JP4737083B2 - 加熱装置及び塗布、現像装置並びに加熱方法 - Google Patents

Description

本発明は、塗布膜が塗布された基板を加熱処理する加熱装置、この加熱装置を含んだ塗布、現像装置並びに、前記加熱装置にて実施される加熱方法に関する。

半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）や、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）用のガラス基板に対してレジストパターンを形成する装置として、ウエハに対してレジストを塗布し、また露光後のウエハを現像する塗布、現像装置が用いられている。この装置内には、ベーク装置等と呼ばれている加熱装置が組み込まれており、例えばレジストを塗布したウエハを加熱する装置にあっては、レジスト中の溶剤を乾燥させる役割を果たしている。

この加熱装置として、本発明者らは、ウエハを加熱する熱板の上方領域をカバーで覆って気流の通路を形成し、この通路の一方の開口から他方側に流れる、いわば一方向流の気流を形成しながら加熱処理を行うことを検討している。このような気流を形成して加熱処理を行うことにより、レジストから昇華した昇華物がパーティクルとしてウエハＷに付着することを低減できるからである。

前記一方向流の気流を形成する加熱装置の一例を図１３に示す。図中１０は筐体であり、１０ａはウエハの搬送口、１０ｂは前記ウエハの搬送口を開閉するためのシャッタである。また図中１１はベースプレート、１２は熱板であり、１３はベースプレート１１上を、熱板１２側へ向けて移動可能な、ウエハＷを冷却するための冷却プレートである。ベースプレート１１には、熱板１２の手前側にガス供給部１４が設けられると共に、熱板１２の奥側に排気部１５が設けられている。この排気部１５は、排気路１５ａ、排気流量を調節するためのダンパ１５ｂを介して排気手段１５ｃに接続されている。

この装置では、昇降機構１６によりピン１６ａが昇降することにより、搬送口１０ａを介して筐体１０内に進入した外部の搬送機構（図示せず）と冷却プレート１３との間でウエハＷが受け渡され、昇降機構１７によりピン１７ａが昇降することにより、熱板１２と冷却プレート１３との間でウエハＷが受け渡されるようになっている。図中１８は昇降機構１８ａを介して昇降可能な蓋状の天板である。

このような加熱装置では、熱板１２上にウエハＷを載置した後、天板１８を熱板１２から僅かに上昇する位置まで下降させ、この状態で排気部１５より排気を行いながら、ガス供給部１４からガスを供給することによって、熱板１２と天板１８との間の空間に、ガス供給部１４側から排気部１５側へ通気する一方向流のガスの流れを形成して、所定の熱処理が行われる。

しかしながらこの加熱装置では、既述のように一方向流のガスの流れを形成して、レジストから昇華した昇華物がパーティクルとしてウエハＷに付着することを防止しているが、ときとしてこの昇華物が排気部１５を介して下流側に向かってしまうことがある。この際、筐体１０から排気側へ向かった昇華物は、筐体１０よりも温度の低い外部雰囲気の影響を受けることで、例えば排気路１５ａやダンパ１５ｂ或いは排気手段１５ｃ内に固着してしまう。

このように前記排気路１５ａ等に昇華物が固着すると、前記排気路１５ａ等に目詰まりが生じ、排気流量が低下してしまうため、筐体１０内では給排気のバランスが崩れて気流が乱れ、前記一方向流に乱れが発生する。このため前記一方向流に沿った前記昇華物の排出が十分に行われなくなってしまうので、結果として前記昇華物のウエハＷへの付着量が多くなってしまうという問題がある。また給排気のバランスの崩れの程度によっては、ウエハＷ表面の温度均一性が低下するため、線幅精度や膜厚の面内均一性が低下してしまうおそれもある。

さらに前記昇華物が排気路１５ａやダンパ１５ｂ或いは排気手段１５ｃ内に付着した場合には、安定した排気流量を確保するために、定期的に排気路１５ａを構成する配管やダンパ１５ｂ等を洗浄したり、交換したりする必要があるが、前記配管は長く、またダンパ１５や排気手段１５ｃは内部構造が複雑であるので、前記洗浄作業の際に、これらを全て取り外してから洗浄を行い、再び組み立てる作業には多大な時間と労力が要求され、作業者のメンテナンス作業に要する負担が大きいという問題もある。

このようなことから、本発明者らは、前記塗布膜から生じる昇華物を排気路の手前で捕集することにより、前記昇華物の配管等への付着を防止し、こうして筐体１０内の圧力を所定の値に維持する手法を検討している。基板に対して加熱処理を行うベーク装置において、前記塗布膜から生じる昇華物を捕集する構成については、特許文献１に記載されている。

しかしながら特許文献１には、一方向流の気流を形成しながら基板に対して加熱処理を行う加熱装置に適用することや、ウエハＷへのパーティクル付着量を低減するために加熱装置内の気流の乱れを抑えることについては何ら言及されていないので、この特許文献１の記載によっても、本発明の課題の解決は困難である。

特開２００３−３４７１９８号公報

本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、加熱部内において、一方向に流れる気流を形成して加熱処理を行う加熱装置において、塗布膜から生じる昇華物を排気路の上流側で捕集すると共に、加熱部内の気流の乱れを抑え、さらに作業者のメンテナンス作業における負担を低減することにある。

このため、本発明の加熱装置は、基板を少なくとも下方側から熱するための熱板と、前記基板と対向する天板とを備えた加熱部の内部にて、塗布膜が塗布された基板を加熱処理する加熱装置において、
前記加熱部の一端側に設けられ、この加熱部内に載置された基板と天板との間にガスを吐出して前記基板の幅をカバーできる幅の気流を形成するためのガス吐出部と、
前記加熱部内に載置された基板を挟んで前記ガス吐出部と対向する側に、基板の幅をカバーできる幅に形成された吸引排気口と、
前記吸引排気口に着脱自在に設けられ、この吸引排気口を介して前記加熱部内の雰囲気を吸引排気するための排気ユニットと、
前記排気ユニットに着脱自在に設けられた排気路を介して接続される吸引排気手段と、を備え、
前記排気ユニットは、前記吸引排気口に接続され、基板の幅をカバーできる幅の帯状の通気路と、
前記通気路における前記加熱室の近傍に設けられ、前記塗布膜の昇華物が付着しない程度の温度に、加熱部からの熱により加熱される気流抵抗部と、
前記通気路における前記気流抵抗部の下流側に設けられ、前記加熱部内の雰囲気に含まれる昇華物を捕集するための捕集部と、を備えることを特徴とする。

