JP2005183638A - 基板熱処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 基板の熱処理時に基板から発生する昇華物によってチャンバの上部内面が汚染されるのを防止し、基板表面に昇華物が再付着するのを防止できる装置を提供する。
【解決手段】 チャンバ１０内に基板Ｗを収容してホットプレート１８により基板を加熱処理する装置において、搬出入口１２が設けられたチャンバの一側面の上部に、チャンバ内へ加熱エアーを供給し天板部１６の内面に沿って加熱エアーを流す噴出ノズル２８を配設し、噴出ノズルによってチャンバ内へ供給された加熱エアーを排出する排気ノズル３０を、噴出ノズルが設けられた一側面と対向する他の一側面の上部に配設した。
【選択図】 図１

Description

この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板を１枚ずつチャンバ内に収容して加熱処理する枚様式の基板熱処理装置に関する。

例えば、半導体ウエハ等の基板の表面に形成されたレジスト膜をベーク処理したり、基板の表面とレジスト膜との密着性を強化するために、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等の処理液を気化させて窒素ガス等のキャリアガスに混合させた処理ガスを基板の表面へ供給し、基板に対してアドヒージョン処理を施したりする場合などには、チャンバ内に基板を１枚ずつ収容し、ホットプレート上に基板を載置して基板が加熱処理される。この種の処理を行う基板熱処理装置においては、基板の表面に付着している異物や基板表面に形成されている金属膜、シリコン膜、レジスト膜等の薄膜の成分が基板の昇温時に昇華して、チャンバの上部内面（天蓋部の内面側）を汚染する、といったことが起こる。また、アドヒージョン処理では、ＨＭＤＳを含む処理ガスをチャンバ内に供給して基板を処理した後に、常温の窒素ガスをチャンバ内へ供給してガス置換し、チャンバ内から排気するが、ガス置換や排気が不十分であると、反応生成物の昇華物によってチャンバの上部内面が汚染される、といったことが起こる。チャンバの上部内面が昇華物によって汚染されると、チャンバの上部内面に付着した昇華物が基板上に脱落して基板表面に再付着し、基板のパターン不良が発生する恐れがあり、製品の歩留まりを低下させる要因となる。一方、昇華物によるチャンバの上部内面の汚染を避けようとすると、チャンバの内部を頻繁に保守・点検する必要があり、装置の稼働率を著しく低下させることとなる。

そこで、基板熱処理装置におけるチャンバの上部内面の汚染を防止するために、従来は、チャンバの外部に配置されたヒータでチャンバの天板部を加熱して、チャンバの天井面を、昇華物の結晶化が起こる温度よりも高温に保つことにより、昇華物の結晶の発生を抑えるようにしていた（例えば、特許文献１参照。）。また、チャンバの上部内面の下方に板状の遮蔽部材やダミーウエハを配置して、その遮蔽部材やダミーウエハの下面に昇華物を堆積させることにより、チャンバの上部内面への昇華物の付着を防止するようにしていた。そして、定期的に遮蔽部材やダミーウエハをチャンバの外に取り出して洗浄するようにしていた（例えば、特許文献２、３参照。）。
特開２００２−３３４８２３号公報（第２−３頁、図１） 特開２００２−８９６７号公報（第３−４頁、図２） 特開２０００−１７３８８３号公報（第３頁、図１、図２）

ヒータでチャンバの天板部を加熱して、天井面での昇華物の結晶の発生を抑えるようにした装置では、天板部を均等に加熱することが難しく、天井面の一部に昇華物が付着する可能性がある。また、チャンバの天板部（天蓋部）にヒータを設置するため、天蓋部が重くなって開閉しにくくなり、チャンバ内部の保守・点検作業に際して不利となる。さらに、チャンバ内部で対流を生じて、昇華物がチャンバの側部内面に付着する恐れがあり、また、昇華物が基板に再付着する可能性もある、といった問題点がある。

また、チャンバの上部内面の下方に遮蔽部材やダミーウエハを配置して、チャンバの上部内面への昇華物の付着を防止するようにした装置では、遮蔽部材やダミーウエハの洗浄に手間がかかり、スループットの低下を招くこととなり、また、遮蔽部材等のための洗浄装置を併設する必要があるので、装置構成が複雑となり、装置コストが高くなる。さらに、チャンバの内部に余分なスペースが必要となるために、装置が大型化する、といった問題点がある。

