７）は一例であり、種々の発熱手段、伝熱手段、放熱手段を用いることができる。また、基板Ｇに温風または熱風や赤外線等を当てて加熱することも可能である。平流しの搬送路１２０もコロ搬送路に限定されるものではなく、ベルト式搬送路や浮上式搬送路等であってもよい。現像方式も、パドル現像に限定されず、スプレー現像も可能である。

また、上記した実施形態とは異なるが、平流しの搬送路１２０以外の場所で基板Ｇを現像に先立って加熱することも可能であり、たとえば第２の熱的処理部３０の多段ユニット部９２内に現像前加熱用のユニットを設ける構成も可能である。その場合は、加熱手段としてオーブンや熱板等を使用できる。特に、基板をゾーン分割して加熱する場合は、熱板に図１０の上部放熱体１９４と同様のゾーン分割放熱構造を適用してよい。

さらに、図６に示すような平流し搬送路１２０の下に設置する下部放熱体１７０にもゾーン分割放熱構造を適用できることはいうまでもない。図１０に示した９分割のパターンは一例であり、基板および／または放熱体を任意のパターンでゾーン分割することが可能であり、たとえば周辺部と中心部だけの２分割パターンも可能である。

本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、ＣＤ基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。

本発明の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。 実施形態の塗布現像処理システムにおける熱的処理部の構成を示す側面図である。 上記塗布現像処理システムにおける処理手順を示すフローチャートである。 上記塗布現像処理システムにおける現像ユニットの全体構成を示す略平面図である。 上記現像ユニットにおける平流し搬送機構の構成を示す図である。 一実施例による加熱部の構成を示す平面図である。 実施例における加熱部の放熱体の構成と作用を示す断面図である。 実施形態における現像処理中の作用を示す断面図である。 一実施例による加熱部の構成を示す略側面図である。 一実施例による加熱部の構成を示す斜視図である。 一実施例による加熱部の構成を示す斜視図である。 図１０の実施例における要部の構成を示す斜視図である。 一実施例による加熱部の構成を示す斜視図である。 一実施例による加熱部の構成を示す斜視図である。 一実施例による加熱部の構成を示す斜視図である。 図１５の実施例の作用を説明するための図である。

符号の説明

１０ 塗布現像処理システム
９４ 現像ユニット（ＤＥＶ）
１２０ 搬送路
１２４ 加熱部
１２６ 現像部
１２８ 第１リンス部
１３０ 第２リンス部
１３２ 乾燥部
１４４ 現像液供給部
１４６ 現像停止部
１４８ 現像液ノズル
１６０ コロ
１７０ 放熱体
１９４ 放熱体
１９６ 放熱体
２００ 放熱体
２０２ 放熱体
２０４ フレーム

Claims (24)