例えば前記加熱装置は、前記加熱部の一端側には基板を搬入出するための開口部が形成されると共に、前記加熱部の他端側には前記排気ユニットが接続され、前記加熱部では前記一端側から他端側に向けて流れる気流が形成される。また前記加熱部は、基板を加熱処理するための、一方側が基板を搬入出するために開口する扁平な加熱室と、前記基板を少なくとも下方側から加熱するように、前記加熱室に設けられた熱板と、を備えるものであってもよい。

前記気流抵抗部は例えば前記通気路を屈曲して形成され、前記捕集部は上面が開口する凹部と、この凹部の開口部を開閉するための蓋体とを備えるものとして構成することができる。また前記排気ユニットは、例えば前記加熱部の吸引排気口に接続される水平な通気路と、この通気路を屈曲して形成され、下から上にガスが通気する鉛直な通気路よりなる気流抵抗部と、この気流抵抗部の下流側において前記通気路をさらに屈曲して形成される水平に伸びる通気路と、この通気路に上面が接続される前記捕集部の扁平な凹部と、を備えて構成される。また例えば前記凹部の下部側には放熱フィンが設けられる。

このような加熱装置は、基板を収納し、キャリアが搬入出されるキャリアブロックと、前記キャリアから取り出された基板の表面にレジストを塗布する塗布部と、レジストが塗布された基板を加熱する加熱装置と、加熱された基板を冷却する冷却部と、露光後の基板を現像する現像処理部と、を含む処理ブロックと、この処理ブロックと露光装置との間で基板の受け渡しを行なうインターフェース部と、を備えた塗布、現像装置の前記加熱装置として用いることができる。

また本発明の加熱方法は、基板を少なくとも下方側から熱するための熱板と、前記基板と対向する天板とを備えた加熱部の内部にて、塗布膜が塗布された基板を加熱処理する加熱方法において、
前記加熱部内に塗布膜が塗布された基板を載置する工程と、
次いで前記加熱部の一端側から基板と天板との間にガスを吐出して前記基板の幅をカバーできる幅の気流を形成すると共に、前記加熱部の他端側に基板の幅をカバーできる幅に形成された吸引排気口に着脱自在に設けられた排気ユニットにより前記加熱部内の雰囲気を吸引排気しながら、前記基板に対して加熱処理を行う工程と、を含み、
前記排気ユニットでは、前記加熱部の雰囲気は、基板の幅をカバーできる幅のの帯状の通気路を下流側に流れ、前記塗布膜の昇華物が付着しない程度の温度に、前記加熱部により加熱された前記通気路における気流抵抗部を通過し、前記通気路における気流抵抗部の下流側に設けられた捕集部により、前記昇華物が捕集されることを特徴とする。

以上において本発明では、加熱部の吸引排気口と排気ユニットの通気路は基板をカバーする長さに設定され、また排気ユニットには、加熱部の近傍に気流抵抗部が設けられているので、加熱部内の基板の両面では、通気方向が一方向であり、かつ通気方向に対して基板の面内において並行に流れる気流が形成される。このため加熱部内では、基板の面内においてガスの流れが揃えられるので、加熱処理により飛散する塗布膜の昇華物を基板面内において均一に排出することができる。

また排気ユニット内の捕集部にて前記昇華物が捕集されるので、排気ユニットの下流側の排気路や排気手段内への前記昇華物の固着が抑えられる。このため前記排気路等への前記昇華物の付着が防止されるので、これら排気路等に目詰まりが生じるおそれがなく、加熱部の排気流量を安定な状態に維持することができる。さらに排気ユニットは前記加熱部や排気路に対して着脱自在に設けられ、前記捕集部に付着した前記昇華物は、捕集部の凹部の蓋体を取り外して除去することができるので、排気ユニットの洗浄やメンテナンス作業が容易になる。

以下に本発明に係る加熱装置の実施の形態の一例として、例えば塗布膜としてレジスト膜が表面に形成された基板であるウエハＷを加熱処理する加熱装置２について図１〜図５を参照して説明する。図中２０は処理容器をなす筐体であり、筐体２０の側壁にはシャッタ２１ａにより開閉自在に構成されたウエハＷの搬送口２１が開口している。前記筐体２０内には基台２２の上に、搬送口２１に向かう側を手前側とすると、この手前側にウエハＷを冷却するための冷却プレート３が設けられ、奥側にはウエハＷを加熱処理するための扁平な加熱室４が設けられている。前記冷却プレート３は、例えばアルミニウムによりウエハＷと略同じ直径を有する略円形板状に形成され、その裏面側に設けられた図示しない冷却機構により、ウエハＷを粗冷却するように構成されている。

またこの例の搬送手段５は、ウエハＷの移動方向（図１中Ｙ方向）と交差する方向（図１中Ｘ方向）に伸び、ウエハＷを載置して搬送する複数本例えば２本のワイヤ５１（５１Ａ，５１Ｂ）を備えている。このワイヤ５１は、例えばアラミド繊維（例えばデュポン社製ケプラー等）等の合成繊維や、炭化ケイ素繊維（例えば日本カーボン社製ニカロン等)、炭素繊維（例えば東レ社製等）等のセラミック繊維等の、２３℃〜２５０℃にてウエハＷを熱処理しても、熱により変性しない耐熱性の材質により構成され、例えば直径が０．５ｍｍ程度の太さのものが用いられる。

このようなワイヤ５１Ａ，５１Ｂは、冷却プレート３の直径より長い長さを有し、夫々の両端部を一対のワイヤ支持部５２（５２Ａ，５２Ｂ）、５３（５３Ａ，５３Ｂ）にて支持された状態で、移動機構５４によりウエハＷを冷却プレート３の上方位置と加熱室４内との間を搬送するように移動自在に構成されている。前記移動機構５４は、図１，図２に示すように、基台２２の上部に前記Ｙ方向に伸びるように設けられた一対のガイドレール５５Ａ，５５Ｂと、ワイヤ支持部５２Ａ，５３Ａが一体的に取り付けられ、前記ガイドレール５５Ａに沿って移動する第１のワイヤ移動部材５６Ａと、ワイヤ支持部５２Ｂ，５３Ｂが一体的に取り付けられ、前記ガイドレール５５Ｂに沿って移動する第２のワイヤ移動部材５６Ｂと、これら第１及び第２のワイヤ移動部材５６Ａ，５６Ｂを一体的に、前記ガイドレール５５Ａ，５５Ｂに沿って移動させる駆動部５７とを備えており、後述する制御部からの指令に基づいて駆動が制御されるようになっている。