この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、基板からの昇華物によるチャンバの上部内面の汚染を有効に防止して、基板の表面に昇華物が再付着する可能性を無くすことができ、また、チャンバ内部の保守・点検作業の負担が軽減され、昇華物がチャンバの側部内面に付着する心配も無くなり、さらに、スループットを高めることができ、装置構成も簡単であり、装置の大型化を招くこともない基板熱処理装置を提供することを目的とする。

請求項１に係る発明は、チャンバ内に基板を収容して加熱処理する基板熱処理装置において、前記チャンバ内へ加熱気体を供給し、基板の表面と対向する上部内面に沿って加熱気体を流す加熱気体供給手段と、この加熱気体供給手段によって前記チャンバ内へ供給された加熱気体を排出する排気手段とを備えたことを特徴とする。

請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板熱処理装置において、前記加熱気体供給手段が、加熱気体を前記チャンバの内部に向けて噴出させる気体噴出口を前記チャンバの一側面の上部に有し、前記排気手段が、前記チャンバの上部内面に沿って流れる加熱気体を流入させる排気口を、チャンバの、前記気体噴出口が設けられた一側面と対向する他の一側面の上部に有することを特徴とする。

請求項３に係る発明は、請求項２に記載の基板熱処理装置において、基板を前記チャンバ内へ搬入しおよびチャンバ内から搬出するための搬出入口がチャンバの一側面に設けられ、その一側面の、前記搬出入口の上方に前記加熱気体供給手段の気体噴出口が設けられたことを特徴とする。

請求項４に係る発明は、請求項２または請求項３に記載の基板熱処理装置において、前記加熱気体供給手段は、前記気体噴出口と気体供給源とを流路接続する気体供給管と、この気体供給管の途中の、前記気体噴出口の近くに介挿され、気体供給管内を流れる気体を加熱する気体加熱手段とを有することを特徴とする。

請求項１に係る発明の基板熱処理装置においては、加熱気体供給手段によってチャンバ内へ加熱気体が供給され、チャンバの上部内面に沿って加熱気体が流されることにより、チャンバの上部内面付近が高温に保たれるので、基板からの昇華物の結晶化が抑制される。さらに、チャンバの上部内面に沿って流される加熱気体は、排気手段によって排気されるので、基板からの昇華物は加熱気体と一緒にチャンバ内から排出される。
したがって、請求項１に係る発明の基板熱処理装置を使用すると、基板からの昇華物によるチャンバの上部内面の汚染を有効に防止して、基板の表面に昇華物が再付着する可能性を無くすことができ、また、昇華物がチャンバの側部内面に付着する心配も無くなる。また、チャンバの天板部にヒータを設置することがないので、チャンバ内部の保守・点検作業の負担が軽減され、さらに、チャンバ内に遮蔽部材やダミーウエハを配置する必要も無いので、スループットを高めることができ、装置構成も簡単であり、装置の大型化を招くこともない。

請求項２に係る発明の基板熱処理装置では、加熱気体供給手段の気体噴出口から噴出する加熱気体がチャンバの上部内面に沿って直線的に流れ、そのまま排気口に流入して排気され、その加熱気体と一緒に基板からの昇華物がチャンバ内から排出される。したがって、基板からの昇華物によるチャンバの上部内面および側部内面の汚染がより確実に防止される。

請求項３に係る発明の基板熱処理装置では、温度の下がりやすい搬出入口が設けられたチャンバの一側面に加熱気体供給手段の気体噴出口が設けられていることにより、チャンバ内部における温度の均一性を高めることができ、また、搬出入口の開放時にも、搬出入口側の気体噴出口から加熱気体を噴出させることにより、チャンバ内部の温度低下を抑えることができる。

請求項４に係る発明の基板熱処理装置では、気体供給源から気体供給管を通って供給される気体が、気体噴出口に近くに介挿された気体加熱手段によって加熱され、その加熱気体が直ぐに気体噴出口から噴出することになるので、熱の利用効率が良くなり、また、気体噴出口から噴出する加熱気体の温度を精密に調節することができる。

