JP6879808B2 - 熱処理装置 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 106
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 196
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 95
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 93
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 45
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 40
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 14
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 13
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 13
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 7
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000002408 directed self-assembly Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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Description
開示されている。特許文献2には、トラップ部までの配管の温度を検出し、検出した温度に基づいて配管の温度を調整することが開示されている。特許文献3には、トラップ部までの配管に設けられ、冷却水を用いて排気ガスを吸引するアスピレータが開示されている。
熱処理装置1は、基板Wを熱処理するものである。熱処理装置1は、チャンバ2、熱処理プレート3、支持ピン昇降部4、ガス供給バッファ部5、不活性ガス供給部7、シャッター部9、排気ダクト部11、制御部13および設定部15を備えている。
次に、チャンバ2の排気口23等および排気ダクト部11を説明する。図2(a)は、チャンバ2等の平面図であり、図2(b)は、チャンバ2を正面から見たとき(AA視)の排気口23およびチャンバ2のフランジ2Bを示す図である。
熱処理装置1の動作について、DSA(Directed Self-Assembly)プロセスの熱処理を一例に説明する。
次に、基板Wに対する熱処理について説明する。上述のように、基板W上には、熱処理前のブロック共重合体の塗布液膜が形成されている。シャッター部9のアクチュエータ41は、シャッター本体39を下降させて、基板出入口21を開く。また、支持ピン昇降部4のアクチュエータ35は、支持ピン31を上昇させる。図1に示す基板搬送機構TRは、チャンバ2内の支持ピン31上に基板Wを搬送する。基板Wを搬送して、基板搬送機構TRがチャンバ2外に後退した後、シャッター本体39を上昇して、基板出入口21を閉じる。支持ピン31は、上昇したままである。
次に、排気ダクト部11における気体回収部51とトラップ部53の動作を説明する。基板Wは例えば350℃で熱処理される。その熱処理において、ブロック共重合体の塗布膜から昇華物(または気化物)が発生する。詳しくは、高温で熱処理されると、塗布液の溶剤に溶剤以外の成分が溶け出して、溶け出した溶剤以外の成分が溶剤と共に蒸発する。これにより、昇華物が発生する。発生した昇華物はチャンバ2内の気体に含まれる(混入する)。気体が冷却されて昇華物が結晶化(固化)する場合、結晶化された昇華物がチャンバ2の内壁に付着して、基板W上に落下することは好ましくない。
次に、図6(a)、図6(b)を参照して、気体回収部51およびトラップ部53の着脱について説明する。図6(a)において、気体回収部51は、パッチン錠63によりチャンバ2に取り付けられており、トラップ上部67とトラップ下部68は、連結部材69により固定されている。
図3に示すパッチン錠63のレバー65Bを操作して、チャンバ2への気体回収部51の押し付けを解除しつつ、受け部材64からフック65Aを外す。これにより、工具を用いることなくチャンバ2から気体回収部51を取り外すことができる。また、チャンバ2と気体回収部51と焼き付きにより、それらが接着したとしても、硬くなったネジを緩めることが無いので、取り付け状態の解除が容易である。
連結部材69の蝶ネジを緩めて、トラップ上部67およびトラップ下部68から連結部材69を取り外すことで、トラップ上部67とトラップ下部68との固定を解除する。ステップS01,S02により、図6(b)のように、気体回収部51とトラップ上部67とが一体となったものを、チャンバ2およびトラップ下部68から取り外すことができる。
2 … チャンバ
3 … 熱処理プレート
3A … 基板載置面
7 … 不活性ガス供給部
11 … 排気ダクト部
21 … 基板出入口
23 … 排気口
23U … 上縁
23S … 下縁
51 … 気体回収部
53 … トラップ部
51A … 一端の開口部
51B … 他端の開口部
53A … トラップ流路
53B … 流入口
53C … 連通口
53D … 流出口側流路
53E … 流出口
53F … 冷却管
53G … 昇華物収集部
53H … 下端
68 … トラップ下部
HA1 … 開口幅
HA2 … 幅
HA3 … 基板の水平方向の投影長さ
SS1 … 断面積
SS2 … 開口面積
FD … 流れ方向
Claims (9)
- 基板を収容するチャンバと、
前記チャンバ内の下部に設けられ、基板を水平姿勢で載置した状態で熱処理する熱処理プレートと、
前記チャンバ内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
前記チャンバの側壁に設けられた基板出入口と、
前記基板出入口とは別に前記チャンバの側壁に設けられた水平方向に扁平な排気口であって、前記チャンバの内部の幅と同じ開口幅を有すると共に、前記チャンバの内部の高さと同じ開口高さを有する前記排気口と、
前記チャンバ内の気体を回収する気体回収部であって、前記排気口と同じ大きさの開口部を一端に有し、前記一端の開口部を前記排気口に接続させて前記チャンバに取り付けられた前記気体回収部と、
前記気体回収部の他端の開口部に接続され、前記気体回収部で回収された前記気体中における基板上の塗布液から発生した昇華物を除去するトラップ部と、
を備えていることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1に記載の熱処理装置において、
前記排気口は、前記基板出入口に対向して設けられていることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1または2に記載の熱処理装置において、
