KR20110058654A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 및 감압 건조 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 과제는, 슬릿 노즐을 사용하는 스핀리스 도포법에 있어서 도포 처리 직후에 행해지는 감압 건조 처리의 효율성의 향상 및 처리 시간의 단축화를 실현하는 동시에, 감압 건조 처리 후의 레지스트 도포막의 막질 균일성을 향상시키는 것이다.
레지스트 도포 유닛에 의해 당해 기판(G)에 대해 우측 변(GR)으로부터 좌측 변(GL)을 향해 도포 주사하는 제2 모드가 선택되었을 때에는, 감압 건조 유닛(VD)(52)에서는, 감압 건조 처리 중에 좌측의 가스 분출부(102)를 선택적으로 작동시켜 우측의 가스 분출부(104)를 멈추는 기류 제어가 행해진다. 이 경우, 전방(좌측)의 배기 포트(100a, 100b)의 배기 유로가 폐쇄되고, 맞은 편(우측)의 배기 포트(100c, 100d)를 통해 챔버 내의 배기가 행해진다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 및 감압 건조 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND DECOMPRESSION DRYING APPARATUS}
본 발명은, 피처리 기판 상에 스핀리스 방식으로 도포액막을 형성하고 직후에 도포액막을 감압 분위기 중에서 건조시키는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 및 감압 건조의 처리에 사용하는 감압 건조 장치에 관한 것이다.
LCD 등의 플랫 패널 디스플레이(FPD)의 제조 프로세스에 있어서의 포토리소그래피 공정에는, 슬릿 형상의 토출구를 갖는 장척형(長尺形)의 슬릿 노즐을 상대적으로 주사(走査)하여 유리 기판 등의 피처리 기판 상에 레지스트액을 도포하는 스핀리스의 도포법이 흔히 사용되고 있다.
이러한 종류의 스핀리스 도포법은, 예를 들어 특허 문헌 1에 개시되는 바와 같이, 수평한 적재대 상에 적재된 기판과 슬릿 노즐의 토출구 사이에 미소한 갭을 설정하여, 슬릿 노즐을 기판면과 평행, 즉 수평한 일방향으로 이동시킨다. 그렇게 하면, 슬릿 노즐로부터 띠 형상으로 토출된 레지스트액이 기판 상에서 상기 갭으로부터 노즐 후방으로 평탄하게 연장된다. 이와 같이 하여, 슬릿 노즐의 이동 방향에 있어서 기판 상의 일단부로부터 타단부까지 레지스트액의 도포막이 형성된다.
또한, 스핀리스 도포법의 다른 형식으로서, 예를 들어 특허 문헌 2에 개시되는 부상(浮上) 반송 방식도 알려져 있다. 이 방식은, 부상 스테이지 상에서 기판을 공중에 뜨게 한 채로 수평한 일방향으로 반송하고, 스테이지 상방에 배치한 슬릿 노즐에 그 바로 아래를 통과하는 기판을 향해 레지스트액을 띠 형상으로 토출시킴으로써, 기판의 반송 방향에 있어서 기판 상의 일단부로부터 타단부까지 레지스트액의 도포막을 형성하도록 하고 있다.
또한, FPD 패널의 제조에 있어서는, 포토리소그래피 공정 중에서 기판 상에 레지스트액을 도포한 후에 레지스트 도포막 중의 잔존 용제를 증발시키는 가열 처리, 즉 프리 베이킹을 바로 행하면, 가열 처리 유닛 내에서 기판과 접촉하는 리프트 핀, 지지 핀 또는 진공 홈 등으로부터의 열적인 영향을 받아 용제의 증발이 불균일해져, 레지스트 도포막에 전사 흔적 등의 얼룩이 나타난다고 하는 문제가 있다. 따라서, 프리 베이킹에 앞서, 기판 상의 레지스트 도포막에 잔존하고 있는 용제를 감압 분위기하에서 일정 단계까지 휘발시킴으로써 레지스트 도포막의 표면에 단단한 층(일종의 변질층)을 형성하는 감압 건조 처리가 행해지고 있다(예를 들어, 특허 문헌 3). 이와 같이 레지스트 도포막의 내부 또는 벌크부를 액상으로 유지하면서 표층부만을 고화하는 감압 건조법에 따르면, 프리 베이킹시에 벌크 레지스트의 유동을 억제하여 건조 얼룩의 발생을 저감시킬 수 있을 뿐만 아니라, 현상 처리시의 레지스트의 비용해성 또는 막 감소량을 적게 하여, 레지스트 해상도가 높아지는 효과도 얻어진다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 출원 공개 평10-156255 [특허 문헌 2] 일본 특허 출원 공개 제2005-244155 [특허 문헌 3] 일본 특허 출원 공개 제2000-181079
상기와 같은 감압 건조 처리를 행하는 감압 건조 장치에 있어서는, FPD용의 기판이 대형화되는 것에 수반하여, 챔버의 용적이 증가하여, 챔버 내의 압력을 원하는 진공 압력치까지 낮추기 위한 진공화의 소요 시간이 길어질 뿐만 아니라, 기판 상에 형성되는 레지스트 도포막의 액량도 증가하고 있으므로, 감압 분위기 중에서 도포막 중의 용제를 휘발시키는 데 필요한 처리 시간도 길어지는 것이, 처리 효율 또는 택트면에서 과제로 되어 있다.
또한, 상기와 같이 기판에 대해 장척형의 슬릿 노즐을 상대적으로 이동(도포 주사)시키는 스핀리스 도포법에 있어서는, 기판 상의 일단부로부터 타단부까지 마치 융단을 깐 것과 같이 하여 레지스트 도포막이 일방향(도포 주사 방향)으로 일정 속도로 스캔 형성되므로, 레지스트 도포막 중에서 도포 시단부와 도포 종단부 사이에 일정(예를 들어, 30초 정도)한 시간차가 발생한다. 이 도포 주사 방향에 있어서의 기판 상의 레지스트 도포막 형성의 시간차는, 감압 건조 처리가 개시될 때까지의 대기 시간의 차, 즉 자연 건조 시간의 차가 되어, 이것이 감압 건조 처리 후에도 레지스트 도포막의 막질 균일성을 낮추는 원인으로 되어 있다.
구체적으로는, 기판 상의 레지스트 도포막 중에서 도포 시단부는 도포 종단부보다도 예를 들어 30초간 길게 자연 건조에 노출되어 그만큼 건조도가 진행되어 있으므로, 감압 건조 처리 후에도 도포 시단부의 쪽이 도포 종단부보다도 상대적으로 건조 고화의 정도를 강화한 상태에서 현상 처리를 받아, 레지스트 패턴의 잔막률이 면내 균일하게 되지 않는 경우가 있다.
한편, 레지스트 도포 처리를 종료한 후 감압 건조 처리를 개시할 때까지의 시간이 지나치게 경과하면, 기판 상의 레지스트 도포막 중에서 도포 종단부보다도 자연 건조 시간이 긴 도포 시단부의 쪽이 오히려 감압 건조의 효과를 얻기 어려워져, 감압 건조 처리 후에는 도포 시단부보다도 도포 종단부의 쪽이 상대적으로 표층부의 건조 고화의 정도를 강화하게 되어, 이 경우도 현상 후의 레지스트 패턴의 잔막률이 면내 균일하게 되지 않는 경우가 있다.
본 발명은, 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하는 것이며, 슬릿 노즐을 사용하는 스핀리스 도포법에 있어서 도포 처리 직후에 행해지는 감압 건조 처리의 효율성의 향상 및 처리 시간의 단축화를 실현하는 동시에, 감압 건조 처리 후의 레지스트 도포막의 막질 균일성을 향상시키는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 및 감압 건조 장치를 제공한다.
본 발명의 기판 처리 장치는, 슬릿 형상의 토출구로부터 도포액을 토출하는 슬릿 노즐을 피처리 기판 상에서 기판면과 평행한 소정의 도포 주사 방향으로 상대적으로 이동시켜, 상기 기판 상에 도포액막을 형성하는 도포 처리부와, 상기 도포액막이 형성된 상기 기판을 감압 분위기 중에 두고, 상기 기판 상에서 기판면과 평행한 소정의 기류 통과 방향으로 불활성 가스의 기류를 통과시켜, 상기 도포액막을 건조시키는 감압 건조 처리부를 갖고, 상기 기판에 대해 상기 도포 주사 방향과 상기 기류 통과 방향을 반대 방향 또는 동일 방향 중 어느 하나에 맞춘다.
본 발명의 기판 처리 방법은, 슬릿 형상의 토출구로부터 도포액을 토출하는 슬릿 노즐을 피처리 기판 상에서 기판과 평행한 도포 주사 방향으로 상대적으로 이동시켜, 상기 기판 상에 도포액막을 형성하는 제1 공정과, 상기 도포액막이 형성된 상기 기판을 감압 분위기 중에 두고, 상기 기판 상에서 기판과 평행한 소정의 기류 통과 방향으로 불활성 가스의 기류를 통과시켜, 상기 도포액막을 건조시키는 제2 공정을 갖고, 상기 기판에 대해 상기 도포 주사 방향과 상기 기류 통과 방향을 반대 방향 또는 동일 방향 중 어느 하나에 맞춘다.
상기 기판 처리 장치 또는 상기 기판 처리 방법에 있어서는, 감압 건조 처리 중에 기판 상에서 기판면과 평행한 일방향으로 불활성 가스의 기류를 통과시킴으로써, 기판 상의 도포액막으로부터의 용제의 증발을 한층 촉진시킬 수 있을 뿐만 아니라, 기판에 대해 도포 주사 방향과 기류 통과 방향을 반대 방향 또는 동일 방향 중 어느 하나에 맞춤으로써, 도포 주사 방향에 있어서의 기판 상의 각 부의 도포막 형성으로부터 감압 건조 개시까지의 경과 시간(자연 건조 시간)의 편차를 보상하여, 기판 상에서 도포액막의 막질을 면내 균일하게 할 수 있다.