さらに前記冷却プレート３には、前記ワイヤ５１が潜り込むための溝部３１が、搬送手段５がホーム位置（図１に示すように、ワイヤ５１が冷却プレート３側に位置する位置）にあるときの、２本のワイヤ５１Ａ，５１Ｂに対応する位置に形成されている。また基台２２の内部の冷却プレート３の下方側には、当該冷却プレート３を昇降させるための昇降機構３２により昇降自在に構成された複数本の支持ピン３３が設けられており、こうして冷却プレート３はワイヤ５１に対して相対的に昇降自在に構成されている。なお冷却プレート３を昇降させずに、ワイヤ５１を昇降させることにより、冷却プレート３をワイヤ５１に対して相対的に昇降自在に構成するようにしてもよい。さらに冷却プレート３の周縁部の例えば４ヵ所には、図１に示すように当該冷却プレート３の中心部に向けて切欠部３４が形成されている。この切欠部３４は、後述するように、外部の搬送機構と冷却プレート３との間でウエハＷの受け渡しを行なうときに必要なものである。なお図１では、この切欠部３４を示すために、冷却プレート３はウエハＷよりも大きく描いている。

前記加熱室４は、その内部にてウエハＷの加熱処理を行なう加熱部をなすものであり、当該加熱室４の冷却プレート３に対向する側面は、ウエハＷを搬入出するための開口部４１として開口している。この加熱室４は、ウエハＷを保持したワイヤ５１がそのまま侵入し、ウエハＷがワイヤ５１により保持された状態で熱処理を行うことができるように構成され、例えば厚さが３ｍｍ程度のアルミニウム(Ａｌ)やステンレス等の伝熱性の材料により、縦断面がコ字状に形成されている。前記開口部４１の上下方向の大きさは６ｍｍ以下の大きさに設定されると共に、前記開口部４１の両側の側壁部４２（４２Ａ，４２Ｂ）には、夫々例えば３ｍｍ程度の隙間４３（４３Ａ、４３Ｂ（４３Ｂは図示せず））が形成され、この隙間４３に前記ワイヤ５１Ａ，５１Ｂが入り込むようになっている。この加熱室４の天板４Ａの上部側及び底板４Ｂの下部側には、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や炭化ケイ素（ＳｉＣ）製の例えばウエハＷと略同じ大きさの円板状に形成された、加熱室４の内部を加熱するための熱板４４，４５が夫々設けられている。

また基台２２上の加熱室４の手前側にはガス吐出部２３が設けられると共に、加熱室４の奥側には吸引排気口４６を介して排気ユニット６が接続されている。なお図１ではガス吐出部２３を省略している。このガス吐出部２３と排気ユニット６とは、ウエハＷが加熱室４内にあるときに、ウエハＷを挟んで手前側と奥側に夫々設けられており、これによりウエハＷの直径（幅）をカバーし、さらに加熱室４の天板４Ａと底板４Ｂとの間を手前側から奥側へ、即ちウエハＷの一端側から他端側へと流れるいわば一方向流ともいうべき気流を形成できるように設けられている。ここで加熱室４内のガスの通気方向に対応して、加熱室４の開口部４１を入口側、加熱室４の開口部４１と対向する側面を出口側とする。

前記ガス吐出部２３は、図３に示すように、例えば筐体２０の加熱室４の開口部４１に向かって多数の小孔が吐出口２３ａとして筐体２０の幅方向（図中Ｘ方向）に沿って夫々一定の間隔をおいて設けられている。当該吐出口２３ａの一端から他端までの長さは加熱室４内に載置されるウエハＷの直径をカバーするように構成されている。ガス吐出部２３にはガス供給管２４ａ、バルブＶ１を介して、例えば筐体２０の外部へ設けられた、クリーンなパージ用ガス例えば窒素ガスなどの不活性ガスが貯留されているガス供給源２４に接続されている。このようなガス吐出部２３には、パージ用ガスの加熱手段を設けてもよく、例えば加熱手段としては、ガス吐出部２３の内部に伝熱板を設けると共に、この伝熱板に一端側が熱板４５に接続されたヒートパイプを接続して、熱板４５の熱をヒートパイプにより伝熱板に供給してパージ用ガスを加熱するものでもよいし、ガス供給管２４ａの出口付近に設けたヒータによりパージ用ガスを加熱するものであってもよい。

またこの例では、ワイヤ５１のワイヤ支持部５２Ａ，５３Ａとの間と、ワイヤ支持部５２Ｂ，５３Ｂとの間には、夫々加熱室４の側壁部４２Ａ，４２Ｂの隙間４３Ａ，４３Ｂを塞ぐための遮蔽板５８Ａ、５８Ｂが設けられており、ワイヤ５１が加熱室４側へ移動したときに、当該遮蔽板５８Ａ，５８Ｂにより加熱室４１の側壁部４２Ａ，４２Ｂの隙間４３Ａ，４３Ｂが夫々塞がれるようになっている。この遮蔽板５８Ａ，５８Ｂは、例えばステンレス、アルミニウム、セラミックス等の材料により形成されている。

前記吸引排気口４６は、図３及び図４に示すように、加熱室４の開口部４１と対向する側面（背面部４Ｃ）に、前記ガス吐出部２３と対向するようにスリット状に形成され、そのスリットの一端から他端までの長さつまり加熱室４の幅方向（図１中Ｘ方向）の長さは加熱室４内に載置されるウエハＷの直径をカバーする長さに設定されている。またその上下方向の大きさＬ１は、例えば４ｍｍ程度に設定されている。

前記排気ユニット６は、例えば図４及び図５に示すように、排気ユニット本体をなす筐体６１と、この筐体６１から外部に突出するように設けられた突出部６２とを備えており、これら前記筐体６１と突出部６２とは、例えばアルミニウム等の熱伝導性の良好な材質により構成されている。前記突出部６２は筐体６１の幅方向（図１、図４中Ｘ方向）に沿って、筐体６１の加熱室４の背面４Ｃと対向する側面６１Ａから、加熱室４側に向けて略水平方向に突出するように形成されている。また前記筐体６１の上面部は蓋体６０により開閉自在に設けられている。

前記排気ユニット６は、前記突出部６２を前記吸引排気口４６に挿脱することにより、前記加熱室４に着脱自在に設けられている。つまり前記突出部６２は、前記スリット状に形成された吸引排気口４６に嵌合する大きさに形成され、一方加熱室４の背面部４Ｃは、例えば前記突出部６２の長さとほぼ同じかそれよりも長い厚みを備えていて、前記突出部６２が前記吸引排気口４６に嵌入されたときには、突出部６２と前記背面部４Ｃとの間には、例えば背面部４Ｃ側に設けられたシール手段をなすＯリング４７により、両者の間の気密性が維持されるように構成されている。

