JP2011114055A - 基板処理装置及び基板処理方法及び減圧乾燥装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レジスト塗布ユニットで当該基板Gに対して右辺GRから左辺GLに向かって塗布走査する第2モードが選択されたときは、減圧乾燥ユニット(VD)52では、減圧乾燥処理中に左側のガス噴出部102を選択的に作動させて右側のガス噴出部104を止めておくような気流制御が行われる。この場合、手前(左側)の排気ポート100a,100bの排気流路が閉められ、向かい側(右側)の排気ポート100c,100dを通じてチャンバ内の排気が行われる。
【選択図】 図6
Description
Claims (17)
- スリット状の吐出口より塗布液を吐出するスリットノズルを被処理基板上で基板面と平行な所定の塗布走査方向に相対的に移動させて、前記基板上に塗布液の膜を形成する塗布処理部と、
前記塗布液膜が形成された前記基板を減圧雰囲気の中に置き、前記基板上で基板面と平行な所定の気流通過方向に不活性ガスの気流を通過させて、前記塗布液膜を乾燥させる減圧乾燥処理部と
を有し、
前記基板に対して前記塗布走査方向と前記気流通過方向とを反対の向きまたは同じ向きのいずれかに合わせる、基板処理装置。 - 前記減圧乾燥処理部が、
前記基板を出し入れ可能に収容する減圧可能なチャンバと、
前記チャンバ内を真空排気するための排気部と、
前記チャンバ内で前記基板を水平に載置する載置部と、
前記チャンバ内の前記載置部に載置されている前記基板上の処理空間に前記気流通過方向で不活性ガスの気流を形成するために、前記気流通過方向と平行な方向で互いに向き合って前記載置部の両側に設けられる第1および第2のガス噴射部と、
前記基板に対して前記気流通過方向が所望の向きになるように、前記第1および第2のガス噴射部のいずれか一方より択一的に不活性ガスを噴射させる不活性ガス供給部と
を有する、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記排気部が、
前記チャンバ内で、前記載置部を中心にして、前記第1のガス噴射部の反対側に設けられる第1の排気ポートと、前記第2のガス噴射部の反対側に設けられる第2の排気ポートとを有し、
前記第1のガス噴射部が不活性ガスを噴射するときは、前記第2の排気ポート側の排気流路を閉じて、前記第1の排気ポートを介して前記チャンバ内の排気を行い、
前記第2のガス噴射部が不活性ガスを噴射するときは、前記第1の排気ポート側の排気流路を閉じて、前記第2の排気ポートを介して前記チャンバ内の排気を行う、
請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記排気部が、
前記チャンバ内で、前記基板または前記載置部を挟んで前記処理空間の下に形成される下部空間の底に設けられる排気ポートと、
前記第1のガス噴射部と向かい合って前記下部空間を選択的に遮蔽するための昇降可能な第1の板壁部と、
前記第1の板壁部を昇降移動させるための第1の昇降機構と、
前記第2のガス噴射部と向かい合って前記下部空間を選択的に遮蔽するための昇降可能な第2の板壁部と、
前記第2の板壁部を昇降移動させるための第2の昇降機構と
を有し、
前記第1のガス噴射部が不活性ガスを噴射するときは、前記第1の板壁部を前記チャンバの底より上に上昇させて前記下部空間を遮蔽させるとともに前記第2の板壁部を前記チャンバの底より下に退避させ、
前記第2のガス噴射部が不活性ガスを噴射するときは、前記第2の板壁部を前記チャンバの底より上に上昇させて前記下部空間を遮蔽させるとともに前記第1の板壁部を前記チャンバの底より下に退避させる、
請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記減圧乾燥処理部が、前記気流通過方向と直交する水平な方向で前記処理空間の広がりを規制して、不活性ガスの気流を前記気流通過方向に案内するために、前記載置部の両側に設けられる第1の気流案内部を有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記減圧乾燥処理部が、前記処理空間に入る前の不活性ガスの気流が前記基板または前記載置部を挟んで前記処理空間の下に形成される下部空間に入り込むのを妨げて、不活性ガスの気流を前記処理空間に案内するために、前記載置部の周囲に設けられる第2の気流案内部を有する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記第2の気流案内部が、
鉛直方向で移動可能または変位可能な板壁と、
前記処理空間のクリアランスを調整するために前記載置部の高さ位置に合わせて 前記板壁の上端の高さ位置を可変するための板壁高さ調整部と