前記排気口は、平面視した場合に、前記排気口の中心を通り、かつ前記排気口と直交する直線が前記熱処理プレートの基板載置面の中心を通るように配置されていることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から3のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記排気口は、前記熱処理プレートの基板載置面の高さが前記排気口の上縁と下縁との間に位置するように配置されていることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から4のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記トラップ部は、前記気体回収部で回収された前記気体を通すためのトラップ流路と、前記トラップ流路に接続され、前記トラップ部の下流に昇華物除去後の気体を送るための流出部と、前記トラップ流路の流入口と前記流出部との間の前記トラップ流路の外周に設けられ、前記トラップ流路に流れる前記気体を冷却する気体冷却部と、前記トラップ流路の下端よりも高い位置で前記流出部が前記トラップ流路に接続されることで形成される、前記昇華物を収集する昇華物収集部と、を備えていることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項5に記載の熱処理装置において、
前記トラップ流路は、前記気体回収部の前記他端の開口部と前記気体冷却部との間における、前記気体の流れ方向と直交する断面積が、前記他端の開口部の開口面積と同じ、あるいは前記開口面積よりも広くなるように構成されていることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から6のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記気体回収部は、前記チャンバに対して着脱可能に構成されていることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項5または6に記載の熱処理装置において、
前記気体回収部は、前記チャンバに対して着脱可能に構成されていると共に、前記気体冷却部を含む前記トラップ部に対して着脱可能に構成されていることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から8のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記トラップ部は、平面視した場合に、前記排気口を挟んで前記熱処理プレートの反対側に設けられていることを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017079598A JP6879808B2 (ja) | 2017-04-13 | 2017-04-13 | 熱処理装置 |
PCT/JP2018/014432 WO2018190224A1 (ja) | 2017-04-13 | 2018-04-04 | 熱処理装置 |
TW107112693A TWI673771B (zh) | 2017-04-13 | 2018-04-13 | 熱處理裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017079598A JP6879808B2 (ja) | 2017-04-13 | 2017-04-13 | 熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018182065A JP2018182065A (ja) | 2018-11-15 |
JP6879808B2 true JP6879808B2 (ja) | 2021-06-02 |
Family
ID=63792660
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017079598A Active JP6879808B2 (ja) | 2017-04-13 | 2017-04-13 | 熱処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6879808B2 (ja) |
TW (1) | TWI673771B (ja) |
WO (1) | WO2018190224A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114226842B (zh) * | 2021-11-10 | 2024-05-14 | 铜陵有色股份铜冠电工有限公司 | 一种超大规模阳极磷铜球直杆盘圆剪切装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3619876B2 (ja) * | 1998-07-22 | 2005-02-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理装置 |
US6143079A (en) * | 1998-11-19 | 2000-11-07 | Asm America, Inc. | Compact process chamber for improved process uniformity |
JP2005183638A (ja) * | 2003-12-18 | 2005-07-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置 |
JP4535499B2 (ja) * | 2005-04-19 | 2010-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置、塗布、現像装置及び加熱方法 |
JP5105396B2 (ja) * | 2006-04-12 | 2012-12-26 | 東京応化工業株式会社 | 加熱処理装置 |
JP4737083B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2011-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置及び塗布、現像装置並びに加熱方法 |
JP5220517B2 (ja) * | 2008-08-27 | 2013-06-26 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5541274B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2014-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
-
2017
- 2017-04-13 JP JP2017079598A patent/JP6879808B2/ja active Active
-
2018
- 2018-04-04 WO PCT/JP2018/014432 patent/WO2018190224A1/ja active Application Filing
- 2018-04-13 TW TW107112693A patent/TWI673771B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018190224A1 (ja) | 2018-10-18 |
TW201839805A (zh) | 2018-11-01 |
JP2018182065A (ja) | 2018-11-15 |
TWI673771B (zh) | 2019-10-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
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R250 | Receipt of annual fees |
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