また前記突出部６２には、その一端から他端までの長さ、つまり排気ユニット６の幅方向（図１、図４中Ｘ方向）の長さが加熱室４内に載置されるウエハＷの直径をカバーする長さに設定された吸気用のスリット６３が形成され、このスリット６３は、例えばその上下方向の大きさＬ２が２ｍｍ程度に設定されている。さらに筐体６１の内部には、このスリット６３と連通するように設けられた帯状に伸びる通気路６４が形成されており、この通気路６４も、その一端から他端までの長さ、つまり排気ユニット６の幅方向（図１、図４中Ｘ方向）の長さが加熱室４内に載置されるウエハＷの直径をカバーする長さに設定されている。

前記通気路６４は、例えば図５に示すように、突出部６２の内部の通気路６４ａにおいては略水平方向に伸び、突出部６２を過ぎた辺りで、例えば加熱部４の出口側端面（背面部４Ｃの端面）に沿って上方側に屈曲して、ガスの通気方向が下から上に向かって略垂直に伸びるように通気路６４ｂを形成し、こうして通気路を屈曲することにより通気路６４ｂよりなる気流抵抗部７１が構成されている。この気流抵抗部７１は、通気路６４を折り返すことにより気流に対するコンダクタンス成分を大きくし、これにより当該通気路６４を通気するガスの流速を低減するために設けられるものである。

また前記気流抵抗部７１は塗布膜の昇華物が付着しない程度の温度に加熱されることが必要であり、この例では、気流抵抗部７１を加熱室４の出口側端面の近傍に設け、加熱室４からの熱伝導によって塗布膜の昇華物が付着しない程度の温度に加熱している。ここで塗布膜の昇華物が付着しない程度の温度とは、加熱室４内の処理温度とほぼ同じか、前記処理温度に対して−２０％以内程度の温度をいう。このため通気路６４の気流抵抗部７１の下流側までの長さ、つまり通気路６４ａ，６４ｂ全体の長さＬ３は、例えば突出部６２の加熱室４に開口する端面（入口側端面）から２０ｍｍ程度に設定されている。

さらにこの通気路６４の内部には、例えば通気路６４が屈曲する部位の近傍に、回動式の排気流調整手段６５が設けられている。この排気流調整手段６５は、例えば前記スリット６３と略平行に伸びる回動軸と、この回動軸に回動自在に設けられた板状部材とを備えており、この板状部材によって気流流路の開閉角度を調整してスリット６３の開口部の排気圧力を微調整し、こうして当該排気ユニット６内の排気量を調整するようになっている。

また筐体６１には、この気流抵抗部７１の下流側に、前記通気路６４に接続されるように捕集部７２が設けられている。この捕集部７２は、前記塗布膜の昇華物を冷却し固化して捕集するために設けられたものであり、例えば気流抵抗部７１の略鉛直方向に伸びる通気路６４ｂを再び屈曲して、略水平方向に伸びる通気路６４ｃを形成すると共に、この通気路６４ｃの下方側に、当該通気路６４ｃとその上面が接続される扁平な凹部７３を形成するように構成されている。

また捕集部７２の凹部７３の下部側には、通気路６４内を通気するガスを冷却し、前記塗布膜の昇華物を強制的に固化させるための冷却部７４が設けられており、この例では前記冷却部７４としては放熱フィンが用いられている。ここで通気路６４ｃを通気するガスに含まれる前記昇華物を固化して捕集するためには、例えば凹部７３では前記ガスを、通気路６４ｂを通気するときの温度よりも３０℃程度低くなるまで冷却することが望ましく、また凹部７３に前記昇華物の固体を十分に付着させるためには、例えば凹部７３の通気方向に沿った長さＬ４は例えば６０ｍｍ程度に設定されることが望ましい。またこの例では、通気路６４を屈曲して鉛直な通気路６４ｂよりなる気流抵抗部７１を設けているので、この上下方向の大きさを利用して、捕集部７２の凹部７３を形成している。

さらに筐体６１の出口側の側面６１Ｂ（捕集部７２の凹部７３の下流側の側面）には、前記側面６１Ｂの例えば幅方向（図４中Ｘ方向）の略中央部に、口径が８ｍｍ程度の大きさの排気路をなす排気管７５が接続部７５ａを介して着脱自在に接続されており、この排気管７５の他端側はバルブＶ２を介して排気手段７６例えばエジェクターに接続されている。

また当該加熱装置４には制御部が備えられており、この制御部は、例えばコンピュータからなるプログラム格納部を有し、このプログラム格納部には、後述するような当該加熱装置の作用、つまりウエハＷの処理、ウエハＷの受け渡し、ウエハＷの加熱および気流の制御などが実施されるように命令が組まれた、例えばソフトウェアからなるプログラムが格納される。そして当該プログラムが制御部に読み出されることにより制御部は当該半導体製造装置の作用を制御するようになっている。なおこのプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクなどの記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。

次に当該加熱装置２の作用について説明する。先ず外部の搬送機構８により、搬送口２１を介して筐体２０内に、表面に塗布膜であるレジスト膜が塗布されたウエハＷを搬入し、ウエハＷを冷却プレート３を介してワイヤ５１に受け渡す。この搬送機構８は、例えば図６に示すような、水平な馬蹄形状の搬送アーム８１を有しており、搬送アーム８１の前方には切欠部８２が形成されている。搬送アーム８１の内周の大きさは冷却プレート３の直径よりも若干大きく形成されており、この内周における下部には内方へ向かう４つの突片８３が設けられ、これらの突片８３上にウエハＷが保持される。なお図６（ｂ）の冷却プレート３では溝部３１が省略されている。

搬送アーム８１は昇降自在かつ進退自在に構成され、冷却プレート３にウエハＷを受け渡す際には、先ず搬送手段５をホーム位置に位置させ、冷却プレート３とワイヤ５１との間から搬送アーム８１が退却できるように、冷却プレート３をワイヤ５１の上方側に位置させる。そしてウエハＷを保持した搬送アーム８１を前記搬送口２１を介して筐体２０内の、冷却プレート３の上方側に進入させる。ここで冷却プレート３の外周の切欠部３４は、夫々搬送アーム８１の突片８３と対応する位置に設けられていることから、搬送アーム８１が冷却プレート３に対して上方から覆い被さるように下降することで、搬送アーム８１上のウエハＷが冷却プレート３に受け渡される。ウエハＷを受け渡した搬送アーム８１は、ワイヤ５１の上方側まで下降して、前方の切欠部８２が溝部３１の外側を通り抜けるように手前側に後退して筐体２０内から退去するようになっている。