본 발명의 감압 건조 장치는, 피처리 기판 상에 형성된 도포액막을 감압 분위기 중에서 건조시키기 위한 감압 건조 장치이며, 상기 기판을 출입 가능하게 수용하는 감압 가능한 챔버와, 상기 챔버 내를 진공 배기하기 위한 배기부와, 상기 챔버 내에서 상기 기판을 수평하게 적재하는 적재부와, 상기 챔버 내의 상기 적재부에 적재되어 있는 상기 기판 상의 처리 공간에 소정의 기류 통과 방향에서 불활성 가스의 기류를 형성하기 위해, 상기 기류 통과 방향과 평행한 방향에서 서로 대향하여 상기 적재부의 양측에 설치되는 제1 및 제2 가스 분사부와, 상기 제2 가스 분사부가 오프 상태인 채로 상기 제1 가스 분사부가 온이 되어, 상기 제1 가스 분사부로부터 분사된 불활성 가스의 대부분이 상기 처리 공간을 제1 방향으로 흐르는 제1 기류 형성 모드와, 상기 제1 가스 분사부가 오프 상태인 채로 상기 제2 가스 분사부가 온이 되어, 상기 제2 가스 분사부로부터 분사된 불활성 가스의 대부분이 상기 처리 공간을 상기 제1 방향과는 반대인 제2 방향으로 흐르는 제2 기류 형성 모드의 사이에서 전환 가능한 기류 제어부를 갖는다.
상기 감압 건조 장치에 있어서는, 감압 건조 처리 중에 기판 상의 처리 공간에 소정의 기류 통과 방향에서 불활성 가스의 기류를 형성함으로써, 기판 상의 도포액막으로부터의 용제의 증발을 한층 촉진시킬 수 있을 뿐만 아니라, 상기 제1 기류 형성 모드 또는 상기 제2 기류 형성 모드 중 어느 하나로 전환함으로써, 도포 주사 방향에 있어서의 기판 상의 각 부의 도포막 형성으로부터 감압 건조 개시까지의 경과 시간(자연 건조 시간)의 편차를 보상하여, 기판 상에서 도포액막의 막질을 면내 균일하게 할 수 있다.
본 발명의 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 또는 감압 건조 장치에 따르면, 상기와 같은 구성 및 작용에 의해, 슬릿 노즐을 사용하는 스핀리스 도포법에 있어서 도포 처리 직후에 행해지는 감압 건조 처리의 효율성의 향상 및 처리 시간의 단축화를 실현하는 동시에, 감압 건조 처리 후의 레지스트 도포막의 막질 균일성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 적용할 수 있는 일 구성예로서의 레지스트 도포 현상 처리 시스템의 레이아웃을 도시하는 평면도.
도 2는 실시 형태에 있어서의 도포 프로세스부의 구성을 도시하는 평면도.
도 3은 실시 형태에 있어서의 감압 건조 유닛에 구비되는 급기/배기 시스템의 일 구성예를 도시하는 개략 평면도.
도 4는 실시 형태에 있어서의 감압 건조 유닛의 구성을 도시하는 횡단면도.
도 5a는 실시 형태에 있어서의 감압 건조 유닛의 구성(감압 건조 중)을 도시하는 도 4의 I-I선 단면도.
도 5b는 실시 형태에 있어서의 감압 건조 유닛의 구성(기판의 로딩/언로딩시)을 도시하는 도 4의 II-II선 단면도.
도 6은 실시 형태에 있어서의 감압 건조 유닛의 일 작용을 도시하는 개략 평면도.
도 7은 실시 형태에 있어서의 감압 건조 유닛의 일 작용을 도시하는 개략 평면도.
도 8은 실시 형태에 있어서의 감압 건조 유닛의 일 작용을 도시하는 개략 평면도.
도 9는 다른 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 현상 처리 시스템의 레이아웃을 도시하는 평면도.
도 10은 다른 실시 형태에 있어서의 감압 건조 유닛의 구성을 도시하는 횡단면도.
도 11a는 도 10의 감압 건조 유닛의 일 작용을 도시하는 종단면도.
도 11b는 도 10의 감압 건조 유닛의 일 작용을 도시하는 종단면도.
도 12는 도포 방향과 기류 방향을 반대로 하는 경우의 설명도.
도 13은 잔막률과 도포 종료로부터 감압 건조 개시까지의 시간의 관계를 나타내는 그래프.
도 14는 잔막률과 도포 종료로부터 감압 건조 개시까지의 시간의 관계를 나타내는 그래프.
이하, 첨부도를 참조하여 본 발명의 적합한 실시 형태를 설명한다.
도 1에, 본 발명의 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 감압 건조 장치를 적용할 수 있는 일 구성예로서의 레지스트 도포 현상 처리 시스템을 도시한다. 이 레지스트 도포 현상 처리 시스템(10)은, 클린룸 내에 설치되고, 예를 들어 직사각형의 유리 기판을 피처리 기판(G)으로 하고, LCD 제조 프로세스에 있어서 포토리소그래피 공정 중의 세정, 레지스트 도포, 프리 베이크, 현상 및 포스트 베이크 등의 일련의 처리를 행하는 것이다. 노광 처리는, 이 시스템에 인접하여 설치되는 외부의 노광 장치(12)에 의해 행해진다.
이 레지스트 도포 현상 처리 시스템(10)은, 중심부에 가로로 긴 프로세스 스테이션(P/S)(16)을 배치하고, 그 길이 방향(X방향) 양단부에 카세트 스테이션(C/S)(14)과 인터페이스 스테이션(I/F)(18)을 배치하고 있다.
카세트 스테이션(C/S)(14)은, 시스템(10)의 카세트 반입출 포트로, 기판(G)을 다단으로 적층하도록 하여 복수매 수용 가능한 카세트(C)를 수평한 일방향(Y방향)으로 4개까지 배열해서 적재할 수 있는 카세트 스테이지(20)와, 이 스테이지(20) 상의 카세트(C)에 대해 기판(G)의 출입을 행하는 반송 기구(22)를 구비하고 있다. 반송 기구(22)는, 기판(G)을 1매 단위로 보유 지지할 수 있는 반송 아암(22a)을 갖고, X, Y, Z, θ의 4축으로 동작 가능하여, 인접하는 프로세스 스테이션(P/S)(16)측으로 기판(G)의 전달을 행할 수 있도록 되어 있다.
프로세스 스테이션(P/S)(16)은, 수평한 시스템 길이 방향(X방향)으로 연장되는 평행하고 또한 역방향의 한 쌍의 프로세스 라인(A, B) 상에 각 처리부를 프로세스 플로우 또는 공정의 순으로 배치하고 있다.
보다 상세하게는, 카세트 스테이션(C/S)(14)측으로부터 인터페이스 스테이션(I/F)(18)측을 향하는 상류부의 프로세스 라인(A)에는, 반입 유닛(IN PASS)(24), 세정 프로세스부(26), 제1 열적 처리부(28), 반출 유닛(OUT PASS)(30), 도포 프로세스부(32), 반입 유닛(IN PASS)(34), 제2 열적 처리부(36) 및 반출 유닛(OUT PASS)(38)이 상류측으로부터 이 순서로 일렬로 배치되어 있다.
보다 상세하게는, 반입 유닛(IN PASS)(24)은 카세트 스테이션(C/S)(14)의 반송 기구(22)로부터 미처리 기판(G)을 수취하여, 소정의 택트로 프로세스 라인(A)에 투입하도록 구성되어 있다.
세정 프로세스부(26)는 상류측으로부터 차례로 엑시머 UV 조사 유닛(E-UV)(40) 및 스크러버 세정 유닛(SCR)(42)을 설치하고 있고, 제1 열적 처리부(28)는, 상류측으로부터 차례로 어드히전 유닛(AD)(44) 및 냉각 유닛(COL)(46)을 설치하고 있다. 이들 처리 유닛(40 내지 46)은 모두 평류 방식의 처리 유닛으로서 구성되어 있고, 반입 유닛(IN PASS)(24)으로부터 반출 유닛(OUT PASS)(30)까지 상기 처리 유닛(40 내지 46)을 종단하여 연장되는 예를 들어 구름 반송로로 이루어지는 제1 왕로 평류 반송부(48)가 부설되어 있다.
도포 프로세스부(32)는 상류측으로부터 차례로 레지스트 도포 유닛(CT)(50) 및 감압 건조 유닛(VD)(52)을 설치하고 있다. 레지스트 도포 유닛(CT)은, 평류 방식의 처리 유닛이 아니라, 스테이지 상에 기판(G)을 적재하여 고정하고, 그 상방에서 장척형의 슬릿 노즐을 수평한 소정 방향으로 주사 이동시켜 기판(G) 상에 레지스트액의 도포막을 형성하도록 구성되어 있다. 감압 건조 유닛(VD)(52)도, 평류 방식의 처리 유닛이 아니라, 감압 가능한 챔버 내에 설치된 스테이지 상에 기판(G)을 적재하여 고정하고, 챔버 내를 진공 배기하여 기판(G) 상의 레지스트 도포막을 감압 분위기 중에서 건조시키도록 구성되어 있다. 도포 프로세스부(32) 내의 구성 및 작용은 도 2 내지 도 7을 참조하여 이후에 상세하게 서술한다.
제2 열적 처리부(36)에 배치되는 프리 베이크 유닛(PRE-BAKE)(54) 및 냉각 유닛(COL)(56)은 모두 평류 방식의 처리 유닛으로서 구성되어 있고, 반입 유닛(IN PASS)(34)으로부터 반출 유닛(OUT PASS)(38)까지 상기 처리 유닛(54, 56)을 종단하여 연장되는 예를 들어 구름 반송로로 이루어지는 제2 왕로 평류 반송부(58)가 부설되어 있다.
한편, 인터페이스 스테이션(I/F)(18)측으로부터 카세트 스테이션(C/S)(14)측을 향하는 하류부 또는 복로의 프로세스 라인(B)에는, 반입 유닛(도시하지 않음), 현상 유닛(DEV)(60), 포스트 베이크 유닛(POST-BAKE)(62), 냉각 유닛(COL)(64), 검사 유닛(AP)(66) 및 반출 유닛(OUT-PASS)(68)이 이 순서로 일렬로 배치되어 있다. 여기서, 상기 반입 유닛(도시하지 않음)은, 인터페이스 스테이션(I/F)(18)의 주변 장치(TITLER/EE)(76)의 아래층에, 즉 현상 유닛(DEV)(60)과 동일한 층에 설치되어 있다.