図１ないし図５を参照しながら、この発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１ないし図３は、この発明の実施形態の１例を示し、図１は、基板熱処理装置の概略構成を示す模式的正面図であってチャンバの搬出入口を閉塞した状態を示し、図２は、同じくチャンバの搬出入口を開放した状態を示し、図３は、この基板熱処理装置を、チャンバの天板部（天蓋部）を取り去った状態で示す模式的平面図である。

この基板熱処理装置は、一側面に基板の搬出入口１２が形設された密閉可能なチャンバ１０を備えている。チャンバ１０の搬出入口１２は、シャッタ１４によって開放および閉塞することができるようになっており、チャンバ１０内へ基板を搬入しチャンバ１０内から基板を搬出する際に、図１に二点鎖線で示すようにシャッタ１４が開かれて搬出入口１２が開放される。また、チャンバ１０の天板部１６は、保守・点検のために開閉自在とされている。

チャンバ１０には、上面に基板Ｗを水平姿勢で載置するホットプレート１８が配設されており、ホットプレート１８はヒータ（図示せず）を内蔵している。また、詳細な構造の図示を省略しているが、ホットプレート１８には、複数個、例えば３個の貫通孔が穿設されており、その各貫通孔にリフトピン２０がそれぞれ上下方向へ摺動自在に挿通されている。リフトピン２０は、図示しないアクチュエータによって駆動され、アクチュエータによってリフトピン２０を上昇させることにより、リフトピン２０の上端部をホットプレート１８の上面より上方へ突出させ、３本のリフトピン２０によって基板Ｗをホットプレート１８の上面から離間した状態で支持し、また、３本のリフトピン２０によって基板Ｗを支持した状態で、アクチュエータによってリフトピン２０を下降させることにより、リフトピンをホットプレート１８の上面より下方へ引き入れ、これに伴って基板Ｗがリフトピン２０上からホットプレート２０の上面へ移載される。チャンバ１０内への基板Ｗの搬入およびチャンバ１０外への基板Ｗの搬出に際して、このようなリフトピン２０の昇降動作が行われる。

また、チャンバ１０の外側には、図２に示すように、チャンバ１０の搬出入口１２と対向する側に基板の搬出入機構２２が設けられている。搬出入機構２２は、基板Ｗの下面に当接して基板Ｗを水平姿勢に支持する複数個、例えば３個の支持ピン２６を有するロボットハンド２４、および、このロボットハンド２４をチャンバ１０の内外で水平方向へ往復移動させるアクチュエータ（図示せず）を備えて構成されている。そして、基板Ｗをロボットハンド２４上に支持した状態でロボットハンド２４を、搬出入口１２を通してチャンバ１０内へ挿入しチャンバ１０内から引き出すことにより、チャンバ１０内への基板Ｗの搬入およびチャンバ１０内からの基板Ｗの搬出が行われる。

さらに、この基板熱処理装置には、チャンバ１０の一側面の、搬出入口１２の上方に、チャンバ１０の内部に向けて加熱気体、例えば加熱エアーを気体噴出口から噴出させ天板部１６の内面に沿って加熱エアーを流すための噴出ノズル２８を備えている。また、噴出ノズル２８が設けられたチャンバ１０の一側面と対向する他の一側面の上部に、加熱エアーが流入する排気口を有する排気ノズル３０を備えている。噴出ノズル２８の気体噴出口の長さおよび排気ノズル３０の排気口の長さ（図１の紙面と垂直な方向における長さ）は、加熱エアーの滞留部分を無くし天板部１６内面への昇華物の付着を確実に防止するために、それぞれ基板Ｗの幅寸法以上とし、より好ましくはチャンバ１０の幅寸法と同等にする。また、噴出ノズル２８の気体噴出口および排気ノズル３０の排気口は、それぞれ加熱エアーの乱流が生じないような形状として、ホットプレート１８の温度分布に悪影響を及ぼさないようにする。