こうしてウエハＷを冷却プレート３に受け渡した後、冷却プレート３を下降させて、冷却プレート３上のウエハＷをワイヤ５１に受け渡す。次いで冷却プレート３をさらに下降させた後、ウエハＷを保持するワイヤ５１を加熱室４側へ移動させて、ウエハＷを加熱室４内に搬送する。加熱室４内は、ウエハＷがワイヤ５１により搬送されるまでに、熱板４４，４５により加熱され、例えば１００℃程度になっている。

加熱室４内にウエハＷがワイヤ５１により保持された状態で搬入されると、バルブＶ１が開かれ、ガス供給源２４からガス供給管２４ａにパージ用ガスが供給される。当該パージ用ガスはガス吐出部２３で略１００℃に加熱されて、吐出口２３ａから加熱室４の天板４Ａへ向けて吐出される。この吐出口２３ａからパージ用ガスの吐出が開始されるのと略同時に、バルブＶ２が開き、排気流調整手段６５の板状部材が回転することで、排気手段７６により排気ユニット６を介して加熱室４の排気が行なわれる。

こうして図３中、矢印で示すように、吐出部２３から供給されたパージ用ガスは加熱室４の天板４Ａと底板４Ｂとの間を手前側から奥側に流れ、ウエハＷの周囲を通過した後に、排気ユニット６に流入し、加熱室４、筐体２０の外へ除去される。前記ウエハＷは加熱室４内にワイヤ５１により保持された状態で支持され、熱板４４，４５とは直接接触していないが、熱板４４，４５により伝熱性材料により構成された加熱室４を介して上下方向から加熱されると共に、加熱されたパージ用ガスがウエハＷの表面に沿って流れることでウエハＷを予め設定したプロセス温度で加熱できるように構成されている。この際、前記加熱室４内のパージ用ガス（加熱室４内の雰囲気）は、排気ユニット６では、加熱室４の出口側の吸引排気口４６、突出部６２のスリット６３、突出部６２を介して筐体６１内に入り込み、通気路６４ａ，６４ｂ，６４ｃを下流側へ向けて通気していき、排気管７５を介して排気ユニット６の外部に排気されていく。

ここで、前記ガス吐出部２３からは、ウエハＷの幅をカバーできる幅の気流が形成され、一方加熱室４の出口側の吸引排気口４６もウエハＷの幅をカバーできる幅に構成されているので、ウエハＷの周囲には図中矢印で示すような、ウエハＷの幅をカバーできる幅の一方向流が形成される。このように熱板４４，４５の熱と一方向流とにより、ウエハＷに塗布されたレジスト液の加熱、乾燥が行われて、ウエハＷにレジスト膜が形成される。

この際、排気ユニット６では、前記パージ用ガスは、排気ユニット６の幅方向（図４、図７中Ｘ方向）に、スリット６３の幅と同じ程度の大きさで伸びる帯状の通気路６４内を、入口側（加熱室４側）から出口側（排気管７５側）に向けて通気していくが、前記出口側では、前記口径が８ｍｍ程度の排気管７５が、筐体６１の背面６１Ｂのほぼ中央に接続されているので、前記排気ユニット６内のパージ用ガスは、前記通気路６４内を排気管７５に向けて収束するように流れていくことになる。

しかしながら、排気ユニット６の内部には、加熱室４の出口側の近傍に気流抵抗部７１が設けられており、この気流抵抗部７１では下から上に向かってガスが流れることになるのでコンダクタンス成分が大きい。このため当該気流抵抗部７１では前記ガスが通気しにくくなって、これにより当該通気路６４を通気するガスの流速が低減される。これにより前記ガスは排気管７５に向けて収束するように流れていくものの、前記気流抵抗部７１近傍では速やかに収束されていかず、通気路６４ａ，６４ｂ内を当該通気路６４ａ，６４ｂの幅方向にほぼ広がった状態で流れることになる。そして気流抵抗部７１の下流側において徐々に排気管７５に向けて収束するように流れていく。

これにより加熱室４内では、例えば図７に破線によりガスの流れを示すように、ウエハＷが置かれた領域の面内において、前記一方向に流れる気流が、その通気方向（図７中Ｙ方向）に沿って、加熱室の幅方向に広がった状態で通気方向に対して互いに並行に流れる並行流が形成される。

また前記通気路６４を通気するガスには、ウエハＷの加熱処理により塗布膜であるレジスト膜から飛散する塗布膜の昇華物が含まれている。この昇華物は、昇華点以下の温度になると固化するので、気流抵抗部７１の下流側に設けられた捕集部７２において、放熱フィン７４によって通気路６４ｃを通気するガスを前記レジスト液の昇華物の昇華点以下の温度まで積極的に冷却する。これにより、前記ガスに含まれる前記昇華物が冷却されて固化され、捕集部７２の凹部７３に付着し、こうして前記ガスから前記昇華物が分離され、除去される。一方前記昇華物が除去された前記ガスは、排気管７５を介して排気ユニット６の外部に排気される。ところで前記気流抵抗部７１は、加熱室４の出口側近傍に設けられており、加熱室４からの熱伝導によって、前記昇華物が付着しない程度の温度に加熱されているので、当該気流抵抗部７１への前記昇華物の付着は抑えられる。

このようにしてウエハＷへのパージ用ガスの供給が一定時間行なわれた後に、ガス供給源２４からのパージ用ガスの供給と排気ユニット６による排気を停止する。次いでワイヤ５１によりウエハＷを前記ホーム位置へ搬送してから、冷却プレート３を上昇させ、冷却プレート３とウエハＷ下面とを接触させるか、冷却プレート３上面とウエハＷ下面との間に、例えば０．１ｍｍ程度の隙間を形成した状態で、冷却プレート３によりウエハＷを冷却し、ウエハＷの粗熱取りを行なう。そして粗熱取りが終了した後、冷却プレート３を介して外部の搬送機構８にウエハＷを受け渡し、筐体２０の外へ搬送する。

ここで冷却プレート３から搬送機構８へのウエハＷの受け渡しは、搬送機構８から冷却プレート３へのウエハＷの受け渡しと逆の動作で行なわれ、例えばウエハＷを保持する冷却プレート３の下面とワイヤ５１との間に、搬送機構８の搬送アーム８１を進入させ、次いで搬送アーム８１を冷却プレート３の上方側まで上昇させることにより、搬送アーム８１上に冷却プレート３からウエハＷを受け取り、次いで冷却プレート３の上方側にてウエハＷを保持した搬送アーム８１を退却させることにより行なわれる。