1. 露光処理後の被処理基板をほぼ水平な搬送路上で搬送する間に前記基板に現像処理を施す現像処理装置であって、
   前記搬送路上の第１の位置または区間で前記基板を室温よりも高い設定温度まで加熱する加熱部と、
   前記搬送路上の前記第１の位置または区間よりも下流側の第２の位置または区間で前記加熱部により加熱された直後の前記基板上に現像液を供給する現像液供給部と、
   前記搬送路上の前記第２の位置または区間よりも下流側の第３の位置または区間で前記基板上から現像液を除去して現像を停止させる現像停止部と
   を有する現像処理装置。
2. 前記搬送路上の前記第３の位置または区間よりも下流側の第４の位置または区間で前記基板をリンスするリンス部と、
   前記搬送路上の前記第４の位置または区間よりも下流側の第５の位置または区間で前記基板を乾かす乾燥部と
   を有する請求項１に記載の現像処理装置。
3. 露光処理後の被処理基板をほぼ水平な搬送路上で搬送する間に前記基板に現像処理を施す現像処理装置であって、
   前記搬送路上の第１の位置または区間で前記基板を室温よりも高い設定温度まで加熱する加熱部と、
   前記搬送路上の前記第１の位置または区間で前記加熱部により加熱された直後の前記基板上に現像液を供給する現像液供給部と、
   前記搬送路上の前記第１の位置または区間よりも下流側の第２の位置または区間で前記基板上から現像液を除去して現像を停止させる現像停止部と
   を有する現像処理装置。
4. 前記搬送路上の前記第２の位置または区間よりも下流側の第３の位置または区間で前記基板をリンスするリンス部と、
   前記搬送路上の前記第３の位置または区間よりも下流側の第４の位置または区間で前記基板を乾かす乾燥部と
   を有する請求項３に記載の現像処理装置。
5. 前記加熱部が、前記搬送路の下から前記基板の裏面に向けて熱を放射する放熱体を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の現像処理装置。
6. 前記加熱部が、前記搬送路の上から前記基板のおもて面に向けて熱を放射する放熱体を有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の現像処理装置。
7. 前記放熱体が、その放熱面を複数の放熱ゾーンに分割し、各放熱ゾーン毎に放熱温度を独立に制御可能とする、請求項５または請求項６に記載の現像処理装置。
8. 前記基板が矩形であり、
   前記放熱体が、少なくとも前記基板の４つのコーナー部にそれぞれ対応する４つの独立した放熱コーナーゾーンを有する、請求項７に記載の現像処理装置。
9. 前記放熱体が、前記放熱コーナーゾーンより内側の中心部に位置する放熱中心ゾーンを有する、請求項８に記載の現像処理装置。
10. 前記放熱コーナーゾーンの放熱温度が前記放熱中心ゾーンの放熱温度よりも高い温度に設定される、請求項９に記載の現像処理装置。
11. 前記基板が矩形であり、
    前記加熱部が、前記基板の一部の領域のみを局所的に加熱する、
    請求項１〜６のいずれか一項に記載の現像処理装置。
12. 前記加熱部が、前記基板の４つのコーナー部のみを局所的に加熱する、請求項１１に記載の現像処理装置。
13. 前記加熱部が、前記搬送路上で静止中の前記基板を加熱する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の現像処理装置。
14. 前記加熱部が、前記搬送路上で搬送中の前記基板を加熱する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の現像処理装置。
15. 露光処理後の被処理基板をほぼ水平な搬送路上で搬送する間に前記基板に現像処理を施す現像処理方法であって、
    前記搬送路上の第１の位置または区間で前記基板を室温よりも高い設定温度まで加熱する工程と、
    前記搬送路上の前記第１の位置または区間よりも下流側の第２の位置または区間で前記加熱された直後の基板上に現像液を供給する工程と、
    前記搬送路上の前記第２の位置または区間よりも下流側の第３の位置または区間で前記基板上から現像液を除去して現像を停止させる工程と
    を有する現像処理方法。
16. 前記搬送路上の前記第３の位置または区間よりも下流側の第４の位置または区間で前記基板を洗浄する工程と、
    前記搬送路上の前記第４の位置または区間よりも下流側の第５の位置または区間で前記基板を乾かす工程と
    を有する請求項１５に記載の現像処理方法。
17. 露光処理後の被処理基板をほぼ水平な搬送路上で搬送する間に前記基板に現像処理を施す現像処理方法であって、
    前記搬送路上の第１の位置または区間で前記基板を室温よりも高い設定温度まで加熱する工程と、
    前記搬送路上の前記第１の位置または区間で前記加熱された直後の基板上に現像液を供給する工程と、
    前記搬送路上の前記第１の位置または区間よりも下流側の第２の位置または区間で前記基板上から現像液を除去して現像を停止させる工程と
    を有する現像処理方法。
18. 前記搬送路上の前記第２の位置または区間よりも下流側の第３の位置または区間で前記基板を洗浄する工程と、
    前記搬送路上の前記第３の位置または区間よりも下流側の第４の位置または区間で前記基板を乾かす工程と
    を有する請求項１７に記載の現像処理方法。
19. 前記基板の面内に複数の基板ゾーンを設定し、各基板ゾーン毎に加熱の温度を独立に設定する請求項１５〜１８のいずれか一項に記載の現像処理方法。
20. 前記基板が矩形であり、
    少なくとも前記基板の四つのコーナーにそれぞれ独立した基板コーナーゾーンを設定する、
    請求項１９に記載の現像処理方法。
21. 前記基板の前記基板コーナーゾーンより内側の中心部に基板中心ゾーンを設定する、請求項２０に記載の現像処理方法。
22. 前記基板コーナーゾーンの加熱温度を前記基板中心ゾーンの加熱温度よりも高い温度に設定する、請求項２１に記載の現像処理方法。
23. 前記基板が矩形であり、
    前記加熱工程で、前記基板の一部の領域のみを局所的に加熱する、
    請求項１５〜１８のいずれか一項に記載の現像処理方法。
24. 前記基板の局所的に加熱される部分は、前記基板の４つのコーナー部である、請求項２３に記載の現像処理方法。

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