噴出ノズル２８には、図３に示すように、エアー供給管３２が連通接続されており、エアー供給管３２は、図示しないクリーンエアー供給源に流路接続されている。そして、エアー供給管３２の途中にヒータ３４が介挿されており、このヒータ３４により、エアー供給管３２内を流れるクリーンエアーが加熱されるようになっている。ヒータ３４は、噴出ノズル２８の近くに設置することが好ましい。噴出ノズル２８の近くにヒータ３４を配置すると、ヒータ３４によって加熱されたエアーが温度降下することなく噴出ノズル２８内に流入して噴出ノズル２８からチャンバ１０内へ噴出することになるので、熱の利用効率が高くなり、また、噴出ノズル２８から噴出する加熱エアーの温度を精密に調節することが可能となる。また、エアー供給管３２の外面は、ヒータ３４の介挿位置より下流側部分を断熱材で被覆するようにするとよい。なお、図３に示したように、噴出ノズル２８の片側にエアー供給管３２を連通接続したときは、噴出ノズル２８の気体噴出口から均等に加熱エアーが吹き出すように、噴出ノズル２８内部の流路構造を工夫する。

排気口３０には、排気管３６が連通接続されており、図３には図示していないが、排気管３６には、排気中に含まれる基板からの昇華物を捕捉して排気中から除去するトラップボックスやフィルタが介挿されており、その下流側に排気ブロワが設置されている。このように排気管３６にトラップボックスやフィルタを設けて、排気中に含まれる基板からの昇華物を分離除去することにより、工場内での広範囲にわたるユーティリティの汚染が防止され、メンテナンスの省力化が図られることとなる。

なお、図示していないが、アドヒージョン処理などを行う基板熱処理装置では、ＨＭＤＳ等の処理液を気化させて窒素ガス等のキャリアガスに混合させた処理ガスをチャンバ内へ供給したりガス置換のために窒素ガスをチャンバ内へ供給したりするガス供給系や処理ガス等の排気系が設けられる。

上記した構成を備えた基板熱処理装置では、ホットプレート１８による基板Ｗの加熱処理中において、図１中に点線で示すように、噴出ノズル２８の気体噴出口からチャンバ１０の内部へ加熱エアーが噴出し、チャンバ１０の天板部１６の内面に沿って加熱エアーが流され、排気ノズル３０の排気口に加熱エアーが流入して排気される。このように、基板Ｗの加熱処理中に常時、チャンバ１０の天板部１６の内面に沿って加熱エアーが流されることにより、天板部１６の内面付近が高温に保たれることになり、このため、基板Ｗからの昇華物の結晶化が抑制される。さらに、加熱エアーは、天板部１６の内面に沿って直線的に流れ、そのまま排気ノズル３０に流入して排気され、その加熱エアーと一緒に基板Ｗからの昇華物もチャンバ１０内から排出されるので、基板Ｗからの昇華物がチャンバの天板部１６内面に付着したりチャンバ１０の側部内面に付着したりすることが防止される。

ここで、チャンバ１０の噴出ノズル２８への加熱エアーの供給流量とチャンバ１０内からの排気流量とは、等しくなるように調節することが好ましく、このために流量制御機構を設けるとよい。加熱エアーの供給流量が排気流量より多くなると、チャンバ１０の内部において乱流を生じ、温度分布に悪影響を及ぼし、一方、加熱エアーの供給流量が排気流量より少なくても、搬出入口１２とシャッタ１４との隙間などから外気がチャンバ１０内へリークし、温度分布に悪影響を及ぼすこととなる。これに対し、加熱エアーの供給流量と排気流量とが等しくなるように流量を調節すると、チャンバ１０の内部における温度分布を高精度に制御することが可能になる。また、チャンバ１０の天板部１６の温度や基板Ｗの温度を検出して、加熱エアーの温度を自動制御するようにしてもよい。このようにすると、基板Ｗの温度に対する加熱エアーの影響を最小限に留めることができ、また、天板部１６内面への昇華物の付着をより確実に抑制することができるので好ましい。