このような加熱装置２では、加熱室４の出口側の吸引排気口４６に着脱自在に設けられた排気ユニット６を介して加熱室４内の雰囲気が吸引排気されるが、既述のように、加熱室４の吸引排気口４６、排気ユニット６のスリット６３、通気路６４の、加熱室４及び排気ユニット６の幅方向の長さはウエハＷをカバーする長さに設定され、また排気ユニット６には、その入口側の近傍に気流抵抗部７１が設けられているので、加熱室４内のウエハＷの両面側では、既述のように、通気方向が一方向であり、かつ通気方向に対してウエハＷの面内において並行に流れる気流が形成される。

このため加熱室４に置かれるウエハＷの両面では、パージ用ガスが前記一方向流に沿って、ウエハＷの面内においてほぼ均一に通気していく。これによりウエハＷの加熱処理によりレジストから飛散するレジストの昇華物が、ウエハＷの面内においてほぼ均一な状態で前記パージ用ガスと共に排気されていくので、前記昇華物の排出の程度がウエハ面内において揃えられ、レジスト液からの昇華物のウエハＷへの付着が抑えられると共に、前記昇華物がウエハＷに部分的に付着してしまうといったことが抑えられる。またこ加熱室４に置かれるウエハＷの面内におけるパージ用ガスの流れが揃えられるので、ウエハＷ表面の温度均一性が向上し、結果として線幅精度や膜厚の面内均一性が向上する。

この際前記ガスは前記気流抵抗部７１を通過する際、流速が小さくなるので、前記ガスに含まれる前記昇華物が固化して当該気流抵抗部７１に付着するおそれがあるが、この気流抵抗部７１は加熱室４の出口側近傍に設けられており、加熱室４からの熱伝導によって、前記昇華物が付着しない程度の温度に加熱されているので、この気流抵抗部７１への前記昇華物の付着は抑えられる。このため気流抵抗部７１を加熱するための加熱手段を別個に用意する必要はない。

仮に気流抵抗部７１を設けない場合には、通気路６４のコンダクタンス成分が変わらないので、通気路６４を通気するガスが流れにくくなることなく、その流速が変化しない状態で流れていく。従ってスリット６３を介して排気ユニット６に入り込んだガスは、そのまま通気路６４を排気管７５に向けて速やかに収束するように流れていくので、スリット６３をウエハＷをカバーする大きさに形成したとしても、加熱室４内において当該加熱室４内の幅方向に広がった並行流を形成することは困難であり、加熱室４内に置かれるウエハＷの両面では、例えば加熱室４の出口側近傍において、加熱室４の幅方向の中央に収束するような気流が形成される。このような気流が形成されると、例えばウエハＷの面内においては、気流の流れ方が異なってしまうので、ウエハＷの面内において前記昇華物の排出が十分に行われない領域が発生し、前記昇華物がウエハＷに部分的に付着してしまうおそれがある。またウエハＷ表面の温度均一性が低下してしまうので、線幅精度や膜厚の面内均一性も悪化してしまう。

また通気路６４の気流抵抗部７１の下流側に捕集部７２が設けられており、ここで前記ガスを前記昇華物の昇華点以下の温度まで積極的に冷却しているので、前記ガスに含まれる前記昇華物が固化して、捕集部７２の凹部７３に付着し、こうして前記ガスから分離される。従って排気ユニット６の下流側に向かうガスには前記昇華物がほとんど含まれていないので、排気ユニット６の筐体６１よりも温度の低い外部雰囲気の影響を受けたとしても、排気路７５や排気手段７６内への前記昇華物の固着が抑えられる。

このため前記排気路７５に前記昇華物が固着して、これら排気路７５等に目詰まりが生じるおそれがないので、当該目詰まりによって排気路７５等のコンダクタンス成分が大きくなり、排気流量が低下してしまうこともなく、加熱室４内においては排気流量が安定な状態で処理を行うことができる。これにより加熱室４内では給排気のバランスが安定し、前記一方向流に乱れが発生するおそれがないので、前記一方向流に沿った前記昇華物の排出を十分に行うことができる。また給排気のバランスの崩れが発生しないので、ウエハＷ表面の温度均一性が低下するおそれもなく、線幅精度や膜厚の面内均一性の高い処理を安定して行うことができる。

さらに既述のように排気路７５の上流側の捕集部７２にて、前記ガスに含まれる前記昇華物を積極的に捕集することによって、排気路７５や排気手段７５への前記昇華物の付着が抑えられるので、これら排気路７５等の洗浄作業が不要となるか、前記洗浄作業の回数が減少するので、メンテナンス性が向上する。また排気ユニット６の捕集部７２に付着した前記昇華物は、筐体６１の蓋体６０を取り外し、内部の付着物を拭き取ることにより除去できるので、捕集部７２からの前記昇華物の除去作業も容易である。さらに仮に通気路６４内に前記昇華物が付着した場合や、定期的に通気路６４内を洗浄する場合にも、排気ユニット６は加熱室４や排気管７５に対して着脱自在に設けられているので、排気ユニット６を取り外して、蓋体６０を外して分解して洗浄すればよく、洗浄作業の作業性も向上する。

さらにまた前記通気路６４内では、気流抵抗部７１の下流側に捕集部７２が設けられており、気流抵抗部７１にてコンダクタンス成分を大きくするために通気路６４を屈曲しているので、捕集部７２にて補修された前記昇華物が通気路６４を逆流して加熱室４に混入するといった事象が発生しにくい。また捕集部７２を気流抵抗部７１の上流側に設ける場合を想定すると、加熱室４の近傍に捕集部７２を設けることになり、捕集部７２を冷却部７４によって冷却するときに、加熱室４の出口側に対して熱的に悪影響を与えるおそれがあり、望ましくない。

さらに本発明の排気ユニット６は、前記筐体６１の内部に、前記加熱室４の吸引排気口４６に接続される帯状の水平な通気路６４ａと、この通気路６４を屈曲して、下から上に前記ガスが通気する鉛直な通気路６４ｂと、前記通気路６４ｂをさらに屈曲して水平に伸びる通気路６４ｃを形成し、前記通気路６４ｂにより気流抵抗部７１を形成すると共に、前記通気路６４ｃが前記捕集部７２の扁平な凹部７３の上面を形成するように捕集部７２を構成しているので、排気ユニット６全体がコンパクトな構成となる。