현상 유닛(DEV)(60), 포스트 베이크 유닛(POST-BAKE)(62), 냉각 유닛(COL)(64) 및 검사 유닛(AP)(66)은 모두 평류 방식의 처리 유닛으로서 구성되어 있고, 상기 반입 유닛(도시하지 않음)으로부터 반출 유닛(OUT PASS)(68)까지 상기 처리 유닛(60 내지 66)을 종단하여 연장되는 예를 들어 구름 반송로로 이루어지는 복로 평류 반송부(70)가 부설되어 있다.
인터페이스 스테이션(I/F)(18)은, 상기 왕로 및 복로의 프로세스 라인(A, B)의 처리 유닛이나 인접하는 노광 장치(12)로 기판(G)의 전달을 행하기 위한 반송 장치(72)를 갖고, 이 반송 장치(72)의 주위 또는 이웃에 로터리 스테이지(R/S)(74) 및 주변 장치(76)를 배치하고 있다. 로터리 스테이지(R/S)(74)는 기판(G)을 수평면 내에서 회전시키는 스테이지로, 노광 장치(12)로의 전달시에 장방형의 기판(G)의 방향을 변환하기 위해 사용된다. 주변 장치(76)는, 예를 들어 타이틀러(TITLER)나 주변 노광 장치(EE) 등을 포함하고 있다.
이 레지스트 도포 현상 처리 시스템(10)에 있어서는, 카세트 스테이션(C/S)(14)과 왕로의 프로세스 라인(A)과 인터페이스 스테이션(I/F)(18)과 복로의 프로세스 라인(B)에 둘러싸여 X방향으로 곧게 연장되는 내부의 스페이스(NS)가 형성되어 있다. 이 내부 스페이스(NS)에는, 왕로의 프로세스 라인(A)에 있어서의 반출 유닛(OUT PASS)(30)→레지스트 도포 유닛(CT)(50)→감압 건조 유닛(VD)(52)→반입 유닛(IN PASS)(34)의 구간에서 기판(G)을 차례로 전송하기 위한 반송 장치(78)가 설치되어 있다.
여기서, 이 레지스트 도포 현상 처리 시스템(10)에 있어서의 1매의 기판(G)에 대한 전체 공정의 처리 수순을 설명한다. 우선, 카세트 스테이션(C/S)(14)에 있어서, 반송 기구(22)가 스테이지(20) 상의 어느 하나의 카세트(C)로부터 기판(G)을 1매 취출하고, 그 취출한 기판(G)을 프로세스 스테이션(P/S)(16)의 프로세스 라인(A)측의 반입 유닛(IN PASS)(24)으로 반입한다. 반입 유닛(IN PASS)(24)으로부터 기판(G)은 제1 왕로 평류 반송로(48) 상에 이동 탑재 또는 투입된다.
제1 왕로 평류 반송로(48)에 투입된 기판(G)은, 우선 세정 프로세스부(26)에 있어서 엑시머 UV 조사 유닛(E-UV)(40) 및 스크러버 세정 유닛(SCR)(42)에 의해 자외선 세정 처리 및 스크러빙 세정 처리가 순차 실시된다. 스크러버 세정 유닛(SCR)(42)은, 평류 반송로(48) 상을 수평으로 이동하는 기판(G)에 대해, 브러싱 세정이나 블로우 세정을 실시함으로써 기판 표면으로부터 입자상의 오염을 제거하고, 그 후에 린스 처리를 실시하고, 마지막으로 에어 나이프 등을 사용하여 기판(G)을 건조시킨다. 스크러버 세정 유닛(SCR)(42)에 있어서의 일련의 세정 처리를 종료하면, 기판(G)은 그대로 제1 왕로 평류 반송로(48)를 내려 제1 열적 처리부(28)를 통과한다.
제1 열적 처리부(28)에 있어서, 기판(G)은 우선 어드히전 유닛(AD)(44)에 의해 증기의 HMDS를 사용하는 어드히전 처리가 실시되어, 피처리면이 소수화된다. 이 어드히전 처리의 종료 후에, 기판(G)은 냉각 유닛(COL)(46)에 의해 소정의 기판 온도까지 냉각된다. 이후, 기판(G)은 반출 유닛(OUT PASS)(30)으로 들어가, 여기서 정지한다.
직후에, 내부 스페이스(NS)로부터 반송 장치(78)가 반출 유닛(OUT PASS)(30)에 액세스하여, 제1 왕로 평류 반송로(48)로부터 기판(G)을 반출한다. 계속해서, 반송 장치(78)는 내부 스페이스(NS) 내를 이동하여, 기판(G)을 인접한 레지스트 도포 유닛(CT)(50)으로 반입한다.
레지스트 도포 유닛(CT)(50)에서는, 후술하는 바와 같이, 스테이지 상에 적재된 기판(G) 상에서 슬릿 노즐을 기판면과 평행한 일방향으로 수평 이동(주사)시켜, 기판(G)의 상면(피처리면)에 레지스트액의 도포막을 형성한다.
레지스트 도포 유닛(CT)(50)에 의해 레지스트 도포 처리가 종료되면, 반송 장치(78)가, 레지스트 도포 유닛(CT)(50)으로부터 기판(G)을 반출하고, 내부 스페이스(NS) 내를 이동하여, 기판(G)을 인접한 감압 건조 유닛(VD)(52)으로 반입한다.
감압 건조 유닛(VD)(52)에서는, 후술하는 바와 같이 감압 가능한 챔버 내의 스테이지 상에 기판(G)을 수평으로 적재하여, 챔버 내를 진공 배기에 의해 감압하는 동시에, 기판(G) 상의 처리 공간에서 불활성 가스를 일방향으로 흐르게 하여, 기판(G) 상의 레지스트 도포막을 건조시킨다.
반송 장치(78)는 감압 건조 처리가 완료된 기판(G)을 감압 건조 유닛(VD)(52)으로부터 반출하고, 내부 스페이스(NS) 내를 이동하여, 반입 유닛(IN-PASS)(34)으로 기판(G)을 반입한다. 이 직후에, 제2 왕로 평류 반송부(58)에서 구름 반송이 개시되고, 기판(G)은 평류로 프로세스 라인(A)의 하류측으로 반송되어, 제2 열적 처리부(36)를 통과한다.
제2 열적 처리부(36)에 있어서, 기판(G)은, 우선 프리 베이크 유닛(PRE-BAKE)(54)에 의해 레지스트 도포 후의 열처리 또는 노광 전의 열처리로서 프리 베이킹을 받는다. 이 프리 베이킹에 의해, 기판(G) 상의 레지스트막 중에 잔류하고 있었던 용제가 증발되어 제거되어, 기판에 대한 레지스트막의 밀착성이 강화된다. 다음에, 기판(G)은 냉각 유닛(COL)(56)에 의해 소정의 온도까지 냉각된다. 그런 후에, 기판(G)은 제2 왕로 평류 반송부(58)의 종점의 반출 유닛(OUT-PASS)(38)으로부터 인터페이스 스테이션(I/F)(18)의 반송 장치(72)로 전달된다.
인터페이스 스테이션(I/F)(18)에 있어서, 기판(G)은 로터리 스테이지(74)에서 예를 들어 90도의 방향 변환을 받은 후 주변 장치(76)의 주변 노광 장치(EE)로 반입되고, 그곳에서 기판(G)의 주변부에 부착되는 레지스트를 현상시에 제거하기 위한 노광을 받은 후에, 인접한 노광 장치(12)로 이송된다.
노광 장치(12)에서는 기판(G) 상의 레지스트에 소정의 회로 패턴이 노광된다. 그리고 패턴 노광을 종료한 기판(G)은, 노광 장치(12)로부터 인터페이스 스테이션(I/F)(18)으로 복귀되면, 우선 주변 장치(76)의 타이틀러(TITLER)로 반입되고, 그곳에서 기판 상의 소정의 부위에 소정의 정보가 기록된다. 그런 후에, 기판(G)은 반송 장치(72)로부터 주변 장치(76)의 아래층의 반입 유닛(도시하지 않음)으로 반입된다.
이와 같이 하여, 기판(G)은 이번에는 복로의 프로세스 라인(B)에 부설되어 있는 복로 평류 반송로(70)의 구름 반송로를 타고 카세트 스테이션(C/S)(14)을 향해 이동한다.
최초의 현상 유닛(DEV)(60)에 있어서, 기판(G)은 평류로 반송되는 동안에 현상, 린스, 건조의 일련의 현상 처리가 실시된다.
현상 유닛(DEV)(60)에 의해 일련의 현상 처리를 종료한 기판(G)은, 그대로 복로 평류 반송로(70)에 태워진 채로 제3 열적 처리부(62, 64) 및 검사 유닛(AP)(66)을 순차 통과한다. 제3 열적 처리부에 있어서, 기판(G)은 우선 포스트 베이크 유닛(POST-BAKE)(62)에 의해 현상 처리 후의 열처리, 즉 포스트 베이킹을 받는다. 이 포스트 베이킹에 의해, 기판(G) 상의 레지스트막에 잔류하고 있었던 현상액이나 세정액이 증발되어 제거되어, 기판에 대한 레지스트 패턴의 밀착성이 강화된다. 다음에, 기판(G)은 냉각 유닛(COL)(64)에 의해 소정의 기판 온도로 냉각된다. 검사 유닛(AP)(66)에서는, 기판(G) 상의 레지스트 패턴에 대해 비접촉의 선 폭 검사나 막질ㆍ막 두께 검사 등이 행해진다.
반출 유닛(OUT PASS)(68)은, 복로 평류 반송로(70)로부터 전체 공정의 처리를 종료하고 온 기판(G)을 수취하여, 카세트 스테이션(C/S)(14)의 반송 기구(22)로 전달한다. 카세트 스테이션(C/S)(14)측에서는, 반송 기구(22)가, 반출 유닛(OUT PASS)(68)으로부터 수취한 처리 완료된 기판(G)을 어느 하나(통상은 원래)의 카세트(C)에 수용한다.
이 레지스트 도포 현상 처리 시스템(10)에 있어서는, 도포 프로세스부(32)에 본 발명의 기판 처리 장치 및 방법을 적용할 수 있는 동시에, 감압 건조 유닛(VD)(52)에 본 발명의 감압 건조 장치를 적용할 수 있다.