また、加熱エアーはチャンバ１０内を、温度の下がりやすい搬出入口１２側の一側面に設けられた噴出ノズル２８から、それと反対側の側面に設けられた排気ノズル３０に向かって流れるので、チャンバ１０内部における温度の均一性を高めることができる。さらに、図２に示すように、チャンバ１０内への基板Ｗの搬入およびチャンバ１０内からの基板Ｗの搬出に際し、シャッタ１４を開いて搬出入口１２を開放した時にも、搬出入口１２の上方に設けられた噴出ノズル２８から加熱エアーをチャンバ１０の内部に向かって噴出させるようにすると、チャンバ１０内部の温度低下を抑えつつ昇華物雰囲気の置換を行うことができ、また、ホットプレート１８が冷やされて温度分布が乱されてしまう、といった心配も無くなる。なお、チャンバ１０内への基板Ｗの搬入時およびチャンバ１０内からの基板Ｗの搬出時において噴出ノズル２８から加熱エアーをチャンバ１０内部へ噴出させる際に、加熱エアーの供給流量を加減するようにしてもよい。すなわち、加熱エアーの供給流量を少なくすると、ロボットハンド２４上での基板Ｗのばたつきを抑えて、安定した基板Ｗの搬送が可能となり、一方、加熱エアーの供給流量を多くすると、チャンバ１０の内部の温度低下をより一層抑制することが可能となる。したがって、加熱エアーの供給流量は、装置構成により目的に応じて適宜設定すればよい。

さらに、この基板熱処理装置では、始業時に装置を立ち上げたり、トラブル時に装置の稼働を一旦停止させた後に装置を再稼働させたりするときに、加熱エアーをチャンバ１０内へ供給することにより、チャンバ１０の内部の昇温時間を短縮して、装置稼働率を向上させることができる。また、ホットプレート１８により基板Ｗを加熱して昇温させている際にも、チャンバ１０内へ加熱エアーが供給されてチャンバ１０の内部が暖められるので、昇温時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。

また、メンテナンス等のために装置の稼働を一旦停止させるときに、ヒータ３４の駆動を止めてエアーを加熱せずに噴出ノズル２８からチャンバ１０内へ供給するようにしてもよい。これによって、チャンバ１０内を迅速に降温させることができる。この結果、メンテナンス等の作業に早く着手することができるので、装置の稼働停止時間を短縮できて装置の稼働率を向上させることができる。
また、ホットプレート１８の設定温度を、例えば１５０℃→１３０℃に降温させるときに、ヒータ３４の駆動を止めてエアーを加熱せずに噴出ノズル２８からチャンバ１０内へ供給するようにしてもよい。これによって、ホットプレート１８の温度を迅速に設定温度（例えば１３０℃）まで降温させることができる。

次に、図４に模式的正面図を示す実施形態は、噴出ノズルの気体噴出口の向きを変えることができるようにしたものである。図４において、図１で使用した符号と同一の符号を付した構成部材は、図１に関して説明した構成部材と共通するものであり、それらについての説明を省略する。

この基板熱処理装置においても、開閉自在のシャッタ３８が設けられたチャンバ１０の搬出入口１２の上方に、加熱エアーを噴出する噴出ノズル４０が配設されているが、噴出ノズル４０は、回動可能に支持されていて気体噴出口の向きを変えることができるようになっている。すなわち、二点鎖線で示すように、シャッタ３８を閉じて搬出入口１２を閉塞し、ホットプレート１８によって基板Ｗを加熱処理しているときは、図１に示した装置と同様に、噴出ノズル４０の気体噴出口を水平方向に向けて加熱エアーを噴出させ、天板部１６の内面に沿って加熱エアーを流すようにする。一方、実線で示すように、シャッタ３８を開いて搬出入口１２を開放し、チャンバ１０内へ基板Ｗを搬入しまたはチャンバ１０内から基板Ｗを搬出するときは、噴出ノズル４０の気体噴出口を鉛直下向きに切り替えて加熱エアーを噴出させ、搬出入口１２を加熱エアーのカーテンによって塞ぐようにする。このような構成とすることにより、搬出入口１２を通して低温の空気がチャンバ１２内へ流入することが抑制され、ホットプレート１８の温度降下が抑えられるので、処理効率が向上することとなる。