特に気流抵抗部７１の鉛直な通気路６４ｂの高さを利用して、この高さの範囲内に捕集部７２の凹部７３を形成することによって、排気ユニット６１の上下方向の大きさを小さくすることができる。このため結果として加熱装置の上下方向の大きさがコンパクトになるので、例えばこの加熱装置を棚状に積層して設ける場合には、空いたスペースに上下方向に組み込むことができる加熱装置の個数が多くなるというメリットもある。

以上において、上述の例では、排気ユニット６は加熱室４の背面部に接続されているので、上下方向の大きさをより小さくすることができ、当該加熱装置を積層して設ける場合には好ましいが、図８に示すように、加熱室４の底面４Ｂに、加熱室４に置かれたウエハＷを介してガス吐出部２３と対向するように、前記ガス吐出部２３と略平行に、前記ウエハＷをカバーする大きさにて開口するスリット状の吸引排気口４７を形成し、ここに排気ユニット６の突出部６２を接続するようにしてもよい。

また気流抵抗部は通気路６４のコンダクタンス成分を大きくする構成であればよく、例えば図９に示すように、通気路６４内に当該通気路６４内を通気するガスの流路を狭める複数の板状部材７８を設ける構成の気流抵抗部７８を採用してもよい。さらに冷却部７４は、放熱フィン以外にもペルチェ素子を用いて凹部７３を冷却するものであってもよい。

さらにまた本発明は、熱板上にウエハＷを載置して加熱し、当該熱板と対向する天板を備えるタイプの加熱部に対しても適用できる。また加熱装置としては、冷却プレートと加熱部との間でウエハＷを搬送する搬送手段としてワイヤ以外のものを用いる構成や、冷却プレートが加熱部に向かって移動し、当該冷却プレートを外部の搬送手段と加熱部との間でウエハＷの受け渡しを行なうための搬送手段として用いるタイプの構成にも適用できる。

また本発明においては、ガス吐出部２３及び排気ユニット６により既述の一方向流が形成できればよいので、ガス吐出部２３の吐出口２３ａ及び吸引排気口４６の形状もこの例に限らず、例えば前記吐出口２３ａを加熱室４の幅方向に沿ったスリット状に設けるようにしてもよいし、吸引排気口４６として前記幅方向に沿って形成される複数の吸引孔を用い、ここに通気路６４を接続するように突出部６２を着脱自在に設けるようにしてもよい。また突出部６２側のスリット６３においても、前記幅方向に沿って形成される複数の吸引孔を用い、ここに帯状の通気路６４を接続するように設けてもよい。

続いて前記加熱装置を組み込んだ塗布、現像装置に、露光装置を接続したレジストパターン形成システムの一例について簡単に説明する。図１０は前記システムの平面図であり、図１１は同システムの斜視図である。この装置には、キャリアブロックＳ１が設けられており、このブロックＳ１では、載置台１０１上に載置された密閉型のキャリア１００から受け渡しアームＣがウエハＷを取り出して、当該ブロックＳ１に隣接された処理ブロックＳ２に受け渡すと共に、前記受け渡しアームＣが、処理ブロックＳ２にて処理された処理済みのウエハＷを受け取って前記キャリア１００に戻すように構成されている。

前記処理ブロックＳ２には、図１１に示すように、この例では現像処理を行うための第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行なうための第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、レジスト液の塗布処理を行うための第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行なうための第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４を下から順に積層して構成されている。

第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２と第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４とは、各々反射防止膜を形成するための薬液をスピンコーティングにより塗布する塗布ユニットと、この塗布ユニットにて行われる処理の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却系の処理ユニット群と、前記塗布ユニットと処理ユニット群との間に設けられ、これらの間でウエハＷの受け渡しを行なう搬送アームＡ２，Ａ４とにより構成されている。第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３においても、前記薬液がレジスト液であることを除けば同様の構成である。

一方第１の処理ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１については、図１２に示すように、一つのＤＥＶ層Ｂ１内に現像ユニット１０２が２段に積層されている。そして当該ＤＥＶ層Ｂ１内には、これら２段の現像ユニット１０２にウエハＷを搬送するための搬送アームＡ１が設けられている。つまり２段の現像ユニット１０２に対して搬送アームＡ１が共通化されている構成となっている。さらに処理ブロックＳ２には、図１０及び図１２に示すように、棚ユニットＵ５が設けられ、この棚ユニットＵ５の各部同士の間では、前記棚ユニットＵ５の近傍に設けられた昇降自在な第１の受け渡しアームＤ１によってウエハＷが搬送されるように構成されている。

キャリアブロックＳ１からのウエハＷは前記棚ユニットＵ５の一つの受け渡しユニット、例えば第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２の対応する受け渡しユニットＣＰＬ２に受け渡しアームＣによって順次搬送される。第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２内の搬送アームＡ２は、この受け渡しユニットＣＰＬ２からウエハＷを受け取って各ユニット（反射防止膜ユニット及び加熱・冷却系の処理ユニット群）に搬送し、これらユニットにてウエハＷには反射防止膜が形成される。

その後、ウエハＷは棚ユニットＵ５の受け渡しユニットＢＦ２、受け渡しアームＤ１、棚ユニットＵ５の受け渡しユニットＣＰＬ３及び搬送アームＡ３を介して第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３に搬入され、レジスト膜が形成される。更にウエハＷは、搬送アームＡ３により棚ユニットＵ５の受け渡しユニットＢＦ３に受け渡される。なおレジスト膜が形成されたウエハＷは、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４にて更に反射防止膜が形成される場合もある。この場合は、ウエハＷは受け渡しユニットＣＰＬ４を介して搬送アームＡ４に受け渡され、反射防止膜が形成された後、搬送アームＡ４により受け渡しユニットＴＲＳ４に受け渡される。

一方ＤＥＶ層Ｂ１内の上部には、棚ユニットＵ５に設けられた受け渡しユニットＣＰＬ１１から棚ユニットＵ６に設けられた受け渡しユニットＣＰＬ１２にウエハＷを直接搬送するための専用の搬送手段であるシャトルアームＥが設けられている。レジスト膜やさらに反射防止膜が形成されたウエハＷは、受け渡しアームＤ１により受け渡しユニットＢＦ３、ＴＲＳ４を介して受け渡しユニットＣＰＬ１１に受け渡され、ここからシャトルアームＥにより棚ユニットＵ６の受け渡しユニットＣＰＬ１２に直接搬送され、インターフェイスブロックＳ３に取り込まれることになる。なお図１４中のＣＰＬが付されている受け渡しユニットは、温調用の冷却ユニットを兼ねており、ＢＦが付されている受け渡しユニットは、複数枚のウエハＷを載置可能なバッファユニットを兼ねている。