이하, 도 2 내지 도 11에 대해, 본 발명의 일 실시 형태에 있어서의 도포 프로세스부(32) 및 감압 건조 유닛(VD)(52)의 구성 및 작용을 상세하게 설명한다.
도 2에, 도포 프로세스부(32) 및 그 주위의 레이아웃 구성을 도시한다. 도면 중, 프로세스 라인(A)의 방향(X방향)을 기준으로 하여, 직사각형 기판(G)의 전방 변을 GF, 좌측 변을 GL, 우측 변을 GR, 후방 변을 GB로 나타내고 있다.
레지스트 도포 유닛(CT)(50)은, 도시한 바와 같이, 기판(G)을 수평으로 적재하여 보유 지지하는 스테이지(80)와, 이 스테이지(80) 상에 적재되는 기판(G)의 상면(피처리면)에 슬릿 노즐(82)을 사용하여 스핀리스법으로 레지스트액을 도포하는 도포 처리부(84)와, 도포 처리를 행하지 않는 동안에 슬릿 노즐(82)의 레지스트액 토출 기능을 회복시켜 다음에 대비하기 위한 노즐 리프레쉬부(86) 등을 갖는다. 또한, 스테이지(80) 상에서 기판(G)의 로딩/언로딩을 행하기 위한 승강 이동 가능한 리프트 핀(85)도 구비되어 있다.
슬릿 노즐(82)은, 스테이지(80) 상의 기판(G)을 X방향에서 일단부[전방 변(GF)]로부터 타단부[후방 변(GB)]까지 커버할 수 있는 슬릿 형상의 토출구를 갖는 장척형의 노즐이며, 레지스트액 공급원(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 도포 처리부(84)는 도포 처리시에 슬릿 노즐(82)을 스테이지(80)의 상방에서 Y방향으로 수평 이동시키는 노즐 이동 기구(88)를 갖는다. 이 노즐 이동 기구(88)는 슬릿 노즐(82)을 수평으로 지지하는 ㄷ자 형상의 지지체(90)와, 이 지지체(90)를 Y방향에서 쌍방향으로 직진 이동시키는 직진 구동부(92)를 갖는다.
슬릿 노즐(82)이 레지스트액을 띠 형상으로 토출하면서, 스테이지(80) 상방에서 Y방향으로 수평 이동(주사)함으로써, 기판(G) 상에 Y방향의 일단부로부터 타단부까지 마치 융단을 까는 것과 같이 원하는 막 두께로 레지스트액의 도포막이 형성된다.
이 실시 형태에서는, 기판(G) 상의 도포 주사 방향에 관하여, 기판(G)의 좌측 변(GL)으로부터 우측 변(GR)을 향해 도포 주사하는 제1 모드와, 반대로 기판(G)의 우측 변(GR)으로부터 좌측 변(GL)을 향해 도포 주사하는 제2 모드의 2가지가 가능하며, 어느 쪽의 모드도 선택할 수 있도록 되어 있다. 따라서, 예를 들어 어떤 로트의 기판(G)에 대해, 항상 제1 모드 혹은 제2 모드만을 선택하는 것도 가능하고, 혹은 기판 1매마다 제1 모드와 제2 모드를 교대로 전환하는 것도 가능하다. 어떠한 경우라도, 이 레지스트 도포 현상 처리 시스템(10)의 전체를 통괄 제어하는 시스템 컨트롤러(도시하지 않음) 혹은 도포 처리부(32) 내의 각 부를 제어하는 국소 컨트롤러(도시하지 않음)가, 각각의 기판(G)에 대해 제1 모드 혹은 제2 모드 중 어느 쪽이 선택 또는 실행되었는지를 관리하고 있다.
감압 건조 유닛(VD)(52)은, 챔버 본체를 구성하는 고정 구조의 하부 챔버(96)와 상부 덮개를 구성하는 가동의 상부 챔버(도 2에서는 도시하지 않음)를 갖고, 예를 들어 승강 수단을 갖는 챔버 개폐 기구(도시하지 않음)에 의해 상부 챔버를 승강 하강시켜, 하부 챔버(96)에 대한 밀착(챔버 밀폐)과 분리(챔버 해방)를 전환할 수 있도록 하고 있다.
하부 챔버(96)는 대략 사각형이며, 중심부에는 기판(G)을 수평으로 적재하여 지지하기 위한 스테이지(98)가 배치되고, 챔버 저면의 네 코너에 배기 포트(100a, 100b, 100c, 100d)가 각각 설치되어 있다. 각 배기 포트(100a 내지 100d)는 배기관(도 2에서는 도시하지 않음)을 통해 진공 펌프(도 2에서는 도시하지 않음)로 통하고 있다. 챔버를 밀폐하여, 상기 진공 펌프에 의해 챔버 내의 압력을 원하는 진공 압력치까지 감압할 수 있도록 되어 있다.
또한, 감압 건조 유닛(VD)(52)의 하부 챔버(96)에는, 상기 레지스트 도포 유닛(CT)(50)에 있어서의 도포 주사 방향(Y방향)에 대응시켜, 스테이지(98)를 사이에 두고 Y방향의 양측(측벽 부근)에 한 쌍의 가스 분사부(102, 104)가 설치되어 있다.
반송 장치(78)는 기판(G)을 1매 단위로 보유 지지할 수 있는 반송 아암(78a)을 갖는 반송 로봇으로 이루어지고, X, Y, Z, θ의 4축으로 동작 가능하고, 내부 스페이스(NS) 내를 이동하여, 기판 반입구 또는 반출구가 내부 스페이스(NS)에 면하고 있는 모든 유닛, 특히 레지스트 도포 유닛(CT)(50), 감압 건조 유닛(VD)(52), 제1 왕로 평류 반송부(48)의 반출 유닛(OUT-PASS)(30), 제2 왕로 평류 반송부(58)의 반입 유닛(IN-PASS)(34)에 액세스 가능하여, 그들 유닛으로 기판(G)의 전달을 행할 수 있도록 되어 있다.
도 2에 있어서, 제1 왕로 평류 반송부(48)는 복수의 롤러를 일정 간격으로 장착한 막대 형상의 구름 장치(106)를 반송 방향(X방향)으로 일정 간격으로 배열하여 구름 반송로를 형성하고, 모터 및 전동 기구 등으로 이루어지는 구름 장치 구동부(도시하지 않음)에 의해 각 구름 장치(106)를 회전 구동하여, 구름 반송로 상에서 기판(G)을 반송하도록 구성되어 있다. 냉각 유닛(COL)(46) 내에는, 구름 반송으로 통과하는 기판(G)을 열교환에 의해, 또는 냉풍을 쏘여 소정 온도로 냉각하는 냉각 기구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 반출 유닛(OUT-PASS)(30)은, 제1 왕로 평류 반송부(48)의 구름 반송로를 평류로 반송되어 온 기판(G)을 정지(停止) 또는 정지(靜止)시키는 구성 및 반송 장치(78)의 반송 아암(78a)에 기판(G)을 수취시키는 구성으로 되어 있다. 또한, 제1 왕로 평류 반송부(48)에 있어서는, 구름 반송로가 복수의 구간으로 분할되어, 각 구간마다 독립된 구름 장치 구동부가 설치되어도 좋다.
마찬가지로, 제2 왕로 평류 반송부(58)도, 복수의 롤러를 일정 간격으로 장착한 막대 형상의 구름 장치(108)를 반송 방향(X방향)으로 일정 간격으로 배열하여 구름 반송로를 형성하고, 모터 및 전동 기구 등을 갖는 구름 장치 구동부(도시하지 않음)에 의해 각 구름 장치(108)를 회전 구동하여, 구름 반송로 상에서 기판(G)을 반송하도록 구성되어 있다. 프리 베이크 유닛(PRE-BAKE)(54) 내에는, 구름 반송으로 통과하는 기판(G)을 열교환에 의해, 또는 열풍을 쏘여 소정 온도로 가열하는 히터 기구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 반입 유닛(IN-PASS)(34)은, 반송 장치(78)의 반송 아암(78a)으로부터 기판(G)을 수취할 수 있는 구성 및 기판(G)을 수취한 직후에 평류 반송(구름 반송)을 개시할 수 있는 구성으로 되어 있다. 제2 왕로 평류 반송부(58)에 있어서도, 구름 반송로가 복수의 구간으로 분할되어, 각 구간마다 독립된 구름 장치 구동부가 설치되어도 좋다.
다음에, 도 3 내지 도 7에 대해, 이 실시 형태에 있어서의 감압 건조 유닛(VD)(52)의 구성 및 작용을 상세하게 설명한다.
도 3에 이 감압 건조 유닛(VD)(52)에 있어서의 급기/배기 시스템의 일 구성예를 도시한다.
급기 시스템에 있어서는, 하부 챔버(96) 내의 가스 분출부(102, 104)가, 불활성 가스 탱크(110) 및 송풍기(또는 컴프레서)(112)를 갖는 공통의 불활성 가스 공급원(114)에 각각 가스 공급관[116(1), 116(2)]을 통해 접속되어 있다. 가스 공급관[116(1), 116(2)]의 도중에는, 유량 조정 밸브[118(1), 118(2)] 및 개폐 밸브[120(1), 120(2)]가 각각 설치되어 있다. 사용되는 불활성 가스는, 예를 들어 질소 가스이다.
배기 시스템에 있어서는, 하부 챔버(96) 내의 배기 포트(100a, 100b, 100c, 100d)가, 진공 펌프(122) 및 압력 제어 밸브(124)를 갖는 공통의 배기 장치(126)에 각각 배기관[128(1), 128(2), 128(3), 128(4)]을 통해 접속되어 있다. 배기관[128(1), 128(2), 128(3), 128(4)]의 도중에는, 개폐 밸브[130(1), 130(2), 130(3), 130(4)]가 각각 설치되어 있다.
후술하는 바와 같이, 이 감압 건조 유닛(VD)(52)에 있어서는, 감압 건조 처리 중에 건조 촉진용 불활성 가스를 흐르게 할 때에는, 기판(G) 상의 처리 공간(PS)(도 5a)에 일방향의 기류를 형성하기 위해, 가스 분출부(102, 104) 중 어느 한쪽만을 선택적으로 작동시켜 다른 쪽을 멈추는 제어를 행한다.