また、図５に流路構成を示す基板熱処理装置は、図１に示したチャンバ１０と同様に構成された複数、図示例では３つのチャンバ４２ａ、４２ｂ、４２ｃを、例えば上下方向に並べて配置した構成を有している。各チャンバ４２ａ、４２ｂ、４２ｃの噴出ノズルには、別々にエアー供給管４４ａ、４４ｂ、４４ｃが連通接続されており、各エアー供給管４４ａ、４４ｂ、４４ｃは、クリーンエアー供給源にそれぞれ流路接続されている。そして、各エアー供給管４４ａ、４４ｂ、４４ｃに、クリーンエアーを加熱するためのヒータ４６ａ、４６ｂ、４６ｃがそれぞれ介挿されている。また、各チャンバ４２ａ、４２ｂ、４２ｃの排気ノズル（図示せず）には、排気管４８ａ、４８ｂ、４８ｃがそれぞれ連通接続されており、各排気管４８ａ、４８ｂ、４８ｃは、トラップボックス５０、フィルタ５２および排気ブロワ５４がそれぞれ介挿された共通排気管５６にそれぞれ流路接続されている。さらに、この装置では、各エアー供給管４４ａ、４４ｂ、４４ｃが、ヒータ４６ａ、４６ｂ、４６ｃの下流側においてそれぞれバイパス管５８ａ、５８ｂ、５８ｃに分岐し、各分岐位置に三方切替弁６０ａ、６０ｂ、６０ｃがそれぞれ介挿されている。そして、各バイパス管５８ａ、５８ｂ、５８ｃは、排気管４８ａ、４８ｂ、４８ｃと合流して共通排気管５６にそれぞれ流路接続されている。

この基板熱処理装置では、チャンバ４２ａ、４２ｂ、４２ｃ内において、例えば基板に対してアドヒージョン処理が施される。したがって、基板の処理中においては、チャンバ４２ａ、４２ｂ、４２ｃ内へ加熱エアーが供給されない。すなわち、チャンバ４２ａ、４２ｂ、４２ｃ内へ基板を搬入してホットプレート上に載置し、チャンバ４２ａ、４２ｂ、４２ｃの搬出入口をシャッタで閉塞した後、ヒータ４６ａ、４６ｂ、４６ｃを通過した加熱エアーがエアー供給管４４ａ、４４ｂ、４４ｃ内からバイパス管５８ａ、５８ｂ、５８ｃ内へ流入するように三方切替弁６０ａ、６０ｂ、６０ｃを切り替えて、加熱エアーがバイパス管５８ａ、５８ｂ、５８ｃおよび共通排気管５６を通って排気され、チャンバ４２ａ、４２ｂ、４２ｃの噴出ノズル内へは加熱エアーが供給されないようにした状態で、ホットプレートで基板を加熱して、例えば２３℃→１００℃に昇温させる。続いて、図示しない処理ガス供給系からＨＭＤＳを含む処理ガスをチャンバ４２ａ、４２ｂ、４２ｃ内へ供給して基板を処理する。基板の処理が終了すると、図示しない窒素ガス供給系から常温の窒素ガスをチャンバ４２ａ、４２ｂ、４２ｃ内へ供給しつつ排気を行ってガス置換する。チャンバ４２ａ、４２ｂ、４２ｃ内が窒素ガスに置換されると、三方切替弁６０ａ、６０ｂ、６０ｃを切り替えて、ヒータ４６ａ、４６ｂ、４６ｃを通過した加熱エアーがエアー供給管４４ａ、４４ｂ、４４ｃからチャンバ４２ａ、４２ｂ、４２ｃの噴出ノズル内へ供給されるようにする。このようにした状態で、シャッタを開いてチャンバ４２ａ、４２ｂ、４２ｃの搬出入口を開放し、処理済みの基板をチャンバ４２ａ、４２ｂ、４２ｃ内から搬出し、次に処理すべき基板をチャンバ４２ａ、４２ｂ、４２ｃ内へ搬入してホットプレート上に載置する。そして、チャンバ４２ａ、４２ｂ、４２ｃの搬出入口をシャッタで閉塞した後、再び三方切替弁６０ａ、６０ｂ、６０ｃを切り替えて、ヒータ４６ａ、４６ｂ、４６ｃを通過した加熱エアーがエアー供給管４４ａ、４４ｂ、４４ｃ内からバイパス管５８ａ、５８ｂ、５８ｃ内へ流入するようにする。なお、窒素ガスによる置換を省略し、基板処理終了後にチャンバ４２ａ、４２ｂ、４２ｃ内を排気してから直ちに加熱エアーをチャンバ４２ａ、４２ｂ、４２ｃ内へ供給するようにしてもよい。