次いで、ウエハＷはインターフェイスアームＢにより露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われた後、棚ユニットＵ６の受け渡しユニットＴＲＳ６に載置されて処理ブロックＳ２に戻される。戻されたウエハＷは、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１にて現像処理が行われ、搬送アームＡ１により棚ユニットＵ５における受け渡しアームＣのアクセス範囲の受け渡し台に搬送され、受け渡しアームＣを介してキャリア１００に戻される。なお図１２においてＵ１〜Ｕ４は各々加熱部と冷却部とを積層した熱系ユニット群である。

本発明は、レジスト液の塗布されたウエハＷの加熱処理（ベーキング処理）以外に、保護膜やＢＡＲＣ膜（反射防止膜）の塗布されたウエハＷの加熱処理等に適用することができる。また本発明は、半導体ウエハＷ以外に、例えばＬＣＤ基板、マスク基板などの処理にも適用できる。

本発明の加熱装置の一実施の形態を示す斜視図である。 前記加熱装置を示す断面図である。 前記加熱装置の一部を示す断面図である。 前記加熱装置の加熱室と排気ユニットとの接続を説明するための斜視図である。 前記排気ユニットの作用を説明するための断面図である。 前記加熱装置にウエハＷを搬送するための外部の搬送機構と、加熱装置に設けられる冷却プレートとを示す平面図と、斜視図である。 前記加熱室におけるガスの流れを説明するための平面である。 前記加熱装置の排気ユニットの他の接続例を示す断面図である。 前記排気ユニットの気流抵抗部の他の例を示す断面図である。 前記加熱装置が組み込まれるレジストパターン形成装置の一例を示す平面図である。 前記レジストパターン形成装置の一例を示す斜視図である。 前記レジストパターン形成装置の一例を示す断面図である。 従来の加熱装置を示す断面図である。

符号の説明

Ｗ 半導体ウエハ
２ 加熱装置
３ 冷却プレート
３１ 溝部
４ 加熱室
４１ 開口部
４４，４５ 熱板
４６ 吸引排気口
５ 搬送手段
５１ ワイヤ
６ 排気ユニット
６０ 蓋体
６１ 筐体
６２ 突出部
６３ スリット
６４ 通気路
７１ 通気抵抗部
７２ 捕集部
７３ 凹部
７４ 冷却部

Claims (9)

1. 基板を少なくとも下方側から熱するための熱板と、前記基板と対向する天板とを備えた加熱部の内部にて、塗布膜が塗布された基板を加熱処理する加熱装置において、
   前記加熱部の一端側に設けられ、この加熱部内に載置された基板と天板との間にガスを吐出して前記基板の幅をカバーできる幅の気流を形成するためのガス吐出部と、
   前記加熱部内に載置された基板を挟んで前記ガス吐出部と対向する側に、基板の幅をカバーできる幅に形成された吸引排気口と、
   前記吸引排気口に着脱自在に設けられ、この吸引排気口を介して前記加熱部内の雰囲気を吸引排気するための排気ユニットと、
   前記排気ユニットに着脱自在に設けられた排気路を介して接続される吸引排気手段と、を備え、
   前記排気ユニットは、前記吸引排気口に接続され、基板の幅をカバーできる幅の帯状の通気路と、
   前記通気路における前記加熱室の近傍に設けられ、前記塗布膜の昇華物が付着しない程度の温度に、加熱部からの熱により加熱される気流抵抗部と、
   前記通気路における前記気流抵抗部の下流側に設けられ、前記加熱部内の雰囲気に含まれる前記昇華物を捕集するための捕集部と、を備えることを特徴とする加熱装置。
2. 前記加熱部の一端側には基板を搬入出するための開口部が形成されると共に、前記加熱部の他端側には前記排気ユニットが接続され、
   前記加熱部では前記一端側から他端側に向けて流れる気流が形成されることを特徴とする請求項１記載の加熱装置。
3. 前記加熱部は、基板を加熱処理するための、一方側が基板を搬入出するために開口する扁平な加熱室と、
   前記基板を少なくとも下方側から加熱するように、前記加熱室に設けられた熱板と、を備えることを特徴とする請求項１又は２記載の加熱装置。
4. 前記気流抵抗部は、前記通気路を屈曲して形成されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一に記載の加熱装置。
5. 前記捕集部は、上面が開口する凹部と、この凹部の開口部を開閉するための蓋体と、を備えることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一に記載の加熱装置。
6. 前記排気ユニットは、前記加熱部の吸引排気口に接続される水平な通気路と、この通気路を屈曲して形成され下から上にガスが通気する気流抵抗部と、この気流抵抗部の下流側において前記通気路をさらに屈曲して形成される水平に伸びる通気路と、この通気路に上面が接続される前記捕集部の扁平な凹部と、を備えることを特徴とする請求項５記載の加熱装置。
7. 前記凹部の下部側には放熱フィンが設けられていることを特徴とする請求項５又は６記載の加熱装置。
8. 基板を収納し、キャリアが搬入出されるキャリアブロックと、
   前記キャリアから取り出された基板の表面にレジストを塗布する塗布部と、レジストが塗布された基板を加熱する加熱装置と、加熱された基板を冷却する冷却部と、露光後の基板を現像する現像処理部と、を含む処理ブロックと、
   この処理ブロックと露光装置との間で基板の受け渡しを行なうインターフェース部と、を備えた塗布、現像装置において、
   前記加熱装置として、請求項１ないし７のいずれか一に記載の加熱装置を用いることを特徴とする塗布、現像装置。
9. 基板を少なくとも下方側から熱するための熱板と、前記基板と対向する天板とを備えた加熱部の内部にて、塗布膜が塗布された基板を加熱処理する加熱方法において、
   前記加熱部内に塗布膜が塗布された基板を載置する工程と、
   次いで前記加熱部の一端側から基板と天板との間にガスを吐出して前記基板の幅をカバーできる幅の気流を形成すると共に、前記加熱部の他端側に基板の幅をカバーできる幅に形成された吸引排気口に着脱自在に設けられた排気ユニットにより前記加熱部内の雰囲気を吸引排気しながら、前記基板に対して加熱処理を行う工程と、を含み、
   前記排気ユニットでは、前記加熱部の雰囲気は、基板の幅をカバーできる幅のの帯状の通気路を下流側に流れ、前記塗布膜の昇華物が付着しない程度の温度に、前記加熱部により加熱された前記通気路における気流抵抗部を通過し、前記通気路における気流抵抗部の下流側に設けられた捕集部により、前記昇華物が捕集されることを特徴とする加熱方法。

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