보다 상세하게는, 가스 분출부(102)를 선택적으로 작동시키는 경우, 급기 시스템은, 개폐 밸브(120)(1)를 온 상태로 하는 동시에, 개폐 밸브[120(2)]를 오프 상태로 한다. 배기 시스템은, 가스 분출부(102)의 맞은 편의 배기 포트(100c, 100d)를 통해 챔버 내의 배기를 행하도록(즉, 불활성 가스의 기류를 인입하도록) 개폐 밸브[130(3), 130(4)]를 각각 온 상태로 하는 동시에, 전방의 배기 포트(100a, 100b)가 기류를 인입하지 않도록 개폐 밸브[130(1), 130(2)]를 각각 오프 상태로 한다.
반대로, 가스 분출부(104)를 선택적으로 작동시키는 경우, 급기 시스템은 개폐 밸브[120(2)]를 온 상태로 하는 동시에, 개폐 밸브[120(1)]를 오프 상태로 한다. 배기 시스템은, 가스 분출부(104)의 맞은 편의 배기 포트(100a, 100b)를 통해 챔버 내의 배기를 행하도록(즉, 불활성 가스의 기류를 인입하도록) 개폐 밸브[130(1), 130(2)]를 각각 온 상태로 하는 동시에, 전방의 배기 포트(100c, 100d)가 기류를 인입하지 않도록 개폐 밸브[130(3), 130(4)]를 각각 오프 상태로 한다.
도 4, 도 5a 및 도 5b에, 이 감압 건조 유닛(VD)(52)의 구체적인 구성예를 도시한다. 도 4는 하부 챔버(96) 내의 구성을 도시하는 횡단면도, 도 5a는 도 4의 I-I선에 대한 종단면도, 도 5b는 도 4의 II-II선에 대한 종단면도이다.
이 감압 건조 유닛(VD)(52)의 하부 챔버(96)에는, 스테이지(98) 상에 적재되는 기판(G)의 주위에서 감압 건조 중에 불활성 가스의 기류를 제어하기 위한 기류 제어부(132)가 설치되어 있다. 이 기류 제어부(132)는, X방향에 있어서 서로 대향하는 챔버 측벽[98(2), 96(4)]의 내측에서 스테이지(98)의 양측[바람직하게는 스테이지(98)에 가능한 한 근접한 위치]에 배치되는 기류 안내벽(제1 기류 안내부)(134A, 134B)과, 스테이지(98) 상에 적재되는 기판(G) 하방의 공간을 덮는 직사각형의 기류 차폐벽(제2 기류 안내부)(136)을 갖고 있다.
기류 안내벽(134A, 134B)은, 도 4에 도시하는 바와 같이, Y방향에 있어서 스테이지(98)의 편측(도면의 좌측)에 설치되어 있는 가스 분사부(102), 배기 포트(100a, 100b) 부근의 위치로부터 스테이지(98)의 반대측(우측)의 가스 분사부(104) 및 배기 포트(100c, 100d) 부근의 위치까지 연장되어 있다. 높이 방향(Z방향)에 있어서, 기류 안내벽(134A, 134B)은 도 5b에 도시하는 바와 같이, 하부 챔버(96)의 저면으로부터 상부 챔버(138)의 하면(천장) 또는 그 부근까지 도달하는 사이즈를 갖고 있다.
기류 차폐벽(136)은 스테이지(98)의 주위에서 하부 챔버(96)의 저면으로부터 스테이지(98) 상에 적재되어 있는 기판(G)의 이면(하면)의 주연부에 접하는 높이나 또는 그 부근의 높이까지 연직 방향으로 연장되어 있다(도 5a, 도 5b).
스테이지(98)는 연직 방향으로 연장되는 승강 구동축(140)을 통해 승강 액추에이터(142)에 결합되어 있고, 반송 장치(78)(도 2)로 기판(G)의 전달을 행할 때, 혹은 감압 건조 처리에 있어서의 챔버 천장[상부 챔버(138)의 하면]과의 거리 또는 클리어런스를 조절하기 위해 승강 이동할 수 있도록 되어 있다. 승강 구동축(140)은, 하부 챔버(96)의 저벽을 상하 이동 가능하게 관통하고, 이 관통 구멍은 밀봉 부재(144)에 의해 진공 밀봉되어 있다.
다음에, 도 4 내지 도 7에 대해, 이 실시 형태에 있어서의 감압 건조 유닛(VD)(52)의 작용을 설명한다.
상기와 같이, 이 감압 건조 유닛(VD)(52)에 인접한 레지스트 도포 유닛(CT)(50)에서는, 슬릿 노즐(82)을 기판(G) 상에서 일방향(Y방향)으로 이동시켜, 기판(G) 상에 레지스트액의 도포막(RM)(도 6, 도 7)을 형성한다. 이 레지스트 도포 처리의 종료 후에, 반송 장치(78)가, 레지스트 도포 유닛(CT)(50)으로부터 감압 건조 유닛(VD)(52)으로 기판(G)을 전송한다. 이때, 감압 건조 유닛(VD)(52)에서는, 상부 챔버(138)를 개방하여, 스테이지(98)를 하부 챔버(96) 안으로부터 위로 들어 올려 기판(G)을 수취한다(도 5b).
다음에, 감압 건조 유닛(VD)(52)에서는, 스테이지(98)를 하부 챔버(96) 안으로 내리고, 상부 챔버(138)를 폐쇄하여 챔버를 밀폐하고, 급기/배기 시스템(도 3)을 작동시킨다. 도 5a에 도시하는 바와 같이, 밀폐된 챔버 내에서, 스테이지(98) 상에 적재되어 있는 기판(G)과 챔버 천장면[상부 챔버(138)의 하면] 사이에 원하는 클리어런스를 갖는 처리 공간(PS)이 형성된다.
하부 챔버(96) 내에서 스테이지(98) 상에 적재되어 있는 기판(G)은, 도 4에 도시하는 바와 같이, X방향에 있어서 기판(G)의 전방 변(GF) 및 후방 변(GB)이 기류 안내벽(134A, 134B)에 각각 대향하고, Y방향에 있어서 기판(G)의 좌측 변(GL) 및 우측 변(GR)이 가스 분사부(102, 104)에 각각 대향하는 방향이 된다.
감압 건조 유닛(VD)(52)의 컨트롤러는, 레지스트 도포 유닛(CT)(50)에 있어서 당해 기판(G)에 대해 선택된 도포 주사 방향의 방향에 관한 모드(제1 모드/제2 모드)를 파악하고 있어, 그 선택된 모드와 다른 소정의 판정 조건을 조합한 판정 기준에 따라서, 감압 건조 중에 처리 공간(PS)으로 흐르게 하는 불활성 가스의 기류의 방향을 결정하고, 그러한 지향성을 갖는 불활성 가스의 기류가 얻어지도록 급기/배기 시스템(도 3)을 제어한다.
여기서, 상기 판정 조건은, 당해 기판(G)에 대해 레지스트 도포 유닛(CT)(50)에 의해 선택된 도포 주사 방향의 방향과, 이 감압 건조 유닛(VD)(52)에 의해 당해 기판(G)에 대해 선택하는 기류 통과 방향의 방향을 반대로 해야 할지, 아니면 동일하게 해야 할지를 결정하기 위한 판정 기준이며, 통상은 사용하는 레지스트의 종류, 레지스트 도포 처리의 종료로부터 감압 건조 처리의 개시까지의 경과 시간(자연 건조 시간) 등을 종합한 것으로, 레시피 정보의 하나로서 시스템 컨트롤러로부터 판정 결과(지령)를 부여받아도 좋다.
일례로서, 감압 건조 유닛(VD)(52)에 반입된 당해 기판(G)에 대해서는, 기류 통과 방향의 방향을 도포 주사 방향의 방향과는 역방향으로 해야 하는 것을 시스템 컨트롤러로부터 지시된 것으로 한다.
이 경우, 레지스트 도포 유닛(CT)(50)에서는 당해 기판(G)에 대해 우측 변(GR)으로부터 좌측 변(GL)을 향해 도포 주사하는 제2 모드가 선택되었을 때에는, 감압 건조 유닛(VD)(52)에서는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 감압 건조 처리 중에 좌측의 가스 분출부(102)를 선택적으로 작동시켜 우측의 가스 분출부(104)를 멈추는 기류 제어가 행해진다.
좌측의 가스 분출부(102)를 선택적으로 작동시킬 때에는, 상기한 바와 같이, 전방(좌측)의 배기 포트(100a, 100b)의 배기 유로가 폐쇄되고, 맞은 편(우측)의 배기 포트(100c, 100d)를 통해 챔버 내의 배기가 행해진다.
가스 분출부(102)로부터 상방 또는 챔버 중심부를 향해 분사된 불활성 가스는, 도 5a에 도시하는 바와 같이, 기류 차폐벽(136)에 의해 기판(G) 하방의 하부 공간으로 유입되지 않고 기판(G) 상의 처리 공간(PS)으로 안내되어, 도 6에 도시하는 바와 같이, 기류 안내벽(134A, 134B)에 의해 X방향의 확산이 기판(G) 상, 즉 처리 공간(PS) 내로 규제되면서, 기판(G)의 좌측 변(GL)으로부터 우측 변(GR)을 향해 일방향으로 흘러, 처리 공간(PS)을 빠져나가면(통과하면), 기판(G)보다도 낮은 쪽으로 흘러내리면서 배기 포트(100c, 100d)로 흡입된다.
또한, 레지스트 도포 유닛(CT)(50)에서는 당해 기판(G)에 대해 좌측 변(GL)으로부터 우측 변(GR)을 향해 도포 주사하는 제1 모드가 선택되었을 때에는, 감압 건조 유닛(VD)(52)에서는, 도 7에 도시하는 바와 같이, 감압 건조 처리 중에 우측의 가스 분출부(104)를 선택적으로 작동시켜 좌측의 가스 분출부(102)를 멈추는 기류 제어가 행해진다.