図５に示した実施形態のような構成とすると、チャンバ４２ａ、４２ｂ、４２ｃの噴出ノズルへ加熱エアーを供給していない時にも、常にヒータ４６ａ、４６ｂ、４６ｃを駆動させているので、駆動部（ヒータ４６ａ、４６ｂ、４６ｃ）の動作安定性が確保され、駆動部がオン・オフされないのでクリーン度を高めることができる。また、チャンバ４２ａ、４２ｂ、４２ｃごとにヒータ４６ａ、４６ｂ、４６ｃが設けられるので、各ヒータ４６ａ、４６ｂ、４６ｃを個別に制御することにより、各チャンバ４２ａ、４２ｂ、４２ｃ内へ供給される加熱エアーの温度調整をそれぞれ精密に行うことができる。そして、ＨＭＤＳ処理では、上記したようにチャンバ４２ａ、４２ｂ、４２ｃ内への処理ガスの供給中以外は常にチャンバ４２ａ、４２ｂ、４２ｃ内へ加熱エアーを供給することにより、昇華物（反応生成物）がチャンバ４２ａ、４２ｂ、４２ｃの天板部内面に付着することを防止することができる。

この発明の実施形態の１例を示し、基板熱処理装置の概略構成を示す模式的正面図であってチャンバの搬出入口を閉塞した状態を示す。 図１に示した基板熱処理装置の模式的正面図であってチャンバの搬出入口を開放した状態を示す。 図１に示した基板熱処理装置を、チャンバの天板部を取り去った状態で示す模式的平面図である。 この発明の別の実施形態を示す基板熱処理装置の模式的正面図である。 この発明のさらに別の実施形態を示し、基板熱処理装置の概略流路構成を示す図である。

符号の説明

Ｗ 基板
１０、４２ａ、４２ｂ、４２ｃ チャンバ
１２ チャンバの搬出入口
１４、３８ シャッタ
１６ チャンバの天板部
１８ ホットプレート
２２ 搬出入機構
２４ ロボットハンド
２８、４０ 噴出ノズル
３０ 排気ノズル
３２、４４ａ、４４ｂ、４４ｃ エアー供給管
３４、４６ａ、４６ｂ、４６ｃ ヒータ
３６、４８ａ、４８ｂ、４８ｃ 排気管
５０ トラップボックス
５２ フィルタ
５４ 排気ブロワ
５６ 共通排気管
５８ａ、５８ｂ、５８ｃ バイパス管
６０ａ、６０ｂ、６０ｃ 三方切替弁

Claims (4)

1. チャンバ内に基板を収容して加熱処理する基板熱処理装置において、
   前記チャンバ内へ加熱気体を供給し、基板の表面と対向する上部内面に沿って加熱気体を流す加熱気体供給手段と、
   この加熱気体供給手段によって前記チャンバ内へ供給された加熱気体を排出する排気手段と、
   を備えたことを特徴とする基板熱処理装置。
2. 請求項１に記載の基板熱処理装置において、
   前記加熱気体供給手段が、加熱気体を前記チャンバの内部に向けて噴出させる気体噴出口を前記チャンバの一側面の上部に有し、前記排気手段が、前記チャンバの上部内面に沿って流れる加熱気体を流入させる排気口を、チャンバの、前記気体噴出口が設けられた一側面と対向する他の一側面の上部に有することを特徴とする基板熱処理装置。
3. 請求項２に記載の基板熱処理装置において、
   基板を前記チャンバ内へ搬入しおよびチャンバ内から搬出するための搬出入口がチャンバの一側面に設けられ、その一側面の、前記搬出入口の上方に前記加熱気体供給手段の気体噴出口が設けられたことを特徴とする基板熱処理装置。
4. 請求項２または請求項３に記載の基板熱処理装置において、
   前記加熱気体供給手段は、前記気体噴出口と気体供給源とを流路接続する気体供給管と、この気体供給管の途中の、前記気体噴出口の近くに介挿され、気体供給管内を流れる気体を加熱する気体加熱手段とを有することを特徴とする基板熱処理装置。

Images