を有する、請求項6に記載の基板処理装置。 - 前記塗布処理部から前記減圧乾燥処理部へ前記基板を転送する途中で、前記基板の向きを変えるために、前記基板を水平面内で所望の回転角度だけ回転させる基板回転機構を有する、請求項1に記載の基板処理装置。
- 被処理基板上に形成された塗布液の膜を減圧雰囲気の中で乾燥させるための減圧乾燥装置であって、
前記基板を出し入れ可能な収容する減圧可能なチャンバと、
前記チャンバ内を真空排気するための排気部と、
前記チャンバ内で前記基板を水平に載置する載置部と、
前記チャンバ内の前記載置部に載置されている前記基板上の処理空間に所定の気流通過方向で不活性ガスの気流を形成するために、前記気流通過方向と平行な方向で互いに向き合って前記載置部の両側に設けられる第1および第2のガス噴射部と、
前記第2のガス噴射部がオフ状態のまま前記第1のガス噴射部がオンになって、前記第1のガス噴射部より噴射された不活性ガスの多くが前記処理空間を第1の向きに流れる第1の気流形成モードと、前記第1のガス噴射部がオフ状態のまま前記第2のガス噴射部がオンになって、前記第2のガス噴射部より噴射された不活性ガスの多くが前記処理空間を前記第1の向きとは逆の第2の向きに流れる第2の気流形成モードとの間で切り換え可能な気流制御部と
を有する減圧乾燥装置。 - 前記排気部が、
前記チャンバ内で、前記載置部を中心にして、前記第1のガス噴射部の反対側に設けられる第1の排気ポートと、前記第2のガス噴射部の反対側に設けられる第2の排気ポートとを有し、
前記第1のガス噴射部が不活性ガスを噴射するときは、前記第2の排気ポート側の排気流路を閉じて、前記第1の排気ポートを介して前記チャンバ内の排気を行い、
前記第2のガス噴射部が不活性ガスを噴射するときは、前記第1の排気ポート側の排気流路を閉じて、前記第2の排気ポートを介して前記チャンバ内の排気を行う、
請求項9に記載の減圧乾燥装置。 - 前記排気部が、
前記チャンバ内で、前記基板または前記載置部を挟んで前記処理空間の下に形成される下部空間の底に設けられる排気ポートと、
前記第1のガス噴射部と向かい合って前記下部空間を選択的に遮蔽するための昇降可能な第1の板壁部と、
前記第1の板壁部を昇降移動させるための第1の昇降機構と、
前記第2のガス噴射部と向かい合って前記下部空間を選択的に遮蔽するための昇降可能な第2の板壁部と、
前記第2の板壁部を昇降移動させるための第2の昇降機構と
を有し、
前記第1のガス噴射部が不活性ガスを噴射するときは、前記第1の板壁部を前記チャンバの底より上に上昇させて前記下部空間を遮蔽させるとともに前記第2の板壁部を前記チャンバの底より下に退避させ、
前記第2のガス噴射部が不活性ガスを噴射するときは、前記第2の板壁部を前記チャンバの底より上に上昇させて前記下部空間を遮蔽させるとともに前記第1の板壁部を前記チャンバの底より下に退避させる、
請求項9に記載の減圧乾燥装置。 - 前記気流通過方向と直交する水平な方向で前記処理空間の広がりを規制して、不活性ガスの気流を前記気流通過方向に案内するために、前記載置部の両側に設けられる第1の気流案内部を有する、請求項9〜11のいずれか一項に記載の減圧乾燥装置。
- 前記処理空間に入る前の不活性ガスの気流が前記基板または前記載置部を挟んで前記処理空間の下に形成される下部空間に入り込むのを妨げて、不活性ガスの気流を前記処理空間に案内するために、前記載置部の周囲に設けられる第2の気流案内部を有する、請求項9〜12のいずれか一項に記載の減圧乾燥装置。
- 前記第2の気流案内部が、
鉛直方向で移動可能または変位可能な板壁と、
前記処理空間のクリアランスを調整するために前記載置部の高さ位置に合わせて 前記板壁の上端の高さ位置を可変するための板壁高さ調整部と
を有する、請求項13に記載の基板処理装置。 - スリット状の吐出口より塗布液を吐出するスリットノズルを被処理基板上で基板と平行な塗布走査方向に相対的に移動させて、前記基板上に処理液の塗布液の膜を形成する第1の工程と、
前記塗布液膜が形成された前記基板を減圧雰囲気の中に置き、前記基板上で基板と平行な所定の気流通過方向に不活性ガスの気流を通過させて、前記塗布液膜を乾燥させる第2の工程と
を有し、
前記基板に対して前記塗布走査方向と前記気流通過方向とを反対の向きまたは同じ向きのいずれかに合わせる、基板処理方法。 - 前記気流通過方向の向きを反転可能とし、前記第1の工程における前記塗布走査方向の向きに応じて前記第2の工程における前記気流通過方向の向きを選択する、請求項15に記載の基板処理方法。
- 前記第1の工程と前記第2の工程との間で、前記第1の工程における前記塗布走査方向の向きに応じて、前記第2の工程における前記気流通過方向の向きを選択するために、前記基板を水平面内で所望の回転角度だけ回転させる、請求項15に記載の基板処理方法。
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