우측의 가스 분출부(104)를 선택적으로 작동시킬 때에는, 상기한 바와 같이, 전방(우측)의 배기 포트(100c, 100d)의 배기 유로가 폐쇄되고, 맞은 편(좌측)의 배기 포트(100a, 100b)를 통해 챔버 내의 배기가 행해진다.
가스 분출부(104)로부터 상방 또는 챔버 중심부를 향해 분사된 불활성 가스는, 기류 차폐벽(136)에 의해 기판(G) 하방의 하부 공간으로 유입되지 않고 기판(G) 상의 처리 공간(PS)으로 안내되어, 도 7에 도시하는 바와 같이, 기류 안내벽(134A, 134B)에 의해 X방향의 확산이 기판(G) 상, 즉 처리 공간(PS) 내로 규제되면서, 기판(G)의 우측 변(GR)으로부터 좌측 변(GL)을 향해 일방향으로 흘러 처리 공간(PS)을 빠져나가면(통과하면), 기판(G)보다도 낮은 쪽으로 흘러내리면서 배기 포트(100a, 100b)에 흡입된다.
이와 같이 감압 건조 처리 중에 기판(G) 상에서 기판면과 평행한 일방향으로 불활성 가스의 기류를 형성함으로써, 기판(G) 상의 레지스트 도포막(RM)으로부터의 유기 용매의 증발이 한층 촉진되어, 감압 건조 시간의 단축화를 도모할 수 있다. 이러한 감압 기류 건조에 의한 용제 증발 촉진 작용은, 기판(G) 상의 각 위치에서 일정하지 않고, 통상은 증기가 적은 기류의 상류측일수록 크고, 증기가 많은 기류의 하류측일수록 작다.
따라서, 상기한 바와 같이 좌측의 가스 분출부(102)를 선택적으로 작동시킬 때에는, 기판(G) 상의 레지스트 도포막(RM)에 대한 감압 기류 건조의 효과는, 기판(G)의 우측 변(GR)(도포 주사의 시단부)에서 가장 작고, 기판(G)의 좌측 변(GL)(도포 주사의 종단부)을 향할수록 커진다. 그러나 이에 의해, 도포 주사 방향에서 발생하는 레지스트 도포막 형성의 시간차(편차), 나아가서는 자연 건조 시간의 차(편차)를 결과적으로 캔슬하여, 기판(G) 상에서 레지스트 도포막(RM)의 막질을 면내 균일하게 할 수 있다.
또한, 상기한 바와 같이 우측의 가스 분출부(104)를 선택적으로 작동시킬 때에는, 기판(G) 상의 레지스트 도포막(RM)에 대한 감압 기류 건조의 효과는, 기판(G)의 좌측 변(GL)(도포 주사의 시단부)에서 가장 작고, 기판(G)의 우측 변(GR)(도포 주사의 종단부)을 향할수록 커진다. 그러나 이에 의해, 도포 주사 방향에서 발생하는 레지스트 도포막 형성의 시간차(편차), 나아가서는 자연 건조 시간의 차(편차)를 결과적으로 캔슬하여, 기판(G) 상에서 레지스트 도포막(RM)의 막질을 면내 균일하게 할 수 있다.
다른 예로서, 감압 건조 유닛(VD)(52)으로 반입된 당해 기판(G)에 대해서는, 기류 통과 방향의 방향을 도포 주사 방향의 방향과 동일하게 해야 하는 것을 시스템 컨트롤러로부터 지시되는 경우도 있다.
이 레지스트 도포 현상 처리 시스템(10)에서는, 레지스트 도포 처리의 종료 후에, 반송 장치(78)가 레지스트 도포 유닛(CT)(50)으로부터 기판(G)을 반출하고, 내부 스페이스(NS)를 통해 인접한 감압 건조 유닛(VD)(52)으로 반입한다. 감압 건조 유닛(VD)(52)에서는, 기판(G)을 반입한 후에 상부 챔버(138)를 하부 챔버(96)로 씌워 챔버를 밀폐하고, 그것으로부터 진공 배기를 개시하므로, 레지스트 도포 유닛(CT)(50)에 있어서의 기판(G)의 언로딩, 반송 장치(78)에 의한 기판 반송, 혹은 감압 건조 유닛(VD)(52)에 있어서의 기판(G)의 로딩에 시간이 걸리면, 레지스트 도포 처리의 종료로부터 감압 건조 처리를 개시할 때까지의 시간(자연 건조 시간)이 지나치게 길어지는 경우가 있다. 그렇게 하면, 기판(G) 상의 레지스트 도포막(RM) 중에서 도포 종단부보다도 자연 건조 시간이 긴 도포 시단부의 쪽이 오히려 감압 건조의 효과를 얻기 어려워져, 감압 건조 처리 후에는 도포 시단부보다도 도포 종단부의 쪽이 상대적으로 표층부의 건조 고화의 정도를 강화하게 되고, 이 경우도 현상 후의 레지스트 패턴의 잔막률이 면내 균일하게 되지 않는 경우가 있다.
이러한 상황 내지 현상이 인정되는 경우에는, 기류 통과 방향의 방향을 도포 주사 방향의 방향과 동일하게 한 쪽이, 도포 주사 방향에서 발생하는 레지스트 도포막 형성의 시간차(편차), 나아가서는 자연 건조 시간의 차(편차)를 결과적으로 캔슬하여, 기판(G) 상에서 레지스트 도포막(RM)의 막질을 면내 균일하게 할 수 있다.
따라서, 레지스트 도포 유닛(CT)(50)에서는 당해 기판(G)에 대해 좌측 변(GL)으로부터 우측 변(GR)을 향해 도포 주사하는 제1 모드가 선택되었을 때에는, 감압 건조 유닛(VD)(52)에서는, 도 8에 도시하는 바와 같이, 감압 건조 처리 중에 좌측의 가스 분출부(102)를 선택적으로 작동시켜 우측의 가스 분출부(104)를 멈추는 기류 제어가 행해진다.
이상 본 발명의 적합한 실시 형태에 대해 설명하였지만, 본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되는 것이 아니며, 그 기술적 사상의 범위 내에서 다른 실시 형태 혹은 다양한 변형이 가능하다.
예를 들어, 상술한 실시 형태에서는, 기판(G)에 대해 도포 주사 방향과 기류 통과 방향을 반대 방향 또는 동일 방향 중 어느 하나에 맞추기 위해, 감압 건조 유닛(VD)(52)에 기판(G) 상의 처리 공간(PS)에 형성하는 불활성 가스의 기류의 방향을 전환하는 기구 및 기능을 갖게 하였다.
그러나 다른 실시 형태로서, 감압 건조 유닛(VD)(52) 내에 기판(G) 상의 처리 공간(PS)에 형성되는 불활성 가스의 기류의 방향이 전환 불가능하고 항상 일정해도, 도 9에 도시하는 바와 같이, 내부 스페이스(NS)에 로터리 스테이지(R/S)(146)를 설치함으로써, 상술한 실시 형태와 동등한 기류 전환 제어를 실현할 수 있다.
이 경우, 로터리 스테이지(R/S)(146)는, 기판(G)의 방향을 수평면 내에서 소정의 회전 각도(도 9의 레이아웃에서는 180°)만큼 회전시킨다. 따라서, 레지스트 도포 처리를 종료한 기판(G)을 레지스트 도포 유닛(CT)(50)으로부터 반출한 후, 로터리 스테이지(R/S)(146)를 경유하여 기판(G)의 방향을 180°반전시킨 후 감압 건조 유닛(VD)(52) 내로 반입하는 것도 가능하면, 로터리 스테이지(R/S)(146)를 경유하지 않고, 따라서 기판(G)의 방향을 반전시키지 않고, 감압 건조 유닛(VD)(52) 내로 반입하는 것도 가능해, 어떠한 케이스도 선택할 수 있다. 이에 의해, 기판(G)에 대해 도포 주사 방향과 기류 통과 방향을 반대 방향 또는 동일 방향 중 어느 하나를 선택하여 맞출 수 있다.
또한, 상술한 실시 형태에서는, 감압 건조 유닛(VD)(52)의 배기 포트(100a 내지 100d)를 하부 챔버(96)의 네 코너에 배치하였다. 그러나 다른 실시예로서, 도 10에 도시하는 바와 같이, 기판(G)의 하방에, 즉 기류 차폐벽(136)의 내측에, 1개 또는 복수의 배기 포트[148(1), 148(2)]를 배치하는 구성도 가능하다.
이 경우, 기류 차폐벽(136)을 4변의 판벽(136F, 136B, 136L, 136B)으로 분할하여, 기류 안내벽(134A, 134B)과 대향(인접)하는 판벽(136F, 136B)을 고정하고, 가스 분사부(102, 104)와 대향하는 판벽(136L, 136R)을 승강 가능하게 하는 구성을 적절하게 채용할 수 있다. 여기서, 승강 가능한 가동 판벽(136L, 136R)은 도 11a 및 도 11b에 도시하는 바와 같이, 하부 챔버(96) 하방에 배치되는 승강 액추에이터(150L, 150R)에 의해 각각 승강 구동된다.
이러한 구성에 있어서, 좌측의 가스 분출부(102)를 선택적으로 작동시킬 때에는, 도 11a에 도시하는 바와 같이, 한쪽(좌측)의 가동 판벽(136L)을 챔버 저면보다도 상방으로[바람직하게는 기판(G)의 이면에 도달하는 높이까지] 돌출 또는 상승시키는 동시에, 반대측(우측)의 가동 판벽(136R)을 챔버 저면 하방으로 퇴피시킨다. 배기 포트[148(1), 148(2)]는, 각각 배기관[152(1), 152(2)]을 통해 공통의 배기 장치(126)(도 3)에 접속되어 있고, 모든 배기 유로를 개방(온) 상태로 한다.
이 경우, 가스 분출부(102)로부터 상방 또는 챔버 중심부를 향해 분사된 불활성 가스는, 좌측의 가동 판벽(136L)에 의해 기판(G) 하방의 하부 공간으로 유입되지 않고 기판(G) 상의 처리 공간(PS)으로 안내되어, 기류 안내벽(134A, 134B)에 의해 X방향의 확산이 기판(G) 상, 즉 처리 공간(PS) 내로 규제되면서, 기판(G)의 좌측 변(GL)으로부터 우측 변(GR)을 향해 일방향으로 흘러 처리 공간(PS)을 빠져나가면, 퇴피 중인 우측 가동 판벽(136R) 상을 통과하여 기판(G) 하방으로 돌아, 배기 포트[148(1), 148(2)]에 흡입된다.
또한, 우측의 가스 분출부(104)를 선택적으로 작동시킬 때에는, 도 11b에 도시하는 바와 같이, 우측의 가동 판벽(136R)을 챔버 저면보다도 상방으로[바람직하게는 기판(G)의 이면에 도달하는 높이까지] 돌출 또는 상승시키는 동시에, 반대측(좌측)의 가동 판벽(136L)을 챔버 저면 하방으로 퇴피시킨다. 배기 포트[148(1), 148(2)]의 배기 유로는 모두 개방(온) 상태로 한다.
이 경우, 가스 분출부(104)로부터 상방 또는 챔버 중심부를 향해 분사된 불활성 가스는, 우측의 가동 판벽(136R)에 의해 기판(G) 하방의 하부 공간으로 유입되지 않고 기판(G) 상의 처리 공간(PS)으로 안내되어, 기류 안내벽(134A, 134B)에 의해 X방향의 확산이 기판(G) 상, 즉 처리 공간(PS) 내로 규제되면서, 기판(G)의 우측 변(GR)으로부터 좌측 변(GL)을 향해 일방향으로 흘러 처리 공간(PS)을 빠져나가면, 퇴피 중인 좌측 가동 판벽(136L) 상을 통과하여 기판(G) 하방으로 돌아, 배기 포트[148(1), 148(2)]에 흡입된다.
또한, 감압 건조 유닛(VD)(52)에 있어서는, 감압 건조 처리 중에, 처리 공간(PS)에 있어서의 일방향의 불활성 가스 기류 형성을 임의의 타이밍에 개시 또는 정지하는 것, 도중에 불활성 가스의 기류의 방향을 반전시키는 것, 기류의 유량을 가변시키는 것 등이 가능하다. 따라서, 예를 들어 챔버의 네 코너에 배기 포트를 배치하는 구성에 있어서도, 감압 건조 처리의 개시 직후 혹은 종료 직전에, 모든 배기 포트를 개방(온) 상태로 하여 불활성 가스의 정류를 행하지 않는 배기를 행하는 것도 가능하다. 특히, 감압 건조 처리의 종료시에 밀폐 상태의 챔버 내를 불활성 가스로 퍼징할 때에는, 좌우 양쪽(전부)의 가스 분출부(104)로부터 불활성 가스를 동시에 분출시켜, 전부의 배기 포트(100a 내지 100d)[148(1), 148(2)]를 통해 급속 배기를 행해도 된다.
또한, 도시 생략하지만, 기류 안내벽(134A, 134B)과 대향(인접)하는 판벽(136F, 136B)도 승강 가능하게 구성할 수 있다. 이 경우, 예를 들어 좌측의 가스 분출부(102)를 선택적으로 작동시킬 때에는, 판벽(136L, 136F, 136B)의 높이 위치를 가변시킴으로써, 감압 기류 건조의 중요한 파라미터 중 하나인 처리 공간(PS)의 클리어런스를 가변시킬 수 있다.
또한, 감압 건조 유닛(VD)(52)에 있어서, 챔버 자체의 구조나 형상은 물론, 챔버 내외의 각 부, 특히 스테이지, 가스 분출부, 배기 포트의 구조, 개수, 배치 위치 등도, 상술한 실시 형태의 것에 한정되지 않고, 다양한 변형이 가능하다.
상술한 레지스트 도포 현상 처리 시스템에 있어서는, 도포 처리부(32)의 레지스트 도포 유닛(CT)(50) 및/또는 감압 건조 유닛(VD)(52)을 평류 방식의 처리 유닛으로서 구성하는 것도 가능하고, 그러한 평류 방식의 레지스트 도포 유닛 및/또는 감압 건조 유닛에도 본 발명은 적용 가능하다.
그러면, 기판(G)에 대해 레지스트 도포 유닛(CT)(50)에 의해 선택된 도포 주사 방향과, 감압 건조 유닛(VD)(52)에 의해 기판(G)에 대해 선택하는 기류 통과 방향을, 반대로 해야 할지, 아니면 동일하게 해야 할지에 대해 간단히 설명한다. 우선, 반대로 하는 경우부터 설명하면, 도 12에 도시하는 바와 같이, 기판(G)에 대해 장척형의 슬릿 노즐(82)을 상대적으로 이동시켜, 기판(G) 상의 일단부로부터 타단부까지 레지스트 도포막을 일방향(도포 주사 방향)으로 일정 속도로 스캔 형성한다. 그러면, 레지스트 도포막 중에서 도포 시단부와 도포 종단부 사이에 일정(예를 들어, 30초 정도)한 시간차가 발생한다. 이 도포 주사 방향에 있어서의 기판(G) 상의 레지스트 도포막 형성의 시간차는, 감압 건조 처리가 개시될 때까지의 대기 시간의 차, 즉 자연 건조 시간의 차가 된다. 이것이 감압 건조 처리 후에, 레지스트 도포막의 막질 균일성을 낮추는 요인이 된다. 이 요인이 차지하는 비율이 큰 경우에는, 감압 건조 유닛(VD)(52)에 있어서, 기류 통과 방향을, 도포 주사 방향과 반대로 하면 된다. 감압 건조 유닛(VD)(52)에 있어서, 기판(G)에서 건조되기 쉬운 부분은 기류가 기판(G)과 최초로 접하는 부분이라고 하는 것을 알고 있다. 따라서, 기류 통과 방향을, 도포 주사 방향과 반대로 함으로써 도포 시단부와 도포 종단부의 자연 건조 시간의 차에 의한 건조 상태의 차를 기류에 의해 수정할 수 있어, 기판(G)의 면내에서의 건조 상태의 차를 억제할 수 있다.
다음에, 레지스트 도포 유닛(CT)(50)에 의해 선택된 도포 주사 방향과, 감압 건조 유닛(VD)(52)에 의해 기판(G)에 대해 선택하는 기류 통과 방향을 동일하게 하는 경우에 대해 설명한다. 도 13에, 종축에 잔막률, 횡축에 도포 처리 후로부터 감압 건조 처리 개시까지의 시간을 취한 그래프를 나타낸다. 잔막률이라 함은, [(현상 후의 막 두께)/(현상 전의 막 두게)]×100(％)의 값이며, 이 값은 건조 상태의 기준으로서 사용되고, 이 값이 클수록 도포막이 건조되어 있다고 이해해도 좋다. 여기서 도 13에 있어서, 예를 들어 A가 도포 시단부, B가 도포 종단부라 하면, A와 B에서 횡축(도포 처리 후로부터 감압 건조 처리 개시까지의 시간)의 시간차는 있지만, 종축의 잔막률에는 그다지 차이가 없어 문제는 없다. 그러나 도 14의 경우, C가 도포 시단부, D가 도포 종단부라 하면, C와 D에서 종축의 잔막률에 큰 차이가 있어, 기판(G)의 면내에서의 건조 처리가 불균일한 상태로 문제가 된다. 따라서, 도 14의 경우에는 도포 주사 방향과 기류 통과 방향을 동일한 방향으로 하면 된다. 그렇게 하면, 기류의 작용에 의해 C 부분의 건조가 진행되고, 그 결과 C 부분의 잔막률의 값을 크게 할 수 있어 기판(G)의 면내에서의 잔막률의 편차를 억제할[즉, 기판(G)의 면내에서 균일하게 건조할] 수 있다. 이와 같이 몇 가지의 요인(파라미터)에 의해, 도포 주사 방향과 기류 통과 방향을 반대로 해야 할지, 아니면 동일하게 해야 할지가 바뀐다. 또한, 도포막의 재료나 도포막의 막 두께, 도포 개시부와 도포 종료부의 시간차, 도포 종료로부터 감압 건조 개시까지의 시간 등이 요인(파라미터)이 된다. 또한, 이들 파라미터를 다양하게 변경하여 데이터를 취하여 미리 데이터 베이스를 작성해 두고, 이 데이터 베이스를 장치의 기억부에 기억시켜 두어도 좋고, 앞으로 행할 처리 조건에 의해 이 데이터 베이스를 참조하여 기류를 역방향으로 해야 할지, 아니면 동일 방향으로 해야 할지를, 장치가 자동적으로 선택할 수 있도록 해도 좋다. 또한 실시예에서는 가스 분출구와 배기구를, 감압 건조 유닛(VD)(52)의 하면에 배치하였지만, 감압 건조 유닛(VD)(52)의 측면에 가스 분출구를 배치하고, 대향하는 측면에 배기구를 배치해도 좋은 것은 물론이다.
본 발명에 있어서의 피처리 기판은 LCD용 유리 기판에 한정되는 것은 아니며, 다른 플랫 패널 디스플레이용 기판이나, 반도체 웨이퍼, CD 기판, 포토마스크, 프린트 기판 등도 가능하다. 도포액도 레지스트액에 한정되지 않고, 예를 들어 층간 절연 재료, 유전체 재료, 배선 재료 등의 처리액 또는 약액도 가능하다.

Claims (17)

  1. 슬릿 형상의 토출구로부터 도포액을 토출하는 슬릿 노즐을 피처리 기판 상에서 기판면과 평행한 소정의 도포 주사 방향으로 상대적으로 이동시켜, 상기 기판 상에 도포액막을 형성하는 도포 처리부와,
    상기 도포액막이 형성된 상기 기판을 감압 분위기 중에 두고, 상기 기판 상에서 기판면과 평행한 소정의 기류 통과 방향으로 불활성 가스의 기류를 통과시켜, 상기 도포액막을 건조시키는 감압 건조 처리부를 갖고,
    상기 기판에 대해 상기 도포 주사 방향과 상기 기류 통과 방향을 반대 방향 또는 동일 방향 중 어느 하나에 맞추는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 감압 건조 처리부가,
    상기 기판을 출입 가능하게 수용하는 감압 가능한 챔버와,
    상기 챔버 내를 진공 배기하기 위한 배기부와,
    상기 챔버 내에서 상기 기판을 수평으로 적재하는 적재부와,
    상기 챔버 내의 상기 적재부에 적재되어 있는 상기 기판 상의 처리 공간에 상기 기류 통과 방향에서 불활성 가스의 기류를 형성하기 위해, 상기 기류 통과 방향과 평행한 방향에서 서로 대향하여 상기 적재부의 양측에 설치되는 제1 및 제2 가스 분사부와,
    상기 기판에 대해 상기 기류 통과 방향이 원하는 방향이 되도록 상기 제1 및 제2 가스 분사부 중 어느 한쪽으로부터 택일적으로 불활성 가스를 분사시키는 불활성 가스 공급부를 갖는, 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 배기부가,
    상기 챔버 내에서, 상기 적재부를 중심으로 하여, 상기 제1 가스 분사부의 반대측에 설치되는 제1 배기 포트와,
    상기 제2 가스 분사부의 반대측에 설치되는 제2 배기 포트를 갖고,
    상기 제1 가스 분사부가 불활성 가스를 분사할 때에는, 상기 제2 배기 포트측의 배기 유로를 폐쇄하여, 상기 제1 배기 포트를 통해 상기 챔버 내의 배기를 행하고,
    상기 제2 가스 분사부가 불활성 가스를 분사할 때에는, 상기 제1 배기 포트측의 배기 유로를 폐쇄하여, 상기 제2 배기 포트를 통해 상기 챔버 내의 배기를 행하는, 기판 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 배기부가,
    상기 챔버 내에서, 상기 기판 또는 상기 적재부를 사이에 두고 상기 처리 공간의 하방에 형성되는 하부 공간의 바닥에 설치되는 배기 포트와,
    상기 제1 가스 분사부와 대향하여 상기 하부 공간을 선택적으로 차폐하기 위한 승강 가능한 제1 판벽부와,
    상기 제1 판벽부를 승강 이동시키기 위한 제1 승강 기구와,
    상기 제2 가스 분사부와 대향하여 상기 하부 공간을 선택적으로 차폐하기 위한 승강 가능한 제2 판벽부와,
    상기 제2 판벽부를 승강 이동시키기 위한 제2 승강 기구를 갖고,
    상기 제1 가스 분사부가 불활성 가스를 분사할 때에는, 상기 제1 판벽부를 상기 챔버의 바닥으로부터 위로 상승시켜 상기 하부 공간을 차폐시키는 동시에 상기 제2 판벽부를 상기 챔버의 바닥으로부터 아래로 퇴피시키고,
    상기 제2 가스 분사부가 불활성 가스를 분사할 때에는, 상기 제2 판벽부를 상기 챔버의 바닥으로부터 위로 상승시켜 상기 하부 공간을 차폐시키는 동시에 상기 제1 판벽부를 상기 챔버의 바닥으로부터 아래로 퇴피시키는, 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 감압 건조 처리부가, 상기 기류 통과 방향과 직교하는 수평한 방향에서 상기 처리 공간의 확대를 규제하여, 불활성 가스의 기류를 상기 기류 통과 방향으로 안내하기 위해, 상기 적재부의 양측에 설치되는 제1 기류 안내부를 갖는, 기판 처리 장치.
  6. 제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 감압 건조 처리부가, 상기 처리 공간으로 들어가기 전의 불활성 가스의 기류가 상기 기판 또는 상기 적재부를 사이에 두고 상기 처리 공간의 하방에 형성되는 하부 공간으로 들어가는 것을 방해하여, 불활성 가스의 기류를 상기 처리 공간으로 안내하기 위해, 상기 적재부의 주위에 설치되는 제2 기류 안내부를 갖는, 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2 기류 안내부가,
    연직 방향에서 이동 가능 또는 변위 가능한 판벽과,
    상기 처리 공간의 클리어런스를 조정하기 위해 상기 적재부의 높이 위치에 맞추어 상기 판벽의 상단부의 높이 위치를 가변하기 위한 판벽 높이 조정부를 갖는, 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 도포 처리부로부터 상기 감압 건조 처리부로 상기 기판을 전송하는 도중에, 상기 기판의 방향을 바꾸기 위해, 상기 기판을 수평면 내에서 원하는 회전 각도만큼 회전시키는 기판 회전 기구를 갖는, 기판 처리 장치.
  9. 피처리 기판 상에 형성된 도포액막을 감압 분위기 중에서 건조시키기 위한 감압 건조 장치이며,
    상기 기판을 출입 가능하게 수용하는 감압 가능한 챔버와,
    상기 챔버 내를 진공 배기하기 위한 배기부와,
    상기 챔버 내에서 상기 기판을 수평으로 적재하는 적재부와,
    상기 챔버 내의 상기 적재부에 적재되어 있는 상기 기판 상의 처리 공간에 소정의 기류 통과 방향에서 불활성 가스의 기류를 형성하기 위해, 상기 기류 통과 방향과 평행한 방향에서 서로 대향하여 상기 적재부의 양측에 설치되는 제1 및 제2 가스 분사부와,
    상기 제2 가스 분사부가 오프 상태인 채로 상기 제1 가스 분사부가 온이 되어, 상기 제1 가스 분사부로부터 분사된 불활성 가스의 대부분이 상기 처리 공간을 제1 방향으로 흐르는 제1 기류 형성 모드와,
    상기 제1 가스 분사부가 오프 상태인 채로 상기 제2 가스 분사부가 온이 되어, 상기 제2 가스 분사부로부터 분사된 불활성 가스의 대부분이 상기 처리 공간을 상기 제1 방향과는 반대인 제2 방향으로 흐르는 제2 기류 형성 모드의 사이에서 전환 가능한 기류 제어부를 갖는, 감압 건조 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 배기부가,
    상기 챔버 내에서, 상기 적재부를 중심으로 하여, 상기 제1 가스 분사부의 반대측에 설치되는 제1 배기 포트와,
    상기 제2 가스 분사부의 반대측에 설치되는 제2 배기 포트를 갖고,
    상기 제1 가스 분사부가 불활성 가스를 분사할 때에는, 상기 제2 배기 포트측의 배기 유로를 폐쇄하여, 상기 제1 배기 포트를 통해 상기 챔버 내의 배기를 행하고,
    상기 제2 가스 분사부가 불활성 가스를 분사할 때에는, 상기 제1 배기 포트측의 배기 유로를 폐쇄하여, 상기 제2 배기 포트를 통해 상기 챔버 내의 배기를 행하는, 감압 건조 장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 배기부가,
    상기 챔버 내에서, 상기 기판 또는 상기 적재부를 사이에 두고 상기 처리 공간의 하방에 형성되는 하부 공간의 바닥에 설치되는 배기 포트와,
    상기 제1 가스 분사부와 대향하여 상기 하부 공간을 선택적으로 차폐하기 위한 승강 가능한 제1 판벽부와,
    상기 제1 판벽부를 승강 이동시키기 위한 제1 승강 기구와,
    상기 제2 가스 분사부와 대향하여 상기 하부 공간을 선택적으로 차폐하기 위한 승강 가능한 제2 판벽부와,
    상기 제2 판벽부를 승강 이동시키기 위한 제2 승강 기구를 갖고,
    상기 제1 가스 분사부가 불활성 가스를 분사할 때에는, 상기 제1 판벽부를 상기 챔버의 바닥으로부터 위로 상승시켜 상기 하부 공간을 차폐시키는 동시에 상기 제2 판벽부를 상기 챔버의 바닥으로부터 아래로 퇴피시키고,
    상기 제2 가스 분사부가 불활성 가스를 분사할 때에는, 상기 제2 판벽부를 상기 챔버의 바닥으로부터 위로 상승시켜 상기 하부 공간을 차폐시키는 동시에 상기 제1 판벽부를 상기 챔버의 바닥으로부터 아래로 퇴피시키는, 감압 건조 장치.
  12. 제9항에 있어서, 상기 기류 통과 방향과 직교하는 수평한 방향에서 상기 처리 공간의 확대를 규제하여, 불활성 가스의 기류를 상기 기류 통과 방향으로 안내하기 위해, 상기 적재부의 양측에 설치되는 제1 기류 안내부를 갖는, 감압 건조 장치.
  13. 제9항 또는 제12항에 있어서, 상기 처리 공간으로 들어가기 전의 불활성 가스의 기류가 상기 기판 또는 상기 적재부를 사이에 두고 상기 처리 공간의 하방에 형성되는 하부 공간으로 들어가는 것을 방해하여, 불활성 가스의 기류를 상기 처리 공간으로 안내하기 위해, 상기 적재부의 주위에 설치되는 제2 기류 안내부를 갖는, 감압 건조 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제2 기류 안내부가,
    연직 방향에서 이동 가능 또는 변위 가능한 판벽과,
    상기 처리 공간의 클리어런스를 조정하기 위해 상기 적재부의 높이 위치에 맞추어 상기 판벽의 상단부의 높이 위치를 가변하기 위한 판벽 높이 조정부를 갖는, 감압 건조 장치.
  15. 슬릿 형상의 토출구로부터 도포액을 토출하는 슬릿 노즐을 피처리 기판 상에서 기판과 평행한 도포 주사 방향으로 상대적으로 이동시켜, 상기 기판 상에 처리액의 도포액막을 형성하는 제1 공정과,
    상기 도포액막이 형성된 상기 기판을 감압 분위기 중에 두고, 상기 기판 상에서 기판과 평행한 소정의 기류 통과 방향으로 불활성 가스의 기류를 통과시켜, 상기 도포액막을 건조시키는 제2 공정을 갖고,
    상기 기판에 대해 상기 도포 주사 방향과 상기 기류 통과 방향을 반대 방향 또는 동일 방향 중 어느 하나에 맞추는, 기판 처리 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 기류 통과 방향의 방향을 반전 가능하게 하고, 상기 제1 공정에 있어서의 상기 도포 주사 방향의 방향에 따라서 상기 제2 공정에 있어서의 상기 기류 통과 방향의 방향을 선택하는, 기판 처리 방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 제1 공정과 상기 제2 공정 사이에서, 상기 제1 공정에 있어서의 상기 도포 주사 방향의 방향에 따라서, 상기 제2 공정에 있어서의 상기 기류 통과 방향의 방향을 선택하기 위해, 상기 기판을 수평면 내에서 원하는 회전 각도만큼 회전시키는, 기판 처리 방법.
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